JP2002184252A - 導体内でｙｂｃｏ層との最適化格子整合を提供するドープしたセリアをベースとするバッファ層構造および前記構造の製造方法 - Google Patents
導体内でｙｂｃｏ層との最適化格子整合を提供するドープしたセリアをベースとするバッファ層構造および前記構造の製造方法Info
- Publication number
- JP2002184252A JP2002184252A JP2001308289A JP2001308289A JP2002184252A JP 2002184252 A JP2002184252 A JP 2002184252A JP 2001308289 A JP2001308289 A JP 2001308289A JP 2001308289 A JP2001308289 A JP 2001308289A JP 2002184252 A JP2002184252 A JP 2002184252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ybco
- conductor structure
- structure according
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 title abstract description 15
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 5-[bis(2-chloroethyl)amino]-6-methyl-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound CC=1NC(=O)NC(=O)C=1N(CCCl)CCCl SDTHIDMOBRXVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N L-DOPA Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C(O)=C1 WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cu].[Y].[Ba] Chemical compound [O].[Cu].[Y].[Ba] BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12542—More than one such component
- Y10T428/12549—Adjacent to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31616—Next to polyester [e.g., alkyd]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体内でＹＢＣＯ層との最適化された格子整
合をもたらすためのドープしたセリアをベースとするバ
ッファ層構造、前記構造中で使用する格子整合層、およ
びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 前記バッファ層は、ドーパントでドープ
したＣｅＯ２層を含み、前記ＣｅＯ２層上にＹＢＣＯ超
伝導層を有する。本発明は、ＣｅＯ２層が格子整合層で
あることを特徴とする。
合をもたらすためのドープしたセリアをベースとするバ
ッファ層構造、前記構造中で使用する格子整合層、およ
びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 前記バッファ層は、ドーパントでドープ
したＣｅＯ２層を含み、前記ＣｅＯ２層上にＹＢＣＯ超
伝導層を有する。本発明は、ＣｅＯ２層が格子整合層で
あることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超伝導の分野に関
する。より詳細には、本発明は導体において、ＹＢＣＯ
層との最適化された格子整合を提供するためのドープし
たセリアをベースとするバッファ層構造、前記バッファ
層構造に含まれる格子整合層、およびその製造方法に関
する。本発明で提案した解決策により、堆積プロセス中
におけるＹＢＣＯとその下の層との間の格子不整合の問
題が最小限に抑えられる。このことにより、比較的高い
電流密度値を獲得することが可能になり、したがって、
テープ導体の電流輸送機能が改善される。
する。より詳細には、本発明は導体において、ＹＢＣＯ
層との最適化された格子整合を提供するためのドープし
たセリアをベースとするバッファ層構造、前記バッファ
層構造に含まれる格子整合層、およびその製造方法に関
する。本発明で提案した解決策により、堆積プロセス中
におけるＹＢＣＯとその下の層との間の格子不整合の問
題が最小限に抑えられる。このことにより、比較的高い
電流密度値を獲得することが可能になり、したがって、
テープ導体の電流輸送機能が改善される。
【０００２】
【従来の技術】セリアはＣｅＯ２（酸化セリウム）であ
り、超伝導薄膜技術においてバッファ層として使用され
る公知の材料である。ＹＢＣＯは、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７
の化学式を有するイットリウムバリウム銅酸化物を表わ
す。ＹＢＣＯは、超伝導セラミックの１つである。ＹＢ
ＣＯのような超伝導セラミックは、ゼロの抵抗で高い直
流電流密度（７７Ｋ以下の温度で、印加磁界がゼロの場
合、数ＭＡ／ｃｍ２まで）を、また金属類に比べて、高
周波数（１ＧＨｚを超える）まで、無視しうる程度の抵
抗で高い交流電流密度を伝導する特性を有する。
り、超伝導薄膜技術においてバッファ層として使用され
る公知の材料である。ＹＢＣＯは、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７
の化学式を有するイットリウムバリウム銅酸化物を表わ
す。ＹＢＣＯは、超伝導セラミックの１つである。ＹＢ
ＣＯのような超伝導セラミックは、ゼロの抵抗で高い直
流電流密度（７７Ｋ以下の温度で、印加磁界がゼロの場
合、数ＭＡ／ｃｍ２まで）を、また金属類に比べて、高
周波数（１ＧＨｚを超える）まで、無視しうる程度の抵
抗で高い交流電流密度を伝導する特性を有する。
【０００３】当技術分野で知られているように、一般
に、超伝導テープは、２軸テクスチャ化された基板を含
み、この基板上に１つないし複数のエピタキシャルバッ
ファ層が堆積された多層構造として構成される。２軸テ
クスチャ化基板は、ＲＡＢｉＴＳ法（C. Park, et al.,
IEEE Transactions Applied Superconductivity Vol.
9, no2 (1999) 2276-2279参照のこと）の場合のような
２軸テクスチャ化されたＮｉ基板、あるいは、たとえば
ＩＢＡＤ法（Y. Iijima, et al., Applied PhysicsLett
ers 60 (1992) 769）により２軸テクスチャ化されたＹ
ＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）などの２軸テク
スチャ化された酸化物層で被覆されたＮｉベース合金の
どちらでもよい。ＩＢＡＤは、イオンビームアシスト堆
積を表わす。
に、超伝導テープは、２軸テクスチャ化された基板を含
み、この基板上に１つないし複数のエピタキシャルバッ
ファ層が堆積された多層構造として構成される。２軸テ
クスチャ化基板は、ＲＡＢｉＴＳ法（C. Park, et al.,
IEEE Transactions Applied Superconductivity Vol.
9, no2 (1999) 2276-2279参照のこと）の場合のような
２軸テクスチャ化されたＮｉ基板、あるいは、たとえば
ＩＢＡＤ法（Y. Iijima, et al., Applied PhysicsLett
ers 60 (1992) 769）により２軸テクスチャ化されたＹ
ＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）などの２軸テク
スチャ化された酸化物層で被覆されたＮｉベース合金の
どちらでもよい。ＩＢＡＤは、イオンビームアシスト堆
積を表わす。
【０００４】実際にはバッファ層自体がいくつかの層で
作られており、各層は、Ｎｉに対する拡散バリア、金属
基板が多結晶Ｎｉ合金の場合の２軸テクスチャ化、ＹＢ
ＣＯ層との格子整合など特定の役割を有している。この
ようなバッファ層のいくつかの例にはＹＳＺおよびセリ
アがあり、格子整合層として使われることが多い。次
に、前記バッファ層上にＹＢＣＯ層を堆積させる。超伝
導構造の品質を決める重要な要素の１つにいわゆる電流
密度ＪＣがあり、基準温度におけるｃｍ２当りの電流の
関数として測定される。ＹＢＣＯテープ導体について測
定したＪＣの電流値は、７７Ｋにおいて数１０５／ｃｍ
２程度である。したがって、電流密度値が若干でも改善
されれば、テープ導体の電流容量が改善されることにな
る。
作られており、各層は、Ｎｉに対する拡散バリア、金属
基板が多結晶Ｎｉ合金の場合の２軸テクスチャ化、ＹＢ
ＣＯ層との格子整合など特定の役割を有している。この
ようなバッファ層のいくつかの例にはＹＳＺおよびセリ
アがあり、格子整合層として使われることが多い。次
に、前記バッファ層上にＹＢＣＯ層を堆積させる。超伝
導構造の品質を決める重要な要素の１つにいわゆる電流
密度ＪＣがあり、基準温度におけるｃｍ２当りの電流の
関数として測定される。ＹＢＣＯテープ導体について測
定したＪＣの電流値は、７７Ｋにおいて数１０５／ｃｍ
２程度である。したがって、電流密度値が若干でも改善
されれば、テープ導体の電流容量が改善されることにな
る。
【０００５】しかし、より高い電流密度（ＪＣ）の値を
得るためには、製造過程でいくつかの問題に直面する。
得るためには、製造過程でいくつかの問題に直面する。
【０００６】このような問題の１つは、７７Ｋで１０６
Ａ／ｃｍ２を上回るＪＣ値を示すことが可能な、少なく
とも１μｍの厚さの２軸テクスチャ化されたＹＢＣＯ層
を実現することが困難なことである。この特性は、第１
に、ＹＢＣＯ層が２軸テクスチャ化されていること、お
よび第２に、ＹＢＣＯの２次元的成長が数百ナノメート
ルにわたって維持される場合にのみ達成が可能である
が、Ｙ２Ｏ３、純粋なＣｅＯ２、またはＹＳＺなどの現
行の格子整合層では達成されていない。ＹＢＣＯ層の最
適な２軸テクスチャは、粒子がその層の表面に垂直なｃ
軸を有し、かつ粒子間の面内結晶配向不整が実質的に１
０°以下であることを特徴とする。
Ａ／ｃｍ２を上回るＪＣ値を示すことが可能な、少なく
とも１μｍの厚さの２軸テクスチャ化されたＹＢＣＯ層
を実現することが困難なことである。この特性は、第１
に、ＹＢＣＯ層が２軸テクスチャ化されていること、お
よび第２に、ＹＢＣＯの２次元的成長が数百ナノメート
ルにわたって維持される場合にのみ達成が可能である
が、Ｙ２Ｏ３、純粋なＣｅＯ２、またはＹＳＺなどの現
行の格子整合層では達成されていない。ＹＢＣＯ層の最
適な２軸テクスチャは、粒子がその層の表面に垂直なｃ
軸を有し、かつ粒子間の面内結晶配向不整が実質的に１
０°以下であることを特徴とする。
【０００７】さらなる要件は、フィルム面に垂直なａ軸
を有する粒子の示すテクスチャの表面被覆率が１％以内
であるべきである。これは、ＹＢＣＯ層の堆積温度を狭
い範囲に、たとえばパルスレーザアシスト堆積（D. Cha
mbonnet, et al., Physica C. 235-240, (1994) 625-62
6参照のこと）の場合は約７６５℃を中心とする範囲に
調整することで達成される。
を有する粒子の示すテクスチャの表面被覆率が１％以内
であるべきである。これは、ＹＢＣＯ層の堆積温度を狭
い範囲に、たとえばパルスレーザアシスト堆積（D. Cha
mbonnet, et al., Physica C. 235-240, (1994) 625-62
6参照のこと）の場合は約７６５℃を中心とする範囲に
調整することで達成される。
【０００８】上記要件において、２次元的成長とは、層
の表面に垂直ならせん転位のない成長を意味する。らせ
ん転位の発生は、ＹＢＣＯ層とバッファ層の間の格子不
整合のために起こり、らせん転位密度は格子不整合に伴
い増加する。格子不整合は、２つのエピ層間の格子定数
の相対差と定義される。ＹＢＣＯとセリアの場合、ＹＢ
ＣＯの堆積温度において、ＹＢＣＯとセリアの格子定数
はそれぞれ０．３８８９ｎｍと０．３８５９ｎｍであ
り、格子不整合は以下の比率である。（０．３８８９−
０．３８５９）／０．３８８９＝７．７×１０−３。
の表面に垂直ならせん転位のない成長を意味する。らせ
ん転位の発生は、ＹＢＣＯ層とバッファ層の間の格子不
整合のために起こり、らせん転位密度は格子不整合に伴
い増加する。格子不整合は、２つのエピ層間の格子定数
の相対差と定義される。ＹＢＣＯとセリアの場合、ＹＢ
ＣＯの堆積温度において、ＹＢＣＯとセリアの格子定数
はそれぞれ０．３８８９ｎｍと０．３８５９ｎｍであ
り、格子不整合は以下の比率である。（０．３８８９−
０．３８５９）／０．３８８９＝７．７×１０−３。
【０００９】らせん転位が発生すると直ちに、弾性ひず
みの緩和のため、粒子の成長がらせん転位によって推進
される。このためいわゆるテラス成長形態となり、フィ
ルム厚の増加につれて表面が粗くなる。
みの緩和のため、粒子の成長がらせん転位によって推進
される。このためいわゆるテラス成長形態となり、フィ
ルム厚の増加につれて表面が粗くなる。
【００１０】さらにこのことは、金属粒子のサイズがら
せん転位密度と深い関係があるため、らせん転位密度が
増加するにつれて金属粒子の横方向のサイズが減少する
ことを意味する。最終的結果として、粒界に結晶欠陥が
増加することになる。その結果、粒界における輸送特性
が低下し、すなわちＪＣ値が低下する。さらに、粒界の
欠陥、および表面が粗いことにより、磁気渦線がＹＢＣ
Ｏ層へ侵入しやすくなり、電気的ロスをまねく原因とな
る。したがって、ＪＣは自己、または外部からの印加磁
界に極めて影響されやすくなる。
せん転位密度と深い関係があるため、らせん転位密度が
増加するにつれて金属粒子の横方向のサイズが減少する
ことを意味する。最終的結果として、粒界に結晶欠陥が
増加することになる。その結果、粒界における輸送特性
が低下し、すなわちＪＣ値が低下する。さらに、粒界の
欠陥、および表面が粗いことにより、磁気渦線がＹＢＣ
Ｏ層へ侵入しやすくなり、電気的ロスをまねく原因とな
る。したがって、ＪＣは自己、または外部からの印加磁
界に極めて影響されやすくなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来使
用されてきたバッファ層はＹＳＺまたはＣｅＯ２であ
る。しかし、このような層の使用自体が、たとえば７６
５℃などの典型的な堆積温度において、これらの材料と
ＹＢＣＯ間の相対不整合が大きすぎるという欠点を引き
起こす。すなわち、ＹＳＺ／ＹＢＣＯでは約５％、Ｃｅ
Ｏ２／ＹＢＣＯでは約０．８％の範囲にある。この２つ
のケースは最良の場合でも、約１００ｎｍの臨界厚さ
（ｔＣ）でらせん転位の発生が起こる。しかるに、上述
のように、高品質の厚いＹＢＣＯフィルムを成長させる
ためには、所望のｔＣ値は数百ナノメートルの範囲であ
るべきである。
用されてきたバッファ層はＹＳＺまたはＣｅＯ２であ
る。しかし、このような層の使用自体が、たとえば７６
５℃などの典型的な堆積温度において、これらの材料と
ＹＢＣＯ間の相対不整合が大きすぎるという欠点を引き
起こす。すなわち、ＹＳＺ／ＹＢＣＯでは約５％、Ｃｅ
Ｏ２／ＹＢＣＯでは約０．８％の範囲にある。この２つ
のケースは最良の場合でも、約１００ｎｍの臨界厚さ
（ｔＣ）でらせん転位の発生が起こる。しかるに、上述
のように、高品質の厚いＹＢＣＯフィルムを成長させる
ためには、所望のｔＣ値は数百ナノメートルの範囲であ
るべきである。
【００１２】したがって、導体構造中のバッファ層は、
たとえば約７６５℃の通常の堆積温度において、前記バ
ッファ層によってもたらされる相対不整合が実質的に
０．１％以下になるものを使用することが望まれる。こ
の格子不整合バリアにより、たとえば０．１％で３００
ｎｍなど、数百ナノメートルのｔＣ値が期待される。
たとえば約７６５℃の通常の堆積温度において、前記バ
ッファ層によってもたらされる相対不整合が実質的に
０．１％以下になるものを使用することが望まれる。こ
の格子不整合バリアにより、たとえば０．１％で３００
ｎｍなど、数百ナノメートルのｔＣ値が期待される。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の欠点を克服するた
めに、本発明の目的として、ＹＢＣＯテープ導体用のド
ープしたセリアをベースとするバッファ層構造、前記バ
ッファ層に含まれる格子整合層、およびその製造方法を
提案する。
めに、本発明の目的として、ＹＢＣＯテープ導体用のド
ープしたセリアをベースとするバッファ層構造、前記バ
ッファ層に含まれる格子整合層、およびその製造方法を
提案する。
【００１４】本発明によれば、高体積分率までセリアの
ホタル石型結晶構造を維持するドーパントを使用する
と、化合物の格子定数を実質的にに変更させることがで
きる。Ｃｅをドーパント（たとえばＬａ）で部分置換す
ると、最終的に高い原子分率までホスト（セリア）の結
晶対称性が維持されており、かつドーパント濃度ととも
に変化する格子定数を示す化合物が得られる。Ｌａでド
ープしたセリアの場合、原子分率が０．５５まで、格子
定数がドーパントの原子濃度とともに直線的に変化する
（ベガードの法則として知られている）（B.C. Morris,
et al., J. Mater. Chem. 10 (1993) 1007参照のこ
と）。ランタン（Ｌａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネ
シウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）、鉄（Ｆｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マンガン（Ｍ
ｎ）、ネオジム（Ｎｄ）などの、いくつかのドーパント
がこのような特性を有することが知られている。
ホタル石型結晶構造を維持するドーパントを使用する
と、化合物の格子定数を実質的にに変更させることがで
きる。Ｃｅをドーパント（たとえばＬａ）で部分置換す
ると、最終的に高い原子分率までホスト（セリア）の結
晶対称性が維持されており、かつドーパント濃度ととも
に変化する格子定数を示す化合物が得られる。Ｌａでド
ープしたセリアの場合、原子分率が０．５５まで、格子
定数がドーパントの原子濃度とともに直線的に変化する
（ベガードの法則として知られている）（B.C. Morris,
et al., J. Mater. Chem. 10 (1993) 1007参照のこ
と）。ランタン（Ｌａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネ
シウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）、鉄（Ｆｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マンガン（Ｍ
ｎ）、ネオジム（Ｎｄ）などの、いくつかのドーパント
がこのような特性を有することが知られている。
【００１５】したがって、本発明の一目的は、ドーパン
トでドープしたＣｅＯ２層を含む少なくとも１つのバッ
ファ層をその上に設けた金属基板テープを含み、前記Ｃ
ｅＯ ２層上にＹＢＣＯ超伝導層を有する導体構造であっ
て、前記ＣｅＯ２層が格子整合層であることを特徴とす
る導体構造を提供することである。
トでドープしたＣｅＯ２層を含む少なくとも１つのバッ
ファ層をその上に設けた金属基板テープを含み、前記Ｃ
ｅＯ ２層上にＹＢＣＯ超伝導層を有する導体構造であっ
て、前記ＣｅＯ２層が格子整合層であることを特徴とす
る導体構造を提供することである。
【００１６】本発明の他の態様によれば、金属基板が、
ＹＢＣＯの熱膨張係数に近い熱膨張係数α、すなわち−
２００〜８００℃の範囲の値を有するように選定され
る。
ＹＢＣＯの熱膨張係数に近い熱膨張係数α、すなわち−
２００〜８００℃の範囲の値を有するように選定され
る。
【００１７】本発明の他の態様によれば、ＣｅＯ２格子
整合層は、ほぼ１００ｎｍ以下の厚さを有し、ＹＢＣＯ
層が、ほぼ１μｍ以上の厚さを有することができる。
整合層は、ほぼ１００ｎｍ以下の厚さを有し、ＹＢＣＯ
層が、ほぼ１μｍ以上の厚さを有することができる。
【００１８】本発明の好ましい実施形態において、バッ
ファ層は、基板とＣｅＯ２格子整合層間に、基板金属の
拡散防止バリアとして第１層を含む。この第１層は、１
０ｎｍと１００ｎｍの間の厚さを有するＳｉＮｘ層とす
ることができる。
ファ層は、基板とＣｅＯ２格子整合層間に、基板金属の
拡散防止バリアとして第１層を含む。この第１層は、１
０ｎｍと１００ｎｍの間の厚さを有するＳｉＮｘ層とす
ることができる。
【００１９】さらに、この実施形態において、バッファ
層は第１層と格子整合層の間に第２層を含み、第２層
は、適正な堆積温度においてＹＢＣＯ層にそのテクスチ
ャが転移されるように２軸テクスチャ化されている。こ
の第２層は、ほぼ１０ｎｍ以下の厚さを有するＭｇＯ層
とすることができる。
層は第１層と格子整合層の間に第２層を含み、第２層
は、適正な堆積温度においてＹＢＣＯ層にそのテクスチ
ャが転移されるように２軸テクスチャ化されている。こ
の第２層は、ほぼ１０ｎｍ以下の厚さを有するＭｇＯ層
とすることができる。
【００２０】本発明の一実施形態において、金属基板は
Ｎｉ合金である。
Ｎｉ合金である。
【００２１】本発明の他の実施形態において、金属基板
は２軸テクスチャ化されたＮｉ基板である。
は２軸テクスチャ化されたＮｉ基板である。
【００２２】本発明の一態様によれば、ドーパントはラ
ンタンであり、前記ランタンが、ほぼ０．１５に等しい
原子分率を有することができる。
ンタンであり、前記ランタンが、ほぼ０．１５に等しい
原子分率を有することができる。
【００２３】本発明の他の目的は、上述の導体構造の製
造方法であって、ドープされたＣｅＯ２の格子整合層を
ＰＶＤにより基層上に堆積するステップと、ＣｅＯ２格
子整合層上にＹＢＣＯの超伝導層を堆積させるステップ
とを含むことを特徴とする方法を提供することである。
造方法であって、ドープされたＣｅＯ２の格子整合層を
ＰＶＤにより基層上に堆積するステップと、ＣｅＯ２格
子整合層上にＹＢＣＯの超伝導層を堆積させるステップ
とを含むことを特徴とする方法を提供することである。
【００２４】本発明の他の態様によれば、この方法は、
金属基板上に第１層をＰＥＣＶＤまたはＰＶＤにより堆
積させるステップを含むことができる。
金属基板上に第１層をＰＥＣＶＤまたはＰＶＤにより堆
積させるステップを含むことができる。
【００２５】さらに、この方法が、第１層上にＩＢＡＤ
を用いたＰＶＤにより第２層を堆積させるステップを含
むことができ、基層が第２層である。
を用いたＰＶＤにより第２層を堆積させるステップを含
むことができ、基層が第２層である。
【００２６】本発明の上記およびその他の特徴は、好ま
しい実施形態についての以下の説明ならびに特許請求の
範囲でより詳しく述べる。
しい実施形態についての以下の説明ならびに特許請求の
範囲でより詳しく述べる。
【００２７】
【発明の実施の形態】上述のように、本発明で提案する
解決策は、ドーパントでドープされたＣｅＯ ２格子整合
層を有するバッファ層の使用に関する。この結果、Ｃｅ
Ｏ２層の格子定数が、ＹＢＣＯ層との相対格子不整合が
減少するように変更される。所望の効果をもたらすドー
パントがいくつか存在する。Ｌａは、このようなドーパ
ントの１つであり、本明細書で例示として名前を挙げた
にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
解決策は、ドーパントでドープされたＣｅＯ ２格子整合
層を有するバッファ層の使用に関する。この結果、Ｃｅ
Ｏ２層の格子定数が、ＹＢＣＯ層との相対格子不整合が
減少するように変更される。所望の効果をもたらすドー
パントがいくつか存在する。Ｌａは、このようなドーパ
ントの１つであり、本明細書で例示として名前を挙げた
にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２８】Ｌａの場合、化合物Ｃｅ（１−ｘ）Ｌａｘ
Ｏ２−ｘ／２が、ｘ＝０．１５の場合に、ＹＢＣＯとの
推定相対格子不整合率０．１％を与えることが明らかに
されている。しかし、この配合を従来の手法でさらに改
良することにより、さらに低い格子不整合値が得られる
ことが実験により明らかにされている。
Ｏ２−ｘ／２が、ｘ＝０．１５の場合に、ＹＢＣＯとの
推定相対格子不整合率０．１％を与えることが明らかに
されている。しかし、この配合を従来の手法でさらに改
良することにより、さらに低い格子不整合値が得られる
ことが実験により明らかにされている。
【００２９】本明細書で提案した解決策の全体として
は、格子不整合に関してこれまで述べたことに加えて、
ＹＢＣＯテープ導体についてのいくつかの制約を考慮に
入れなければならないことに留意されたい。この制約に
は以下の基準が含まれる。
は、格子不整合に関してこれまで述べたことに加えて、
ＹＢＣＯテープ導体についてのいくつかの制約を考慮に
入れなければならないことに留意されたい。この制約に
は以下の基準が含まれる。
【００３０】１．Ｎｉベースの基板に対するＹＢＣＯの
熱膨張の整合性 ２．１０°以下の面内配向不整φＦＷＨＭ（°）（半波
高全幅値）をもたらすために、バッファ層が２軸テクス
チャ化されていること。これは１０６Ａ／ｃｍ ２以上の
ＪＣ値を得るための必要条件ではあるが十分条件ではな
い（D. Dimos,et al., Phys. Rev. B. vol.41, (1990)
4038-4049参照のこと）。バッファ層はまた、基板金属
のＹＢＣＯ中への拡散を防止するバリアとしても作用し
なければならない。
熱膨張の整合性 ２．１０°以下の面内配向不整φＦＷＨＭ（°）（半波
高全幅値）をもたらすために、バッファ層が２軸テクス
チャ化されていること。これは１０６Ａ／ｃｍ ２以上の
ＪＣ値を得るための必要条件ではあるが十分条件ではな
い（D. Dimos,et al., Phys. Rev. B. vol.41, (1990)
4038-4049参照のこと）。バッファ層はまた、基板金属
のＹＢＣＯ中への拡散を防止するバリアとしても作用し
なければならない。
【００３１】上記制約を念頭において、本発明では以下
の方法を提案する。
の方法を提案する。
【００３２】基板材料を選定するが、たとえばＮｉ合金
が適切な選択である。前記基板材料は、とりわけ熱膨張
係数α値について、−２００〜８００℃の範囲でＹＢＣ
Ｏのα値に近似するように最適化される。適切なＮｉ合
金の候補例は、ＨａｙｎｅｓＢ（α＝１２．８×１０
−６Ｋ−１）、Ｈａｙｎｅｓ ２４２（α＝１３．９×
１０−６Ｋ−１），Ｈａｓｔｅｌｌｏｙｓ，Ｉｎｃｏｎ
ｅｌ ６２５などであり、これらはＹＢＣＯのα値（１
３．１×１０−６Ｋ−１）に匹敵するα値を有してい
る。
が適切な選択である。前記基板材料は、とりわけ熱膨張
係数α値について、−２００〜８００℃の範囲でＹＢＣ
Ｏのα値に近似するように最適化される。適切なＮｉ合
金の候補例は、ＨａｙｎｅｓＢ（α＝１２．８×１０
−６Ｋ−１）、Ｈａｙｎｅｓ ２４２（α＝１３．９×
１０−６Ｋ−１），Ｈａｓｔｅｌｌｏｙｓ，Ｉｎｃｏｎ
ｅｌ ６２５などであり、これらはＹＢＣＯのα値（１
３．１×１０−６Ｋ−１）に匹敵するα値を有してい
る。
【００３３】上記ＲＡＢｉＴＳ法で作成したような、２
軸テクスチャ化されたＮｉ基板もまた使用できる。ＹＢ
ＣＯとの格子整合層の問題は、この特定の手法の場合も
同様である。
軸テクスチャ化されたＮｉ基板もまた使用できる。ＹＢ
ＣＯとの格子整合層の問題は、この特定の手法の場合も
同様である。
【００３４】好ましくは、バッファ層は、それぞれの層
が特定の機能を有する、３つの比較的薄い層を含むこと
ができる。
が特定の機能を有する、３つの比較的薄い層を含むこと
ができる。
【００３５】これらのうち第１の層は基板金属に対する
拡散バリアである。たとえばＮｉまたはＮｉ合金の金属
基板の場合、たとえばＰＶＤ（物理蒸着）またはＰＥＣ
ＶＤ（プラズマ強化蒸着）によって堆積されたＳｉＮｘ
などの窒化物材料を使用することができる。
拡散バリアである。たとえばＮｉまたはＮｉ合金の金属
基板の場合、たとえばＰＶＤ（物理蒸着）またはＰＥＣ
ＶＤ（プラズマ強化蒸着）によって堆積されたＳｉＮｘ
などの窒化物材料を使用することができる。
【００３６】第２層は、２軸テクスチャ化層であり、た
とえば７４０〜７７０℃の適正な堆積温度で、ＹＢＣＯ
フィルムにテクスチャを与える。この層に使用される材
料は、たとえばＭｇＯ層とすることができ、たとえばＰ
ＶＤ、電子ビーム蒸着、ＰＬＤ（パルスレーザアシスト
堆積）、またはイオンビームスパッタリングにより堆積
され、同時に当技術分野でよく知られているＩＢＡＤ
（イオンビームアシスト堆積）技法によりテクスチャ化
される。
とえば７４０〜７７０℃の適正な堆積温度で、ＹＢＣＯ
フィルムにテクスチャを与える。この層に使用される材
料は、たとえばＭｇＯ層とすることができ、たとえばＰ
ＶＤ、電子ビーム蒸着、ＰＬＤ（パルスレーザアシスト
堆積）、またはイオンビームスパッタリングにより堆積
され、同時に当技術分野でよく知られているＩＢＡＤ
（イオンビームアシスト堆積）技法によりテクスチャ化
される。
【００３７】最後に、たとえばＬａなどのドーパントで
ドープされたＣｅＯ２格子整合層が格子整合化のための
最上層となる。この層は、ＰＶＤにより堆積させること
ができる。
ドープされたＣｅＯ２格子整合層が格子整合化のための
最上層となる。この層は、ＰＶＤにより堆積させること
ができる。
【００３８】上記層の各々に対応する成長方法は、当技
術分野で使用され知られているいずれのスパッタリング
法でもよい。
術分野で使用され知られているいずれのスパッタリング
法でもよい。
【００３９】上記の手順により、提案した材料を使用し
て、７７Ｋ、０Ｔにおいて１０６Ａ／ｃｍ２以上の電流
密度ＪＣ値を有し、外部磁界に対してかなり良好な耐性
を持つ、厚さ１μｍ以上のＹＢＣＯテープを得ることが
できる。この有利な結果は、一方では金属結晶粒子間の
接続性が、他方では表面平滑度が向上したためにもたら
されたものである。
て、７７Ｋ、０Ｔにおいて１０６Ａ／ｃｍ２以上の電流
密度ＪＣ値を有し、外部磁界に対してかなり良好な耐性
を持つ、厚さ１μｍ以上のＹＢＣＯテープを得ることが
できる。この有利な結果は、一方では金属結晶粒子間の
接続性が、他方では表面平滑度が向上したためにもたら
されたものである。
【００４０】本発明で提案した解決策の他の利点は、バ
ッファ層が、その各機能に合わせて作られたサブ層で構
成されているためいっそう効率が良く、最終的に、製造
プロセスにおいて制御が容易なことである。このため、
各層の厚さを最小化できるという他の利点も得られる。
従来使用されていた２軸テクスチャ化ＹＳＺ層の典型的
な値が、φ ＦＸＨＭ（°）＝１０°を得るためには１
０００ｎｍ以上であるのに対して、拡散バリア層とドー
プしたＣｅＯ２層は典型的な厚さがほぼ１００ｎｍ以
下、好ましくは１０から１００ｎｍの間の値を有し、２
軸テクスチャ化されたＭｇＯ層は典型的な厚さがほぼ１
０ｎｍ以下の値を有する。
ッファ層が、その各機能に合わせて作られたサブ層で構
成されているためいっそう効率が良く、最終的に、製造
プロセスにおいて制御が容易なことである。このため、
各層の厚さを最小化できるという他の利点も得られる。
従来使用されていた２軸テクスチャ化ＹＳＺ層の典型的
な値が、φ ＦＸＨＭ（°）＝１０°を得るためには１
０００ｎｍ以上であるのに対して、拡散バリア層とドー
プしたＣｅＯ２層は典型的な厚さがほぼ１００ｎｍ以
下、好ましくは１０から１００ｎｍの間の値を有し、２
軸テクスチャ化されたＭｇＯ層は典型的な厚さがほぼ１
０ｎｍ以下の値を有する。
【００４１】ＹＢＣＯの堆積温度における、完全な格子
整合層の使用に伴う他の利点は、優れた結晶品質を有す
るＹＢＣＯフィルムは、高いＪＣ値が得られるだけでな
く、磁界の侵入に対する耐性が優れており、環境への耐
性もかなり高いことである。
整合層の使用に伴う他の利点は、優れた結晶品質を有す
るＹＢＣＯフィルムは、高いＪＣ値が得られるだけでな
く、磁界の侵入に対する耐性が優れており、環境への耐
性もかなり高いことである。
Claims (15)
- 【請求項１】 金属基板テープと、このテープ上に設け
られた、ドーパントをドープしたＣｅＯ２層を含む少な
くとも１つのバッファ層とを含んでなり、前記ＣｅＯ２
層上にＹＢＣＯの超伝導層を有する導体構造であって、
前記ＣｅＯ２層が格子整合層であることを特徴とする導
体構造。 - 【請求項２】 前記金属基板が、ＹＢＣＯの熱膨張係数
に近い熱膨張係数α、すなわち−２００〜８００℃を有
するように選定される、請求項１に記載の導体構造。 - 【請求項３】 前記ＣｅＯ２格子整合層が、ほぼ１００
ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１または２に記載の導
体構造。 - 【請求項４】 前記ＹＢＣＯ層が、ほぼ１μｍ以上の厚
さを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の導
体構造。 - 【請求項５】 前記バッファ層が、前記基板と前記Ｃｅ
Ｏ２格子整合層の間に、基板金属に対する拡散バリアで
ある第１層を含む、請求項１から４のいずれか一項に記
載の導体構造。 - 【請求項６】 前記第１層が、１０ｎｍ〜１００ｎｍの
厚さを有するＳｉＮ ｘ層である、請求項５に記載の導体
構造。 - 【請求項７】 前記バッファ層が前記第１層と前記格子
整合層の間に第２の層を含んでおり、この第２層は適正
な堆積温度においてそのテクスチャを前記ＹＢＣＯ層へ
転移するように２軸テクスチャ化されている、請求項５
または６に記載の導体構造。 - 【請求項８】 前記第２層がＭｇＯ層であり、ほぼ１０
ｎｍ以下の厚さを有する、請求項７に記載の導体構造。 - 【請求項９】 前記金属基板がＮｉ合金である、請求項
１から８のいずれか一項に記載の導体構造。 - 【請求項１０】 前記金属基板が２軸テクスチャ化され
たＮｉ基板である、請求項１から６のいずれか一項に記
載の導体構造。 - 【請求項１１】 前記ドーパントがランタンである、請
求項１から１０のいずれか一項に記載の導体構造。 - 【請求項１２】 前記ランタンが実質的に０．１５に等
しい原子分率を有する、請求項１１に記載の導体構造。 - 【請求項１３】 ドープされたＣｅＯ２格子整合層をＰ
ＶＤにより基層上に堆積させるステップと、前記ＣｅＯ
２格子整合層上にＹＢＣＯ超伝導層を堆積させるステッ
プとを含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれ
か一項に記載の導体構造を製造する方法。 - 【請求項１４】 前記金属基板上に、前記第１層をＰＥ
ＣＶＤまたはＰＶＤにより堆積させるステップを含むこ
とを特徴とする請求項５または６に記載の導体構造を製
造するための、請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記第１層上に前記第２層をＩＢＡＤ
併用ＰＶＤにより堆積させるステップを含み、前記基層
が前記第２層であることを特徴とする請求項７または８
に記載の導体構造を製造するための、請求項１３または
１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00402774.4 | 2000-10-09 | ||
| EP00402774A EP1195819A1 (en) | 2000-10-09 | 2000-10-09 | Buffer layer structure based on doped ceria for providing optimized lattice match with a YBCO layer in a conductor and process of manufacturing said structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184252A true JP2002184252A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=8173896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001308289A Pending JP2002184252A (ja) | 2000-10-09 | 2001-10-04 | 導体内でｙｂｃｏ層との最適化格子整合を提供するドープしたセリアをベースとするバッファ層構造および前記構造の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6649570B2 (ja) |
| EP (1) | EP1195819A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002184252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515535A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-06-01 | アプライド シン フィルムズ，インコーポレイティッド | リン酸アルミニウムコーティング |
| JP2011520215A (ja) * | 2008-03-29 | 2011-07-14 | ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 高温超電導体層配列 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29923162U1 (de) * | 1999-02-01 | 2000-04-27 | Siemens AG, 80333 München | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-T¶c¶·-Supraleitermaterial und metallischem Träger |
| US6821338B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-11-23 | The Regents Of The University Of California | Particle beam biaxial orientation of a substrate for epitaxial crystal growth |
| US6809066B2 (en) * | 2001-07-30 | 2004-10-26 | The Regents Of The University Of California | Ion texturing methods and articles |
| US6899928B1 (en) * | 2002-07-29 | 2005-05-31 | The Regents Of The University Of California | Dual ion beam assisted deposition of biaxially textured template layers |
| JP3854551B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-12-06 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導線材 |
| US20040157747A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | The University Of Houston System | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles |
| WO2004100182A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JP4120589B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
| DE102005005800A1 (de) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Hochtemperatur-Schichtsupraleiteraufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7258928B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-08-21 | Ut-Battelle, Llc | Doped Y2O3 buffer layers for laminated conductors |
| US7683010B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-03-23 | Ut-Battelle, Llc | Doped LZO buffer layers for laminated conductors |
| DE102008016257B4 (de) * | 2008-03-29 | 2010-01-28 | Zenergy Power Gmbh | Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262394A (en) * | 1991-12-27 | 1993-11-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Superconductive articles including cerium oxide layer |
| US6051846A (en) * | 1993-04-01 | 2000-04-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Monolithic integrated high-Tc superconductor-semiconductor structure |
| FR2726399B1 (fr) * | 1994-10-27 | 1997-01-10 | Alsthom Cge Alcatel | Procede pour la preparation d'un substrat en vue du depot d'une couche mince de materiau supraconducteur |
| US6077344A (en) * | 1997-09-02 | 2000-06-20 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Sol-gel deposition of buffer layers on biaxially textured metal substances |
| US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
| US5872080A (en) * | 1995-04-19 | 1999-02-16 | The Regents Of The University Of California | High temperature superconducting thick films |
| US6022832A (en) * | 1997-09-23 | 2000-02-08 | American Superconductor Corporation | Low vacuum vapor process for producing superconductor articles with epitaxial layers |
| US5972847A (en) * | 1998-01-28 | 1999-10-26 | Lockheed Martin Energy | Method for making high-critical-current-density YBa2 Cu3 O7 superconducting layers on metallic substrates |
| US6150034A (en) * | 1998-06-12 | 2000-11-21 | Ut-Battelle, Llc | Buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates |
| DE29923162U1 (de) * | 1999-02-01 | 2000-04-27 | Siemens AG, 80333 München | Langgestreckter Supraleiteraufbau mit Hoch-T¶c¶·-Supraleitermaterial und metallischem Träger |
-
2000
- 2000-10-09 EP EP00402774A patent/EP1195819A1/en not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-10-04 JP JP2001308289A patent/JP2002184252A/ja active Pending
- 2001-10-05 US US09/970,790 patent/US6649570B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515535A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-06-01 | アプライド シン フィルムズ，インコーポレイティッド | リン酸アルミニウムコーティング |
| JP2011520215A (ja) * | 2008-03-29 | 2011-07-14 | ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 高温超電導体層配列 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1195819A1 (en) | 2002-04-10 |
| US6649570B2 (en) | 2003-11-18 |
| US20020041973A1 (en) | 2002-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Foltyn et al. | Strongly coupled critical current density values achieved in Y 1 Ba 2 Cu 3 O 7− δ coated conductors with near-single-crystal texture | |
| US6383989B2 (en) | Architecture for high critical current superconducting tapes | |
| CN100477020C (zh) | 超导线及其制造方法 | |
| JP2009507358A (ja) | 高温超電導ワイヤ及びコイル | |
| KR20040010542A (ko) | 질화물 전환을 통한 에피택셜 산화물막 | |
| US6649570B2 (en) | Buffer layer structure based on doped ceria for providing optimized lattice match with a YBCO layer in a conductor | |
| US11488746B2 (en) | Superconductor with improved flux pinning at low temperatures | |
| US20110105336A1 (en) | Rare earth element oxide superconductive wire material and method of producing the same | |
| KR101289999B1 (ko) | 초전도 박막 재료의 제조 방법 및 초전도 기기 | |
| US20040157747A1 (en) | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles | |
| JP2016522534A5 (ja) | ||
| WO2013025259A1 (en) | Chemical solution seed layer for rabits tapes | |
| RU2481673C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала | |
| US7727934B2 (en) | Architecture for coated conductors | |
| JP2005116408A (ja) | 酸化物超伝導薄膜およびその製造方法 | |
| JP2009295579A (ja) | 被覆された導体のための、形状を変化させた基板の製造方法及び上記基板を使用する被覆された導体 | |
| Paulose et al. | Development of REBCO thin films using MOCVD on non-standard buffers and substrates | |
| Lyonnet et al. | Pulsed Laser Deposition of Zr 1-x CexO 2 and Ce 1-x La x O 2-x/2 for Buffer Layers and Insulating Barrier in Oxide Heterostructures | |
| JP2959290B2 (ja) | 超伝導積層薄膜およびその製造方法 | |
| JP2852753B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JP2003037304A (ja) | サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| Tomov et al. | Pulsed laser deposition of epitaxial YBCO/oxide multilayers onto textured metallic substrates for coated conductor applications | |
| Gnanarajan | YBCO/YSZ/hastelloy superconducting tapes by IBAD magnetron deposition | |
| Kim et al. | Deposition of CeO/sub 2/buffer layers for YBCO coated conductors on biaxially textured Ni substrates by MOCVD technique | |
| JP2844206B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040616 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060221 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060905 |