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JP2002176232A - Alignment mark - Google Patents

Alignment mark

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JP2002176232A
JP2002176232A JP2001298565A JP2001298565A JP2002176232A JP 2002176232 A JP2002176232 A JP 2002176232A JP 2001298565 A JP2001298565 A JP 2001298565A JP 2001298565 A JP2001298565 A JP 2001298565A JP 2002176232 A JP2002176232 A JP 2002176232A
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JP
Japan
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alignment mark
metal layer
electrolytic plating
wiring pattern
layer
Prior art date
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JP2001298565A
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Japanese (ja)
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Hitoshi Aoki
仁 青木
Yoshitaka Okugawa
良隆 奥川
Kensuke Nakamura
謙介 中村
Masaaki Kato
正明 加藤
Hidetaka Hara
英貴 原
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an alignment mark having a high recognizability in the production of a multilayer wiring board for mounting a semiconductor chip. SOLUTION: In a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark 120 formed by electrolytic plating as a lead for electrolytic plating, a protective mask 150 is formed over the alignment mark and the periphery thereof, the metal layer and the wiring pattern are roughened and then the protective mask is removed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アライメントに関
するものである。更に詳しくは、半導体チップを搭載す
る多層配線板の製造における、認識性の高いアライメン
ト(位置合わせ)マークに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to alignment. More specifically, the present invention relates to highly recognizable alignment (alignment) marks in the manufacture of a multilayer wiring board on which semiconductor chips are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々小
型化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages are becoming smaller and more multi-pin than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた、ガ
ラスエポキシ積層板に貼り付けられた銅箔をパターニン
グした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を
開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形成
し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であ
った。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上
記の配線基板では配線密度が不足して、部品の搭載に問
題が生じるようになってきている。
[0003] A conventional circuit board is called a printed wiring board. A copper foil, which is made by impregnating a glass fiber woven fabric with an epoxy resin, is attached to a glass epoxy laminate, and then a plurality of the circuit boards are stacked and bonded. Then, a through-hole was formed by drilling, a via was formed by performing copper plating on the wall surface of the hole, and a wiring board in which electrical connection between layers was performed was mainly used. However, the mounting components have been reduced in size and density, and the wiring density of the above-mentioned wiring boards has become insufficient, and problems have arisen in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されるようになっている。ビルドア
ップ多層配線板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体
とを、積み重ねながら成形される。ビア形成方法として
は、従来のドリル加工に代わって、レーザ法、プラズマ
法、フォト法等多岐にわたり、小径のビアホールを自由
に配置することで、高密度化を達成するものである。層
間接続部としては、ブラインドビア(Blind Vi
a)やバリードビア(Buried Via:ビアを導
電体で充填した構造)等があり、ビアの上にビアを形成
するスタックドビアが可能な、バリードビアホールが特
に注目されている。バリードビアホールとしては、ビア
ホールをめっきで充填する方法と、導電性ペースト等で
充填する場合とに分けられる。一方、配線パターンを形
成する方法として、銅箔をエッチングする方法(サブト
ラクティブ法)、電解銅めっきによる方法(アディティ
ブ法)等があり、配線密度の高密度化に対応可能なアデ
ィティブ法が特に注目され始めている。
[0004] Against this background, build-up multilayer wiring boards have recently been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed while stacking an insulating layer made of only a resin and a conductor. As the via forming method, a variety of methods such as a laser method, a plasma method, and a photo method are used instead of the conventional drilling, and a high-density is achieved by freely arranging small-diameter via holes. Blind vias (Blind Vi) are used as interlayer connection parts.
a) and a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor), and the like, and a buried via hole capable of forming a stacked via on the via is particularly attracting attention. The buried via hole is classified into a method of filling the via hole with plating and a method of filling the via hole with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), and the like. Is starting to be.

【0005】ビルドアップ多層配線板の製造方法は、次
の2方法に大別されている。 (1)コア基板をベースにして、絶縁層の形成、ビアの
形成、および配線パターンの形成を繰り返すことによ
り、ビルドアップ層を順次積層する方法(以下、シーケ
ンシャル法と呼ぶ) (2)ビルドアップ層を予め単独で形成しておき、コア
基板に対して、ビルドアップ層をアライメントして積層
することにより、ビルドアップ層を積層する方法(以
下、パラレル法と呼ぶ)
The method of manufacturing a build-up multilayer wiring board is roughly divided into the following two methods. (1) A method of sequentially stacking build-up layers by repeating formation of an insulating layer, formation of vias, and formation of a wiring pattern based on a core substrate (hereinafter, referred to as a sequential method). (2) Build-up A method of stacking build-up layers by forming layers independently in advance and aligning and stacking build-up layers on a core substrate (hereinafter, referred to as a parallel method)

【0006】シーケンシャル法は、コア基板をベースと
してビルドアップ層を順次形成していくため、途中の工
程で不良が発生した場合には、その時点で全てが不良と
なってしまうという問題点がある。また、製造を開始し
てから、製品が得られるまでの時間がかかるという問題
もある。全ての工程を順次(シーケンシャルに)行う必
要があり、ビルドアップ層の層数が増えれば増えるほ
ど、この問題は顕著になるため、解決は困難である。
In the sequential method, since a build-up layer is sequentially formed on a core substrate as a base, if a defect occurs in an intermediate step, there is a problem that all of the defects become defective at that time. . There is also a problem that it takes a long time from the start of production until a product is obtained. All the steps need to be performed sequentially (sequentially), and as the number of build-up layers increases, this problem becomes more remarkable and is difficult to solve.

【0007】一方、パラレル法は、ビルドアップ層を予
め単独で形成しておくことができるため、形成したビル
ドアップ層に不良があっても、その時点で検査・選別で
きる。そのため、ビルドアップ層の良品のみを選別し、
積層(コア基板に対するアライメント積層)できるとい
う利点がある。ただし、ビルドアップ層の積層で不良が
発生した場合には、全製品が不良となることは避けられ
ない。また、ビルドアップ層の形成と、ビルドアップ層
の積層を並列して行うことができるため、製造を開始し
てから製品が得られるまでの時間は、シーケンシャル法
ほど長くは無い。
On the other hand, in the parallel method, since the build-up layer can be formed independently in advance, even if there is a defect in the formed build-up layer, inspection and sorting can be performed at that time. Therefore, only good products in the build-up layer are selected,
There is an advantage that stacking (alignment stacking on the core substrate) is possible. However, when a failure occurs in the stacking of the build-up layers, it is inevitable that all the products become defective. Further, since the formation of the build-up layer and the lamination of the build-up layer can be performed in parallel, the time from the start of production to the time when a product is obtained is not as long as that of the sequential method.

【0008】上記の説明内容から言えることは、配線パ
ターンの形成はアディティブ法が有利であり、ビルドア
ップ層の積層はパラレル法の方が有利であると言うこと
である。図1〜図3は、アディティブ法およびパラレル
法を用いた、多層配線板の製造方法の一例を示す断面図
である。以下、この図面に従って、製造方法について簡
単に説明する。
It can be said from the above description that the additive method is advantageous for forming the wiring pattern, and the parallel method is advantageous for laminating the build-up layers. 1 to 3 are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board using an additive method and a parallel method. Hereinafter, the manufacturing method will be briefly described with reference to the drawings.

【0009】図2(i)に示したビルドアップ層110
は、図1(a)〜図2(i)に示す工程により得ること
ができる。図2(i)を参考にして、その構造を簡単に
説明する。ビルドアップ層110は、金属層101の表
面に形成された、配線パターン104およびアライメン
トマーク120と、それらを覆うように形成された絶縁
層105と、絶縁層105を貫通する導体ポスト107
と、導体ポスト107の表面に形成された接合用金属材
料108と、絶縁層105および接合用金属材料108
を覆うように形成された接着剤109から構成されてい
る。
The build-up layer 110 shown in FIG.
Can be obtained by the steps shown in FIGS. 1 (a) to 2 (i). The structure will be described briefly with reference to FIG. The build-up layer 110 includes a wiring pattern 104 and an alignment mark 120 formed on the surface of the metal layer 101, an insulating layer 105 formed so as to cover them, and a conductor post 107 penetrating the insulating layer 105.
And a bonding metal material 108 formed on the surface of the conductor post 107, and an insulating layer 105 and a bonding metal material 108.
Is formed so as to cover the adhesive 109.

【0010】このビルドアップ層110を用いて、図2
(j)〜図3(k)に示す工程により、コア基板130
に対して、ビルドアップ層110のアライメント積層を
行った後、図3(l)に示す工程により、金属層101
をエッチングにより除去する。なお、ビルドアップ層1
10には、配線パターン104およびアライメントマー
ク120を、エッチング液から保護するためにレジスト
金属103が形成されているため、金属層101をエッ
チングしても、配線パターン104およびアライメント
マーク120はエッチングされない。続いて、図2
(j)〜図3(l)に示す工程を繰り返すことにより、
図3(m)に示すような多層配線板140を得ることが
できる。
Using this build-up layer 110, FIG.
By the steps shown in (j) to (k) of FIG.
After the alignment of the build-up layer 110 is performed, the metal layer 101 is formed by the process shown in FIG.
Is removed by etching. In addition, build-up layer 1
In FIG. 10, since the resist metal 103 is formed to protect the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 from an etchant, even if the metal layer 101 is etched, the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 are not etched. Subsequently, FIG.
By repeating the steps shown in (j) to (l) of FIG.
A multilayer wiring board 140 as shown in FIG. 3 (m) can be obtained.

【0011】ここで、図1(a)〜図2(i)に示す工
程、すなわち、ビルドアップ層110を得るための工程
のうち、アライメントマークに関係する工程について説
明する。図1(d)は、金属層101を電解めっき用リ
ード(給電用電極)として、金属層101上に、配線パ
ターン104およびアライメントマーク120を形成し
た構造体である。この配線パターン104およびアライ
メントマーク120上に、絶縁層105を形成し(図1
(e))、絶縁層105を貫通するビア106を形成す
る(図1(f))。ビア106の形成方法には、レーザ
ー等がある。ここで最も重要な点は、ビア106を決め
られた位置に正確に形成することである。アライメント
マーク120に対するビア106の形成位置は、設計上
決まっているため、アライメントマーク120の位置を
正確に求める(認識する)ことができれば、ビア106
の形成位置を正確に求めることができる。アライメント
マーク120の認識には、CCDによる画像処理装置を
用いるのが一般的であり、アライメントマーク120を
画像処理装置により正確に認識することが重要である。
Here, among the steps shown in FIGS. 1A to 2I, that is, the steps related to the alignment mark among the steps for obtaining the build-up layer 110 will be described. FIG. 1D shows a structure in which a wiring pattern 104 and an alignment mark 120 are formed on the metal layer 101 using the metal layer 101 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating. On the wiring pattern 104 and the alignment mark 120, an insulating layer 105 is formed.
(E)), a via 106 penetrating the insulating layer 105 is formed (FIG. 1 (f)). As a method for forming the via 106, there is a laser or the like. The most important point here is that the via 106 is accurately formed at a predetermined position. Since the formation position of the via 106 with respect to the alignment mark 120 is determined by design, if the position of the alignment mark 120 can be accurately obtained (recognized), the via 106 is formed.
Can be accurately determined. In order to recognize the alignment mark 120, an image processing device using a CCD is generally used, and it is important to accurately recognize the alignment mark 120 by the image processing device.

【0012】一方、配線パターン104およびアライメ
ントマーク120上に、絶縁層105を形成するに際し
て、配線パターン104およびアライメントマーク12
0に、予め粗化処理を施しておく。これは、配線パター
ン104およびアライメントマーク120と、絶縁層1
05との密着性を確保することが目的である。しかしな
がら、配線パターン104およびアライメントマーク1
20に粗化処理を施すと、アライメントマーク120お
よびその周辺の金属層101の粗化形状が略同じになっ
てしまう。したがって、アライメントマーク120の画
像処理装置による認識性が著しく低下することになり、
結果的に、ビア106を正確な位置に形成することが困
難となる。
On the other hand, when forming the insulating layer 105 on the wiring pattern 104 and the alignment mark 120, the wiring pattern 104 and the alignment mark 12
0 is preliminarily subjected to a roughening process. This is because the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 and the insulating layer 1
The purpose is to ensure adhesion to the H.05. However, the wiring pattern 104 and the alignment mark 1
When the roughening process is performed on the surface 20, the roughened shapes of the alignment mark 120 and the metal layer 101 around the alignment mark 120 become substantially the same. Therefore, the recognizability of the alignment mark 120 by the image processing apparatus is significantly reduced,
As a result, it is difficult to form the via 106 at an accurate position.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板の製造における、ビルドアップ
層のアライメントマークのこのような現状の問題点に鑑
み、認識性の高いアライメントマークを提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an alignment mark with high recognizability in view of such a current problem of an alignment mark of a build-up layer in manufacturing a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted. The purpose is to do.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、金属層
に一方の面を接して形成されたアライメントマークであ
って、アライメントマーク周辺の金属層表面の粗化形状
と、アライメントマーク表面の粗化形状とが異なってい
ることを特徴とするアライメントマークである。
That is, the present invention relates to an alignment mark formed with one surface in contact with a metal layer, wherein the roughened shape of the metal layer surface around the alignment mark and the alignment mark surface An alignment mark characterized by having a different shape from a roughened shape.

【0015】また、本発明は、金属層を粗化処理した
後、金属層を電解めっき用リードとして、電解めっきに
より形成されることを特徴とするアライメントマークで
ある。
Further, the present invention is an alignment mark characterized in that after the metal layer is roughened, the metal layer is formed by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating.

【0016】また、本発明は、金属層を電解めっき用リ
ードとして、電解めっきにより形成された配線パターン
およびアライメントマークを有する金属層において、少
なくとも、該アライメントマークおよびその周辺部分に
保護マスクを形成し、該金属層および配線パターンに粗
化処理を施した後、該保護マスクを除去することにより
得られることを特徴とするアライメントマークである。
前記金属層が、電解めっきを行う前に、粗化処理されて
も良い。
Further, according to the present invention, in a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark formed by electrolytic plating using a metal layer as a lead for electrolytic plating, a protective mask is formed at least on the alignment mark and a peripheral portion thereof. And an alignment mark obtained by subjecting the metal layer and the wiring pattern to a roughening treatment and then removing the protective mask.
The metal layer may be roughened before performing electrolytic plating.

【0017】また、本発明は、金属層に一方の面を接し
て形成されたアライメントマークであって、アライメン
トマーク表面がバリア金属層で覆われていることを特徴
とするアライメントマークである。
According to the present invention, there is provided an alignment mark formed with one surface in contact with a metal layer, wherein the alignment mark surface is covered with a barrier metal layer.

【0018】また、本発明は、金属層を電解めっき用リ
ードとして、電解めっきにより形成されたアライメント
マークであって、アライメントマーク表面にバリア金属
層を形成し、金属層に粗化処理を施すことにより得られ
ることを特徴とするアライメントマークである。
The present invention also provides an alignment mark formed by electrolytic plating using a metal layer as a lead for electrolytic plating, wherein a barrier metal layer is formed on the surface of the alignment mark, and the metal layer is subjected to a roughening treatment. Is an alignment mark obtained by:

【0019】また、本発明は、一方の面を金属層と接す
るように絶縁層中に埋め込まれたアライメントマークお
よびその周辺部分に位置する金属層をエッチングして得
られることを特徴とするアライメントマークである。
According to the present invention, there is provided an alignment mark which is obtained by etching an alignment mark embedded in an insulating layer so that one surface thereof is in contact with a metal layer and a metal layer located at a peripheral portion thereof. It is.

【0020】更に、本発明は、金属層を電解めっき用リ
ードとして、電解めっきにより形成された配線パターン
およびアライメントマークを有する金属層において、少
なくとも、該アライメントマークが形成された部分およ
びその周辺部分の、金属層をエッチングして開口部を形
成することにより得られることを特徴とするアライメン
トマークである。
Further, according to the present invention, in a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark formed by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, at least a portion where the alignment mark is formed and a peripheral portion thereof are provided. And an alignment mark obtained by etching a metal layer to form an opening.

【0021】また、前記金属層が、銅または銅合金であ
ることが好ましく、また、前記アライメントマークが、
銅を含んでなることが好ましい。
Preferably, the metal layer is made of copper or a copper alloy, and the alignment mark is
It preferably comprises copper.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。図4は、本発明の第1のアラ
イメントマークを説明するための断面図であり、図1〜
図3に示す多層配線板の製造方法に改良を加えたもので
ある。従って、図1(a)〜図2(i)の工程を説明し
ながら、改良した点(第1のアライメントマーク)につ
いての説明を加える。なお、図2(j)〜図3(m)に
ついては、既述の通りであるため、説明を省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the first alignment mark of the present invention.
This is an improvement on the method for manufacturing the multilayer wiring board shown in FIG. Therefore, while describing the steps of FIGS. 1A to 2I, a description of the improved point (first alignment mark) will be added. 2 (j) to FIG. 3 (m) are as described above, and thus description thereof will be omitted.

【0023】多層配線板の製造方法としては、まず、金
属層101上にパターニングされためっきレジスト10
2を形成する(図1(a))。このめっきレジスト10
2は、例えば、金属層101上に紫外線感光性のドライ
フィルムレジストをラミネートし、ネガフィルム等を用
いて選択的に感光し、その後現像することにより形成で
きる。金属層101の材質は、この製造方法に適するも
のであればどのようなものでも良いが、特に、使用され
る薬液に対して耐性を有するものであって、最終的にエ
ッチングにより除去可能であることが必要である。その
ような金属層101の材質としては、例えば、銅、銅合
金、42合金、ニッケル等が挙げられる。また、金属層
101としては金属板および金属箔などが含まれ、特
に、銅箔、銅板、銅合金板は、電解めっき品・圧延品を
選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手
できるため、金属層101として使用するのに好まし
い。なお、金属層101には、めっきレジスト102と
の密着性を向上させるために、粗化処理を施しておくの
が一般的である。
As a method of manufacturing a multilayer wiring board, first, a plating resist 10 patterned on a metal layer 101 is formed.
2 is formed (FIG. 1A). This plating resist 10
2 can be formed, for example, by laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist on the metal layer 101, selectively exposing it using a negative film or the like, and then developing it. The material of the metal layer 101 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the material has resistance to the used chemical solution and can be finally removed by etching. It is necessary. Examples of the material of such a metal layer 101 include copper, a copper alloy, a 42 alloy, and nickel. In addition, the metal layer 101 includes a metal plate and a metal foil, and in particular, a copper foil, a copper plate, and a copper alloy plate can be selected not only from electrolytic plated products and rolled products, but also from various thicknesses. Therefore, it is preferable to use it as the metal layer 101. The metal layer 101 is generally subjected to a roughening treatment in order to improve the adhesion with the plating resist 102.

【0024】次に、金属層101を電解めっき用リード
(給電用電極)として、レジスト金属103を電解めっ
きにより形成する(図1(b))。この電解めっきによ
り、金属層101上のめっきレジスト102が形成され
ていない部分に、レジスト金属103が形成される。レ
ジスト金属103の材質は、この製造方法に適するもの
であればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金
属層101をエッチングにより除去する際に使用する薬
液に対して耐性を有することが必要である。レジスト金
属103の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、
銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト
金属103を形成する目的は、金属層101をエッチン
グ・除去する際に使用する薬液により、図1(c)に示
す配線パターン104およびアライメントマーク120
がエッチングされるのを防ぐことである。従って、金属
層101をエッチングする際に使用する薬液に対して、
図1(c)に示す配線パターン104およびアライメン
トマーク120が耐性を有している場合は、このレジス
ト金属103は不要である。
Next, a resist metal 103 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 1B). By this electrolytic plating, a resist metal 103 is formed on a portion of the metal layer 101 where the plating resist 102 is not formed. The material of the resist metal 103 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the resist metal 103 has a resistance to a chemical used when the metal layer 101 is finally removed by etching. is necessary. As a material of the resist metal 103, for example, nickel, gold, tin,
Silver, solder, palladium and the like can be mentioned. The purpose of forming the resist metal 103 is to change the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 shown in FIG.
Is to be prevented from being etched. Therefore, the chemical used for etching the metal layer 101 is
When the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 shown in FIG. 1C have resistance, the resist metal 103 is not necessary.

【0025】次に、金属層101を電解めっき用リード
(給電用電極)として、配線パターン104およびアラ
イメントマーク120を、電解めっきにより形成し(図
1(c))、めっきレジスト102を除去する(図1
(d))。この電解めっきにより、金属層101上のめ
っきレジスト102が形成されていない部分に、配線パ
ターン104およびアライメントマーク120が形成さ
れる。配線パターン104およびアライメントマーク1
20の材質としては、この製造方法に適するものであれ
ばどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジスト
金属103をエッチングにより除去する際に使用する薬
液に対して、耐性を有することが必要である。実際に
は、配線パターン104およびアライメントマーク12
0をエッチングしない薬液で、エッチング可能なレジス
ト金属103を選定するのが得策である。配線パターン
104およびアライメントマーク120の材質として
は、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等
が使用できるが、特に銅を用いれば、低抵抗で安定した
配線パターン104が得られ、好ましい。
Next, a wiring pattern 104 and an alignment mark 120 are formed by electrolytic plating using the metal layer 101 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 1C), and the plating resist 102 is removed (FIG. 1C). Figure 1
(D)). By this electrolytic plating, a wiring pattern 104 and an alignment mark 120 are formed on a portion of the metal layer 101 where the plating resist 102 is not formed. Wiring pattern 104 and alignment mark 1
The material of the material 20 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the material of the material 20 has resistance to a chemical used when the resist metal 103 is finally removed by etching. is necessary. Actually, the wiring pattern 104 and the alignment mark 12
It is advisable to select a resist metal 103 that can be etched with a chemical solution that does not etch 0. As a material of the wiring pattern 104 and the alignment mark 120, for example, copper, nickel, gold, tin, silver, palladium, or the like can be used. Particularly, when copper is used, a low-resistance and stable wiring pattern 104 is obtained, which is preferable. .

【0026】なお、この時点では、アライメントマーク
120の表面は電解めっき後の光沢を有しており、アラ
イメントマーク120周辺の金属層101は、めっきレ
ジスト102形成前の粗化形状を有するため、画像処理
装置によってアライメントマーク120とその周辺の金
属層101とのコントラストが得られ、アライメントマ
ーク120の認識性は非常に高い。
At this time, the surface of the alignment mark 120 has a gloss after electrolytic plating, and the metal layer 101 around the alignment mark 120 has a roughened shape before the plating resist 102 is formed. The contrast between the alignment mark 120 and the metal layer 101 around the alignment mark 120 is obtained by the processing apparatus, and the recognizability of the alignment mark 120 is very high.

【0027】次に、アライメントマーク120およびそ
の周辺部分に、保護マスク150を形成する(図4
(d’))。さらに、金属層101および配線パターン
104に粗化処理を施した後、保護マスク150を除去
する。これらの工程により、金属層101および配線パ
ターン104の表面は微細な粗化形状を有するようにな
る。一方、アライメントマーク120およびその周辺の
金属層101は粗化処理が施されないため、上述のよう
に、画像処理装置によってアライメントマーク120と
その周辺の金属層101とのコントラストが得られ、ア
ライメントマーク120の認識性が低下することはな
い。この保護マスク150は、例えば、紫外線感光性の
ドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィルム
等を用いて選択的に感光し、その後現像することにより
形成できる。
Next, a protective mask 150 is formed on the alignment mark 120 and its peripheral portion.
(D ')). Further, after performing a roughening process on the metal layer 101 and the wiring pattern 104, the protection mask 150 is removed. Through these steps, the surfaces of the metal layer 101 and the wiring pattern 104 have a finely roughened shape. On the other hand, since the alignment mark 120 and the metal layer 101 around the alignment mark are not subjected to the roughening treatment, the contrast between the alignment mark 120 and the metal layer 101 around the alignment mark 120 is obtained by the image processing apparatus as described above, and the alignment mark 120 The recognizability of the is not reduced. The protective mask 150 can be formed, for example, by laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist, selectively exposing it to light using a negative film or the like, and then developing it.

【0028】次に、形成した配線パターン104および
アライメントマーク120上に、絶縁層105を形成す
る(図1(e))。絶縁層105を構成する樹脂は、こ
の製造方法に適するものであればどのようなものでも使
用できる。また、絶縁層105の形成は、使用する樹脂
に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテ
ンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドラ
イフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス
等の方法で積層する方法が挙げられる。特に、市販され
ている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真空ラミネート
により配線パターン104およびアライメントマーク1
20の凹凸を埋め込みながら成形し、最後に銅箔をエッ
チングすれば、絶縁層105の表面が配線パターン10
4およびアライメントマーク120の凹凸に影響される
ことなく、非常に平坦になる。また、絶縁層105の表
面には、銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、
図2(i)に示す接着剤109との密着性を確保するこ
とができる。
Next, an insulating layer 105 is formed on the formed wiring pattern 104 and the alignment mark 120 (FIG. 1E). As the resin forming the insulating layer 105, any resin suitable for this manufacturing method can be used. The insulating layer 105 may be formed by a method suitable for the resin to be used. For example, a resin varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film type resin may be vacuum-laminated, vacuum-coated. A method of laminating by a method such as pressing may be used. In particular, commercially available copper foil with resin is easily available, and the wiring pattern 104 and the alignment mark 1 are formed by vacuum lamination.
If the copper foil is etched while embedding and embedding the irregularities of the wiring pattern 20, the surface of the insulating layer 105 becomes the wiring pattern 10.
4 and very flat without being affected by the unevenness of the alignment mark 120. In addition, since the fine roughened shape of the copper foil surface is transferred to the surface of the insulating layer 105,
Adhesion with the adhesive 109 shown in FIG. 2 (i) can be ensured.

【0029】次に、形成した絶縁層105に、ビア10
6を形成する(図2(f))。ビア106の形成方法
は、この製造方法に適する方法であればどのような方法
でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチン
グ、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁層
105を感光性樹脂とした場合には、絶縁層105を選
択的に感光し、現像することでビア106を形成するこ
ともできる。ここで、ビア106を決められた位置に正
確に形成することが重要であることは、既述の通りであ
る。図4(d’)の工程を経て得られたアライメントマ
ーク120は、画像処理装置による認識性が高いため、
アライメントマーク120の位置を正確に求めることが
でき、結果的に、ビア106を決められた位置に正確に
形成することができる。
Next, a via 10 is formed in the formed insulating layer 105.
6 is formed (FIG. 2F). The method for forming the via 106 may be any method as long as it is a method suitable for this manufacturing method, and examples thereof include dry etching by laser and plasma, and chemical etching. When the insulating layer 105 is made of a photosensitive resin, the via 106 can be formed by selectively exposing and developing the insulating layer 105. Here, as described above, it is important to accurately form the via 106 at a predetermined position. The alignment mark 120 obtained through the process of FIG. 4D has high recognizability by the image processing apparatus.
The position of the alignment mark 120 can be determined accurately, and as a result, the via 106 can be accurately formed at a predetermined position.

【0030】次に、金属層101を電解めっき用リード
(給電用電極)として、導体ポスト107を電解めっき
により形成する(図2(g))。この電解めっきによ
り、絶縁層105のビア106が形成されている部分
に、導体ポスト107が形成される。電解めっきにより
導体ポスト107を形成すれば、導体ポスト107の先
端の形状を自由に制御することができる。導体ポスト1
07の材質としては、この製造方法に適するものであれ
ばどのようなものでも良く、例えば、銅、ニッケル、
金、錫、銀、パラジウム等が使用でき、特に銅を用いれ
ば、低抵抗で安定した導体ポスト107が得られ、好ま
しい。
Next, the conductor post 107 is formed by electrolytic plating using the metal layer 101 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 2 (g)). By this electrolytic plating, a conductor post 107 is formed in a portion of the insulating layer 105 where the via 106 is formed. If the conductor post 107 is formed by electrolytic plating, the shape of the tip of the conductor post 107 can be freely controlled. Conductor post 1
07 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. For example, copper, nickel,
Gold, tin, silver, palladium, or the like can be used. Particularly, when copper is used, a low-resistance and stable conductor post 107 can be obtained, which is preferable.

【0031】次に、導体ポスト107の表面(先端)
に、接合用金属材料108を形成する(図2(h))。
接合用金属材料108の形成方法としては、無電解めっ
きにより形成する方法、金属層101を電解めっき用リ
ード(給電用電極)として、電解めっきにより形成する
方法、接合用金属材料108を含有するペーストを印刷
する方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マ
スクを導体ポスト107に対して、精度良く位置合せす
る必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法
では、導体ポスト107の表面以外に、接合用金属材料
108が形成されることがないため、導体ポスト107
の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっ
きによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、め
っき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容
易であるため、非常に好適である。接合用金属材料10
8の材質としては、図2(j)に示すコア基板130と
金属接合可能な金属であればどのようなものでもよく、
例えば、半田が挙げられる。半田の中でも、SnやI
n、もしくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Pd、S
b、Pb、In、Auの少なくとも二種からなる半田を
使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優し
いPbフリー半田である。
Next, the surface (tip) of the conductor post 107
Next, a bonding metal material 108 is formed (FIG. 2H).
As a method for forming the bonding metal material 108, a method for forming by electroless plating, a method for forming the metal layer 101 as an electrolytic plating lead (electrode for power supply) by electrolytic plating, and a paste containing the bonding metal material 108. Is printed. In the printing method, the printing mask needs to be accurately positioned with respect to the conductor post 107. In the method of electroless plating or electrolytic plating, the bonding metal material 108 is used in addition to the surface of the conductor post 107. Since the conductor post 107 is not formed,
It is easy to cope with miniaturization and high density. In particular, the method using electroplating is very suitable because the metal that can be plated is more diverse and the management of the chemical solution is easier than the method using electroless plating. Metallic material for joining 10
8 may be any metal as long as it can be metal-bonded to the core substrate 130 shown in FIG.
An example is solder. Among solders, Sn and I
n or Sn, Ag, Cu, Zn, Bi, Pd, S
It is preferable to use at least two kinds of solders of b, Pb, In, and Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder.

【0032】次に、絶縁層105の表面に、接着剤10
9を形成する(図2(i))。接着剤109の形成は、
使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを
印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布
したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネー
ト、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。
なお、図2(i)では、絶縁層105の表面に接着剤1
09を形成する例を示したが、コア基板130の表面
に、接着剤109を形成しても構わない。もちろん、絶
縁層105とコア基板130の両表面に形成しても構わ
ない。
Next, the adhesive 10 is applied to the surface of the insulating layer 105.
9 (FIG. 2 (i)). The formation of the adhesive 109
A method suitable for the resin to be used may be used, such as a method in which a resin varnish is directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a method in which a dry film type resin is laminated by a method such as vacuum lamination or vacuum pressing. No.
In FIG. 2I, the adhesive 1 is applied to the surface of the insulating layer 105.
Although the example in which the substrate 109 is formed has been described, the adhesive 109 may be formed on the surface of the core substrate 130. Of course, it may be formed on both surfaces of the insulating layer 105 and the core substrate 130.

【0033】図2(j)〜図3(m)の工程について
は、既述の通りであるため、説明を省略する。
The steps of FIG. 2 (j) to FIG. 3 (m) are as described above, and the description is omitted.

【0034】続いて、本発明による第2のアライメント
マークについて、図5を参考にして詳細に説明する。図
5(c'')〜(d'')は、本発明の第2のアライメント
マークを説明するための断面図であり、図1(c)〜図
1(d)の代わりに行う工程を説明するためのものであ
る。従ってここでは、第1のアライメントマークとは異
なる部分を特に詳細に説明し、同じ部分は基本的に説明
を省略する。
Next, the second alignment mark according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIGS. 5C to 5D are cross-sectional views for explaining the second alignment mark of the present invention, and show steps performed instead of FIGS. 1C to 1D. It is for explanation. Therefore, here, portions different from the first alignment mark will be described in detail, and description of the same portion will be basically omitted.

【0035】図5(c'')の工程において、金属層10
1を電解めっき用リード(給電用電極)として、配線パ
ターン104およびアライメントマーク120を電解め
っきにより形成した後、アライメントマーク120の表
面にのみ、バリア金属層160を形成する。続いて、図
5(d'')の工程により、めっきレジスト102を除去
する。次に、金属層101全体に粗化処理を行うが、ア
ライメントマーク120の表面にはバリア金属層160
が形成されているため粗化処理は施されない。アライメ
ントマーク120の表面はバリア金属層160が形成さ
れており、アライメントマーク120周辺の金属層10
1は、めっきレジスト102形成前の粗化形状を有する
ため、画像処理装置によってアライメントマーク120
とその周辺の金属層101とのコントラストが得られ、
アライメントマーク120の認識性は非常に高くなる。
In the step shown in FIG. 5C, the metal layer 10
After forming the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 by electrolytic plating using 1 as a lead for electrolytic plating (power supply electrode), the barrier metal layer 160 is formed only on the surface of the alignment mark 120. Subsequently, the plating resist 102 is removed in the step of FIG. Next, a roughening process is performed on the entire metal layer 101, and a barrier metal layer 160 is formed on the surface of the alignment mark 120.
No roughening treatment is performed because of the formation of. The barrier metal layer 160 is formed on the surface of the alignment mark 120, and the metal layer 10 around the alignment mark 120 is formed.
1 has a roughened shape before the formation of the plating resist 102, and therefore, the alignment mark 120 is formed by the image processing apparatus.
And the contrast with the surrounding metal layer 101 are obtained,
The recognizability of the alignment mark 120 is very high.

【0036】バリア金属層160をアライメントマーク
120の表面にのみに形成するには、アライメントマー
ク120が形成されている部分以外のめっきレジスト1
02表面に、さらにレジストを形成して、電解めっき、
無電解めっきなどの方法を用いるか、あるいは、印刷な
どの方法を用いればよい。バリア金属層160の材質
は、この製造方法に適するものであればどのようなもの
でも良いが、特に、粗化処理に耐性を有することが必要
である。バリア金属層160の材質としては、例えば、
ニッケル、金、錫、銀、半田、パラジウム等が挙げられ
るが、ほとんどの粗化処理に耐性を有する金を選定する
ことが好ましい。
In order to form the barrier metal layer 160 only on the surface of the alignment mark 120, the plating resist 1 other than the portion where the alignment mark 120 is formed is formed.
02, a resist is further formed on the surface, electrolytic plating,
A method such as electroless plating or a method such as printing may be used. The material of the barrier metal layer 160 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, it is necessary that the material has resistance to a roughening treatment. As a material of the barrier metal layer 160, for example,
Nickel, gold, tin, silver, solder, palladium and the like can be mentioned, but it is preferable to select gold having resistance to most roughening treatments.

【0037】続いて、本発明による第3のアライメント
マークについて、図6を参考にして詳細に説明する。図
6は、本発明の第3のアライメントマークを説明するた
めの断面図であり、図1(e)〜図1(f)の間に加え
る工程を説明するためのものである。従ってここでは、
第1のアライメントマークとは異なる部分を特に詳細に
説明し、同じ部分は基本的に説明を省略する。
Next, the third alignment mark according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a third alignment mark of the present invention, and is for explaining a step added between FIGS. 1 (e) to 1 (f). So here,
Parts different from the first alignment mark will be particularly described in detail, and description of the same parts will be basically omitted.

【0038】図1(d)の工程により、めっきレジスト
102を除去した後、アライメントマーク120に対し
て何ら対策を行うことなく、金属層101全体に粗化処
理を施す。したがって、この時点ではアライメントマー
ク120の認識性は著しく低くなっている。次に、配線
パターン104およびアライメントマーク120上に絶
縁層105を形成し(図1(e))、アライメントマー
ク120が形成された部分およびその周辺部分の金属層
101を、エッチングにより除去して開口部170を形
成する(図6(e’))。開口部170を形成すること
により、アライメントマーク120の周辺部分は絶縁層
105のみとなるため、アライメントマーク120の認
識性は大幅に向上する。
After the plating resist 102 is removed in the step shown in FIG. 1D, the entire metal layer 101 is subjected to a roughening treatment without taking any measures for the alignment mark 120. Therefore, at this point, the recognizability of the alignment mark 120 is extremely low. Next, an insulating layer 105 is formed on the wiring pattern 104 and the alignment mark 120 (FIG. 1E). The part 170 is formed (FIG. 6E '). By forming the opening 170, the periphery of the alignment mark 120 becomes only the insulating layer 105, so that the recognizability of the alignment mark 120 is greatly improved.

【0039】本発明による、第1、第2および第3のア
ライメントマークの特徴は、次の2点である。 (1)アライメントマーク120の認識性を向上するた
めに、アライメントマーク120とその周辺部分に差
(粗化形状、材質)を設けている。 (2)技術的に容易な工程を追加するだけで、アライメ
ントマーク120の認識性を格段に向上させることがで
きる。
The first, second and third alignment marks according to the present invention have the following two features. (1) In order to improve the recognizability of the alignment mark 120, a difference (roughened shape, material) is provided between the alignment mark 120 and its peripheral portion. (2) The recognizability of the alignment mark 120 can be remarkably improved only by adding a technically easy process.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
により、アライメントマークの認識性を格段に高めるこ
とができるため、本発明のアライメントマークを用いる
ことにより、ビア形成の位置精度を高めることができ、
結果的に、より微細な配線パターンを有する多層配線板
を製造することが可能になる。
As is clear from the above description, the present invention can significantly improve the recognizability of the alignment mark. Therefore, by using the alignment mark of the present invention, it is possible to improve the positional accuracy of via formation. Can be
As a result, a multilayer wiring board having a finer wiring pattern can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に用いる多層配線板の製造方法の一例を
示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board used in the present invention.

【図2】本発明に用いる多層配線板の製造方法の一例を
示す断面図である(図1の続き)。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board used in the present invention (continuation of FIG. 1).

【図3】本発明に用いる多層配線板の製造方法の一例を
示す断面図である(図2の続き)。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board used in the present invention (continuation of FIG. 2).

【図4】本発明の第1のアライメントマークを形成する
ための、追加工程の一例を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an additional step for forming a first alignment mark of the present invention.

【図5】本発明の第2のアライメントマークを形成する
ための、変更工程の一例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a changing step for forming a second alignment mark of the present invention.

【図6】本発明の第3のアライメントマークを形成する
ための、追加工程の一例を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of an additional step for forming a third alignment mark of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 金属層 102 めっきレジスト 103 レジスト金属 104 配線パターン 105 絶縁層 106 ビア 107 導体ポスト 108 接合用金属材料 109 接着剤 110 ビルドアップ層 120 アライメントマーク 130 コア基板 140 多層配線板 150 保護マスク 160 バリア金属層 170 開口部 Reference Signs List 101 metal layer 102 plating resist 103 resist metal 104 wiring pattern 105 insulating layer 106 via 107 conductor post 108 bonding metal material 109 adhesive 110 build-up layer 120 alignment mark 130 core substrate 140 multilayer wiring board 150 protective mask 160 barrier metal layer 170 Aperture

フロントページの続き (72)発明者 加藤 正明 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 原 英貴 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 5E314 AA24 BB02 BB13 DD04 FF05 GG26 5E338 AA03 AA16 CC01 CD11 DD12 DD32 EE42 5E346 AA06 AA12 AA15 AA35 AA60 BB01 CC02 CC08 CC31 DD02 DD22 DD33 EE02 EE06 EE07 EE12 EE17 FF35 FF36 GG28 HH11 Continuing from the front page (72) Inventor Masaaki Kato 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Hara 2-5-2-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite shares Company F-term (reference)

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属層に一方の面を接して形成されたア
ライメントマークであって、アライメントマーク周辺の
金属層表面の粗化形状と、アライメントマーク表面の粗
化形状とが異なっていることを特徴とするアライメント
マーク。
An alignment mark formed with one surface in contact with a metal layer, wherein the roughened shape of the metal layer surface around the alignment mark is different from the roughened shape of the alignment mark surface. Characteristic alignment mark.
【請求項2】 金属層を粗化処理した後、金属層を電解
めっき用リードとして、電解めっきにより形成されるこ
とを特徴とするアライメントマーク。
2. An alignment mark formed by electrolytic plating using a metal layer as a lead for electrolytic plating after roughening the metal layer.
【請求項3】 金属層を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより形成された配線パターンおよびアライメ
ントマークを有する金属層において、少なくとも、該ア
ライメントマークおよびその周辺部分に保護マスクを形
成し、該金属層および配線パターンに粗化処理を施した
後、該保護マスクを除去することにより得られることを
特徴とするアライメントマーク。
3. A metal layer having a wiring pattern and an alignment mark formed by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, wherein a protective mask is formed at least on the alignment mark and a peripheral portion thereof. And an alignment mark obtained by subjecting the wiring pattern to a roughening treatment and then removing the protective mask.
【請求項4】 金属層が、電解めっきを行う前に、粗化
処理される、請求項3記載のアライメントマーク。
4. The alignment mark according to claim 3, wherein the metal layer is subjected to a roughening treatment before performing the electrolytic plating.
【請求項5】 金属層に一方の面を接して形成されたア
ライメントマークであって、アライメントマーク表面が
バリア金属層で覆われていることを特徴とするアライメ
ントマーク。
5. An alignment mark formed with one surface in contact with a metal layer, wherein the alignment mark surface is covered with a barrier metal layer.
【請求項6】 金属層を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより形成されたアライメントマークであっ
て、アライメントマーク表面にバリア金属層を形成し、
金属層に粗化処理を施すことにより得られることを特徴
とするアライメントマーク。
6. An alignment mark formed by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, wherein a barrier metal layer is formed on the surface of the alignment mark.
An alignment mark obtained by subjecting a metal layer to a roughening treatment.
【請求項7】 一方の面を金属層と接するように絶縁層
中に埋め込まれたアライメントマークおよびその周辺部
分に位置する金属層をエッチングして得られることを特
徴とするアライメントマーク。
7. An alignment mark obtained by etching an alignment mark embedded in an insulating layer such that one surface thereof is in contact with a metal layer and a metal layer located at a peripheral portion thereof.
【請求項8】 金属層を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより形成された配線パターンおよびアライメ
ントマークを有する金属層において、少なくとも、該ア
ライメントマークが形成された部分およびその周辺部分
の、金属層をエッチングして開口部を形成することによ
り得られることを特徴とするアライメントマーク。
8. In a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark formed by electrolytic plating using the metal layer as a lead for electrolytic plating, at least the metal layer at a portion where the alignment mark is formed and a peripheral portion thereof is formed. An alignment mark obtained by forming an opening by etching.
【請求項9】 金属層が、銅または銅合金である、請求
項1〜8のいずれかに記載のアライメントマーク。
9. The alignment mark according to claim 1, wherein the metal layer is copper or a copper alloy.
【請求項10】 アライメントマークが、銅を含んでな
る、請求項1〜9のいずれかに記載のアライメントマー
ク。
10. The alignment mark according to claim 1, wherein the alignment mark includes copper.
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