JP2001151532A

JP2001151532A - 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JP2001151532A
Application number: JP33012199A
Authority: JP
Inventors: Satoru Fujimine; 哲藤峰; Yumiko Aoki; 由美子青木; Tsuneo Manabe; 恒夫真鍋
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1999-11-19
Filing date: 1999-11-19
Publication date: 2001-06-05

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイ装置の輝度低下を抑制で
きる電極被覆用低融点ガラスを得る。【解決手段】ＭｏまたはＳｂのいずれか１種以上を含有
し、質量百分率表示で、ＭｏのＭｏＯ₃換算含有量およ
びＳｂのＳｂ₂Ｏ₃換算含有量の合計が０．１〜５％の範
囲にある電極被覆用低融点ガラス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ（スズがド
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ等の透明電
極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス、およびプラ
ズマディスプレイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなければならない。画像の質の低下を
防ぐために、前記電極として透明電極が用いられてい
る。透明電極としては、ガラス基板上に形成されたＩＴ
Ｏまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。ここで
いう酸化スズは、フッ素、アンチモン、等がドープされ
た酸化スズを含む。

【０００３】前記表示装置の表示面として使用されるガ
ラス基板の表面に形成される透明電極は、精細な画像を
実現するために細い線状に加工される。そして各画素を
独自に制御するためには、このような微細に加工された
透明電極相互の絶縁性を確保する必要がある。ところ
が、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラス基
板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基板の
表面を介して若干の電流が流れることがある。このよう
な電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成する
ことが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁
層による画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は
透明であることが好ましい。

【０００４】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。最近大型平面カラーディスプレイ装置として
期待されているプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰ
という。）においては、典型的には、表示面として使用
される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されており、該セル中でプラズマ放電を発生させる
ことにより画像が形成される。前記前面基板の表面には
透明電極が形成されており、この透明電極をプラズマか
ら保護するために、プラズマ耐久性に優れたガラスによ
り前記透明電極の被覆することが必須である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような電極被覆に
用いられるガラスは、通常はガラス粉末にして使用され
る。すなわち、前記ガラス粉末に必要に応じてフィラー
等を添加後ペースト化し、このようにして得られたガラ
スペーストを、透明電極が形成されているガラス基板に
塗布、焼成することによって前記透明電極を被覆する。

【０００６】このような電極被覆用ガラスには、電気絶
縁性の他に、軟化点がたとえば６５０℃以下であるこ
と、線膨張係数がたとえば８０×１０^-7／℃程度である
こと、焼成して得られる電極被覆ガラス層の透明性が高
いこと、等が求められており、種々のガラスが従来より
提案されている。たとえば、特開平１１−１８０７２６
号公報には、ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃：５２〜６８重量％、Ｂ
₂Ｏ₃：１４〜２８重量％、ＳｉＯ₂：０〜５重量％、Ｚ
ｎＯ：６〜２３重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜８重量％、Ｃｅ
Ｏ₂：０〜５重量％、ＳｎＯ₂：０〜５重量％、から実質
的になる非結晶性ガラスが開示されている。

【０００７】しかし、ＰＤＰにおいては時間経過ととも
に輝度が低下することがあり、この問題の解決が求めら
れている。また、従来のＰＤＰにおける電極被覆ガラス
層は茶色に着色していることが多い。ＰＤＰに用いられ
ている従来の蛍光体においては、緑色および赤色の発光
強度に比べ青色の発光強度が小さい問題があるが、電極
被覆ガラス層が茶色に着色することにより、弱い青色の
光がさらに電極被覆ガラス層によって吸収され青色の光
が一層弱くなる問題があった。本発明は、前記輝度低下
問題および前記茶色着色問題を解決するための電極被覆
用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置、を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＭｏまたはＳ
ｂのいずれか１種以上を含有し、質量百分率表示で、Ｍ
ｏのＭｏＯ₃換算含有量およびＳｂのＳｂ₂Ｏ₃換算含有
量の合計が０．１〜５％の範囲にある電極被覆用低融点
ガラス、および、前面基板を有するプラズマディスプレ
イ装置であって、該前面基板を構成するガラス基板上の
透明電極が前記電極被覆用低融点ガラスにより被覆され
ているプラズマディスプレイ装置、を提供する。

【０００９】本発明者は、ＰＤＰにおける輝度低下問題
および茶色着色問題の原因を次のように推定し、本発明
に至った。電極被覆用低融点ガラスは、通常は粉末状に
して使用される。電極被覆用低融点ガラス粉末は、印刷
性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペー
ストとし、このガラスペーストを、ガラス基板上に形成
された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する。

【００１０】焼成して得られたこの電極被覆ガラス層は
茶色に着色することが多い。この現象は、有機ビヒクル
等に含まれる炭素含有不純物が前記電極被覆ガラス層に
残留し、この炭素含有不純物が電極被覆ガラス層を着色
している現象であると考えられる。なお、前記茶色の着
色によって典型的には波長４００ｎｍの光の透過率が低
下する。この炭素含有不純物は、ＰＤＰにおいてプラズ
マが発生しているときに、電極被覆ガラス層に存在する
水等と反応して炭酸ガスとして電極被覆ガラス層から放
出され、これによりＰＤＰの輝度が低下すると考えられ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の電極被覆用低融点ガラス
（以下単に本発明のガラスという。）は、通常は粉末状
にして使用される。本発明のガラスの粉末は、印刷性を
付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペースト
とされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗
布、焼成して電極を被覆する。ここでいう有機ビヒクル
は、エチルセルロース等のバインダをα−テルピネオー
ル等の有機溶剤に溶解したものである。なお、本発明の
ガラスは、典型的には鉛ガラスまたは鉛ホウ酸塩ガラス
である。ＰＤＰにおいては、本発明のガラスは前面基板
の透明電極の被覆に好適に使用される。

【００１２】前記粉末の平均粒径は０．５μｍ以上であ
ることが好ましい。０．５μｍ未満では、焼成して得ら
れた電極被覆ガラス層中の気泡が多くなり透明性が低下
するおそれがあり、また、粉末状にするために要する時
間が顕著に増加するおそれがある。より好ましくは０．
７μｍ以上である。

【００１３】また、前記粉末の最大粒径は３５μｍ以下
であることが好ましい。ＰＤＰにおける前記電極被覆ガ
ラス層の厚さは通常４０μｍ以下であるが、前記最大粒
径が３５μｍ超ではこの電極被覆ガラス層の表面に凹凸
が発生しＰＤＰの画像がゆがむおそれがある。前記最大
粒径は、より好ましくは２０μｍ以下である。

【００１４】本発明のガラスの軟化点は４５０〜６５０
℃であることが好ましい。理由を以下に述べる。前記ガ
ラス基板としては、通常、ガラス転移点が５５０〜６２
０℃のものが用いられる。この場合、ガラス基板の変形
を避けるために、前記ガラスペーストの焼成は６２０℃
以下で行われる。焼成を６２０℃以下で行うためには、
本発明のガラスの軟化点は６５０℃以下であることが好
ましい。また、前記焼成時の早い段階で本発明のガラス
が軟化流動して電極を完全に被覆することによって焼成
時における電極の電気特性劣化を防止するためにも、軟
化点は６５０℃以下であることが好ましい。より好まし
くは６４０℃以下、特に好ましくは６３０℃以下であ
る。

【００１５】一方、ＰＤＰの前面基板において、ＩＴＯ
または酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵抗が高すぎ
る場合、これら透明電極上にＡｇやＡｌや三層構造のＣ
ｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下、この金属層を金属電
極という。）を形成する場合がある。軟化点が４５０℃
未満のガラスによりこれら金属電極を被覆すると、金属
電極が侵食されたり、金属電極を介しての透明電極の侵
食が促進されたりするおそれがある。特に、焼成が５２
０℃以上で行われる場合、軟化点が４５０℃未満のガラ
スにより金属電極を被覆すると透明電極の侵食が顕著に
なる。また、この場合、軟化点が４５０℃以上５２０℃
未満のガラスにより金属電極を被覆すると、透明電極の
侵食はなくなるが、焼成時に電極被覆ガラス層中の気泡
が大きくなり電極被覆ガラス層の透過率が減少する。

【００１６】本発明のガラスの軟化点は５００℃以上で
あることがより好ましい。さらに好ましくは５２０℃以
上、特に好ましくは５５０℃以上、最も好ましくは５８
０℃以上である。

【００１７】また、軟化点が４５０℃以上であれば、焼
成時にガラスの軟化流動が始まる前にガラスペースト中
の有機ビヒクルは完全に揮発し、有機ビヒクル中の炭素
含有不純物の電極被覆ガラス層への大量残存、それにと
もなう電極被覆ガラス層の透過率低下、の防止も期待さ
れる。実際、有機ビヒクルの構成成分であるバインダと
して使用されるエチルセルロースと、軟化点が６００℃
であり平均粒径が３μｍであるガラス粉末とを乳鉢中で
混合して得られた混合粉末を、毎分１０℃で昇温しその
重量減少率と温度の関係を調べたところ、４５０℃で該
重量減少率は０となった。さらに、軟化点が５２０℃以
上であれば電極被覆ガラス層を単層構造にできる。これ
に対し、軟化点が５２０℃未満では前記透明電極侵食現
象のために単層構造とすることは困難になり、軟化点が
５２０℃未満のガラスを上層、軟化点がたとえば５２０
℃以上のより軟化点が高いガラスを下層とする非単層構
造にしなければならなくなるおそれがある。ここでいう
下層は透明電極と直接接する層である。

【００１８】前記ガラス基板としては、通常、５０〜３
５０℃における平均線膨張係数が８０×１０^-7〜９０×
１０^-7／℃のものが用いられる。したがってこのような
ガラス基板と膨張特性をマッチングさせ、ガラス基板の
そりや強度の低下を防止するためには、本発明のガラス
の前記平均線膨張係数は６０×１０^-7〜９０×１０^-7／
℃であることが好ましく、７０×１０^-7〜８５×１０^-7
／℃であることがより好ましい。なお、５０〜３５０℃
における平均線膨張係数を以下では単に膨張係数とい
う。

【００１９】また、本発明のガラスの室温から４００℃
までの範囲における比抵抗、より典型的には室温から３
００℃までの範囲における比抵抗は、前記ガラス基板に
用いられるガラスの前記温度範囲における比抵抗の０．
１倍またはそれ以上であることが好ましい。この条件が
満たされないと電気絶縁性が不足するおそれがある。ガ
ラス基板に用いられるガラスの１５０℃における比抵抗
は典型的には１０¹¹Ω・ｃｍ程度である。このことから
本発明のガラスの１５０℃における比抵抗は１０¹⁰Ω・
ｃｍ以上であることが好ましく、１０¹¹Ω・ｃｍ以上で
あることがより好ましい。

【００２０】本発明のガラスの比誘電率は１８以下であ
ることが好ましい。１８超ではＰＤＰのセルの静電容量
が大きくなりすぎ、ＰＤＰの消費電力が増大するおそれ
がある。より好ましくは１２以下である。

【００２１】本発明のガラスは焼成時に結晶化しないこ
とが好ましい。この観点からは、本発明のガラスの結晶
化温度Ｔ_cは焼成温度超であることが好ましく、焼成温
度より８０℃以上高いことがより好ましい。ここでいう
結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ）によって得られる結
晶化ピーク温度であり、結晶化ピークが認められない場
合は、Ｔ_c＝∞とする。

【００２２】前記Ｔ_cは７００℃以上であることが好ま
しい。７００℃未満では、通常行われる５００〜６２０
℃での焼成においてガラスが結晶化し透明性が低下する
おそれがある。より好ましくは７５０℃以上である。

【００２３】本発明のガラスは、ＭｏおよびＳｂのうち
の少なくともいずれか一方を含有する。Ｍｏを含有して
Ｓｂを含有しなくてもよいし、Ｓｂを含有してＭｏを含
有しなくてもよいし、ＭｏおよびＳｂの両者を含有して
もよい。ＭｏおよびＳｂのいずれも含有しないと電極被
覆ガラス層中の炭素含有不純物残存量が多くなりすぎ、
茶色に着色するおそれがある、またはＰＤＰの輝度が低
下するおそれがある。

【００２４】質量百分率表示で、ＭｏＯ₃として換算し
たＭｏ含有量（以下ＭｏＯ₃含有量という。）は５％以
下であることが好ましい。５％超では電極被覆ガラス層
のＭｏに起因する着色が濃くなりすぎるおそれがある。
より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下であ
る。Ｍｏを含有する場合、そのＭｏＯ₃含有量は０．１
％以上であることが好ましい。より好ましくは０．３％
以上、特に好ましくは０．５％以上である。なお、以下
では含有量は質量百分率で表す。

【００２５】Ｓｂ₂Ｏ₃として換算したＳｂ含有量（以下
Ｓｂ₂Ｏ₃含有量という。）は１％以下であることが好ま
しい。１％超では電極被覆ガラス層のＳｂに起因する着
色が濃くなりすぎるおそれがある。より好ましくは０．
９％以下、特に好ましくは０．８％以下、最も好ましく
は０．７％以下である。Ｓｂを含有する場合、そのＳｂ
₂Ｏ₃含有量は０．１％以上であることが好ましい。より
好ましくは０．２％以上、特に好ましくは０．３％以上
である。

【００２６】本発明のガラスにおいて、ＭｏＯ₃含有量
とＳｂ₂Ｏ₃含有量の合計は０．１〜５％である。０．１
％未満では前記炭素含有不純物残存量が多くなりすぎ
る。好ましくは０．２％以上、より好ましくは０．３％
以上である。５％超では電極被覆ガラス層のＭｏまたは
Ｓｂに起因する着色が濃くなりすぎる。好ましくは３％
以下、より好ましくは１．４％以下、特に好ましくは１
％以下、最も好ましくは０．９％以下である。

【００２７】本発明のガラスは下記酸化物基準で、実質
的に、ＰｂＯ２５〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃
０〜６０％、ＳｉＯ₂ ０〜４０％、Ａｌ₂Ｏ₃
０〜２５％、Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、Ｍｇ
Ｏ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０
％、ＳｒＯ０〜４０％、ＢａＯ０
〜４０％、ＺｎＯ０〜５５％、Ｌｉ₂Ｏ
０〜２０％、Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、Ｋ₂Ｏ
０〜２０％、ＭｏＯ₃ ０〜５％、
Ｓｂ₂Ｏ₃ ０〜１％、からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ
＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％であり、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂
Ｏ＋Ｋ₂Ｏが０〜２０％であることが好ましい。

【００２８】次に、上記の好ましい組成について説明す
る。なお、ＭｏＯ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃については先に述べたの
で省略する。ＰｂＯは軟化点を低下させ、また膨張係数
を大きくする効果を有し、必須である。２５％未満で
は、前記効果が小さすぎる。好ましくは３０％以上であ
る。８５％超では、比誘電率が大きくなりすぎる、また
は黄色着色が濃くなりすぎる。好ましくは７５％以下で
ある。

【００２９】Ｂ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定化
させるために、または焼成時のガラス流動性を高め電極
被覆ガラス層中の残存気泡を減少させて透過率を高くす
るために、６０％まで含有してもよい。６０％超では、
軟化点が高くなりすぎたり、ガラスが分相したりするお
それがある。より好ましくは５５％以下である。Ｂ₂Ｏ₃
を含有する場合は、１０％以上含有することがより好ま
しい。なお、前記残存気泡の大きさは典型的には３０μ
ｍである。

【００３０】ＳｉＯ₂は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために、または銀発色現象を抑制するために、
４０％まで含有してもよい。ここでいう銀発色現象は、
ＰＤＰ前面基板のガラス基板上に形成された銀含有バス
電極をガラスで被覆した場合に、該ガラスに銀が拡散し
ガラスが茶色に着色しＰＤＰの画質が低下する現象であ
る。ＳｉＯ₂は前記銀の拡散を抑制する効果があると考
えられる。ＳｉＯ₂含有量が４０％超では、焼成時のガ
ラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増
加して透過率が低下するおそれがある。ＳｉＯ₂含有量
は、より好ましくは３５％以下、さらに好ましくは１５
％以下、最も好ましくは１２％以下である。

【００３１】Ａｌ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために２５％まで含有してもよい。２５％超で
はガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１５
％以下、特に好ましくは１０％以下である。

【００３２】Ｂｉ₂Ｏ₃は必須ではないが、軟化点を低下
させるために３５％まで含有してもよい。３５％超では
ガラスが黄色に着色したり、比誘電率が大きくなりすぎ
たりするおそれがある。より好ましくは３０％以下、特
に好ましくは５％以下である。

【００３３】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはい
ずれも必須ではないが、ガラスの耐水性を高めるため
に、またはガラスの分相を抑制するために、それぞれ４
０％まで含有してもよい。なお、ガラスの比誘電率を特
に低下させたい場合はＭｇＯを含有することが好まし
い。これら成分のそれぞれの含有量が４０％超では焼成
時の結晶化が顕著となり透過率が低下するおそれがあ
る。より好ましくは３５％以下、特に好ましくは３０％
以下である。

【００３４】なお、ＭｇＯについては５％以下であるこ
とが最も好ましい。５％超では、焼成時のガラス流動性
が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過
率が低下するおそれがある。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯお
よびＢａＯの含有量の合計は４０％以下であることが好
ましい。より好ましくは３５％以下である。

【００３５】ＺｎＯは必須ではないが、軟化点を低下さ
せるために５５％まで含有してもよい。５５％超ではガ
ラスが失透するおそれがある。より好ましくは１０％以
下である。

【００３６】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏはいずれも
必須ではないが、軟化点を低下させるために、それぞれ
２０％まで含有してもよい。２０％超では、ガラスの耐
水性が低下したり、膨張係数が大きくなりすぎたりする
おそれがある。より好ましくはそれぞれ５％以下であ
る。Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏの含有量の合計は２
０％以下であることが好ましい。より好ましくは５％以
下である。本発明のガラスは実質的に上記１５成分から
なることが好ましいが、この他の成分を本発明の目的を
損なわない範囲で１０％まで含有してもよい。

【００３７】本発明のプラズマディスプレイ装置（以下
本発明のＰＤＰという。）の前面基板においては、ガラ
ス基板の上に透明電極が形成されており、該透明電極が
形成されているガラス基板の表面が本発明のガラスによ
り被覆されている。前面基板に用いられるガラス基板の
厚さは通常２．８ｍｍであり、このガラス基板自体の波
長５５０ｎｍの光に対する透過率（以下Ｔ_550nmと記
す。）は典型的には９０％である。また、その濁度は典
型的には０．４％である。また、透明電極は、たとえば
幅０．５ｍｍの帯状であり、それぞれの帯状電極が互い
に平行となるように形成される。各帯状電極中心線間の
距離は、たとえば０．８３〜１．０ｍｍであり、この場
合、透明電極がガラス基板表面を占める割合は５０〜６
０％である。

【００３８】本発明のＰＤＰの前面基板については、Ｔ
_550nmは８０％以上であることが好ましい。また、その
濁度は１５％以下であることが好ましい。Ｔ_550nmが８
０％未満または濁度が１５％超ではＰＤＰの画質が低下
するおそれがある。

【００３９】本発明のＰＤＰは、たとえば交流方式のも
のであれば次のようにして製造される。図１に示すよう
に、ガラス基板１ａの表面にパターニングされた透明電
極２およびバス線（図示せず）を形成したのち、本発明
のガラスの粉末を塗布・焼成してガラス層３を形成し、
最後に保護膜として酸化マグネシウムの層（図示せず）
を形成し、前面基板１０とする。一方、ガラス基板１ｂ
の上には、パターニングされたアドレス用電極５を形成
したのち、ストライプ状に隔壁６を形成し、さらに蛍光
体層４を印刷・焼成して背面基板２０とする。

【００４０】前面基板１０と背面基板２０の周縁にシー
ル材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２
とアドレス用電極５が対向するように組み立てた後、焼
成してプラズマディスプレイ装置とする。そしてプラズ
マディスプレイ装置内部を排気して、放電空間７にＮｅ
やＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。なお、上記の
例は交流方式のものであるが、本発明は直流方式のもの
にも適用できる。

【００４１】

【実施例】表のＰｂＯからＳｂ₂Ｏ₃までの欄に質量百分
率で示す組成となるように、原料を調合して混合し、１
３００℃の電気炉中で白金ルツボを用いて１時間溶融
し、薄板状ガラスに成形した後、ボールミルで粉砕し、
ガラス粉末を得た。例１〜５は実施例、例６〜９は比較
例である。

【００４２】これらガラス粉末について、軟化点（単
位：℃）および膨張係数（単位：１０ ^-7／℃）を以下に
述べるようにして測定した。結果を表に示す。軟化点：示差熱分析計を用いて測定した。膨張係数：ガラス粉末を成形後、表に示す焼成温度（単
位：℃）で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、
長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０
℃の平均線膨張係数を測定した。

【００４３】また、これらガラス粉末とエチルセルロー
スを質量比で１００：５となるように計りとって混合
し、得られた混合物２ｇを直径１２ｍｍの円柱状の型に
入れて成形し円柱状試料とした。この円柱状試料を、ガ
ラス粉末の軟化点で３０分間焼成し、円盤状の焼成体を
得た。この焼成体の色を表に示す。焼成体の色が茶色の
ものは焼成体中の炭素含有不純物の量が多いものと考え
られる。したがって、例１〜５の焼成体の炭素含有不純
物の量は例６〜９の焼成体に比べ少ないと考えられる。

【００４４】さらに、これらガラス粉末１００ｇを有機
ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペーストを作製した。
前記有機ビヒクルは、ジエチレングリコールモノブチル
エーテルモノアセテートまたはα−テルピネオールにエ
チルセルロースを７〜１８重量％溶解したものである。

【００４５】次に、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ
２．８ｍｍのガラス基板を用意し、このガラス基板の表
面に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍのＩＴＯ透明
電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離が１．０ｍｍ
となるように平行に多数形成した。前記ガラス基板は、
質量百分率で表わした組成が、ＳｉＯ₂：５８％、Ａｌ₂
Ｏ₃：７％、Ｎａ₂Ｏ：４％、Ｋ₂Ｏ：６．５％、Ｍｇ
Ｏ：２％、ＣａＯ：５％、ＳｒＯ：７％、ＢａＯ：７．
５％、ＺｒＯ₂：３％、ガラス転移点が６２６℃、膨張
係数が８３×１０^-7／℃、であるガラスからなる。な
お、前記ＩＴＯ透明電極はガラス基板の片面に形成され
ている。

【００４６】ＩＴＯ透明電極が形成されている３０ｍｍ
×３０ｍｍの部分に前記ガラスペーストを均一にスクリ
ーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス
基板を昇温速度１０℃／分で、表に示す焼成温度になる
まで加熱し、さらにその温度に３０分間保持して、焼成
した。透明電極を被覆するガラス層の厚さは３０μｍで
あった。

【００４７】前記焼成後のガラス基板について、波長５
５０ｎｍの光の透過率（単位：％）および濁度（単位：
％）を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示
す。

【００４８】透過率：（株）日立製作所製の自記分光光
度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０ｎｍ
の光の透過率を測定した。サンプルのない状態を１００
％とした。透過率は８０％以上であることが好ましい。

【００４９】濁度：（株）スガ試験器製のヘーズメータ
（ハロゲン球を用いたＣ光源）を使用した。ハロゲン球
からの光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入
射させ、積分球により全光線透過率Ｔ_tと拡散透過率Ｔ_d
を測定した。濁度は、濁度（％）＝（Ｔ_d／Ｔ_t）×１００により算出した。濁度は１５％以下であることが好まし
い。

【００５０】

【表１】

【００５１】

【発明の効果】本発明のガラスを用いることにより、Ｐ
ＤＰにおける輝度低下が起りにくくなる。また、ガラス
基板上の透明電極を被覆するガラス層の茶色の着色を抑
制でき、またその透明性を高くできる。

【００５２】本発明のＰＤＰにおいては、輝度低下が起
りにくい。また、その前面基板の透過率が高く、画質が
優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマディスプレイ装置を示す断面
図。

【符号の説明】

１ａ：ガラス基板１ｂ：ガラス基板２：透明電極３：ガラス層４：蛍光体層５：アドレス用電極６：隔壁７：放電空間１０：前面基板２０：背面基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＭｏまたはＳｂのいずれか１種以上を含有
し、質量百分率表示で、ＭｏのＭｏＯ₃換算含有量およ
びＳｂのＳｂ₂Ｏ₃換算含有量の合計が０．１〜５％の範
囲にある電極被覆用低融点ガラス。
【請求項２】下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質
的に、ＰｂＯ２５〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ ０〜６０％、ＳｉＯ₂ ０〜４０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、ＭｇＯ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０％、ＳｒＯ０〜４０％、ＢａＯ０〜４０％、ＺｎＯ０〜５５％、Ｌｉ₂Ｏ０〜２０％、Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、Ｋ₂Ｏ０〜２０％、ＭｏＯ₃ ０〜５％、Ｓｂ₂Ｏ₃ ０〜１％、からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０
％である請求項１に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項３】軟化点が４５０〜６５０℃の範囲にある請
求項１または２に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項４】５０〜３５０℃における平均線膨張係数が
６０×１０^-7〜９０×１０^-7／℃の範囲にある請求項
１、２または３に記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項５】前面基板を有するプラズマディスプレイ装
置であって、該前面基板を構成するガラス基板上の透明
電極が請求項１〜４のいずれかに記載の電極被覆用低融
点ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装
置。