JP2001144334A - 光半導体装置及び形成方法 - Google Patents
光半導体装置及び形成方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤダイ実装時の不良が生じにくい光半導
体装置及びその形成方法を提供する。 【解決手段】 正及び負のリード電極２、３と成形樹脂
１０とから形成されてなるパッケージ１と、正及び負の
ダイ電極５、６が一つの主面側に共に形成されてなる光
半導体ダイ４とを備え、該光半導体ダイ４が導電性接着
部材７、８を介して上記リード電極上にフリップチップ
実装された光半導体装置であって、上記パッケージ１
は、上記リード電極の正極２と負極３の間に凹部９を有
し、該凹部９の少なくとも一部が上記光半導体ダイ４と
対向する位置に形成されている。
体装置及びその形成方法を提供する。 【解決手段】 正及び負のリード電極２、３と成形樹脂
１０とから形成されてなるパッケージ１と、正及び負の
ダイ電極５、６が一つの主面側に共に形成されてなる光
半導体ダイ４とを備え、該光半導体ダイ４が導電性接着
部材７、８を介して上記リード電極上にフリップチップ
実装された光半導体装置であって、上記パッケージ１
は、上記リード電極の正極２と負極３の間に凹部９を有
し、該凹部９の少なくとも一部が上記光半導体ダイ４と
対向する位置に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種インジケータ
ー、ディスプレイ、光プリンターの書き込み光源及び液
晶のバックライト等に利用可能な光半導体ダイを用いた
光半導体装置に関し、特に、ＬＥＤダイがフリップチッ
プ実装された光半導体装置に関するものである。
ー、ディスプレイ、光プリンターの書き込み光源及び液
晶のバックライト等に利用可能な光半導体ダイを用いた
光半導体装置に関し、特に、ＬＥＤダイがフリップチッ
プ実装された光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、ＬＥＤダイを用いた光半導体装置
が、種々の光源として広く利用されている。ＬＥＤダイ
は小型で効率が良く、鮮やかな色の発光をする。また、
低消費電力であるほか、半導体発光素子であるので玉切
れなどの心配がない。さらに、初期駆動特性が優れ、振
動やＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特性を有
していることから、今後更に広く用いられるものと考え
られる。ＬＥＤダイは約３００μｍ角程度と極めて小さ
いものであり、通常、リード電極に接続された後、樹脂
で封止されて用いられるが、最近では、外部との導通が
可能なリード電極が埋め込まれたパッケージ内部にＬＥ
Ｄダイを配置させた光半導体装置が多く使用されるよう
になってきている。
が、種々の光源として広く利用されている。ＬＥＤダイ
は小型で効率が良く、鮮やかな色の発光をする。また、
低消費電力であるほか、半導体発光素子であるので玉切
れなどの心配がない。さらに、初期駆動特性が優れ、振
動やＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特性を有
していることから、今後更に広く用いられるものと考え
られる。ＬＥＤダイは約３００μｍ角程度と極めて小さ
いものであり、通常、リード電極に接続された後、樹脂
で封止されて用いられるが、最近では、外部との導通が
可能なリード電極が埋め込まれたパッケージ内部にＬＥ
Ｄダイを配置させた光半導体装置が多く使用されるよう
になってきている。
【０００３】そのような光半導体装置の一般的な構造
は、ＬＥＤダイを収納することが可能な大きさの凹部を
有するパッケージと、そのパッケージに埋め込まれたリ
ード電極とを有しており、そのリード電極は、ＬＥＤダ
イと接続するために、凹部の底面で一部が露出されてい
る。
は、ＬＥＤダイを収納することが可能な大きさの凹部を
有するパッケージと、そのパッケージに埋め込まれたリ
ード電極とを有しており、そのリード電極は、ＬＥＤダ
イと接続するために、凹部の底面で一部が露出されてい
る。
【０００４】このように作製されたパッケージに、ＬＥ
Ｄダイをダイボンド樹脂等で固定して、露出されたリー
ド電極とＬＥＤダイの電極とを、例えば金属ワイヤによ
って接続した後、ＬＥＤダイを保護するために透明性エ
ポキシ樹脂で被覆することにより、光半導体装置が作製
される。こうして作製された光半導体装置は、他ののチ
ップタイプ部品と同様の方法で表面実装される。リード
電極を介して電流が供給されるとＬＥＤダイが発光し、
発光された光はＬＥＤダイから直接又は凹部の側面で反
射してパッケージの外部へ放出される。
Ｄダイをダイボンド樹脂等で固定して、露出されたリー
ド電極とＬＥＤダイの電極とを、例えば金属ワイヤによ
って接続した後、ＬＥＤダイを保護するために透明性エ
ポキシ樹脂で被覆することにより、光半導体装置が作製
される。こうして作製された光半導体装置は、他ののチ
ップタイプ部品と同様の方法で表面実装される。リード
電極を介して電流が供給されるとＬＥＤダイが発光し、
発光された光はＬＥＤダイから直接又は凹部の側面で反
射してパッケージの外部へ放出される。
【０００５】近年、ＬＥＤダイが様々な用途に使われる
ようになるにつれ、ダイ・ボンディングの方法も多様化
し、電気的接続や取り扱いを容易にするために様々な工
夫がなされている。そのなかで、一方の主面側に正負の
電極（ダイ電極）が形成されたＬＥＤダイを、その電極
形成面を下にして、パッケージに形成された正負のリー
ド電極上に設置し、それぞれの電極の接合には、接着剤
として例えばはんだのような導電性の部材を用いて導通
するようになされた、いわゆるフリップチップ実装タイ
プのものは、ワイヤ・ボンディングが不要であるため、
断線等の問題が生じず、取り扱いが容易である。
ようになるにつれ、ダイ・ボンディングの方法も多様化
し、電気的接続や取り扱いを容易にするために様々な工
夫がなされている。そのなかで、一方の主面側に正負の
電極（ダイ電極）が形成されたＬＥＤダイを、その電極
形成面を下にして、パッケージに形成された正負のリー
ド電極上に設置し、それぞれの電極の接合には、接着剤
として例えばはんだのような導電性の部材を用いて導通
するようになされた、いわゆるフリップチップ実装タイ
プのものは、ワイヤ・ボンディングが不要であるため、
断線等の問題が生じず、取り扱いが容易である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＥＤ
ダイを実装する際にその搭載位置がズレる場合がある。
これは、ＬＥＤダイの大きさが約３００μｍと極めて小
さいために起こる問題で、ＬＥＤダイ搭載機の精度を上
げるにも現時点では限度がある。ＬＥＤダイの搭載位置
がずれると、ショート不良を起こしたり、また、リード
電極とダイ電極が接合しなかったりする不良を起こす原
因になる。ここで、ワイヤ・ボンディングタイプの光半
導体装置は、ＬＥＤダイ搭載位置のズレを補正すること
ができるという利点があるが、工程に要する時間を考慮
に入れると、やはりフリップチップ実装タイプのものが
望ましい。
ダイを実装する際にその搭載位置がズレる場合がある。
これは、ＬＥＤダイの大きさが約３００μｍと極めて小
さいために起こる問題で、ＬＥＤダイ搭載機の精度を上
げるにも現時点では限度がある。ＬＥＤダイの搭載位置
がずれると、ショート不良を起こしたり、また、リード
電極とダイ電極が接合しなかったりする不良を起こす原
因になる。ここで、ワイヤ・ボンディングタイプの光半
導体装置は、ＬＥＤダイ搭載位置のズレを補正すること
ができるという利点があるが、工程に要する時間を考慮
に入れると、やはりフリップチップ実装タイプのものが
望ましい。
【０００７】フリップチップ実装タイプの光半導体装置
で、ダイ電極とリード電極を確実に接合させるために、
パッケージにダイ電極が嵌入できるような凹部を設け、
この凹部内にリード電極を形成させる等の方法を用いれ
ば、ＬＥＤダイを正確にかつ確実に所定の位置に搭載す
ることができる。しかし、この方法では、ダイ電極とパ
ッケージ凹部の位置がその形成時点でズレていた場合に
は、接合時に補正することは不可能であるので、ＬＥＤ
ダイ搭載位置を嵌合により決めてしまう方法は、結局不
良を減らすことはできない。
で、ダイ電極とリード電極を確実に接合させるために、
パッケージにダイ電極が嵌入できるような凹部を設け、
この凹部内にリード電極を形成させる等の方法を用いれ
ば、ＬＥＤダイを正確にかつ確実に所定の位置に搭載す
ることができる。しかし、この方法では、ダイ電極とパ
ッケージ凹部の位置がその形成時点でズレていた場合に
は、接合時に補正することは不可能であるので、ＬＥＤ
ダイ搭載位置を嵌合により決めてしまう方法は、結局不
良を減らすことはできない。
【０００８】そこで、上記のようにリード電極をＬＥＤ
ダイ実装面を窪ませた凹部内に形成させるのでなく、Ｌ
ＥＤダイ実装面と同一面上にリード電極を形成させ、こ
のリード電極上にＬＥＤダイをフリップチップ実装させ
るタイプのものを考えてみる。パッケージとしては、成
形樹脂とリード電極とを一体成形してなる形式のものが
成形が容易であり、後で形成させる工程を設ける必要が
ないので、時間的にも短縮でき好都合であるので、よく
用いられている。しかし、通常この一体成形の方法は、
パッケージ成形時に金型内にリード電極となる金属片を
設置し、そこに溶融した成形樹脂を充填するだけなの
で、リード電極の位置は固定されていない。リード電極
は金属片なので、大きくは変形しないものの、成形樹脂
充填時にその充填圧等により位置がズレてしまい、正極
と負極の間の間隔にはバラツキが生じてしまう。このバ
ラツキもＬＥＤダイ搭載時にカバーしなければならず、
ＬＥＤダイ搭載機にはやはり極めて高精度なものが必要
であった。
ダイ実装面を窪ませた凹部内に形成させるのでなく、Ｌ
ＥＤダイ実装面と同一面上にリード電極を形成させ、こ
のリード電極上にＬＥＤダイをフリップチップ実装させ
るタイプのものを考えてみる。パッケージとしては、成
形樹脂とリード電極とを一体成形してなる形式のものが
成形が容易であり、後で形成させる工程を設ける必要が
ないので、時間的にも短縮でき好都合であるので、よく
用いられている。しかし、通常この一体成形の方法は、
パッケージ成形時に金型内にリード電極となる金属片を
設置し、そこに溶融した成形樹脂を充填するだけなの
で、リード電極の位置は固定されていない。リード電極
は金属片なので、大きくは変形しないものの、成形樹脂
充填時にその充填圧等により位置がズレてしまい、正極
と負極の間の間隔にはバラツキが生じてしまう。このバ
ラツキもＬＥＤダイ搭載時にカバーしなければならず、
ＬＥＤダイ搭載機にはやはり極めて高精度なものが必要
であった。
【０００９】さらにこのタイプの場合、たとえリード電
極上にＬＥＤダイが正確に配置されたとしても、接合時
に均等な押力が加わらなかったり、あるいは導電性接着
部材の量が正極側と負極側とで違っていたりすると、Ｌ
ＥＤダイが動いて所定の位置からズレてしまう。このよ
うな場合、隣接する電極にまで導電性接着部材が広が
り、ショート不良を起こすという問題が起こるので、実
装作業には細心の注意が必要であった。
極上にＬＥＤダイが正確に配置されたとしても、接合時
に均等な押力が加わらなかったり、あるいは導電性接着
部材の量が正極側と負極側とで違っていたりすると、Ｌ
ＥＤダイが動いて所定の位置からズレてしまう。このよ
うな場合、隣接する電極にまで導電性接着部材が広が
り、ショート不良を起こすという問題が起こるので、実
装作業には細心の注意が必要であった。
【００１０】そこで、本発明は、フリップチップ実装型
の光半導体装置において、ＬＥＤダイ実装時の不良が生
じにくい光半導体装置及びその形成方法を提供すること
を目的とする。
の光半導体装置において、ＬＥＤダイ実装時の不良が生
じにくい光半導体装置及びその形成方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に係る光半
導体装置は、正及び負のリード電極と成形樹脂とから形
成されてなるパッケージと、正及び負のダイ電極が一つ
の主面側に共に形成されてなる光半導体ダイとを備え、
該光半導体ダイが導電性接着部材を介して上記リード電
極上にフリップチップ実装された光半導体装置であっ
て、上記パッケージは、上記リード電極の正極と負極の
間に凹部を有し、該凹部の少なくとも一部が上記光半導
体ダイと対向する位置に形成されていることを特徴とす
る。このように構成することにより、ＬＥＤダイを実装
する際に、導電性接着部材パッケージ成形時に生じたリ
ード電極の位置ズレや、ＬＥＤダイ搭載時に不均等な押
圧が掛かって生じたＬＥＤダイの位置ズレにともなう導
電性接着部材のはみ出しによる電極間のショート不良を
防ぐことができる。
導体装置は、正及び負のリード電極と成形樹脂とから形
成されてなるパッケージと、正及び負のダイ電極が一つ
の主面側に共に形成されてなる光半導体ダイとを備え、
該光半導体ダイが導電性接着部材を介して上記リード電
極上にフリップチップ実装された光半導体装置であっ
て、上記パッケージは、上記リード電極の正極と負極の
間に凹部を有し、該凹部の少なくとも一部が上記光半導
体ダイと対向する位置に形成されていることを特徴とす
る。このように構成することにより、ＬＥＤダイを実装
する際に、導電性接着部材パッケージ成形時に生じたリ
ード電極の位置ズレや、ＬＥＤダイ搭載時に不均等な押
圧が掛かって生じたＬＥＤダイの位置ズレにともなう導
電性接着部材のはみ出しによる電極間のショート不良を
防ぐことができる。
【００１２】また、本発明に係る光半導体装置では、上
記光半導体ダイは、透光性の封止部材で覆うことができ
る。
記光半導体ダイは、透光性の封止部材で覆うことができ
る。
【００１３】さらに、本発明に係る光半導体装置では、
上記パッケージの成形樹脂は、液晶ポリマー樹脂、ポリ
ブチレンテレフタレート樹脂、及びセラミックスからな
る群から選択される１つを用いて構成することができ
る。
上記パッケージの成形樹脂は、液晶ポリマー樹脂、ポリ
ブチレンテレフタレート樹脂、及びセラミックスからな
る群から選択される１つを用いて構成することができ
る。
【００１４】またさらに、本発明に係る光半導体装置で
は、上記凹部は、その底部において、凹部底面を正極側
と負極側とに分断する遮断壁が形成されていてもよい。
は、上記凹部は、その底部において、凹部底面を正極側
と負極側とに分断する遮断壁が形成されていてもよい。
【００１５】また、本発明に係る光半導体装置の形成方
法は、金型に成形上型と正及び負のリード電極とを設置
し、該金型中に成形樹脂を射出してパッケージを一体形
成し、正及び負のダイ電極が一つの主面側に共に形成さ
れてなる光半導体ダイを、導電性接着部材を介して上記
リード電極上にフリップチップ実装する光半導体装置の
形成方法であって、上記一体成形は、成形上型として、
パッケージに凹部を形成可能な突起を有した突起付成形
上型を用いて行われ、該突起は、リード電極の正極と負
極の間と対向し、かつ少なくとも一部が光半導体ダイが
実装される位置と対向していることを特徴とする。この
ように形成させることにより、リード電極の正極と負極
の間に、導電性接着部材が広がっていくことができる凹
部を、パッケージ成形時に同時に形成させることができ
る。また、成形上型の突起にリード電極を突き当てなが
ら成形することで成形樹脂充填時にリード電極の位置が
対極側にずれてショート不良を起こすこと、及びリード
電極が前記とは逆方向にズレて電極間隙間が広がること
を防ぐことができる。
法は、金型に成形上型と正及び負のリード電極とを設置
し、該金型中に成形樹脂を射出してパッケージを一体形
成し、正及び負のダイ電極が一つの主面側に共に形成さ
れてなる光半導体ダイを、導電性接着部材を介して上記
リード電極上にフリップチップ実装する光半導体装置の
形成方法であって、上記一体成形は、成形上型として、
パッケージに凹部を形成可能な突起を有した突起付成形
上型を用いて行われ、該突起は、リード電極の正極と負
極の間と対向し、かつ少なくとも一部が光半導体ダイが
実装される位置と対向していることを特徴とする。この
ように形成させることにより、リード電極の正極と負極
の間に、導電性接着部材が広がっていくことができる凹
部を、パッケージ成形時に同時に形成させることができ
る。また、成形上型の突起にリード電極を突き当てなが
ら成形することで成形樹脂充填時にリード電極の位置が
対極側にずれてショート不良を起こすこと、及びリード
電極が前記とは逆方向にズレて電極間隙間が広がること
を防ぐことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態のチップタイプ光半導体装置について説明
する。本発明の光半導体装置は、図１に示すように、パ
ッケージ１に正及び負のリード電極２、３が設けられ、
その上にＬＥＤダイ４がフリップチップ実装されてい
る。ダイ電極７、８は導電性接着部材７、８によってリ
ード電極２、３と導通するようになっている。ここで、
本発明の実施の形態の光半導体装置においては、正のリ
ード電極２と負のリード電極３の間に凹部９を有し、該
凹部の少なくとも一部がＬＥＤダイ４と対向する位置に
形成されている。これによって、本実施の形態の光半導
体装置は、ＬＥＤダイ４実装時に接着剤及びＬＥＤダイ
とリード電極間の電気的導通を得るために用いる導電性
接着部材７、８が、ＬＥＤダイ４実装時に押圧されて広
がっていく際に容量の大きな凹部９内に導入されていく
ので、ショート不良を防ぐことができるものである。
る実施の形態のチップタイプ光半導体装置について説明
する。本発明の光半導体装置は、図１に示すように、パ
ッケージ１に正及び負のリード電極２、３が設けられ、
その上にＬＥＤダイ４がフリップチップ実装されてい
る。ダイ電極７、８は導電性接着部材７、８によってリ
ード電極２、３と導通するようになっている。ここで、
本発明の実施の形態の光半導体装置においては、正のリ
ード電極２と負のリード電極３の間に凹部９を有し、該
凹部の少なくとも一部がＬＥＤダイ４と対向する位置に
形成されている。これによって、本実施の形態の光半導
体装置は、ＬＥＤダイ４実装時に接着剤及びＬＥＤダイ
とリード電極間の電気的導通を得るために用いる導電性
接着部材７、８が、ＬＥＤダイ４実装時に押圧されて広
がっていく際に容量の大きな凹部９内に導入されていく
ので、ショート不良を防ぐことができるものである。
【００１７】以下、本実施の形態の光半導体装置の各構
成について詳述する。尚、図１は本実施の形態の光半導
体装置の模式的平面図であり、図２は図１のＸ−Ｘ’線
についての模式的断面図であり、図３及び図４は本実施
の一実施例を示す光半導体装置の模式的断面図である。
また、図５は、本実施の形態の光半導体装置の形成方法
を説明するための模式的断面図であり、図６は図５と比
較するための、従来の光半導体装置の形成方法を説明す
るための模式的断面図である。
成について詳述する。尚、図１は本実施の形態の光半導
体装置の模式的平面図であり、図２は図１のＸ−Ｘ’線
についての模式的断面図であり、図３及び図４は本実施
の一実施例を示す光半導体装置の模式的断面図である。
また、図５は、本実施の形態の光半導体装置の形成方法
を説明するための模式的断面図であり、図６は図５と比
較するための、従来の光半導体装置の形成方法を説明す
るための模式的断面図である。
【００１８】（パッケージ１）パッケージ１は、成形樹
脂として、液晶ポリマーやポリブチレンテレフタレート
（ＰＢＴ）樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、メラミ
ン樹脂等の絶縁性支持部材を用いることができる。図５
に示す金型１６内に成形上型１４及び正負のリード電極
２、３を所定の位置に設置し、更に成形上型１４を設置
した後、下方すなわち符号Ａを付して示す矢印の方向か
ら溶融した成形樹脂１０を射出することにより作製され
る。金型１６内に射出された溶融成形樹脂１０は、冷却
後金型１６から取り出され、成形上型１４を取り外すこ
とによってリード電極２、３がそれぞれ所定の形状に加
工されたパッケージ１となる。
脂として、液晶ポリマーやポリブチレンテレフタレート
（ＰＢＴ）樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、メラミ
ン樹脂等の絶縁性支持部材を用いることができる。図５
に示す金型１６内に成形上型１４及び正負のリード電極
２、３を所定の位置に設置し、更に成形上型１４を設置
した後、下方すなわち符号Ａを付して示す矢印の方向か
ら溶融した成形樹脂１０を射出することにより作製され
る。金型１６内に射出された溶融成形樹脂１０は、冷却
後金型１６から取り出され、成形上型１４を取り外すこ
とによってリード電極２、３がそれぞれ所定の形状に加
工されたパッケージ１となる。
【００１９】本実施の形態において、パッケージ１は、
リード電極の正極２と負極３の間に凹部を有し、この凹
部の少なくとも一部はＬＥＤダイと対向する位置に形成
されている。このことにより、ＬＥＤダイ実装時に接着
剤として用いられる導電性接着部材７、８が押圧されて
広がった場合に起こるショート不良を防ぐことが可能と
なる。正極２と負極３の間に十分な間隔をとれば、ショ
ート不良を防ぐことはできるが、それではパッケージを
大きくするなどの対策が必要であり、光半導体装置を小
型化できなくなってしまうのに対し、本発明の実施の形
態のごとき凹部９を、正負のリード電極間に設けること
で、容易にショート不良を防ぐことができる。
リード電極の正極２と負極３の間に凹部を有し、この凹
部の少なくとも一部はＬＥＤダイと対向する位置に形成
されている。このことにより、ＬＥＤダイ実装時に接着
剤として用いられる導電性接着部材７、８が押圧されて
広がった場合に起こるショート不良を防ぐことが可能と
なる。正極２と負極３の間に十分な間隔をとれば、ショ
ート不良を防ぐことはできるが、それではパッケージを
大きくするなどの対策が必要であり、光半導体装置を小
型化できなくなってしまうのに対し、本発明の実施の形
態のごとき凹部９を、正負のリード電極間に設けること
で、容易にショート不良を防ぐことができる。
【００２０】凹部９は、リード電極の正極２と負極３の
間で、少なくとも一部がＬＥＤダイと対向する位置に形
成されるが、さらに言えば、ＬＥＤダイ４の中央部と凹
部９の中央部が重なるような位置に形成されることが好
ましい。このように構成されることで、正極側から広が
ってきた導電性接着部材と、負極側から広がってきた導
電性接着部材は、同じようにＬＥＤダイの中心方向に向
かうので、ＬＥＤダイがズレにくくなる。凹部９のすべ
てがＬＥＤダイと対向していない、つまり、凹部とＬＥ
Ｄダイの中心部がずれていても、そのうちの一部が対向
していれば、導電性接着部材は、凹部内に広がっていく
ことができるので、ショート不良を防ぐことができる。
間で、少なくとも一部がＬＥＤダイと対向する位置に形
成されるが、さらに言えば、ＬＥＤダイ４の中央部と凹
部９の中央部が重なるような位置に形成されることが好
ましい。このように構成されることで、正極側から広が
ってきた導電性接着部材と、負極側から広がってきた導
電性接着部材は、同じようにＬＥＤダイの中心方向に向
かうので、ＬＥＤダイがズレにくくなる。凹部９のすべ
てがＬＥＤダイと対向していない、つまり、凹部とＬＥ
Ｄダイの中心部がずれていても、そのうちの一部が対向
していれば、導電性接着部材は、凹部内に広がっていく
ことができるので、ショート不良を防ぐことができる。
【００２１】また、凹部９は、正極２側及び負極３側か
ら広がった導電性接着部材７、８がくっつかないような
形状及び大きさでなければならないので、好ましくは、
図２のごときパッケージ表面に対してほぼ垂直な角度に
形成された側面と、パッケージ表面とほぼ水平な角度に
形成された底面とを有する形状で、かつ、その容量は導
電性接着部材の容積よりも大きく形成させるのがよい。
また、図３のように凹部内で導電性接着部材７、８がシ
ョート不良を起こさないように、凹部底部を正極側と負
極側に分断するような遮断壁１１を形成させてもよい。
遮断壁１１を図４のように高くして正負のリード電極間
に２つの凹部１２、１３が形成された形態にしてもよ
い。凹部９内に遮断壁１１を形成させることにより、導
電性接着部材の広がりを凹部内部においても確実に遮断
でき、ショート不良を更に確実に防ぐことができる。凹
部の側面が傾斜を持っている場合、極端には底面を有し
ないような錐状であった場合は、かえって導電性接着部
材が凹部側面を滑って広がりやすくなり、ショート不良
を起こし易くなってしまうので好ましくないが、上記の
ように遮断壁１１を形成させておけば、ショート不良を
防ぐことができる。要は、押圧された導電性接着部材の
広がり先（空間）を対極との間もしくは周辺に確保し、
この凹部内で導電性接着部材がショートしにくい形状に
形成させておけばよい。凹部の形状は、凹部形成方法に
応じて都合のよい形状に形成させればよい。
ら広がった導電性接着部材７、８がくっつかないような
形状及び大きさでなければならないので、好ましくは、
図２のごときパッケージ表面に対してほぼ垂直な角度に
形成された側面と、パッケージ表面とほぼ水平な角度に
形成された底面とを有する形状で、かつ、その容量は導
電性接着部材の容積よりも大きく形成させるのがよい。
また、図３のように凹部内で導電性接着部材７、８がシ
ョート不良を起こさないように、凹部底部を正極側と負
極側に分断するような遮断壁１１を形成させてもよい。
遮断壁１１を図４のように高くして正負のリード電極間
に２つの凹部１２、１３が形成された形態にしてもよ
い。凹部９内に遮断壁１１を形成させることにより、導
電性接着部材の広がりを凹部内部においても確実に遮断
でき、ショート不良を更に確実に防ぐことができる。凹
部の側面が傾斜を持っている場合、極端には底面を有し
ないような錐状であった場合は、かえって導電性接着部
材が凹部側面を滑って広がりやすくなり、ショート不良
を起こし易くなってしまうので好ましくないが、上記の
ように遮断壁１１を形成させておけば、ショート不良を
防ぐことができる。要は、押圧された導電性接着部材の
広がり先（空間）を対極との間もしくは周辺に確保し、
この凹部内で導電性接着部材がショートしにくい形状に
形成させておけばよい。凹部の形状は、凹部形成方法に
応じて都合のよい形状に形成させればよい。
【００２２】また、上記光半導体ダイは、例えば図５に
示すように透光性の封止部材１４で覆われていてもよ
い。封止部材の具体的な材料としては、主としてエポキ
シ樹脂、ユリア樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂が好
適に用いられる。このように構成することで、外部から
保護することができる。また、パッケージに設けられた
リード電極２、３は、銅板、リン青銅板、鉄板等の電気
良導体金属板から形成することができる。リード電極
２、３は、上記パッケージ１の表面に、その一部が露出
するように成形され、ＬＥＤダイ４と導通可能となって
いる。
示すように透光性の封止部材１４で覆われていてもよ
い。封止部材の具体的な材料としては、主としてエポキ
シ樹脂、ユリア樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂が好
適に用いられる。このように構成することで、外部から
保護することができる。また、パッケージに設けられた
リード電極２、３は、銅板、リン青銅板、鉄板等の電気
良導体金属板から形成することができる。リード電極
２、３は、上記パッケージ１の表面に、その一部が露出
するように成形され、ＬＥＤダイ４と導通可能となって
いる。
【００２３】（成形上型１５）本実施の形態において
は、上記パッケージ１成形時の成形上型として、電極間
に凹部９を形成できるような突起１６が設けられた突起
付成形上型１５を用いることが好ましい。このような突
起付成形上型１５を用い、矢印Ａで示すように成形樹脂
を射出することによって、リード電極の正極と負極の間
の凹部９を、パッケージ１成形と同時に形成させること
ができる。もちろん、凹部９は、パッケージ１成形後に
削り取る等の方法で形成させてもなんら問題はないが、
突起付成形上型１５を用いることで、凹部形成工程を別
に設ける必要もなく、手間が省ける。
は、上記パッケージ１成形時の成形上型として、電極間
に凹部９を形成できるような突起１６が設けられた突起
付成形上型１５を用いることが好ましい。このような突
起付成形上型１５を用い、矢印Ａで示すように成形樹脂
を射出することによって、リード電極の正極と負極の間
の凹部９を、パッケージ１成形と同時に形成させること
ができる。もちろん、凹部９は、パッケージ１成形後に
削り取る等の方法で形成させてもなんら問題はないが、
突起付成形上型１５を用いることで、凹部形成工程を別
に設ける必要もなく、手間が省ける。
【００２４】更に、この突起１６があることで、パッケ
ージ１成形時のリード電極２、３のズレをも防ぐことが
できる。図７のような突起のない成形上型１８を用いて
パッケージを一体成形する場合、リード電極２、３は金
属なので、形が崩れるようなことはまずないものの、溶
融した成形樹脂１０が金型１７内に矢印Ａで示されるよ
うに射出される際の圧力で、多少は変形する。そのた
め、リード電極の正極２と負極３間の間隔にバラツキが
生じる。場合によっては、極端に間隔が狭くなりことも
あり、ショート不良を起こし易くなる。本実施の形態の
ような突起付成形上型１５を用いることで、パッケージ
１に凹部９を形成させると共に、電極間に突き出た突起
がリード電極２、３を固定し、電極間に一定の間隔を設
ける働きをするので、ＬＥＤダイ実装時の不良も起こり
にくく、安定して光半導体装置を形成することができ
る。
ージ１成形時のリード電極２、３のズレをも防ぐことが
できる。図７のような突起のない成形上型１８を用いて
パッケージを一体成形する場合、リード電極２、３は金
属なので、形が崩れるようなことはまずないものの、溶
融した成形樹脂１０が金型１７内に矢印Ａで示されるよ
うに射出される際の圧力で、多少は変形する。そのた
め、リード電極の正極２と負極３間の間隔にバラツキが
生じる。場合によっては、極端に間隔が狭くなりことも
あり、ショート不良を起こし易くなる。本実施の形態の
ような突起付成形上型１５を用いることで、パッケージ
１に凹部９を形成させると共に、電極間に突き出た突起
がリード電極２、３を固定し、電極間に一定の間隔を設
ける働きをするので、ＬＥＤダイ実装時の不良も起こり
にくく、安定して光半導体装置を形成することができ
る。
【００２５】本実施の形態の突起付成形上型１５を用い
て一体成形する場合、突起１６の形状が、成形上型を取
り外す際に都合の良い形状にしておくことが好ましい。
さらに前述したように、凹部の側面が傾斜を有し、傾斜
を利用して導電性接着部材が対極側に広がるのを加速す
るようでは意味がないので、パッケージ表面とほぼ垂直
な角度を持った壁面と、パッケージ表面とほぼ水平な角
度を持った面を突起部の先端に有することが好ましい。
あるいは、凹部９の底面を正極側と負極側に分断するよ
うな遮断壁が形成されるような形状の突起にすることも
できる。遮断壁が形成去れるならば、凹部の壁面は傾斜
を有していても問題はない。
て一体成形する場合、突起１６の形状が、成形上型を取
り外す際に都合の良い形状にしておくことが好ましい。
さらに前述したように、凹部の側面が傾斜を有し、傾斜
を利用して導電性接着部材が対極側に広がるのを加速す
るようでは意味がないので、パッケージ表面とほぼ垂直
な角度を持った壁面と、パッケージ表面とほぼ水平な角
度を持った面を突起部の先端に有することが好ましい。
あるいは、凹部９の底面を正極側と負極側に分断するよ
うな遮断壁が形成されるような形状の突起にすることも
できる。遮断壁が形成去れるならば、凹部の壁面は傾斜
を有していても問題はない。
【００２６】（ＬＥＤダイ４）本実施の形態において、
ＬＥＤダイ４は一方の主面に正電極５と負電極６とがい
ずれも形成されている光半導体素子であって、パッケー
ジ１に設けられたリード電極２、３上に、フリップチッ
プ実装される。
ＬＥＤダイ４は一方の主面に正電極５と負電極６とがい
ずれも形成されている光半導体素子であって、パッケー
ジ１に設けられたリード電極２、３上に、フリップチッ
プ実装される。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、リード電極がショート不良を
起こすのを防ぐことができ、信頼性の高い光半導体装置
を提供することができる。
起こすのを防ぐことができ、信頼性の高い光半導体装置
を提供することができる。
【図１】本発明に係る実施の形態の光半導体装置の模式
的平面図である。
的平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’線についての模式的断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の一実施例を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す模式的断面図
である。
である。
【図６】本発明の実施の形態の光半導体装置の形成方法
を説明する模式的断面図である。
を説明する模式的断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の光半導体装置の形成方法
を説明する模式的断面図である。
を説明する模式的断面図である。
１・・・・パッケージ ２・・・・リード電極（正極） ３・・・・リード電極（負極） ４・・・・ＬＥＤダイ ５・・・・ＬＥＤダイ電極（正極） ６・・・・ＬＥＤダイ電極（負極） ７、８・・・・導電性接着部材 ９・・・・凹部 １０・・・・成形樹脂 １１・・・・凹部内遮断壁 １２、１３・・・・凹部 １４・・・・透光性封止部材 １５・・・・突起付成形上型 １６・・・・突起 １７・・・・金型 １８・・・・成形上型
Claims (5)
- 【請求項１】 正及び負のリード電極と成形樹脂とから
形成されてなるパッケージと、正及び負のダイ電極が一
つの主面側に共に形成されてなる光半導体ダイとを備
え、該光半導体ダイが導電性接着部材を介して上記リー
ド電極上にフリップチップ実装された光半導体装置であ
って、 上記パッケージは、上記リード電極の正極と負極の間に
凹部を有し、該凹部の少なくとも一部が上記光半導体ダ
イと対向する位置に形成されていることを特徴とする光
半導体装置。 - 【請求項２】 上記光半導体ダイは、透光性の封止部材
で覆われている請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 上記パッケージの成形樹脂は、液晶ポリ
マー樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、及びセラ
ミックスからなる群から選択される１つからなる請求項
１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 上記凹部は、その底部において、凹部底
面を正極側と負極側とに分断する遮断壁が形成されてい
る請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 金型に成形上型と正及び負のリード電極
とを設置し、該金型中に成形樹脂を射出してパッケージ
を一体形成し、正及び負のダイ電極が一つの主面側に共
に形成されてなる光半導体ダイを、導電性接着部材を介
して上記リード電極上にフリップチップ実装する光半導
体装置の形成方法であって、 上記一体成形は、成形上型として、パッケージに凹部を
形成可能な突起を有した突起付成形上型を用いて行わ
れ、該突起は、リード電極の正極と負極の間と対向し、
かつ少なくとも一部が光半導体ダイが実装される位置と
対向していることを特徴とする光半導体装置の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623699A JP2001144334A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 光半導体装置及び形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32623699A JP2001144334A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 光半導体装置及び形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144334A true JP2001144334A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18185520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32623699A Pending JP2001144334A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 光半導体装置及び形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144334A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
| USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
| US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
| KR20140097602A (ko) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
| US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32623699A patent/JP2001144334A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
| US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
| US8598606B2 (en) | 2004-10-25 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages |
| USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| USRE45796E1 (en) | 2004-12-23 | 2015-11-10 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US9220149B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
| US8529104B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
| US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
| US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
| US10139095B2 (en) | 2012-05-04 | 2018-11-27 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflector and lamp comprised thereof |
| KR20140097602A (ko) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR101978941B1 (ko) | 2013-01-28 | 2019-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
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