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JP2001284433A - 基板移載装置及び基板移載方法 - Google Patents

基板移載装置及び基板移載方法

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Publication number
JP2001284433A
JP2001284433A JP2000142713A JP2000142713A JP2001284433A JP 2001284433 A JP2001284433 A JP 2001284433A JP 2000142713 A JP2000142713 A JP 2000142713A JP 2000142713 A JP2000142713 A JP 2000142713A JP 2001284433 A JP2001284433 A JP 2001284433A
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JP
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substrate
substrate transfer
main body
opening
container
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JP2000142713A
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Inventor
Koichiro Saga
幸一郎 嵯峨
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板移載ユニットが組み込まれていない通常
の基板処理装置と基板搬送コンテナとの間で一体化され
た密閉空間を形成することが可能な基板移載装置を提供
する。 【解決手段】 基板Ｗが収納される筐体状の本体１１
と、本体１１に設けられ外部との気密状態を保ってコン
テナ３の底部開口（基板搬送口）３２と連結される上部
開口（第１開口）１２、本体１１に設けられ外部との気
密状態を保って基板処理装置５の基板搬送口５２と連結
される側壁開口（第２開口）１３、本体１１に接続され
た排気管１５、及び上部開口１２とコンテナ３の底部開
口３２とが連結された状態で底部開口３２に対して底蓋
３３の開閉を行う開閉機構１６、本体１１内に設置され
た基板Ｗ移載用の移載機構１７，１８を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板移載装置及び
基板移載方法に関し、特には、半導体ウエハや液晶基板
等の高清浄度が求められる電子基板を基板搬送コンテナ
と基板処理装置との間で移載するために用いられる基板
移載装置及び基板移載方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶基板、磁気ディスク
等の電子基板（以下基板と記す）を用いた電子機器の製
造は、発塵のないクリーンルーム内において行われてい
る。一方、各基板処理装置間で基板を搬送する場合に
は、可搬式で密閉可能な局所清浄化コンテナ（すなわち
基板搬送コンテナ）に、カセットに保持させた基板を収
納した状態で行う。これによって、クリーンルームの内
外において、基板を大気中の塵埃に暴露させることなく
基板を搬送することが可能になる。このような基板搬送
コンテナは、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interfac
e ）ポッドという商品名（アシストテクノロジー社）で
市販されており、特公平７−４６６９４や特開平８−４
６０１１に開示されているように、各基板処理装置に対
して機械的に連結される構成になっている。
【０００３】ところで、近年の高付加価値、高集積化デ
バイスの製造においては、基板表面の分子吸着汚染がデ
バイス・プロセス特性に悪影響を及ぼす。このため、例
えば半導体ウエハのように、特に高い清浄度が要求され
る基板を搬送する場合には、基板が収納された基板搬送
コンテナの内部をアルゴン（Ａｒ）や窒素ガス（Ｎ2）
等の不活性なガス（以下、不活性ガスと記す）で置換
し、基板への有機物、ホウ素、燐等の分子吸着汚染や、
基板表面への自然酸化膜の形成を防止している。
【０００４】さらに、基板搬送コンテナ内を不活性ガス
で置換するだけでは、基板を基板処理装置から基板搬送
コンテナ内に移載する（またはその逆）までの間に基板
表面がクリーンルーム内の大気に晒されることになるた
め、基板表面における自然酸化膜の形成を防止すること
はできない。このため、特開平８−２２１３１９や特開
平９−１３９４１０に開示されているような機械的イン
ターフェイス装置が提案された。この機械的インターフ
ェイス装置は、コンテナ開閉ユニットを兼ねた基板移載
ユニット（以下、移載ユニットと記す）が一体に組み込
まれた基板処理装置に対して、移載ユニットの内部と基
板搬送コンテナの内部とをガスで置換した状態でこれら
を連通させて基板の移載を行うように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
機械的インターフェイス装置は、予め移載ユニットが組
み込まれた基板処理装置を対象としたものである。この
ため、通常の、移載ユニットが組み込まれていない基板
処理装置において、基板表面における自然酸化膜の形成
を防止しながら、基板搬送コンテナとの間で基板を移載
させることはできない。移載ユニットが組み込まれてい
ない基板処理装置に対して、このような基板の移載を行
うには、基板搬送コンテナ−基板移載装置間、及び基板
移載装置−基板処理装置間を、外部に対して気密状態を
保って連結する必要がある。しかし、従来の基板移載装
置は、このような連結を想定した構成ではないため、基
板を大気に晒すことなく基板搬送コンテナから基板処理
装置に移載する（またはこの逆）を行うことは出来なか
った。
【０００６】そこで本発明は、通常の基板処理装置及び
基板搬送コンテナとの間で一体化された密閉空間を形成
することが可能な基板移載装置及び、大気中のガス分子
の吸着によって基板を汚染させることなく基板搬送コン
テナと基板処理装置との間で基板を移載可能な基板移載
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の基板移載装置は、基板搬送コンテナと
基板処理装置との間で基板を移載するために用いられる
基板移載装置であって、基板が収納される筐体状の本
体、本体に設けられ外部との気密状態を保って基板搬送
コンテナの基板搬送口と連結される第１開口、本体に設
けられ外部との気密状態を保って基板処理装置の基板搬
送口と連結される第２開口、本体に接続された排気管、
第１開口と基板搬送コンテナの基板搬送口が連結された
状態でこの基板搬送口に設けられた蓋を開閉する開閉機
構、及び本体内に設置された基板移載用の移載機構を備
えたことを特徴としている。
【０００８】このような基板移載装置では、本体に設け
られた第２開口と基板処理装置の基板搬送口とを連結す
ることで、この本体と基板処理装置とが連通され、基板
処理装置に対して基板移載装置が後付けされることにな
る。また、本体に設けられた第１開口と第２開口とによ
って、基板搬送コンテナ及び基板処理装置に対して外部
との気密状態を保って本体が連通されるため、この本体
内を介して基板搬送コンテナと基板処理装置との間で、
外気に晒すことなく基板の移載が行われる。しかも、本
体内のガスが排気管から排気されるため、本体内が不活
性な雰囲気に保たれる。
【０００９】そして、本発明の基板移載方法は、基板搬
送コンテナと基板処理装置との間で基板を移載する基板
移載方法であって、内部が不活性な雰囲気に保たれた基
板搬送コンテナと基板移載装置とを外部に対して気密状
態を保って連通させ、当該基板移載装置内に設けられた
基板移載機構によって基板搬送コンテナと当該基板移載
装置との間で基板を移載する工程と、内部が不活性な雰
囲気に保たれた基板移載装置と基板処理装置とを外部に
対して気密状態を保って連通させ、基板移載機構によっ
て基板移載装置と基板処理装置との間で基板を移載する
工程とを行う。
【００１０】このような構成の基板移載方法では、基板
搬送コンテナ−基板移載装置間、及び基板移載装置−基
板処理装置間において、基板を不活性な雰囲気内に保ち
つつ移載することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の基板移載装置及び
基板移載方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明
する。ここでは、基板移載装置（以下、移載装置と記
す）を連結させる基板処理装置（以下、処理装置と記
す）の構成毎に各図を用いて実施形態を説明する。尚、
処理装置とは、洗浄装置、成膜装置、ドライエッチング
装置またはグラフィー装置等、例えば半導体装置の製造
工程で一般的に用いられる処理装置であることとする。
【００１２】（第１実施形態）図１に示すように、移載
装置１は、筐体状の本体１１、本体１１に設けられた上
部開口（第１開口）１２及び側壁開口（第２開口）１
３、本体１１に接続されたガス導入管１４及び排気管１
５、本体１１内に設置された開閉機構１６、カセット昇
降機１７及び移載アーム１８を備えている。
【００１３】本体１１は、基板Ｗが保持されたカセット
Ｓを収納する大きさを有している。この本体１１は、そ
の内壁が金属で構成されると共に、例えば側壁開口１３
と同じ高さ位置の壁面が透明材料で構成されていること
とする。ここで、透明材料としては、例えばガラス材
料、塩化ビニル、非晶質ポリオレフィンまたはポリカー
ボネート等、脱ガス量の小さい、好ましくは０．１ｎｇ
／（ｃｍ2×ｈ）程度以下に脱ガス量を抑えることので
きる材料を用いることとする。
【００１４】また、上部開口１２は、外部に対して気密
状態を保って、基板搬送コンテナ（以下、コンテナと記
す）３の本体３１に設けられた底部開口（基板搬送口）
３２と連結されるように構成されている。ここでの図示
は省略したが、この上部開口１２は、コンテナ３の底部
開口３２の開口縁と一致する周縁部分に溝を形成してな
るフランジ構造になっており、溝内にＯリングがはめ込
まれている。そして、この上部開口１２の周縁部分をコ
ンテナ３の底部開口３２の開口縁に対して、例えば機械
的に圧着させることで、上部開口１２と底部開口３２と
を、外部に対して気密状態を保って連結させる。
【００１５】そして、側壁開口１３は、外部に対して気
密状態を保って、処理装置５のロードロック室５１側壁
に設けられた基板搬送口５２と連結されるように構成さ
れている。ここで、この連結部分の構成を図２及び図３
を用いて詳細に説明する。
【００１６】図２には側壁開口１３と基板搬送口５２と
の連結部分の断面図を示し、図３には側壁開口１３側か
ら本体１１側を臨む正面図を示した。これらの図に示す
ように、本体１１の側壁開口１３は、開口端の全周に亘
って形成された溝５２ａ内にＯリング５２ｂがはめ込ま
れた基板搬送口５２に対して連結される。また、側壁開
口１３は、壁面から突出させたフランジ構造になってお
り、その先端にあたる開口端（すなわち基板搬送口５２
の周囲に形成された溝５２ａと対向する位置）に、全周
に亘って溝１３ａが形成され、この内部にＯリング１３
ｂがはめ込まれている。
【００１７】また、この側壁開口１３には、例えば連結
手段２００が設けられている。この連結手段２００は、
側壁開口１３よりも一回り大きい開口２０１を備えてお
り、側壁開口１３及び溝１３ａ内のＯリング１３ｂがこ
の開口２０１内に配置されるように設置されている。そ
して、連結手段２００の本体１１側に向かう面及び処理
装置５側に向かう面には、開口２０１を囲む状態で２重
の溝２０１ａが設けられ、これらの溝２０１ａ内にはそ
れぞれＯリング２０１ｂがはめ込まれ、２重パッキンを
構成している。またこれらの２重の溝２０１ａ間には、
排気管２０２の排気口２０２ａが設けられている。尚、
排気管２０２は、ここでは図示を省略した排気ポンプを
備えたものであり、排気口２０２ａから連結手段２００
内を通って外部に引き出されていることとする。
【００１８】さらに、この連結手段２００には、開口２
０１を塞ぐシャッタ２０３が設けられている。このシャ
ッタ２０３は、連結手段２００内に設けられた戸袋２０
４内にスライド自在に収納され、開口２０１の内壁から
突出自在に設けられている。また、戸袋２０４は外部に
対して密閉されていることとする。さらに、戸袋２０４
内には、シャッタ２０３の両面を覆うベローズ２０５を
設けても良い。
【００１９】そして、連結手段２００を備えた側壁開口
１３を処理装置５の基板搬送口５２に対して対向させて
配置した状態においては、連結手段２００のＯリング２
０１ｂ（２重パッキン）が処理装置５の壁面に当接され
ると共に、基板搬送口５２のＯリング５２ｂと側壁開口
１３のＯリング１３ｂとの間にシャッタ２０３が挿入さ
れる隙間が形成されることとする。
【００２０】このように構成された連結部分は、連結手
段２００を備えた側壁開口１３を処理装置５の基板搬送
口５２に対して対向させて配置させた状態において、２
重パッキン間の排気口２０２ａから排気を行うことによ
って、処理装置５の側壁及び本体１１の側壁に連結手段
２００のＯリング２０２ｂが真空吸着される。したがっ
て、処理装置５のロードロック室５１と基板移載装置１
の本体１１とが、連結手段２００を介して密閉状態で連
結されることになる。また、シャッタ２０３によって側
壁開口１３を閉じた状態で、本体１１に対してロードロ
ック室５１内を減圧することで、シャッタ２０３がロー
ドロック室５１の基板搬送口５２に真空吸着され、基板
搬送口５１に設けられたＯリング５２ｂがシャッタ２０
３に圧着され、これによってロードロック室５１内が密
閉される。一方、シャッタ２０３を閉じた状態で、ロー
ドロック室５１に対して本体１１内を減圧することで、
シャッタ２０３が本体１１の側壁開口１３に真空吸着さ
れ、側壁開口１３に設けられたＯリング５２ｂがシャッ
タ２０３に圧着され、これによって本体１１内が密閉さ
れるのである。
【００２１】また、図１に示したガス導入管１４は、上
部開口１２の極近い位置において本体１１に接続され、
アルゴンガスなどの不活性ガス、窒素ガス、またはドラ
イエアー（好ましくは水分濃度１０ｐｐｍ）等の不活性
なガス（以下、不活性ガスと記す）を本体１１内に供給
する。
【００２２】そして、排気管１５は、本体１１の底部付
近において当該本体１１に接続されると共に、ここでの
図示は省略した排気弁を介して排気ポンプに接続され、
本体１１内のガスを排気する。また、本体１１には、本
体１１内のガスを循環させる循環経路を設けても良い。
【００２３】図４には、この循環経路の一例を示す。循
環経路３００は、ガス導入管１４に設けられた給気弁１
４ａよりも本体側と、排気管１５に設けられた排気弁１
５ａよりも本体側において、ガス導入管１４と排気管１
５とを配管３０１で接続し、この配管３０１に循環ポン
プ３０２を設けてなる。循環ポンプ３０２は、排気管１
５側からガス導入管１４側に向かってガスを流すように
設置されていることとする。
【００２４】さらに、この循環経路３００には、排気弁
１５ａよりも本体側の排気管１５部分に接続させて、排
気ガス中の酸素濃度及び水分濃度を測定するための測定
ユニット３０３が設けられている。また、配管３０１に
は、酸素を吸着除去するためのフィルタ及び水分を吸着
除去するためのフィルタが設けられた吸着室３０４が設
けられており、配管３０１内を流れるガスがこの吸着室
３０４内の各フィルタを通過するように構成されてい
る。ここで、フィルタ剤としては、例えば酸素を吸着除
去する銅触媒及び水分を吸着する分子ふるい（モレキュ
ラーシーブ）を用いることとする。このようなフィルタ
剤を備えた触媒吸着ユニットとしては、例えばダルトン
社のイナートガスクリーニング装置ＧＲ６０−Ａ型，Ｇ
Ｒ６０／２−Ａ型、ＭＢＲＡＵＮ社の不活性ガス精製装
置ＭＢ−２０−Ｇ−Ｔ−Ｗ，ＭＢ１５０Ｂ−Ｇ，Ｌａｂ
ｍａｓｔｅｒ１３０，Ｌａｂｓｔａｒ５０等を用いるこ
とができる。尚、吸着室３０４は、吸着除去する目的分
子毎に個別に設けても良い。
【００２５】また、図１に示した開閉機構１６は、コン
テナ３の底部開口３２を塞いだ状態の底蓋３３が載置さ
れ、さらに載置された底蓋３３をコンテナ３の本体３１
から取り外す様に構成されている。
【００２６】カセット昇降機１７は、開閉機構１６の底
部に立設された軸状体からなり、コンテナ３の底部から
側壁開口１３の下部までの範囲で、開閉機構１６を自在
に昇降させる。
【００２７】そして、移載アーム１８は、カセット昇降
機１７の昇降によって側壁開口１３の下部にまで開閉機
構１６を降下させた状態で、この開閉機構１６上の底蓋
３３に載置されているカセットＳを、底蓋３３上から処
理装置５のロードロック室５１内に移載し、さらにはこ
の逆の移載を行う。
【００２８】以上、図１乃至図４を用いて説明した移載
装置１では、本体１１に設けられた側壁開口１３と処理
装置５に設けられた基板搬送口５２とを，連結手段２０
０を介して連結することで、この本体１１と処理装置５
のロードロック室５１とが密閉状態を保って連通され、
処理装置５に対して移載装置１を後付けすることが可能
になる。また、本体１１に設けられた側壁開口１３と上
部開口１２とによって、コンテナ３及び処理装置５に対
して外部との気密状態を保って本体１１を連通させるこ
とが可能になるため、この本体１１内を介してコンテナ
３と処理装置５との間で、外気に晒すことなく基板Ｗの
移載を行うことが可能になる。しかも、本体１１に接続
させた排気管１５からの排気とガス供給管１４からの不
活性なガスの供給によって本体１１内を不活性なガスに
置換することが可能になる。この結果、基板移載ユニッ
トが組み込まれていない処理装置であっても、この移載
装置１を後付けすることで、基板Ｗへのガス吸着を防止
しながらコンテナとの間で基板Ｗの移載を行うことが可
能になる。
【００２９】また、本体１１の内壁が金属や脱ガス量の
小さい樹脂を用いて構成されることから、この内壁から
の脱ガスを少なく抑えることができ、基板Ｗ表面の汚染
を防止できる。さらに、本体１１の一部の壁面を透明な
樹脂で構成した場合には、この透明樹脂部から本体１１
内部における基板Ｗの移載状態を監視することができ
る。
【００３０】さらに、吸着室３０４を備えた循環経路３
００を本体１１に設けたことで、酸素及び水分を除去し
ながら、本体１１内のガスを循環させることができる。
したがって、本体１１内がある程度の不活性雰囲気に達
した後は、ガス導入管１４から新鮮な不活性ガスを供給
しつづけることなく、本体１１内のガス雰囲気を不活性
に保つことが可能になり、不活性ガスの節約を図ること
ができる。
【００３１】次に、このような構成の移載装置１が連結
される処理装置５の一構成例を説明する。
【００３２】処理装置５は、例えばこの図１に示したよ
うに、基板Ｗの搬送室として設けられたロードロック室
５１、ロードロック室５１に接続された基板待機室５
３、基板待機室５３に接続された処理室５４を備えてお
り、これらの各室は外部に対して気密状態を保ちながら
も開閉自在なシャッタ（図示省略）を介して連結されて
いる。
【００３３】ロードロック室５１の側壁には、外部に対
して気密状態を保った状態で、移載装置１の本体１１に
設けられた側壁開口１３と連結される基板搬送口５２が
設けられている。この基板搬送口５２は、例えば上述し
たように、側壁開口１３に向かう周縁部分に溝５２ａを
形成してなるフランジ構造になっており、溝５２ａ内に
Ｏリング５２ｂがはめ込まれている。
【００３４】このロードロック室５１内には、基板Ｗが
保持されたカセットＳを所定の高さに昇降させる昇降機
５７が設置されている。また、ロードロック室５１に
は、排気ポンプを備えた排気管５８が接続されている。
【００３５】また、基板待機室５３内には、ロードロッ
ク室５１内に導入されたカセットＳ内の基板Ｗを一枚ず
つ取り出して処理室５４内に搬入し、また処理室５４内
の基板Ｗをロードロック室５１のカセットＳに収納する
ためのアーム５９が設置されている。
【００３６】このような構成の処理装置５に対して、上
述した構成の移載装置１を連結させてコンテナ３−処理
装置５間で基板移載を行うには、次のようにする。
【００３７】先ず、予め、移載装置１の側壁開口１３と
処理装置５の基板搬送口５２とを連結させ、移載装置１
の本体１１と処理装置５のロードロック室５１とを密閉
状態で連通させておく。そして、カセットＳに保持され
た基板Ｗが収納され、かつ内部が不活性ガス（例えば窒
素）で置換されているコンテナ３の底部開口３２を、移
載装置１の上部開口１２に対して連結させる。これによ
って、コンテナ３の底蓋３３で移載装置１の上部開口１
２を塞ぎ、移載装置１の本体１１と処理装置５のロード
ロック室５１とを連通させた密閉状態にする。
【００３８】次に、本体１１の排気管１５及びロードロ
ック室５１の排気管５８から排気を行いながら、ガス導
入管１４から本体１１及びロードロック室５１内に不活
性ガス（例えば窒素）を導入することによって、これら
の内部を不活性な雰囲気に置換する。
【００３９】この際、排気管１５に設けられた測定ユニ
ット３０３によって、本体１１から排気されるガス中の
水分濃度及び酸素濃度を分析する。そして、水分濃度及
び酸素濃度が所定の値（例えば１０００ｐｐｍ以下）に
達したところで、ガス導入管１４の給気弁１４ａを閉じ
て本体１１内への不活性ガスの導入を停止すると共に、
排気管１５の排気弁１５ａを閉じる。これと同時に、配
管３０１の循環ポンプ３０２を作動させて本体１１内の
ガスを循環経路３００を介して循環させる。
【００４０】その後、開閉機構１６によってコンテナ３
の底蓋３３を開くと共に、カセット昇降機１７を降下さ
せることによって、底蓋３３上に載置されたカセットＳ
を本体１１内に搬入する。次に、移載アーム１８によっ
て、カセットＳを本体１１内からロードロック室５１内
のカセット昇降機５７上に移載する。次いで、シャッタ
２０３によって基板搬送口５２を閉じ、本体１１に対し
てロードロック室５１を密閉し、ロードロック室５１内
のガスを排気管５８から排気して内部を所定の減圧状態
にする。
【００４１】その後、ロードロック室５１と基板待機室
５３との間のシャッタ（図示省略）を開き、カセット昇
降機５７を下降または上昇させてカセットＳの高さを調
整しつつ、基板待機室５３内のアーム５９によってカセ
ットＳから基板Ｗを取り出して基板待機室５３に搬入す
る。次に、ロードロック室５１と基板待機室５３との間
のシャッタを閉じ、基板待機室５３と処理室５４との間
のシャッタ（図示省略）を開き、アーム５９によって基
板待機室５３内の基板Ｗを処理室５４内に搬入する。
【００４２】以上のようにしてコンテナ３内から処理室
５４内に基板Ｗを移載した後、基板待機室５３と処理室
５４との間のシャッタを閉じ、処理室５４内にて基板Ｗ
の処理を行う。
【００４３】そして、基板Ｗの処理が終了した後、基板
Ｗは、上記と逆の手順でコンテナ３内に戻される。この
際、移載装置１の本体１１内のガスは循環経路３００内
を循環させることによって不活性な雰囲気に保たれてい
ることとし、シャッタ２０３を開くことで、本体１１内
の不活性ガスを減圧状態のロードロック室５１内に導入
する。また、カセット昇降機１７を上昇させることでカ
セットＳをコンテナ３内に収納する場合、底蓋３３によ
ってコンテナ３の底面開口３２が完全に閉じられる寸前
でカセット昇降機１７を一時停止させ、この状態で本体
１１のガス導入管１４から不活性なガスを供給すること
で、コンテナ３内を確実に不活性な雰囲気、好ましくは
コンテナ３内の水分濃度及び酸素濃度を１０００ｐｐｍ
以下にする。その後、カセット昇降機１７を再上昇さ
せ、開閉機構１６によって底蓋３３を閉じ、移載装置１
の本体１１に対してコンテナ３を密閉する。
【００４４】以上の後、コンテナ３を移載装置１から取
り外して次の工程で用いられる処理装置に搬送し、上述
と同様にして次の処理装置に基板Ｗを移載させ、密閉さ
れた処理室内にて基板Ｗの処理を行う。
【００４５】以上説明した移載方法では、コンテナ３−
移載装置１間、及び移載装置１−処理装置５間におい
て、基板Ｗを不活性な雰囲気内に保ちつつ移載すること
ができる。このため、大気中のガス分子の吸着などによ
る基板Ｗの汚染を防止した状態で、コンテナ３と処理装
置５との間で基板Ｗの移載を行うことが可能になる。
【００４６】しかも、本体１１内がある程度の不活性雰
囲気に保たれた状態で、ガス導入管１４からの不活性ガ
スの供給を停止させて、本体１１内のガスを循環経路３
００を用いて循環させている。ここで、従来は、本体１
１内の不活性雰囲気を維持することを目的として、少量
の不活性ガスを流し続けていたため、大量の不活性ガス
を消費していた。しかし、本実施形態のように本体１１
内のガスを吸着室３０４を通過させながら循環させるこ
とで、不活性ガスの節約を図りながらも本体１１内のガ
ス雰囲気を不活性に保つことが可能になる。
【００４７】（第２実施形態）図５には、図１乃至図４
を用いて説明した構成の移載装置１を、他の構成の処理
装置に連結させた場合の構成を示す。
【００４８】この図５に示す処理装置５’は、図１に示
した処理装置におけるロードロック室５１のさらに前室
として、カセット待機室６１を備えた構成になってい
る。このため、移載装置１の本体１１に設けられた側壁
開口１３は、外部との気密状態を保って、カセット待機
室６１の側壁に設けられた基板搬送口６２と連結される
こととする。そして、ロードロック室５１とカセット待
機室６１との間も、外部に対して気密状態を保ちながら
も開閉自在なシャッタ５６を介して連結されていること
とする。
【００４９】さらに、カセット待機室６１は、天井部の
全面にフィルタ６５が設置されていると共に、移載装置
１の本体１１内から移載されたカセットＳを、カセット
待機室６１とロードロック室５１との間で移載するため
のカセット移載アーム６６が設置されている。
【００５０】このように構成された処理装置５’に対し
て移載装置１を連結させて基板搬送を行うには、次のよ
うにする。
【００５１】先ず、予め、移載装置１の側壁開口１３と
処理装置５’の基板搬送口６２とを連結手段２００を介
して連結させ、移載装置１の本体１１と処理装置５’の
カセット待機室６１及びロードロック室５１とを連通さ
せておく。そして、カセットＳに保持させた基板Ｗが収
納され、かつ内部が不活性ガス（例えば窒素）で置換さ
れているコンテナ３の底部開口３２を、移載装置１の上
部開口１２に対して連結させる。これによって、コンテ
ナ３の底蓋３３で移載装置１の上部開口１２を塞ぎ、移
載装置１の本体１１内、処理装置５’のカセット待機室
６１及びロードロック室５１内を連通させた密閉状態に
する。
【００５２】次に、本体１１の排気管１５及びロードロ
ック室５１の排気管５８から排気を行いながら、ガス導
入管１４から本体１１、カセット待機室６１及びロード
ロック室５１内に不活性ガス（例えば窒素）を導入する
ことによって、これらの内部を不活性な雰囲気に置換す
る。
【００５３】この際、第１実施形態と同様に、測定ユニ
ット３０３によって測定された水分濃度及び酸素濃度が
所定の値（例えば１０００ｐｐｍ以下）に達したところ
で、本体１１内へのガス導入管１４からの不活性ガスの
導入を停止し、排気管１５の排気弁１５ａを閉じる。そ
して、配管３０１の循環ポンプ３０２を作動させて本体
１１内のガスを循環させる。
【００５４】その後、開閉機構１６によってコンテナ３
の底蓋３３を開くと共に、カセット昇降機１７を降下さ
せることによって、底蓋３３上に載置されたカセットＳ
を本体１１内に搬入する。次に、移載アーム１８によっ
て、カセットＳを本体１１内からカセット待機室６１内
に移載する。さらに続けて、カセット移載アーム６６に
よって、カセット待機室６１内のカセットＳを、ロード
ロック室５１に移載する。
【００５５】以上の後、シャッタ５６によって基板搬送
口５２を閉じて本体１１及びカセット待機室６１に対し
てロードロック室５１を密閉し、以降第１実施形態で説
明したと同様にして基板Ｗを処理室５４に搬入する。処
理室５４内での処理が終了した後、基板Ｗは搬入時と逆
の順序でコンテナ３内に戻される。
【００５６】このような移載方法であっても、第１実施
形態と同様に、大気中のガス吸着などによる基板Ｗの汚
染を防止した状態で、コンテナ３と処理装置５’との間
で基板Ｗの移載を行うことが可能になる。また、不活性
ガスの節約を図ることもできる。
【００５７】（第３実施形態）図６には、図１乃至図４
を用いて説明した構成の基板移載装置１を、さらに他の
構成の処理装置５”に連結させた場合の構成を示す。
【００５８】この図６に示す基板処理装置５”は、図１
に示した処理装置におけるロードロック室（５１）と基
板待機室（５２）とを一体化させた、ロードロック室５
１”を備えた構成になっており、ロードロック室５１”
内には、コンテナ３内から移載されたカセットＳに保持
された基板Ｗを一枚ずつ取り出して処理室５４内に搬入
し、また処理室５４内の基板Ｗをロードロック室５１”
のカセットＳに収納するためのアーム５９が設置されて
いる。
【００５９】このように構成された処理装置５”に対し
て移載装置１を連結させて基板搬送を行うには、次のよ
うにする。
【００６０】先ず、予め、移載装置１の側壁開口１３と
処理装置５”の基板搬送口５２とを連結手段２００を介
して連結させ、移載装置１の本体１１と処理装置５”の
ロードロック室５１”とを連通させておく。そして、カ
セットＳに保持された基板Ｗが収納され、かつ内部が不
活性ガス（例えば窒素）で置換されているコンテナ３の
底部開口３２を、移載装置１の上部開口１２に対して連
結させる。これによって、コンテナ３の底蓋３３で移載
装置１の上部開口１２を塞ぎ、移載装置１の本体１１内
及び処理装置５のロードロック室５１”内を連通させた
密閉状態にする。
【００６１】以下、第１実施形態と同様にして、本体１
１及びロードロック室５１”内を不活性な雰囲気に置換
し、所定の不活性雰囲気に達した状態で、本体１１に設
けられた循環経路３００によって内部のガスを循環させ
ておく。この状態で、カセットＳをロードロック室５
１”内のカセット昇降機５７上に移載した後、シャッタ
２０３を閉じてロードロック室５１”内を減圧状態にす
る。次に、ロードロック室５１”と処理室５４との間の
シャッタ（図示省略）を開き、カセット昇降機５７を下
降または上昇させてカセットＳの高さを調整しつつ、ロ
ードロック室５１”内のアーム５９によってカセットＳ
から基板Ｗを取り出して処理室５４内に搬入する。
【００６２】以上のようにしてコンテナ３内から処理室
５４内に基板Ｗを移載した後、ロードロック室５１”と
処理室５４との間のシャッタを閉じ、処理室５４内にて
基板Ｗの処理を行う。
【００６３】基板Ｗの処理が終了した後、上記と逆の手
順で基板Ｗがコンテナ３内に戻される。この際、第１実
施形態と同様に、移載装置１の本体１１内は不活性な雰
囲気に保たれていることとし、ロードロック室５１”と
本体１１との間のシャッタ２０３を開くことで、本体１
１内の不活性なガスが減圧状態のロードロック室５１”
内に導入される。また、カセット昇降機１７を上昇させ
ることでカセットＳをコンテナ３内に収納する場合は、
第１実施形態と同様に行うこととする。
【００６４】このような移載方法であっても、第１実施
形態及び第２実施形態と同様に、大気中のガス分子の吸
着などによる基板Ｗの汚染を防止した状態で、コンテナ
３と処理装置５”との間で基板Ｗの移載を行うことが可
能になると共に、不活性ガスの節約を図ることができ
る。
【００６５】以上の実施形態においては、側壁開口１３
にシャッタ２０３を備えた連結手段２００を設けた構成
の移載装置１を説明した。しかし、移載装置と処理装置
との連結部分にシャッタを設ける必要のない場合には、
このような構成の連結手段２００を設ける必要はない。
例えば、第２実施形態で図５を用いて例示した処理装置
のように、ロードロック室５１の前室として、密閉状態
を保って開閉可能なシャッタ５６を介してカセット待機
室６１が設けられている場合には、カセット待機室６１
と移載装置の本体１１との間にシャッタ２０３を設ける
必要はない。
【００６６】このような場合には、本体１１の側壁開口
１３の周囲に２重パッキンを設け、この２重パッキン間
に排気口を設けた構成とすることで、カセット待機室６
１の基板搬送口６２に対して密閉状態を保って側壁開口
１３を連結することができ、これによって上記実施形態
と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板移載装
置によれば、基板移載装置の本体に設けられた第１開口
と第２開口とによって基板搬送コンテナ及び基板処理装
置に対して外部との気密状態を保って当該本体を連通さ
せることができる。このため、基板移載ユニットが組み
込まれていない基板処理装置であっても、基板移載装置
を後付けすることが可能になり、基板製造における装置
コストを抑えながらも、基板へのガス分子の吸着を防止
しながらコンテナと基板処理装置との間で基板の移載を
行うことができる。
【００６８】また、本発明の基板移載方法によれば、大
気中のガス分子によって基板を汚染させることなく基板
搬送コンテナと基板処理装置との間で基板を移載するこ
とが可能になる。したがって、基板表面において自然酸
化膜等の望ましくない物質の成長を防止でき、基板処理
装置でのプロセス処理を安定して行うことが可能にな
る。この結果、電子基板（基板）を用いた電子機器にお
いて、電気的特性などの品質の保持を保持することがで
き、歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を説明するための概略構
成図である。
【図２】本発明の基板移載装置における連結部の断面図
である。
【図３】本発明の基板移載装置における連結部の正面図
である。
【図４】本発明の基板移載装置における循環経路の構成
図である。
【図５】本発明の第２実施形態を説明するための概略構
成図である。
【図６】本発明の第３実施形態を説明するための概略構
成図である。
【符号の説明】
１…移載装置（基板移載装置）、３…コンテナ（基板搬
送コンテナ）、５，５’，５”…処理装置（基板処理装
置）、１１…本体、１２…上部開口（第１開口）、１３
…側壁開口（第２開口）、１４…ガス供給管、１５…排
気管、１６…開閉機構、１７…カセット昇降機（移載機
構）、１８…移載アーム（移載機構）、３２…底部開口
（基板搬送口）、３３…底蓋、５２，６２…基板搬送
口、３００…循環経路、３０４…吸着室、２０１ａ…
溝、２０１ｂ…Ｏリング、Ｗ…基板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板搬送コンテナと基板処理装置との間
    で基板を移載するために用いられる基板移載装置であっ
    て、 基板が収納される筐体状の本体と、 前記本体に設けられ外部との気密状態を保って前記基板
    搬送コンテナの基板搬送口と連結される第１開口と、 前記本体に設けられ外部との気密状態を保って前記基板
    処理装置の基板搬送口と連結される第２開口と、 前記本体に接続された排気管と、 前記第１開口と前記基板搬送コンテナの基板搬送口が連
    結された状態で、当該基板搬送口に設けられた蓋を開閉
    する開閉機構と、 前記本体内に設置された基板移載用の移載機構とを備え
    たことを特徴とする基板移載装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の基板移載装置において、 前記本体の内壁は金属で構成されていることを特徴とす
    る基板移載装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の基板移載装置において、 前記本体は、少なくともその一部分が透明材料で構成さ
    れていることを特徴とする基板移載装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の基板移載装置において、 前記第２開口の周縁には、前記基板処理装置の基板搬送
    口の周囲の壁面に当接される２重パッキンと、 前記２重パッキン間のガスを排気する排気管とを設けた
    ことを特徴とする基板移載装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の基板移載装置において、 前記本体には、当該本体内に不活性なガスを導入するた
    めのガス導入管が設けられると共に、当該本体内のガス
    を循環させる循環経路が設けられ、 前記循環経路には、酸素を吸着除去する吸着室及び水分
    を吸着除去する吸着室の少なくとも一方が設けられたこ
    とを特徴とする基板移載装置。
  6. 【請求項６】 基板搬送コンテナと基板処理装置との間
    で基板を移載する基板移載方法であって、 内部が不活性な雰囲気に保たれた前記基板搬送コンテナ
    と基板移載装置とを外部に対して気密状態を保って連通
    させ、当該基板移載装置内に設けられた基板移載機構に
    よって前記基板搬送コンテナと当該基板移載装置との間
    で基板を移載する工程と、 内部が不活性な雰囲気に保たれた前記基板移載装置と前
    記基板処理装置とを外部に対して気密状態を保って連通
    させ、前記基板移載機構によって当該基板移載装置と前
    記基板処理装置との間で基板を移載する工程とを行うこ
    とを特徴とする基板移載方法。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の基板移載方法において、 前記基板搬送コンテナ、基板移載装置及び基板処理装置
    内の不活性な雰囲気は、窒素ガス雰囲気であることを特
    徴とする基板移載方法。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の基板移載方法において、 前記基板移載装置と前記基板処理装置とを連通する際、
    当該基板移載装置の開口部の全周に亘って設けられた２
    重パッキンを当該基板処理装置の開口部の周囲に当接さ
    せた状態で、当該２重パッキン間を減圧することを特徴
    とする基板移載方法。
  9. 【請求項９】 請求項６記載の基板移載方法において、 前記基板移載装置の内部を不活性な雰囲気にした状態
    で、当該基板移載装置内のガスを循環経路を介して循環
    させると共に、当該循環経路内において当該ガス中の水
    分及び酸素の少なくとも一方を吸着除去することを特徴
    とする基板移載方法。
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