JP2001322831A - オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板 - Google Patents
オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｐｂ成分を使用せずに、オーバーコートガラ
スの焼成温度、熱膨張係数等の特性を適正に調整する。 【解決手段】 セラミック基板１１の表面に、電極パタ
ーン１３に跨がって厚膜抵抗体１２を印刷・焼成する。
この厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3
−Ｋ2 Ｏガラスを含む。この厚膜抵抗体１２と電極パタ
ーン１３の表面には、オーバーコートガラス１４を印刷
・焼成し、厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面を
オーバーコートガラス１４で覆う。このオーバーコート
ガラス１４は、厚膜抵抗体１２中のガラスとほぼ同じ組
成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2Ｏガラスから成り、Ｓｉ
Ｏ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、６０ｗｔ％≦
ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗ
ｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％である。
スの焼成温度、熱膨張係数等の特性を適正に調整する。 【解決手段】 セラミック基板１１の表面に、電極パタ
ーン１３に跨がって厚膜抵抗体１２を印刷・焼成する。
この厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3
−Ｋ2 Ｏガラスを含む。この厚膜抵抗体１２と電極パタ
ーン１３の表面には、オーバーコートガラス１４を印刷
・焼成し、厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面を
オーバーコートガラス１４で覆う。このオーバーコート
ガラス１４は、厚膜抵抗体１２中のガラスとほぼ同じ組
成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2Ｏガラスから成り、Ｓｉ
Ｏ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、６０ｗｔ％≦
ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗ
ｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板上
に形成された厚膜抵抗体及び／又は厚膜導体の表面を覆
うオーバーコートガラスの特性を改善したオーバーコー
トガラス及び厚膜印刷基板に関するものである。
に形成された厚膜抵抗体及び／又は厚膜導体の表面を覆
うオーバーコートガラスの特性を改善したオーバーコー
トガラス及び厚膜印刷基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック基板上に形成され
た厚膜抵抗体や厚膜導体の表面に、ガラスペーストを印
刷・焼成してオーバーコートガラスの膜を形成し、この
オーバーコートガラスで厚膜抵抗体や厚膜導体の表面を
覆うことで、厚膜抵抗体や厚膜導体の表面を絶縁保護し
て、これらの電気的特性を安定させることが行われてい
る。
た厚膜抵抗体や厚膜導体の表面に、ガラスペーストを印
刷・焼成してオーバーコートガラスの膜を形成し、この
オーバーコートガラスで厚膜抵抗体や厚膜導体の表面を
覆うことで、厚膜抵抗体や厚膜導体の表面を絶縁保護し
て、これらの電気的特性を安定させることが行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のオーバーコート
ガラスは、焼成温度や熱膨張係数等の特性を調整するた
めに、ＰｂＯを含ませるようにしているが、環境問題か
らＰｂ（鉛）の使用は好ましくない。この観点から、最
近では、Ｐｂ成分を含まないガラスをオーバーコートガ
ラスとして使用したものがあるが、従来のＰｂフリーの
ガラスは、熱膨張係数が大きいため、低熱膨張係数のセ
ラミック基板に使用すると、オーバーコートガラスの熱
膨張係数がセラミック基板のそれよりも大きくなってし
まい、セラミック基板からオーバーコートガラスに引張
力が加わるようになる。
ガラスは、焼成温度や熱膨張係数等の特性を調整するた
めに、ＰｂＯを含ませるようにしているが、環境問題か
らＰｂ（鉛）の使用は好ましくない。この観点から、最
近では、Ｐｂ成分を含まないガラスをオーバーコートガ
ラスとして使用したものがあるが、従来のＰｂフリーの
ガラスは、熱膨張係数が大きいため、低熱膨張係数のセ
ラミック基板に使用すると、オーバーコートガラスの熱
膨張係数がセラミック基板のそれよりも大きくなってし
まい、セラミック基板からオーバーコートガラスに引張
力が加わるようになる。
【０００４】オーバーコートガラスの重要な役割は、レ
ーザートリミング時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラ
ックの進行を抑えて抵抗値の経時変化（ドリフト）を少
なくすることであるが、この役割を十分に果たすには、
オーバーコートガラスから厚膜抵抗体に圧縮力を作用さ
せる必要がある。しかし、従来のＰｂフリーのオーバー
コートガラスは、前述したように、セラミック基板から
オーバーコートガラスに引張力が加わるため、オーバー
コートガラスから厚膜抵抗体に作用する圧縮力が低下し
てしまい、レーザートリミング後のマイクロクラックの
進行を抑える効果が低下して、抵抗値の経時変化が大き
くなるという欠点があった。
ーザートリミング時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラ
ックの進行を抑えて抵抗値の経時変化（ドリフト）を少
なくすることであるが、この役割を十分に果たすには、
オーバーコートガラスから厚膜抵抗体に圧縮力を作用さ
せる必要がある。しかし、従来のＰｂフリーのオーバー
コートガラスは、前述したように、セラミック基板から
オーバーコートガラスに引張力が加わるため、オーバー
コートガラスから厚膜抵抗体に作用する圧縮力が低下し
てしまい、レーザートリミング後のマイクロクラックの
進行を抑える効果が低下して、抵抗値の経時変化が大き
くなるという欠点があった。
【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、Ｐｂ成分を使用せず
に、オーバーコートガラスの焼成温度や熱膨張係数等の
特性を適正に調整できるＰｂフリーのオーバーコートガ
ラス及び厚膜印刷基板を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、Ｐｂ成分を使用せず
に、オーバーコートガラスの焼成温度や熱膨張係数等の
特性を適正に調整できるＰｂフリーのオーバーコートガ
ラス及び厚膜印刷基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明で用いるオーバーコートガラスはＳｉＯ2−
Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスと不純物から成り、ＳｉＯ2 −
Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は次の通りである。 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％ １ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％
に、本発明で用いるオーバーコートガラスはＳｉＯ2−
Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスと不純物から成り、ＳｉＯ2 −
Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は次の通りである。 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％ １ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％
【０００７】オーバーコートガラスは、厚膜抵抗体と同
時に焼成しても良いが、厚膜抵抗体の焼成後にオーバー
コートガラスの印刷・焼成を行う場合もあるため、オー
バーコートガラスの焼成温度は、厚膜抵抗体の焼成温度
（例えば８５０℃前後）とほぼ同じ温度か又はそれより
も低い温度に設定することが好ましい。オーバーコート
ガラスを８５０℃よりも低い温度（例えば６００〜７０
０℃）で焼成するには、オーバーコートガラスの転移点
が５５０℃以下であることが望ましい。
時に焼成しても良いが、厚膜抵抗体の焼成後にオーバー
コートガラスの印刷・焼成を行う場合もあるため、オー
バーコートガラスの焼成温度は、厚膜抵抗体の焼成温度
（例えば８５０℃前後）とほぼ同じ温度か又はそれより
も低い温度に設定することが好ましい。オーバーコート
ガラスを８５０℃よりも低い温度（例えば６００〜７０
０℃）で焼成するには、オーバーコートガラスの転移点
が５５０℃以下であることが望ましい。
【０００８】本発明のオーバーコートガラスとして用い
るＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスは、上記の組成と
することで、ガラス転移点が５５０℃以下となり、厚膜
抵抗体や厚膜導体の焼成温度よりも低い温度で焼成する
ことができる。この場合、オーバーコートガラス中のＫ
2 Ｏがガラス転移点を下げる役割を果たすため、Ｋ2 Ｏ
が１ｗｔ％よりも少ないと、ガラス転移点が５５０℃よ
りも高くなってしまい、オーバーコートガラスの焼成温
度の低温化が困難となる。
るＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスは、上記の組成と
することで、ガラス転移点が５５０℃以下となり、厚膜
抵抗体や厚膜導体の焼成温度よりも低い温度で焼成する
ことができる。この場合、オーバーコートガラス中のＫ
2 Ｏがガラス転移点を下げる役割を果たすため、Ｋ2 Ｏ
が１ｗｔ％よりも少ないと、ガラス転移点が５５０℃よ
りも高くなってしまい、オーバーコートガラスの焼成温
度の低温化が困難となる。
【０００９】但し、オーバーコートガラス中のＫ2 Ｏが
多くなりすぎると、オーバーコートガラスの熱膨張係数
（ＴＥＣ：coefficient of thermal expansion）が大き
くなるため、Ｋ2 Ｏの配合量を不必要に多くすることは
好ましくない。本発明のように、オーバーコートガラス
中のＫ2 Ｏの配合量が１０ｗｔ％以下であれば、オーバ
ーコートガラスの熱膨張係数が６．０×１０-6／℃以下
となる。従って、このオーバーコートガラスを低熱膨張
係数（４〜６×１０-6／℃）のセラミック基板に用いた
場合、オーバーコートガラスの熱膨張係数がセラミック
基板の熱膨張係数よりも小さくなるか、或は、オーバー
コートガラスの熱膨張係数がセラミック基板の熱膨張係
数よりも大きくなる場合でも、両者の熱膨張係数の差が
従来よりもかなり小さくなる。従って、本発明のオーバ
ーコートガラスを低熱膨張係数のセラミック基板に用い
ても、セラミック基板からオーバーコートガラスに圧縮
力が加わるか、又は僅かな引張力が加わるだけであり、
大きな引張力は加わらない。これにより、オーバーコー
トガラスがレーザートリミング後の厚膜抵抗体のマイク
ロクラックの進行を抑える役割を十分に果たし、レーザ
ートリミング後の厚膜抵抗体の抵抗値の変化を小さくす
ることができて、厚膜抵抗体の抵抗安定性を向上するこ
とができる。
多くなりすぎると、オーバーコートガラスの熱膨張係数
（ＴＥＣ：coefficient of thermal expansion）が大き
くなるため、Ｋ2 Ｏの配合量を不必要に多くすることは
好ましくない。本発明のように、オーバーコートガラス
中のＫ2 Ｏの配合量が１０ｗｔ％以下であれば、オーバ
ーコートガラスの熱膨張係数が６．０×１０-6／℃以下
となる。従って、このオーバーコートガラスを低熱膨張
係数（４〜６×１０-6／℃）のセラミック基板に用いた
場合、オーバーコートガラスの熱膨張係数がセラミック
基板の熱膨張係数よりも小さくなるか、或は、オーバー
コートガラスの熱膨張係数がセラミック基板の熱膨張係
数よりも大きくなる場合でも、両者の熱膨張係数の差が
従来よりもかなり小さくなる。従って、本発明のオーバ
ーコートガラスを低熱膨張係数のセラミック基板に用い
ても、セラミック基板からオーバーコートガラスに圧縮
力が加わるか、又は僅かな引張力が加わるだけであり、
大きな引張力は加わらない。これにより、オーバーコー
トガラスがレーザートリミング後の厚膜抵抗体のマイク
ロクラックの進行を抑える役割を十分に果たし、レーザ
ートリミング後の厚膜抵抗体の抵抗値の変化を小さくす
ることができて、厚膜抵抗体の抵抗安定性を向上するこ
とができる。
【００１０】本発明は、厚膜抵抗体や厚膜導体の種類を
問わず適用できるが、次の組成の厚膜抵抗体を用いる
と、一層大きな効果が得られる。つまり、ＲｕＯ2 とＳ
ｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを含む厚膜抵抗体を
用い、この厚膜抵抗体中のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏ
ガラスの組成を次のように設定すると良い。 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ％ ０．１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％ 不純物≦３ｗｔ％
問わず適用できるが、次の組成の厚膜抵抗体を用いる
と、一層大きな効果が得られる。つまり、ＲｕＯ2 とＳ
ｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを含む厚膜抵抗体を
用い、この厚膜抵抗体中のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏ
ガラスの組成を次のように設定すると良い。 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ％ ０．１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％ 不純物≦３ｗｔ％
【００１１】このように、本発明のオーバーコートガラ
スとほぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス
を含む厚膜抵抗体を用いれば、オーバーコートガラスと
厚膜抵抗体との密着性が良くなり、オーバーコートガラ
スによる保護効果が上がる。しかも、厚膜抵抗体に含ま
せるガラスとして、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス
を用いることで、Ｐｂ成分を使用せずに、厚膜抵抗体の
焼成温度の低温化や低熱膨張化が可能となり、品質の良
いＰｂフリーの厚膜抵抗体を形成することができる。
スとほぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス
を含む厚膜抵抗体を用いれば、オーバーコートガラスと
厚膜抵抗体との密着性が良くなり、オーバーコートガラ
スによる保護効果が上がる。しかも、厚膜抵抗体に含ま
せるガラスとして、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス
を用いることで、Ｐｂ成分を使用せずに、厚膜抵抗体の
焼成温度の低温化や低熱膨張化が可能となり、品質の良
いＰｂフリーの厚膜抵抗体を形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を説明
する。まず、図１に基づいて厚膜印刷基板の構造を説明
する。セラミック基板１１は、８００℃〜１０００℃で
焼成する低温焼成セラミック基板、又は、１６００℃前
後で焼成するアルミナ基板、ＡｌＮ基板等、いずれのセ
ラミック基板であっても良く、また、多層基板、単層基
板のいずれであっても良い。
する。まず、図１に基づいて厚膜印刷基板の構造を説明
する。セラミック基板１１は、８００℃〜１０００℃で
焼成する低温焼成セラミック基板、又は、１６００℃前
後で焼成するアルミナ基板、ＡｌＮ基板等、いずれのセ
ラミック基板であっても良く、また、多層基板、単層基
板のいずれであっても良い。
【００１３】尚、低温焼成セラミック基板を用いる場合
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
粉末：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）とＡ
ｌ2Ｏ3 粉末：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量
％）とを混合して作った低温焼成セラミックで形成した
基板を用いたり、或はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
Ｂ2 Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末との混合物、
又は、ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3
粉末との混合物等、８００〜１０００℃で焼成できる低
温焼成セラミックで形成した基板を用いれば良い。
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
粉末：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）とＡ
ｌ2Ｏ3 粉末：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量
％）とを混合して作った低温焼成セラミックで形成した
基板を用いたり、或はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
Ｂ2 Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末との混合物、
又は、ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3
粉末との混合物等、８００〜１０００℃で焼成できる低
温焼成セラミックで形成した基板を用いれば良い。
【００１４】このセラミック基板１１の表面には、厚膜
抵抗体１２を接続するための電極パターン１３や配線パ
ターン等の厚膜導体が印刷・焼成されている。電極パタ
ーン１３等の厚膜導体は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐ
ｔ等のＡｇ系導体、Ａｕ系導体、Ｃｕ系導体等の低融点
金属のペーストを印刷・焼成したものである。この厚膜
導体は、セラミック基板１１の焼成後に後付けで印刷・
焼成しても良いが、セラミック基板１１が低温焼成セラ
ミック基板である場合は、セラミック基板１１と厚膜導
体とを同時焼成しても良い。
抵抗体１２を接続するための電極パターン１３や配線パ
ターン等の厚膜導体が印刷・焼成されている。電極パタ
ーン１３等の厚膜導体は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐ
ｔ等のＡｇ系導体、Ａｕ系導体、Ｃｕ系導体等の低融点
金属のペーストを印刷・焼成したものである。この厚膜
導体は、セラミック基板１１の焼成後に後付けで印刷・
焼成しても良いが、セラミック基板１１が低温焼成セラ
ミック基板である場合は、セラミック基板１１と厚膜導
体とを同時焼成しても良い。
【００１５】更に、セラミック基板１１の表面には、電
極パターン１３に跨がって厚膜抵抗体１２が印刷・焼成
されている。この厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを主成分とし、ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、６０ｗｔ％≦Ｓｉ
Ｏ2 ≦８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ
％、０．１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％、不純物≦３ｗ
ｔ％となっている。この厚膜抵抗体１２は、電極パター
ン１３等の厚膜導体の印刷・焼成後に印刷・焼成した
り、或は、厚膜導体と同時焼成しても良い。
極パターン１３に跨がって厚膜抵抗体１２が印刷・焼成
されている。この厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを主成分とし、ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、６０ｗｔ％≦Ｓｉ
Ｏ2 ≦８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ
％、０．１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％、不純物≦３ｗ
ｔ％となっている。この厚膜抵抗体１２は、電極パター
ン１３等の厚膜導体の印刷・焼成後に印刷・焼成した
り、或は、厚膜導体と同時焼成しても良い。
【００１６】この厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の
表面には、オーバーコートガラス１４が印刷・焼成さ
れ、厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面全体がオ
ーバーコートガラス１４で覆われている。このオーバー
コートガラス１４は、ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
スと不純物から成り、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
スの組成は、６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１５
ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１
０ｗｔ％となっている。このオーバーコートガラス１４
は、厚膜抵抗体１２と同時焼成したり、或は、厚膜抵抗
体１２の印刷・焼成後にオーバーコートガラス１４の印
刷・焼成を行うようにしても良い。
表面には、オーバーコートガラス１４が印刷・焼成さ
れ、厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面全体がオ
ーバーコートガラス１４で覆われている。このオーバー
コートガラス１４は、ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
スと不純物から成り、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
スの組成は、６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１５
ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１
０ｗｔ％となっている。このオーバーコートガラス１４
は、厚膜抵抗体１２と同時焼成したり、或は、厚膜抵抗
体１２の印刷・焼成後にオーバーコートガラス１４の印
刷・焼成を行うようにしても良い。
【００１７】
【実施例】本発明者らは、次の表１の＃１〜＃８に示す
８種類の組成のオーバーコートガラスを用いて、図１に
示す構造の厚膜印刷基板を作製し、厚膜抵抗体１２の抵
抗安定性等を評価する試験を行った。
８種類の組成のオーバーコートガラスを用いて、図１に
示す構造の厚膜印刷基板を作製し、厚膜抵抗体１２の抵
抗安定性等を評価する試験を行った。
【００１８】
【表１】
【００１９】この評価試験に用いたセラミック基板１１
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
（６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 粉末（４０重量％）とから
なる低温焼成セラミック基板（熱膨張係数：５．０×１
０-6／℃）を用いた。そして、焼成後の低温焼成セラミ
ック基板１１上に、Ａｇペーストで電極パターン１３等
の厚膜導体をスクリーン印刷し、乾燥させた後、該低温
焼成セラミック基板１１上に、電極パターン１３に跨が
って厚膜抵抗体１２をスクリーン印刷して乾燥させた。
この際、厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを主成分とする厚膜抵抗体を用い
た。この厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面に、
表１の組成のオーバーコートガラス１４をスクリーン印
刷し、これらを８５０℃で同時焼成して図１に示す構造
の厚膜印刷基板を作製した。
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
（６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 粉末（４０重量％）とから
なる低温焼成セラミック基板（熱膨張係数：５．０×１
０-6／℃）を用いた。そして、焼成後の低温焼成セラミ
ック基板１１上に、Ａｇペーストで電極パターン１３等
の厚膜導体をスクリーン印刷し、乾燥させた後、該低温
焼成セラミック基板１１上に、電極パターン１３に跨が
って厚膜抵抗体１２をスクリーン印刷して乾燥させた。
この際、厚膜抵抗体１２は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを主成分とする厚膜抵抗体を用い
た。この厚膜抵抗体１２と電極パターン１３の表面に、
表１の組成のオーバーコートガラス１４をスクリーン印
刷し、これらを８５０℃で同時焼成して図１に示す構造
の厚膜印刷基板を作製した。
【００２０】表１の＃１〜＃８のオーバーコートガラス
（ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス）の組成は、６
９．６ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８１．９ｗｔ％、１５．０ｗ
ｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦２７．３ｗｔ％、１．８ｗｔ％≦Ｋ2
Ｏ≦１０．０ｗｔ％、０．９ｗｔ％≦不純物≦１．５ｗ
ｔ％である。また、熱膨張係数は、２．８〜５．５×１
０-6／℃である。
（ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラス）の組成は、６
９．６ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８１．９ｗｔ％、１５．０ｗ
ｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦２７．３ｗｔ％、１．８ｗｔ％≦Ｋ2
Ｏ≦１０．０ｗｔ％、０．９ｗｔ％≦不純物≦１．５ｗ
ｔ％である。また、熱膨張係数は、２．８〜５．５×１
０-6／℃である。
【００２１】以上のようにして、表１の＃１〜＃８のオ
ーバーコートガラスを用いて作製した７種類のサンプル
基板について、それぞれマイグレーションテストと厚膜
抵抗体の安定性を評価する試験を行ったところ、次の表
２に示す結果が得られた。
ーバーコートガラスを用いて作製した７種類のサンプル
基板について、それぞれマイグレーションテストと厚膜
抵抗体の安定性を評価する試験を行ったところ、次の表
２に示す結果が得られた。
【００２２】
【表２】
【００２３】この表２中のマイグレーションテストは、
各サンプル基板上に形成したＡｇ導体配線のマイグレー
ションをオーバーコートガラス１４で抑制する効果を評
価する試験である。このマイグレーションテストでは、
オーバーコートガラス１４で覆われた０．１５ｍｍの間
隔のＡｇ導体配線間に５Ｖの電圧を印加しながら、雰囲
気温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下で５００時間放
置した後、Ａｇ導体配線間の絶縁抵抗を測定し、この絶
縁抵抗の測定値が１０12Ωよりも大きいか否かで、Ａｇ
導体配線の耐マイグレーション性を評価した。その結
果、＃１〜＃８の全てのサンプルで、Ａｇ導体配線間の
絶縁抵抗の測定値が１０12Ωよりも大きくなり、Ａｇ導
体配線の耐マイグレーション性が優れていることが確認
された。
各サンプル基板上に形成したＡｇ導体配線のマイグレー
ションをオーバーコートガラス１４で抑制する効果を評
価する試験である。このマイグレーションテストでは、
オーバーコートガラス１４で覆われた０．１５ｍｍの間
隔のＡｇ導体配線間に５Ｖの電圧を印加しながら、雰囲
気温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下で５００時間放
置した後、Ａｇ導体配線間の絶縁抵抗を測定し、この絶
縁抵抗の測定値が１０12Ωよりも大きいか否かで、Ａｇ
導体配線の耐マイグレーション性を評価した。その結
果、＃１〜＃８の全てのサンプルで、Ａｇ導体配線間の
絶縁抵抗の測定値が１０12Ωよりも大きくなり、Ａｇ導
体配線の耐マイグレーション性が優れていることが確認
された。
【００２４】また、厚膜抵抗体の抵抗安定性評価では、
各サンプル基板上に１．０×１．０ｍｍの四角形に形成
された厚膜抵抗体１２をレーザートリミングした後、−
５５℃〜１５０℃の温度サイクルを５００回繰り返し
て、厚膜抵抗体１２の抵抗変化率を測定した。その結
果、＃１〜＃８の全てのサンプルで、厚膜抵抗体１２の
抵抗変化率が＋０．２％〜＋０．３％となり、厚膜抵抗
体１２の抵抗安定性が優れていることが確認された。
各サンプル基板上に１．０×１．０ｍｍの四角形に形成
された厚膜抵抗体１２をレーザートリミングした後、−
５５℃〜１５０℃の温度サイクルを５００回繰り返し
て、厚膜抵抗体１２の抵抗変化率を測定した。その結
果、＃１〜＃８の全てのサンプルで、厚膜抵抗体１２の
抵抗変化率が＋０．２％〜＋０．３％となり、厚膜抵抗
体１２の抵抗安定性が優れていることが確認された。
【００２５】本発明者らの試験結果によれば、オーバー
コートガラス１４（ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
ス）の組成は、６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１
５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦
１０ｗｔ％の範囲内であれば、耐マイグレーション性、
抵抗安定性、熱膨張係数の全ての評価項目が要求値を満
たし、品質の良いＰｂフリーのオーバーコートガラスが
得られた。この範囲外の組成では、ガラス転移点が高く
なり、８５０℃で焼成することが困難であるか、又は、
熱膨張係数が６．０×１０-6／℃以上となり、セラミッ
ク基板の熱膨張係数よりも大きくなってしまい、セラミ
ック基板からオーバーコートガラスに引張力が加わっ
て、レーザートリミング後の厚膜抵抗体のマイクロクラ
ックの進行を抑える効果が低下してしまい、抵抗安定性
が悪化した。
コートガラス１４（ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラ
ス）の組成は、６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％、１
５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦
１０ｗｔ％の範囲内であれば、耐マイグレーション性、
抵抗安定性、熱膨張係数の全ての評価項目が要求値を満
たし、品質の良いＰｂフリーのオーバーコートガラスが
得られた。この範囲外の組成では、ガラス転移点が高く
なり、８５０℃で焼成することが困難であるか、又は、
熱膨張係数が６．０×１０-6／℃以上となり、セラミッ
ク基板の熱膨張係数よりも大きくなってしまい、セラミ
ック基板からオーバーコートガラスに引張力が加わっ
て、レーザートリミング後の厚膜抵抗体のマイクロクラ
ックの進行を抑える効果が低下してしまい、抵抗安定性
が悪化した。
【００２６】本発明は、厚膜抵抗体や厚膜導体の種類を
問わず適用できるが、本実施形態のように、ＲｕＯ2 系
の厚膜抵抗体１２に含ませるガラスとして、オーバーコ
ートガラス１４とほぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −
Ｋ2 Ｏガラスを用いれば、オーバーコートガラス１４と
厚膜抵抗体１２との密着性が良くなり、オーバーコート
ガラス１４による保護効果が上がる。しかも、厚膜抵抗
体１２中のガラスとして、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏ
ガラスを用いれば、Ｐｂ成分を使用せずに、厚膜抵抗体
１２の焼成温度の低温化や低熱膨張化が可能となり、品
質の良いＰｂフリーの厚膜抵抗体１２を形成することが
できる。
問わず適用できるが、本実施形態のように、ＲｕＯ2 系
の厚膜抵抗体１２に含ませるガラスとして、オーバーコ
ートガラス１４とほぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −
Ｋ2 Ｏガラスを用いれば、オーバーコートガラス１４と
厚膜抵抗体１２との密着性が良くなり、オーバーコート
ガラス１４による保護効果が上がる。しかも、厚膜抵抗
体１２中のガラスとして、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏ
ガラスを用いれば、Ｐｂ成分を使用せずに、厚膜抵抗体
１２の焼成温度の低温化や低熱膨張化が可能となり、品
質の良いＰｂフリーの厚膜抵抗体１２を形成することが
できる。
【００２７】尚、厚膜抵抗体１２に含ませるＲｕＯ
2 は、比表面積が３０〜８０ｍ2 ／ｇのものを使用する
と良い。つまり、ＲｕＯ2 は、比表面積が小さくなるほ
ど、電荷が集中しやすくなり、ＥＳＤ（electro static
discharge）特性が低下する傾向がある。本発明者の試
験結果によれば、ＲｕＯ2 の比表面積が３０ｍ2 ／ｇ以
上であれば、好ましいＥＳＤ特性を確保することができ
る。しかし、ＲｕＯ2 の比表面積が８０ｍ2 ／ｇを越え
ると、ＲｕＯ2 の酸化触媒作用が強くなって、有機物を
自然発火させるおそれがあるため、ＲｕＯ2 の比表面積
は８０ｍ2 ／ｇ以下であることが好ましい。
2 は、比表面積が３０〜８０ｍ2 ／ｇのものを使用する
と良い。つまり、ＲｕＯ2 は、比表面積が小さくなるほ
ど、電荷が集中しやすくなり、ＥＳＤ（electro static
discharge）特性が低下する傾向がある。本発明者の試
験結果によれば、ＲｕＯ2 の比表面積が３０ｍ2 ／ｇ以
上であれば、好ましいＥＳＤ特性を確保することができ
る。しかし、ＲｕＯ2 の比表面積が８０ｍ2 ／ｇを越え
ると、ＲｕＯ2 の酸化触媒作用が強くなって、有機物を
自然発火させるおそれがあるため、ＲｕＯ2 の比表面積
は８０ｍ2 ／ｇ以下であることが好ましい。
【００２８】また、ＲｕＯ2 の表面に、ＲｕＯ2 ：１０
０ｗｔ％に対して、０．８〜４ｗｔ％のＫ2 Ｏを付着さ
せても良い。ＲｕＯ2 の表面のＫ2 ＯはＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3−Ｋ2 ＯガラスとＲｕＯ2 との濡れ性を向上させ、
ガラスを介して得られる導通を安定させて、焼成温度の
変化による抵抗値変化（焼成温度依存性）を小さくする
役割を果たすと共に、電荷の集中を防止して、ＥＳＤ特
性を向上させる役割も果たす。
０ｗｔ％に対して、０．８〜４ｗｔ％のＫ2 Ｏを付着さ
せても良い。ＲｕＯ2 の表面のＫ2 ＯはＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3−Ｋ2 ＯガラスとＲｕＯ2 との濡れ性を向上させ、
ガラスを介して得られる導通を安定させて、焼成温度の
変化による抵抗値変化（焼成温度依存性）を小さくする
役割を果たすと共に、電荷の集中を防止して、ＥＳＤ特
性を向上させる役割も果たす。
【００２９】更に、この厚膜抵抗体には、遷移金属の酸
化物とＢ2 Ｏ3 とを含有する添加ガラスを厚膜抵抗体に
添加するようにしても良い。この添加ガラス中の遷移金
属を含む硼酸塩は、電子伝導による導電性があり、半導
体的性質を示す。従って、この添加ガラスは、サージ電
圧が印加されたときに、電荷が局部的に集中するのを防
ぎ、厚膜抵抗体のガラスの破壊を防止する役割を果た
す。この特性から、シート抵抗値が大きい場合には、添
加ガラスの添加効果が大きくなる。但し、この添加ガラ
スは半導体的性質を示すため、抵抗温度係数がマイナス
にシフトする。従って、抵抗温度係数とＥＳＤ特性の両
方を満足させるには、例えば１００ｋΩ／□の厚膜抵抗
体の場合、添加ガラスの添加量を３〜１５ｗｔ％にする
ことが好ましい。
化物とＢ2 Ｏ3 とを含有する添加ガラスを厚膜抵抗体に
添加するようにしても良い。この添加ガラス中の遷移金
属を含む硼酸塩は、電子伝導による導電性があり、半導
体的性質を示す。従って、この添加ガラスは、サージ電
圧が印加されたときに、電荷が局部的に集中するのを防
ぎ、厚膜抵抗体のガラスの破壊を防止する役割を果た
す。この特性から、シート抵抗値が大きい場合には、添
加ガラスの添加効果が大きくなる。但し、この添加ガラ
スは半導体的性質を示すため、抵抗温度係数がマイナス
にシフトする。従って、抵抗温度係数とＥＳＤ特性の両
方を満足させるには、例えば１００ｋΩ／□の厚膜抵抗
体の場合、添加ガラスの添加量を３〜１５ｗｔ％にする
ことが好ましい。
【００３０】更に、この厚膜抵抗体には、５ｗｔ％以下
の遷移金属酸化物を添加しても良い。厚膜抵抗体への遷
移金属酸化物の添加量が５ｗｔ％以下であれば、遷移金
属酸化物の添加量を調整することで、厚膜抵抗体の抵抗
温度係数を任意に調整することができる。
の遷移金属酸化物を添加しても良い。厚膜抵抗体への遷
移金属酸化物の添加量が５ｗｔ％以下であれば、遷移金
属酸化物の添加量を調整することで、厚膜抵抗体の抵抗
温度係数を任意に調整することができる。
【００３１】また、この厚膜抵抗体中のＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスに、ＺｒＯ2 粒子を１〜２０ｗｔ％
添加しても良い。このＺｒＯ2 粒子は、ガラスよりも熱
伝導率が大きく、しかも、厚膜抵抗体の焼成温度（９０
０℃以下）ではＺｒＯ2 粒子とＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ
2 Ｏガラスとが反応しないため、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−
Ｋ2 Ｏガラスに適量のＺｒＯ2 粒子を添加すれば、厚膜
抵抗体の電気的特性を劣化させることなく、厚膜抵抗体
の熱伝導率を大きくして放熱性を高めることができ、耐
電力性を向上させることが可能となる。
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスに、ＺｒＯ2 粒子を１〜２０ｗｔ％
添加しても良い。このＺｒＯ2 粒子は、ガラスよりも熱
伝導率が大きく、しかも、厚膜抵抗体の焼成温度（９０
０℃以下）ではＺｒＯ2 粒子とＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ
2 Ｏガラスとが反応しないため、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−
Ｋ2 Ｏガラスに適量のＺｒＯ2 粒子を添加すれば、厚膜
抵抗体の電気的特性を劣化させることなく、厚膜抵抗体
の熱伝導率を大きくして放熱性を高めることができ、耐
電力性を向上させることが可能となる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、オーバーコートガラスとしてＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスを用いると共に、このＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3−Ｋ2 Ｏガラスの組成を６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦
８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗ
ｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％の範囲に設定したので、Ｐｂ
成分を使用せずに、オーバーコートガラスの焼成温度、
熱膨張係数、耐マイグレーション性、厚膜抵抗体の抵抗
安定性の全ての評価項目の要求値を満足することがで
き、品質の良いＰｂフリーのオーバーコートガラスを製
造できる。
によれば、オーバーコートガラスとしてＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスを用いると共に、このＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3−Ｋ2 Ｏガラスの組成を６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦
８５ｗｔ％、１５ｗｔ％≦Ｂ2Ｏ3 ≦３０ｗｔ％、１ｗ
ｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％の範囲に設定したので、Ｐｂ
成分を使用せずに、オーバーコートガラスの焼成温度、
熱膨張係数、耐マイグレーション性、厚膜抵抗体の抵抗
安定性の全ての評価項目の要求値を満足することがで
き、品質の良いＰｂフリーのオーバーコートガラスを製
造できる。
【００３３】更に、本発明のオーバーコートガラスとほ
ぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスを含む
厚膜抵抗体を用いれば、上記の効果を更に大きくするこ
とができる。
ぼ同じ組成のＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスを含む
厚膜抵抗体を用いれば、上記の効果を更に大きくするこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す厚膜印刷基板の主要
部の縦断面図
部の縦断面図
１１…セラミック基板、１２…厚膜抵抗体、１３…電極
パターン（厚膜導体） 、１４…オーバーコートガラス。
パターン（厚膜導体） 、１４…オーバーコートガラス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA08 BB05 DA06 DA07 DB01 DC04 DC05 DD01 DE01 DF01 EA01 EB01 EC02 EC03 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM05 NN26 NN29 5E314 AA03 AA10 DD06 FF02 FF12 FF14 FF24 GG05 GG09 GG11 GG21 GG26
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板上に形成された厚膜抵抗
体及び／又は厚膜導体の表面を覆うオーバーコートガラ
スであって、 ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスと不純物から成り、 前記ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％ １ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％ であることを特徴とするオーバーコートガラス。 - 【請求項２】 セラミック基板上に形成された厚膜抵抗
体及び／又は厚膜導体の表面にオーバーコートガラスの
膜を形成してなる厚膜印刷基板において、 前記オーバーコートガラスは、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ
2 Ｏガラスと不純物から成り、 前記ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスの組成は、 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦３０ｗｔ％ １ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％ であることを特徴とする厚膜印刷基板。 - 【請求項３】 前記オーバーコートガラスの熱膨張係数
は前記セラミック基板の熱膨張係数よりも小さいことを
特徴とする請求項２に記載の厚膜印刷基板。 - 【請求項４】 前記厚膜抵抗体は、ＲｕＯ2 とＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガラスとを含み、 該厚膜抵抗体に含まれるＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｋ2 Ｏガ
ラスの組成は、 ６０ｗｔ％≦ＳｉＯ2 ≦８５ｗｔ％ １５ｗｔ％≦Ｂ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ％ ０．１ｗｔ％≦Ｋ2 Ｏ≦１０ｗｔ％ 不純物≦３ｗｔ％ であり、該厚膜抵抗体上に前記オーバーコートガラスの
膜が形成されていることを特徴とする請求項２又は３に
記載の厚膜印刷基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000144565A JP2001322831A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板 |
| DE60021828T DE60021828D1 (de) | 1999-10-28 | 2000-10-25 | Dickschicht-Widerstand und Keramiksubstrat |
| EP00122380A EP1096512B1 (en) | 1999-10-28 | 2000-10-25 | Thick-film resistor and ceramic circuit board |
| US09/697,150 US6544654B1 (en) | 1999-10-28 | 2000-10-27 | Thick-film resistor and ceramic circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000144565A JP2001322831A (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001322831A true JP2001322831A (ja) | 2001-11-20 |
Family
ID=18651208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000144565A Pending JP2001322831A (ja) | 1999-10-28 | 2000-05-12 | オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001322831A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021367A1 (ja) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| WO2010084813A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| WO2010150830A1 (ja) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| JP2011181910A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法 |
| JP2011192959A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| US9232655B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-01-05 | Nichia Corporation | Wiring substrate and light emitting device |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000144565A patent/JP2001322831A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101235489B1 (ko) | 2008-08-21 | 2013-02-20 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
| JP2012191218A (ja) * | 2008-08-21 | 2012-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載基板 |
| JP5071555B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2012-11-14 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| US8604499B2 (en) | 2008-08-21 | 2013-12-10 | Asahi Glass Company, Limited | Light-emitting device |
| WO2010021367A1 (ja) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| US8491834B2 (en) | 2009-01-20 | 2013-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminate type ceramic electronic component and method for manufacturing same |
| JP5071559B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2012-11-14 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| DE112010000732T5 (de) | 2009-01-20 | 2012-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminattyp-keramik-elektronikkomponente und verfahren zum fertigen derselben |
| WO2010084813A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
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| JP2011192959A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
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| US9232655B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-01-05 | Nichia Corporation | Wiring substrate and light emitting device |
| US10069054B2 (en) | 2013-12-24 | 2018-09-04 | Nichia Corporation | Wiring substrate and light emitting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040623 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061003 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |