JP2001176695A - プラズマ・インジェクター - Google Patents
プラズマ・インジェクターInfo
- Publication number
- JP2001176695A JP2001176695A JP2000314897A JP2000314897A JP2001176695A JP 2001176695 A JP2001176695 A JP 2001176695A JP 2000314897 A JP2000314897 A JP 2000314897A JP 2000314897 A JP2000314897 A JP 2000314897A JP 2001176695 A JP2001176695 A JP 2001176695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- cavity
- plasma
- microwave
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波を用いてＴＥモード電界を発生
し、安定なプラズマ放電を発生するプラズマ・インジェ
クターを開示する。 【解決手段】 プラズマ・インジェクター１２は、ほぼ
円筒形の導波管１６、導波管と軸線を一致して接続さ
れ、誘電体が充填された空洞１８、導波管に不純物５０
を導入する供給ライン２４、及びマイクロ波発電器を含
む。導波管は、これ自体の所定の遮断波長を確定する寸
法で作られている。マイクロ波発電器は空洞に接続さ
れ、ＴＥモード電界４４を確定する共振マイクロ波を発
生し、共振マイクロ波の波長は遮断波長以下であって、
導波管を介したマイクロ波の伝搬を防止する。不純物５
０は導波管のＴＥモード電界と相互作用して気化し、イ
オン化してプラズマ放電５４を生成する。
し、安定なプラズマ放電を発生するプラズマ・インジェ
クターを開示する。 【解決手段】 プラズマ・インジェクター１２は、ほぼ
円筒形の導波管１６、導波管と軸線を一致して接続さ
れ、誘電体が充填された空洞１８、導波管に不純物５０
を導入する供給ライン２４、及びマイクロ波発電器を含
む。導波管は、これ自体の所定の遮断波長を確定する寸
法で作られている。マイクロ波発電器は空洞に接続さ
れ、ＴＥモード電界４４を確定する共振マイクロ波を発
生し、共振マイクロ波の波長は遮断波長以下であって、
導波管を介したマイクロ波の伝搬を防止する。不純物５
０は導波管のＴＥモード電界と相互作用して気化し、イ
オン化してプラズマ放電５４を生成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ・トーチ
と呼ばれることがあるプラズマ・インジェクターに関す
る。より詳細には、本発明は、マイクロ波のエネルギー
を使用してプラズマを発生するプラズマ・インジェクタ
ーに関する。本発明では、比較的低密度でプラズマを発
生し、そのため、インジェクターは小さい気体流量（ga
s throughput）のもので用途としてプラズマ・インジェ
クターに特に有用であるが、それに限定されるものでは
ない。
と呼ばれることがあるプラズマ・インジェクターに関す
る。より詳細には、本発明は、マイクロ波のエネルギー
を使用してプラズマを発生するプラズマ・インジェクタ
ーに関する。本発明では、比較的低密度でプラズマを発
生し、そのため、インジェクターは小さい気体流量（ga
s throughput）のもので用途としてプラズマ・インジェ
クターに特に有用であるが、それに限定されるものでは
ない。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ・インジェク
ター（トーチ）は、液状または固体の状態のいずれかの
屈折性材料（refractive material）を処理するため
と、それらの材料を気体に変え、アークイオン化してプ
ラズマを発生するために使用される。しかし、液体また
は固体の屈折性材料を気化する処理は、放射電力の過剰
な損失を避けるために、非常に高い温度（３０００Ｋ以
上）で行われるべきである。そのような高温を得るため
に、屈折性材料を気化してイオン化させる処理は、より
揮発性の強い気体を最初にイオン化させることによって
始まる。この結果として、発生したプラズマは、屈折性
材料から生成したイオンと共に気体のイオンを含むこと
になる。
ター（トーチ）は、液状または固体の状態のいずれかの
屈折性材料（refractive material）を処理するため
と、それらの材料を気体に変え、アークイオン化してプ
ラズマを発生するために使用される。しかし、液体また
は固体の屈折性材料を気化する処理は、放射電力の過剰
な損失を避けるために、非常に高い温度（３０００Ｋ以
上）で行われるべきである。そのような高温を得るため
に、屈折性材料を気化してイオン化させる処理は、より
揮発性の強い気体を最初にイオン化させることによって
始まる。この結果として、発生したプラズマは、屈折性
材料から生成したイオンと共に気体のイオンを含むこと
になる。
【０００３】比較的低密度のプラズマ、たとえば、イオ
ン衝突数（ν）とイオン・サイクロトロン振動数（Ω）
の比が１より大きい（ν／Ω＞１）密度のプラズマにお
いて、プラズマが屈折性材料のイオンを可能な限り多く
含むことが望ましい用途の場合、気体流量が比較的小さ
いことが必要である。
ン衝突数（ν）とイオン・サイクロトロン振動数（Ω）
の比が１より大きい（ν／Ω＞１）密度のプラズマにお
いて、プラズマが屈折性材料のイオンを可能な限り多く
含むことが望ましい用途の場合、気体流量が比較的小さ
いことが必要である。
【０００４】公知のプラズマ・トーチの一種は、いわゆ
る円筒形ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結
合プラズマ）、つまりＴＣＰ（Transformer Coupled Pl
asma：誘導結合プラズマ）インジェクターである。円筒
形ＩＣＰインジェクターの場合、一般に方位角をもつ電
界（azimuthal electric field）は、ソレノイドコイル
によって円筒形の空洞（chamber）に誘起するのが普通
である。次にプラズマを始動するため、この空洞に気体
が供給される。しかし、ＩＣＰインジェクターによって
誘起する電界強度は、空洞の壁のところで最大値とな
り、空洞の中心に向かって下降する。したがって、大部
分のプラズマはＩＣＰインジェクターの壁で生成する。
この結果として、非常に高熱の負荷をＩＣＰインジェク
ターの壁で引き受けることになり、不安定性が生じるの
も、この空洞の中である。これらの不安定性はいっそう
大きくなるが、それはソレノイドコイルが発生する静電
位が線対象にならず、この静電位が誘起した電界が効率
よく方位角をもつようになることを妨げているためであ
る。これらの不都合な結果を克服するために、角運動量
（angular momentum）を用いてＩＣＰインジェクターの
壁近くの気体流量を大きくする。これは、１）プラズマ
を発生して維持し、２）空洞の壁を冷却し、３）放電を
安定化させる、目的に役立つ。しかし、上に示したよう
に、プラズマ・インジェクターの気体流量を大きくする
ことは、動作上、常に望ましいとは限らない。
る円筒形ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結
合プラズマ）、つまりＴＣＰ（Transformer Coupled Pl
asma：誘導結合プラズマ）インジェクターである。円筒
形ＩＣＰインジェクターの場合、一般に方位角をもつ電
界（azimuthal electric field）は、ソレノイドコイル
によって円筒形の空洞（chamber）に誘起するのが普通
である。次にプラズマを始動するため、この空洞に気体
が供給される。しかし、ＩＣＰインジェクターによって
誘起する電界強度は、空洞の壁のところで最大値とな
り、空洞の中心に向かって下降する。したがって、大部
分のプラズマはＩＣＰインジェクターの壁で生成する。
この結果として、非常に高熱の負荷をＩＣＰインジェク
ターの壁で引き受けることになり、不安定性が生じるの
も、この空洞の中である。これらの不安定性はいっそう
大きくなるが、それはソレノイドコイルが発生する静電
位が線対象にならず、この静電位が誘起した電界が効率
よく方位角をもつようになることを妨げているためであ
る。これらの不都合な結果を克服するために、角運動量
（angular momentum）を用いてＩＣＰインジェクターの
壁近くの気体流量を大きくする。これは、１）プラズマ
を発生して維持し、２）空洞の壁を冷却し、３）放電を
安定化させる、目的に役立つ。しかし、上に示したよう
に、プラズマ・インジェクターの気体流量を大きくする
ことは、動作上、常に望ましいとは限らない。
【０００５】上で考察した円筒形ＩＣＰインジェクター
の代替は、プラズマ処理半導体（plasma processing se
miconductors）として広く使用され、いわゆるプレーナ
ーＩＣＰインジェクターである。プレーナーＩＣＰイン
ジェクターは、円筒形ＩＣＰインジェクターと異なり、
円筒形の導電性真空容器（cylindrical conducting vac
uum vessel）の外側に螺旋コイルの平面アンテナ（plan
ar spiral coil antenna）が配置されているという特徴
がある。アンテナの直径は真空容器の直径の約２分の１
から３分の２の間の大きさであればよく、このアンテナ
が配置されているので、アンテナが発生する電磁界は誘
電体の窓を通して真空容器に入る。このような構成にす
ると、方位角をもつ電界が容器内に生成され、この電界
はアンテナのエッジで最大の電界強度になるとともに、
容器の壁でゼロになる。興味深いことに、この電界の形
状は、いくつかの点について、共振マイクロ波が発生す
ることのできる横電界（ＴＥ）モード（transverse ele
ctric mode）に似ている。
の代替は、プラズマ処理半導体（plasma processing se
miconductors）として広く使用され、いわゆるプレーナ
ーＩＣＰインジェクターである。プレーナーＩＣＰイン
ジェクターは、円筒形ＩＣＰインジェクターと異なり、
円筒形の導電性真空容器（cylindrical conducting vac
uum vessel）の外側に螺旋コイルの平面アンテナ（plan
ar spiral coil antenna）が配置されているという特徴
がある。アンテナの直径は真空容器の直径の約２分の１
から３分の２の間の大きさであればよく、このアンテナ
が配置されているので、アンテナが発生する電磁界は誘
電体の窓を通して真空容器に入る。このような構成にす
ると、方位角をもつ電界が容器内に生成され、この電界
はアンテナのエッジで最大の電界強度になるとともに、
容器の壁でゼロになる。興味深いことに、この電界の形
状は、いくつかの点について、共振マイクロ波が発生す
ることのできる横電界（ＴＥ）モード（transverse ele
ctric mode）に似ている。
【０００６】プラズマを発生することができる方位角を
もつ電界を生じさせるためにマイクロ波の使用を検討す
る場合、プラズマを発生することができる領域の厚さ
（いわゆる「表皮深さ（skin depth）」）を求めること
が必要である。マイクロ波の振動数では、表皮深さが比
較的小さくなることがある。しかし、例を示すと、マイ
クロ波振動数を約２．４５GHzにとり、プラズマの導電
度が（１０-6のイオン化率（degree of ionization）に
対応する）約１ジーメンスの場合、表皮深さは約１ｃｍ
である。動作上、この値は、上で考察した、密度が高め
のプラズマ・トーチには一般的な値である。
もつ電界を生じさせるためにマイクロ波の使用を検討す
る場合、プラズマを発生することができる領域の厚さ
（いわゆる「表皮深さ（skin depth）」）を求めること
が必要である。マイクロ波の振動数では、表皮深さが比
較的小さくなることがある。しかし、例を示すと、マイ
クロ波振動数を約２．４５GHzにとり、プラズマの導電
度が（１０-6のイオン化率（degree of ionization）に
対応する）約１ジーメンスの場合、表皮深さは約１ｃｍ
である。動作上、この値は、上で考察した、密度が高め
のプラズマ・トーチには一般的な値である。
【０００７】マイクロ波を使用してＴＥモード電界を発
生するために、半径がａで、ｚ方向に伸びる長手軸をも
つ円筒形空洞を考えられたい。更にこの空洞は、ｚ＝−
ｈからｚ＝０までの長さがあり、ｚ＝−ｈのところに導
電性の端板（end plate）があり誘電体が充填されてい
ると考えられたい。導波管にプラズマが存在しない場
合、この空洞内の誘電体材料における電界と磁界は、
生するために、半径がａで、ｚ方向に伸びる長手軸をも
つ円筒形空洞を考えられたい。更にこの空洞は、ｚ＝−
ｈからｚ＝０までの長さがあり、ｚ＝−ｈのところに導
電性の端板（end plate）があり誘電体が充填されてい
ると考えられたい。導波管にプラズマが存在しない場
合、この空洞内の誘電体材料における電界と磁界は、
【数１】 で与えられる。
【０００８】導波管の真空領域では、
【外１】 であり、電界と磁界は、
【数２】 で与えられる。
【０００９】境界における電界と磁界をそれぞれ等しい
とすると、
とすると、
【数３】 が得られる。
【００１０】空洞内に発生するマイクロ波の遮断波長
が、ＴＥモードの導波管でサポートされる最低振動数に
対応していると、K' = 0かつφ=0である。この場合、誘
電体が充填された空洞の長さは４分の１波長である。し
かし、この波の振動数が遮断振動数より若干低いと、充
填された空洞の長さは、４分の１波長よりもわずかに短
い。
が、ＴＥモードの導波管でサポートされる最低振動数に
対応していると、K' = 0かつφ=0である。この場合、誘
電体が充填された空洞の長さは４分の１波長である。し
かし、この波の振動数が遮断振動数より若干低いと、充
填された空洞の長さは、４分の１波長よりもわずかに短
い。
【００１１】導波管の内部でプラズマ放電が開始する
と、領域
と、領域
【外２】 では、プラズマで充満する。導電率がσの導電性媒体と
してプラズマを取り扱うことにより、電界と磁界は、
してプラズマを取り扱うことにより、電界と磁界は、
【数４】 で与えられる。
【００１２】導波管内部にプラズマが存在している場合
の境界における電界と磁界をそれぞれ一致させることに
より、
の境界における電界と磁界をそれぞれ一致させることに
より、
【数５】 が得られる。
【００１３】導波管内部にプラズマが存在している場合
の条件として、表皮深さが小さい場合、つまりκ≫ｋ、
φ→−π/２の場合、空洞の長さは約２分の１波長に近
づくはずである。
の条件として、表皮深さが小さい場合、つまりκ≫ｋ、
φ→−π/２の場合、空洞の長さは約２分の１波長に近
づくはずである。
【００１４】導波管内部にプラズマを発生することによ
って起きる条件の変化のため、約４分の１波長から約２
分の１波長まで空洞の同調をとる必要のあることが、上
記方程式から明らかである。このことは、いくつかの方
法で実行できることが判っている。１つの方法として、
空洞の長さを変えることによって空洞の同調をとること
ができる。空洞に水を入れることにより、あるいは気化
してプラズマを発生している屈折性材料で空洞の同調を
とることもできる。
って起きる条件の変化のため、約４分の１波長から約２
分の１波長まで空洞の同調をとる必要のあることが、上
記方程式から明らかである。このことは、いくつかの方
法で実行できることが判っている。１つの方法として、
空洞の長さを変えることによって空洞の同調をとること
ができる。空洞に水を入れることにより、あるいは気化
してプラズマを発生している屈折性材料で空洞の同調を
とることもできる。
【００１５】上記の観点から、本発明の目的は、マイク
ロ波のエネルギーを使用して方位角をもつＴＥ電界を発
生するプラズマ・インジェクターを提供することであ
る。本発明の別の目的は、気体流量が小さくても動作で
きるプラズマ・インジェクター（トーチ）を提供するこ
とである。本発明の更に別の目的は、安定な放電を発生
するプラズマ・インジェクターを提供することである。
本発明の更に別の目的は、プラズマの発生に線対称の電
界を使用するプラズマ・インジェクターを提供すること
である。本発明の別の目的は、簡単に使用でき、比較的
製造しやすく、費用効果が比較的大きいプラズマ・イン
ジェクターを提供することである。
ロ波のエネルギーを使用して方位角をもつＴＥ電界を発
生するプラズマ・インジェクターを提供することであ
る。本発明の別の目的は、気体流量が小さくても動作で
きるプラズマ・インジェクター（トーチ）を提供するこ
とである。本発明の更に別の目的は、安定な放電を発生
するプラズマ・インジェクターを提供することである。
本発明の更に別の目的は、プラズマの発生に線対称の電
界を使用するプラズマ・インジェクターを提供すること
である。本発明の別の目的は、簡単に使用でき、比較的
製造しやすく、費用効果が比較的大きいプラズマ・イン
ジェクターを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プラズ
マ放電を発生するプラズマ・インジェクターは、中空の
ほぼ円筒形の導波管を含む。この導波管には、誘電体が
充填され、ほぼ円筒形の空洞と軸線を一致して取り付け
られている。このように導波管と空洞を結合した構造に
すると、空洞で共振マイクロ波によって発生する電磁界
はすべて導波管に入る。導電性の端板は導波管と反対側
の空洞の端部に配置される。
マ放電を発生するプラズマ・インジェクターは、中空の
ほぼ円筒形の導波管を含む。この導波管には、誘電体が
充填され、ほぼ円筒形の空洞と軸線を一致して取り付け
られている。このように導波管と空洞を結合した構造に
すると、空洞で共振マイクロ波によって発生する電磁界
はすべて導波管に入る。導電性の端板は導波管と反対側
の空洞の端部に配置される。
【００１７】本発明の目的として、導波管は、所定の遮
断波長を確定するような寸法でつくられている。そのよ
うな寸法でつくられているので、マイクロ波の波長が遮
断波長より長い場合は、この導波管はマイクロ波が導波
管を通って伝搬することを防止する。したがって、導波
管によって確定された遮断波長に応じて、空洞の同調を
とり、導波管にＴＥモード電界を確定する空洞内共振マ
イクロ波を発生することができる。このために、マイク
ロ波発電機が設けられており、望ましくは空洞の導電性
端板に接続される。
断波長を確定するような寸法でつくられている。そのよ
うな寸法でつくられているので、マイクロ波の波長が遮
断波長より長い場合は、この導波管はマイクロ波が導波
管を通って伝搬することを防止する。したがって、導波
管によって確定された遮断波長に応じて、空洞の同調を
とり、導波管にＴＥモード電界を確定する空洞内共振マ
イクロ波を発生することができる。このために、マイク
ロ波発電機が設けられており、望ましくは空洞の導電性
端板に接続される。
【００１８】空洞内に発生した共振マイクロ波が空洞内
のＴＥ電界を確定することは、本発明の重要な一態様で
ある。更にこのＴＥモード電界に対して、プラズマ・イ
ンジェクターの動作にとって重要な特別な特性が必要に
なる。特に、ＴＥモードの電界は線対称でなければなら
ず、更に導波管の長手軸と壁とのほぼ中間のところに最
大電界強度があることが必要である。ＴＥモード電界
は、導波管の壁と長手軸のところで最低強度でなければ
ならない。したがって、ＴＥモード電界は、中心領域お
よび外側領域の双方を定義するように導波管内部で構成
されることが望ましい。特に外側領域は、導波管の壁と
電界との間に位置し、中心領域は、長手軸を囲んでいる
とともに、長手軸に沿って伸びている。したがって、中
心領域は、導波管の壁から離れており、ＴＥモード電界
によって外側領域から離れている。
のＴＥ電界を確定することは、本発明の重要な一態様で
ある。更にこのＴＥモード電界に対して、プラズマ・イ
ンジェクターの動作にとって重要な特別な特性が必要に
なる。特に、ＴＥモードの電界は線対称でなければなら
ず、更に導波管の長手軸と壁とのほぼ中間のところに最
大電界強度があることが必要である。ＴＥモード電界
は、導波管の壁と長手軸のところで最低強度でなければ
ならない。したがって、ＴＥモード電界は、中心領域お
よび外側領域の双方を定義するように導波管内部で構成
されることが望ましい。特に外側領域は、導波管の壁と
電界との間に位置し、中心領域は、長手軸を囲んでいる
とともに、長手軸に沿って伸びている。したがって、中
心領域は、導波管の壁から離れており、ＴＥモード電界
によって外側領域から離れている。
【００１９】本発明のプラズマ・インジェクターは、導
波管に不純物（waste material）を導入するために使用
する供給ライン（feed line）を含む。本発明に対して
配慮されているように、この供給ラインは、空洞で共振
マイクロ波が発生することを妨げずに、空洞を通る長手
軸に沿って伸びていてもよい。不純物（液体でも固体で
もよい）が、この供給ラインを通して導波管に導入され
ると、不純物は導波管の内部でＴＥモード電界と相互作
用をする。この相互作用によって、不純物は気化されイ
オン化して、プラズマ放電を発生する。供給ラインを通
じて導波管に導入される不純物のほかに、必要に応じ
て、ナトリウムの気体を導入し、プラズマ放電を始動ま
たは維持してもよい。
波管に不純物（waste material）を導入するために使用
する供給ライン（feed line）を含む。本発明に対して
配慮されているように、この供給ラインは、空洞で共振
マイクロ波が発生することを妨げずに、空洞を通る長手
軸に沿って伸びていてもよい。不純物（液体でも固体で
もよい）が、この供給ラインを通して導波管に導入され
ると、不純物は導波管の内部でＴＥモード電界と相互作
用をする。この相互作用によって、不純物は気化されイ
オン化して、プラズマ放電を発生する。供給ラインを通
じて導波管に導入される不純物のほかに、必要に応じ
て、ナトリウムの気体を導入し、プラズマ放電を始動ま
たは維持してもよい。
【００２０】上に示したように、プラズマ・インジェク
ターの空洞は誘電体が充填されているので、時々同調を
とることが必要である。詳細に説明すると、この空洞
は、セラミックで裏打ちされ、望ましくは複数の円板で
占められている金属の円筒を含む。同調をとる必要があ
る場合の１つの方法は、空洞に円板を選択的に挿入する
ことであり、この方法は、空洞の長さを変えるために使
用できるので、空洞内のマイクロ波の共振条件を維持す
ることができる。当業者には判るとおり、空洞を誘電体
で充填するのではなく、導波管より長い直径の空洞を作
って、本発明と同じ目的を達成してもよい。空洞の同調
をとって、空洞内の共振条件を維持する別の方法は、発
電器からのマイクロ波のエネルギーを変えることと、気
化してイオン化するときの不純物の液量を変えることを
含んでいる。
ターの空洞は誘電体が充填されているので、時々同調を
とることが必要である。詳細に説明すると、この空洞
は、セラミックで裏打ちされ、望ましくは複数の円板で
占められている金属の円筒を含む。同調をとる必要があ
る場合の１つの方法は、空洞に円板を選択的に挿入する
ことであり、この方法は、空洞の長さを変えるために使
用できるので、空洞内のマイクロ波の共振条件を維持す
ることができる。当業者には判るとおり、空洞を誘電体
で充填するのではなく、導波管より長い直径の空洞を作
って、本発明と同じ目的を達成してもよい。空洞の同調
をとって、空洞内の共振条件を維持する別の方法は、発
電器からのマイクロ波のエネルギーを変えることと、気
化してイオン化するときの不純物の液量を変えることを
含んでいる。
【００２１】
【発明の実施の形態】発明と共にその構造と動作に関す
る本発明の新しい機能は、添付の説明に関連して作成さ
れた添付の図面から最も良く理解できるであろう。同じ
参照記号は同じ部品を示している。
る本発明の新しい機能は、添付の説明に関連して作成さ
れた添付の図面から最も良く理解できるであろう。同じ
参照記号は同じ部品を示している。
【００２２】最初に図１を参照すると、プラズマを処理
するシステムが示されており全体として１０で示されて
いる。システム１０には、プラズマが処理されるプラズ
マ用空洞１４と液体が流れるように（in fluid communi
cation）取付けまたは接続されたプラズマ・インジェク
ター（トーチ）１２が含まれている。本発明によれば、
プラズマ・インジェクター１２は、プラズマ用空洞１４
に直接取付けられている導波管１６を含み、導波管１６
は、導波管１６がプラズマ用空洞１４と空洞１８の間に
置かれるように配置された空洞１８を含む。更にインジ
ェクター１２は端板２０を含んでおり、この端板は、空
洞１８が導波管１６と端板２０の間にあるように配置さ
れている。
するシステムが示されており全体として１０で示されて
いる。システム１０には、プラズマが処理されるプラズ
マ用空洞１４と液体が流れるように（in fluid communi
cation）取付けまたは接続されたプラズマ・インジェク
ター（トーチ）１２が含まれている。本発明によれば、
プラズマ・インジェクター１２は、プラズマ用空洞１４
に直接取付けられている導波管１６を含み、導波管１６
は、導波管１６がプラズマ用空洞１４と空洞１８の間に
置かれるように配置された空洞１８を含む。更にインジ
ェクター１２は端板２０を含んでおり、この端板は、空
洞１８が導波管１６と端板２０の間にあるように配置さ
れている。
【００２３】更に図１を参照すると、システム１０は、
プラズマ・インジェクター１２を通る供給ライン２４に
取付けられた不純物供給源２２を含む。プラズマ・イン
ジェクター１２を通過した後、供給ライン２４は、プラ
ズマ用空洞１４と液体が流れるように接続される。図１
は、マイクロ波電源２６がライン２８を介して空洞１８
と接続されていることを示す。
プラズマ・インジェクター１２を通る供給ライン２４に
取付けられた不純物供給源２２を含む。プラズマ・イン
ジェクター１２を通過した後、供給ライン２４は、プラ
ズマ用空洞１４と液体が流れるように接続される。図１
は、マイクロ波電源２６がライン２８を介して空洞１８
と接続されていることを示す。
【００２４】更に詳細には、図２は、長さが「ｌ」で、
中空のほぼ円筒形の壁３０によって導波管１６が確定さ
れていることを示す。図示のとおり、壁３０の一端はプ
ラズマ用空洞１４のインジェクション・ポート３２に取
付けられている。更に壁３０がインジェクション・ポー
ト３２に形成された開口部（aperture）３４を囲んでい
るので、導波管１６はプラズマ用空洞１４と液体が流れ
るように接続される。重要なことは、導波管１６が、選
択された遮断マイクロ波として働くように、長さ「ｌ」
が遮断波長の寸法になっていることである。導波管１６
と空洞１８は長手軸３６を定義しており、図示のとお
り、導波管１６と空洞１８は、長手軸３６の軸線が一致
するように揃えられている。
中空のほぼ円筒形の壁３０によって導波管１６が確定さ
れていることを示す。図示のとおり、壁３０の一端はプ
ラズマ用空洞１４のインジェクション・ポート３２に取
付けられている。更に壁３０がインジェクション・ポー
ト３２に形成された開口部（aperture）３４を囲んでい
るので、導波管１６はプラズマ用空洞１４と液体が流れ
るように接続される。重要なことは、導波管１６が、選
択された遮断マイクロ波として働くように、長さ「ｌ」
が遮断波長の寸法になっていることである。導波管１６
と空洞１８は長手軸３６を定義しており、図示のとお
り、導波管１６と空洞１８は、長手軸３６の軸線が一致
するように揃えられている。
【００２５】更に図２を参照すると、空洞１８は、長さ
が「ｈ」でほぼ円筒形の金属壁３８で形成されているこ
とが判るであろう。本発明に意図されているように、空
洞１８の長さ「ｈ」と半径「ａ」は、空洞１８に共振マ
イクロ波を設定するように選択されている。望ましく
は、金属壁３８には、空洞１８で熱損失が生じないよう
に金属壁３８を保護するセラミック・ライニング４０が
ある。更にプラズマ・インジェクター１２の空洞１８は
複数の円板４２を含み、円板４２ａ、４２ｂはその代表
例である。特に円板４２は、それぞれに穴が形成されて
おり、その穴を通って供給ライン２４が空洞１８に入り
選択的に挿入され、長さ「ｈ」を変えて空洞１８の共振
条件を維持する。
が「ｈ」でほぼ円筒形の金属壁３８で形成されているこ
とが判るであろう。本発明に意図されているように、空
洞１８の長さ「ｈ」と半径「ａ」は、空洞１８に共振マ
イクロ波を設定するように選択されている。望ましく
は、金属壁３８には、空洞１８で熱損失が生じないよう
に金属壁３８を保護するセラミック・ライニング４０が
ある。更にプラズマ・インジェクター１２の空洞１８は
複数の円板４２を含み、円板４２ａ、４２ｂはその代表
例である。特に円板４２は、それぞれに穴が形成されて
おり、その穴を通って供給ライン２４が空洞１８に入り
選択的に挿入され、長さ「ｈ」を変えて空洞１８の共振
条件を維持する。
【００２６】図２に示すように、円板４２は、一般に平
らであり、供給ライン２４に対してほぼ垂直に向いてい
るので、長手軸３６に対しても垂直である。重要なこと
は、空洞１８が誘電体で充填されるように、円板４２が
空洞１８を占めていることである。本発明の目的のため
には、円板４２は適切な誘電体材料でつくられていれば
よく、この誘電体材料の形状の代替実施例は、空洞１８
が効果的に誘電体で充填される限り可能性がある。
らであり、供給ライン２４に対してほぼ垂直に向いてい
るので、長手軸３６に対しても垂直である。重要なこと
は、空洞１８が誘電体で充填されるように、円板４２が
空洞１８を占めていることである。本発明の目的のため
には、円板４２は適切な誘電体材料でつくられていれば
よく、この誘電体材料の形状の代替実施例は、空洞１８
が効果的に誘電体で充填される限り可能性がある。
【００２７】プラズマ・インジェクター１２が動作する
場合、マイクロ波電源２６を起動して空洞１８内に共振
マイクロ波（図示せず）を設定する。重要なことは、共
振マイクロ波が確定されて電界４４を発生すると、この
電界が導波管１６に入ることである。本発明の目的のた
めには、この電界４４は方位角
場合、マイクロ波電源２６を起動して空洞１８内に共振
マイクロ波（図示せず）を設定する。重要なことは、共
振マイクロ波が確定されて電界４４を発生すると、この
電界が導波管１６に入ることである。本発明の目的のた
めには、この電界４４は方位角
【外３】 があり、普通、当業者にはＴＥモードと呼ばれる種類の
横電界である。より明確に説明すると、図２を参照する
ことにより、電界４４のＴＥモードに対し、導波管１６
の長手軸３６と壁３０の間のほぼ中間まで伸びている半
径のところで最大電界強度が得られる。半径が「ａ」の
導波管１６の場合、電界４４のこの最大強度は、長手軸
３６から約ａ／２離れたところにある。ＴＥモードの電
界４４は、壁３０のところと長手軸３６のところで最小
強度になるはずである。したがって、図示のように、Ｔ
Ｅモードの電界４４は、中心領域４６と外側領域４８の
双方を定義するように導波管１６内で構成されている。
明確には、図示のように、外側領域４８が導波管１６の
壁３０と電界４４の間にあり、中心領域４６は長手軸３
６を囲むとともに長手軸３６に沿って伸びている。ＴＥ
モードの電界４４から得られる重要な結果は、中心領域
４６が導波管１６の壁３０から離れていることである。
横電界である。より明確に説明すると、図２を参照する
ことにより、電界４４のＴＥモードに対し、導波管１６
の長手軸３６と壁３０の間のほぼ中間まで伸びている半
径のところで最大電界強度が得られる。半径が「ａ」の
導波管１６の場合、電界４４のこの最大強度は、長手軸
３６から約ａ／２離れたところにある。ＴＥモードの電
界４４は、壁３０のところと長手軸３６のところで最小
強度になるはずである。したがって、図示のように、Ｔ
Ｅモードの電界４４は、中心領域４６と外側領域４８の
双方を定義するように導波管１６内で構成されている。
明確には、図示のように、外側領域４８が導波管１６の
壁３０と電界４４の間にあり、中心領域４６は長手軸３
６を囲むとともに長手軸３６に沿って伸びている。ＴＥ
モードの電界４４から得られる重要な結果は、中心領域
４６が導波管１６の壁３０から離れていることである。
【００２８】導波管１６でＴＥモードの電界４４が確定
すると、供給ライン２４を介して不純物５０が導波管１
６に導入される。本発明に意図されているように、不純
物５０は屈折性材料でもよく、固体でも液状でもよい。
この他、希望に応じて、ナトリウム気体５２など、気体
の蒸気（gaseous vapor）を単体で、または不純物５０
とともに、供給ライン２４を介して導入してもよい。望
ましくは、供給ライン２４を介して、より揮発性の高い
ナトリウムの気体５２を最初に導波管１６に導入する。
これは、イオン化させる処理を開始する目的で実行され
る。ナトリウム気体５２が最初にイオン化されている
と、プラズマ放電５４を発生する後続のイオンのために
必要となる非常に高い（３０００Ｋ以上の）温度を発生
する基礎がつくられる。
すると、供給ライン２４を介して不純物５０が導波管１
６に導入される。本発明に意図されているように、不純
物５０は屈折性材料でもよく、固体でも液状でもよい。
この他、希望に応じて、ナトリウム気体５２など、気体
の蒸気（gaseous vapor）を単体で、または不純物５０
とともに、供給ライン２４を介して導入してもよい。望
ましくは、供給ライン２４を介して、より揮発性の高い
ナトリウムの気体５２を最初に導波管１６に導入する。
これは、イオン化させる処理を開始する目的で実行され
る。ナトリウム気体５２が最初にイオン化されている
と、プラズマ放電５４を発生する後続のイオンのために
必要となる非常に高い（３０００Ｋ以上の）温度を発生
する基礎がつくられる。
【００２９】本発明の重要な態様は、ＴＥ電界４４の構
成に起因してナトリウム気体５２と不純物５０双方のイ
オンが主として中心領域４６で発生する。したがって、
このイオン化を伴う高熱の負荷は、壁３０から離れてい
る。更に中心領域４６により、プラズマ放電５４が軸か
らいろいろな方向にはずれることを防止する際のプラズ
マ放電５４の安定性が配慮されている。
成に起因してナトリウム気体５２と不純物５０双方のイ
オンが主として中心領域４６で発生する。したがって、
このイオン化を伴う高熱の負荷は、壁３０から離れてい
る。更に中心領域４６により、プラズマ放電５４が軸か
らいろいろな方向にはずれることを防止する際のプラズ
マ放電５４の安定性が配慮されている。
【００３０】不純物５０のイオン化が開始してしまう
と、供給ライン２４を介し、必要に応じてナトリウム気
体５２を追加導入して、導波管１６内のイオン化処理を
維持する。いずれにしても、導波管１６で発生して得ら
れたプラズマ放電５４は、後の処理のために開口部３４
を介してプラズマ用空洞１４に移る。上に示したよう
に、共振マイクロ波を設定するために空洞１８の同調を
とることは、いくつかの方法で達成される。その１つと
して、空洞１８の長さ「ｈ」を変えてもよい。これを実
行するためには、空洞１８の誘電体の負荷に、ほかの円
板４２を加えてもよい。また必要に応じて、不純物５０
とナトリウム気体５２に水（図示せず）を加えてもよ
い。このように、当業者には判るように、空洞１８で確
定した共振マイクロ波が、導波管１６で適切なＴＥモー
ド電界４４を確定するように、空洞１８の同調をとって
もよい。
と、供給ライン２４を介し、必要に応じてナトリウム気
体５２を追加導入して、導波管１６内のイオン化処理を
維持する。いずれにしても、導波管１６で発生して得ら
れたプラズマ放電５４は、後の処理のために開口部３４
を介してプラズマ用空洞１４に移る。上に示したよう
に、共振マイクロ波を設定するために空洞１８の同調を
とることは、いくつかの方法で達成される。その１つと
して、空洞１８の長さ「ｈ」を変えてもよい。これを実
行するためには、空洞１８の誘電体の負荷に、ほかの円
板４２を加えてもよい。また必要に応じて、不純物５０
とナトリウム気体５２に水（図示せず）を加えてもよ
い。このように、当業者には判るように、空洞１８で確
定した共振マイクロ波が、導波管１６で適切なＴＥモー
ド電界４４を確定するように、空洞１８の同調をとって
もよい。
【００３１】空洞１８の同調をとることのほかに、マイ
クロ波がプラズマ用空洞１４に伝搬することを防止する
ために、導波管１６が遮断波長を確定することは、本発
明の重要な態様である。したがって、空洞１８の共振マ
イクロ波、導波管１６のＴＥモード電界４４および導波
管１６に閉じ込められたマイクロ波の遮断波長が調和す
るように、マイクロ波電源２６を調整する必要がある。
クロ波がプラズマ用空洞１４に伝搬することを防止する
ために、導波管１６が遮断波長を確定することは、本発
明の重要な態様である。したがって、空洞１８の共振マ
イクロ波、導波管１６のＴＥモード電界４４および導波
管１６に閉じ込められたマイクロ波の遮断波長が調和す
るように、マイクロ波電源２６を調整する必要がある。
【００３２】ここに示し詳細に開示した特定のプラズマ
・インジェクターは、説明する前に目的を明確にして利
点を提供しているが、本発明の現時点での好適実施例を
示しているに過ぎず、添付の特許請求の範囲に記述され
ていること以外に、ここに示した構成や設計の詳細に対
してはいかなる限定も考えていないことを理解すべきで
ある。
・インジェクターは、説明する前に目的を明確にして利
点を提供しているが、本発明の現時点での好適実施例を
示しているに過ぎず、添付の特許請求の範囲に記述され
ていること以外に、ここに示した構成や設計の詳細に対
してはいかなる限定も考えていないことを理解すべきで
ある。
【図１】本発明のプラズマ・インジェクターを使用する
システムの透視図。
システムの透視図。
【図２】図１の線２−２に沿って見た本発明のプラズマ
・インジェクターの断面図。
・インジェクターの断面図。
１０ システム １２ プラズマ・インジェクター １４ プラズマ用空洞 １６ 導波管 １８ 空洞 ２０ 端板 ２２ 不純物供給源 ２４ 供給ライン ２６ マイクロ波電源 ２８ ライン ３０ 壁 ３２ インジェクション・ポート ３４ 開口部 ３６ 長手軸 ３８ 金属壁 ４０ セラミック・ライニング ４２、４２ａ、４２ｂ 円板 ４４ ＴＥモード電界 ４６ 中心領域 ４８ 外側領域 ５０ 不純物 ５２ ナトリウム気体 ５４ プラズマ放電
Claims (5)
- 【請求項１】 プラズマ放電を生成するプラズマ・イン
ジェクターにおいて、 中空のほぼ円筒形の導波管を有し、該導波管は長手軸を
定め、かつ所定の遮断波長を確定するような寸法でつく
られ、 ほぼ円筒形状空洞を有し、該円筒形状空洞は誘電体で充
填され、かつ前記導波管とほぼ軸線を一致させて前記導
波管に取り付け、 前記円筒形状空洞に接続され、前記円筒形状空洞内で共
振マイクロ波を発生し、前記導波管のＴＥモード電界を
確定するマイクロ波発電器を有し、前記マイクロ波は、
前記遮断波長以下の波長を有し、前記導波管を介して前
記マイクロ波の伝搬を防止し、 前記導波管に不純物を導入する供給ラインを有し、前記
不純物は前記導波管の内部で前記ＴＥモードの電界と反
応し、前記不純物を気化してプラズマ放電を生成する、
ことを備えたプラズマ・インジェクター。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ・インジェクタ
ーにおいて、前記円筒形状空洞に充填される誘電体材料
を更に含むプラズマ・インジェクター。 - 【請求項３】 請求項１記載のプラズマ・インジェクタ
ーにおいて、前記マイクロ波発電器からのマイクロ波の
エネルギーを変えて、前記円筒形状空洞内の前記共振条
件を維持する手段を更に含むプラズマ・インジェクタ
ー。 - 【請求項４】 プラズマ放電を生成するプラズマ・イン
ジェクターにおいて、 遮断波長を確定するような寸法でつくられた導波管を有
し、 誘電体が充填された空洞内に共振マイクロ波を設定する
手段を有し、前記空洞は前記導波管と接続され、前記空
洞内の前記共振マイクロ波を前記導波管内のＴＥモード
電界に変換し、 前記導波管に不純物を導入する手段を有し、前記不純物
は前記導波管内で前記ＴＥモード電界と反応して前記不
純物を気化させ、プラズマ放電を生成する、ことを備え
たプラズマ・インジェクター。 - 【請求項５】 請求項４記載のプラズマ・インジェクタ
ーにおいて、前記導波管はほぼ円筒形であって長手軸を
定め、前記空洞はほぼ円筒形状であり、かつ前記導波管
と軸線が一致し、前記導入する手段は供給ラインであ
り、該供給ラインは前記空洞を通り、かつ、ほぼ前記軸
に沿って配置されているプラズマ・インジェクター。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US440358 | 1999-11-15 | ||
| US09/440,358 US6303007B1 (en) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | Plasma injector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176695A true JP2001176695A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3738181B2 JP3738181B2 (ja) | 2006-01-25 |
Family
ID=23748445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000314897A Expired - Fee Related JP3738181B2 (ja) | 1999-11-15 | 2000-10-16 | プラズマ・インジェクター |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6303007B1 (ja) |
| EP (1) | EP1102521A3 (ja) |
| JP (1) | JP3738181B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502958A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ヴァリアン オーストラリア ピーティーワイ．エルティーディー． | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
| JP2019517707A (ja) * | 2016-05-27 | 2019-06-24 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 電場結合を用いる小型マイクロ波プラズマ照射装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730231B2 (en) | 2002-04-02 | 2004-05-04 | Archimedes Technology Group, Inc. | Plasma mass filter with axially opposed plasma injectors |
| FR2864795B1 (fr) * | 2004-01-06 | 2008-04-18 | Air Liquide | Procede de traitement des gaz par des decharges hautes frequence |
| US20050172896A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Tihiro Ohkawa | Injector for plasma mass filter |
| HUP0400808A2 (hu) * | 2004-04-19 | 2005-11-28 | Dr.Kozéky László Géza | Fémgőz ívű plazmafáklya és annak alkalmazása a metallurgiában, a plazmaenergiás pirolízisben és vitrifikációban, és más anyagátalakító eljárásokban |
| US20060233968A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Tihiro Ohkawa | System and method for vaporizing a metal |
| US20060261522A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Tihiro Ohkawa | System and method for vaporizing a solid material |
| US7831008B2 (en) * | 2005-10-21 | 2010-11-09 | General Atomics | Microwave-powered pellet accelerator |
| US20070092050A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Parks Paul B | Microwave-powered pellet accelerator |
| WO2013071294A2 (en) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Advanced Magnetic Processes Inc. | Magneto-plasma separator and method for separation |
| CN102869182A (zh) * | 2012-09-12 | 2013-01-09 | 清华大学 | 一种基于耦合窗辐射的大体积微波等离子体发生装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE338962B (ja) | 1970-06-04 | 1971-09-27 | B Lehnert | |
| WO1979000923A1 (en) * | 1978-04-12 | 1979-11-15 | New Japan Radio Co Ltd | Microwave melting device |
| US4987007A (en) | 1988-04-18 | 1991-01-22 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source |
| US5250773A (en) * | 1991-03-11 | 1993-10-05 | Mcdonnell Douglas Corporation | Microwave heating device |
| US5468356A (en) * | 1991-08-23 | 1995-11-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Large scale purification of contaminated air |
| US5361016A (en) | 1992-03-26 | 1994-11-01 | General Atomics | High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube |
| US5225740A (en) | 1992-03-26 | 1993-07-06 | General Atomics | Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation |
| US5324485A (en) * | 1992-08-12 | 1994-06-28 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Microwave applicator for in-drum processing of radioactive waste slurry |
| US5350454A (en) | 1993-02-26 | 1994-09-27 | General Atomics | Plasma processing apparatus for controlling plasma constituents using neutral and plasma sound waves |
| US5681434A (en) | 1996-03-07 | 1997-10-28 | Eastlund; Bernard John | Method and apparatus for ionizing all the elements in a complex substance such as radioactive waste and separating some of the elements from the other elements |
| GB9704077D0 (en) | 1996-03-15 | 1997-04-16 | British Nuclear Fuels Plc | Improvements in and relating to processing |
| US5830328A (en) * | 1996-06-24 | 1998-11-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Contamination control of emission discharge |
| US5977528A (en) * | 1997-10-10 | 1999-11-02 | Eet Corporation | Rectangular microwave applicator and waste treatment method |
-
1999
- 1999-11-15 US US09/440,358 patent/US6303007B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-15 EP EP00308040A patent/EP1102521A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-16 JP JP2000314897A patent/JP3738181B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004502958A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | ヴァリアン オーストラリア ピーティーワイ．エルティーディー． | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
| JP4922530B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2012-04-25 | アジレント・テクノロジーズ・オーストラリア（エム）プロプライエタリー・リミテッド | プラズマ発生方法、分光測定用プラズマ源および導波路 |
| JP2019517707A (ja) * | 2016-05-27 | 2019-06-24 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 電場結合を用いる小型マイクロ波プラズマ照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3738181B2 (ja) | 2006-01-25 |
| US6303007B1 (en) | 2001-10-16 |
| EP1102521A3 (en) | 2003-04-16 |
| EP1102521A2 (en) | 2001-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5361016A (en) | High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube | |
| KR100291152B1 (ko) | 플라즈마발생장치 | |
| KR100358902B1 (ko) | 마이크로파를이용한플라스마생성장치 | |
| US4727293A (en) | Plasma generating apparatus using magnets and method | |
| US4877509A (en) | Semiconductor wafer treating apparatus utilizing a plasma | |
| US5468296A (en) | Apparatus for igniting low pressure inductively coupled plasma | |
| JP2591579B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| US6158383A (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US3577207A (en) | Microwave plasmatron | |
| JPS63184233A (ja) | 誘導励起式イオン源 | |
| JP2004055614A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001176695A (ja) | プラズマ・インジェクター | |
| JPH06295797A (ja) | プラズマの発生装置及び発生方法 | |
| US6261525B1 (en) | Process gas decomposition reactor | |
| KR102616759B1 (ko) | 전력 공급 도파로 내의 조리개들에 의한 마이크로파 회전 및 임피던스 쉬프팅을 위한 일반화된 원통형 공동 시스템 | |
| JPH07263187A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP7361092B2 (ja) | サイクロトロンのための低エロージョン内部イオン源 | |
| JPH05314918A (ja) | イオン源用マイクロ波アンテナ | |
| Liu et al. | Design aspects of a compact, single-frequency, permanent-magnet electron cyclotron resonance ion source with a large uniformly distributed resonant plasma volume | |
| US5506405A (en) | Excitation atomic beam source | |
| JP3055806B2 (ja) | マイクロ波によるプラズマ発生装置 | |
| Geddes et al. | Enhanced dissociation of molecular nitrogen in a microwave plasma with an applied magnetic field | |
| RU2151438C1 (ru) | Плазменный источник ионов с ленточным пучком (варианты) | |
| JPH09293599A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| KR20030064125A (ko) | 고효율 상압 마이크로웨이브 플라즈마시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050506 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050610 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050808 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050811 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050913 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051014 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051031 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |