JP2002157741A - 光情報記録再生方法 - Google Patents
光情報記録再生方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場光を用いた高密度記録再生を実用レベ
ルの光情報記録媒体で可能にすると同時に、各記録マー
クに多値情報を記録・再生できるようにして記録容量の
大容量化を図った光情報記録再生方法を提供する。 【解決手段】 透光性基板１上に、誘電体層２、記録層
３、近接場光を伝搬光に変換するための誘電体層４、近
接場光を発生する近接場光発生層５、特性調整のための
補正層６（誘電体）、保護層７を順次形成して構成され
た光情報記録媒体の透光性基板１側から近接場光発生層
５に光を照射して近接場光を発生させ、この近接場光を
誘電体層４を介して伝搬光に変換して記録層３に入射光
と反対側から照射し、入射光と近接場光の重畳効果によ
って多様な形状の記録マークを形成する。
ルの光情報記録媒体で可能にすると同時に、各記録マー
クに多値情報を記録・再生できるようにして記録容量の
大容量化を図った光情報記録再生方法を提供する。 【解決手段】 透光性基板１上に、誘電体層２、記録層
３、近接場光を伝搬光に変換するための誘電体層４、近
接場光を発生する近接場光発生層５、特性調整のための
補正層６（誘電体）、保護層７を順次形成して構成され
た光情報記録媒体の透光性基板１側から近接場光発生層
５に光を照射して近接場光を発生させ、この近接場光を
誘電体層４を介して伝搬光に変換して記録層３に入射光
と反対側から照射し、入射光と近接場光の重畳効果によ
って多様な形状の記録マークを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光情報記録再生
方法に関し、特に、近接場光を用いた多値記録による高
密度の記録を可能とした光情報記録再生方法に関する。
方法に関し、特に、近接場光を用いた多値記録による高
密度の記録を可能とした光情報記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報記録媒体において、さらな
る記憶容量の増大が要求され、これに伴って光情報記録
媒体の高密度化が検討されている。
る記憶容量の増大が要求され、これに伴って光情報記録
媒体の高密度化が検討されている。
【０００３】光情報記録媒体の高密度記録・再生を実現
するためには、記録マークのサイズの縮小が不可欠であ
り、また、記録情報の多値化が光情報記録媒体の高密度
化に効果を奏する。
するためには、記録マークのサイズの縮小が不可欠であ
り、また、記録情報の多値化が光情報記録媒体の高密度
化に効果を奏する。
【０００４】記録マークのサイズは、基本的に、使用す
るレーザビームの波長と対物レンズの開口数（ＮＡ）と
によって決定する。
るレーザビームの波長と対物レンズの開口数（ＮＡ）と
によって決定する。
【０００５】したがって、従来は、高密度化の方向とし
て、 （１） レーザの波長を短波長化する （２） 対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくする の２点に重点が置かれてきた。
て、 （１） レーザの波長を短波長化する （２） 対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくする の２点に重点が置かれてきた。
【０００６】しかし、これらの手法による光情報記録媒
体の高密度化には限界があり、更なる大容量化を進めて
いくためには新たな手法が望まれていた。
体の高密度化には限界があり、更なる大容量化を進めて
いくためには新たな手法が望まれていた。
【０００７】そこで、最近になって注目されているの
が、近接場光を用いた光記録技術である。
が、近接場光を用いた光記録技術である。
【０００８】一般に、近接場光は、通常の光のように伝
搬せず、媒質表面のごく近傍にまとわりつくように局在
する。
搬せず、媒質表面のごく近傍にまとわりつくように局在
する。
【０００９】したがって、その空間分布は媒質の形状や
寸法に沿うので、微細形状の媒質を用いることにより、
波長による制約を越えた微細な空間分布の近接場光スポ
ットを形成することが可能になる。
寸法に沿うので、微細形状の媒質を用いることにより、
波長による制約を越えた微細な空間分布の近接場光スポ
ットを形成することが可能になる。
【００１０】この原理に基づき、近接場光発生素子とし
て細針状プローブを使用し、光の回折限界以下の解像度
を得ることを目指した走査近接場光学顕微鏡（ＳＮＯ
Ｍ：Scanning Near-Field Optical Microscope）等
の開発が数年前から行なわれている。
て細針状プローブを使用し、光の回折限界以下の解像度
を得ることを目指した走査近接場光学顕微鏡（ＳＮＯ
Ｍ：Scanning Near-Field Optical Microscope）等
の開発が数年前から行なわれている。
【００１１】そして、最近、このＳＮＯＭの技術を応用
した光記録の原理的実験がなされ、プローブの先端開口
の幾何学的な大きさに相当するナノメータオーダの非常
に小さな記録マークの記録が可能であり、現行の光記録
技術の限界を大幅に上回る超高密度記録が可能となるこ
とが示された。
した光記録の原理的実験がなされ、プローブの先端開口
の幾何学的な大きさに相当するナノメータオーダの非常
に小さな記録マークの記録が可能であり、現行の光記録
技術の限界を大幅に上回る超高密度記録が可能となるこ
とが示された。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近接場光の分
布は５０ｎｍ程度と非常に短いため、高速で回転する光
情報記録媒体とプローブ先端部との距離を一定（〜数十
ｎｍ）に保つ制御が困難であり、プローブと光情報記録
媒体との接触が発生して記録データが破壊されてしまう
等の問題を生じるため、光ディスク等の実用レベルの光
情報記録媒体にこの技術を応用するのは困難であった。
布は５０ｎｍ程度と非常に短いため、高速で回転する光
情報記録媒体とプローブ先端部との距離を一定（〜数十
ｎｍ）に保つ制御が困難であり、プローブと光情報記録
媒体との接触が発生して記録データが破壊されてしまう
等の問題を生じるため、光ディスク等の実用レベルの光
情報記録媒体にこの技術を応用するのは困難であった。
【００１３】また、プローブ先端を数十ｎｍオーダで加
工する過程が煩雑で、大量生産に不適切であるという不
都合も生じていた。
工する過程が煩雑で、大量生産に不適切であるという不
都合も生じていた。
【００１４】また、近接場光を用いた記録においてもさ
らに記録容量の大容量化が求められている。
らに記録容量の大容量化が求められている。
【００１５】そこで、この発明は、近接場光を用いた高
密度記録再生を実用レベルの光情報記録媒体で可能にす
ると同時に、各記録マークに多値情報を記録・再生でき
るようにして記録容量の大容量化を図った光情報記録再
生方法を提供することを目的とする。
密度記録再生を実用レベルの光情報記録媒体で可能にす
ると同時に、各記録マークに多値情報を記録・再生でき
るようにして記録容量の大容量化を図った光情報記録再
生方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、この発明は、レーザ光の照射により近接場光を発
生する近接場光発生層と、前記近接場光発生層のレーザ
光の照射側に形成され、前記近接場光により記録が行わ
れる記録層とを有する光情報記録媒体に、前記記録層を
介して前記近接場光発生層にレーザ光を照射することに
より該近接場光発生層から近接場光を発生させ、前記レ
ーザ光と前記近接場光とを前記記録層に重畳照射するこ
とによって該記録層の光学的特性を変化させて多値化さ
れた情報の記録を行うことを特徴とする。
ため、この発明は、レーザ光の照射により近接場光を発
生する近接場光発生層と、前記近接場光発生層のレーザ
光の照射側に形成され、前記近接場光により記録が行わ
れる記録層とを有する光情報記録媒体に、前記記録層を
介して前記近接場光発生層にレーザ光を照射することに
より該近接場光発生層から近接場光を発生させ、前記レ
ーザ光と前記近接場光とを前記記録層に重畳照射するこ
とによって該記録層の光学的特性を変化させて多値化さ
れた情報の記録を行うことを特徴とする。
【００１７】また、この発明は、レーザ光の照射により
近接場光を発生する近接場光発生層と、前記近接場光発
生層のレーザ光の照射側に形成され、前記近接場光によ
り記録が行われる記録層と、前記近接場光発生層と前記
記録層との間に形成され、前記近接場光発生層で発生さ
れた近接場光を前記レーザ光の照射方向と逆の方向に伝
播する誘電体層とを有する光情報記録媒体に、前記近接
場光発生層から発生した近接場光を前記誘電体層で前記
記録層側に伝播する伝播光に変換し、前記レーザ光と前
記伝搬光とを前記記録層に重畳照射することによって該
記録層の光学的特性を変化させて多値化された情報の記
録を行うことを特徴とする。
近接場光を発生する近接場光発生層と、前記近接場光発
生層のレーザ光の照射側に形成され、前記近接場光によ
り記録が行われる記録層と、前記近接場光発生層と前記
記録層との間に形成され、前記近接場光発生層で発生さ
れた近接場光を前記レーザ光の照射方向と逆の方向に伝
播する誘電体層とを有する光情報記録媒体に、前記近接
場光発生層から発生した近接場光を前記誘電体層で前記
記録層側に伝播する伝播光に変換し、前記レーザ光と前
記伝搬光とを前記記録層に重畳照射することによって該
記録層の光学的特性を変化させて多値化された情報の記
録を行うことを特徴とする。
【００１８】また、この発明は、前記光情報記録媒体に
レーザ光を照射し、その反射光を前記光情報記録媒体の
記録トラックの中心線と光学的に平行な分割線と該記録
トラックの中心線と光学的に直交する分割線とにより少
なくとも９分割された光検出器で受光し、前記光検出器
の９つの受光領域からそれぞれに出力される受光信号の
組み合わせによって多値化された情報の再生を行なうこ
とを特徴とする。
レーザ光を照射し、その反射光を前記光情報記録媒体の
記録トラックの中心線と光学的に平行な分割線と該記録
トラックの中心線と光学的に直交する分割線とにより少
なくとも９分割された光検出器で受光し、前記光検出器
の９つの受光領域からそれぞれに出力される受光信号の
組み合わせによって多値化された情報の再生を行なうこ
とを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる光情報記
録再生方法の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説
明する。
録再生方法の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説
明する。
【００２０】図１は、この発明に係わる光情報記録再生
方法に適用する光情報記録媒体の一例を示す断面図であ
る。
方法に適用する光情報記録媒体の一例を示す断面図であ
る。
【００２１】図１において、光情報記録媒体は、透光性
基板１、記録層３、励起層５、補正層６、保護層７、お
よび誘電体層２、４から構成される。
基板１、記録層３、励起層５、補正層６、保護層７、お
よび誘電体層２、４から構成される。
【００２２】透光性基板１は、透明度が高く、耐熱性、
耐湿性、衝撃性に優れた材料を用いて形成される。具体
的には、ポリカーボネート、アクリル等を用いることが
できるが、これらに限られるものではない。
耐湿性、衝撃性に優れた材料を用いて形成される。具体
的には、ポリカーボネート、アクリル等を用いることが
できるが、これらに限られるものではない。
【００２３】透光性基板１には、必要に応じて、レーザ
ヘッドの位置を制御するためのプリグルーブが、適切な
深さおよび幅で形成される。
ヘッドの位置を制御するためのプリグルーブが、適切な
深さおよび幅で形成される。
【００２４】このような透光性基板１の表面に、誘電体
層２が形成され、さらにこの誘電体層２の表面に記録層
３が形成される。
層２が形成され、さらにこの誘電体層２の表面に記録層
３が形成される。
【００２５】誘電体層２は、例えば、ＺｎＳ‐ＳｉＯ
２、Ｓｉ３Ｎ４等によって形成される。
２、Ｓｉ３Ｎ４等によって形成される。
【００２６】また、記録層３には、光または熱に応答し
て光学的な特性が変化する材料が用いられる。具体的に
は、可逆的に光学的特性が変化する相変化材料であるＧ
ｅＳｂＴｅ合金、ＡｇＩｎＳｂＴｅ合金等が用いられ、
これらを合金化させたターゲットを用いて成膜するか、
幾つかのユニットに分離して成膜することにより製造す
ることができる。
て光学的な特性が変化する材料が用いられる。具体的に
は、可逆的に光学的特性が変化する相変化材料であるＧ
ｅＳｂＴｅ合金、ＡｇＩｎＳｂＴｅ合金等が用いられ、
これらを合金化させたターゲットを用いて成膜するか、
幾つかのユニットに分離して成膜することにより製造す
ることができる。
【００２７】なお、この記録層３の初期状態は結晶状態
とする。
とする。
【００２８】記録層３上には、誘電体層４が形成され
る。
る。
【００２９】誘電体層４は、誘電体層２と同様にＺｎＳ
‐ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等によって形成され、後述する
ように、励起層４の表面で発生した近接場光を伝搬光に
変換する機能を持つ。
‐ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等によって形成され、後述する
ように、励起層４の表面で発生した近接場光を伝搬光に
変換する機能を持つ。
【００３０】励起層５は、誘電体層４の表面に形成さ
れ、具体的な材料としては、Ｓｂ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、
Ｓｉ、Ｇｅや、Ｍｏ２Ｓ、ＩｎＳｂ、有機色素等、光を
照射されることによって近接場光を発生するものを用い
る。
れ、具体的な材料としては、Ｓｂ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、
Ｓｉ、Ｇｅや、Ｍｏ２Ｓ、ＩｎＳｂ、有機色素等、光を
照射されることによって近接場光を発生するものを用い
る。
【００３１】通常は、この励起層５のレーザ光が入射す
る側とは反対側の面から発生する近接場光が利用される
が、励起層５の膜厚を適切に制御することによって、レ
ーザ光の入射側の面に発生する近接場光も利用可能とな
る。
る側とは反対側の面から発生する近接場光が利用される
が、励起層５の膜厚を適切に制御することによって、レ
ーザ光の入射側の面に発生する近接場光も利用可能とな
る。
【００３２】そこで、この発明の光情報記録再生方法に
適用する光情報記録媒体は、適切な膜厚に制御された励
起層５の入射光側の面で発生する近接場光を、誘電体層
４を介すことにより伝搬光に変換し、この伝搬光によっ
て記録層３への記録を行うことを特徴とする。
適用する光情報記録媒体は、適切な膜厚に制御された励
起層５の入射光側の面で発生する近接場光を、誘電体層
４を介すことにより伝搬光に変換し、この伝搬光によっ
て記録層３への記録を行うことを特徴とする。
【００３３】つまり、入射光に対して記録層３よりも後
方に励起層５を形成し、この励起層５の入射光側の面で
発生した近接場光を、誘電体層４を介して記録層３まで
戻してやり、記録層３への記録を行なう。
方に励起層５を形成し、この励起層５の入射光側の面で
発生した近接場光を、誘電体層４を介して記録層３まで
戻してやり、記録層３への記録を行なう。
【００３４】さらに、特性調整のための補正層６が、励
起層５上に形成される。
起層５上に形成される。
【００３５】補正層６は、誘電体層２と同様の材料で形
成され、この補正層６の表面に、保護層７が形成され
る。
成され、この補正層６の表面に、保護層７が形成され
る。
【００３６】保護層７には、透光性基板１と同様の材料
が用いられる。
が用いられる。
【００３７】このように光情報記録媒体を構成すること
により、ＳＮＯＭにおけるプローブと同様の機能を、光
情報記録媒体の構成膜が自己形成的に発現することを可
能とした。
により、ＳＮＯＭにおけるプローブと同様の機能を、光
情報記録媒体の構成膜が自己形成的に発現することを可
能とした。
【００３８】さて、図１に示すように、入射レーザ光
は、上記のように構成された光情報記録媒体の透光性基
板１側から照射される。この入射レーザ光は、通常のＤ
ＶＤ−ＲＡＭ等に用いられる一般的な光学ヘッドで生成
され、励起層５の誘電体層４との界面に集光されてレー
ザスポットを形成する。
は、上記のように構成された光情報記録媒体の透光性基
板１側から照射される。この入射レーザ光は、通常のＤ
ＶＤ−ＲＡＭ等に用いられる一般的な光学ヘッドで生成
され、励起層５の誘電体層４との界面に集光されてレー
ザスポットを形成する。
【００３９】近接場光は、上記入射レーザ光が励起層５
に形成するレーザスポット部分で発生するが、入射レー
ザ光の強度を適切に制御することで、当該近接場光の発
生を制御することができる。
に形成するレーザスポット部分で発生するが、入射レー
ザ光の強度を適切に制御することで、当該近接場光の発
生を制御することができる。
【００４０】つまり、例えば、ある所定の閾値よりも高
強度のレーザ光を照射すると励起層５のスポット部分で
記録に十分なエネルギーを持つ近接場光が発生し、当該
閾値よりも低強度で照射すると励起層５で記録に十分な
エネルギーを持つ近接場光は発生しない。
強度のレーザ光を照射すると励起層５のスポット部分で
記録に十分なエネルギーを持つ近接場光が発生し、当該
閾値よりも低強度で照射すると励起層５で記録に十分な
エネルギーを持つ近接場光は発生しない。
【００４１】そして、励起層５のスポット部分で発生し
た近接場光は、誘電体層４で伝搬光に変換され、入射レ
ーザ光の反対側から記録層３を照射する。
た近接場光は、誘電体層４で伝搬光に変換され、入射レ
ーザ光の反対側から記録層３を照射する。
【００４２】図２は、入射レーザ光の記録パワーと、当
該入射レーザ光若しくこの入射レーザ光によって発生す
る近接場光による記録のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフ
である。
該入射レーザ光若しくこの入射レーザ光によって発生す
る近接場光による記録のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフ
である。
【００４３】なお、記録後のＣ／Ｎ比が点Ｅ１の近辺の
値をとるような記録が為されたときに記録層３に供給さ
れたエネルギーは当該記録層３を構成する材質の結晶点
に相当し、記録後のＣ／Ｎ比が点Ｅ２の近辺の値をとる
ような記録が為されたときに記録層３に供給されたエネ
ルギーは当該記録層３の融点に相当する。
値をとるような記録が為されたときに記録層３に供給さ
れたエネルギーは当該記録層３を構成する材質の結晶点
に相当し、記録後のＣ／Ｎ比が点Ｅ２の近辺の値をとる
ような記録が為されたときに記録層３に供給されたエネ
ルギーは当該記録層３の融点に相当する。
【００４４】図２に示すグラフにおいて、記録パワーが
ＰＷ１のときに、当該入射レーザ光によって発生する近
接場光による記録のＣ／Ｎ比は急激に増加して、記録層
３の融点に相当するＣ／Ｎ比である点Ｅ１を超える（つ
まり、入射レーザ光の強度がＰＷ１以上のときに励起層
５で近接場光が発生すると言っても良い）。
ＰＷ１のときに、当該入射レーザ光によって発生する近
接場光による記録のＣ／Ｎ比は急激に増加して、記録層
３の融点に相当するＣ／Ｎ比である点Ｅ１を超える（つ
まり、入射レーザ光の強度がＰＷ１以上のときに励起層
５で近接場光が発生すると言っても良い）。
【００４５】この近接場光記録によるＣ／Ｎ比は、記録
パワーＰＷ１以上では変化せずにほぼ一定となる。
パワーＰＷ１以上では変化せずにほぼ一定となる。
【００４６】また、入射レーザ光記録によるＣ／Ｎ比の
増加の傾向は、近接場光記録によるものとは異なり、し
たがって、記録パワーを、図２のグラフに示すＰＷ１、
ＰＷ２、ＰＷ３の３段階に制御することによって、記録
層３に供給されるエネルギー量を３段階に制御し、供給
されるエネルギー量に応じた記録マークを形成すること
ができる。
増加の傾向は、近接場光記録によるものとは異なり、し
たがって、記録パワーを、図２のグラフに示すＰＷ１、
ＰＷ２、ＰＷ３の３段階に制御することによって、記録
層３に供給されるエネルギー量を３段階に制御し、供給
されるエネルギー量に応じた記録マークを形成すること
ができる。
【００４７】記録パワーＰＷ１のレーザ光を記録層３に
照射した場合、このレーザ光自身によって記録層３に供
給されるエネルギーは相変化に必要な水準まで達せず、
当該レーザ光の照射により励起層５において発生した近
接場光によって照射された部分だけが融点を超えて変質
し、アモルファス状態となり記録マークとなる。
照射した場合、このレーザ光自身によって記録層３に供
給されるエネルギーは相変化に必要な水準まで達せず、
当該レーザ光の照射により励起層５において発生した近
接場光によって照射された部分だけが融点を超えて変質
し、アモルファス状態となり記録マークとなる。
【００４８】記録パワーＰＷ２のレーザ光を照射した場
合は、このレーザ光が照射された部分全てが変質してア
モルファス状態となり記録マークとなる。
合は、このレーザ光が照射された部分全てが変質してア
モルファス状態となり記録マークとなる。
【００４９】記録パワーＰＷ３のレーザ光を照射した場
合は、レーザ光のみが照射される部分がアモルファス状
態となり、近接場光とレーザ光との両方によって照射さ
れる部分は、供給されるエネルギー量が大きくレーザ光
照射後の温度の下降が緩やかになるため、結晶状態にな
る。
合は、レーザ光のみが照射される部分がアモルファス状
態となり、近接場光とレーザ光との両方によって照射さ
れる部分は、供給されるエネルギー量が大きくレーザ光
照射後の温度の下降が緩やかになるため、結晶状態にな
る。
【００５０】すなわち、ＰＷ１以下の記録パワーによれ
ば、記録層３に記録マークは形成されず、ＰＷ１の記録
パワーによれば、励起層５で発生する近接場光により記
録層３を構成する材質が相変化してアモルファス状態と
なり光の波長による制約を越えたナノメータオーダの記
録マークが形成され、記録パワーＰＷ２によれば、入射
レーザ光によって記録層３を構成する材質が相変化して
ＤＶＤ等の一般的な光ディスクの記録マークと同オーダ
の記録マークが形成される。
ば、記録層３に記録マークは形成されず、ＰＷ１の記録
パワーによれば、励起層５で発生する近接場光により記
録層３を構成する材質が相変化してアモルファス状態と
なり光の波長による制約を越えたナノメータオーダの記
録マークが形成され、記録パワーＰＷ２によれば、入射
レーザ光によって記録層３を構成する材質が相変化して
ＤＶＤ等の一般的な光ディスクの記録マークと同オーダ
の記録マークが形成される。
【００５１】さらに、記録パワーＰＷ３によれば、入射
レーザ光によって記録層３にＤＶＤ等の一般的な光ディ
スクのものと同オーダの記録マークが形成されると同時
に、入射レーザ光と近接場光とが重畳する部分により高
強度のエネルギーが供給されて記録層３の温度の下降が
緩やかになるためこの部分は結晶化し、したがって、入
射レーザ光により形成されたアモルファス状態の記録マ
ークの中にナノメータオーダの結晶状態の記録マークが
形成された特殊な形の記録マークを形成することができ
る。
レーザ光によって記録層３にＤＶＤ等の一般的な光ディ
スクのものと同オーダの記録マークが形成されると同時
に、入射レーザ光と近接場光とが重畳する部分により高
強度のエネルギーが供給されて記録層３の温度の下降が
緩やかになるためこの部分は結晶化し、したがって、入
射レーザ光により形成されたアモルファス状態の記録マ
ークの中にナノメータオーダの結晶状態の記録マークが
形成された特殊な形の記録マークを形成することができ
る。
【００５２】上記の如く形成される記録マークの具体例
を図３に示す。
を図３に示す。
【００５３】図３（ａ）は、入射レーザ光によって記録
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１の中央部分トラック方向に、入射レーザ
光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部分
９２を有して形成された記録マークである。
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１の中央部分トラック方向に、入射レーザ
光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部分
９２を有して形成された記録マークである。
【００５４】図３（ｂ）は、入射レーザ光によって記録
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１の中央部を中抜きするように、入射レー
ザ光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部
分９２を有して形成された記録マークである。
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１の中央部を中抜きするように、入射レー
ザ光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部
分９２を有して形成された記録マークである。
【００５５】図３（ｃ）は、入射レーザ光によって記録
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１のトラック方向中央部分の複数箇所（同
図においては３カ所）を中抜きするように、入射レーザ
光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部分
９２を有して形成された記録マークである。
層３をアモルファス状態にすることによって形成された
記録マーク９１のトラック方向中央部分の複数箇所（同
図においては３カ所）を中抜きするように、入射レーザ
光と近接場光との重畳効果によって結晶状態にした部分
９２を有して形成された記録マークである。
【００５６】図４（ｄ）は、入射レーザ光の強度を、記
録層３を構成する材料を相変化させず、かつ励起層５に
おいて近接場光を発生させることのできる強度、つま
り、上記ＰＷ１の強度に制御して、励起層５で発生させ
た近接場光により記録層３をアモルファス状態にして形
成された記録マークである。
録層３を構成する材料を相変化させず、かつ励起層５に
おいて近接場光を発生させることのできる強度、つま
り、上記ＰＷ１の強度に制御して、励起層５で発生させ
た近接場光により記録層３をアモルファス状態にして形
成された記録マークである。
【００５７】次に、上記の方法によって多値化された情
報の記録が為された光情報記録媒体の再生方法について
説明する。
報の記録が為された光情報記録媒体の再生方法について
説明する。
【００５８】基本的に、この発明に係る光情報記録媒体
は、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の一般的な光ディスクの再生に用
いられるものと同様の光ヘッドから射出されるレーザ光
によって再生される。
は、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の一般的な光ディスクの再生に用
いられるものと同様の光ヘッドから射出されるレーザ光
によって再生される。
【００５９】再生時のレーザ光は、記録層３を構成する
相変化材料に影響を与えない強度かつ励起層５において
近接場光を発生させない強度に制御されて光情報記録媒
体に照射され、当該再生レーザ光は、記録層３において
図２に示した種々の記録マークによって変調されて反射
され、フォトディテクタ上に結像する。
相変化材料に影響を与えない強度かつ励起層５において
近接場光を発生させない強度に制御されて光情報記録媒
体に照射され、当該再生レーザ光は、記録層３において
図２に示した種々の記録マークによって変調されて反射
され、フォトディテクタ上に結像する。
【００６０】図４は、この発明に係る光情報記録再生方
法における再生方法の一例を説明する図である。
法における再生方法の一例を説明する図である。
【００６１】図４において、この発明に係る光情報記録
再生方法を実現するための光情報記録再生装置に使用さ
れるフォトディテクタ８は、光情報記録媒体の記録トラ
ックの中心線と光学的に平行な分割線Ｌ１、Ｌ２によっ
て受光領域Ａ、Ｂ、Ｃに３分割され、さらに、各受光領
域Ａ、Ｂ、Ｃは、分割線Ｌ１およびＬ２に垂直な分割線
によってそれぞれ３分割された９分割フォトディテクタ
である。
再生方法を実現するための光情報記録再生装置に使用さ
れるフォトディテクタ８は、光情報記録媒体の記録トラ
ックの中心線と光学的に平行な分割線Ｌ１、Ｌ２によっ
て受光領域Ａ、Ｂ、Ｃに３分割され、さらに、各受光領
域Ａ、Ｂ、Ｃは、分割線Ｌ１およびＬ２に垂直な分割線
によってそれぞれ３分割された９分割フォトディテクタ
である。
【００６２】フォトディテクタ８の両端の受光領域Ａお
よびＣは、記録マーク９のａ領域およびｃ領域で反射さ
れた再生レーザ光、つまり、記録レーザ光によって形成
された部分９１の成分だけを含む再生レーザ光を受光
し、受光領域Ｂは、記録マーク９のｂ領域で反射された
再生レーザ光、つまり、近接場光によって形成された部
分９２の成分を含むレーザ光を受光する。
よびＣは、記録マーク９のａ領域およびｃ領域で反射さ
れた再生レーザ光、つまり、記録レーザ光によって形成
された部分９１の成分だけを含む再生レーザ光を受光
し、受光領域Ｂは、記録マーク９のｂ領域で反射された
再生レーザ光、つまり、近接場光によって形成された部
分９２の成分を含むレーザ光を受光する。
【００６３】したがって、受光領域Ａ１、Ａ２、Ａ３お
よびＣ１、Ｃ２、Ｃ３が出力する再生信号と、受光領域
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３が出力する再生信号との組み合わせ、
つまり、記録マーク９の形状に応じて記録された多値情
報の再生が可能となる。
よびＣ１、Ｃ２、Ｃ３が出力する再生信号と、受光領域
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３が出力する再生信号との組み合わせ、
つまり、記録マーク９の形状に応じて記録された多値情
報の再生が可能となる。
【００６４】なお、記録マークの形状は上記に限らず、
入射レーザ光と近接場光との重畳によって形成可能な形
状の記録マークは、全てこの発明の範疇に入ることはい
うまでもない。
入射レーザ光と近接場光との重畳によって形成可能な形
状の記録マークは、全てこの発明の範疇に入ることはい
うまでもない。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、入射レーザ光と近接場光とを重畳照射することによ
って多様な形状の記録マークの形成を可能としたので、
記録マークの形状に応じた多値記録が可能となり、光情
報記録媒体の大容量化を実現できるという効果を奏す
る。
ば、入射レーザ光と近接場光とを重畳照射することによ
って多様な形状の記録マークの形成を可能としたので、
記録マークの形状に応じた多値記録が可能となり、光情
報記録媒体の大容量化を実現できるという効果を奏す
る。
【図１】この発明に係る光情報記録媒体の構成の一例お
よび光情報記録方法の一例を示す図である。
よび光情報記録方法の一例を示す図である。
【図２】入射レーザ光の強度、エネルギー、および近接
場光のエネルギーとの関係を示すグラフである。
場光のエネルギーとの関係を示すグラフである。
【図３】入射レーザ光と近接場光との重畳効果で形成可
能な記録マークの一例を示す図である。
能な記録マークの一例を示す図である。
【図４】この発明に係る光情報記録媒体の再生方法の一
例を説明する図である。
例を説明する図である。
１ 透光性基板 ２ 誘電体層 ３ 記録層 ４ 誘電体層 ５ 励起層 ６ 補正層 ７ 保護層 ８ フォトディテクタ ９１ アモルファス部分 ９２ 結晶部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２２ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２２Ｌ ５３３ ５３３Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光の照射により近接場光を発生す
る近接場光発生層と、 前記近接場光発生層のレーザ光の照射側に形成され、前
記近接場光により記録が行われる記録層とを有する光情
報記録媒体に、 前記記録層を介して前記近接場光発生層にレーザ光を照
射することにより該近接場光発生層から近接場光を発生
させ、 前記レーザ光と前記近接場光とを前記記録層に重畳照射
することによって該記録層の光学的特性を変化させて多
値化された情報の記録を行うことを特徴とする光情報記
録再生方法。 - 【請求項２】 レーザ光の照射により近接場光を発生す
る近接場光発生層と、 前記近接場光発生層のレーザ光の照射側に形成され、前
記近接場光により記録が行われる記録層と、 前記近接場光発生層と前記記録層との間に形成され、前
記近接場光発生層で発生された近接場光を前記レーザ光
の照射方向と逆の方向に伝播する誘電体層とを有する光
情報記録媒体に、 前記近接場光発生層から発生した近接場光を前記誘電体
層で前記記録層側に伝播する伝播光に変換し、 前記レーザ光と前記伝搬光とを前記記録層に重畳照射す
ることによって該記録層の光学的特性を変化させて多値
化された情報の記録を行うことを特徴とする請求項１記
載の光情報記録再生方法。 - 【請求項３】 前記光情報記録媒体にレーザ光を照射
し、その反射光を前記光情報記録媒体の記録トラックの
中心線と光学的に平行な分割線と該記録トラックの中心
線と光学的に直交する分割線とにより少なくとも９分割
された光検出器で受光し、 前記光検出器の９つの受光領域からそれぞれに出力され
る受光信号の組み合わせによって多値化された情報の再
生を行なうことを特徴とする光情報記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000351260A JP2002157741A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 光情報記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000351260A JP2002157741A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 光情報記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002157741A true JP2002157741A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18824348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000351260A Withdrawn JP2002157741A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 光情報記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002157741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006329825A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Tdk Corp | 光記録媒体における記録マーク測定方法 |
| CN100358031C (zh) * | 2003-07-01 | 2007-12-26 | Tdk株式会社 | 光学记录盘 |
| CN100361216C (zh) * | 2003-07-01 | 2008-01-09 | Tdk株式会社 | 光学记录盘 |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000351260A patent/JP2002157741A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100358031C (zh) * | 2003-07-01 | 2007-12-26 | Tdk株式会社 | 光学记录盘 |
| CN100361216C (zh) * | 2003-07-01 | 2008-01-09 | Tdk株式会社 | 光学记录盘 |
| JP2006329825A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Tdk Corp | 光記録媒体における記録マーク測定方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
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