JP2002049057A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2002049057A JP2002049057A JP2000234505A JP2000234505A JP2002049057A JP 2002049057 A JP2002049057 A JP 2002049057A JP 2000234505 A JP2000234505 A JP 2000234505A JP 2000234505 A JP2000234505 A JP 2000234505A JP 2002049057 A JP2002049057 A JP 2002049057A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表示領域の周縁部を確実に遮光できるとともに
製造コストの低減を図ることが可能な液晶表示装置を提
供することにある。 【解決手段】対向基板と対向配置されたアレイ基板上に
は、表示領域40の周囲に沿って第1遮光層36が形成
されているとともに、遮光膜と表示領域との隙間に重ね
て、着色層からなる第2遮光層44が設けられている。
第1遮光層は、アレイ基板上の信号線と同一材料により
信号線と同時に形成されている。アレイ基板の裏面側に
は、その周縁に沿って額縁状の第3遮光層38が形成さ
れ、その少なくとも一部は第1遮光層と重なって設けら
れている。
製造コストの低減を図ることが可能な液晶表示装置を提
供することにある。 【解決手段】対向基板と対向配置されたアレイ基板上に
は、表示領域40の周囲に沿って第1遮光層36が形成
されているとともに、遮光膜と表示領域との隙間に重ね
て、着色層からなる第2遮光層44が設けられている。
第1遮光層は、アレイ基板上の信号線と同一材料により
信号線と同時に形成されている。アレイ基板の裏面側に
は、その周縁に沿って額縁状の第3遮光層38が形成さ
れ、その少なくとも一部は第1遮光層と重なって設けら
れている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置に関
し、特に、アレイ基板側に着色層が設けられた液晶表示
装置に関する。
し、特に、アレイ基板側に着色層が設けられた液晶表示
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、画素電極の設けられた
アレイ基板と対向電極を有した対向基板とを所定の隙間
を置いて対向配置し、これら2枚の基板間に液晶層を挟
持して構成されている。アレイ基板および対向基板は、
シール材および封止材によって周辺領域同士が貼り合わ
され、この2枚の基板間には、基板間距離を所定の値に
保持するために粒状スペーサ、またはフォトリソグラフ
ィー法により形成された樹脂からなる柱状スペーサが配
置されている。液晶表示装置によりカラー表示する場
合、一般に、基板の一方に赤色(R)、緑色(G)、青
色(B)からなる着色層が配置されている。
アレイ基板と対向電極を有した対向基板とを所定の隙間
を置いて対向配置し、これら2枚の基板間に液晶層を挟
持して構成されている。アレイ基板および対向基板は、
シール材および封止材によって周辺領域同士が貼り合わ
され、この2枚の基板間には、基板間距離を所定の値に
保持するために粒状スペーサ、またはフォトリソグラフ
ィー法により形成された樹脂からなる柱状スペーサが配
置されている。液晶表示装置によりカラー表示する場
合、一般に、基板の一方に赤色(R)、緑色(G)、青
色(B)からなる着色層が配置されている。
【0003】着色層をアレイ基板側に形成する場合、高
い開口率を確保できるように、着色層上に画素電極を配
置し、スイッチング素子を形成する遮光性金属により画
素電極間の隙間を遮光する画素構造をとっている。更
に、この遮光性金属の割合を少なくすることにより、一
層開口率の高い製品を作る努力がなされている。
い開口率を確保できるように、着色層上に画素電極を配
置し、スイッチング素子を形成する遮光性金属により画
素電極間の隙間を遮光する画素構造をとっている。更
に、この遮光性金属の割合を少なくすることにより、一
層開口率の高い製品を作る努力がなされている。
【0004】通常、バックライトからの光漏れを防止す
るため、表示領域の外周において、対向基板側に額縁状
のブラックマトリクス(BM)が形成されている。一般
に、BM材料としてはCr、MoW等の金属薄膜や、樹
脂が使用される。
るため、表示領域の外周において、対向基板側に額縁状
のブラックマトリクス(BM)が形成されている。一般
に、BM材料としてはCr、MoW等の金属薄膜や、樹
脂が使用される。
【0005】また、近年、低コスト化を図るため、着色
層のみならず、対向基板のBMレス化が検討されてい
る。この場合、BMをアレイ基板側に形成する必要があ
る。このようにアレイ基板側にBMを形成する場合、黒
の着色層でBMとスペーサ柱とを同時に形成する方式が
検討されているが、黒の着色層はパターン形成が難し
く、プロセス上難易度が高い。
層のみならず、対向基板のBMレス化が検討されてい
る。この場合、BMをアレイ基板側に形成する必要があ
る。このようにアレイ基板側にBMを形成する場合、黒
の着色層でBMとスペーサ柱とを同時に形成する方式が
検討されているが、黒の着色層はパターン形成が難し
く、プロセス上難易度が高い。
【0006】そこで、アレイ基板の裏面(ガラス面)に
黒遮光層を印刷等の手法によって形成する事によりBM
を形成する方式や、テープにより遮光する方式、液晶セ
ルの外形に制約がなければ、ベゼル又は樹脂フレームと
の合わせ精度を考慮し、バックライトの光漏れが生じな
い領域まで遮光パターンを配置する方式が検討されてい
る。
黒遮光層を印刷等の手法によって形成する事によりBM
を形成する方式や、テープにより遮光する方式、液晶セ
ルの外形に制約がなければ、ベゼル又は樹脂フレームと
の合わせ精度を考慮し、バックライトの光漏れが生じな
い領域まで遮光パターンを配置する方式が検討されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示装
置において、アレイ基板の裏面に黒遮光層を形成した場
合、製造プロセス中のハンドリング等による傷および発
塵が生じ、歩留まり低下をもたらすため、黒遮光層をで
きるだけ後工程で形成し、偏光板等で黒遮光層を保護す
ることが望ましい。この場合、通常のフォトマスクを使
用した露光機によって黒遮光層をパターン形成すること
が困難となり、印刷、マーキング等の手法により形成す
る必要がある。
置において、アレイ基板の裏面に黒遮光層を形成した場
合、製造プロセス中のハンドリング等による傷および発
塵が生じ、歩留まり低下をもたらすため、黒遮光層をで
きるだけ後工程で形成し、偏光板等で黒遮光層を保護す
ることが望ましい。この場合、通常のフォトマスクを使
用した露光機によって黒遮光層をパターン形成すること
が困難となり、印刷、マーキング等の手法により形成す
る必要がある。
【0008】しかしながら、この場合、アレイ基板表面
側のパターンとの合わせ精度が0.2mm程度必要とな
り、表示領域とアレイ基板の裏面に形成した遮光用の黒
遮光層との間に隙間が生じてしまい、光漏れ原因となっ
ていた。また、仮に合わせ精度が向上し、黒遮光層を数
十μm単位の誤差で形成可能となっても、アレイ基板裏
面に形成している関係上、黒遮光層はガラスの厚み分だ
けアレイパターンから離れて位置する。そのため、アレ
イ基板に対して斜め方向の光抜けを防ぐことが困難であ
った。
側のパターンとの合わせ精度が0.2mm程度必要とな
り、表示領域とアレイ基板の裏面に形成した遮光用の黒
遮光層との間に隙間が生じてしまい、光漏れ原因となっ
ていた。また、仮に合わせ精度が向上し、黒遮光層を数
十μm単位の誤差で形成可能となっても、アレイ基板裏
面に形成している関係上、黒遮光層はガラスの厚み分だ
けアレイパターンから離れて位置する。そのため、アレ
イ基板に対して斜め方向の光抜けを防ぐことが困難であ
った。
【0009】また、テープやベゼル又は樹脂フレームを
用いて液晶表示装置の表示領域周縁を遮光する場合、更
に合わせ精度が0.7mm程度まで低下してしまい、確
実に遮光することが困難となる。
用いて液晶表示装置の表示領域周縁を遮光する場合、更
に合わせ精度が0.7mm程度まで低下してしまい、確
実に遮光することが困難となる。
【0010】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、表示領域周縁部を確実に遮光できると
ともに製造コストの低減を図ることが可能な液晶表示装
置を提供することにある。
で、その目的は、表示領域周縁部を確実に遮光できると
ともに製造コストの低減を図ることが可能な液晶表示装
置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示装置は、基板の一主面上に
交差して配置された複数の信号線及び複数の走査線と、
前記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信
号線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくと
も一部を覆うように配置された着色層と、上記着色層上
に重ねて配置されているとともに上記スイッチング素子
にそれぞれ接続され、それぞれ画素部を形成した複数の
画素電極と、を有した表示領域と、前記スイッチング素
子と同時に形成された前記表示領域を駆動する駆動回路
と、上記基板の主面上において上記表示領域の周囲に沿
って形成された第1遮光層と、上記着色層により上記第
1遮光膜と上記表示領域との隙間に重ねて設けられた第
2遮光層と、を備えたアレイ基板と、上記アレイ基板と
対向して配置された対向基板と、上記アレイ基板と上記
対向基板との間に設けられ、上記アレイ基板と上記対向
基板との間に所定の隙間を保持した複数の柱状スペーサ
と、上記アレイ基板と上記対向基板との間に挟持された
液晶層と、を具備したことを特徴としている。
め、この発明に係る液晶表示装置は、基板の一主面上に
交差して配置された複数の信号線及び複数の走査線と、
前記交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記信
号線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくと
も一部を覆うように配置された着色層と、上記着色層上
に重ねて配置されているとともに上記スイッチング素子
にそれぞれ接続され、それぞれ画素部を形成した複数の
画素電極と、を有した表示領域と、前記スイッチング素
子と同時に形成された前記表示領域を駆動する駆動回路
と、上記基板の主面上において上記表示領域の周囲に沿
って形成された第1遮光層と、上記着色層により上記第
1遮光膜と上記表示領域との隙間に重ねて設けられた第
2遮光層と、を備えたアレイ基板と、上記アレイ基板と
対向して配置された対向基板と、上記アレイ基板と上記
対向基板との間に設けられ、上記アレイ基板と上記対向
基板との間に所定の隙間を保持した複数の柱状スペーサ
と、上記アレイ基板と上記対向基板との間に挟持された
液晶層と、を具備したことを特徴としている。
【0012】また、この発明に係る液晶表示装置によれ
ば、上記第1遮光層は、上記アレイ基板上に設けられた
金属配線材料と同じ材料により上記金属配線と同時に形
成されていることを特徴としている。
ば、上記第1遮光層は、上記アレイ基板上に設けられた
金属配線材料と同じ材料により上記金属配線と同時に形
成されていることを特徴としている。
【0013】更に、この発明に係る液晶表示装置によれ
ば、上記第2遮光層は、2色あるいは3色の着色層を重
ねて形成されていることを特徴としている。
ば、上記第2遮光層は、2色あるいは3色の着色層を重
ねて形成されていることを特徴としている。
【0014】上記のように構成された液晶表示装置によ
れば、アレイ基板上において、表示領域の周辺を囲むよ
うに第1遮光層を設けることにより、アレイ基板の裏面
に形成された遮光膜あるいはベゼル等と合わせて、表示
領域の周辺部を確実に遮光することが可能となる。その
ため、対向基板に形成していた遮光膜を削除でき、製造
コストの低減を図ることができる。この際、遮光膜をア
レイ基板上の配線形成と同時に形成するとともに、遮光
膜間の隙間を着色層からなる第2遮光層によって遮光す
ることにより、製造工程数を増加させることなく良好な
確実な遮光が可能となり、製造コストの低減を図り安価
な液晶表示装置を提供することができる。
れば、アレイ基板上において、表示領域の周辺を囲むよ
うに第1遮光層を設けることにより、アレイ基板の裏面
に形成された遮光膜あるいはベゼル等と合わせて、表示
領域の周辺部を確実に遮光することが可能となる。その
ため、対向基板に形成していた遮光膜を削除でき、製造
コストの低減を図ることができる。この際、遮光膜をア
レイ基板上の配線形成と同時に形成するとともに、遮光
膜間の隙間を着色層からなる第2遮光層によって遮光す
ることにより、製造工程数を増加させることなく良好な
確実な遮光が可能となり、製造コストの低減を図り安価
な液晶表示装置を提供することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表
示装置について詳細に説明する。図1ないし図5に示す
ように、液晶表示装置10は、カラーフィルタとしての
着色層が設けられたアレイ基板12と、このアレイ基板
に所定のセルギャップを置いて対向配置された対向基板
20と、を備え、これらアレイ基板と対向基板との間に
液晶層70が挟持されている。
発明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表
示装置について詳細に説明する。図1ないし図5に示す
ように、液晶表示装置10は、カラーフィルタとしての
着色層が設けられたアレイ基板12と、このアレイ基板
に所定のセルギャップを置いて対向配置された対向基板
20と、を備え、これらアレイ基板と対向基板との間に
液晶層70が挟持されている。
【0016】アレイ基板12および対向基板20は、液
晶表示装置の表示領域40の外周を囲むように配置され
たシール材19により周縁部同士が接合されている。シ
ール材19の一部には液晶注入口35が形成され、この
液晶注入口35は、液晶注入後、封止材34により封止
されている。
晶表示装置の表示領域40の外周を囲むように配置され
たシール材19により周縁部同士が接合されている。シ
ール材19の一部には液晶注入口35が形成され、この
液晶注入口35は、液晶注入後、封止材34により封止
されている。
【0017】対向基板20は、ガラスからなる透明な絶
縁基板21上にITOからなる透明電極22、配向膜1
3を順に形成して構成されている。
縁基板21上にITOからなる透明電極22、配向膜1
3を順に形成して構成されている。
【0018】アレイ基板12は、ガラスからなる透明な
絶縁基板11上に複数の走査線17、これと平行に設け
られた補助容量配線18、および絶縁膜23を介してこ
れらと直交する複数の信号線14が配置され、走査線と
信号線の各交点近傍にはスイッチング素子として図示し
ないNch型LDD構造のTFT(薄膜トランジスタ)
素子と、このスイッチング素子のソース電極と電気的に
接続された補助容量の上部電極15と、が配置されてい
る。また、補助容量配線18と信号線14とで囲まれた
領域には、それぞれほぼ矩形状の画素電極30が設けら
れ、それぞれ画素部を構成している。
絶縁基板11上に複数の走査線17、これと平行に設け
られた補助容量配線18、および絶縁膜23を介してこ
れらと直交する複数の信号線14が配置され、走査線と
信号線の各交点近傍にはスイッチング素子として図示し
ないNch型LDD構造のTFT(薄膜トランジスタ)
素子と、このスイッチング素子のソース電極と電気的に
接続された補助容量の上部電極15と、が配置されてい
る。また、補助容量配線18と信号線14とで囲まれた
領域には、それぞれほぼ矩形状の画素電極30が設けら
れ、それぞれ画素部を構成している。
【0019】また、アレイ基板12の絶縁基板11上に
は、スイッチング素子と同時に、図示しない液晶駆動回
路が表示領域40周辺に形成され、表示領域近傍には、
この液晶駆動回路を動作させるために必要な複数の配線
16が設けられている。
は、スイッチング素子と同時に、図示しない液晶駆動回
路が表示領域40周辺に形成され、表示領域近傍には、
この液晶駆動回路を動作させるために必要な複数の配線
16が設けられている。
【0020】そして、スイッチング素子および液晶駆動
回路を覆うように保護絶縁膜24が設けられ、更にその
上部に、それぞれY方向に延びたストライプ状の緑色
(G)の着色層25G、青色(B)の着色層25B、赤
色(R)の着色層25Rが配置されている。そして、緑
色の着色層25Gの両側縁が青色着色層25Bや赤色着
色層25Rによって覆われている。このような構成は、
各着色層を加工する際に用いる遮光マスクを適合するよ
うに作製することで達成される。
回路を覆うように保護絶縁膜24が設けられ、更にその
上部に、それぞれY方向に延びたストライプ状の緑色
(G)の着色層25G、青色(B)の着色層25B、赤
色(R)の着色層25Rが配置されている。そして、緑
色の着色層25Gの両側縁が青色着色層25Bや赤色着
色層25Rによって覆われている。このような構成は、
各着色層を加工する際に用いる遮光マスクを適合するよ
うに作製することで達成される。
【0021】そして、画素電極30は、これらの着色層
25G、25B、25R上にそれぞれ配置され、着色層
および保護絶縁膜24に形成されたコンタクトホール2
6および上部電極15を介してそれぞれ対応するスイッ
チング素子のソース電極に接続されている。更に、画素
電極30および着色層25G、25B、25Rを覆うよ
うに、ガラス基板11全面には配向膜13が形成されて
いる。着色層材料には、紫外線硬化型アクリル樹脂を、
配向膜材料には、ポリイミドをそれぞれ用いている。
25G、25B、25R上にそれぞれ配置され、着色層
および保護絶縁膜24に形成されたコンタクトホール2
6および上部電極15を介してそれぞれ対応するスイッ
チング素子のソース電極に接続されている。更に、画素
電極30および着色層25G、25B、25Rを覆うよ
うに、ガラス基板11全面には配向膜13が形成されて
いる。着色層材料には、紫外線硬化型アクリル樹脂を、
配向膜材料には、ポリイミドをそれぞれ用いている。
【0022】また、アレイ基板12上には、表示領域4
0の周縁を囲むように、合わせ精度が許す領域まで遮光
膜36が形成されている。第1遮光層として機能するこ
の遮光膜36は、他の金属配線、例えば、信号線14と
同一の材料により信号線と同時にパターン形成されてい
る。また、遮光膜36は、他の配線間とのショートを防
止するため、短冊状あるいは島状に形成され、仮に、一
箇所がショートしても不良とならないように考慮されて
いる。
0の周縁を囲むように、合わせ精度が許す領域まで遮光
膜36が形成されている。第1遮光層として機能するこ
の遮光膜36は、他の金属配線、例えば、信号線14と
同一の材料により信号線と同時にパターン形成されてい
る。また、遮光膜36は、他の配線間とのショートを防
止するため、短冊状あるいは島状に形成され、仮に、一
箇所がショートしても不良とならないように考慮されて
いる。
【0023】また、表示領域40の最外周に設けられた
配線と各遮光膜36と隙間、および隣合う遮光膜36間
の隙間と対向する位置には、2色の着色層、例えば、青
の着色層25Bおよび赤の着色層25Rが重ねて設けら
れ、これらの隙間を遮光した第2遮光層44を構成して
いる。
配線と各遮光膜36と隙間、および隣合う遮光膜36間
の隙間と対向する位置には、2色の着色層、例えば、青
の着色層25Bおよび赤の着色層25Rが重ねて設けら
れ、これらの隙間を遮光した第2遮光層44を構成して
いる。
【0024】更に、アレイ基板12の外面、つまり、絶
縁基板11の外面の外周部には、第3遮光層として、例
えば、印刷法により額縁状の黒色遮光膜38が形成され
ている。この黒色遮光膜38は、その一部が遮光膜36
と重なっているとともに、絶縁基板11の外周縁まで形
成されている。
縁基板11の外面の外周部には、第3遮光層として、例
えば、印刷法により額縁状の黒色遮光膜38が形成され
ている。この黒色遮光膜38は、その一部が遮光膜36
と重なっているとともに、絶縁基板11の外周縁まで形
成されている。
【0025】そして、アレイ基板12および対向基板2
0は、シール材19により周縁部同士が接着されている
とともに、これらの基板間のセルギャップは、多数の柱
状スペーサ31によって所定の値に維持されている。
0は、シール材19により周縁部同士が接着されている
とともに、これらの基板間のセルギャップは、多数の柱
状スペーサ31によって所定の値に維持されている。
【0026】次に、上記アクティブマトリクス型の液晶
表示装置の一層詳しい構成をその製造方法と併せて説明
する。まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの透光性
を持った絶縁基板11上にCVD法などによりa−Si
膜を50nm程度被着する。これを450℃で1時間炉
アニールを行った後、XeClエキシマレーザを照射
し、a−Si膜を多結晶化しポリシリコン膜とする。そ
の後に、ポリシリコン膜をフォトエッチング法によりパ
ターンニングして、図示しない表示領域内画素部のTF
T(以下、画素TFTと称する)のチャネル層、および
図示しない液晶駆動回路領域のTFT(以下、回路TF
Tと称する)のチャネル層を形成し、更に、補助容量素
子の下部電極を形成する。
表示装置の一層詳しい構成をその製造方法と併せて説明
する。まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの透光性
を持った絶縁基板11上にCVD法などによりa−Si
膜を50nm程度被着する。これを450℃で1時間炉
アニールを行った後、XeClエキシマレーザを照射
し、a−Si膜を多結晶化しポリシリコン膜とする。そ
の後に、ポリシリコン膜をフォトエッチング法によりパ
ターンニングして、図示しない表示領域内画素部のTF
T(以下、画素TFTと称する)のチャネル層、および
図示しない液晶駆動回路領域のTFT(以下、回路TF
Tと称する)のチャネル層を形成し、更に、補助容量素
子の下部電極を形成する。
【0027】次に、CVD法により絶縁基板11の全面
に図示しないゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜を10
0nm程度被着する。続いて、このシリコン酸化膜上全
面にTa、Cr、Al、Mo、W、Cuなどの単体又は
その積層膜あるいは合金膜を400nm程度被着し、フ
ォトエッチング法により所定の形状にパターニングし、
走査線17と、走査線を延在して成る画素TFTのゲー
ト電極17a、補助容量配線18、回路TFTのゲート
電極、および駆動回路領域内の各種配線を形成する。こ
の時、液晶駆動回路を駆動させるために必要となる配線
16も同時に形成する。
に図示しないゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜を10
0nm程度被着する。続いて、このシリコン酸化膜上全
面にTa、Cr、Al、Mo、W、Cuなどの単体又は
その積層膜あるいは合金膜を400nm程度被着し、フ
ォトエッチング法により所定の形状にパターニングし、
走査線17と、走査線を延在して成る画素TFTのゲー
ト電極17a、補助容量配線18、回路TFTのゲート
電極、および駆動回路領域内の各種配線を形成する。こ
の時、液晶駆動回路を駆動させるために必要となる配線
16も同時に形成する。
【0028】続いて、イオン注入やイオンドーピング法
により、ゲート電極17aをマスクとして上述したチャ
ネル層に不純物の注入を行い、図示しない画素TFTの
ソース電極およびドレイン電極、並びに図示しないNc
h型の回路TFTのソース電極およびドレイン電極を形
成する。不純物の注入は、例えば加速電圧80keVで
5×1015atoms/cm2のドーズ量で、PH3
/H2によりリンを高濃度注入した。
により、ゲート電極17aをマスクとして上述したチャ
ネル層に不純物の注入を行い、図示しない画素TFTの
ソース電極およびドレイン電極、並びに図示しないNc
h型の回路TFTのソース電極およびドレイン電極を形
成する。不純物の注入は、例えば加速電圧80keVで
5×1015atoms/cm2のドーズ量で、PH3
/H2によりリンを高濃度注入した。
【0029】次に、図示しない画素TFT、および駆動
回路領域のNch型の回路TFTには不純物が注入され
ないようにレジストで被覆した後、図示しないPch型
の回路TFTのゲート電極をそれぞれマスクとして、加
速電圧80keVで5×10 15atoms/cm2の
ドーズ量で、B2PH6/H2によりボロンを高濃度注
入し、Pch型の回路TFTのソース電極およびドレイ
ン電極を形成する。
回路領域のNch型の回路TFTには不純物が注入され
ないようにレジストで被覆した後、図示しないPch型
の回路TFTのゲート電極をそれぞれマスクとして、加
速電圧80keVで5×10 15atoms/cm2の
ドーズ量で、B2PH6/H2によりボロンを高濃度注
入し、Pch型の回路TFTのソース電極およびドレイ
ン電極を形成する。
【0030】その後、図示しないNch型LDD(Ligh
t1y Doped Drain )を形成するための不純物注入を行
い、基板をアニールすることにより不純物を活性化す
る。更に、例えばPECVD法を用いて絶縁基板11の
全面にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜23を500
nm程度被着する。
t1y Doped Drain )を形成するための不純物注入を行
い、基板をアニールすることにより不純物を活性化す
る。更に、例えばPECVD法を用いて絶縁基板11の
全面にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜23を500
nm程度被着する。
【0031】続いて、フォトエッチング法により、図示
しない画素TFTのソース電極に至るコンタクトホー
ル、ドレイン電極に至るコンタクトホール、図示しない
回路TFTのソース電極およびドレイン電極に至るコン
タクトホールをそれぞれ層間絶縁膜23に形成する。
しない画素TFTのソース電極に至るコンタクトホー
ル、ドレイン電極に至るコンタクトホール、図示しない
回路TFTのソース電極およびドレイン電極に至るコン
タクトホールをそれぞれ層間絶縁膜23に形成する。
【0032】次に、層間絶縁膜23上にTa、Cr、A
l、Mo、W、Cuなどの単体又はその積層膜あるいは
合金膜を500nm程度被着し、フォトエングレイビン
グ法により所定の形状にパターニングして、画素TFT
のドレイン電極に接続された信号線14、画素TFTの
ソース電極に接続された補助容量の上部電極15、およ
び図示しない液晶駆動回路領域内の回路TFTの各種の
配線等を形成するこの際、図3ないし図5に示すよう
に、表示領域40周辺に信号線14の配線材料にて遮光
膜36を同時に形成した。遮光膜36は、配線間ショー
トを防ぐために、島状もしくは短冊状に形成し、一箇所
がショートしても不良とならないよう配慮して配置し
た。島状、短冊状の遮光膜間隔は最小スペースにて配置
した。
l、Mo、W、Cuなどの単体又はその積層膜あるいは
合金膜を500nm程度被着し、フォトエングレイビン
グ法により所定の形状にパターニングして、画素TFT
のドレイン電極に接続された信号線14、画素TFTの
ソース電極に接続された補助容量の上部電極15、およ
び図示しない液晶駆動回路領域内の回路TFTの各種の
配線等を形成するこの際、図3ないし図5に示すよう
に、表示領域40周辺に信号線14の配線材料にて遮光
膜36を同時に形成した。遮光膜36は、配線間ショー
トを防ぐために、島状もしくは短冊状に形成し、一箇所
がショートしても不良とならないよう配慮して配置し
た。島状、短冊状の遮光膜間隔は最小スペースにて配置
した。
【0033】次に、PECVD法により絶縁基板11の
全面にSiNxからなる保護絶縁膜24を成膜し、フォ
トエングレイビング法により、それぞれ上部電極15に
至るコンタクトホールを形成する。
全面にSiNxからなる保護絶縁膜24を成膜し、フォ
トエングレイビング法により、それぞれ上部電極15に
至るコンタクトホールを形成する。
【0034】続いて、紫外線硬化型アクリル系緑色レジ
スト液を、絶縁基板11上にスピンナ塗布により2μm
程度の膜厚で塗布する。その後、約90℃で約5分間プ
リベークし、所定のマスクパターンを用いて、150m
J/cm2の強度の紫外線により露光する。ここで用い
るフォトマスクパターンは、緑色着色層25Gに対応す
るストライプ形状パターンと、画素電極30と上部電極
15とを接続するためのコンタクトホール26として直
径15μmの円形パターンと、を有している。
スト液を、絶縁基板11上にスピンナ塗布により2μm
程度の膜厚で塗布する。その後、約90℃で約5分間プ
リベークし、所定のマスクパターンを用いて、150m
J/cm2の強度の紫外線により露光する。ここで用い
るフォトマスクパターンは、緑色着色層25Gに対応す
るストライプ形状パターンと、画素電極30と上部電極
15とを接続するためのコンタクトホール26として直
径15μmの円形パターンと、を有している。
【0035】続いて、約0.1重量%のTMAH(テト
ラメチルアンモニウムハイドライド)水溶液を用いて約
60秒間現像し、更に水洗い後、約20℃で1時間ほど
ポストベークすることによって、コンタクトホール26
を有する緑色着色層25Gを形成した。
ラメチルアンモニウムハイドライド)水溶液を用いて約
60秒間現像し、更に水洗い後、約20℃で1時間ほど
ポストベークすることによって、コンタクトホール26
を有する緑色着色層25Gを形成した。
【0036】次に、青色着色層25B、赤色着色層25
Rを同様の工程にて形成する。この際、緑色着色層25
Gのパターン端が青色着色層25Bや赤色着色層25R
によって覆われる構成とした。これは、上記のように、
各着色層を加工する際に用いる露光マスクを適合するよ
うに作製することで達成される。
Rを同様の工程にて形成する。この際、緑色着色層25
Gのパターン端が青色着色層25Bや赤色着色層25R
によって覆われる構成とした。これは、上記のように、
各着色層を加工する際に用いる露光マスクを適合するよ
うに作製することで達成される。
【0037】この際、島状あるいは短冊状に形成された
遮光膜36と表示領域40との隙間、および遮光膜間の
隙間の透過部分に、青着色層25bと赤着色層25Rと
を重ねて第2遮光層44を形成し、これらの隙間を遮光
した。次に、透明な樹脂により柱状スペーサ31を所定
の密度で形成した。
遮光膜36と表示領域40との隙間、および遮光膜間の
隙間の透過部分に、青着色層25bと赤着色層25Rと
を重ねて第2遮光層44を形成し、これらの隙間を遮光
した。次に、透明な樹脂により柱状スペーサ31を所定
の密度で形成した。
【0038】続いて、着色層25R、25G、25B上
にスパッタリング法によりインジウム・すず酸化物(I
TO)を堆積し、これをパターニングすることにより、
それぞれ着色層上に位置した画素電極30を形成する。
にスパッタリング法によりインジウム・すず酸化物(I
TO)を堆積し、これをパターニングすることにより、
それぞれ着色層上に位置した画素電極30を形成する。
【0039】その後、ポリイミドからなる配向膜材料を
絶縁基板11全面に塗布し、配向処理を施して配向膜1
3を形成する。これにより、カラーフィルタを有するア
レイ基板12を得ることができる。
絶縁基板11全面に塗布し、配向処理を施して配向膜1
3を形成する。これにより、カラーフィルタを有するア
レイ基板12を得ることができる。
【0040】一方、透明絶縁基板21上にスパッタ法に
よりITOを約100nmの厚さに堆積して対向電極2
2を形成し、続いてポリイミドからなる配向膜材料を基
板全面に塗布し、配向処理を施して配向膜13を形成す
ることにより、対向基板20を得る。
よりITOを約100nmの厚さに堆積して対向電極2
2を形成し、続いてポリイミドからなる配向膜材料を基
板全面に塗布し、配向処理を施して配向膜13を形成す
ることにより、対向基板20を得る。
【0041】このようにして形成された対向基板20の
外周縁部に、液晶注入口35を除いてシール材19を塗
布する。この対向基板20、およびカラーフィルタの設
けられたアレイ基板12をシール材19により貼り合わ
せることにより、空状態のセルが完成する。
外周縁部に、液晶注入口35を除いてシール材19を塗
布する。この対向基板20、およびカラーフィルタの設
けられたアレイ基板12をシール材19により貼り合わ
せることにより、空状態のセルが完成する。
【0042】次に、カイラル材が添加されたネマティッ
ク液晶材料を、液晶注入口35からセル内に真空注入
し、注入後、液晶注入口35を封止材34としての紫外
線硬化樹脂を用いて封止する。そして、セルのアレイ基
板裏面に、例えば印刷法により、所定幅の黒色遮光膜3
8を形成する。最後に、セルの両側にそれぞれ偏光板を
貼付することにより、液晶表示装置が完成する。
ク液晶材料を、液晶注入口35からセル内に真空注入
し、注入後、液晶注入口35を封止材34としての紫外
線硬化樹脂を用いて封止する。そして、セルのアレイ基
板裏面に、例えば印刷法により、所定幅の黒色遮光膜3
8を形成する。最後に、セルの両側にそれぞれ偏光板を
貼付することにより、液晶表示装置が完成する。
【0043】以上のように構成された液晶表示装置によ
れば、アレイ基板12上において、表示領域40の周辺
を囲むように、合わせ精度が許す領域まで遮光膜36を
設け、かつ、表示領域40の最外周に設けられた配線と
各遮光膜36と隙間、および隣合う遮光膜36間の隙間
と対向する位置に、2色の着色層を重ねて第2遮光層4
4を設け、これらの隙間を遮光している。従って、対向
基板側にCr等で遮光層を設けることなく、表示領域周
辺を確実に遮光でき、良好な表示性能を得得ることがで
きる。
れば、アレイ基板12上において、表示領域40の周辺
を囲むように、合わせ精度が許す領域まで遮光膜36を
設け、かつ、表示領域40の最外周に設けられた配線と
各遮光膜36と隙間、および隣合う遮光膜36間の隙間
と対向する位置に、2色の着色層を重ねて第2遮光層4
4を設け、これらの隙間を遮光している。従って、対向
基板側にCr等で遮光層を設けることなく、表示領域周
辺を確実に遮光でき、良好な表示性能を得得ることがで
きる。
【0044】また、遮光膜36は、アレイ基板上の他の
配線と同一材料で同時にパターン形成されていることか
ら、製造工程の増加を伴うことなく低コストで形成する
ことができる。
配線と同一材料で同時にパターン形成されていることか
ら、製造工程の増加を伴うことなく低コストで形成する
ことができる。
【0045】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、上述した実施の形態では、信号線材料に
より信号線形成と同時に表示領域周辺に遮光膜36を形
成したが、上部電極15等の他の配線材料により遮光膜
を形成してよく、また、信号線材料および上部電極材料
の両方を使用して遮光膜36を形成することも可能であ
る。
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、上述した実施の形態では、信号線材料に
より信号線形成と同時に表示領域周辺に遮光膜36を形
成したが、上部電極15等の他の配線材料により遮光膜
を形成してよく、また、信号線材料および上部電極材料
の両方を使用して遮光膜36を形成することも可能であ
る。
【0046】更に、表示領域40と遮光膜36との隙間
および遮光膜間の隙間の透過部分を遮光する着色層は、
セルギャップに問題がなければ、3色の着色層を重ねて
配置することが望ましい。
および遮光膜間の隙間の透過部分を遮光する着色層は、
セルギャップに問題がなければ、3色の着色層を重ねて
配置することが望ましい。
【0047】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、アレイ基板上において、表示領域の周辺を囲むよう
に第1遮光層を設けることにより、アレイ基板の裏面に
形成された遮光膜あるいはベゼル等と合わせて、表示領
域の周辺部を確実に遮光することが可能となる。そのた
め、対向基板に形成していた遮光膜を削除でき、製造コ
ストの低減を図ることができる。この際、遮光膜をアレ
イ基板上の配線形成と同時に形成するとともに、遮光膜
間の隙間を着色層からなる第2遮光層によって遮光する
ことにより、製造工程数を増加させることなく良好な確
実な遮光が可能となり、製造コストの低減を図り安価な
液晶表示装置を提供することができる。
ば、アレイ基板上において、表示領域の周辺を囲むよう
に第1遮光層を設けることにより、アレイ基板の裏面に
形成された遮光膜あるいはベゼル等と合わせて、表示領
域の周辺部を確実に遮光することが可能となる。そのた
め、対向基板に形成していた遮光膜を削除でき、製造コ
ストの低減を図ることができる。この際、遮光膜をアレ
イ基板上の配線形成と同時に形成するとともに、遮光膜
間の隙間を着色層からなる第2遮光層によって遮光する
ことにより、製造工程数を増加させることなく良好な確
実な遮光が可能となり、製造コストの低減を図り安価な
液晶表示装置を提供することができる。
【図1】この発明の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置を示す斜視図。
クス型の液晶表示装置を示す斜視図。
【図2】上記液晶表示装置の平面図。
【図3】上記液晶表示装置のアレイ基板の一部を拡大し
て示す平面図。
て示す平面図。
【図4】図2および図3の線A−Aに沿った断面図。
【図5】図2および図3の線B−Bに沿った断面図。
11…アレイ側ガラス基板 13…配向膜 14…信号線 16…液晶駆動回路用配線 17…走査線 18…補助容量配線 21…対向側ガラス基板 22…対向電極 23…層間絶縁膜 24…保護絶縁膜 25R、25G、25B…着色層 26…コンタクト 30…画素電極 31…スペーサ柱 36…遮光膜 40…表示画素領域 44…第2遮光層 70…液晶層
フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 LA09 MA07Y NA24 QA05 QA12 QA14 TA09 TA12 TA13 2H091 FA02Y FA34Y FB04 FB08 FC12 GA13 LA12 LA15 2H092 GA59 JA24 JA35 JA39 JA40 JB24 JB27 JB51 JB69 KA07 KA10 KA12 MA27 MA30 MA41 NA01 NA27 PA03 PA08 PA09 5C094 AA16 AA43 AA44 AA45 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EC03 ED02 ED03 ED15
Claims (7)
- 【請求項1】基板の一主面上に交差して配置された複数
の信号線及び複数の走査線と、前記交差部毎に配置され
たスイッチング素子と、前記信号線、前記走査線及び前
記スイッチング素子の少なくとも一部を覆うように配置
された着色層と、上記着色層上に重ねて配置されている
とともに上記スイッチング素子にそれぞれ接続され、そ
れぞれ画素部を形成した複数の画素電極と、を有した表
示領域と、前記スイッチング素子と同時に形成された前
記表示領域を駆動する駆動回路と、上記基板の主面上に
おいて上記表示領域の周囲に沿って形成された第1遮光
層と、上記着色層により上記第1遮光膜と上記表示領域
との隙間に重ねて設けられた第2遮光層と、を備えたア
レイ基板と、 上記アレイ基板と対向して配置された対向基板と、 上記アレイ基板と上記対向基板との間に設けられ、上記
アレイ基板と上記対向基板との間に所定の隙間を保持し
た複数の柱状スペーサと、 上記アレイ基板と上記対向基板との間に挟持された液晶
層と、を具備したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】上記第1遮光層は、上記アレイ基板上に設
けられた金属配線材料と同じ材料により上記金属配線と
同時に形成されていることを特徴とする請求項1に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項3】上記第1遮光層は、1層あるいは2層の金
属層により形成されていることを特徴とする請求項2に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】上記第2遮光層は、2色の着色層を重ねて
形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のい
ずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】上記2色の着色層は赤および青の着色層で
あることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】上記第1遮光層は、上記表示領域の周囲に
沿って短冊状に形成され、上記第2遮光層は、上記第1
遮光層と表示領域との隙間、および第1遮光層間の隙間
と重なって設けられていることを特徴とする請求項1な
いし5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項7】上記アレイ基板は、他方の主面上において
アレイ基板の周縁に沿って形成されているとともに少な
くとも一部が上記第1遮光層に重なって設けられた枠状
の第3遮光層を備えていることを特徴とする請求項1な
いし6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000234505A JP2002049057A (ja) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000234505A JP2002049057A (ja) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002049057A true JP2002049057A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18726862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000234505A Pending JP2002049057A (ja) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002049057A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005321784A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Cot構造の液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2006098879A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
US7102725B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-09-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display |
WO2009034669A1 (ja) * | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示パネル |
JP2009109819A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | 表示装置 |
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JP2012093787A (ja) * | 2003-05-02 | 2012-05-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US8619218B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and display device including the same |
TWI509321B (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-21 | Au Optronics Corp | 彎曲顯示面板 |
US9448432B2 (en) | 2002-03-01 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
TWI639869B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
JP2020140039A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2000
- 2000-08-02 JP JP2000234505A patent/JP2002049057A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2009034669A1 (ja) * | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示パネル |
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CN111624803A (zh) * | 2019-02-27 | 2020-09-04 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US11573447B2 (en) | 2019-02-27 | 2023-02-07 | Japan Display Inc. | Display device |
JP7237649B2 (ja) | 2019-02-27 | 2023-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN111624803B (zh) * | 2019-02-27 | 2023-04-28 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
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