JP2001319852A - 乾燥方法及び乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上の塗布液に対する乾燥処理の所要時間
を大幅に短縮してスループットの向上を実現すること。 【解決手段】 先ず被処理基板Ｂは第１のチャンバ１０
に搬入される。基板Ｂが支持台１８に載置されたなら、
第１のチャンバ１０内の排気（真空引き）が開始され
る。こうして、第１のチャンバ１０において基板Ｂが常
圧状態から真空度の比較的低い設定圧力まで徐々に減圧
する空間内に所定時間置かれることで、基板Ｂ上の塗布
液中の溶剤が徐々にかつ穏やかに揮発し、揮発した溶剤
は室外に排出される。第１のチャンバ１０における減圧
乾燥処理が終了すると、搬送装置２４が作動して開状態
の基板搬入出口２８を通って基板Ｂを第１のチャンバ１
０から第２のチャンバ１２に移す。第２のチャンバ１２
内では、第１のチャンバ１２内で減圧乾燥による乾燥処
理を一定の段階まで受けてきた基板Ｂに対して、より高
い真空度の減圧空間にて減圧乾燥の処理が続行されると
同時に加熱も行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板上に塗
布された塗布液を乾燥させる技術に関し、より詳細には
減圧空間で乾燥処理を行う方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の減圧乾燥処理は、たとえば、液
晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や半導体デバイス製造のフォ
トリソグラフィー工程の中で被処理基板（ＬＣＤ基板、
半導体ウエハ）上に塗布したレジスト液を乾燥させるた
めに行われている。通常は、スピンコート法等によりレ
ジスト液が塗布された基板を密閉可能なチャンバに搬入
し、チャンバの室内を常温下で排気ないし真空引きして
減圧状態とし、その減圧空間の中で基板上のレジスト液
を乾燥させるようにしている。他にも、たとえば、半導
体デバイスの多層配線構造における層間絶縁膜をＳＯＧ
（Spin On Glass）塗布法で形成する工程において、基
板上に塗布したＳＯＧ溶液を乾燥させるのに、同様の減
圧乾燥法が使用できる。

【０００３】このような減圧乾燥法によれば、塗布液中
の溶剤が徐々に揮発するので、塗布膜内に歪みやボイド
等が発生し難く、良好な膜質を得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
減圧乾燥法においては、チャンバに基板を搬入してから
所要の圧力の減圧空間を形成するまでに相当の時間（排
気時間）を要するため、乾燥処理の所要時間が長く、ス
ループットを上げるのが難しい。また、減圧乾燥だけで
は、基板と塗布膜との間に十分な密着性を得るのは難し
い。そこで、減圧乾燥処理後に基板を加熱装置（オーブ
ン）に移し、そこで加熱処理（ベーキング）を施して塗
布液の更なる乾燥と基板への密着性を高めている。結
局、基板上に所望の塗布膜を得るためには、減圧乾燥だ
けでは足りず、後工程としてベーキングによる乾燥処理
を要している。

【０００５】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、基板上の塗布液に対する乾燥処理の
所要時間を大幅に短縮してスループットの向上を実現す
る乾燥方法および乾燥装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】本発明の別の目的は、被処理基板上に塗布
された塗布液を短時間で安定かつ良好に乾燥させ、高品
質の塗布膜を形成することができる乾燥方法および乾燥
装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の乾燥方法は、被処理基板上に塗布された
揮発性の溶剤を含む塗布液を乾燥させる乾燥方法であっ
て、第１の減圧空間内に前記基板を置いて、前記塗布液
中の溶剤を所定の量だけ揮発させる第１の工程と、前記
第１の工程の後に、前記第１の減圧空間から実質的に独
立した第２の減圧空間内に前記基板を置きかつ加熱し
て、前記塗布液中の溶剤をさらに所定の量だけ揮発させ
る第２の工程とを有する。

【０００８】本発明においては、最初の第１の工程で、
減圧乾燥のみの乾燥処理を基板に施すことにより、基板
上の塗布液から溶剤を穏やかに揮発させる。したがっ
て、第１の減圧空間の真空度は比較的低くてよく、第１
の工程を常圧から開始してもよい。

【０００９】次の第２の工程では、第１の減圧空間から
実質的に独立し、好ましくは第１の減圧空間よりも圧力
の低い（真空度の高い）第２の減圧空間内で基板上の塗
布液に減圧乾燥を施すと同時に加熱を施すことにより、
塗布液からの溶剤の揮発は一気に本格化し、短時間のう
ちに塗布液が乾燥し、基板に対して密着性のよい塗布膜
が形成される。この際、基板上の塗布液は先の第１の工
程における減圧乾燥で既に一定の段階まで乾燥してお
り、しかもこの第２の工程でも減圧乾燥を引き続き受け
るため、加熱による熱的応力が作用しても、塗布膜内で
歪みやボイドあるいは塗布液の移動等は発生し難く、良
好な膜質が得られる。なお、第２の減圧空間において
は、基板の搬入前から所定の真空度の減圧状態を準備し
ておくことができる。

【００１０】本発明においては、第１および第２の工程
における減圧乾燥処理の連続性または継続性を確保する
うえで、第１の減圧空間と第２の減圧空間との間に常圧
または陽圧空間を介在させないのが好ましい。

【００１１】この減圧空間の連続性の要件を満たすため
の装置構成の一態様は、第１および第２の減圧空間をゲ
ート機構を介して互いに隣接させるとともに、開状態の
上記ゲート機構を通って基板を搬送するための基板搬送
手段を第１または第２の減圧空間内に設ける構成であ
る。かかる構成においては、第１の工程の終了後に、上
記ゲート機構を開状態にして基板を第１の減圧空間から
ゲート機構を通って第２の減圧空間へ移すことが可能で
あり、第１の工程から第２の工程への移行時間を短くす
ることができる。

【００１２】上記減圧空間の連続性の要件を満たすため
の装置構成の別の態様は、第１のゲート機構を介して第
１の減圧空間に隣接するとともに第２のゲート機構を介
して第２の減圧空間に隣接する減圧可能な第３の室を設
け、この第３の室内に開状態の第１のゲート機構を通っ
て第１の減圧空間より基板を搬出し、開状態の第２のゲ
ート機構を通って第２の減圧空間へ基板を搬入する基板
搬送手段を設ける構成である。かかる構成においては、
第１の工程の終了後に第１のゲート機構を開状態にして
基板を第１の減圧空間から第１のゲート機構を通って第
３の減圧空間へ移し、次いで第２のゲート機構を開状態
にして基板を第３の減圧空間から第２のゲート機構を通
って第２の減圧空間へ移すことができる。

【００１３】この態様においては、第３の減圧空間によ
り両処理空間（第１および第２の減圧空間）を常時分離
できるため、両処理空間の間で（通常は第１の減圧空間
から第２の減圧空間への）パーティクルやコンタミネー
ションの流通を確実に防止することができる。また、第
１の工程の開始前に第３の減圧空間を経由して基板を第
１の減圧空間に搬入し、第２の工程の終了後に第２の減
圧空間から第３の減圧空間を介して基板を搬出すること
ができる。

【００１４】なお、本発明において、第１および第２の
減圧空間は、必ずしも同時に存在する必要はなく、一方
の減圧空間が基板に作用している間、他方の減圧空間は
存在していなくてもよい。また、第１および第２の減圧
空間は、必ずしも空間的に分断または遮断されている必
要はなく、したがって必ずしも別々の処理室またはチャ
ンバに形成される必要はない。たとえば、同一のチャン
バ内に場所を変えて第１および第２の減圧空間を形成す
ることも可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。

【００１６】図１に、本発明の一実施形態における乾燥
装置の構成を模式的に示す。この乾燥装置は、密閉可能
つまり減圧可能な２つの処理室またはチャンバ１０，１
２を併設してなる。両チャンバ１０，１２は、側壁１４
とゲートバルブ１６を介して互いに隣接している。

【００１７】第１のチャンバ１０内には、基板支持台ま
たは支持板１８が配設され、この支持台１８の上に被処
理基板（たとえばＬＣＤ基板または半導体ウエハ等）Ｂ
が載置されるようになっている。通常は、支持台１８の
表面または上面に多数の支持ピン２０が離散的に取付さ
れ、これらの支持ピン２０に担持されるようにして基板
Ｂが載置される。支持台１８には、基板Ｂを担持して昇
降移動できる複数本たとえば４本のリフトピン２２も設
けられている。支持台１８の内部または下方に設けられ
た昇降駆動部（図示せず）がこれらのリフトピン２２を
昇降駆動するようになっている。

【００１８】第１のチャンバ１０において、支持台１８
と側璧１４との間に基板搬送装置２４が設置されてい
る。この搬送装置２４の搬送アーム２６は、昇降・回転
・伸縮自在に構成され、基板Ｂの受け渡しのためにチャ
ンバ１０内では支持台１８の上方に設定された基板受け
渡し位置にアクセスできるようになっており、さらにゲ
ートバルブ１６が開状態のときに側璧１４に形成される
基板搬入出口（開口）２８を通って第２のチャンバ１２
内の基板受渡し位置までアクセスできるようになってい
る。

【００１９】第１のチャンバ１０において、第２のチャ
ンバ１２側の側璧１４とは異なる側璧３０に基板搬入口
（開口）３２とこれを開閉するゲートバルブ３４が設け
られている。このゲートバルブ３４が開いた状態で、外
部の基板搬送装置の搬送アーム（図示せず）が基板搬入
口３２を通って基板Ｂを室１０内に搬入するようになっ
ている。

【００２０】第１のチャンバ１０には、たとえば底面
に、第１の真空排気システム（図示せず）に接続または
連通する排気口３６が設けられている。また、室内の気
圧を測定するための圧力センサ３８が設けられており、
このセンサ３８の出力信号（圧力測定信号）Ｓ1はコン
トローラ（図示せず）に送られる。該コントローラの制
御の下で、第１の真空排気システムは、チャンバ１０内
を所定の真空度まで排気して室内に減圧空間を形成す
る。

【００２１】第１のチャンバ１０には、室内に不活性ガ
スを供給するためのガス供給管４０が接続されている。
室１０内を常圧に戻すときは、不活性ガス供給部（図示
せず）からの不活性ガスたとえばＮ2ガスがパージング
ガスとしてガス供給管４０を介して室内に供給されるよ
うになっている。

【００２２】第２のチャンバ１２内には、支持台または
支持部材４２が配設され、この支持台４２の上に熱板４
４が設置されている。熱板４４は、熱伝導度の高い材質
たとえばアルミニウムからなり、発熱体たとえばモリブ
デンまたはタングステン等からなる抵抗発熱体（図示せ
ず）を内蔵しており、支持台４２の内側または下方のユ
ーティリティユニット４６に設けられている電源部（図
示せず）より電力の供給を受けて設定温度で発熱するよ
うになっている。熱板４４の発熱温度をフィードバック
方式で制御するために、熱板４４の温度またはその付近
の温度を検出する温度センサ（図示せず）を設けてよ
い。

【００２３】熱板４４には複数個の貫通孔（図示せず）
が所定の間隔をおいて離散的に形成され、それらの貫通
孔をそれぞれ通ってリフトピン４８が昇降できるように
なっている。リフトピン４８の下端部は、支持台４２の
内側または下方のユーティリティユニット４６内に設け
られている昇降駆動部（図示せず）に結合または連結さ
れ、かつ支持されている。該昇降駆動部の昇降駆動およ
び支持により、リフトピン４８はピン上に基板Ｂをほぼ
水平に担持した状態で熱板４４の上方に設定された所定
の上限および下限位置（範囲）内で任意の高さ位置に昇
降移動でき、かつ任意の高さ位置で静止できるようにな
っている。

【００２４】このように、第２のチャンバ１２では、一
定温度で発熱する熱板４４の真上で基板Ｂの高さ位置、
つまり熱板４４と基板Ｂとの間隔ｈをリフトピン４８お
よび昇降駆動部により可変制御することで、基板Ｂに対
する加熱温度を可変制御できるようになっている。

【００２５】第２のチャンバ１２において、第１のチャ
ンバ１０側の側璧１４とは異なる側璧５０に基板搬出口
（開口）５２とこれを開閉するゲートバルブ５４が設け
られている。このゲートバルブ５４が開いた状態で、外
部の搬送装置の搬送アーム（図示せず）が基板搬出口５
２を通って基板Ｂをチャンバ１２から搬出するようにな
っている。

【００２６】第２のチャンバ１２にも、たとえば底面
に、第２の真空排気システム（図示せず）に接続または
連通する排気口５６が設けられている。室内の気圧を測
定するための圧力センサ５８も設けられており、そのセ
ンサ出力（圧力測定信号）Ｓ2は上記コントローラに送
られる。このコントローラの制御の下で、第２の真空排
気システムは、第２のチャンバ１２内を所定の真空度ま
で排気して室内に減圧空間を形成する。

【００２７】通常、最初の乾燥工程が行われる第１のチ
ャンバ１０内の減圧空間の圧力よりも次の乾燥工程が行
われる第２のチャンバ１２内の減圧空間の圧力の方を低
い値（高い真空度）に設定してよい。たとえば、塗布液
としてレジスト液を乾燥させる場合は、第１のチャンバ
１０内の減圧空間の圧力を１Torr付近に設定し、第２の
チャンバ１２内の減圧空間の圧力を１０^-1 Torr付近に
設定してよい。塗布液がＳＯＧ溶液である場合は、たと
えば、第１のチャンバ１０内の減圧空間の圧力を数Torr
付近に設定し、第２のチャンバ１２内の減圧空間の圧力
を１０^-3 Torr付近に設定してよい。

【００２８】第２のチャンバ１２にも、室内に不活性ガ
スを供給するためのガス供給管６０が接続されている。
処理後に室１０内を常圧に戻すとき、あるいは処理中
に、不活性ガス供給部（図示せず）からの不活性ガスた
とえばＮ2ガスがガス供給管６０を介して室１２内に供
給されるようになっている。また、第２のチャンバ１２
内には、基板Ｂを加熱するのと相俟って、必要に応じて
反応性ガスたとえばＯ2ガスやＨ2ガス等を別の反応性ガ
ス供給管６１より供給することも可能である。

【００２９】上記コントローラは、外部の処理装置また
は搬送装置の動作と連携し、この乾燥装置内の各部、特
に搬送系の各部（ゲートバルブ１６，３４，５４、搬送
装置２４、リフトピン２２，４８およびその昇降駆動部
等）、圧力系の各部（第１および第２の真空排気システ
ム、不活性ガス供給部、反応性ガス供給部等）、加熱系
の各部（熱板４４の熱発生部、リフトピン４８およびそ
の昇降駆動部等）の動作を制御する。

【００３０】次に、この乾燥装置の作用を説明する。

【００３１】先ず、被処理基板Ｂは第１のチャンバ１０
に搬入される。この搬入される基板Ｂは、直前に塗布装
置（図示せず）において基板表面全体にたとえば常法の
塗布工程たとえばスピンコート法により塗布液を一定の
膜厚に塗布されている。

【００３２】この基板Ｂの搬入に際して、第１のチャン
バ１０の室内は不活性ガス（パージングガス）で満たさ
れ常圧に維持されている。ゲートバルブ３４が開いて外
部搬送装置の搬送アームが基板Ｂを保持したまま室１０
内に入ってきて、基板Ｂを支持台１８の上方にセットす
る。そこに、リフトピン２２が上昇して搬送アームから
基板Ｂを受け取る。搬送アームが退室した後、リフトピ
ン２２が下降して基板Ｂを支持台１８に載置する。一方
で、ゲートバルブ３４が閉じて、第１のチャンバ１０内
は密閉空間となる。

【００３３】基板Ｂが支持台１８に載置されたなら、コ
ントローラの制御の下で第１の真空排気システムにより
第１のチャンバ１０内の排気（真空引き）が開始され
る。この真空引きでは、室内の圧力を常圧から設定値ま
で連続的または単調に下げてもよく、あるいは段階的に
下げても良い。

【００３４】こうして、第１のチャンバ１０において基
板Ｂが常圧状態から真空度の比較的低い設定圧力まで徐
々に減圧する空間内に置かれることで、基板Ｂ上の塗布
液中の溶剤が徐々にかつ穏やかに揮発し、揮発した溶剤
は室外に排出される。ここで、減圧乾燥の初期段階に
は、基板Ｂの表面よりガスが放出される。また、真空引
きの初期段階には第１のチャンバ１０の内壁等からもガ
スが放出される。これらの脱ガスも第１の真空排気シス
テムにより室外に排出される。

【００３５】真空引きを開始してから所定時間ｔ1が経
つと、第１のチャンバ１０における減圧乾燥処理が終了
する。この時点で、基板Ｂ上の塗布液は一定の段階まで
乾燥している。この減圧乾燥処理における乾燥の度合い
または溶剤の揮発量は、レジスト液の種類に依存する
が、処理時間ｔ1、圧力等のパラメータによって調節可
能であり、たとえば所望の到達乾燥度（総揮発量）の３
０％の程度まで乾燥させてよい。

【００３６】上記のようにして第１のチャンバ１０にお
ける減圧乾燥処理が終了すると、リフトピン２２が上昇
して基板Ｂを水平姿勢のまま所定の高さ位置まで持ち上
げる。この直後に、同室内の搬送装置２４が作動して、
搬送アーム２６をリフトピン２２に支持されている基板
Ｂの下まで伸ばし、リフトピン２２から基板Ｂを受け取
る。一方で、ゲートバルブ１６が開く。

【００３７】搬送アーム２６は、開状態の基板搬入出口
２８を通って基板Ｂを第２のチャンバ１２内に搬入し、
所定の高さ位置にて基板Ｂを熱板４４の真上にセットす
る。この直後に、リフトピン４８が上昇して、搬送アー
ム２６から基板Ｂを受け取る。基板Ｂを渡した搬送アー
ム２６は第２のチャンバ１２から退出し、直後にゲート
バルブ１６が閉じる。ゲートバルブ１６が閉じた後で、
第１のチャンバ１０では第１の真空排気システムによる
真空引きが止められ、ガス供給管４０よりパージングガ
ス（不活性ガス）が室内に供給される。この結果、こチ
ャンバ１０の室内は、減圧状態が解除され、常圧空間に
変わる。

【００３８】第２のチャンバ１２の室内は、基板Ｂの搬
入に先立って予め所定の真空度たとえば１０^-2 Torr付
近に維持されている。基板Ｂの搬入時には上記のように
ゲートバルブ１６が開いて一時的に第１のチャンバ１０
と連通するため、第２のチャンバ１２の室内の圧力は上
昇する。この圧力の変化は圧力センサ５８によって検出
され、コントローラの制御の下で第２の真空排気システ
ムにより直ちに補正される。これにより、第２のチャン
バ１２においては、基板Ｂの搬入直後から所定の真空度
で減圧乾燥を開始することができる。

【００３９】一方、第２のチャンバ１２内では、基板Ｂ
の搬入前から熱板４４が所定の温度で発熱状態を維持し
ている。したがって、搬入直後から基板Ｂに熱エネルギ
ーを供給できるようになっている。

【００４０】リフトピン４８は、上記したように昇降移
動可能であり、かつ所定範囲内の任意の高さ位置にて基
板Ｂを水平姿勢に保ったまま支持することができる。通
常は、搬送アーム２６から基板Ｂを受け取った高さ位置
あるいは別の所定の高さ位置を初期位置としてよく、こ
の初期位置で基板Ｂが真下の熱板４４より加熱される温
度が初期加熱温度となる。

【００４１】第２のチャンバ１２内の昇降駆動部は、リ
フトピン４８に基板Ｂを水平姿勢に担持させながら、コ
ントローラの制御の下で時間の経過とともに連続的（単
調）にまたは段階的にリフトピン４８を下降させる。こ
のようなリフトピン４８の下降移動にしたがって時間の
経過とともに連続的（単調）にまたは段階的に、リフト
ピン４８上の基板Ｂの高さ位置が下がり、ひいては基板
Ｂと熱板４４との間隔ｈが小さくなり、基板Ｂに対する
加熱温度が上昇する。

【００４２】このように、第２のチャンバ１２内では、
第１のチャンバ１２内で減圧乾燥処理を一定の段階まで
受けてきた基板Ｂに対して、より高い真空度の減圧空間
にて減圧乾燥処理が続行されると同時に加熱処理が行わ
れる。これにより、基板Ｂ上の塗布液から溶剤が本格的
に勢いよく揮発し、短時間のうちに塗布液が乾燥して、
塗布膜（被膜）が形成される。

【００４３】この際、基板Ｂ上の塗布液は先の第１のチ
ャンバ１０における減圧乾燥処理で既に一定の段階まで
乾燥しており、しかもこの第２のチャンバ１２内でも減
圧乾燥処理が継続して行われるため、加熱による熱的応
力が塗布膜に作用しても、膜内で歪みやボイドあるいは
塗布液の移動等が発生し難い。

【００４４】また、基板Ｂ上の塗布液を減圧乾燥せずに
いきなり加熱すると、乾燥後の塗布膜にリフトピンや支
持ピン等の跡がつくという問題がある。しかし、本発明
によれば、塗布液に対する最初の処理として第１のチャ
ンバ１０内で加熱を伴わない減圧乾燥処理が行われてい
るので、そのようなピン跡の発生を防止することができ
る。

【００４５】なお、基板Ｂ表面からの脱ガスは先の第１
のチャンバ１０における減圧乾燥によってほぼ出尽くし
ており、第２のチャンバ１２における減圧乾燥での脱ガ
スは殆どないか、あっても僅かである。また、第２のチ
ャンバ１２の室内は基板Ｂの搬入前から排気（真空引
き）を開始しているため、処理中に室内の内壁面や各部
から脱ガスは殆ど出ない。したがって、パーティクルや
コンタミネーションの少ない清浄な減圧空間の中で基板
Ｂは減圧および加熱乾燥処理を受けることができる。

【００４６】基板Ｂの搬入が完了してから所定時間ｔ2
が経つと、第２のチャンバ１２における乾燥処理が終了
する。この時点で、基板Ｂ上の塗布液はさらに所定の段
階まで乾燥している。しかも、加熱されて乾燥するた
め、基板Ｂに対して良好に密着する。この減圧乾燥およ
び加熱処理における乾燥の度合いまたは溶剤の揮発量
は、塗布液の種類や先の第１のチャンバ１０における乾
燥の到達等に依存するが、処理時間ｔ2、圧力、加熱温
度等のパラメータによって調節可能であり、たとえば所
望の到達乾燥度まで乾燥させてよい。その場合、専用加
熱装置での更なる乾燥処理（ベーキング）を不要とする
ことができる。もっとも、乾燥途中（たとえば到達乾燥
度の８０％程度）でチャンバ１０内の乾燥処理を終了
し、後で専用加熱装置においてベーキングにより到達乾
燥度まで乾燥させることも可能である。

【００４７】また、塗布膜の種類によっては、たとえば
シラノール化合物からなるＳＯＧにおいては、第２のチ
ャンバ１２における乾燥処理の中で、溶剤の揮発に終始
することなく、さらに所定の温度条件の下で塗布膜を縮
合または重合させることも可能である。このような縮合
または重合反応に際しては、塗布膜表面において酸化反
応等の不所望な反応を防止するために、チャンバ１２内
の減圧空間を不活性ガスで満たすようにしてよい。

【００４８】あるいは、層間絶縁膜等に用いられている
シリカ系被膜においては、第２のチャンバ１２における
乾燥処理の中で、室内に所定の温度たとえば３００゜Ｃ
で反応性ガス供給管１６より供給の酸素または水蒸気で
雰囲気を形成し、基板Ｂ上の塗布膜を酸化反応させて所
望の被膜を得ることもできる。

【００４９】第２のチャンバ１２における減圧乾燥およ
び加熱処理が終了したなら、基板Ｂを室外へ搬出する。
側璧５０の隣（外）に減圧空間たとえば第３の室（また
はチャンバ）が設けられている場合は、直ちにゲートバ
ルブ５４が開いて、外部の搬送装置（図示せず）がチャ
ンバ１２内にアクセスして基板Ｂをリフトピン４８から
受け取って第３の室へ搬出してよい。側璧５０の隣
（外）が常圧の空間になっている場合は、第２の真空排
気システムによる真空引きが止まって、不活性ガス供給
管６０より不活性ガスがパージングガスとしてチャンバ
１２内に供給され、室内の減圧状態が解除された後にゲ
ートバルブ５４が開いて、外部の搬送装置が基板Ｂを室
外へ搬出してよい。基板Ｂを室外へ搬出した後は、ゲー
トバルブ５４が閉じて、第２の真空排気システムによる
真空引きが再開され、チャンバ１２内に減圧空間が再生
される。

【００５０】もっとも、図２に示すように、第１および
第２のチャンバ１０，１２の間に第３の室６２を設ける
装置構成としてもよい。この装置構成では、第３の室６
２内に基板搬送装置６４を設置すればよく、両処理室１
０，１２内に搬送系を置く必要はない。第３の室６２
は、第１および第２のチャンバ１０，１２とそれぞれゲ
ートバルブ６８，７０を介して隣接するとともに、ゲー
トバルブ７２を介して他の処理室または搬送空間（図示
せず）と隣接する。第３の室６２の排気口７４は第３の
真空排気システムに接続され、両チャンバ１０，１２と
は別個に室６２内が所定の真空度に減圧される。また、
第３の室６２内にも、必要に応じて室内を常圧にするた
めのパージングガスがガス供給管７６より供給されるよ
うになっている。

【００５１】この装置構成において、最初に基板Ｂは外
部から開状態のゲートバルブ７２を通って第３の室６２
に搬入される。次に、ゲートバルブ６８が開いて、第３
の室６２内に設置の搬送装置６４が基板Ｂを第１のチャ
ンバ１０内に搬入する。第１のチャンバ１０内では上記
と同様の減圧乾燥処理が行われる。この乾燥処理が終了
すると、ゲートバルブ６８が開いて、第３の室６２の搬
送装置６４がチャンバ１０から基板Ｂを搬出する。基板
Ｂが第３の室６２に搬入されてから、ゲートバルブ６８
が閉まると同時（好ましくは直後）に、ゲートバルブ７
０が開き、搬送装置６４が基板Ｂを第２のチャンバ１２
に搬入する。第２のチャンバ１２内では、上記と同様の
減圧乾燥および加熱処理が行われる。この乾燥処理の終
了後にゲートバルブ７０が開いて、搬送装置６４が基板
Ｂをチャンバ１２から搬出する。しかる後、ゲートバル
ブ７２が開き、第３の室６２から基板Ｂが外部へ搬出さ
れる。第３の室６２のゲートバルブ６８，７０，７２は
同時に開状態となる必要はなく、その中の１つが開状態
になっている時に他の全てのゲートバルブは閉状態にな
っていてよい。

【００５２】このように第１および第２のチャンバ１
０，１２の間に第３の室６２を設ける装置構成において
は、第３の室６２の減圧空間により両チャンバ１０，１
２内の減圧空間を常時分離できるため、両チャンバ１
０，１２の間で（通常はチャンバ１０からチャンバ１２
への）パーティクルやコンタミネーションの流通を確実
に防止することができる。また、乾燥処理前の基板Ｂを
第３の室６２を経由して第１のチャンバ１０に搬入し、
第２のチャンバ１２から処理済みの基板Ｂを第３の室６
２を経由して搬出することが可能であり、両チャンバ１
０，１２の室内を常時減圧状態に維持することも可能で
ある。

【００５３】なお、基板Ｂが第１のチャンバ１０から第
３の室６２を通って第２のチャンバ１２に移送される間
も減圧空間に置かれるため、厳密には第１のチャンバ１
０における減圧乾燥処理が移送中も継続または延長す
る。したがって、第３の室６２内の圧力を、たとえば両
チャンバ内圧力の中間値、つまり第１のチャンバ１０の
減圧空間の圧力よりは低く、第２のチャンバ１２の減圧
空間の圧力よりも高い値に設定してよい。

【００５４】次に、図３〜図５につき本発明の一実施形
態による塗布装置を適用した塗布現像処理システムを説
明する。

【００５５】図３に、この塗布現像処理システムの構成
を示す。この塗布現像処理システムは、たとえばＬＣＤ
基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフ
ォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、乾
燥、現像およびポストベークの各処理を行うものであ
る。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外
部の露光装置（図示せず）で行われる。

【００５６】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１００と、プロセ
スステーション（Ｐ／Ｓ）１０２と、インタフェース部
（Ｉ／Ｆ）１０４とで構成される。

【００５７】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１００は、複数のＬＣＤ基板Ｂを
収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能
なカセットステージ１０６と、このステージ１０６上の
カセットＣについて基板Ｂの出し入れを行うサブアーム
機構１０８とを備えている。このサブアーム機構１０８
は、基板Ｂを保持できる搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，
Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステ
ーション（Ｐ／Ｓ）１０２側の搬送装置１３２と基板Ｂ
の受け渡しを行えるようになっている。

【００５８】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１０２
は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１００側から
順に洗浄プロセス部１１０と、塗布プロセス部１１２
と、現像プロセス部１１４とを基板中継部１１６、薬液
供給ユニット１１８およびスペース１２０を介して（挟
んで）横一列に設けている。

【００５９】洗浄プロセス部１１０は、２つのスクラバ
洗浄ユニット（ＳＣＲ）１２２と、上下２段の紫外線照
射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）１２４と、加熱ユニ
ット（ＨＰ）１２６と、冷却ユニット（ＣＯＬ）１２８
とを含んでいる。

【００６０】塗布プロセス部１１２は、レジスト塗布ユ
ニット（ＣＴ）１３４と、乾燥ユニット（ＶＤ）１３６
と、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８と、上下
２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）
１４０と、冷却ユニット（ＣＯＬ）１４２と、加熱ユニ
ット（ＨＰ）１４４とを含んでいる。乾燥ユニット（Ｖ
Ｄ）１３６が本発明の一実施形態による乾燥装置であ
り、その詳細は後に説明する。

【００６１】現像プロセス部１１４は、３つの現像ユニ
ット（ＤＥＶ）１５０と、２つの上下２段型加熱／冷却
ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）１５２と、加熱ユニット（Ｈ
Ｐ）１５４とを含んでいる。

【００６２】各プロセス部１１０，１１２，１１４の中
央部には長手方向に搬送路１３０，１４６，１５６が設
けられ、主搬送装置１３２，１４８，１５８が各搬送路
に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセ
スし、基板Ｂの搬入／搬出または搬送を行うようになっ
ている。なお、このシステムでは、各プロセス部１１
０，１１２，１１４において、搬送路１３０，１４６，
１５６の一方の側にスピンナ系のユニット（ＳＣＲ，Ｃ
Ｔ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニ
ット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。

【００６３】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部（Ｉ／Ｆ）１０４は、プロセスステーション（Ｐ
／Ｓ）１０２と隣接する側にイクステンション（基板受
け渡し部）１５９およびバッファステージ１６０を設
け、露光装置と隣接する側に搬送機構１６２を設けてい
る。

【００６４】図４に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１００において、サブアーム機構１０８が、ステ
ージ１０６上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｂ
を取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１０２の
洗浄プロセス部１１０の主搬送装置１３２に渡す（ステ
ップＳ1）。

【００６５】洗浄プロセス部１１０において、基板Ｂ
は、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）１
２４に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（Ｕ
Ｖ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却
ユニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステ
ップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有
機物が除去される。

【００６６】次に、基板Ｂはスクラバ洗浄ユニット（Ｓ
ＣＲ）１２２の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基
板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ
3）。スクラビンク洗浄の後、基板Ｂは、加熱ユニット
（ＨＰ）１２６で加熱による脱水処理を受け（ステップ
Ｓ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）１２８で一定の
基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄
プロセス部１１０における前処理が終了し、基板Ｂは、
主搬送装置１３２により基板受け渡し部１１６を介して
塗布プロセス部１１２へ搬送される。

【００６７】塗布プロセス部１１２において、基板Ｂ
は、先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯ
Ｌ）１４０に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステ
ップＳ6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板
温度まで冷却される（ステップＳ7）。

【００６８】その後、基板Ｂは、レジスト塗布ユニット
（ＣＴ）１３４でレジスト液を塗布され、次いで乾燥ユ
ニット（ＶＤ）１３６で本発明による乾燥処理を受け、
次いでエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８で基板
周縁部の余分（不要）なレジストを除かれる（ステップ
Ｓ8）。

【００６９】次に、基板Ｂは、冷却ユニット（ＨＰ／Ｃ
ＯＬ）１４２に搬入され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ9）。もっとも、必要に応じて、
この冷却処理の前に加熱ユニット１４４でベーキングを
行うことも可能である。

【００７０】上記塗布処理の後、基板Ｂは、塗布プロセ
ス部１１２の主搬送装置１４８と現像プロセス部１１４
の主搬送装置１５８とによってインタフェース部（Ｉ／
Ｆ）１０４へ搬送され、そこから露光装置に渡される
（ステップＳ10）。露光装置では基板Ｂ上のレジストに
所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露
光を終えた基板Ｂは、露光装置からインタフェース部
（Ｉ／Ｆ）１０４に戻される。インタフェース部（Ｉ／
Ｆ）１０４の搬送機構１６２は、露光装置から受け取っ
た基板Ｂをイクステンション１５８を介してプロセスス
テーション（Ｐ／Ｓ）１０２の現像プロセス部１１２に
渡す（ステップＳ10）。

【００７１】現像プロセス部１１４において、基板Ｂ
は、現像ユニット（ＤＥＶ）１５０のいずれか１つで現
像処理を受け（ステップＳ11）、次いで加熱／冷却ユニ
ット（ＨＰ／ＣＯＬ）１５２の１つに順次搬入され、最
初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行わ
れ（ステップＳ12）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一
定の基板温度まで冷却される（ステップＳ13）。このポ
ストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）１５４を用いる
こともできる。

【００７２】現像プロセス部１１４での一連の処理が済
んだ基板Ｂは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１０２
内の主搬送装置１５８，１４８，１３２によりカセット
ステーション（Ｃ／Ｓ）１００まで戻され、そこでサブ
アーム機構１０８によりいずれか１つのカセットＣに収
容される（ステップＳ1）。

【００７３】図５に、塗布プロセス部１１２におけるレ
ジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４、乾燥ユニット（Ｖ
Ｄ）１３６およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１
３８の要部の構成を示す。乾燥ユニット（ＶＤ）１３６
の構成は、基本的には図１の構成と同じなので、図１の
各部と同様の構成または機能を有する部分には同一の符
号を付している。

【００７４】乾燥ユニット（ＶＤ）１３６において、図
１の装置構成と異なる点は、第２のチャンバ１２の側璧
５２の基板搬出用ゲートバルブ５４が省かれて、代わり
に第１のチャンバ１０の側璧１６８に基板搬出用のゲー
トバルブ１７０が設けられるとともに、第１のチャンバ
１０内に処理済みの基板Ｂを主搬送装置１４８へ渡す際
に一時的に留めておく支持台またはステージ１７２が第
１のチャンバ１０内に設けられていることである。

【００７５】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４は、
基板Ｂをほぼ水平姿勢で保持して一緒または一体に回転
するスピンチャック１７４と、このスピンチャック１７
４およびチャック上の基板Ｂの側方の周囲を包囲する回
転可能な有底円筒状の回転カップ１７６と、この回転カ
ップ１７６の上端開口を閉塞可能な蓋体（図示せず）
と、回転カップ１７６の外周を取り囲む固定設置型のド
レインカップ１７８と、基板Ｂの表面（上面）にレジス
ト液を吐出して供給するためのレジスト供給機構１８０
と、塗布処理後の基板Ｂをゲートバルブ３４を介して乾
燥ユニット（ＶＤ）１３６側へ搬送する搬送装置（図示
せず）等を備えている。

【００７６】エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８
には、基板Ｂを載置して支持するステージ１８２と、基
板Ｂを一対の角隅部にて位置決めするアライメント手段
１８４と、基板Ｂの四辺の周縁部（エッジ）から余分な
レジストを除去する４個のリムーバヘッド１８６等が設
けられている。

【００７７】これらの処理ユニット１３４、１３６、１
３８における一連の処理は次のようになる。なお、図５
において、基板および主搬送装置を表す参照符号Ｂ，１
４８の後に添えられている括弧付きの数字または番号
（n）は、この一連の処理における各位置の移動順序を
示している。

【００７８】先ず、主搬送装置１４８(1)が、アドヒー
ジョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６（図３）か
ら疎水化処理済みの基板Ｂ(1)を搬出して来て、搬送路
１４６側から基板Ｂ(1)を矢印で示すようにレジスト
塗布ユニット（ＣＴ）１３４内に搬入する。

【００７９】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４で
は、スピンチャック１７４が基板Ｂ(2)を水平状態で保
持したまま所定の速度で回転し、最初に蓋体が退避して
いて回転カップ１７６が開口している状態の下でレジス
ト供給機構１８０のノズル部１８２が基板Ｂ(2)の真上
まで移動してきてレジスト液を基板Ｂ(2)の上面に吐出
（滴下）し、次いでノズル部１８２が基板Ｂ(2)上から
退避した後で、蓋体がカップ上端開口を閉塞した状態で
回転カップ１７６も回転し、基板Ｂ(2)上でレジスト液
が遠心力によって基板表面全域にむらなく拡散する。

【００８０】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４にお
いて上記のようなスピンコート法によるレジスト塗布工
程が終了すると、ゲートバルブ３４が開き、ユニット
（ＣＴ）１３４内の搬送装置が矢印で示すように開状
態のゲートバルブ３４を通って塗布処理済みの基板Ｂ
(2)を乾燥ユニット（ＶＤ）１３６の第１のチャンバ１
０内に搬入する。

【００８１】第１のチャンバ１０内で基板Ｂ(3)は、図
１の装置構成における場合と同様の減圧乾燥処理を受け
てよい。この第１のチャンバ１０における乾燥処理が終
了すると、図１の装置構成における場合と同様にして、
第１のチャンバ１０内の搬送装置２４が矢印で示すよ
うに開状態のゲートバルブ１６を通って基板Ｂ(3)を隣
室の第２のチャンバ１２内に搬入する。

【００８２】第２のチャンバ１２内で、基板Ｂ(4)は、
図１の装置構成における場合と同様の減圧乾燥および加
熱処理を受けてよい。処理条件（圧力、温度、時間、供
給ガス等）は、レジスト液の種類等に応じて適宜の値に
設定してよい。加熱ユニット（ＨＰ）１４４でのベーキ
ング（プリベーク）を省略する場合は、第２のチャンバ
１２において基板Ｂ(4)上の塗布液を所望の到達乾燥度
まで乾燥させてよい。この場合、第２のチャンバ１２に
おける加熱は減圧乾燥と同時に行われるので、専用加熱
装置（１４４）でベーキングを行う場合の加熱温度より
も低い加熱温度に設定できる。これにより、加熱処理に
起因するレジスト表面のストライゼーション（一種のし
わ）を低減することも可能であり、ひいてはそのような
ストライゼーションに起因する露光・現像処理後のパタ
ーン形状の歪み等を改善できる。

【００８３】第２のチャンバ１２における乾燥処理が終
了すると、ゲートバルブ１６が開いて、第１のチャンバ
１０内の搬送装置２４が第２のチャンバ１２から矢印
で示すように開状態のゲートバルブ１６を通って基板Ｂ
(4)を引き取り、チャンバ１０内の支持台１７２上に基
板Ｂ(5)を載置する。

【００８４】しかる後、搬送路１４６に面したゲートバ
ルブ１７０が開き、搬送路１４６側から主搬送装置１４
８(2)が矢印で示すようにこの開状態のゲートバルブ
１７０を通って支持台１７２から基板Ｂ(5)を引き取
る。そして、主搬送装置１４８(2)は、引き取った基板
Ｂ(6)を水平状態で支持したまま搬送路１４６上を矢印
で示すように図５の右側へ移動して隣のエッジリムー
バ・ユニット（ＥＲ）１３８の前まで搬送し、矢印で
示すように搬送路１４６側からユニット（ＥＲ）１３８
内に基板Ｂ(7)を搬入する。

【００８５】エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８
では、アライメント手段１８４がステージ１８２上の基
板Ｂ(8)を位置決めした状態で、各リムーバヘッド１８
６が基板Ｂ(8)の各辺に沿って移動しながら、基板各辺
の周縁部に付着している余分なレジストをシンナーで溶
解して除去する。

【００８６】エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８
におけるレジスト除去処理が終了すると、搬送路１４６
側の主搬送装置１４８(3)が基板Ｂ(8)をユニット（Ｅ
Ｒ）１３８から搬出する。次いで、主搬送装置１４８
(3)は、向い側の冷却ユニット（ＣＯＬ）１４２に基板
Ｂ(8)を搬送する。

【００８７】上記したように、レジスト塗布ユニット
（ＣＴ）１３４でレジスト液を塗布された基板Ｂが、本
発明による乾燥ユニット（ＶＤ）１３６の２つのチャン
バ１０，１２内で２段階の、かつ実質的に連続的な乾燥
処理を受ける。より詳細には、基板Ｂ上の塗布液に対し
て、第１のチャンバ１０における前段の乾燥処理では比
較的低い真空度の減圧空間内で乾燥が行われ、後段の第
２のチャンバ１０における後段の乾燥処理では比較的高
い真空度の減圧空間内で乾燥ないし加熱が行われる。こ
れにより、レジスト液が歪みやボイド、ピン跡や汚染等
を来すことなく基板Ｂ上に良好に密着して乾燥し、良質
のレジスト膜が得られる。

【００８８】しかも、本発明による2段階式の乾燥処理
は、終始減圧乾燥だけの乾燥処理に比してより短い時間
で効率的に所要の乾燥結果（溶剤の揮発量）を得ること
が可能であり、さらには第２のチャンバ１０における減
圧および加熱処理の条件（圧力、温度、時間等）を適宜
選ぶことで、基板Ｂ上の塗布液を十全に乾燥させ、専用
加熱ユニットでのベーキングを不要にすることも可能で
ある。

【００８９】これにより、基板Ｂ上に塗布されたレジス
ト液に対する乾燥処理の所要時間を大幅に短縮してスル
ープットを向上させることができる。また、基板Ｂ上に
塗布されたレジスト液を短時間で安定かつ良好に乾燥さ
せ、高品質のレジスト膜を形成することができる。

【００９０】上記した塗布現像処理システムはＬＣＤ基
板を被処理基板としたが、半導体ウエハを被処理基板と
するシステムに変形することが可能であり、その場合に
も半導体ウエハ上に塗布したレジスト液の乾燥について
上記と同様の作用効果を得ることができる。

【００９１】また、他の塗布液たとえばＳＯＧ溶液を基
板（典型的には半導体ウエハ）上に塗布して乾燥させる
システムにも本発明は適用可能である。その場合、半導
体ウエハ上のＳＯＧ溶液に対する第１および第２のチャ
ンバ１０，１２における処理条件（圧力、温度、時間、
供給ガス等）はＳＯＧの材質等に応じて適宜選択してよ
い。たとえば、メタル配線形成前のＳＯＧについては、
第１のチャンバ１０における圧力を数Torr、第２のチャ
ンバ１０における圧力および加熱温度をそれぞれ１〜１
０^-3 Torr、７００〜８５０゜Ｃとしてよい。また、メ
タル配線形成後のＳＯＧについては、第１のチャンバ１
０における圧力を数Torr、第２のチャンバ１０における
圧力および加熱温度をそれぞれ１〜１０^-3 Torr、３５
０〜４００゜Ｃとしてよい。

【００９２】第１および第２のチャンバ１０，１２にお
ける各部の構成を種々変形することが可能である。たと
えば、第２のチャンバ１２における加熱機構の熱板４４
をランプ等の他の加熱手段に置き換えることができる。

【００９３】本発明はレジストやＳＯＧ以外にも、基板
上に塗布された揮発性の溶剤を含む任意の塗布液を乾燥
させる技術に適用可能である。本発明における被処理基
板はＬＣＤ基板や半導体ウエハに限らず、ＣＤ基板、ガ
ラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能であ
る。

【００９４】

【発明の効果】上記したように、本発明によれば、基板
上の塗布液に対する乾燥処理の所要時間を大幅に短縮し
てスループットを向上させることができる。また、基板
上の塗布液を短時間で安定かつ良好に乾燥させ、高品質
の塗布膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による乾燥装置の構成を模
式的に示す略側面図である。

【図２】一変形例による乾燥装置の構成を模式的に示す
略側面図である。

【図３】本発明の一実施形態によるを適用した塗布現像
処理システムの構成を示す平面図である。

【図４】実施例の塗布現像処理システムにおける処理の
手順を示すフローチャートである。

【図５】実施例の塗布現像処理システムにおけるレジス
ト塗布ユニット、乾燥ユニットおよびエッジリムーバ・
ユニットの主要な構成を示す略平面図である。

【符号の説明】

１０ 第１のチャンバ（処理室） １２ 第２のチャンバ（処理室） １６ ゲートバルブ １８ 支持台 ２４ 基板搬送装置 ３４ ゲートバルブ ３６ 排気口 ４４ 熱板 ４８ リフトピン ５６ 排気口 ４０，６０ 不活性ガス供給管 ６１ 反応性ガス供給管 ６２ 第３の室 ６４ 搬送装置 ６８，７０ ゲートバルブ ７６ 不活性ガス供給管 １３４ レジスト塗布ユニット １３６ 乾燥ユニット １３８ エッジリムーバ・ユニット １４８ 主搬送装置 １７０ ゲートバルブ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ Ｆターム(参考） 2H025 EA10 3L113 AA01 AB02 AB10 AC01 AC20 AC23 AC67 AC73 AC75 BA34 DA10 5F045 AB32 AE01 BB08 BB15 BB17 CA15 EB09 EB20 EN02 EN04 HA16 HA25 5F046 KA04 KA07 KA10

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板上に塗布された揮発性の溶剤
   を含む塗布液を乾燥させる乾燥方法であって、 第１の減圧空間内に前記基板を置いて、前記塗布液中の
   溶剤を所定の量だけ揮発させる第１の工程と、 前記第１の乾燥工程の後に、前記第１の減圧空間から実
   質的に独立した第２の減圧空間内に前記基板を置きかつ
   加熱して、前記塗布液中の溶剤をさらに所定の量だけ揮
   発させる第２の工程とを有する乾燥方法。
2. 【請求項２】 前記第２の減圧空間の圧力を前記第１の
   減圧空間の圧力よりも低い値に設定する請求項１に記載
   の乾燥方法。
3. 【請求項３】 前記第２の工程中に前記基板に対する加
   熱温度を可変制御する工程を含む請求項１または２に記
   載の乾燥方法。
4. 【請求項４】 前記第１および第２の減圧空間をゲート
   機構を介して互いに隣接させ、前記第１の工程の終了後
   に前記ゲート機構を開状態にして前記基板を前記第１の
   減圧空間から前記ゲート機構を通って前記第２の減圧空
   間へ移す請求項１〜３のいずれかに記載の乾燥方法。
5. 【請求項５】 前記第１および第２の減圧空間から実質
   的に独立した第３の減圧空間を第１および第２のゲート
   機構を介して前記第１および第２の減圧空間にそれぞれ
   隣接させ、前記第１の工程の終了後に前記第１のゲート
   機構を開状態にして前記基板を前記第１の減圧空間から
   前記第１のゲート機構を通って前記第３の減圧空間へ移
   し、次いで前記第２のゲート機構を開状態にして前記基
   板を前記第３の減圧空間から前記第２のゲート機構を通
   って前記第２の減圧空間へ移す請求項１〜３のいずれか
   に記載の乾燥方法。
6. 【請求項６】 前記第１の工程の開始前に前記第１のゲ
   ート機構を開状態にして前記基板を前記第３の減圧空間
   から前記第１のゲート機構を通って前記第１の減圧空間
   へ搬入する工程と、前記第２の工程の終了後に前記第２
   のゲート機構を開状態にして前記基板を前記第２の減圧
   空間から前記第２のゲート機構を通って前記第３の減圧
   空間へ搬出する工程とを含む請求項５に記載の乾燥方
   法。
7. 【請求項７】 前記第２の工程中に前記第２の減圧空間
   を不活性ガスで満たす工程を含む請求項１〜６のいずれ
   かに記載の乾燥方法。
8. 【請求項８】 前記第２の工程中に前記第２の減圧空間
   を反応性ガスで満たす工程を含む請求項１〜６のいずれ
   かに記載の乾燥方法。
9. 【請求項９】 被処理基板上に塗布された揮発性の溶剤
   を含む塗布液を乾燥する乾燥装置であって、 第１の減圧空間を有し、前記第１の減圧空間内に前記基
   板を置いて、前記塗布液中の溶剤を所定の量だけ揮発さ
   せる第１の処理部と、 前記第１の減圧空間から実質的に独立した第２の減圧空
   間を有し、前記第２の減圧空間内に前記基板を置いてか
   つ加熱して、前記塗布液中の溶剤をさらに所定の量だけ
   揮発させる第２の処理部とを有する乾燥装置。
10. 【請求項１０】 前記第１および第２の減圧空間をゲー
    ト機構を介して互いに隣接させ、開状態の前記ゲート機
    構を通って前記基板を搬送するための基板搬送手段を前
    記第１または第２の減圧空間内に設ける請求項９に記載
    の乾燥装置。
11. 【請求項１１】 第１のゲート機構を介して前記第１の
    減圧空間に隣接するとともに第２のゲート機構を介して
    前記第２の減圧空間に隣接する減圧可能な第３の室と、 前記第３の室内に配置され、開状態の前記第１のゲート
    機構を通って前記第１の減圧空間より前記基板を搬出
    し、開状態の前記第２のゲート機構を通って前記第２の
    減圧空間へ前記基板を搬入する基板搬送手段とを有する
    請求項９に記載の乾燥装置。
12. 【請求項１２】 前記第２の減圧空間内の所定位置に配
    設され、前記基板を加熱するための発熱体を有する加熱
    手段と、 前記加熱手段に対して可変制御可能な間隔を置いて前記
    基板を支持する基板支持部材と、 前記間隔を可変制御するために前記基板支持部材を変位
    させる駆動手段とを有する請求項９〜１１に記載の乾燥
    装置。