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JP2001121063A - Filter apparatus and liquid treatment apparatus - Google Patents

Filter apparatus and liquid treatment apparatus

Info

Publication number
JP2001121063A
JP2001121063A JP30436299A JP30436299A JP2001121063A JP 2001121063 A JP2001121063 A JP 2001121063A JP 30436299 A JP30436299 A JP 30436299A JP 30436299 A JP30436299 A JP 30436299A JP 2001121063 A JP2001121063 A JP 2001121063A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter
liquid
bubbles
exhaust path
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30436299A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Matsuyama
雄二 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP30436299A priority Critical patent/JP2001121063A/en
Priority to US09/694,981 priority patent/US6402821B1/en
Publication of JP2001121063A publication Critical patent/JP2001121063A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Filtration Of Liquid (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove foams contained in a treatment liquid while lowering the consumption of the treatment liquid. SOLUTION: N2 gas is blown to a development solution tank 41 and a development solution is supplied to the surface of a wafer W from a supply nozzle 3 through a filter apparatus 5 by the pressure of the gas. The filter apparatus 5 is provided with a circular flow route 53 communicating from the lower side to the upper side, a filter 55 for removing impurities installed in the inside, a gas discharge route 56 connected to the uppermost part of the flow route 53, and a filter 57 for removing foams so installed as to partially close the gas discharge route 56 and made of, for example, hollow fiber membranes through which a gas can permeate but a liquid cannot. Although the dissolved N2 gas contained in the development solution is evaporated and becomes foams in the flow route 53, the filter 57 for removing foams selectively pass the foams though, so that only foams can be removed from the development solution and the consumption of the development solution can be saved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板に対し
て例えば現像処理を行う液処理装置及び、この液処理装
置に含まれるフィルタ装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid processing apparatus for performing, for example, development processing on a substrate, for example, and a filter device included in the liquid processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ(以下ウエハという)の表
面に回路パタ−ンを形成するためのマスクは、ウエハ表
面にレジストを塗布した後、光、電子線あるいはイオン
線などをレジスト面に照射し、現像することによって得
られる。このうち現像工程は、露光工程にて光などが照
射された部分あるいは照射されない部分をアルカリ水溶
液等により溶解するものであり、従来では図10に示す
方法により行われている。
2. Description of the Related Art A mask for forming a circuit pattern on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) is formed by applying a resist to a wafer surface and then irradiating the resist surface with light, an electron beam or an ion beam. And by developing. Of these, the developing step is to dissolve the part irradiated with light or the like in the exposure step or the part not irradiated with an alkaline aqueous solution or the like, and is conventionally performed by the method shown in FIG.

【0003】即ちこの従来方法においては、真空吸着機
能を備えたスピンチャック11の上にウエハWを吸着保
持し、ウエハWの直径に対応する長さに亘って多数の吐
出孔12が配列された供給ノズル13を、ウエハWの中
央部にて吐出孔12がウエハW表面から例えば1mm上
方になるように位置させる。そして吐出孔12から現像
液10をウエハW表面の中央部に供給して図に示すよう
に液盛りを行い、続いて吐出孔12から現像液10の供
給を行いながらウエハWを半回転(180度回転)させ
る。
That is, in this conventional method, a wafer W is suction-held on a spin chuck 11 having a vacuum suction function, and a large number of ejection holes 12 are arranged over a length corresponding to the diameter of the wafer W. The supply nozzle 13 is positioned at the center of the wafer W such that the discharge hole 12 is, for example, 1 mm above the surface of the wafer W. Then, the developing solution 10 is supplied to the central portion of the surface of the wafer W from the discharge holes 12 to perform liquid filling as shown in the figure, and then the wafer W is rotated by half a rotation (180 Rotation).

【0004】この種の現像装置では、図11に示すよう
に、タンク14内に窒素(N2)ガスを吹き込み、その
圧力によって当該タンク14内の現像液10を送り出
し、フィルタ部15、バルブ16等を介して、前記供給
ノズル13を通してウエハWに供給している。
In this type of developing device, as shown in FIG. 11, a nitrogen (N 2) gas is blown into a tank 14, and the developing solution 10 in the tank 14 is sent out by the pressure, so that a filter section 15, a valve 16 and the like are provided. Through the supply nozzle 13 to the wafer W.

【0005】前記フィルタ部15は例えば現像液10に
混入しているパーティクル等を濾過により除去するもの
であり、例えばケース100内に、前記パーティクル等
を除去するためのフィルタ101を、現像液の流路10
2に接続するように備えて構成され、さらに流路102
の上部側にはバルブ104を備えた排液路103が接続
されている。105は気泡の発生を検知するための静電
容量センサーであり、106,107は現像液10の供
給路である。
The filter section 15 removes particles and the like mixed in the developing solution 10 by filtration. For example, a filter 101 for removing the particles and the like is placed in a case 100 by a flow of the developing solution. Road 10
2 and the flow path 102
A drain passage 103 having a valve 104 is connected to an upper side of the drain passage 103. Reference numeral 105 denotes a capacitance sensor for detecting generation of bubbles, and reference numerals 106 and 107 denote supply paths for the developer 10.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところでこの現像液1
0の供給系では、既述のようにタンク14内へのN2ガ
スの加圧を行っているので、この加圧により送り出され
る現像液10にはN2が溶存している。前記フィルタ部
15では、現像液10の供給路106よりもケース10
0の容積が大きいため、現像液10が供給路106から
ケース100内に通流してくるとここで減圧され、この
圧力差により現像液10に溶存しているN2が気化して
微細な気泡(マイクロバブル)が発生する。
However, this developer 1
In the supply system 0, N2 gas is pressurized into the tank 14 as described above, so that N2 is dissolved in the developer 10 sent out by this pressurization. In the filter section 15, the case 10 is provided more than the supply path 106 of the developer 10.
Since the developer 10 flows into the case 100 from the supply path 106 because of its large volume, the pressure is reduced here, and the pressure difference causes N2 dissolved in the developer 10 to evaporate to form fine bubbles ( Microbubbles) are generated.

【0007】このような気泡が現像液10に混入してい
ると、現像液10の流量が気泡の存在分変動したり、フ
ィルタ部15のフィルタ101に気泡が付着して濾過精
度が悪化したり、また現像液10をウエハWに液盛りし
たときに、気泡が混入している部分では現像液とレジス
トとの反応が不十分になるかあるいは行われなくなっ
て、現像欠陥が生じるといったことが発生する。
If such bubbles are mixed in the developer 10, the flow rate of the developer 10 fluctuates due to the presence of the bubbles, or the bubbles adhere to the filter 101 of the filter unit 15, and the filtration accuracy deteriorates. In addition, when the developing solution 10 is loaded on the wafer W, the reaction between the developing solution and the resist becomes insufficient or stopped in the portion where bubbles are mixed, and a development defect occurs. I do.

【0008】このため従来では、フィルタ部15で発生
した気泡は、バルブ104を手動で開き、現像液10と
共に排液路103を介して除去していた。ここで静電容
量センサー105では気泡がある基準値以上に増えると
ON状態となり、基準値以下になるとOFF状態となる
ように設定されており、バルブ104の開閉のタイミン
グはこのセンサー105のON・OFF信号に基づいて
行っていた。
For this reason, conventionally, bubbles generated in the filter section 15 have been manually removed by opening the valve 104 and the developer 10 via the drain passage 103. Here, the capacitance sensor 105 is set to be in the ON state when the air bubble increases above a certain reference value, and to be in the OFF state when the air bubble becomes equal to or less than the reference value. This was performed based on the OFF signal.

【0009】しかしながら上述の手法では、気泡を含む
現像液10自体を排出しているので、廃棄される現像液
10の量が多くなり、現像液10全体の消費量が多くな
ってしまうという問題がある。
However, in the above-described method, since the developer 10 containing bubbles is discharged, the amount of the developer 10 to be discarded increases, and the consumption of the entire developer 10 increases. is there.

【0010】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、処理液の消費量を低減させるこ
とができるフィルタ装置及び液処理装置を提供すること
にある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a filter device and a liquid processing apparatus which can reduce the consumption of a processing liquid.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
処理液に含まれる不純物と気泡とを除去するためのフィ
ルタ装置において、前記不純物を除去するための不純物
除去用フィルタと、前記不純物除去用フィルタに前記処
理液を通流させるための流路と、前記流路に接続され、
フィルタ装置の外部に気体を排気するための排気路と、
前記排気路の内部又は排気路と流路との接続部に、排気
路を塞ぐように設けられた気泡除去用フィルタと、を備
え、前記気泡除去用フィルタは、液体の透過を阻止し、
気体を透過させるものであって、処理液に含まれる気泡
をこの気泡除去用フィルタに透過させることにより、前
記処理液から気泡を除去することを特徴とする。このよ
うなフィルタ装置では、処理液から気泡のみを除去する
ことができるので、処理液を廃棄することがなく、処理
液の消費量の低減化を図ることができる。
Therefore, in the present invention,
In a filter device for removing impurities and bubbles contained in the treatment liquid, an impurity removal filter for removing the impurities, a flow path for passing the treatment liquid through the impurity removal filter, Connected to the flow path,
An exhaust path for exhausting gas to the outside of the filter device,
Inside the exhaust path or at the connection between the exhaust path and the flow path, a filter for removing air bubbles provided so as to close the exhaust path, comprising a filter for removing air bubbles, which prevents liquid permeation,
A gas is permeated, and bubbles are removed from the processing liquid by transmitting bubbles contained in the processing liquid through the bubble removing filter. In such a filter device, only air bubbles can be removed from the processing liquid, so that the processing liquid is not discarded and the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0012】ここで前記気泡除去用フィルタとしては中
空糸膜を用いることが好ましく、この場合には、中空糸
膜は広い接触面積を少ない容積で確保できるので、効率
よく気泡を除去することができる。また前記流路の外側
に超音波発生手段を設け、この流路を通流している処理
液に超音波振動を与えて、処理液に含まれる溶存気体を
気化させて気泡を発生させるように構成してもよく、こ
の場合には溶存気体も除去できるので、処理液に含まれ
る溶存気体の量をさらに低減することができる。
Here, a hollow fiber membrane is preferably used as the air bubble removing filter. In this case, since the hollow fiber membrane can secure a wide contact area with a small volume, the air bubbles can be efficiently removed. . Further, an ultrasonic wave generating means is provided outside the flow path, and ultrasonic vibration is applied to the processing liquid flowing through the flow path to vaporize a dissolved gas contained in the processing liquid to generate bubbles. In this case, the dissolved gas can also be removed, so that the amount of the dissolved gas contained in the treatment liquid can be further reduced.

【0013】またフィルタ装置を、前記流路が処理液が
下から上に向かって流れるように環状に構成し、この内
側に前記不純物除去用フィルタを設け、さらに前記排気
路を前記流路の上部側に設けるようにしてもよく、この
場合には気泡の除去量を多くすることができる。さらに
また前記排気路の圧力を前記流路よりも低くするように
してもよく、この場合には処理液に含まれる気泡のみな
らず溶存気体も除去できるので、処理液に含まれる溶存
気体の量を低減することができる。
[0013] Further, the filter device is formed in an annular shape so that the processing liquid flows upward from below, and the filter for removing impurities is provided inside the filter device. It may be provided on the side, in which case the amount of air bubbles removed can be increased. Furthermore, the pressure of the exhaust path may be made lower than that of the flow path. In this case, not only the bubbles contained in the processing liquid but also the dissolved gas can be removed. Can be reduced.

【0014】このようなフィルタ装置を組み込んだ液処
理装置は、フィルタ装置において不純物と気泡とが除去
された処理液を、供給ノズルから基板保持部に略水平に
保持された基板の表面に供給して、当該基板表面に処理
液の液膜を形成するように構成されている。
A liquid processing apparatus incorporating such a filter device supplies a processing liquid from which impurities and bubbles have been removed in the filter device to a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding portion from a supply nozzle. Thus, a liquid film of the processing liquid is formed on the substrate surface.

【0015】また本発明では、処理液槽からの処理液に
含まれる気泡を中間槽において除去し、この処理液を供
給ノズルから基板保持部に略水平に保持された基板の表
面に供給して、当該基板表面に処理液の液膜を形成する
液処理装置において、前記中間槽は、中間槽の外部に気
体を排気するための排気路と、前記排気路の内部又は中
間槽と排気路との接続部に、排気路を塞ぐように設けら
れた気泡除去用フィルタと、を備え、前記気泡除去用フ
ィルタは、液体の透過を阻止し、気体を透過させるもの
であって、処理液に含まれる気泡を気泡除去用フィルタ
に透過させることにより、前記処理液から気泡を除去す
るように液処理装置を構成してもよく、この場合にも処
理液から気泡のみを除去することができるので、処理液
の消費量の低減化を図ることができる。この際処理液の
例としては現像液が挙げられる。
According to the present invention, bubbles contained in the processing liquid from the processing liquid tank are removed in the intermediate tank, and the processing liquid is supplied from a supply nozzle to the surface of the substrate held substantially horizontally by the substrate holding section. A liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid on the surface of the substrate, wherein the intermediate tank has an exhaust path for exhausting gas to the outside of the intermediate tank, and an internal or intermediate tank and an exhaust path of the exhaust path. A filter for removing air bubbles provided so as to close the exhaust path, wherein the filter for removing air bubbles blocks liquid permeation and allows gas to permeate, and is included in the processing liquid. The liquid processing apparatus may be configured to remove bubbles from the processing liquid by transmitting bubbles to the filter for removing bubbles, and in this case, only the bubbles can be removed from the processing liquid. Reduction of processing solution consumption It is possible to achieve. At this time, examples of the processing liquid include a developing liquid.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係る液処理装置を
現像処理装置に適用した実施の形態の構成を示す図であ
る。図中2は、基板をなすウエハWの裏面の中心部を真
空吸着して略水平に保持し、鉛直な軸のまわりに回転す
る基板保持部であるスピンチャックであり、このスピン
チャックは回転機構21及び昇降機構22により回転自
在、昇降自在に構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment in which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied to a development processing apparatus. In the figure, reference numeral 2 denotes a spin chuck, which is a substrate holding unit that holds the center of the back surface of the wafer W forming a substrate by vacuum suction and holds it substantially horizontally, and rotates around a vertical axis. It is configured to be rotatable and vertically movable by an elevator 21 and a lifting mechanism 22.

【0017】このスピンチャック2に保持されているウ
エハWの周囲には、ウエハWを洗浄したときに洗浄液及
び現像液が装置の外に飛散しないように、ウエハWの側
方及び下方側を囲むようにカップ23が設けられてお
り、このカップ23の底部には、ここに流れ落ちた液を
吸引して排出するための排出路24が接続されている。
Around the wafer W held by the spin chuck 2, the cleaning liquid and the developing solution are surrounded around the side and the lower side of the wafer W so that the cleaning liquid and the developing liquid do not scatter outside the apparatus when the wafer W is cleaned. The cup 23 is provided as described above, and a discharge path 24 for sucking and discharging the liquid flowing down here is connected to the bottom of the cup 23.

【0018】図中3は、ウエハWの表面に処理液である
現像液を供給するための供給ノズルである。この供給ノ
ズル3は、例えば図2(a)に示すように、ウエハWの有
効領域(デバイスの形成領域)の幅と同じかそれ以上の
長さに亘ってウエハWに沿って配列された多数の吐出孔
31を備えている。
In the drawing, reference numeral 3 denotes a supply nozzle for supplying a developing solution as a processing solution to the surface of the wafer W. As shown in FIG. 2A, for example, a plurality of supply nozzles 3 are arranged along the wafer W over a length equal to or greater than the width of the effective area (device formation area) of the wafer W. Discharge holes 31 are provided.

【0019】次に前記供給ノズル3における現像液の供
給系について説明する。この供給系は、現像液40の入
った、処理液槽をなす現像液タンク41に不活性ガス例
えばN2 ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像液4
0がフィルタ装置5及びエアオペレーティドバルブ42
を介して供給ノズル3に送られ、供給孔31から吐出さ
れるように構成されており、これら現像液タンク41,
フィルタ装置5,エアオペレーティドバルブ42,供給
ノズル3は供給流路43により接続されている。
Next, the supply system of the developer in the supply nozzle 3 will be described. In this supply system, an inert gas such as N2 gas is blown into a developing solution tank 41 which forms a processing solution tank and contains a developing solution 40.
0 is the filter device 5 and the air operated valve 42
Is supplied to the supply nozzle 3 through the supply nozzle 31 and is discharged from the supply hole 31.
The filter device 5, the air operated valve 42, and the supply nozzle 3 are connected by a supply channel 43.

【0020】前記フィルタ装置5は現像液40に混入す
る不純物であるパーティクルやN2等の気泡を除去する
ためのものであり、その構成を図3により説明すると、
図中50は、供給流路43よりも内容積が大きく、内部
に外筒51と内筒52とを備え、これらの間に現像液の
流路53が形成されたケースであり、ケース50の内部
では、現像液40は下から上に向かって通流するように
なっている。
The filter device 5 is for removing particles, such as impurities, and air bubbles such as N2 mixed in the developing solution 40. The structure of the filter device 5 will be described with reference to FIG.
In the drawing, reference numeral 50 denotes a case in which the inner volume is larger than the supply flow path 43, an outer cylinder 51 and an inner cylinder 52 are provided therein, and a developing solution flow path 53 is formed therebetween. Inside, the developer 40 flows upward from below.

【0021】前記外筒51及び内筒52は夫々両端が塞
がれた筒状体をなしており、夫々長さ方向が現像液40
の通流方向を向くように配置されている。内筒52は、
外筒51の側壁51a(長さ方向の壁)と底壁51b
(上流側の開口部を塞ぐ壁)との間に所定空間を開ける
ように外筒51の内側に設けられている。また外筒51
及び内筒52の下流側開口部は一体の上壁50c(51
c,52c)で塞がれており、こうして外筒51と内筒
52との間には、内筒52の側壁52a(長さ方向の
壁)と底壁52b(上流側の開口部を塞ぐ壁)の周りに
環状の現像液40の流路53が形成されることとなる。
Each of the outer cylinder 51 and the inner cylinder 52 has a cylindrical shape whose both ends are closed.
Are arranged so as to face the flow direction. The inner cylinder 52 is
Side wall 51a (longitudinal wall) and bottom wall 51b of outer cylinder 51
(A wall closing the opening on the upstream side) is provided inside the outer cylinder 51 so as to open a predetermined space. The outer cylinder 51
The downstream opening of the inner cylinder 52 is integrated with the upper wall 50c (51).
c, 52c), and thus between the outer cylinder 51 and the inner cylinder 52, the side wall 52a (lengthwise wall) and the bottom wall 52b (the upstream opening of the inner cylinder 52 are closed). An annular flow path 53 of the developer 40 is formed around the wall.

【0022】内筒52の側壁52aと底壁52bには、
内筒52の内側に現像液40を通流させるための通流孔
54が多数形成されており、このような内筒52の内側
には、前記パーティクルを除去するための、例えばポリ
エチレンにより構成された不純物除去用フィルタ55が
設けられている。また外筒51の底壁51b及び内筒5
2の上壁52cには夫々供給流路43が接続されてお
り、これによりケース50の下端である前記底壁51b
は現像液の入口5a、ケース50の上端である前記上壁
52cは現像液の出口5bを夫々備えることになる。
On the side wall 52a and the bottom wall 52b of the inner cylinder 52,
A large number of flow holes 54 for allowing the developer 40 to flow therethrough are formed inside the inner cylinder 52, and the inside of such an inner cylinder 52 is made of, for example, polyethylene for removing the particles. The filter 55 for removing impurities is provided. The bottom wall 51b of the outer cylinder 51 and the inner cylinder 5
The supply flow path 43 is connected to each of the upper walls 52c of the bottom case 51.
Is provided with an inlet 5a for the developer and the upper wall 52c which is the upper end of the case 50 is provided with an outlet 5b for the developer.

【0023】さらにケース50内の流路53の上部側
(下流側)には、例えばN2等の気泡をフィルタ部5の
外部に排出するための排気路56が接続されている。こ
の例では排気路56は外筒51の上壁51cを介して前
記流路53に接続されており、この排気路56の内部の
流路53との接続部には、現像液40に混入する気泡を
除去するための気泡除去用フィルタ57が、排気路56
の一部を塞ぐように設けられている。
Further, an exhaust path 56 for discharging bubbles such as N2 to the outside of the filter section 5 is connected to the upper side (downstream side) of the flow path 53 in the case 50. In this example, the exhaust path 56 is connected to the flow path 53 via the upper wall 51 c of the outer cylinder 51, and is mixed with the developer 40 at a connection portion of the exhaust path 56 with the flow path 53. A bubble removing filter 57 for removing bubbles is provided in an exhaust path 56.
It is provided so as to close a part of.

【0024】この気泡除去用フィルタ57は、液体を透
過させずに、気体のみを透過させる性質を有しており、
例えば中空糸膜Mより構成されている。ここで中空糸膜
Mとは例えば図4に示すように芯が中空になっている中
空糸Fを束ねて構成されるものであって、多数の孔部5
8を有しており、この例では、例えば合成高分子系を素
材とし、孔部58の穴径L1が0.001μm程度、膜
の厚さL2が0.5mm〜20mm程度の中空糸膜Mが
使用されている。このような中空糸膜Mは、例えば中空
糸Fの長さ方向が現像液の通流方向とほぼ同じ向きにな
るように配置されている。
The air bubble removing filter 57 has a property of permeating only gas without permeating liquid.
For example, it is constituted by a hollow fiber membrane M. Here, the hollow fiber membrane M is formed by bundling hollow fibers F having a hollow core as shown in FIG.
In this example, the hollow fiber membrane M is made of, for example, a synthetic polymer and has a hole diameter L1 of the hole 58 of about 0.001 μm and a membrane thickness L2 of about 0.5 mm to 20 mm. Is used. Such a hollow fiber membrane M is arranged such that, for example, the length direction of the hollow fiber F is substantially the same as the flowing direction of the developer.

【0025】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。スピンチャック2がカップ22の上方まで上昇し、
既に前工程でレジストが塗布され、露光処理されたウエ
ハWが図示しないア−ムからスピンチャック2に受け渡
されて保持される。その後供給ノズル3がウエハWの中
央部の上方側にて、吐出孔31がウエハWの表面から例
えば1mm上方になるようにセットされる。
Next, the operation of the above embodiment will be described. The spin chuck 2 rises above the cup 22,
A wafer W that has already been coated with a resist in the previous process and that has been exposed is transferred from an arm (not shown) to the spin chuck 2 and held there. Thereafter, the supply nozzle 3 is set above the central portion of the wafer W so that the discharge hole 31 is located, for example, 1 mm above the surface of the wafer W.

【0026】一方現像液40の供給系では、現像液タン
ク41にN2ガスが吹き込まれ、このガス圧によりN2を
含む現像液40が供給流路43を介してフィルタ装置5
に送られる。フィルタ装置5では、供給流路43を介し
て入口5aよりケース50内に供給された現像液40
は、N2の加圧により流路53内を下から上に向かって
通流していくが、この際供給流路43よりもケース50
の内容積が大きく、入口5a付近で急激に流路が拡大す
るので減圧状態となり、この圧力差により現像液40に
溶存しているN2が気化して気泡が発生する。
On the other hand, in the supply system of the developing solution 40, N 2 gas is blown into the developing solution tank 41, and the developing solution 40 containing N 2 is supplied through the supply channel 43 by the gas pressure to the filter device 5.
Sent to In the filter device 5, the developer 40 supplied from the inlet 5 a into the case 50 through the supply channel 43 is provided.
Flows through the flow path 53 from bottom to top by pressurization of N2.
Has a large internal volume, and the flow path rapidly expands near the inlet 5a, resulting in a reduced pressure state. This pressure difference vaporizes N2 dissolved in the developer 40 to generate bubbles.

【0027】このN2の気泡は上昇していくが、フィル
タ装置5の上部側には気体透過性の気泡除去用フィルタ
57が設けられているので、このフィルタ57を透過し
て排気路56を介してフィルタ装置5の外部へと排気さ
れる。また流路53が現像液40で満たされているとき
には、現像液40の内部を上昇していき、フィルタ57
を透過してフィルタ装置5の外部へと排気される。この
とき中空糸Fの内部及び外部に現像液40が入り込んだ
状態でフィルタ57と接触するが、現像液40は中空糸
Fを透過できないので、上昇しようとするN2の気泡の
みがフィルタ57を透過していく。
Although the bubbles of N 2 rise, a gas-permeable bubble removing filter 57 is provided on the upper side of the filter device 5, and passes through the filter 57 and passes through the exhaust passage 56. And is exhausted to the outside of the filter device 5. When the flow path 53 is filled with the developing solution 40, the inside of the developing solution 40 rises,
And is exhausted to the outside of the filter device 5. At this time, the developer 40 comes into contact with the filter 57 in a state where the developer 40 enters the inside and the outside of the hollow fiber F. However, since the developer 40 cannot pass through the hollow fiber F, only the N2 bubbles which are going to rise pass through the filter 57. I will do it.

【0028】一方現像液40はフィルタ57を透過でき
ずに、出口5b側に向けて、内筒52の通流孔54から
不純物除去用フィルタ55内に入り込んで流れていき、
フィルタ55との接触によりパーティクルが除去されな
がら、出口5bを介して下流側に流れていく。
On the other hand, the developing solution 40 cannot pass through the filter 57, but flows into the impurity removing filter 55 from the through hole 54 of the inner cylinder 52 toward the outlet 5b.
The particles flow downstream via the outlet 5b while the particles are removed by contact with the filter 55.

【0029】こうして供給流路43を介して供給ノズル
31に供給された現像液40を、吐出孔32からウエハ
W表面の直径方向中央部に供給しつつ、図2(b)に示す
ように、ウエハWを180度回転させる。こうすること
で、ウエハWの直径方向に亘って中央部から現像液40
が吐出されながらウエハW一円に広げられ液盛りを完了
でき、同時にウエハW表面全体に現像液40の液膜が所
定の厚さで形成されることになる。
As shown in FIG. 2B, while supplying the developing solution 40 supplied to the supply nozzle 31 through the supply flow path 43 to the central portion in the diameter direction of the surface of the wafer W from the discharge hole 32, The wafer W is rotated by 180 degrees. By doing so, the developing solution 40 from the central portion over the diameter direction of the wafer W
Is spread over the wafer W while the liquid is discharged, so that the liquid level can be completed. At the same time, a liquid film of the developing solution 40 is formed with a predetermined thickness on the entire surface of the wafer W.

【0030】このようにしてウエハWに現像液40を液
盛りしたままの状態にして所定時間現像を行った後、図
示しない洗浄ノズルにより洗浄液例えば純水をウエハ表
面に吐出して洗浄を行い、次いでウエハWを回転させて
ウエハWの乾燥を行う。
After the development is performed for a predetermined time while the developing solution 40 is kept on the wafer W, the cleaning liquid, for example, pure water is discharged from the cleaning nozzle (not shown) onto the wafer surface to perform cleaning. Next, the wafer W is rotated to dry the wafer W.

【0031】このように本発明の液処理装置では、流路
53と排気路56との接続部に、気体を透過させるが、
液体の透過を阻止する気泡除去用フィルタ57を設けて
いるので、このフィルタ57により現像液40に含まれ
るN2等の気泡を選択的に透過させることができ、現像
液40から前記気泡を除去することができる。このよう
に現像液40中の気泡のみを選択的に除去出来るので、
気泡を現像液40と共に除去していた従来の方法に比べ
て現像液40の消費量を低減することができ、現像液4
0の省量化を図ることができる。
As described above, in the liquid processing apparatus of the present invention, the gas is transmitted through the connection between the flow path 53 and the exhaust path 56.
Since the bubble removing filter 57 for preventing liquid from permeating is provided, bubbles such as N2 contained in the developer 40 can be selectively transmitted by the filter 57, and the bubbles are removed from the developer 40. be able to. As described above, only the bubbles in the developer 40 can be selectively removed.
As compared with the conventional method in which bubbles are removed together with the developer 40, the consumption of the developer 40 can be reduced.
0 can be saved.

【0032】この際気泡除去用フィルタ57として中空
糸膜Mを用いているため、孔部58にも現像液40が入
り込み、現像液40と中空糸膜Mとが糸の外表面だけで
なく内表面とも接触する状態となる。これにより当該中
空糸膜Mでは、少ない容積で広い接触面積(膜面積)を
確保することができるので、効率よく気泡を除去するこ
とができる。
At this time, since the hollow fiber membrane M is used as the bubble removing filter 57, the developer 40 also enters the hole 58, and the developer 40 and the hollow fiber membrane M are not only on the outer surface of the yarn but also on the inner surface. It comes into contact with the surface. Thereby, in the hollow fiber membrane M, a large contact area (membrane area) can be ensured with a small volume, so that bubbles can be efficiently removed.

【0033】また排気路56を流路53の最上部と接触
するように設けることにより、気泡の上昇を利用して当
該気泡を現像液40から除去することができ、また現像
液40が流路53の最上部まで通流してから不純物除去
用フィルタ55,出口5bを介して下流側の供給流路4
3に通流していくことになるので、フィルタ装置5を通
流する現像液40から十分に気泡を除去することができ
る。
Further, by providing the exhaust path 56 so as to be in contact with the uppermost part of the flow path 53, the bubbles can be removed from the developer 40 by utilizing the rise of the bubbles. 53 to the uppermost part of the supply passage 53, and then through the impurity removal filter 55 and the outlet 5 b, the downstream supply passage 4.
3, the bubbles can be sufficiently removed from the developer 40 flowing through the filter device 5.

【0034】このように現像液40から気泡が除去でき
ると、現像液40の流量が気泡の存在分変動して、ウエ
ハW上に供給される現像液40の量が本来の量と異なっ
てしまい、現像線幅が不均一になることが抑えられる。
また不純物フィルタ55に気泡が付着して濾過精度が悪
化し、現像液40に混入したパーティクルが現像液40
と共にウエハWに供給されてウエハWが汚染されるとい
ったことも抑えられる。
If the bubbles can be removed from the developing solution 40, the flow rate of the developing solution 40 fluctuates by the amount of the bubbles, and the amount of the developing solution 40 supplied onto the wafer W differs from the original amount. In addition, uneven development line width can be suppressed.
In addition, air bubbles adhere to the impurity filter 55 and filtration accuracy deteriorates, and particles mixed into the developer 40
Is also supplied to the wafer W and the contamination of the wafer W is suppressed.

【0035】さらにこのフィルタ装置5で発生した気泡
は、ここで除去されない場合には現像液40と共に供給
流路43を通ってそのままウエハ上に供給されるか、供
給流路43で再び加圧状態となるので現像液40に溶け
込み、このまま供給ノズル3からウエハ表面に吐出さ
れ、このときの衝突の衝撃により再び気泡(マイクロバ
ブル)として気化する。このようにウエハWに液盛りし
た現像液40に気泡が混入していると、既述のように現
像線幅が不均一になるが、上述の例のようにフィルタ装
置5にてN2の気泡を発生させてから除去すると、現像
液40に溶存するN2の量が減少し、後の工程で発生す
る気泡の量を低減させることができて、現像処理の均一
性を高めることができる。
If the bubbles generated by the filter device 5 are not removed here, they are supplied to the wafer as they are through the supply channel 43 together with the developing solution 40, or are again supplied to the pressurized state in the supply channel 43. Therefore, it dissolves in the developer 40 and is discharged as it is from the supply nozzle 3 onto the wafer surface, and is vaporized again as bubbles (micro bubbles) by the impact of the collision at this time. When bubbles are mixed in the developing solution 40 that has been loaded on the wafer W in this manner, the development line width becomes non-uniform as described above. However, as described above, the N2 bubbles are generated by the filter device 5. Is removed after generation, the amount of N2 dissolved in the developer 40 is reduced, and the amount of bubbles generated in a later step can be reduced, so that the uniformity of the development processing can be improved.

【0036】このような現像装置では、例えば図5に示
すように、フィルタ装置5の排気路56の他端側(流路
53と接続されていない側)に排気ポンプ61を接続す
るように構成してもよく、このような構成では、排気路
56を排気ポンプ61により常時排気して、排気路56
内の圧力を流路53の圧力よりも低い圧力、例えば10
Pa程度の陰圧状態にして現像処理が行われる。
In such a developing device, for example, as shown in FIG. 5, an exhaust pump 61 is connected to the other end (the side not connected to the flow path 53) of the exhaust passage 56 of the filter device 5. In such a configuration, the exhaust path 56 is constantly evacuated by the exhaust pump 61, and the exhaust path 56
Pressure within the flow path 53, for example, 10
The developing process is performed under a negative pressure of about Pa.

【0037】このためフィルタ装置5では、フィルタ装
置5の上流側でのN2の加圧とこの排気路56内の陰圧
との間に相当する圧力差が生じ、この圧力差に応じてN
2の気泡が発生するので、排気路56内を排気しない場
合に比べてここで発生する気泡の量が増加する。これに
よりフィルタ装置5で除去できる気泡の量が増えるの
で、現像液40に溶存するN2の量が減少し、後の工程
で発生する気泡の量をより低減させることができる。
For this reason, in the filter device 5, a pressure difference corresponding to the pressurization of N2 on the upstream side of the filter device 5 and the negative pressure in the exhaust passage 56 is generated.
Since two bubbles are generated, the amount of bubbles generated here increases compared to the case where the inside of the exhaust path 56 is not exhausted. As a result, the amount of bubbles that can be removed by the filter device 5 increases, so that the amount of N2 dissolved in the developer 40 decreases, and the amount of bubbles generated in a later step can be further reduced.

【0038】続いて本発明の他の例について図6により
説明するが、この例のフィルタ装置5は、例えばケース
50の底壁に超音波発生手段である圧電素子62を備え
ている。この他の構成は上述の図3に示すフィルタ装置
5と同様である。
Next, another example of the present invention will be described with reference to FIG. 6. The filter device 5 of this example includes, for example, a piezoelectric element 62 as an ultrasonic wave generating means on the bottom wall of a case 50. Other configurations are the same as those of the filter device 5 shown in FIG. 3 described above.

【0039】このような構成では、圧電素子62により
流路53内に超音波を発生させ、ここに現像液40を通
流させるが、このようにすると流路53内の現像液40
に超音波振動が与えられるので、これにより現像液40
中に溶存しているN2が強制的に発泡する。つまりフィ
ルタ装置5では圧力差により現像液40に溶存している
N2が気化する上に、さらに現像液40中に溶存してい
るN2が超音波により強制的に発泡する。
In such a configuration, an ultrasonic wave is generated in the flow path 53 by the piezoelectric element 62, and the ultrasonic wave is caused to flow through the ultrasonic wave.
Of the developer 40
N2 dissolved therein is forced to foam. That is, in the filter device 5, the N2 dissolved in the developer 40 is vaporized by the pressure difference, and the N2 dissolved in the developer 40 is forcibly foamed by the ultrasonic waves.

【0040】このようにこの例では、フィルタ装置5で
発生するN2の気泡の量がさらに増加し、このためここ
で除去される気泡の量が増加するので、現像液40に溶
存するN2の量がさらに減少し、後の工程で発生する気
泡の量をより低減させることができて、現像処理の高い
均一性を確保することができる。
As described above, in this example, the amount of N 2 bubbles generated in the filter device 5 further increases, and thus the amount of bubbles removed here increases. Can be further reduced, and the amount of bubbles generated in a later step can be further reduced, so that high uniformity of the development processing can be ensured.

【0041】このような現像装置では、図5に示す例の
ように、排気路56の他端側(流路53と接続されてい
ない側)に図示しない排気ポンプを接続するように構成
し、現像処理の間、排気路56を陰圧状態になるように
常時排気するようにしてもよく、このようにするとフィ
ルタ装置5では圧力差が大きくなるので、既述のように
排気路56内を排気しない場合に比べてさらに多くの量
の気泡を除去することができる。
In such a developing device, as shown in FIG. 5, an exhaust pump (not shown) is connected to the other end of the exhaust path 56 (the side not connected to the flow path 53). During the developing process, the exhaust path 56 may be constantly exhausted so as to be in a negative pressure state. In this case, the pressure difference increases in the filter device 5. A larger amount of air bubbles can be removed than when no air is exhausted.

【0042】続いて本発明のさらに他の例について図7
により説明するが、この例はフィルタ装置5の代わりに
中間槽7にて現像液40に含まれる気泡を除去するもの
である。この例における現像液40の供給系では、現像
液40の入った現像液タンク41とフィルタ部5との間
に例えばエアオペレーティドバルブよりなる開閉バルブ
70と中間槽7とが上流側からこの順で設けられてい
る。
FIG. 7 shows still another example of the present invention.
In this example, air bubbles contained in the developer 40 are removed in the intermediate tank 7 instead of the filter device 5. In the supply system of the developer 40 in this example, an opening / closing valve 70 composed of, for example, an air operated valve and the intermediate tank 7 are arranged in this order from the upstream side between the developer tank 41 containing the developer 40 and the filter unit 5. It is provided in.

【0043】この例では、現像液タンク41に不活性ガ
ス例えばN2 ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像
液40が開閉バルブ70を介して中間槽7に送られて、
この中間槽7にて、現像液40に溶存するN2を気化さ
せて発生させた気泡や、開閉バルブ70の開閉により現
像液40に入り込んだ空気等の気泡を除去するようにな
っている。
In this example, an inert gas such as N 2 gas is blown into the developing solution tank 41, and the developing solution 40 is sent to the intermediate tank 7 via the opening / closing valve 70 by this gas pressure.
In the intermediate tank 7, bubbles generated by vaporizing N2 dissolved in the developer 40 and bubbles such as air entering the developer 40 by opening and closing the on-off valve 70 are removed.

【0044】このような中間槽7の構成の一例について
図8により説明すると、図中71は、供給流路43より
も内容積が大きいタンクであり、このタンク71には例
えば底部に上流側の供給流路43、上部に下流側の供給
流路43が夫々接続され、タンク71の内部では現像液
40は下から上に向かって通流するようになっている。
An example of the structure of the intermediate tank 7 will be described with reference to FIG. 8. In FIG. 8, reference numeral 71 denotes a tank having a larger internal volume than the supply flow path 43. The supply flow path 43 is connected to the supply flow path 43 on the downstream side, and the developer 40 flows inside the tank 71 from the bottom to the top.

【0045】このタンク71の上部側(下流側)には、
例えばN2等の気体を中間槽7の外部に排出するための
排気路72が接続されており、この排気路72の内部の
例えばタンク71との接続部には、現像液40に混入す
る気泡を除去するための、例えば中空糸膜Mよりなり、
液体を透過させずに、気体のみを透過させる性質を有す
る気泡除去用フィルタ73が、排気路72の一部を塞ぐ
ように設けられている。
On the upper side (downstream side) of the tank 71,
For example, an exhaust path 72 for discharging a gas such as N2 to the outside of the intermediate tank 7 is connected. At a connection portion between the exhaust path 72 and the tank 71, for example, bubbles mixed with the developer 40 are removed. Consisting of, for example, a hollow fiber membrane M for removal,
An air bubble removing filter 73 having a property of permeating only gas but not permeating liquid is provided so as to block a part of the exhaust path 72.

【0046】この例においても気泡除去用フィルタ73
としては、上述の例と同様の中空糸膜Mが使用されてお
り、このような中空糸膜Mは例えば孔部58の長さ方向
が現像液の通流方向とほぼ同じ向きになるように配置さ
れている。
Also in this example, the bubble removing filter 73 is used.
A hollow fiber membrane M similar to the above-described example is used, and such a hollow fiber membrane M is formed so that, for example, the length direction of the hole 58 is substantially the same as the flowing direction of the developer. Are located.

【0047】このような中間槽7では、供給流路43を
介してタンク71内に供給された現像液40は、N2の
加圧により流路53内を下から上に向かって通流してい
くが、この現像液40には既述のように開閉バルブ70
の開閉によって気体が混入している。また供給流路43
からタンク71に現像液40が送り込まれると、タンク
71内で減圧状態となるので、この圧力差により現像液
40に溶存しているN2や空気等の気体が気化して気泡
が発生する。
In such an intermediate tank 7, the developer 40 supplied into the tank 71 via the supply channel 43 flows upward from below in the channel 53 by pressurizing N2. However, as described above, the opening / closing valve 70
Gas is mixed in due to opening and closing. Also, the supply channel 43
When the developer 40 is sent from the tank 71 to the tank 71, the pressure is reduced in the tank 71, and the pressure difference causes the gas such as N2 and air dissolved in the developer 40 to evaporate to generate bubbles.

【0048】これらの気泡は上昇していくが、中間槽7
の上部側には気体透過性のフィルタ73が設けられてい
るので、このフィルタ73を透過して排気路72を介し
て中間槽7の外部へと排気される。またタンク71内が
現像液40で満たされているときには、現像液40の内
部を上昇していき、フィルタ73を透過して外部へと排
気される。このときフィルタ73には現像液40が接触
するが、現像液40は中空糸膜Mを透過できないので、
上昇しようとする気泡のみがフィルタ73を透過してい
き、フィルタ73を透過できない現像液40は、下流側
の供給流路43からフィルタ部5に向けて流れていく。
While these bubbles rise, the intermediate tank 7
A gas permeable filter 73 is provided on the upper side of the intermediate tank 7, so that the gas passes through the filter 73 and is exhausted to the outside of the intermediate tank 7 through the exhaust path 72. When the inside of the tank 71 is filled with the developing solution 40, the inside of the developing solution 40 rises, passes through the filter 73, and is exhausted to the outside. At this time, the developing solution 40 comes into contact with the filter 73, but since the developing solution 40 cannot pass through the hollow fiber membrane M,
Only bubbles that are going to rise pass through the filter 73, and the developer 40 that cannot pass through the filter 73 flows from the downstream supply channel 43 toward the filter unit 5.

【0049】このようにこの例においても、現像液40
から気泡のみを除去できるので、現像液40の省量化を
図ることができる上、現像液40に溶存するN2等の気
体の量を減少出来て、後の工程で発生する気泡の量を低
減させることができる。
As described above, also in this example, the developer 40
Since only bubbles can be removed from the developer, the amount of the developing solution 40 can be reduced, and the amount of gas such as N2 dissolved in the developing solution 40 can be reduced, thereby reducing the amount of bubbles generated in a later process. be able to.

【0050】またこの例においても排気路71の他端側
(タンク71と接続されていない側)に図示しない排気
ポンプを接続するように構成し、現像処理の間、排気ポ
ンプにより排気路71内が陰圧状態になるように常時排
気するようにしてもよいし、タンク71に圧電素子等の
超音波発生手段を設け、タンク71内の現像液40に超
音波振動を与えて強制的に溶存する気体を気化させるよ
うにしてもよく、これらの場合には中間槽7で除去でき
る気泡の量がさらに増えるので、後の工程で発生する気
泡の量をより低減させることができる。
Also in this example, an exhaust pump (not shown) is connected to the other end of the exhaust path 71 (the side not connected to the tank 71), and the exhaust pump is connected to the exhaust path 71 during the developing process. May be constantly exhausted so as to be in a negative pressure state, or an ultrasonic generating means such as a piezoelectric element is provided in the tank 71, and the developer 40 in the tank 71 is subjected to ultrasonic vibration to forcibly dissolve the liquid. The gas generated may be vaporized. In these cases, the amount of bubbles that can be removed in the intermediate tank 7 further increases, so that the amount of bubbles generated in a later step can be further reduced.

【0051】以上において本発明では、上述のフィルタ
装置5と中間槽7とを組み合わせて気体の除去を行うよ
うにしてもよいし、いずれか一方を用いるようにしても
よい。また上述の例では、現像液タンク41にN2を吹
き込むことにより加圧して現像液40を供給流路43に
送り出すようにしたが、例えば図9に示すように、現像
液タンク41とフィルタ装置5との間に例えばベローズ
ポンプ等の定量ポンプ8を設けて、このポンプ8により
現像液40をフィルタ装置5に送り出すようにしてもよ
い。この場合にはポンプ8の可動により現像液40中に
空気等の気体が混入されるので、フィルタ装置5や中間
槽8ではこの気泡が除去され、この際フィルタ装置5や
中間槽7の内部では、ポンプ8の圧力により現像液40
が下から上に通流していくことになる。
In the above, in the present invention, the above-described filter device 5 and the intermediate tank 7 may be combined to remove the gas, or one of them may be used. Further, in the above-described example, the developer 40 is sent out to the supply channel 43 by applying pressure by blowing N2 into the developer tank 41. However, as shown in FIG. For example, a fixed-quantity pump 8 such as a bellows pump may be provided between the two and the pump 8 may be used to send out the developer 40 to the filter device 5. In this case, a gas such as air is mixed into the developer 40 by the operation of the pump 8, so that the bubbles are removed in the filter device 5 and the intermediate tank 8. , The developer 40 by the pressure of the pump 8
Will flow from bottom to top.

【0052】また本発明は現像液の供給系以外にレジス
ト液の塗布処理に用いられるシンナー等のレジスト液の
溶剤の供給系に対しても適用でき、この場合においても
フィルタ装置5や中間槽7では、容積の変化により発生
するN2の気泡が除去される。この際中空糸膜Mの種
類は処理液の種類に応じて適宜選択される。
The present invention can be applied not only to the supply system of the developer but also to the supply system of a solvent for the resist solution such as a thinner used for the coating process of the resist solution. Then, bubbles such as N2 generated by the change in volume are removed. At this time, the type of the hollow fiber membrane M is appropriately selected according to the type of the treatment liquid.

【0053】さらに本発明では、例えば中空糸膜Mでチ
ューブ状に作られた中空糸膜管の孔部58が逆U字型に
なるように、つまり孔部58を屈曲して、孔部58の長
さ方向が現像液の通流方向とほぼ同じ向きになると共
に、孔部58の両端側が共に現像液の通流方向の上流側
を向き、前記通流方向の下流側に孔部58の屈曲部が位
置するように配置するようにしてもよい。この場合に
は、中空糸膜Mの表面積をさらに大きくすることができ
る上、現像液は孔部58の両端側から内部に入り込んで
いくので、接触面積が大きくなり、効率よく気泡を除去
することができる。
Further, in the present invention, for example, the hole 58 of the hollow fiber membrane tube formed in a tube shape with the hollow fiber membrane M is formed into an inverted U shape, that is, the hole 58 is bent so that the hole 58 is bent. The length direction of the hole 58 is substantially the same as the direction of flow of the developer, and both ends of the hole 58 face the upstream side in the direction of flow of the developer, and the hole 58 extends downstream in the direction of flow of the developer. You may make it arrange | position so that a bending part may be located. In this case, the surface area of the hollow fiber membrane M can be further increased, and the developer enters the inside from both ends of the hole 58, so that the contact area increases and the bubbles can be efficiently removed. Can be.

【0054】さらにまた本発明では、フィルタ装置5の
上流側の供給流路43の流路53との接続部や、中間槽
7の上流側の供給流路43の中間槽7との接続部の径を
供給流路43の内径よりも小さくし、これら接続部での
圧力差をより大きくして、この圧力差により発生する気
泡の量を多くする発泡手段と組み合わせるとさらに良
い。
Further, in the present invention, the connection between the supply passage 43 on the upstream side of the filter device 5 and the passage 53 and the connection between the supply passage 43 on the upstream side of the intermediate tank 7 and the intermediate tank 7 are formed. It is more preferable to make the diameter smaller than the inner diameter of the supply channel 43, to increase the pressure difference at these connection portions, and to combine with a foaming means for increasing the amount of bubbles generated by the pressure difference.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明によれば、処理液から気泡のみを
選択して除去することが出来るので、処理液の消費量を
低減させることができる。また他の発明では、処理液か
ら気泡を除去できで、液処理の均一性を高めることがで
きる。
According to the present invention, only air bubbles can be selectively removed from the processing liquid, so that the consumption of the processing liquid can be reduced. In another aspect of the invention, bubbles can be removed from the processing liquid, and the uniformity of the liquid processing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液処理装置の実施の形態の一例を示す
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention.

【図2】前記液処理装置に設けられる供給ノズルの一例
を示す底面図と斜視図である。
FIG. 2 is a bottom view and a perspective view showing an example of a supply nozzle provided in the liquid processing apparatus.

【図3】前記液処理装置に設けられるフィルタ部の一例
を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a filter unit provided in the liquid processing apparatus.

【図4】前記フィルタ部に設けられる中空糸膜を説明す
るための斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view illustrating a hollow fiber membrane provided in the filter unit.

【図5】前記フィルタ部の他の例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing another example of the filter unit.

【図6】前記フィルタ部のさらに他の例を示す断面図で
ある。
FIG. 6 is a sectional view showing still another example of the filter unit.

【図7】本発明の液処理装置の実施の形態の他の例を示
す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing another example of the embodiment of the liquid processing apparatus of the present invention.

【図8】前記液処理装置に設けられる中間槽の一例を示
す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing an example of an intermediate tank provided in the liquid processing apparatus.

【図9】本発明の液処理装置の実施の形態のさらに他の
例を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the liquid processing apparatus of the present invention.

【図10】従来の現像装置を示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a conventional developing device.

【図11】従来の現像装置の供給系を示す説明図であ
る。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a supply system of a conventional developing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウエハ 2 スピンチャック 3 供給ノズル 31 供給孔 5 フィルタ装置 53 流路 54 通流孔 55 不純物除去用フィルタ 56 排気路 57,73 気泡除去用フィルタ 61 排気ポンプ 62 圧電素子 7 中間槽 72 排気路 W semiconductor wafer 2 spin chuck 3 supply nozzle 31 supply hole 5 filter device 53 flow path 54 communication hole 55 impurity removal filter 56 exhaust path 57, 73 bubble removal filter 61 exhaust pump 62 piezoelectric element 7 intermediate tank 72 exhaust path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01D 36/02 B01D 36/02 4F042 53/22 53/22 5F046 63/02 63/02 B05C 11/10 B05C 11/10 G03F 7/30 502 G03F 7/30 502 H01L 21/027 H01L 21/30 569C Fターム(参考) 2H096 AA25 GA29 GA30 4D006 GA41 HA01 KA72 KB14 MA01 MB03 PA01 PB01 PB63 PC01 4D011 AA08 AB10 AC01 AC04 AD03 4D064 AA19 BK03 4D066 AA05 BB02 BB31 4F042 AA07 BA06 CB25 5F046 LA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B01D 36/02 B01D 36/02 4F042 53/22 53/22 5F046 63/02 63/02 B05C 11/10 B05C 11/10 G03F 7/30 502 G03F 7/30 502 H01L 21/027 H01L 21/30 569C F-term (reference) 2H096 AA25 GA29 GA30 4D006 GA41 HA01 KA72 KB14 MA01 MB03 PA01 PB01 PB63 PC01 4D011 AA08 AB10 AC0 AC04 AD03 4 BK03 4D066 AA05 BB02 BB31 4F042 AA07 BA06 CB25 5F046 LA03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 不純物と、気泡及び/又は溶存気体と、
を含む処理液から、前記不純物と気泡とを除去するため
のフィルタ装置において、 前記不純物を除去するための不純物除去用フィルタと、 前記不純物除去用フィルタに前記処理液を通流させるた
めの流路と、 前記流路に接続され、フィルタ装置の外部に気体を排気
するための排気路と、 前記排気路の内部又は排気路と流路との接続部に、排気
路を塞ぐように設けられた気泡除去用フィルタと、を備
え、 前記気泡除去用フィルタは、液体の透過を阻止し、気体
を透過させるものであって、処理液に含まれる気泡をこ
の気泡除去用フィルタに透過させることにより、前記処
理液から気泡を除去することを特徴とするフィルタ装
置。
1. An impurity, bubbles and / or dissolved gas,
A filter device for removing the impurities and bubbles from the processing solution containing: an impurity removing filter for removing the impurities; and a flow path for flowing the processing solution through the impurity removing filter. An exhaust path connected to the flow path and for exhausting gas to the outside of the filter device; and an exhaust path provided inside the exhaust path or at a connection between the exhaust path and the flow path to close the exhaust path. An air bubble removal filter, wherein the air bubble removal filter prevents liquid permeation and allows gas to permeate, and allows air bubbles contained in the processing liquid to pass through this air bubble removal filter. A filter device for removing bubbles from the processing liquid.
【請求項2】 前記気泡除去用フィルタは中空糸膜より
なることを特徴とする請求項1記載のフィルタ装置。
2. The filter device according to claim 1, wherein the filter for removing air bubbles is formed of a hollow fiber membrane.
【請求項3】 前記流路の外側に超音波発生手段を設
け、流路内を通流している処理液に超音波振動を与え
て、処理液に含まれる溶存気体を気化させて気泡を発生
させることを特徴とする請求項1又は2記載のフィルタ
装置。
3. An ultrasonic wave generating means is provided outside the flow path, and ultrasonic vibration is applied to the processing liquid flowing through the flow path to vaporize a dissolved gas contained in the processing liquid to generate bubbles. The filter device according to claim 1, wherein the filter device is operated.
【請求項4】 前記流路は処理液が下から上に向かって
流れるように環状に構成され、前記不純物除去用フィル
タは前記流路の内側に設けられていて、前記排気路は前
記流路の上部側に設けられていることを特徴とする請求
項1,2又は3記載のフィルタ装置。
4. The flow path is formed in an annular shape so that the processing liquid flows upward from below, the impurity removing filter is provided inside the flow path, and the exhaust path is the flow path. The filter device according to claim 1, wherein the filter device is provided on an upper side of the filter.
【請求項5】 前記排気路の圧力は前記流路の圧力より
も低いことを特徴とする請求項1,2,3又は4記載の
フィルタ装置。
5. The filter device according to claim 1, wherein the pressure in the exhaust path is lower than the pressure in the flow path.
【請求項6】 フィルタ装置において不純物と気泡とが
除去された処理液を、供給ノズルから基板保持部に略水
平に保持された基板の表面に供給して、当該基板表面に
処理液の液膜を形成する液処理装置において、 前記フィルタ装置は、前記不純物を除去するための不純
物除去用フィルタと、 前記不純物除去用フィルタに前記処理液を通流させるた
めの流路と、 前記流路に接続され、フィルタ装置の外部に気体を排気
するための排気路と、 前記排気路の内部又は排気路と流路との接続部に、排気
路を塞ぐように設けられた気泡除去用フィルタと、を備
え、 前記気泡除去用フィルタは、液体の透過を阻止し、気体
を透過させるものであって、処理液に含まれる気泡をこ
の気泡除去用フィルタに透過させることにより、前記処
理液から気泡を除去することを特徴とする液処理装置。
6. A processing liquid from which impurities and bubbles have been removed in a filter device is supplied from a supply nozzle to a surface of a substrate held substantially horizontally by a substrate holding portion, and a liquid film of the processing liquid is applied to the surface of the substrate. In the liquid processing apparatus, the filter device is connected to the impurity removing filter for removing the impurity, a flow path for allowing the processing liquid to flow through the impurity removing filter, and connected to the flow path. An exhaust path for exhausting gas to the outside of the filter device, and a bubble removal filter provided to close the exhaust path, inside the exhaust path or at a connection between the exhaust path and the flow path, The filter for removing air bubbles is a filter that prevents liquid from permeating and allows gas to permeate, and removes air bubbles from the processing liquid by transmitting air bubbles contained in the processing liquid to the filter for removing air bubbles. Liquid processing apparatus, characterized by.
【請求項7】 処理液槽からの処理液に含まれる気泡を
中間槽において除去し、この処理液を供給ノズルから基
板保持部に略水平に保持された基板の表面に供給して、
当該基板表面に処理液の液膜を形成する液処理装置にお
いて、 前記中間槽は、中間槽の外部に気体を排気するための排
気路と、 前記排気路の内部又は中間槽と排気路との接続部に、排
気路を塞ぐように設けられた気泡除去用フィルタと、を
備え、 前記気泡除去用フィルタは、液体の透過を阻止し、気体
を透過させるものであって、処理液に含まれる気泡をこ
の気泡除去用フィルタに透過させることにより、前記処
理液から気泡を除去することを特徴とする液処理装置。
7. An air bubble contained in the processing liquid from the processing liquid tank is removed in the intermediate tank, and the processing liquid is supplied from a supply nozzle to the surface of the substrate held substantially horizontally by the substrate holding unit,
In a liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid on the surface of the substrate, the intermediate tank has an exhaust path for exhausting gas to the outside of the intermediate tank, and an exhaust path inside or between the intermediate tank and the exhaust path. The connection portion further includes a filter for removing air bubbles provided so as to close the exhaust path, wherein the filter for removing air bubbles prevents liquid permeation and allows gas permeation, and is included in the processing liquid. A liquid processing apparatus characterized in that bubbles are removed from the treatment liquid by allowing bubbles to pass through the bubble removal filter.
【請求項8】 前記気泡除去用フィルタは中空糸膜より
なることを特徴とする請求項6又は7記載の液処理装
置。
8. The liquid processing apparatus according to claim 6, wherein the filter for removing bubbles is formed of a hollow fiber membrane.
【請求項9】 前記処理液は現像液であることを特徴と
する請求項6,7又は8記載の液処理装置。
9. The liquid processing apparatus according to claim 6, wherein the processing liquid is a developer.
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