JP2001501187A

JP2001501187A - 光学記憶デバイス用材料

Info

Publication number: JP2001501187A
Application number: JP10513464A
Authority: JP
Inventors: デームス，ディートリヒ; 良吉多羅尾; 弘行竹内; 和利宮沢
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1996-09-12
Filing date: 1996-09-12
Publication date: 2001-01-30
Also published as: WO1998011078A1; AU6944496A

Abstract

(57)【要約】一般式（１）（式中、R₁、R₂、R₃、R₄＝同一または異なっており、Ｈ、Ｆ、Cl、R₅、R₆またはR₇、R₅＝CN、NCS、CF₃、OCF₃、R₆＝非キラルなアルキル、アルケニル、アルキニルまたはフルオロアルキルであり、これらの基は15個までの炭素原子の鎖長を有し、１個または数個の不斉炭素原子は-CH₃、-C₂H₅、-CN、ハロゲン、-CF₃、-CHF₂、CH₂F、-CCl₃、-CF₂Cl、-CFCl₂、-OCF₃、-OCHF₂、-OCH₂Fによって置換され、ここで１個または数個のCH₂基はお互いに独立していて、-S-、-O-、シクロブタン、〔1.1.1〕ビシクロペンタン、シクロプロパン、オキシラン、チイラン、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-によって置換することができ、環Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４＝独立して置換されたまたは置換されていない1,4−フェニレン環、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、X₁、X₂＝独立してＳ、Ｃ（R₇、R₈）、R₇、R₈＝Ｈ、Ｆ、Cl、R₅、R₆、但し、基R₁、R₂、R₃、R₄のうちの少なくとも１つは、R₆と同じであり、そして基R₁、R₂、R₃、R₄のうちの２個以下はR₅と同じである）のアゾフアン誘導体。この誘導体は液晶光学記憶デバイスに使用できる。

Description

【発明の詳細な説明】光学記憶デバイス用材料技術分野本発明は新規な化合物および液晶光学記憶デバイスにおけるその使用に関する。このデバイスは、光の照射によって記録される情報の記憶に有用である。背景技術情報とデータの記憶には、可逆性光学記憶機能を有する材料とデバイスが必要とされる。光コンピューターと音声および映像情報用の記憶システムには光学記憶を応用できる。データの記憶には、可逆性光学記憶機能を有する材料とデバイスが必要とされる。光学記憶は光コンピューターと音声および映像情報用の記憶システムに応用できる。種々のタイプの光学記憶デバイスがある。いくつかのタイプは一回だけ書き込み可能なものである〔一回書き込み・読み取り一多数系(write-once-read-manys ystems＝WORM systems)〕。それらは非可逆性の化学的または物理的記憶処理を使用している。それらは可逆的でないため、音声および映像情報に用途が限られているが、コンピューター用の記憶システムに応用できない。いくつかのタイプの光学記憶は、可逆性の化学的または物理的処理を使用しているため、多数回書き込みおよび多数回読み取りできる〔消去再書き込み系(era sable-direct-read-after-write systems＝EDRAW systems)〕。光学データ記憶用の材料に関する調査がM．Emmelius、G．PawlowskyおよびH.W ．Vollmannによって「Angew．Chem．Intern．Ed．28，1445(1989)」に提示されている。光学データ記憶用の入手可能な媒体は、記憶密度や記憶速度に限度があり、可逆性が不完全で、長時間安定性に限界があるなど若干の欠点を有する。それゆえ、新規で改良された光学記憶材料とそれぞれのデバイスについての調査は意味のあることである。通常、光学データ記憶用の液晶デバイスは、２枚のガラススライドよりなり、感光性成分を含む液晶物質の層を有する。波長の異なる光を照射すると、単純なアゾ化合物を含むデバイスはネマチック状態から等方性状態におよびその逆に変化する（例えば、D．Demus，G．Pelzl，F．Kuschel DD WP 134 279）。特に、そのようなデバイスにはアゾ基を含有する高分子液晶が提案されている (H．Finkelmann，W．MeierおよびH．Scheuermann，in：Liquid Crystals．B．Ba hadur編Applications and Uses，World Scientific Singapore 1992，vol．3,p. 345-370）。単純なアゾ化合物をベースとする提案されたデバイスにはいくつかの欠点がある。単純なアゾ化合物では、トランス異性体は安定であり、短い波長の光を照射ずると安定性の小さいシス異性体に転換しそしてこれは原則としてより長い波長の光を照射することによってトランス異性体にもどすことができる。しかしながら、後者と競合して、熱異性化によりシス異性体は一定期間後に安定なトランス異性体に切り換わり、これは温度と化合物の詳細な化学的性質に依存する。それゆえに、単純なアゾ化合物は限定された保存期間にのみ能力を有する。 246，143-146（1994）には、改良された光学的性質を有する、それぞれ２個のアゾ基をもつファン（phane）タイプの新規なアゾベンゼンが記載されている。この化合物は式ＡおよびＢで表わすことができる。式中、Ra、Rb＝COOC₂H₅。これらの化合物、アゾファンは、アゾ部分のそれぞれトランス−トランス異性体、シス−シス異性体に対応する２つの安定な光学状態の間で切り換えができる。これらの化合物では、両方の異性体は長期間安定であり、熱異性化を示さない。しかしながら、上記の化合物はネマチック液晶中で極めて制限された溶解性を有し、カラミチック液晶のネマチック−等方相の相転位温度を大幅に低下させる。発明の開示本発明の目的は、光学的にスイッチング可能な材料を得ることであり、該材料はトランス、シス双方の異性体で長期間安定であり、熱異性化を示さず、液晶中に十分可溶性であり、かつ液晶ベース混合物の澄明温度を大幅に低下させない。本発明者は一般式（１）（式中、R₁、R₂、R₃、R₄＝同一または異なっており、Ｈ、Ｆ、Ｃl、R₅またはR₆ 、 R₅＝CN、NCS、CF₃、OCF₃、 R₆＝非キラルなアルキル、アルケニル、アルキニルまたはフルオロアルキル、 15個までの炭素原子の鎖長を有し、１個または数個の不斉炭素原子は-CH₃、-C₂H₅ 、-CN、ハロゲン、-CF₃、-CHF₂、CH₂F、-CCl₃、-CF₂Cl、-CFCl₂、-OCF₃、-OCHF₂ 、-OCH₂Fによって置換され、ここで１個または数個のCH₂基はお互いに独立していて、-S-、-O-、シクロブタン、〔1.1.1〕ビシクロペンタン、シクロプロパン、オキシラン、チイラン、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-によって置換することができ、環Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４＝独立して置換されたまたは置換されていない1,4 −フェニレン環、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、 X₁、X₂＝独立してＳ、Ｃ（Ｒ₇、Ｒ₈）、 R₇、R₈＝Ｈ、Ｆ、Cl、R₅、R₆、但し、基R₁、R₂、R₃、R₄のうちの少なくとも１つは、R₆と同じであり、そして基 R₁、R₂、R₃、R₄のうちの２個以下はR₅と同じである）のアゾファンは、２つの安定な光学状態の間で切り換えができ、そして光学記憶ディスプレイの使用に適していることを見出した。新規な化合物（１）は、アゾ基（-N=N-）のシス／トランス異性の可能性：両方のアゾ基がトランスの場合（ttと略記）一方のアゾ基がトランス、他方のアゾ基がシスの場合（ctと略記）両方のアゾ基がシスの場合（ccと略記）に関して異なる異性体として存在することができる。 ttおよびcc異性体は、アゾベンゼンまたは4,4'−ビス置換アゾベンゼンのような通常のアゾ化合物のシス−アゾ異性体（半減期約１日〜数秒）に対して熱的にまったく安定（半減期少なくとも１年）であり、熱エネルギーの影響下でトランス状態に戻り、熱力学の見地からより安定である。 t,tアゾファンは、ccと通常のアゾベンゼンには存在しない、380nm近くのファン（phane）吸収帯によって特徴づけられる。ttに366nmの光を照射するとccが生成する。ccに436nmの光を照射すると再びttが生成する。異性体は下記のスキーム１による照射によって転換することができる。スキーム１異性体ctはまったく不安定であり、ttまたはccの照射後出現し、照射によりそれぞれcc、ttの安定な形態に転換し、またctは熱エネルギーによってttに転換する。 350〜370nmのスペクトル域では、ttおよびccの吸収は75倍まで極めて異なっている。吸収の変化に加えて、キラルな物質のらせんねじり力(HTP)を変化させる。ネマチック液晶では、キラルな物質をドーピングすることによってコレステリック相が誘起される。物質をttからccの異性体状態に転換させるとコレステリック混合物のピッチが変動し、適した配置で使用すると光学コントラストを変動させることができる。異性体の転換は強度の大きい光で生じる。強度の小さい光でプローブするとcc またはttのごくわずかな損失が生じる。異性体ttまたはccの保存は熱反応なしに長期間可能である。cc試料を室温で数ケ月間保存しても吸収またはHTPの変化は生じない。これらの性質によってシステムは光学的にスイッチされる情報記憶システムに適合させられる。ネマチック液晶の基本混合物として、すべての既知ネマチック化合物を使用することができるが、それぞれの照射域において光学吸収帯をもたない。下記の化合物（２−１）〜（２−190）を有効に使用することができる。（上記式中、R₉、R₁₀＝アルキル、アルキルオキシ、アルケニル、アルキニルおよび液晶として代表的な他の基）。どんな種類のネマチック液晶でも本発明に適用できるが、液晶の基本混合物は２つの状態の間でスイッチングする照射光の領域で光学吸収帯をもっていないことが好ましい。スイッチングは紫外光で行われることが好ましいので、特に非芳香族液晶物質が有用であり、下記の一般式（２−191）〜（２−229）の化合物が好ましい。（上記式中、R₉、R₁₀＝アルキル、アルキルオキシ、ハロゲン、シアノおよび液晶として代表的な他の基、ｍ、ｎ＝独立して０〜10）。これらの一般式の液晶は既に知られておりそして文献に記載されている。また、ネマチックディスコチック液晶は本発明を証明するための基本混合物として使用することができる。パーソナルコンピューター用の液晶化合物のデータベースであるLIQCRYST（V．Vill，Hamburg 1996）に掲載されているディスコチック物質を使用することができる。ネマチックディスコチック化合物は通常比較的高い融点を有するので、多成分混合物が必要である。ディスコチック物質は特にアゾファンと相溶する。下記の化合物（３−１）〜（３−11）は本発明に適したディスコチック物質である。上記式中、R₁₁＝アルキル鎖またはハロゲン原子であり、鎖中の１個または２個のメチレン部分はＯ、C=O、Ｓ、CH=CH、C≡Cで置換することができ、そして１個または２個の水素はCNまたはハロゲン原子で置換することができる。Ｚは単結合OCO、CH₂CH₂、C≡C、CH₂O、OCH₂、CH₂S、SCH₂、NHCO、OCOCH₂、OCOCH=CH、CH₂ OCO、N=Nを表す。本発明のアゾファン（１）は刊行物に記載された一般的な有機合成手順の組み合わせによって合成することができる。例えば、化合物（１）は文献、H．Rau and E．Luddecke，J．Am．Chem．Soc. ，104，1616(1982)，V．Boekelheide，R．A．Hollius，J．Am．Chem．Soc.，95 ，3201（1973）and R．H．Mitchell，V．Boekelheide，J．Am．Chem．Soc.，96 ，1547（1974）によるアゾファンのクロスカップリング反応によって合成される。例えば、スキーム２ R．Dabrovski等のMol．Cryst．Liq．Cryst.，61，61（1980）の方法によって、アゾベンゼン（４）および（５）を硫化ナトリウムを用いてクロスカップリング反応を行うと、所望の化合物（１）が得られる。カップリング反応はエタノール水またはメタノール水のようなアルコール水溶液中で行うことが好ましい。ホモカップリング反応を回避するために、反応は高希釈反応であることが好ましい。反応後、通常の処理手順すなわちクロマトグラフ分離あるいは再結晶によって、精製した（１）を得ることができる。また、化合物（１）は、アルコール性溶液中の塩基例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化カルシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムを用いて、臭化ベンジル（４）をチオール（６）でチオエーテル化することにより合成することができる。スキーム３チオール（６）は、臭化物（５）からチオ尿素による処理次いで加水分解により誘導することができる。スキーム４側鎖R₁−R₆の導入は下記の合成法によって行うことができる。ハロゲン−(弗素−または塩素−)置換化合物（８）は、ベンジルハライド（７）から、A．Haars，Chem．Ber.，121，1329（1988）によるUV照射下の臭素化により誘導することができる（スキーム５）。スキームにおいて、X₃はＦおよびCl を表わし、そしてMG（メソゲン）は有機残基を意味する。スキーム５また、R₅で置換された化合物（10）は、上記文献によるUV照射下の臭素化（スキーム６）により（９）から誘導することができる。スキーム６例えばアルキル置換化合物(13)は、置換ベンズアルデヒド(11)から、求核試薬との反応次いで臭素化により誘導することができる(スキーム７)。相当するアルキルハライドから誘導されるアルキルマグネシウムブロミドまたはアルキルリチウム試薬は、上記の求核試薬として使用することができる。臭素化は通常使用される臭素化試薬例えばPBr₃、SOBr₂、Br₂、NBS(Ｎ−ブロモスクシンイミド)等を用いて行うことができる。スキーム７ X₁またはX₂が置換または非置換炭素原子である場合、化合物（１）はスキーム７により製造することができる置換または非置換ジブロモ炭素とジオールのエーテル化により合成することができる。（１）で定義されかつ上記の方法により合成することができる本発明のアゾファンはすべて光スイッチングデバイスに適切な材料である。本発明の化合物のうち、好ましいものは下記の式からなるものであるが、これに限定されない。 R₆は、アルキル、アルキルオキシ、アルカノイルオキシ、アルキルオキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アルカジエニル、アルカジエニルオキシ、ハロアルキル、ハロアルキルオキシであり、Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は好ましくは、1,4−フェニレン、２−フルオロ −1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、3,5−ジフルオロ−1, 4−フェニレン、2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2,3,5−トリフルオロ−1, 4−フェニレン、２−クロロ−1,4−フェニレン、ピリジン−2,5−ジイル、３− フルオロピリジン−2,5−ジイル、６−フルオロピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、４−フルオロピリジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6− ジイル、ピラジン−2,5−ジイルである。図面の簡単な説明図１は本発明に適用されるホログラフィー配置の図解である。発明を実施するための最良の形態実施例１１−ペンチル−18−ヘプチル−2,19−ジチア〔3.3〕（4,4'）−トランス−ジフェニルジアゼノ（２）ファン（(１)において、R₁＝ペンチル、R₄＝ヘプチル、R₂ 、R₃＝水素、X₁、X₂＝硫黄、およびＡ１〜Ａ４＝1,4−フェニレン）の合成工程１：１−ヒドロキシヘキシル−ベンゼン（Ｓ−１）の合成テトラヒドロフラン(以下、THFと略記)500ml中のベンズアルデヒド(3.0モル) の混合物に、THF（300ml）中のペンチルブロミドおよびマグネシウムから調製されたペンチルマグネシウムブロミド（3.2モル）を、10℃より低い温度で加えそして反応混合物を室温で１時間撹拌した。温度を20以下に維持しながら、塩化アンモニウム水溶液を加えそして反応混合物をジエチルエーテル（500ml×３）で抽出し次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層の蒸発により無色の油（Ｓ−１）(2.5モル)が得られた。工程２：１−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシヘキシル−ベンゼン（Ｓ−２）の合成（Ｓ−１）(2.5モル)、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド（TBDMSCl）(2.7モル)、イミダゾール（4.0モル）およびジメチルホルムアミド（以下、DMFと略記）の混合物を、15℃で25時間撹拌した。反応混合物を500gの氷砕に注加し、ヘキサン（500ml）で抽出した。有機層を水（300ml×４）で洗浄し次に無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層の蒸発次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンによる溶離）による精製によって無色の油（Ｓ−２）(2．1モル)が得られた。工程３：４−（１−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシヘキシル）−ニトロベンゼン（Ｓ−３）の合成酢酸（550ml）中の（Ｓ−２）(2.0モル)の溶液に、硫酸（2.0モル）および発煙硝酸(2.0モル)の混合物を−10℃より低い温度で２時間かけて加えた。反応混合物を氷冷水（400ml）に注加しそしてトルエン（500ml）で抽出した。有機層の蒸発により、橙色のタールが生成し、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンと酢酸エチルの混合物により溶離）によって精製して0.58モルの暗黄色の化合物(Ｓ−３)を得た。工程４：４−（１−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシヘキシル）−アミノベンゼン（Ｓ−４）の合成（Ｓ−３）(0.55モル)、５％Pd／Ｃおよびエタノール（430ml）の混合物をH₂ 雰囲気で２時間撹拌した。触媒を反応混合物から濾別しそして濾液を蒸発させて粗生成物（Ｓ−４）を得、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（二塩化メチレンとエタノールの混合物により溶離）によって精製すると0.51モルの無色の物質（Ｓ−４）が得られた。工程５：４−（１−ヒドロキシヘキシル）−アミノベンゼン（Ｓ−５）の合成 THF 100ml中の（Ｓ−４）（0.50モル）の溶液に、THF中のテトラブチルアンモニウムフルオリド（以下、TBAFと略記）（0.75モル）の１Ｍ溶液を−10℃以下で加えそして混合物を同じ温度で５時間撹拌した。氷冷水(500ml)を加えそして混合物をジエチルエーテル(300ml×４)で抽出した。有機層を食塩水（50ml×３）で洗浄しそして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。蒸発次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（二塩化メチレンとエタノールの混合物により溶離）によって精製すると0.41モルの無色の物質（Ｓ−５）が得られた。工程６：４−(１−ブロモヘキシル)−アミノベンゼン（Ｓ−６）の合成アルコール（Ｓ−５）（0.4モル）および二塩化エチレン（150ml）の混合物に、トリフェニルホスフイン（0.6モル）および四臭化炭素（0.9モル）を−10℃で加えそして混合物を２分間撹拌した。２分後、NaHCO₃飽和水溶液（300ml）を加えそして分離した有機層を食塩水(100ml×２)で洗浄し、次に無水硫酸マグネシウムで乾燥した。蒸発およびシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルとジエチルエーテルの混合物による溶離）による精製によって標記の臭化物（Ｓ −６）（0.35モル）を得た。工程７：４−（１−ブロモヘキシル）−4'−ブロモメチル−アゾベンゼン（Ｓ− ７）の合成酢酸180ml中の（Ｓ−６）（0.35モル）に、エタノール100ml中の４−ニトロソベンジルブロミド（0.4モル）を５℃で滴加しそして混合物を50℃で１時間加熱した。反応混合物を冷却しそして氷水（500ml）に注加し、次にトルエン(300ml) で抽出した。有機層を蒸発させそしてシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸とエタノールの混合物による溶離)によって精製して白色の固体（Ｓ−７）（0 .28モル）を得た。工程８：１−ペンチル−18−ヘプチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')−トランス −ジフェニルジアゼノ（２）ファンの合成（Ｓ−７）（0.25モル）および実施例１の工程１〜７の方法によりベンズアルデヒドとオクチルマグネシウムブロミドから製造した４−(１−ブロモオクチル) −4'−ブロモメチル−アゾベンゼン（0.25モル）の、ベンゼン500ml中の混合物を、90％水性エタノール300ml中の硫化ナトリウム九水和物（1.0モル）の溶液と同時に、３Ｌの無水エタノールに激しく撹拌しながら４時間かけて加えた。濾取した固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンと二塩化エチレンの混合物により溶離）に付して主生成物(0.015モル)として淡黄色の固体を得、これをベンゼンから２回再結晶して白色の固体(0.005モル)を得た。得られた固体は元素分析、¹H−および¹³C-NMRおよび質量分光学により標記の化合物１−ペンチル−18−ヘプチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')−トランス− ジフェニルジアゼノ（２）ファンであると決定された。実施例２ 1,3,18,20−テトラキス−ペンチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')−トランス−ジフェニルジアゼノ（２）ファン（(１)において、R₁、R₂、R₃、R₄＝ペンチル、X₁ 、X₂＝硫黄およびＡ１−Ａ４＝1,4−フェニレン）の合成工程１：1,3,18,20−テトラキス−ペンチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')−トランス−ジフェニルジアゼノ（２）ファンの合成実施例１により製造した4,4'−ビス（１−ブロモヘキシル）アゾベンゼン（Ｓ −８）（0.20モル）およびベンゼン400m1の混合物を、90％水性エタノール300ml 中の硫化ナトリウム九水和物（0.8モル）の溶液と同時に、2.5Ｌの無水エタノールに激しく撹拌しながら２時間かけて加えた。濾取した固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンと二塩化エチレンの混合物による溶離）に付して主生成物として淡黄色の固体を得、これをベンゼンからの再結晶により精製して白色固体を得た。これは元素分析、¹H-および¹³C-NMRおよび質量分光学により標題化合物1,3,18,20−テトラキス−ペンチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')− トランス−ジフェニルジアゼノ(２)ファン（0.03モル）であると決定された。実施例３実施例１および２の手順により、表１に記載した下記の化合物（１）が合成される。表中、環Ａ１〜Ａ４には以下のように略記される。実施例４光学記憶デバイスにおける本発明による化合物の使用実施例１の合成指図により得られた0.5重量％の１−ペンチル−18−ヘプチル −2,19−ジチア〔3.3〕（4,4'）−トランス−ジフェニルジアゼノ（２）フアンおよび99.5重量％のネマチック混合物（65モル％４−ｎ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸＋35モル％４−ｎ−ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸、澄明温度＝ 91℃、Dn＝0.02）よりなるネマチック混合物を調製した。10mmのスペーサを有する同一平面にある２枚のガラス板よりなるセルであって、セルの表面がネマチック混合物の平行配向を得るために一方向にこすられた配向材（ポリイミド）で覆われているものに、上記の混合物を充填した。こすった方向に平行な偏光方向を有する１つの偏光板をセルの前方で用いる。セルは可視光の極めて強い吸収を示ず。波長366nmの光を照射して、アゾフアンのスイッチングが得られ、そしてセルはその透明な光学状態になる。この状態は光学的性質の変化なしに長期間保持できる。波長436nmの光を照射して、透明状態から吸収状態へのスイッチングが得られる。スイッチングは両方向で多くの回数で可逆性であり、そして双方の光学状態は減退せずに長期間安定である。変調レーザーを照射して、照射スポットの光学的性質の変化を生じそして情報の記憶を行うことができる。デバイスの別の態様は偏光板をセルの後方で用いることである。実施例５本発明による混合物のホログラフィーデータ記憶への使用図１はホログラフィーデータ記憶の説明に用いられるホログラフィー配置を示ず。ホログラフィー配置は波長366nmのレーザーよりなり、そのビームはビームスプリッターにより参照ビームと空間光変調器により変調されたビームに分割される。これら両方のビームは、ミラーとレンズによって、干渉して液晶セルに送られる。この液晶セルはスペーサによって15mmの距離で保持された２枚の石英板よりなり、そして実施例４に記載された混合物で充填されている。セルはホログラフィー情報を記憶している。強度の小さいレーザー光を用いて記憶されたホログラムを可視化できる。波長436nmの光を照射して、ホログラムを消去できる。別の態様はセルに波長366nmの光を照射して得られたアゾフアンのcc状態を用いてホログラフィー実験を開始することである。次に、波長436nmのレーザーにより、ホログラムを生成させ、これは強度の小さいレーザー光を用いて読み取ることができる。この場合、波長366nmの光を照射して、ホログラムの消去が得られる。実施例６本発明による化合物のディスコチックネマチックスにおける使用実施例４によるセルに、下記の混合物を使用した。2,3,4,5,6−ペンタキス(２ −（４−ペンチルフェニル）エチニル)−１−（11−ヒドロキシウンデシルオキシ）ベンゼン45モル％、2,3,4,5,6−ペンタキス（２−(４−ペンチルフェニル) エチニル）−１−（10−エトキシカルボニルデシルオキシ）−ベンゼン40モル％、2,3,4,5,6−ペンタキス（２−（４−ペンチルフェニル）−（エチニル）−１ −（10−ヒドロキシカルボニルデシルオキシ）ベンゼン15モル％からなるネマチックディスコチック混合物を調製した。上記の化合物は文献、D．Janietz，K．P raefckeおよびD．Singer，Liq．Cryst．13(2)，247（1993）の指図により製造することができた。この混合物に、実施例２に与えられた指図により合成された1, 3,18,20−テトラキス−ペンチル−2,19−ジチア〔3.3〕(4,4')−トランス−ジフェニルジアゼノ（２）フアン0.5重量％を加えた。この混合物を実施例４および５にそれぞれ記載されたセルに注入する。波長36 6nmの光を照射するとより透明なcc状態に切り換わり、波長436nmの光を照射すると吸収tt状態を生じる。両方の光学状態の間で良好なコントラストがあり、極めて長期間安定である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＺ，ＥＥ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＲ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＶ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＲＯ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims

【特許請求の範囲】１．一般式（１）（式中、R₁、R₂、R₃、R₄＝同一または異なっており、Ｈ、Ｆ、Cl、R₅、R₆またはR₇、 R₅＝CN、NCS、CF₃、OCF₃、 R₆＝非キラルなアルキル、アルケニル、アルキニルまたはフルオロアルキルであり、これらの基は15個までの炭素原子の鎖長を有し、１個または数個の不斉炭素原子は-CH₃、-C₂H₅、-CN、ハロゲン、-CF₃、-CHF₂、CH₂F、-CCl₃、-CF₂ Cl、-CFCl₂、-OCF₃、-OCHF₂、-OCH₂Fによって置換され、ここで１個または数個のCH₂基はお互いに独立していて、-S-、-O-、シクロブタン、〔1.1.1〕ビシクロペンタン、シクロプロパン、オキシラン、チイラン、-CO-、-COO-、-OCO- 、-OCOO-、-OOCO-によって置換することができ、環Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４＝独立して置換されたまたは置換されていない1, 4−フェニレン環、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、 X₁、X₂＝独立してＳ、Ｃ（R₇、R₈）、 R₇、R₈＝Ｈ、Ｆ、Cl、R₅、R₆、但し、基R₁、R₂、R₃、R₄のうちの少なくとも１つは、R₆と同じであり、そして基R₁、R₂、R₃、R₄のうちの２個以下はR₅と同じである）のアゾフアン誘導体。２．スペーサにより一定の距離で互いに平行に保持された２枚のガラス板、石英板またはプラスチック板よりなり、２枚の板の間隙は液晶混合物で充填されており、請求項１によるアゾフアン誘導体でドープされたカラミチックネマチック液晶の使用によって特徴づけられた液晶光学記憶デバイス。３．スペーサにより一定の距離で互いに平行に保持された２枚のガラス板、石英板またはプラスチック板よりなり、２枚の板の間隙は液晶混合物で充填されており、請求項１によるアゾフアン誘導体でドープされたディスコチックネマチック液晶の使用によって特徴づけられた液晶光学記憶デバイス。４．請求項１によるアゾフアン誘導体（１）およびアキラルな液晶を含有し、光学記憶デバイスに有用な液晶混合物。