JP2001274500A - Semiconductor laser device - Google Patents
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、主として光ディ
スク装置等に用いられる半導体レーザ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device mainly used for an optical disk device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体レーザ装置において、半導
体レーザチップをサブマウントする際には、熱膨張係数
や熱伝導率の点からＳi基板やＳiＮ基板上にサブマウン
トが行われている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor laser device, when a semiconductor laser chip is sub-mounted, the sub-mount is performed on a Si substrate or a SiN substrate in view of a coefficient of thermal expansion and a thermal conductivity.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ装置においては、半導体レーザチップ
をＳi基板またはＳiＮ基板上にサブマウントが行われて
いるため、この様な材料の基板によって容量の大きなコ
ンデンサを構成することは不可能である。したがって、
サブマウント部において上記半導体レーザチップと並列
接続された容量成分を設けてノイズに対して安定して動
作する半導体レーザ装置を得る場合には、容量の大きな
コンデンサを外付けする必要があり、コストがアップ
し、サブマウント部に大きな容積を取るという問題があ
る。However, in the above-mentioned conventional semiconductor laser device, since the semiconductor laser chip is sub-mounted on the Si substrate or the SiN substrate, the substrate made of such a material has a large capacitance. It is impossible to construct a capacitor. Therefore,
In order to obtain a semiconductor laser device that operates stably against noise by providing a capacitance component connected in parallel with the semiconductor laser chip in the submount, it is necessary to externally attach a large-capacity capacitor, resulting in cost reduction. And there is a problem that the submount part takes up a large volume.
【０００４】そこで、この発明の目的は、サブマウント
用の基板に大きな容量の容量素子としても機能を持たせ
て、ノイズに強い安価な半導体レーザ装置を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to provide an inexpensive semiconductor laser device which is resistant to noise by making a submount substrate also function as a large-capacity capacitive element.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体レーザ装置は、リードフレーム上
に載置されると共に,強誘電体で構成された基板と、上
記基板の表面に形成された表面電極と、上記表面電極上
に載置されると共に,一方の電極が上記表面電極に電気
的に接続された半導体レーザチップを備えたことを特徴
としている。In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to the present invention is mounted on a lead frame and formed on a substrate made of a ferroelectric substance and on a surface of the substrate. And a semiconductor laser chip mounted on the surface electrode and having one electrode electrically connected to the surface electrode.
【０００６】上記構成によれば、リードフレーム上に載
置された強誘電体の基板と半導体レーザチップの一方の
電極とが表面電極を介して電気的に接続されている。し
たがって、上記半導体レーザチップの他方の電極と上記
リードフレームとを電気的に接続することによって、上
記基板を、上記半導体レーザチップと並列に接続された
容量素子として機能させることができ、ノイズに対して
安定して動作させることができる。According to the above configuration, the ferroelectric substrate mounted on the lead frame and one electrode of the semiconductor laser chip are electrically connected via the surface electrode. Therefore, by electrically connecting the other electrode of the semiconductor laser chip and the lead frame, the substrate can function as a capacitive element connected in parallel with the semiconductor laser chip, thereby reducing noise. Stable operation.
【０００７】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記半導体レーザチップの他方の電極と上記リードフレー
ムとを電気的に接続することが望ましい。In the semiconductor laser device of the present invention, it is desirable that the other electrode of the semiconductor laser chip and the lead frame are electrically connected.
【０００８】上記構成によれば、上記基板は、上記半導
体レーザチップと並列に接続された容量素子として機能
する。したがって、ノイズに対して安定して動作するこ
とができる。According to the above configuration, the substrate functions as a capacitor connected in parallel with the semiconductor laser chip. Therefore, it can operate stably with respect to noise.
【０００９】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記基板には所定の傾斜角を有する傾斜面によって表面に
連なる凹部が設けられており、上記表面電極は上記凹部
の底面に形成されていることが望ましい。In the semiconductor laser device of the present invention, the substrate is provided with a concave portion connected to the surface by an inclined surface having a predetermined inclination angle, and the surface electrode is formed on the bottom surface of the concave portion. Is desirable.
【００１０】上記構成によれば、上記セラミック基板の
凹部底面に形成された上記表面電極上に載置された半導
体レーザチップから、傾斜面に向って水平方向にレーザ
光が出射される。そうすると、上記レーザ光は、上記傾
斜面によって上方に反射される。したがって、上記レー
ザ光との位置合わせが必要な光学系は上記リードフレー
ムに対向させて配置すればよく、当該光学系との位置合
わせが容易になる。According to the above configuration, laser light is emitted in a horizontal direction toward the inclined surface from the semiconductor laser chip mounted on the surface electrode formed on the bottom surface of the concave portion of the ceramic substrate. Then, the laser light is reflected upward by the inclined surface. Therefore, the optical system that needs to be aligned with the laser beam may be disposed so as to face the lead frame, and the alignment with the optical system becomes easy.
【００１１】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記傾斜面の傾斜角を４５度にすることが望ましい。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, it is preferable that the inclination angle of the inclined surface is 45 degrees.
【００１２】上記構成によれば、上記半導体レーザチッ
プから水平方向に出射されたレーザ光は、上記傾斜面に
よって上記平面電極に対して垂直方向に反射される。According to the above configuration, the laser light emitted from the semiconductor laser chip in the horizontal direction is reflected by the inclined surface in the direction perpendicular to the plane electrode.
【００１３】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記傾斜面を、上記半導体レーザチップの発光点を中心と
する円弧状に配置することが望ましい。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, it is preferable that the inclined surface is arranged in an arc shape centering on a light emitting point of the semiconductor laser chip.
【００１４】上記構成によれば、上記基板上に半導体レ
ーザチップを実装する際に上記半導体レーザチップの発
光点の方向や位置がずれても、出射光が上記表面電極に
対して上方に出射される。その結果、上記レーザ光の上
方への光軸が半導体レーザチップの実装時の位置や方向
ずれに対して非常に安定している。したがって、半導体
レーザチップの実装が非常に容易になる。According to the above configuration, when the semiconductor laser chip is mounted on the substrate, even if the direction or the position of the light emitting point of the semiconductor laser chip is shifted, the emitted light is emitted upward with respect to the surface electrode. You. As a result, the upward optical axis of the laser light is very stable with respect to the position and direction shift when the semiconductor laser chip is mounted. Therefore, mounting of the semiconductor laser chip becomes very easy.
【００１５】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記基板をセラミック基板で成すことが望ましい。In the semiconductor laser device according to the present invention, it is preferable that the substrate is formed of a ceramic substrate.
【００１６】上記構成によれば、上記容量素子として機
能させる上記基板をセラミックで構成するので、大きな
容量値が得られる。According to the above configuration, since the substrate functioning as the capacitance element is made of ceramic, a large capacitance value can be obtained.
【００１７】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記半導体レーザチップから出射されたレーザ光あるいは
上記傾斜面で反射されたレーザ光の光軸上に配置された
ホログラムと、上記ホログラムからの高次光を受光する
受光素子を備えることが望ましい。The semiconductor laser device according to the present invention may further comprise a hologram disposed on the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser chip or the laser light reflected on the inclined surface, and a higher-order light from the hologram. It is desirable to have a light receiving element for receiving light.
【００１８】上記構成によれば、上記半導体レーザチッ
プから出射されたレーザ光はホログラムに至る。そし
て、上記ホログラムから出射されて対象物で反射したレ
ーザ光が再びホログラムに戻ってきた際に、光軸から一
定角度曲がった高次光が発生され、その高次光の出力特
性が受光素子によって検出されて、対象物の状態が検出
される。According to the above configuration, the laser beam emitted from the semiconductor laser chip reaches the hologram. Then, when the laser light emitted from the hologram and reflected by the object returns to the hologram again, higher-order light bent by a certain angle from the optical axis is generated, and the output characteristics of the higher-order light are detected by the light-receiving element, The state of the object is detected.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導
体レーザ装置におけるサブマウント構造を示す図であ
る。図１において、リードフレーム１上にセラミック基
板２を搭載し、このセラミック基板２上に表面電極３を
介してレーザダイオードチップ４を搭載する。こうし
て、レーザダイオード４の下側の電極(図示せず)を表面
電極３に電気的に接続する。一方、レーザダイオードチ
ップ４における上側の電極(図示せず)とリードフレーム
１をＡu(金)線５で接続する。また、表面電極３とリー
ドフレーム６とをＡu線７で接続する。その場合、強誘
電体であるセラミック基板２は表面電極３とリードフレ
ーム１とで挟まれているために容量素子として機能し、
然もレーザダイオードチップ３と並列接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 is a diagram showing a submount structure in the semiconductor laser device of the present embodiment. In FIG. 1, a ceramic substrate 2 is mounted on a lead frame 1, and a laser diode chip 4 is mounted on the ceramic substrate 2 via a surface electrode 3. Thus, the lower electrode (not shown) of the laser diode 4 is electrically connected to the surface electrode 3. On the other hand, the upper electrode (not shown) of the laser diode chip 4 and the lead frame 1 are connected by an Au (gold) wire 5. Further, the surface electrode 3 and the lead frame 6 are connected by an Au wire 7. In this case, the ferroelectric ceramic substrate 2 functions as a capacitive element because it is sandwiched between the surface electrode 3 and the lead frame 1,
Of course, it is connected in parallel with the laser diode chip 3.
【００２０】このように、上記レーザダイオードチップ
４と並列に容量素子を接続することによって、ノイズに
対して安定して動作する半導体レーザ装置を得ることが
できるのである。その場合、レーザダイオードチップ４
が搭載されているセラミック基板２が上記容量素子とし
て機能するために、上記サブマウント部に容量の大きな
コンデンサを外付けする必要はない。したがって、コン
デンサを外付けする場合に比して、コストを低減し、サ
ブマウント部をコンパクトにできる。また、セラミック
基板２の熱膨張係数に関しては、レーザダイオードチッ
プ４と表面電極３との中間の値を選定することによっ
て、熱応力での劣化を回避するようにしている。As described above, by connecting the capacitance element in parallel with the laser diode chip 4, a semiconductor laser device which operates stably against noise can be obtained. In that case, the laser diode chip 4
Since the ceramic substrate 2 on which the substrate is mounted functions as the capacitance element, it is not necessary to externally attach a large-capacity capacitor to the submount. Therefore, the cost can be reduced and the submount can be made compact as compared with the case where a capacitor is externally mounted. As for the coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate 2, an intermediate value between the laser diode chip 4 and the surface electrode 3 is selected to avoid deterioration due to thermal stress.
【００２１】上述したように、本実施の形態において
は、レーザダイオードチップ４のマウント用基板とし
て、リードフレーム１上に搭載されると共に表面に表面
電極３が形成されたセラミック基板２を用いている。そ
して、この表面電極３とリードフレーム１とで挟まれた
セラミック基板２を、レーザダイオードチップ４と並列
に接続された容量素子として機能させるように配線して
いる。したがって、ノイズに対して安定して動作させる
ための容量の大きなコンデンサを外付けする必要がなく
なり、コストを低減し、サブマウント部をコンパクトに
構成することができるのである。As described above, in the present embodiment, as the mounting substrate for the laser diode chip 4, the ceramic substrate 2 mounted on the lead frame 1 and having the surface electrodes 3 formed on the surface is used. . The ceramic substrate 2 sandwiched between the surface electrode 3 and the lead frame 1 is wired so as to function as a capacitor connected in parallel with the laser diode chip 4. Therefore, it is not necessary to externally attach a large-capacity capacitor for stably operating against noise, so that the cost can be reduced and the submount can be made compact.
【００２２】図２は、他の実施の形態の半導体レーザ装
置におけるサブマウント構造を示す断面図である。ま
た、図３は、当該サブマウント構造の平面図である。
尚、図２は、図３におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a submount structure in a semiconductor laser device according to another embodiment. FIG. 3 is a plan view of the submount structure.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
【００２３】図２および図３において、リードフレーム
１１上にセラミック基板１２を搭載している。このセラ
ミック基板１２は、一端側の領域１２aの厚みは他端側
の領域１２bの厚みよりも所定厚み分だけ薄くなってい
る。そして、領域１２aと領域１２bとの境界部には、４
５度の傾斜を有する傾斜面１３が、上記一端側の領域１
２a上に表面電極１４を介して搭載されたレーザダイオ
ードチップ１５のレーザ発光点１５aを中心とする円弧
状に形成されている。2 and 3, a ceramic substrate 12 is mounted on a lead frame 11. In the ceramic substrate 12, the thickness of the one end region 12a is smaller than the thickness of the other end region 12b by a predetermined thickness. The boundary between the area 12a and the area 12b is
The inclined surface 13 having an inclination of 5 degrees corresponds to the region 1 on the one end side.
The laser diode chip 15 mounted on the surface 2a via the surface electrode 14 is formed in an arc shape centered on the laser emission point 15a.
【００２４】さらに、上記レーザダイオードチップ１５
における上側の電極(図示せず)とリードフレーム１１と
をＡu線１６で接続する。また、レーザチップダイオー
ド１５における下側の電極(図示せず)に電気的に接続さ
れている表面電極１４とリードフレーム１７とをＡu線
１８で接続する。その場合、強誘電体であるセラミック
基板１２は表面電極１４とリードフレーム１１とで挟ま
れているために容量素子として機能し、然もレーザダイ
オードチップ１５と並列接続されている。したがって、
ノイズに対して安定して動作することができる。Further, the laser diode chip 15
Is connected to the lead frame 11 by an Au wire 16. Further, the surface electrode 14 electrically connected to the lower electrode (not shown) of the laser chip diode 15 and the lead frame 17 are connected by the Au wire 18. In this case, the ferroelectric ceramic substrate 12 functions as a capacitive element because it is sandwiched between the surface electrode 14 and the lead frame 11, and is connected in parallel with the laser diode chip 15. Therefore,
It can operate stably against noise.
【００２５】また、本実施の形態においては、上記セラ
ミック基板１２における一端側の領域１２aとこの領域
１２aよりも一段高い他端側の領域１２bとの境界部に、
４５度の傾斜を有する傾斜面１３を形成している。した
がって、レーザダイオードチップ１５のレーザ発光点１
５aから図中水平方向に出射されたレーザ光は、セラミ
ック基板１２の傾斜面１３で反射されて、実装面である
表面電極１４に対して垂直方向に出射されることにな
る。したがって、他の光学系との位置あわせを容易に行
うこと可能になる。In the present embodiment, the boundary between the region 12a at one end of the ceramic substrate 12 and the region 12b at the other end, which is one step higher than the region 12a,
An inclined surface 13 having a 45-degree inclination is formed. Therefore, the laser emission point 1 of the laser diode chip 15
The laser light emitted in the horizontal direction in the figure from 5a is reflected by the inclined surface 13 of the ceramic substrate 12, and is emitted in a direction perpendicular to the surface electrode 14 which is the mounting surface. Therefore, it is possible to easily perform alignment with another optical system.
【００２６】さらに、本実施の形態においては、上記セ
ラミック基板１２の傾斜面１３を、レーザダイオードチ
ップ１５のレーザ発光点１５aを中心とする円弧状に形
成している。したがって、レーザダイオードチップ１５
のレーザ発光点１５aの向きや位置がずれたとしても、
レーザの出射光が上記実装面に対して垂直方向に出射さ
れることになる。Further, in this embodiment, the inclined surface 13 of the ceramic substrate 12 is formed in an arc shape centered on the laser emission point 15a of the laser diode chip 15. Therefore, the laser diode chip 15
Even if the direction and position of the laser emission point 15a of
The emitted light of the laser is emitted in a direction perpendicular to the mounting surface.
【００２７】すなわち、本実施の形態によれば、レーザ
の上記垂直方向への光軸が、レーザダイオードチップ１
５の実装時における位置や方向のずれに対して非常に安
定した構造にできるため、レーザダイオードチップ１５
の実装が非常に容易になる。したがって、図４に示すよ
うに、上記構成の半導体レーザ装置とホログラム２０お
よび受光素子チップ２１とを一体化したユニットを構成
することによって、光ピックアップをコンパクトに形成
することができる。図４においては、レーザダイオード
チップ１５から出射されたレーザ光はセラミック基板１
２の傾斜面１３で反射されて垂直方向へ進んでホログラ
ム２０に至る。そして、ホログラム２０から出射されて
対象物で反射したレーザ光が再びホログラム２０に戻っ
てきた際に、垂直方向への光軸から一定角度曲がった高
次光を発生させ、その高次光の出力特性を受光素子チッ
プ２１によって検出することによって、トラッキングエ
ラーや読み出し情報等を含む対象物の状態が検出される
のである。That is, according to this embodiment, the optical axis of the laser in the above-described vertical direction is aligned with the laser diode chip 1.
5 can be made to have a very stable structure with respect to the displacement of the position and the direction at the time of mounting.
Is very easy to implement. Therefore, as shown in FIG. 4, by forming a unit in which the semiconductor laser device having the above configuration, the hologram 20 and the light receiving element chip 21 are integrated, the optical pickup can be made compact. In FIG. 4, the laser light emitted from the laser diode chip 15 is
The light is reflected by the second inclined surface 13 and travels in the vertical direction to reach the hologram 20. Then, when the laser light emitted from the hologram 20 and reflected by the object returns to the hologram 20 again, it generates high-order light bent at a fixed angle from the optical axis in the vertical direction, and the output characteristic of the high-order light is determined by the light receiving element. By detecting with the chip 21, the state of the target object including the tracking error, the read information, and the like is detected.
【００２８】尚、図２および図３に示す半導体レーザ装
置においては、上記傾斜面１３の傾斜角を４５度に設定
しているが、他の角度であっても一向に差し支えない。In the semiconductor laser device shown in FIGS. 2 and 3, the inclination angle of the inclined surface 13 is set to 45 degrees, but other angles may be used.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の半
導体レーザ装置は、強誘電体で成る基板をリードフレー
ム上に載置し、上記基板の表面の表面電極上に半導体レ
ーザチップを載置し、上記半導体レーザチップの一方の
電極を上記表面電極に電気的に接続したので、上記半導
体レーザチップの他方の電極と上記リードフレームとを
電気的に接続すれば、上記基板を、上記半導体レーザチ
ップと並列に接続された容量素子として機能させること
が可能になる。したがって、ノイズに対して安定して動
作する半導体レーザ装置を得ることが可能になる。As is clear from the above, in the semiconductor laser device of the present invention, a substrate made of a ferroelectric material is mounted on a lead frame, and a semiconductor laser chip is mounted on a surface electrode on the surface of the substrate. Since one electrode of the semiconductor laser chip is electrically connected to the surface electrode, if the other electrode of the semiconductor laser chip is electrically connected to the lead frame, the substrate can be connected to the semiconductor laser. It becomes possible to function as a capacitor connected in parallel with the chip. Therefore, it is possible to obtain a semiconductor laser device that operates stably with respect to noise.
【００３０】その際に、コンデンサを外付けする必要が
なく、ノイズに強い半導体レーザ装置を安価に且つ小型
に形成することができるのである。In this case, there is no need to externally connect a capacitor, and a semiconductor laser device resistant to noise can be formed inexpensively and compactly.
【００３１】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記半導体レーザチップの他方の電極と上記リードフレー
ムとを電気的に接続すれば、上記基板を、半導体レーザ
チップと並列に接続された容量素子として機能させるこ
とができる。したがって、コンデンサを外付けすること
なく、ノイズに対して安定な半導体レーザ装置を得るこ
とができる。In the semiconductor laser device according to the present invention, when the other electrode of the semiconductor laser chip is electrically connected to the lead frame, the substrate serves as a capacitor connected in parallel with the semiconductor laser chip. Can work. Therefore, a semiconductor laser device that is stable against noise can be obtained without externally attaching a capacitor.
【００３２】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記基板に所定の傾斜角の傾斜面を有する凹部を設け、上
記表面電極を上記凹部の底面に形成すれば、上記表面電
極上に載置された半導体レーザチップから上記傾斜面に
向って水平方向に出射されたレーザ光を上方に向って反
射できる。したがって、上記レーザ光との位置合わせが
必要な光学系を、上記リードフレームに対向させて配置
することができ、当該光学系との位置合わせを容易にで
きる。In the semiconductor laser device according to the present invention, if the substrate is provided with a concave portion having an inclined surface having a predetermined inclination angle and the surface electrode is formed on the bottom surface of the concave portion, the semiconductor laser device is mounted on the surface electrode. The laser light emitted in the horizontal direction from the semiconductor laser chip toward the inclined surface can be reflected upward. Therefore, an optical system that needs to be aligned with the laser beam can be arranged facing the lead frame, and alignment with the optical system can be facilitated.
【００３３】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記傾斜面における傾斜角を４５度にすれば、上記半導体
レーザチップから水平方向に出射されたレーザ光を、上
記半導体レーザチップの実装面に対して垂直方向に反射
できる。Further, in the semiconductor laser device according to the present invention, if the inclination angle on the inclined surface is 45 degrees, the laser light emitted from the semiconductor laser chip in the horizontal direction is applied to the mounting surface of the semiconductor laser chip. Can be reflected vertically.
【００３４】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記傾斜面を、上記半導体レーザチップの発光点を中心と
する円弧状に配置すれば、上記半導体レーザチップの発
光点の方向や位置にずれが生じても、レーザ光を上記表
面電極に対して上方に出射できる。したがって、上記出
射光の光軸を半導体レーザチップの実装時の位置や方向
ずれに対して安定させることができ、半導体レーザチッ
プの実装を非常に容易にできる。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, if the inclined surface is arranged in an arc shape centering on the light emitting point of the semiconductor laser chip, the direction and the position of the light emitting point of the semiconductor laser chip are shifted. Even if it occurs, laser light can be emitted upward with respect to the surface electrode. Therefore, the optical axis of the outgoing light can be stabilized with respect to the position and direction shift when the semiconductor laser chip is mounted, and the mounting of the semiconductor laser chip can be made very easy.
【００３５】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記基板をセラミック基板で成せば、上記半導体レーザチ
ップと並列に接続された大きな容量値の容量素子を得る
ことができる。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, when the substrate is formed of a ceramic substrate, a capacitive element having a large capacitance connected in parallel with the semiconductor laser chip can be obtained.
【００３６】また、上記発明の半導体レーザ装置は、上
記半導体レーザチップから出射されたレーザ光あるいは
上記傾斜面で反射されたレーザ光の光軸上に配置された
ホログラムと、上記ホログラムからの高次光を受光する
受光素子を備えれば、上記ホログラムと受光素子とを一
体化したユニットを構成することができ、ノイズに対し
て安定したコンパクトな光ピックアップを容易に形成す
ることが可能になる。その際に、上記基板に上記傾斜面
を設ければ、上記ホログラムとの位置合わせを容易にで
きる。Further, the semiconductor laser device of the present invention includes a hologram disposed on the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser chip or the laser light reflected on the inclined surface, and a higher-order light from the hologram. If a light receiving element for receiving light is provided, a unit in which the hologram and the light receiving element are integrated can be configured, and a compact optical pickup that is stable against noise can be easily formed. At this time, if the inclined surface is provided on the substrate, alignment with the hologram can be easily performed.
【図１】 この発明の半導体レーザ装置におけるサブマ
ウント構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a submount structure in a semiconductor laser device of the present invention.
【図２】 図１とは異なる半導体レーザ装置のサブマウ
ント構造を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a submount structure of the semiconductor laser device different from FIG.
【図３】 図２に示すサブマウント構造の平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view of the submount structure shown in FIG. 2;
【図４】 図２に示す半導体レーザ装置とホログラムお
よび受光素子チップとを一体化したユニットの構成図で
ある。4 is a configuration diagram of a unit in which the semiconductor laser device shown in FIG. 2 is integrated with a hologram and a light receiving element chip.
１,７,１１,１８…リードフレーム、 ２,１２…セラミック基板、 ３,１４…表面電極、 ４,１５…レーザダイオードチップ、 ５,７,１６,１８…Ａu線、 １３…傾斜面、 １５a…レーザ発光点、 ２０…ホログラム、 ２１…受光素子チップ。 1, 7, 11, 18 ... lead frame, 2, 12 ... ceramic substrate, 3, 14 ... surface electrode, 4, 15 ... laser diode chip, 5, 7, 16, 18 ... Au wire, 13 ... inclined surface, 15a ... Laser emission point, 20 ... Hologram, 21 ... Light receiving element chip.
Claims (7)
強誘電体で構成された基板と、 上記基板の表面に形成された表面電極と、 上記表面電極上に載置されると共に、一方の電極が上記
表面電極に電気的に接続された半導体レーザチップを備
えたことを特徴とする半導体レーザ装置。Claims: 1. An electronic device, comprising:
A substrate made of a ferroelectric substance, a surface electrode formed on the surface of the substrate, and a semiconductor laser chip mounted on the surface electrode and having one electrode electrically connected to the surface electrode A semiconductor laser device comprising:
いて、 上記半導体レーザチップの他方の電極と上記リードフレ
ームとを電気的に接続したことを特徴とする半導体レー
ザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the other electrode of the semiconductor laser chip and the lead frame are electrically connected.
いて、 上記基板には所定の傾斜角を有する傾斜面によって表面
に連なる凹部が設けられており、上記表面電極は上記凹
部の底面に形成されていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。3. The semiconductor laser device according to claim 2, wherein the substrate is provided with a concave portion connected to the surface by an inclined surface having a predetermined inclination angle, and the surface electrode is formed on a bottom surface of the concave portion. A semiconductor laser device characterized in that:
いて、 上記傾斜面の傾斜角は４５度であることを特徴とする半
導体レーザ装置。4. The semiconductor laser device according to claim 3, wherein the inclination angle of the inclined surface is 45 degrees.
体レーザ装置において、 上記傾斜面は、上記半導体レーザチップの発光点を中心
とする円弧状に配置されていることを特徴とする半導体
レーザ装置。5. The semiconductor laser device according to claim 3, wherein said inclined surface is arranged in an arc shape centered on a light emitting point of said semiconductor laser chip. apparatus.
載の半導体レーザ装置において、 上記基板はセラミック基板であることを特徴とする半導
体レーザ装置。6. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said substrate is a ceramic substrate.
載の半導体レーザ装置において、 上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光あるい
は上記傾斜面で反射されたレーザ光の光軸上に配置され
たホログラムと、 上記ホログラムからの高次光を受光する受光素子を備え
たことを特徴とする半導体レーザ装置。7. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the laser light emitted from the semiconductor laser chip or the laser light reflected by the inclined surface is on an optical axis. A semiconductor laser device comprising: an arranged hologram; and a light receiving element that receives higher-order light from the hologram.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088369A JP2001274500A (en) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | Semiconductor laser device |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2001274500A true JP2001274500A (en) | 2001-10-05 |
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| JP2000088369A Pending JP2001274500A (en) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | Semiconductor laser device |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001274500A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7457333B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-transmitting module capable of responding a high-frequency over 10 GHz |
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- 2000-03-28 JP JP2000088369A patent/JP2001274500A/en active Pending
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