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JP2001015341A - Electronic component and radio terminal equipment - Google Patents

Electronic component and radio terminal equipment

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Publication number
JP2001015341A
JP2001015341A JP18288499A JP18288499A JP2001015341A JP 2001015341 A JP2001015341 A JP 2001015341A JP 18288499 A JP18288499 A JP 18288499A JP 18288499 A JP18288499 A JP 18288499A JP 2001015341 A JP2001015341 A JP 2001015341A
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JP
Japan
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base
conductive film
electronic component
terminal portion
film
Prior art date
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Application number
JP18288499A
Other languages
Japanese (ja)
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JP3686553B2 (en
Inventor
Kuniaki Kiyosue
邦昭 清末
Hiromi Sakida
広実 崎田
Kazuhiro Takeda
和弘 竹田
Kenzo Isozaki
賢蔵 磯崎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to SE0001504A priority patent/SE519461C2/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily manufacture an electronic component or to improve the mountability or characteristics of the component, by providing grooves into a base through a conductive film formed on the base and terminal sections at both end sections of the base, and by specifying the formed lengths, film thicknesses, kind of crystal grains, etc., of the terminal sections. SOLUTION: An electronic component is constituted in such a way that a base 11 is formed by pressing and extruding an insulating material, etc. A conductive film 12 having surface roughness of <=0.2 μm is formed on the base 11 by plating or vapor deposition by sputtering. Grooves 13 are formed into the base 11 through the conductive film 12 optically by projecting a laser beam upon the film 12, mechanically by pressing a grindstone against the film 12, or selective etching by using a resist, etc. A protective material 14 is applied to the component of the base 11 and film 12 where the grooves 13 are provided. Terminal sections 15 and 16 containing crystal grains of 1-5 μm in diameter are respectively fitted to both ends of the base 11. When this component is used as an inductance element, the element can practically cope with a high frequency region of 1-6 GHz and have a very high Q-value (>=35). The lengths P5 and P6 of the terminal directions 15 and 16 in the longitudinal direction of the element and the full length L1 of the element are adjusted to meet relations, 0.07<P5÷L1<0.3 and 0.07<P6÷L1<0.3, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品及び無線端末装置に関するものである。特
に、絶縁性の基体上に導電膜を設けた電子部品及び無線
端末装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and a radio terminal device which are used for electronic equipment such as mobile communication, and particularly preferably used for high frequency circuits and the like. In particular, the present invention relates to an electronic component and a wireless terminal device in which a conductive film is provided on an insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】図14は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図14において、1は四角柱状また
は、円柱状の基台、2は基台1の上に形成された導電
膜、3は導電膜2に設けられた溝、4は導電膜2の上に
積層された保護材である。
2. Description of the Related Art FIG. 14 is a side view showing a conventional inductance element. In FIG. 14, reference numeral 1 denotes a square-pillar-shaped or column-shaped base, 2 denotes a conductive film formed on the base 1, 3 denotes a groove provided in the conductive film 2, and 4 denotes a stacked layer on the conductive film 2 Protected material.

【0003】この様な電子部品は、溝3の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。
[0003] Such electronic components are adjusted to predetermined characteristics by adjusting the interval between the grooves 3 and the like.

【0004】先行例としては、特開平7−307201
号公報,特開平7−297033号公報,特開平5−1
29133号公報,特開平1−238003号公報,実
開昭57−117636号公報,特開平5−29925
0号公報,特開平7−297033号公報等がある。
A prior example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-307201.
JP, JP-A-7-297033, JP-A-5-1
JP-A-29133, JP-A-1-238003, JP-A-57-117636, JP-A-5-29925
No. 0, Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-297033, and the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら素子の小
型化を行っていくと、素子の実装性が悪くなったり特性
が悪くなるという問題点があり、従来の技術では何等検
討されていない。
However, as the size of the device is reduced, there is a problem that the mountability of the device is deteriorated and the characteristics are deteriorated.

【0006】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、生産の容易性,実装性の良さ,特性の向上の少なく
とも一方が実現可能な電子部品及び無線端末装置を提供
することを目的とする。
An object of the present invention is to provide an electronic component and a radio terminal device which can solve at least one of easiness of production, good mounting property, and improvement of characteristics. I do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、基台上に導電
膜を設け、導電膜に溝を設け、基台の両端部に端子部を
設けた電子部品であって、端子部の形成長さ、膜厚、結
晶粒の種類等を規定した。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an electronic component having a conductive film provided on a base, grooves formed in the conductive film, and terminals provided at both ends of the base. The length, thickness, type of crystal grains, and the like are specified.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】請求項1記載の発明は、基台と、
前記基台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けら
れた溝と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設け
られた一対の端子部とを備えた電子部品であって、前記
一対の端子部が向き合う方向の全長をL1とした場合
に、前記一対の端子部の互いに向き合う方向における前
記一対の端子部それぞれの長さP5,P6はそれぞれ、 0.07<P5÷L1<0.3 0.07<P6÷L1<0.3 の関係を有する事によって、回路基板等との接合面積を
大きく取れて接合強度を大きくでき、実装性を向上させ
ることができ、しかも端子部間のショートなどを防止で
き、特性の劣化を防止できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention according to claim 1 comprises a base,
An electronic component comprising: a conductive film provided on the base; a groove provided in the conductive film; and a pair of terminals provided on an end face of the base so as to sandwich the base. When the total length in the direction in which the pair of terminal portions face each other is L1, the lengths P5 and P6 of the pair of terminal portions in the direction in which the pair of terminal portions face each other are 0.07 <P5 ÷, respectively. By having a relationship of L1 <0.3 0.07 <P6 ÷ L1 <0.3, a large bonding area with a circuit board or the like can be obtained, the bonding strength can be increased, and the mountability can be improved. It is possible to prevent a short circuit between the terminal portions and the like, and prevent deterioration of characteristics.

【0009】請求項2記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、端子部の表
面粗さを中心線平均粗さで1μm〜10μmとした事に
よって、接合面積を大きくできて接合強度を向上させる
ことができ、実装性を向上させることができると共に、
端子部上に形成される膜の特性劣化を防止できる。
According to a second aspect of the present invention, a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a pair of terminal portions provided, wherein the surface roughness of the terminal portions is 1 μm to 10 μm as a center line average roughness, thereby increasing the bonding area and improving the bonding strength. And improve the mountability,
Deterioration of characteristics of a film formed on the terminal portion can be prevented.

【0010】請求項3記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、端子部を構
成する結晶粒をフレーク状とすると共に、結晶粒径を1
〜5μmとしたことによって、端子部の結晶性を向上さ
せ、端子部の電気特性の劣化を防止できる。
According to a third aspect of the present invention, a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a pair of terminal portions provided, wherein the crystal grains constituting the terminal portions are flake-shaped, and the crystal grain size is 1
By setting the thickness to 5 μm, the crystallinity of the terminal portion can be improved, and the deterioration of the electrical characteristics of the terminal portion can be prevented.

【0011】請求項4記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、端子部を構
成する結晶粒を球状体とすると共に、結晶粒径を0.1
μm〜0.8μmとしたことによって、端子部の結晶性
を向上させ、端子部の電気特性の劣化を防止できる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base sandwiching the base. An electronic component comprising a pair of terminal portions provided, wherein the crystal grains constituting the terminal portions are spherical, and the crystal grain size is 0.1%.
By setting the thickness to μm to 0.8 μm, the crystallinity of the terminal portion can be improved, and the deterioration of the electrical characteristics of the terminal portion can be prevented.

【0012】請求項5記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、端子部の基
台の端面上における膜厚を10μm〜30μmとした事
によって、端子部の電極食われを防止でき、実装性を向
上させることができると共に、基台が小さくなることに
よって生じるQ値劣化を防止できるので、損失が小さく
なり、特性を向上させることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base sandwiching the base. An electronic component provided with a pair of terminal portions provided, wherein the thickness of the terminal portion on the end surface of the base is set to 10 μm to 30 μm, thereby preventing electrode erosion of the terminal portion and improving mountability. In addition to being able to improve the quality, it is possible to prevent the deterioration of the Q value caused by the reduction in the size of the base, so that the loss is reduced and the characteristics can be improved.

【0013】請求項6記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、端子部を基
台の端面と前記端面に隣接する側面に設けるとともに、
前記側面上に形成される端子部の厚みを10μm〜25
μmとしたことによって生じるQ値劣化を防止できるの
で、損失が小さくなり、特性を向上させることができ
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base sandwiching the base. An electronic component including a pair of terminal portions provided, wherein the terminal portion is provided on an end surface of the base and a side surface adjacent to the end surface,
The thickness of the terminal portion formed on the side surface is 10 μm to 25 μm.
Since the Q value deterioration caused by the μm can be prevented, the loss can be reduced and the characteristics can be improved.

【0014】請求項7記載の発明は、基台と、前記基台
上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられた溝
と、前記基台を挟むように前記基台の端面に設けられた
一対の端子部とを備えた電子部品であって、前記一対の
端子部が向き合う方向の全長をL1とした場合に、前記
一対の端子部の互いに向き合う方向における前記一対の
端子部それぞれの長さP5,P6はそれぞれ、 0.07<P5÷L1<0.3 0.07<P6÷L1<0.3 の関係を有するとともに、端子部の表面粗さを中心線平
均粗さで1μm〜10μmとし、前記端子部の基台の端
面上における膜厚を10μm〜30μmとし、前記端子
部を前記基台の端面と前記端面に隣接する側面に設ける
とともに、前記側面上に形成される端子部の厚みを10
μm〜25μmとした事によって、端子部の劣化やQ値
劣化を防止でき、しかも端子部と回路基板などとの接合
強度を増すことができるので、実装性や特性を向上させ
ることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and an end face of the base sandwiching the base. An electronic component comprising a pair of terminal portions provided, wherein the total length in the direction in which the pair of terminal portions face each other is L1, and the pair of terminal portions in the direction in which the pair of terminal portions face each other. Have a relationship of 0.07 <P5 ÷ L1 <0.3 and 0.07 <P6 ÷ L1 <0.3, respectively, and the surface roughness of the terminal portion is determined by the center line average roughness. 1 μm to 10 μm, the thickness of the terminal portion on the end surface of the base is 10 μm to 30 μm, and the terminal portion is provided on the end surface of the base and the side surface adjacent to the end surface, and is formed on the side surface. Terminal thickness is 10
By setting the thickness to μm to 25 μm, the deterioration of the terminal portion and the Q value can be prevented, and the bonding strength between the terminal portion and the circuit board can be increased, so that the mountability and characteristics can be improved.

【0015】請求項8記載の発明は、請求項1〜7にお
いて、基台の端面上にも導電膜を設け、前記導電膜を介
して端子部を設けた事によって、比較的平坦な導電膜の
上に端子部を設ける事になるので、端子部の結晶性など
がよくなり、特性が良好になる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the first to seventh aspects, a conductive film is also provided on the end face of the base, and a terminal portion is provided via the conductive film, so that a relatively flat conductive film is provided. Since the terminal portion is provided on the substrate, the crystallinity of the terminal portion is improved, and the characteristics are improved.

【0016】請求項9記載の発明は、請求項1〜8にお
いて、溝を覆う保護材を設けた事によって、導電膜等の
劣化を防止でき、特性が劣化するのを防止できる。
According to the ninth aspect of the present invention, the provision of the protective material for covering the groove in the first to eighth aspects can prevent the conductive film and the like from deteriorating and prevent the characteristics from deteriorating.

【0017】請求項10記載の発明は、請求項1〜9に
おいて、端子部上に耐食膜か接合膜の少なくとも一つを
設けた事によって、耐食膜を設けた場合には、端子部の
特性劣化を防止でき、接合膜を設けた場合には、回路基
板等との接合性を向上させることができ、実装性が向上
する。
According to a tenth aspect of the present invention, when at least one of a corrosion-resistant film and a bonding film is provided on the terminal portion, the characteristic of the terminal portion is provided when the corrosion-resistant film is provided. Deterioration can be prevented, and when a bonding film is provided, the bonding property with a circuit board or the like can be improved, and the mountability can be improved.

【0018】請求項11記載の発明は、請求項1〜10
において、端子部として導電ペーストを固化させて形成
した事によって、実装性が良く、特性劣化がない端子部
を容易に作製することができる。
The invention according to claim 11 is the invention according to claims 1 to 10
In the above, the terminal portion is formed by solidifying the conductive paste, so that a terminal portion having good mountability and having no characteristic deterioration can be easily manufactured.

【0019】請求項12記載の発明は、請求項11にお
いて、導電ペーストには導電材料、樹脂材料、溶剤を含
むことによって、基台に塗布可能な導電ペーストを容易
に作製できる。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the eleventh aspect, the conductive paste contains a conductive material, a resin material, and a solvent, so that a conductive paste that can be applied to the base can be easily manufactured.

【0020】請求項13記載の発明は、請求項12にお
いて、樹脂材料として熱硬化性樹脂を用いると共に、1
50℃〜230℃で硬化させる事によって、熱を加える
だけで容易に特性の良い端子部を形成することができ、
しかも接合膜を素子に設けた場合、接合膜の溶融などを
防止でき、特性の劣化を防止できる。
According to a thirteenth aspect, in the twelfth aspect, a thermosetting resin is used as the resin material, and
By curing at 50 ° C. to 230 ° C., it is possible to easily form a terminal having good characteristics only by applying heat,
In addition, when the bonding film is provided on the element, melting of the bonding film and the like can be prevented, and deterioration of characteristics can be prevented.

【0021】請求項14記載の発明は、請求項12にお
いて、導電材料として銀粒子を用いることによって、端
子部の電気的特性が良く、しかも製造面及びコスト面で
有利になる。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the twelfth aspect, by using silver particles as the conductive material, the electrical characteristics of the terminal portion are good, and the production and cost are advantageous.

【0022】請求項15記載の発明は、請求項14にお
いて、導電ペースト中の銀粒子は、50重量%〜70重
量%とした事によって、塗布がしやすい導電ペーストを
作製でき、しかも電気的特性の優れた端子部を作製する
ことができる。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the fourteenth aspect, the conductive paste can be easily applied by setting the silver particles in the conductive paste to 50% by weight to 70% by weight. Can be manufactured.

【0023】請求項16記載の発明は、請求項11にお
いて、端子部に導電ペーストをディップ法或いはローラ
を介して塗布する事によって、簡単に特性の良い端子部
を作製することができる。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the eleventh aspect, by applying a conductive paste to the terminal portion via a dipping method or a roller, a terminal portion having good characteristics can be easily manufactured.

【0024】請求項17記載の発明は、請求項9におい
て、保護材を電着膜で構成した事によって、薄くしかも
確実な素子の保護を行うことができ、しかも一度に沢山
の素子に保護材を形成できるので、生産性が向上する。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the ninth aspect, the protective material is formed of an electrodeposition film, so that the device can be protected thinly and surely. Can be formed, so that productivity is improved.

【0025】請求項18記載の発明は、請求項1〜17
において、基台を底面が略正方形状の角柱状とした事に
よって、簡単な構成で、しかも素子の転がりを抑制でき
るので、コスト面で非常に有利になると共に、基台の作
製が容易になり、生産性が向上し、しかも実装性も向上
する。
The invention according to claim 18 is the invention according to claims 1 to 17
In the above, the base has a prism shape with a substantially square bottom, so that the rolling of the element can be suppressed with a simple configuration, which is extremely advantageous in terms of cost and facilitates the manufacture of the base. Thus, the productivity is improved and the mountability is also improved.

【0026】請求項19記載の発明は、請求項1〜18
において、長さL1,幅L2,高さL3としたときに、 L1=0.2〜2.0mm(好ましくは0.3〜0.8
mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) のサイズを有する事によって、小型で、しかも素子折れ
等が発生し難いので、実装性にも優れ、しかも非常に小
さな回路基板を構成できる。
[0027] The invention of claim 19 is the invention of claims 1 to 18.
In the above, when length L1, width L2, and height L3, L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8
mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm), it is possible to configure a small-sized circuit board which is excellent in mountability because it is small and hardly causes element breakage.

【0027】請求項20記載の発明は、請求項1〜19
において、端子部を基台の端面上から前記基台の側面上
に設けられた保護材上まで延在させるとともに、前記端
子部と前記導電膜の間に保護材を挟み込んだことによっ
て、端子部の形成領域を大きくすることができ、基台の
端面の上に形成された端子部のみの膜厚だけを厚くせず
に、端子部の長さを所定の長さにすることができ、実装
性等を向上させることができる。
The invention according to claim 20 is the invention according to claims 1 to 19
In the above, the terminal portion is extended from the end surface of the base to the protection material provided on the side surface of the base, and the protection material is sandwiched between the terminal portion and the conductive film, whereby the terminal portion is formed. The formation area of the terminal portion can be enlarged, and the length of the terminal portion can be set to a predetermined length without increasing the thickness of only the terminal portion formed on the end face of the base. Properties and the like can be improved.

【0028】請求項21記載の発明は、基台と、前記基
台上に設けられた導電膜と、前記導電膜に設けられたス
パイラル状の溝と、前記溝を覆うように設けられた保護
材と、前記基台の端部に設けられた導電膜上及び保護材
上に設けられた端子部とを備え、前記端子部と前記溝の
最端部は前記保護材を介して対向していることによっ
て、スパイラル状に残されたコイル状の導電膜を形成す
る領域を広くすることができ、巻数を多くすることがで
きるので、高いインダクタンスを有する電子部品を提供
できる。
According to a twenty-first aspect of the present invention, a base, a conductive film provided on the base, a spiral groove provided in the conductive film, and a protection provided so as to cover the groove. Material, and a terminal portion provided on the conductive film provided on the end of the base and on the protective material, and the terminal portion and the extreme end of the groove face each other via the protective material. Accordingly, the region where the coil-shaped conductive film left in the spiral shape is formed can be widened and the number of turns can be increased, so that an electronic component having high inductance can be provided.

【0029】請求項22記載の発明は、請求項1〜20
において、溝の端子部側端部と端子部を保護材を介して
対向させた事によって、スパイラル状に残されたコイル
状の導電膜を形成する領域を広くすることができ、巻数
を多くすることができるので、高いインダクタンスを有
する電子部品を提供できる。
The invention according to claim 22 is the invention according to claims 1 to 20
In the above, the terminal portion side end of the groove and the terminal portion are opposed to each other with a protective material interposed therebetween, so that the region where the coil-shaped conductive film left in the spiral shape is formed can be increased, and the number of turns can be increased. Therefore, an electronic component having a high inductance can be provided.

【0030】請求項23記載の発明は、請求項1〜22
において、導電膜と溝によって、インダクタンス成分を
形成することによって、実装性に優れ、製造が容易で、
しかも特性の劣化が小さな、チップインダクタを作製す
ることができる。
The invention according to claim 23 is the invention according to claims 1-22
In, by forming an inductance component by the conductive film and the groove, excellent in mountability, easy to manufacture,
In addition, a chip inductor with small deterioration in characteristics can be manufactured.

【0031】請求項24記載の発明は、請求項1〜22
において、導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事によっ
て、実装性に優れ、製造が容易で、しかも特性の劣化が
小さな、チップ抵抗器を作製することができる。
The invention according to claim 24 is the invention according to claims 1-22
By using a resistive film instead of a conductive film, a chip resistor excellent in mountability, easy to manufacture, and with little deterioration in characteristics can be manufactured.

【0032】請求項25記載の発明は、請求項1〜22
において、導電膜を少なくとも2分する溝を設け、容量
成分を有する事によって、実装性に優れ、製造が容易
で、しかも特性の劣化が小さな、チップコンデンサを作
製することができる。
The invention according to claim 25 is the invention according to claims 1 to 22.
In the above, by providing a groove for dividing the conductive film into at least two and having a capacitance component, a chip capacitor having excellent mountability, easy manufacture, and small deterioration of characteristics can be manufactured.

【0033】請求項26記載の発明は、表示手段と、デ
ータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方を送信信号
に変換するか受信信号をデータ信号もしくは音声信号の
少なくとも一方に変換する変換手段と、前記送信信号及
び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部を制御す
る制御手段を備えた無線端末装置であって、発信回路,
フィルタ回路,アンテナ部及び各段とのマッチング回路
周辺部等の少なくとも一つに請求項1〜25いずれか1
記載の電子部品を用いたことによって、実装性に優れ、
製造が容易で、しかも特性の劣化が小さな電子部品を用
いることができるので、端末の特性劣化や製造上におけ
る不良率を低減でき、生産性を向上させることができ
る。
According to a twenty-sixth aspect of the present invention, a display means, a conversion means for converting at least one of a data signal and an audio signal into a transmission signal or a reception signal into at least one of a data signal and an audio signal, and An antenna for transmitting and receiving a signal and the reception signal, and a wireless terminal device including control means for controlling each unit, comprising: a transmission circuit;
26. At least one of a filter circuit, an antenna section, a peripheral section of a matching circuit for each stage, and the like.
By using the described electronic components, excellent mountability,
Since it is possible to use an electronic component that is easy to manufacture and that has small deterioration in characteristics, it is possible to reduce deterioration in characteristics of the terminal and a defective rate in manufacturing, and to improve productivity.

【0034】以下、本発明における電子部品及び無線端
末装置の実施の形態についてインダクタンス素子を例に
挙げて具体的に説明する。
Hereinafter, embodiments of the electronic component and the wireless terminal device according to the present invention will be specifically described by taking an inductance element as an example.

【0035】図1,図2はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す側断面図である。
FIGS. 1 and 2 are side sectional views showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【0036】図1において、11は絶縁材料などをプレ
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base which is formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like.
Reference numeral 2 denotes a conductive film provided on the base 11.
2 is formed on the base 11 by an evaporation method such as a plating method or a sputtering method.

【0037】13は基台11及び導電膜12に設けられ
た溝で、溝13は、レーザ光線等を導電膜12に照射す
ることによって形成したり、導電膜12に砥石等を当て
て機械的に形成されたり、レジストなどを用いた選択的
エッチングによって形成されている。
Reference numeral 13 denotes a groove provided in the base 11 and the conductive film 12. The groove 13 is formed by irradiating the conductive film 12 with a laser beam or the like, or mechanically by applying a grindstone or the like to the conductive film 12. Or by selective etching using a resist or the like.

【0038】14は基台11及び導電膜12の溝13を
設けた部分に塗布された保護材、15,16はそれぞれ
基台11の端部にそれぞれ取り付けられた端子部で、端
子部15と端子部16の間には、基台11が挟み込まれ
ている。すなわち、基台11における端子部15,16
との接合部位は、基台11の端部となり、基台11の側
面と端子部15,16は非接触とすることが基本であ
る。
Reference numeral 14 denotes a protective material applied to the portion of the base 11 and the conductive film 12 where the groove 13 is provided. Reference numerals 15 and 16 denote terminal portions respectively attached to the ends of the base 11. The base 11 is sandwiched between the terminal portions 16. That is, the terminal portions 15 and 16 in the base 11
Is basically the end of the base 11, and the side surfaces of the base 11 and the terminal portions 15, 16 are basically in non-contact.

【0039】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が1〜6GHzと高周波数域に対応
し、しかも非常に高いQ値(35以上)を有しており、
そのインダクタンス素子の長さL1,幅L2,高さL3
は以下の通りとなっていることが好ましい。
Further, the inductance element of the present embodiment has a practical frequency band of 1 to 6 GHz, corresponding to a high frequency range, and has a very high Q value (35 or more).
Length L1, width L2, height L3 of the inductance element
Is preferably as follows.

【0040】L1=0.2〜2.0mm(好ましくは
0.3〜0.8mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) L1が0.2mm以下であると、必要とするインダクタ
ンスを得ることができない。また、L1が2.0mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、L2,L3それぞれが0.1mm以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、L2,L3が1.0mm以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。
L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8 mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. If L1 is 0.2 mm or less, the required inductance cannot be obtained. Further, when L1 exceeds 2.0 mm, the element itself becomes large, and a substrate on which an electronic circuit or the like is formed (hereinafter abbreviated as a circuit substrate or the like).
It is not possible to reduce the size of a circuit board or the like, and thus it is impossible to reduce the size of an electronic device or the like on which the circuit board or the like is mounted.
When L2 and L3 are each 0.1 mm or less,
The mechanical strength of the element itself becomes too weak, and when the element is mounted on a circuit board or the like by a mounting device or the like, the element may be broken. On the other hand, if L2 and L3 are 1.0 mm or more, the elements become too large, and it is not possible to reduce the size of the circuit board or the like and, consequently, the size of the device.

【0041】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。
The respective components of the inductance element configured as described above will be described in detail below.

【0042】まず、基台11の形状について説明する。First, the shape of the base 11 will be described.

【0043】基台11は角柱状もしくは円柱状とするこ
とが好ましく、図1,2に示す様に基台11を角柱状と
することによって、実装性を向上させることができ、素
子の転がり等を防止できる等の効果を有する。また、基
台11を角柱状とする中でも特に四角柱状とすることが
非常に実装性や、素子の回路基板上での位置決めを容易
にする。なお、更に好ましくは底面が正方形の直方体と
することが更に実装性等を向上させることができる。更
に、基台11を角柱状とすることによって構造が非常に
簡単になるので、生産性がよく、しかもコスト面が非常
に有利になる。
It is preferable that the base 11 is formed in a prismatic or cylindrical shape. By forming the base 11 in a prismatic shape as shown in FIGS. And the like. In addition, among the rectangular bases, the base 11 is particularly preferably formed in a square pillar shape, which greatly facilitates the mounting and the positioning of the element on the circuit board. In addition, it is more preferable that the bottom surface is a rectangular parallelepiped having a square shape, so that the mountability and the like can be further improved. Further, since the base 11 has a prismatic structure, the structure becomes very simple, so that the productivity is good and the cost is very advantageous.

【0044】また、基台11の形状を円柱状とすること
によって、後述するように基台11上に導電膜12を形
成し、その導電膜12にレーザ加工等によって溝を形成
する場合、その溝の深さなどを精度よく形成することが
でき、特性のばらつきを抑えることができる。
When the base 11 is formed in a columnar shape, a conductive film 12 is formed on the base 11 as described later, and when a groove is formed in the conductive film 12 by laser processing or the like, The depth of the groove and the like can be formed with high accuracy, and variations in characteristics can be suppressed.

【0045】次に基台11の面取りについて図3を用い
て説明する。
Next, the chamfering of the base 11 will be described with reference to FIG.

【0046】図3は基台11を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the base 11.

【0047】基台11の角部11b,11cには面取り
が施されており、その面取りした角部11b,11cの
それぞれの曲率半径R1及び角部11aの曲率半径R2
は以下の通りに形成されることが好ましい。
The corners 11b and 11c of the base 11 are chamfered, and the radius of curvature R1 of each of the chamfered corners 11b and 11c and the radius of curvature R2 of the corner 11a.
Is preferably formed as follows.

【0048】0.03<R1<0.15(mm) 0.0.07<R2(mm) R1が0.03mm以下であると、角部11b,11c
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11b,11cに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
b,11cが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.
01mm以下であると、角部11aにバリなどが発生し
やすく、素子の特性を大きく左右する導電膜12の厚み
が角部11fと平坦な部分で大きく異なることがあり、
素子特性のばらつきが大きくなる。
0.03 <R1 <0.15 (mm) 0.07 <R2 (mm) If R1 is 0.03 mm or less, the corners 11b and 11c
Because of the sharp point, the corners 11b and 11c may be chipped by a slight impact or the like, and the chipping may cause deterioration of characteristics or the like. When R1 is 0.15 mm or more, the corner 11
Since b and 11c are too round, the above-mentioned Manhattan phenomenon is likely to occur, which causes a problem. Furthermore, when R2 is 0.
When the thickness is less than or equal to 01 mm, burrs and the like are likely to occur at the corners 11a, and the thickness of the conductive film 12, which largely affects the characteristics of the element, may be significantly different between the corners 11f and the flat portion,
Variation in element characteristics increases.

【0049】次に基台11の構成材料について説明す
る。基台11の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。
Next, the constituent materials of the base 11 will be described. It is preferable to satisfy the following characteristics as a constituent material of the base 11.

【0050】体積固有抵抗:1013Ωm以上(好ましく
は1014Ωm以上) 熱膨張係数:5×10-4/℃以下(好ましくは2×10
-5/℃以下)[20℃〜500℃における熱膨張係数] 比誘電率:1MHzにおいて12以下(好ましくは10
以下) 曲げ強度:1300kg/cm2以上(好ましくは20
00kg/cm2以上) 密度:2〜5g/cm3(好ましくは3〜4g/cm3) 基台11の構成材料が体積固有抵抗が1013Ωm以下で
あると、導電膜12とともに基台11にも所定に電流が
流れ始めるので、並列回路が形成された状態となり、自
己共振周波数f0及びQ値が低くなってしまい、高周波
用の素子としては不向きである。
Volume resistivity: 10 13 Ωm or more (preferably 10 14 Ωm or more) Thermal expansion coefficient: 5 × 10 −4 / ° C. or less (preferably 2 × 10 Ω / m)
−5 / ° C. or less) [Coefficient of thermal expansion at 20 ° C. to 500 ° C.] Relative permittivity: 12 or less at 1 MHz (preferably 10
Bending strength: 1300 kg / cm 2 or more (preferably 20
Density: 2 to 5 g / cm 3 (preferably 3 to 4 g / cm 3 ) When the constituent material of the base 11 has a volume resistivity of 10 13 Ωm or less, the conductive material 12 and the base 11 Also, a current starts to flow in a predetermined manner, so that a parallel circuit is formed, and the self-resonant frequency f0 and the Q value decrease, which is not suitable for a high-frequency element.

【0051】また熱膨張係数が5×10-4/℃以上であ
ると、基台11にヒートショック等でクラックなどが入
ることがある。すなわち熱膨張係数が5×10-4/℃以
上であると、上述の様に溝13を形成する際にレーザ光
線や砥石等を用いるので、基台11が局部的に高温にな
り、基台11にクラックなどが生じることあるが、上述
の様な熱膨張係数を有することによって、大幅にクラッ
ク等の発生を抑止できる。
If the coefficient of thermal expansion is 5 × 10 −4 / ° C. or more, cracks may occur in the base 11 due to heat shock or the like. That is, when the thermal expansion coefficient is 5 × 10 −4 / ° C. or more, the base 11 is locally heated to a high temperature because a laser beam or a grindstone is used when forming the groove 13 as described above. Although cracks and the like may occur in 11, the occurrence of cracks and the like can be greatly suppressed by having the above-described coefficient of thermal expansion.

【0052】また、誘電率が1MHzにおいて12以上
であると、自己共振周波数f0及びQ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。
If the dielectric constant is 12 or more at 1 MHz, the self-resonant frequency f0 and the Q value become low, and it is not suitable for a high-frequency device.

【0053】曲げ強度が1300kg/cm2以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。
When the bending strength is 1300 kg / cm 2 or less, the element may be broken when mounted on a circuit board or the like by a mounting apparatus.

【0054】密度が2g/cm3以下であると、基台1
1の吸水率が高くなり、基台11の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が5g/c
3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上述の範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台11への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。
When the density is 2 g / cm 3 or less, the base 1
1, the water absorption rate is increased, the characteristics of the base 11 are significantly deteriorated, and the characteristics as an element are deteriorated. The density is 5 g / c
If it exceeds m 3 , the weight of the base will be heavy, and there will be a problem in mountability and the like. In particular, when the density is set within the above range, the water absorption rate is small, water hardly enters the base 11, the weight is reduced, and no problem occurs when mounting on a substrate by a chip mounter or the like.

【0055】この様に基台11の体積固有抵抗,熱膨張
係数,誘電率,曲げ強度,密度を規定することによっ
て、自己共振周波数f0やQが低下しないので、高周波
用の素子として用いることができ、ヒートショック等で
基台11にクラック等が発生することを抑制できるの
で、不良率を低減することができ、更には、機械的強度
を向上させることができるので、実装装置などを用いて
回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の優
れた効果を得ることができる。
By defining the volume resistivity, the coefficient of thermal expansion, the dielectric constant, the bending strength, and the density of the base 11 in this manner, the self-resonant frequency f0 and Q do not decrease, and thus the base 11 can be used as a high-frequency element. It is possible to suppress the occurrence of cracks or the like in the base 11 due to heat shock or the like, so that the defective rate can be reduced, and furthermore, the mechanical strength can be improved. Since it can be mounted on a circuit board or the like, excellent effects such as improvement in productivity can be obtained.

【0056】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台11を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台11の加工時のプレス圧力を2〜5t,焼成温
度を1500〜1600℃,焼成時間1〜3時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Al23が92重量%以上,SiO2が6重量
%以下,MgOが1.5重量%以下,Fe23が0.1
%以下,Na2Oが0.3重量%以下等が挙げられる。
As a material for obtaining the above-mentioned various properties, a ceramic material containing alumina as a main component can be used. However, simply using a ceramic material mainly composed of alumina cannot obtain the above-mentioned characteristics. That is,
Since the above-mentioned various characteristics vary depending on the pressing pressure, the sintering temperature, and the additives at the time of producing the base 11, the production conditions and the like must be appropriately adjusted. Specific manufacturing conditions include a pressing pressure of 2 to 5 tons when processing the base 11, a firing temperature of 1500 to 1600 ° C., and a firing time of 1 to 3 hours. Specific examples of the alumina material include Al 2 O 3 of 92 wt% or more, SiO 2 of 6 wt% or less, MgO of 1.5 wt% or less, and Fe 2 O 3 of 0.1 wt% or less.
% Or less, and Na 2 O of 0.3% by weight or less.

【0057】また、基台11の構成材料として、フェラ
イト等の磁性材料で構成してもよい。基台11をフェラ
イト等の磁性材料で構成すると、高いインダクタンス
(大体18nH〜50nH)を有する素子を形成するこ
とができる。
The base 11 may be made of a magnetic material such as ferrite. When the base 11 is made of a magnetic material such as ferrite, an element having high inductance (about 18 nH to 50 nH) can be formed.

【0058】次に基台11の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜12の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。
Next, the surface roughness of the base 11 will be described. The surface roughness described below means the average roughness of the center line, and the roughness described in the description of the conductive film 12 is also the average roughness of the center line.

【0059】基台11の表面粗さは0.15〜0.5μ
m程度、好ましくは0.2〜0.3μm程度がよい。図
4は基台11の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図4は下記に示すような実験の結果である。基
台11及び導電膜12はそれぞれアルミナ,銅で構成
し、基台11の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜12を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜12の表面を観察して、導電膜12の剥がれ
の有無を測定した。基台11の表面粗さは、表面粗さ測
定器(東京精密サーフコム社製 574A)を用いて、
先端Rが5μmのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが0.15μm以下であると、基台11
の上に形成された導電膜12の剥がれの発生率が5%程
度であり、良好な基台11と導電膜12の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが0.2μm以上であ
れば導電膜12の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台11の表面粗さは0.2μm以上が
好ましい。導電膜12の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は5%
以下が好ましい。
The surface roughness of the base 11 is 0.15 to 0.5 μm.
m, preferably about 0.2 to 0.3 μm. FIG. 4 is a graph showing the surface roughness of the base 11 and the rate of occurrence of peeling. FIG. 4 shows the results of an experiment as described below. The base 11 and the conductive film 12 were made of alumina and copper, respectively, and samples with various surface roughnesses of the base 11 were prepared, and the conductive film 12 was formed on each sample under the same conditions. Each sample was subjected to ultrasonic cleaning, and thereafter, the surface of the conductive film 12 was observed to determine whether or not the conductive film 12 was peeled. The surface roughness of the base 11 was measured using a surface roughness measuring device (574A, manufactured by Tokyo Seimitsu Surfcom).
The one having a tip R of 5 μm was used. As can be seen from this result, if the average surface roughness is 0.15 μm or less,
The rate of occurrence of peeling of the conductive film 12 formed thereon is about 5%, and good bonding strength between the base 11 and the conductive film 12 can be obtained. Further, if the surface roughness is 0.2 μm or more, peeling of the conductive film 12 hardly occurs. Therefore, if possible, the surface roughness of the base 11 is preferably 0.2 μm or more. Since the peeling of the conductive film 12 is a major factor in deterioration of the characteristics of the element, the rate of occurrence is 5% in terms of yield and the like.
The following is preferred.

【0060】図5は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とQ値の関係を示すグラフである。図5は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが0.1μm以
下の基台11と、表面粗さが0.2〜0.3μmの基台
11と、表面粗さが0.5μm以上の基台11のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
(銅)で同じ厚さの導電膜12を形成した。そして、各
サンプルにおいて、所定の周波数FにおけるQ値を測定
した。図5から判るように基台11の表面粗さが0.5
μm以上であると、導電膜12の膜構造が悪くなること
が原因と考えられるQ値の低下が見られる。特に高周波
領域で顕著にQ値の劣化が見られる。また、自己共振周
波数f0(各線の極大値)も基台11の表面粗さが0.
5μmのものは、低周波側にシフトしている。従ってQ
値の面及び自己共振周波数f0の面から見れば基台11
の表面粗さは0.5μm以下とすることが好ましい。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the frequency and the Q value with respect to the surface roughness of the base used for the inductance element according to one embodiment of the present invention. FIG. 5 shows the results of the following experiment. First, each sample of the base 11 having a surface roughness of 0.1 μm or less, the base 11 having a surface roughness of 0.2 to 0.3 μm, and the base 11 having a surface roughness of 0.5 μm or more was prepared. A conductive film 12 having the same thickness and the same material (copper) was formed on each sample. Then, in each sample, the Q value at a predetermined frequency F was measured. As can be seen from FIG. 5, the surface roughness of the base 11 is 0.5
When the thickness is not less than μm, a decrease in the Q value, which is considered to be caused by the deterioration of the film structure of the conductive film 12, is observed. Particularly in the high frequency region, the Q value is significantly deteriorated. In addition, the self-resonant frequency f0 (maximum value of each line) is such that the surface roughness of the base 11 is equal to 0.
Those of 5 μm are shifted to the low frequency side. Therefore Q
From the viewpoint of the value and the surface of the self-resonance frequency f0, the base 11
Is preferably 0.5 μm or less.

【0061】以上の様に、導電膜12と基台11との密
着強度,導電膜12のQ値及び自己共振周波数f0の双
方の結果から判断すると、基台11の表面粗さは、0.
15μm〜0.5μmが好ましく、さらに好ましくは
0.2〜0.3μmが良い。
As described above, judging from the results of both the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11, the Q value of the conductive film 12, and the self-resonant frequency f0, the surface roughness of the base 11 is 0.1.
It is preferably from 15 μm to 0.5 μm, more preferably from 0.2 to 0.3 μm.

【0062】なお、本実施の形態では、導電膜12と基
台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台11と導電膜1
2の間にCr単体またはCrと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜12と基台11の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台11の表面粗
さを調整し、その上その基台11の上に中間層及び導電
膜12を積層する場合では、より強力な導電膜12と基
台11の密着強度を得ることができる。
In the present embodiment, the bonding strength between the conductive film 12 and the base 11 is improved by adjusting the surface roughness of the base 11.
2 to improve the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 without adjusting the surface roughness by providing an intermediate layer composed of Cr alone or an alloy of Cr and another metal. Can be. Of course, when the surface roughness of the base 11 is adjusted and the intermediate layer and the conductive film 12 are laminated on the base 11, it is possible to obtain a stronger adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11. it can.

【0063】次に導電膜12について説明する。Next, the conductive film 12 will be described.

【0064】導電膜12としては、800MHz以上の
高周波信号に対してQ値が35以上であり、しかも自己
共振周波数が1〜6GHz程度のものが好ましい。この
様な特性の導電膜12を得るためには、材料及び製法等
を選択しなければならない。
The conductive film 12 preferably has a Q value of 35 or more for a high-frequency signal of 800 MHz or more, and has a self-resonant frequency of about 1 to 6 GHz. In order to obtain the conductive film 12 having such characteristics, a material, a manufacturing method, and the like must be selected.

【0065】以下具体的に導電膜12について説明す
る。
Hereinafter, the conductive film 12 will be specifically described.

【0066】導電膜12の構成材料としては、銅,銀,
金,ニッケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,
銀,金,ニッケル等の材料には、耐候性等を向上させた
ために所定の元素を添加してもよい。また、導電材料と
非金属材料等の合金を用いてもよい。構成材料としてコ
スト面や耐食性の面及び作り易さの面から銅及びその合
金がよく用いられる。導電膜12の材料として、銅等を
用いる場合には、まず、基台11上に無電解メッキによ
って下地膜を形成し、その下地膜の上に電解メッキにて
所定の銅膜を形成して導電膜12が形成される。更に、
合金等で導電膜12を形成する場合には、スパッタリン
グ法や蒸着法で構成することが好ましい。
The constituent materials of the conductive film 12 include copper, silver,
Conductive materials such as gold and nickel can be used. This copper,
A predetermined element may be added to a material such as silver, gold, nickel or the like in order to improve weather resistance and the like. Alternatively, an alloy such as a conductive material and a nonmetallic material may be used. Copper and its alloys are often used as constituent materials in terms of cost, corrosion resistance, and ease of fabrication. When copper or the like is used as the material of the conductive film 12, first, a base film is formed on the base 11 by electroless plating, and a predetermined copper film is formed on the base film by electrolytic plating. The conductive film 12 is formed. Furthermore,
When the conductive film 12 is formed of an alloy or the like, it is preferable to form the conductive film 12 by a sputtering method or an evaporation method.

【0067】更に、本実施の形態の様に、導電膜12を
例えば銅などで構成し、その膜厚を厚くして自己発熱を
抑える場合、導電膜12に形成される溝13の幅K1と
溝13と溝13の間の導電膜12の幅K2は以下の関係
を有する事が好ましい。
Further, as in the present embodiment, when the conductive film 12 is made of, for example, copper or the like and the film thickness is increased to suppress self-heating, the width K1 of the groove 13 formed in the conductive film 12 is reduced. The width K2 of the conductive film 12 between the grooves 13 preferably has the following relationship.

【0068】20μm>K1>15μm 200μm>K2>100μm 特に前述の様に長さL1,幅L2,高さL3を、 L1=0.2〜2.0mm(好ましくは0.3〜0.8
mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) (なお、L1,L2,L3のそれぞれの寸法誤差は0.
02mm以下が好ましい。) としたインダクタンス素子とした場合、上述のK1,K
2は上述の範囲とすることによって、電気抵抗を小さく
することができ、しかも導電膜12に形成される溝13
を精度良く形成することができ、更に導電膜12の膜厚
を厚くした場合に確実に溝13を形成することができ
る。
20 μm>K1> 15 μm 200 μm>K2> 100 μm In particular, as described above, the length L1, width L2, and height L3 are L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8
mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
(Note that the dimensional error of each of L1, L2, and L3 is 0.3 mm.)
It is preferably equal to or less than 02 mm. ), The above K1, K
2 is in the above range, the electric resistance can be reduced, and the groove 13 formed in the conductive film 12 can be reduced.
Can be formed with high precision, and the groove 13 can be reliably formed when the film thickness of the conductive film 12 is increased.

【0069】導電膜12は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜12を複数積層して構成しても良い。例えば、基台1
1の上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属
膜(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に
問題がある銅の腐食を防止することができる。
The conductive film 12 may be composed of a single layer, but may have a multilayer structure. That is, a plurality of conductive films 12 having different constituent materials may be stacked. For example, base 1
First, a copper film is formed on 1 and a metal film having good weather resistance (such as nickel) is laminated thereon, so that corrosion of copper having a problem in weather resistance can be prevented.

【0070】導電膜12の形成方法としては、メッキ法
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
Examples of the method for forming the conductive film 12 include a plating method (such as an electrolytic plating method and an electroless plating method), a sputtering method, and a vapor deposition method. Among these forming methods,
A plating method with good mass productivity and small variations in film thickness is often used.

【0071】導電膜12の表面粗さは1μm以下が好ま
しく、更に好ましくは0.2μm以下が好ましい。導電
膜12の表面粗さが1μmを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのQ値が低下する。図6は本発明の一実施の
形態におけるインダクタンス素子に用いられる導電膜1
2の表面粗さに対する周波数とQ値の関係を示すグラフ
である。図6は下記の様な実験を通して導き出された。
まず、同じ大きさ同じ材料同じ表面粗さで構成された基
台11の上に銅を構成材料とする導電膜12の表面粗さ
を変えて形成し、それぞれのサンプルにて各周波数にお
けるQ値を測定した。図6から判るように、導電膜12
の表面粗さが1μm以上であれば高周波領域におけるQ
値が低くなっていることが判る。更に導電膜12の表面
粗さが0.2μm以下であれば特に高周波領域における
Q値が、非常に高くなっていることがわかる。
The surface roughness of the conductive film 12 is preferably 1 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the surface roughness of the conductive film 12 exceeds 1 μm, the Q value at high frequencies decreases due to the skin effect. FIG. 6 shows a conductive film 1 used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the relationship between the frequency and the Q value with respect to the surface roughness of No. 2; FIG. 6 was derived through the following experiment.
First, a conductive film 12 made of copper is formed on a base 11 having the same size and the same material with the same surface roughness while changing the surface roughness. Was measured. As can be seen from FIG.
If the surface roughness of is 1 μm or more, Q
It can be seen that the value is low. Further, it can be seen that when the surface roughness of the conductive film 12 is 0.2 μm or less, the Q value particularly in a high frequency region is extremely high.

【0072】以上の様に導電膜12の表面粗さは、1.
0μm以下が良く、更に好ましくは、0.2μm以下と
することによって、導電膜12の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるQ値を向上させる事が
できる。
As described above, the surface roughness of the conductive film 12 is 1.
The thickness is preferably 0 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less, the skin effect of the conductive film 12 can be reduced, and the Q value particularly at high frequencies can be improved.

【0073】更に導電膜12と基台11の密着強度は、
導電膜12を形成した基台11を400℃の温度下に数
秒間放置した後に基台11から導電膜12がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に200℃以上の温度が加わること
がある。従って、400℃で基台11からの導電膜12
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。
Further, the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 is as follows:
After leaving the base 11 on which the conductive film 12 is formed at a temperature of 400 ° C. for a few seconds, it is preferable that the conductive film 12 be separated from the base 11 by a degree or more. When the element is mounted on a substrate or the like, a temperature of 200 ° C. or more may be applied to the element due to self-heating or heat from other members. Therefore, the conductive film 12 from the base 11 at 400 ° C.
If the adhesion strength is such that no peeling occurs, even if heat is applied to the element, the characteristics of the element do not deteriorate.

【0074】次に保護材14について説明する。Next, the protective member 14 will be described.

【0075】保護材14としては、耐候性に優れた有機
材料、例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料や電
着膜が用いられる。また、保護材14としては、溝13
の状況等が観測できるような透明度を有する事が好まし
い。更に保護材14には透明度を有したまま、所定の色
を有することが好ましい。保護材14に赤,青,緑など
の、導電膜12や端子部15,16等と異なる色を着色
する事によって、素子各部の区別をする事ができ、素子
各部の検査などが容易に行える。また、素子の大きさ、
特性、品番等の違いで保護材14の色を変えることによ
って、特性や品番等の異なる素子を誤った部分に取り付
けるなどのミスを低減させることができる。
As the protective material 14, an organic material having excellent weather resistance, for example, an insulating material such as an epoxy resin or an electrodeposition film is used. Further, as the protective material 14, the groove 13
It is preferable to have transparency so that the situation can be observed. Further, it is preferable that the protective material 14 has a predetermined color while having transparency. By coloring the protective material 14 with a color such as red, blue, or green, which is different from the conductive film 12 and the terminal portions 15 and 16, it is possible to distinguish each element portion, and to easily inspect each element portion. . Also, the size of the element,
By changing the color of the protective material 14 depending on the difference in characteristics, product numbers, etc., it is possible to reduce errors such as mounting of elements having different characteristics, product numbers, etc. on erroneous parts.

【0076】特に保護材14を電着膜で構成することに
よって、非常に薄くて絶縁性を確保でき、しかも耐熱性
も向上させることができる。すなわち、エポキシ樹脂や
レジストなどを塗布する方法であると、保護材14の部
分が大きく盛り上がり、回路基板等に実装する場合、素
子の端子部と回路基板の配線の間に隙間が生じることが
あり、十分な電気的接合を行うことができないことがあ
るが、電着膜で保護材14を形成することによって、薄
くしかも均一な保護材14を形成できるので、素子を回
路基板などに実装したときに、端子部と配線との間の隙
間が非常に小さくなり、配線と基盤の端子間の電気的接
合は十分に行うことができる。
In particular, when the protective member 14 is formed of an electrodeposition film, the protective member 14 is very thin, can secure insulation, and can have improved heat resistance. That is, when the method of applying an epoxy resin, a resist, or the like is applied, a portion of the protective material 14 rises greatly, and when mounted on a circuit board or the like, a gap may be generated between the terminal portion of the element and the wiring of the circuit board. In some cases, sufficient electrical bonding cannot be performed. However, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, a thin and uniform protective material 14 can be formed. In addition, the gap between the terminal portion and the wiring becomes very small, and the electrical connection between the wiring and the terminal of the substrate can be sufficiently performed.

【0077】また、レジストなどを塗布する方法である
と、一つ一つの素子にそれぞれテープなどを用いて塗布
しなければならないので、工程が多くなり生産性が向上
せず、製造コストも低減することはできないが、本実施
の形態の様に、電着膜で保護材14を作製することによ
って、一度にたくさんの素子に保護材14を設けること
ができるので、生産性が向上しコストも低減させること
ができる。
Further, in the method of applying a resist or the like, each element must be applied using a tape or the like, so that the number of steps is increased, productivity is not improved, and manufacturing cost is reduced. Although it is not possible, as in the present embodiment, by forming the protective material 14 with an electrodeposition film, the protective material 14 can be provided to many elements at once, so that productivity is improved and cost is reduced. Can be done.

【0078】保護材14の具体的構成材料としては、ア
クリル系樹脂,エポキシ系樹脂,フッ素系樹脂,ウレタ
ン系樹脂,ポリイミド系樹脂などの樹脂材料の少なくと
も1つで構成された電着樹脂膜によって構成されてい
る。また、保護材14を電着膜で構成する場合、カチオ
ン系,アニオン系のどちらかを選択する場合には、導電
膜12の構成材料、電着膜の構成材料、インダクタンス
素子の使用用途などを考慮して決定することが好まし
い。保護材14は異なる材料で構成された電着膜を積層
して構成しても良いし、同一材料を積層しても良く、更
には、複数の電着膜を溝部13の上に並列して設けても
よい。
As a specific constituent material of the protective material 14, an electrodeposition resin film made of at least one resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a fluorine resin, a urethane resin, and a polyimide resin is used. It is configured. In the case where the protective material 14 is formed of an electrodeposited film, and when either the cation type or the anion type is selected, the constituent material of the conductive film 12, the constituent material of the electrodeposited film, and the usage of the inductance element are used. It is preferable to determine in consideration of the above. The protective material 14 may be formed by laminating electrodeposited films made of different materials, or may be formed by laminating the same material. Further, a plurality of electrodeposited films may be stacked on the groove 13 in parallel. It may be provided.

【0079】保護材14を電着膜で構成する場合、保護
材14の厚さが数十ミクロンで20V以上の耐圧を有す
ることが好ましく、しかもハンダの融点である183℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。なお、183℃で保護材14が軟化する程度のもの
は不具合は生じない。
When the protective member 14 is formed of an electrodeposited film, the protective member 14 preferably has a thickness of several tens of microns and a withstand voltage of 20 V or more, and has a melting point of 183 ° C., which is the melting point of solder.
It is preferable to use a material having characteristics of not burning or evaporating. In the case where the protective material 14 is softened at 183 ° C., no problem occurs.

【0080】また、図7(a)に示す様に電着膜で構成
された保護材14は、導電膜12と基台11の少なくと
も一部の双方を覆うように設けることが好ましい。この
様に保護材14を設けることによって、導電膜12をほ
ぼ覆うことができ、しかも導電膜12と外気などとの接
触確率を極めて小さくすることができるので、導電膜1
2の腐食や電流の漏洩等を防止することができる。図7
(b)に示す様に保護材14を導電膜12のみに設ける
場合では、導電膜12の角部12zがむき出しになる可
能性が高く、導電膜12の腐食の原因となることがあ
る。
As shown in FIG. 7A, it is preferable that the protective material 14 made of an electrodeposition film be provided so as to cover both the conductive film 12 and at least a part of the base 11. By providing the protective material 14 in this manner, the conductive film 12 can be substantially covered, and the probability of contact between the conductive film 12 and outside air can be extremely reduced.
2 can be prevented, current leakage, and the like can be prevented. FIG.
In the case where the protective material 14 is provided only on the conductive film 12 as shown in (b), there is a high possibility that the corner 12z of the conductive film 12 is exposed, which may cause corrosion of the conductive film 12.

【0081】従って、図7(a)に示す様に、導電膜1
2の角部12zをオバーして基台11の少なくとも一部
も保護材14で覆うように構成することによって、確実
な導電膜12の保護を行うことができる。
Therefore, as shown in FIG.
By configuring the corners 12z of the second to cover at least a part of the base 11 with the protective material 14, the conductive film 12 can be reliably protected.

【0082】また、図7(a)に示す様に導電膜12の
外方の角部12p上に形成される保護材14の一部14
zは他の部分よりも膜厚を厚くすることが好ましい。一
部14zを厚くすることによって、角部12pが他の部
分との間で放電することなどを防止でき、インダクタン
ス素子としての特性の劣化を防止できる。
Further, as shown in FIG. 7A, a portion 14 of the protective material 14 formed on the outer corner 12p of the conductive film 12 is formed.
It is preferable that z is thicker than other portions. By increasing the thickness of the portion 14z, it is possible to prevent the corner portion 12p from being discharged with other portions, and to prevent deterioration of characteristics as an inductance element.

【0083】また、特殊用途などに用いられるインダク
タンス素子には、導電膜12と保護材14の密着強度を
持たせることが重要になってくる場合がある。この場合
には、導電膜12の表面を化学的エッチングすることに
よって粗面化し、その粗面化した表面に電着膜で構成し
た保護材14を設けることが好ましい。前述したよう
に、導電膜12の表面の粗面化を行うとQ値の低下を招
く危険はあるが、特殊用途等の場合、Q値よりも保護材
14と導電膜12の密着強度を向上することが重要な場
合があるので、このときは、用途などを考慮して導電膜
12の粗さを適宜決定する必要がある。
In some cases, it is important for an inductance element used for a special purpose to have an adhesion strength between the conductive film 12 and the protective material 14. In this case, it is preferable to roughen the surface of the conductive film 12 by chemical etching, and to provide a protective material 14 made of an electrodeposition film on the roughened surface. As described above, if the surface of the conductive film 12 is roughened, there is a risk of lowering the Q value. However, in a special use or the like, the adhesion strength between the protective material 14 and the conductive film 12 is improved more than the Q value. In this case, it is necessary to appropriately determine the roughness of the conductive film 12 in consideration of the application and the like.

【0084】また、導電膜12を銅を含む材料で構成し
た場合、電着膜である保護材14は不均一な膜厚で形成
されることがあるので、この場合には、導電膜12の上
にNi等の金属膜を形成し、その金属膜の上に保護材1
4を形成しても良い。
When the conductive film 12 is made of a material containing copper, the protective material 14 which is an electrodeposition film may be formed with an uneven film thickness. A metal film such as Ni is formed thereon, and a protective material 1 is formed on the metal film.
4 may be formed.

【0085】次に、電着膜で構成された保護材14の形
成方法について説明する。
Next, a method of forming the protective member 14 composed of an electrodeposition film will be described.

【0086】図8に示す様に100は容器で、容器10
0中には、水,電着樹脂,pH調整剤などの調整剤及び
他の添加剤などを混合した溶液101が収納されてい
る。102は電極板、103はインダクタンス素子、1
04,105はそれぞれ保持部材で、保持部材104,
105は、インダクタンス素子103の両端がはまりこ
む孔が設けられている。保持部材105には通電部10
6が設けられており、この通電部106はインダクタン
ス素子103に接触している。
As shown in FIG. 8, reference numeral 100 denotes a container.
0 contains a solution 101 in which an adjusting agent such as water, an electrodeposition resin, a pH adjusting agent, and other additives are mixed. 102 is an electrode plate, 103 is an inductance element, 1
Reference numerals 04 and 105 denote holding members, respectively.
105 is provided with holes into which both ends of the inductance element 103 fit. The conducting member 10 is
6 are provided, and the current-carrying portion 106 is in contact with the inductance element 103.

【0087】電極板102及び通電部106に所定の電
圧を加えると、インダクタンス素子103の両端部を除
く部分に電着膜が形成される。これは、インダクタンス
素子103の端子部15,16は、保持部材104,1
05に入り込んでおり、溶液101とは余り接触してい
ないからである。なお、本実施の形態では、保持部材1
04,105に端子部15,16を入り込ませたが、フ
ォトレジスト等の他のマスク部材を端子部15,16に
設ける構成にしてもよい。
When a predetermined voltage is applied to the electrode plate 102 and the current-carrying portion 106, an electrodeposition film is formed on a portion except for both ends of the inductance element 103. This is because the terminals 15 and 16 of the inductance element 103 are connected to the holding members 104 and 1.
This is because they have entered the liquid crystal 05 and are not in contact with the solution 101 much. In the present embodiment, the holding member 1
Although the terminal portions 15 and 16 are inserted into the terminal portions 04 and 105, another mask member such as a photoresist may be provided on the terminal portions 15 and 16.

【0088】以上の様に、電着膜で構成された保護材1
4を有するインダクタンス素子を作製した後に、素子に
熱処理を加えることが好ましい。この熱処理によって、
保護材14の表面がなだらかになって、表面粗さが小さ
くなり、確実に保護材14を覆うようになる。また、熱
処理を加えると、導電膜12の角部12pの保護材14
の厚さが薄くなることがあるが、この場合には、溶液1
01の中に絶縁性の粒子(例えば金属酸化物など)を混
入させて、電着膜で構成された保護材14の中にこの絶
縁性の粒子を保持させることによって、導電膜12の角
部の保護材14の厚さが薄くなることを防止できる。
As described above, the protective material 1 composed of the electrodeposition film
After manufacturing the inductance element having No. 4, it is preferable to apply heat treatment to the element. By this heat treatment,
The surface of the protection member 14 becomes gentle, the surface roughness becomes small, and the protection member 14 is surely covered. Further, when heat treatment is applied, the protective material 14 at the corner 12 p of the conductive film 12 is formed.
May be thin, but in this case, the solution 1
01 is mixed with insulating particles (for example, a metal oxide), and the insulating particles are held in the protective material 14 made of an electrodeposited film. Can be prevented from becoming thinner.

【0089】次に端子部15,16について説明する。Next, the terminals 15 and 16 will be described.

【0090】端子部15,16は、図2に示すように、
基台11がむき出しになった端面に及び保護材14上に
設けられており、この様に、基台11上に直接端子部1
5,16を形成するようにする事によって、端子部1
5,16と基台11間の接合強度を向上させることがで
きる。なお、導電膜12を基台11の端面まで形成し、
その端面上に形成された導電膜12上に端子部15,1
6を設けても良く、この様な構成によって、比較的平坦
な導電膜12の上に端子部15,16を形成すると、そ
の端子部15,16をメッキ法や塗布法によって形成し
ても、端子部15,16の結晶性や膜質が良くなるの
で、端子部としての特性が向上する。
As shown in FIG. 2, the terminal portions 15 and 16 are
The base 11 is provided on the exposed end face and on the protection member 14, and thus, the terminal portion 1 is directly provided on the base 11.
By forming 5 and 16, the terminal portion 1 is formed.
The joining strength between the bases 5 and 16 and the base 11 can be improved. In addition, the conductive film 12 is formed up to the end face of the base 11,
The terminal portions 15 and 1 are formed on the conductive film 12 formed on the end face.
When the terminal portions 15 and 16 are formed on the relatively flat conductive film 12 by such a configuration, the terminal portions 15 and 16 may be formed by plating or coating. Since the crystallinity and film quality of the terminal portions 15 and 16 are improved, the characteristics of the terminal portions are improved.

【0091】基台11の長手方向における端子部15,
16それぞれの長さP5,P6は以下の関係を満たすこ
とが好ましい。なお、L1は前述したように素子の全長
を表す。
The terminal portions 15 in the longitudinal direction of the base 11,
It is preferable that the lengths P5 and P6 of the respective 16 satisfy the following relationship. Note that L1 represents the entire length of the element as described above.

【0092】 0.07<P5÷L1<0.3 0.07<P6÷L1<0.3 P5÷L1及びP6÷L1が0.1以下の場合には、素
子を回路基板上に実装した場合に、回路基板上に設けら
れた電極などとの接合面積が小さくなり、接合強度が劣
化したり、マンハッタン現象などが生じる可能性があ
り、0.3以上の場合には、端子部15,16間が近接
してしまい、回路基板上などに実装した際に、端子部1
5,16間が回路基板上などで短絡してしまう可能性が
ある。
0.07 <P5 ÷ L1 <0.3 0.07 <P6 ÷ L1 <0.3 When P5 ÷ L1 and P6 ÷ L1 were 0.1 or less, the element was mounted on a circuit board. In this case, the bonding area with an electrode or the like provided on the circuit board may be reduced, and the bonding strength may be degraded or the Manhattan phenomenon may occur. 16 are close to each other, and when mounted on a circuit board or the like, the terminal 1
There is a possibility that a short circuit occurs between 5 and 16 on a circuit board or the like.

【0093】次に、端子部15,16の表面粗さは1μ
m〜10μm(好ましくは1μm〜5μm)とする事が
好ましい。すなわち、端子部15,16の表面粗さが1
μm以下であると、回路基板などに設けられた電極との
接合面積が小さくなってしまい、接合強度が小さくなっ
てしまい、表面粗さが10μm以上であると、端子部1
5,16上に他の導電膜などを形成する際に、その導電
膜の特性が劣化してしまう。
Next, the surface roughness of the terminals 15 and 16 is 1 μm.
m to 10 μm (preferably 1 μm to 5 μm). That is, the surface roughness of the terminal portions 15 and 16 is 1
If it is less than μm, the bonding area with an electrode provided on a circuit board or the like will be small, and the bonding strength will be small. If the surface roughness is 10 μm or more, the terminal 1
When another conductive film or the like is formed on the layers 5 and 16, the characteristics of the conductive film deteriorate.

【0094】また、端子部15,16の比抵抗値は1×
10-4Ωcm以上(好ましくは5×10-4Ωcm以上)
とする事が電気的特性を向上させるために有効である。
The specific resistance value of the terminal portions 15 and 16 is 1 ×
10 −4 Ωcm or more (preferably 5 × 10 −4 Ωcm or more)
It is effective to improve the electrical characteristics.

【0095】更に、端子部15,16の結晶粒径は、フ
レーク状体である場合には1〜5μm(好ましくは2〜
3μm)であることが結晶性上あるいは電気的特性上有
効であり、球状体の場合には、0.1μm〜0.8μm
(好ましくは0.2μm〜0.5μm)であることが、
結晶性上あるいは電気的特性上有効である。
Further, the crystal grain size of the terminal portions 15 and 16 is 1 to 5 μm (preferably 2 to 5 μm) in the case of a flake.
3 μm) is effective in terms of crystallinity or electrical characteristics, and in the case of a spherical body, 0.1 μm to 0.8 μm
(Preferably 0.2 μm to 0.5 μm)
It is effective in terms of crystallinity or electrical characteristics.

【0096】また、基台11の端面上に形成される端子
部15,16の最大厚みP1,P2はそれぞれ10μm
〜30μm(好ましくは18μm〜25μm)とする事
が好ましい。P1,P2が10μm以下であると端子部
15,16の電極食われ時間が短くなってしまうという
問題が生じる可能性がある。これは回路基板などに素子
を実装してリフロー等を行う際に、短時間でリフローを
行わなければ、端子部15,16に電極食われ現象が発
生して、素子と回路の接合に不具合が生じる。従って、
リフロー等の加熱時間を短くしなければならないが、加
熱時間が短くなってしまうと、素子と回路基板を接合す
る接合材が十分に融解せず接合強度等に問題が生じる。
The maximum thicknesses P1, P2 of the terminal portions 15, 16 formed on the end face of the base 11 are each 10 μm.
To 30 μm (preferably 18 μm to 25 μm). If P1 and P2 are 10 μm or less, there is a possibility that a problem that the electrode erosion time of the terminal portions 15 and 16 is shortened. This is because if the reflow is not performed in a short time when the element is mounted on a circuit board or the like and the reflow is not performed in a short time, the electrode portions are eroded at the terminal portions 15 and 16 and a failure occurs in the connection between the element and the circuit. Occurs. Therefore,
The heating time for reflow or the like must be shortened, but if the heating time is shortened, the bonding material for bonding the element and the circuit board is not sufficiently melted, which causes a problem in bonding strength and the like.

【0097】半田ディップ試験(350℃)において、
電極食われ時間TとP1,P2(t)の関係は、図10
に示すようになっている。図10から判るように、P
1,P2の膜厚が10μm以下であれば、7.5sec
以下で半田食われ現象が発生するので、前述のように、
十分に接合材が融解しないので、十分な接合強度を得る
ことはできないので、P1,P2の膜厚は10μm以上
とすることが好ましい。また、P1、P2が30μm以
上であると、基台11の長さが短くなってしまい、Q値
が劣化してしまうことになる。図11に示すように、P
1,P2の厚さをtaとした場合に、taが大きくなる
と、必然的に基台11の長さが短くなっていくので、Q
値の劣化を生じることになる。従って、P1,P2は3
0μmを超えると、基台11自体の長さが短くなり、Q
値劣化を招くことになるので、P1,P2は30μm以
下とすることが好ましい。
In the solder dip test (350 ° C.)
The relationship between the electrode erosion time T and P1, P2 (t) is shown in FIG.
It is shown as follows. As can be seen from FIG.
1, if the film thickness of P2 is 10 μm or less, 7.5 seconds
Since the solder erosion phenomenon occurs below, as described above,
Since the bonding material does not melt sufficiently, it is not possible to obtain a sufficient bonding strength. Therefore, the film thickness of P1 and P2 is preferably set to 10 μm or more. If P1 and P2 are 30 μm or more, the length of the base 11 is shortened, and the Q value is deteriorated. As shown in FIG.
Assuming that the thickness of P1 and P2 is ta and that ta increases, the length of the base 11 inevitably becomes shorter.
The value will be degraded. Therefore, P1 and P2 are 3
If it exceeds 0 μm, the length of the base 11 itself becomes short, and Q
P1 and P2 are preferably set to 30 μm or less, since this would cause value deterioration.

【0098】更に、基台11の側面上であって、保護材
14上に形成される端子部15,16の最大厚みP3,
P4はそれぞれ10μm〜25μm(好ましくは15μ
m〜20μm)とする事が好ましい。P3,P4が10
μmより小さいと、図10に示すように、電極食われ現
象が発生する時間が短くなるので、P3,P4は10μ
m以上であることが好ましい。更に、図11に示すよう
に、P3,P4(図11のtb)を大きくすることによ
って、基台11の太さが、細くなり、Q値劣化が生じる
ので、P3,P4は25μm以下であることが好まし
い。また、図11から判るように、tbが大きくなると
taよりもQ値劣化が著しく生じる事になるので、P
3,P4それぞれの厚みはP1,P2よりも薄くするこ
とが、Q値劣化を防止する上で好ましい。具体的に説明
すると、P1,P2の厚みをそれぞれ30μmとした場
合に、P3,P4それぞれの厚みは30μmよりも小さ
く、しかも10μm以上の膜厚で構成することが好まし
い。
Further, the maximum thickness P3 of the terminal portions 15 and 16 formed on the side surface of the base 11 and on the protective material 14
P4 is 10 μm to 25 μm (preferably 15 μm
m to 20 μm). P3, P4 is 10
When the diameter is smaller than μm, as shown in FIG. 10, the time during which the electrode erosion phenomenon occurs is shortened.
m or more. Further, as shown in FIG. 11, by increasing P3 and P4 (tb in FIG. 11), the thickness of the base 11 becomes thinner and the Q value deteriorates, so that P3 and P4 are 25 μm or less. Is preferred. Further, as can be seen from FIG. 11, when tb increases, the Q value deteriorates more remarkably than ta.
It is preferable that the thickness of each of P3 and P4 be smaller than P1 and P2 in order to prevent deterioration of the Q value. More specifically, when each of P1 and P2 has a thickness of 30 μm, it is preferable that each of P3 and P4 has a thickness smaller than 30 μm and a thickness of 10 μm or more.

【0099】基台11の端面側の角部上に形成される端
子部15,16の厚みP7,P8は10μm〜20μm
とする事が好ましく、P7,P8が10μmより小さい
と、電極食われ現象が発生する時間が短くなるので好ま
しくなく、膜厚P1〜P4よりも薄くすることが、角部
上に設けられた端子部15,16が突出しないので、実
装性を向上させることができる。具体的には、P7,P
8は20μm以下とすることが好ましい。
The thicknesses P7, P8 of the terminal portions 15, 16 formed on the corners on the end face side of the base 11 are 10 μm to 20 μm.
When P7 and P8 are smaller than 10 μm, it is not preferable because the time during which the electrode erosion phenomenon occurs becomes short, and it is not preferable to make the thickness smaller than the film thicknesses P1 to P4. Since the portions 15 and 16 do not protrude, the mountability can be improved. Specifically, P7, P
8 is preferably 20 μm or less.

【0100】また、端子部15,16は全面的に曲面状
となっており端子部15,16にエッジが存在しないよ
うに構成することによって、屑の発生などを抑えるよう
に構成することが好ましい。
Further, it is preferable that the terminal portions 15 and 16 be entirely curved so that no edges are present on the terminal portions 15 and 16 so as to suppress generation of dust. .

【0101】また、端子部15,16の耐候性を向上さ
せる様にするには、端子部15,16の上に、Ti,N
i,W,Cr等の腐食しにくい金属膜や、それら金属材
料の合金膜(Ni−Cr等)等の耐食膜を膜厚0.5〜
3μmの膜厚で構成することが良い。特に、Ni単体か
若しくはNi合金を用いることが、特性面やコスト面等
で優れている。
In order to improve the weather resistance of the terminals 15, 16, Ti, N
A corrosion resistant film such as a metal film that is hardly corroded, such as i, W, and Cr, and an alloy film (such as Ni—Cr) of those metal materials is formed to a thickness of 0.5 to
It is preferable that the thickness be 3 μm. In particular, the use of Ni alone or a Ni alloy is excellent in characteristics, cost, and the like.

【0102】更に、端子部15,16と回路基板などと
の接合性を向上させるためには、端子部15,16或い
は耐食膜の上に半田や鉛フリーの接合材(Sn単体もし
くはSnにAg,Cu,Zn,Bi,Inの少なくとも
一つを含ませた鉛フリー半田等)で構成された接合膜を
5〜10μmの膜厚で形成しても良い。
Further, in order to improve the bonding property between the terminal portions 15 and 16 and the circuit board or the like, solder or a lead-free bonding material (Sn alone or Ag on Sn) , Cu, Zn, Bi, In, or a lead-free solder containing at least one of them) may be formed to a thickness of 5 to 10 μm.

【0103】上記耐食膜及び接合膜を端子部15,16
上に形成する事を前提として、端子部15,16に関係
する長さP1〜P8が決められており、端子部15,1
6のみの場合には、前述のP1〜P8の長さで形成さ
れ、耐食膜か接合膜の少なくとも一つを端子部15,1
6上に形成する場合には、そのP1〜P8に示される長
さに、耐食膜,接合膜の厚みがP1〜P8に加わること
になる。
The corrosion-resistant film and the bonding film are connected to the terminal portions 15 and 16.
The lengths P1 to P8 related to the terminal portions 15 and 16 are determined on the assumption that the terminal portions 15 and 16 are formed above.
6, only the terminal portions 15, 1 are formed with the above-mentioned lengths P1 to P8, and at least one of the corrosion-resistant film and the bonding film is formed.
6, the thickness of the corrosion resistant film and the thickness of the bonding film are added to the lengths indicated by P1 to P8.

【0104】以上の様な端子部15,16を構成する一
つの手段として、導電ペーストを基台11の端面に塗布
し、加熱処理などを施して端子部15,16を形成する
方法がある。以下塗布型端子部の形成方法について、説
明する。
As one means for forming the terminal portions 15 and 16 as described above, there is a method in which a conductive paste is applied to the end surface of the base 11 and subjected to a heat treatment or the like to form the terminal portions 15 and 16. Hereinafter, a method of forming the coating type terminal portion will be described.

【0105】まず、導電ペーストについては、少なくと
も導電材料、樹脂材料、溶剤を有しており、導電材料と
しては例えば金,銀,銅等の導電性を示す金属粒子を用
いることができ、特に銀粒子は特性面、加工性の面、コ
ストの面等で特に優れている。金属粒子としてフレーク
状のものを用いる場合には1〜5μm(好ましくは2〜
3μm)であることが有効であり、球状体の場合には、
0.1μm〜0.8μm(好ましくは0.2μm〜0.
5μm)が好ましい。樹脂材料としては、フェノール,
エポキシ樹脂等の少なくとも一つが用いられ、溶剤とし
ては、ブチルカルビトール等が好適に用いられる。
First, the conductive paste contains at least a conductive material, a resin material, and a solvent. As the conductive material, for example, conductive metal particles such as gold, silver, and copper can be used. The particles are particularly excellent in properties, workability, cost, and the like. When using flake-like metal particles, 1 to 5 μm (preferably 2 to 5 μm)
3 μm) is effective, and in the case of a spherical body,
0.1 μm to 0.8 μm (preferably 0.2 μm to 0.
5 μm) is preferred. Phenol,
At least one of an epoxy resin or the like is used, and butyl carbitol or the like is suitably used as the solvent.

【0106】導電ペーストの配合割合としては、導電材
料50〜70重量%、樹脂材料10〜20重量%、溶剤
20〜30重量%とする事が好ましい。なお、この導電
ペーストに外割で、粘度調整材等の調整材料を含ませて
も良い。
The mixing ratio of the conductive paste is preferably 50 to 70% by weight of the conductive material, 10 to 20% by weight of the resin material, and 20 to 30% by weight of the solvent. Note that an adjusting material such as a viscosity adjusting material may be included in the conductive paste.

【0107】以上の様に構成された導電ペーストをディ
ップ法により基台11の端部に付着させたり、導電ペー
ストをローラなどを介して基台11の端部に付着させ
る。この時、ディップ法の場合には、導電ペーストの粘
度を10〜30PaS程度に調整し、ローラを用いる場
合には、20〜50PaS程度の調整する。
The conductive paste configured as described above is applied to the end of the base 11 by a dipping method, or the conductive paste is applied to the end of the base 11 via a roller or the like. At this time, in the case of the dipping method, the viscosity of the conductive paste is adjusted to about 10 to 30 PaS, and when a roller is used, the viscosity is adjusted to about 20 to 50 PaS.

【0108】基台11に導電ペーストを塗布した後に、
150℃〜230℃程度の温度で30〜60分間熱処理
を行って、端子部15,16を形成する。この時の端子
部15,16のP1〜P8の寸法等は、前述の説明の通
りであり、これに耐食膜や接合膜などが必要に応じて設
けられる。
After the conductive paste is applied to the base 11,
Heat treatment is performed at a temperature of about 150 ° C. to 230 ° C. for 30 to 60 minutes to form the terminal portions 15 and 16. At this time, the dimensions and the like of P1 to P8 of the terminal portions 15 and 16 are as described above, and a corrosion-resistant film, a bonding film, and the like are provided thereon as necessary.

【0109】また、図2に示す様に端子部15,16の
高さZ1及びZ2は下記の条件を満たすことが好まし
い。
Further, as shown in FIG. 2, it is preferable that the heights Z1 and Z2 of the terminal portions 15 and 16 satisfy the following conditions.

【0110】 |Z1−Z2|≦80μm(好ましくは50μm) Z1とZ2の高さの違いが80μm(好ましくは50μ
m以下)を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図9に示す。図9に示すよ
うに、基板200の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部15,16それぞれと基板200の間に半田20
1,202が設けられているが、リフローなどによって
半田201,202を溶かすと、半田201,202の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田201,202の表面
張力が端子部15と端子部16で異なり、その結果、図
9に示すように一方の端子部を中心に回転し、インダク
タンス素子が立ち上がってしまう。Z1とZ2の高さの
違いが80μm(好ましくは50μm以下)を超える
と、素子が傾いた状態で基板200に配置されることと
なり、素子立ちを促進する。また、マンハッタン現象は
特に小型軽量のチップ型の電子部品(チップ型インダク
タンス素子を含む)において顕著に発生し、しかもこの
マンハッタン現象の発生要因の一つとして、端子部1
5,16の高さの違いによって素子が傾いて基板200
に配置されることを着目した。この結果、Z1とZ2の
高さの差を80μm以下(好ましくは50μm以下)と
なるように、基台11を成形などで加工することによっ
て、このマンハッタン現象の発生を大幅に抑えることが
できた。Z1とZ2の高さの差を50μm以下とするこ
とによって、ほぼ、マンハッタン現象の発生を抑えるこ
とができる。
| Z1-Z2 | ≦ 80 μm (preferably 50 μm) The difference in height between Z1 and Z2 is 80 μm (preferably 50 μm).
m or less), when the element is mounted on a circuit board and attached to a circuit board or the like with solder or the like, the element is pulled to one end by surface tension of the solder or the like, and the element stands up. The probability of occurrence is very high. This Manhattan phenomenon is shown in FIG. As shown in FIG. 9, an inductance element is arranged on a substrate 200,
Solder 20 between each of terminal portions 15 and 16 and substrate 200
Although the solders 201 and 202 are provided, when the solders 201 and 202 are melted by reflow or the like, the molten solders 201 and 202 are melted due to a difference in the application amount of each of the solders 201 and 202 and a difference in melting point due to a difference in material. The surface tension of the terminal 15 differs between the terminal 15 and the terminal 16, and as a result, as shown in FIG. 9, the terminal rotates about one terminal and the inductance element rises. If the difference between the heights of Z1 and Z2 exceeds 80 μm (preferably 50 μm or less), the elements are arranged on the substrate 200 in an inclined state, and the standing of the elements is promoted. In addition, the Manhattan phenomenon is particularly remarkable in small and lightweight chip-type electronic components (including chip-type inductance elements). One of the causes of the Manhattan phenomenon is the terminal portion 1.
The element is tilted due to the difference in height between 5 and 16 and the substrate 200
We paid attention to being placed in. As a result, by forming the base 11 by molding or the like so that the difference between the heights of Z1 and Z2 is 80 μm or less (preferably 50 μm or less), the occurrence of the Manhattan phenomenon could be significantly suppressed. . By setting the difference between the heights of Z1 and Z2 to 50 μm or less, the occurrence of the Manhattan phenomenon can be substantially suppressed.

【0111】また、端子部15,16と溝13の関係に
ついて説明する。
The relationship between the terminals 15, 16 and the groove 13 will be described.

【0112】端子部15,16と溝13の端部は保護材
14を介して対向している構造とすることによって、溝
13をスパイラル状に設ける際に、その溝13の形成長
さを長くできるので、高いインダクタンスを必要とする
場合のインダクタンス素子では有効である。別の見知か
らすると、溝13によって形成されるコイル状の導体が
端子部15,16と保護材14を介して対向させること
によって、コイル状の導体の巻数を多くすることがで
き、インダクタンスを高く設定できる。
The terminal portions 15 and 16 and the end of the groove 13 are opposed to each other with the protective material 14 interposed therebetween, so that when the groove 13 is provided in a spiral shape, the formation length of the groove 13 is increased. This is effective for an inductance element requiring a high inductance. From another viewpoint, the coil-shaped conductor formed by the groove 13 is opposed to the terminal portions 15 and 16 via the protective member 14, so that the number of turns of the coil-shaped conductor can be increased, and the inductance can be reduced. Can be set higher.

【0113】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。
The method of manufacturing the inductance element configured as described above will be described below.

【0114】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、数素子から数十素子分の基台を
作製し次にその基台11全体にメッキ法やスパッタリン
グ法などによって導電膜12をほぼ全面に形成する。次
に導電膜12を形成した基台11にスパイラル状の溝1
3を所定間隔で複数個設け、そのスパイラル状の溝13
を挟むように基台を切断し、基台11に導電膜12と溝
13を形成した反官制素子を作製する。溝13はレーザ
加工や切削加工によって作製される。レーザ加工は、非
常に生産性が良いので、以下レーザ加工について説明す
る。まず、基台11を回転装置に取り付け、基台11を
回転させ、そして基台11にレーザを照射して導電膜1
2及び基台11の双方を取り除き、スパイラル状の溝を
形成する。このときのレーザは、YAGレーザ,エキシ
マレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いることができ、レ
ーザ光をレンズなどで絞り込むことによって、基台11
に照射する。更に、溝13の深さ等は、レーザのパワー
を調整し、溝13の幅等は、レーザ光を絞り込む際のレ
ンズを交換することによって行える。また、導電膜12
の構成材料等によって、レーザの吸収率が異なるので、
レーザの種類(レーザの波長)は、導電膜12の構成材
料によって、適宜選択することが好ましい。なお、砥石
などを用いて溝13を形成しても良い。
First, a base for several to several tens of elements is formed by pressing or extruding an insulating material such as alumina, and then a conductive film 12 is formed on the entire base 11 by plating or sputtering. It is formed almost entirely. Next, the spiral groove 1 is formed on the base 11 on which the conductive film 12 is formed.
3 are provided at predetermined intervals, and the spiral groove 13 is provided.
Then, the base is cut so as to sandwich it, and a repellent element having the conductive film 12 and the groove 13 formed in the base 11 is manufactured. The groove 13 is formed by laser processing or cutting. Since the laser processing has very high productivity, the laser processing will be described below. First, the base 11 is attached to a rotating device, and the base 11 is rotated.
2 and the base 11 are removed to form a spiral groove. At this time, a laser such as a YAG laser, an excimer laser, or a carbon dioxide gas laser can be used.
Irradiation. Further, the depth and the like of the groove 13 can be adjusted by adjusting the power of the laser, and the width and the like of the groove 13 can be adjusted by exchanging a lens when narrowing down the laser beam. Also, the conductive film 12
Because the absorption rate of the laser varies depending on the constituent materials, etc.
It is preferable that the type of laser (wavelength of laser) be appropriately selected depending on the constituent material of the conductive film 12. The groove 13 may be formed using a grindstone or the like.

【0115】溝13を形成した後に、電着法などを用い
て、基台11の両端面を除いた部分(基台11の側面部
分)に保護材14を形成する。
After the groove 13 is formed, a protective material 14 is formed on the portion (side surface portion of the base 11) except for both end surfaces of the base 11 by using an electrodeposition method or the like.

【0116】次に、基台11の両端面に導電ペーストを
塗布して、熱処理などを施して、端子部15,16を形
成する。
Next, the terminal portions 15 and 16 are formed by applying a conductive paste to both end surfaces of the base 11 and performing a heat treatment or the like.

【0117】この時点でも、製品は完成するが、前述の
様に、仕様等によって、耐食膜や接合膜を設ける。
At this point, the product is completed, but as described above, a corrosion-resistant film or a bonding film is provided according to the specifications and the like.

【0118】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。
Although the present embodiment has been described with reference to an inductance element, the same effect can be obtained with an electronic component in which a conductive film is formed on a base made of an insulating material.

【0119】また、導電膜12を抵抗膜とすることによ
って、小型のチップ抵抗器を作製することができ、導電
膜12にスパイラル状の溝13を設けるのではなく、環
状の溝等を設けることによって、導電膜12を少なくと
も2分する事によって、チップコンデンサとしても使用
することができる。
Further, by using the conductive film 12 as a resistive film, a small chip resistor can be manufactured. Instead of providing the spiral groove 13 in the conductive film 12, an annular groove or the like is provided. By dividing the conductive film 12 into at least two, the conductive film 12 can also be used as a chip capacitor.

【0120】図12及び図13はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図12及び図13において、29は音声を
音声信号に変換するマイク、30は音声信号を音声に変
換するスピーカー、31はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、32は着信等を表示する表示部、33はア
ンテナ、34はマイク29からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部34で作製された送
信信号は、アンテナ33を通して外部に放出される。3
5はアンテナ33で受信した受信信号を音声信号に変換
する受信部で、受信部35で作成された音声信号はスピ
ーカー30にて音声に変換される。36は送信部34,
受信部35,操作部31,表示部32を制御する制御部
である。
FIGS. 12 and 13 are a perspective view and a block diagram, respectively, showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention. 12 and 13, reference numeral 29 denotes a microphone for converting a voice into a voice signal, 30 denotes a speaker for converting a voice signal into a voice, 31 denotes an operation unit including dial buttons and the like, and 32 denotes a display unit for displaying an incoming call and the like. Reference numeral 33 denotes an antenna, and reference numeral 34 denotes a transmission unit for demodulating an audio signal from the microphone 29 and converting it into a transmission signal. The transmission signal produced by the transmission unit 34 is emitted to the outside through the antenna 33. Three
A receiving unit 5 converts a received signal received by the antenna 33 into an audio signal. The audio signal created by the receiving unit 35 is converted into audio by the speaker 30. 36 is a transmitting unit 34,
The control unit controls the receiving unit 35, the operation unit 31, and the display unit 32.

【0121】以下その動作の一例について説明する。Hereinafter, an example of the operation will be described.

【0122】先ず、着信があった場合には、受信部35
から制御部36に着信信号を送出し、制御部36は、そ
の着信信号に基づいて、表示部32に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部31から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部36に送出されて、
制御部36は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ33で受信した信号は、受信部35で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー30から音声として出力
されると共に、マイク29から入力された音声は、音声
信号に変換され、送信部34を介し、アンテナ33を通
して外部に送出される。
First, when there is an incoming call, the receiving unit 35
Sends an incoming signal to the control unit 36, the control unit 36 displays a predetermined character or the like on the display unit 32 based on the incoming signal, and further presses a button or the like for receiving an incoming call from the operation unit 31. And a signal is sent to the control unit 36,
The control unit 36 sets each unit to the incoming call mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.

【0123】次に、発信する場合について説明する。Next, a case of transmitting a call will be described.

【0124】まず、発信する場合には、操作部31から
発信する旨の信号が、制御部36に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部31から制御部36に
送られてくると、制御部36は送信部34を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ33から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ33を介し受信部35を通して
制御部36に送られると、制御部36は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ33で受信した信号は、受
信部35で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
30から音声として出力されると共に、マイク29から
入力された音声は、音声信号に変換され、送信部34を
介し、アンテナ33を通して外部に送出される。
First, when making a call, a signal to the effect that a call is made from the operation unit 31 is input to the control unit 36. Subsequently, when a signal corresponding to the telephone number is transmitted from the operation unit 31 to the control unit 36, the control unit 36 transmits a signal corresponding to the telephone number from the antenna 33 via the transmission unit 34. When the transmission signal establishes communication with the other party,
When a signal to that effect is sent to the control unit 36 via the reception unit 35 via the antenna 33, the control unit 36 sets each unit to the transmission mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.

【0125】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う装置についても同様な効果を得ることができる。
In the present embodiment, an example in which voice is transmitted and received has been described. However, the same effect can be obtained not only for voice but also for a device for transmitting or receiving at least one of data other than voice such as character data. Can be obtained.

【0126】上記で説明した電子部品(図1〜図11に
示すもの)は、発信回路,フィルタ回路,アンテナ部及
び各段とのマッチング回路周辺部等の高いQを必要とす
る箇所の少なくとも一つに用いられ、その数は、一つの
無線端末装置に数個〜40個程度用いられている。上述
の様な電子部品を用いることによって、装置内部の基板
等を小型化でき、素子立ち現象などを抑えることができ
るので、回路基板などの不良率が極めて小さくなり、生
産性が非常によくなる。
The electronic components described above (shown in FIGS. 1 to 11) include at least one of the parts requiring a high Q, such as a transmitting circuit, a filter circuit, an antenna unit, and a peripheral circuit of a matching circuit with each stage. The number is about several to 40 for one wireless terminal device. By using the electronic components as described above, the size of the substrate and the like inside the device can be reduced, and the phenomenon of standing up of the elements can be suppressed. Therefore, the defective rate of the circuit board and the like becomes extremely small, and the productivity becomes very good.

【0127】[0127]

【発明の効果】本発明は、基台上に導電膜を設け、導電
膜に溝を設け、基台の両端部に端子部を設けた電子部品
であって、端子部の形成長さ、膜厚、結晶粒の種類等を
規定した事によって、生産の容易性,実装性,特性の少
なくとも一方が実現可能となる。
According to the present invention, there is provided an electronic component in which a conductive film is provided on a base, grooves are provided in the conductive film, and terminals are provided at both ends of the base. By defining the thickness, the type of crystal grains, and the like, at least one of the ease of production, the mountability, and the characteristics can be realized.

【0128】また、無線端末装置において、上記電子部
品を搭載したことによって、電子部品の実装性及び特性
劣化を防止できるので、生産性が非常によくなり、端末
の特性劣化などを抑えることができる。
Further, by mounting the above electronic components in the wireless terminal device, the mountability and characteristics of the electronic components can be prevented from deteriorating, so that the productivity is greatly improved and the deterioration of the terminal characteristics can be suppressed. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側断面図
FIG. 1 is a side sectional view showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側断面図
FIG. 2 is a side sectional view showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図3】基台を示す斜視図FIG. 3 is a perspective view showing a base.

【図4】基台の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフFIG. 4 is a graph showing the surface roughness of the base and the rate of occurrence of peeling.

【図5】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とQ値
の関係を示すグラフ
FIG. 5 is a graph showing a relationship between a frequency and a Q value with respect to a surface roughness of a base used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数とQ
値の関係を示すグラフ
FIG. 6 shows a relationship between the frequency and Q with respect to the surface roughness of a conductive film used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.
Graph showing value relationships

【図7】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設けた部分
の拡大断面図
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a part provided with a protective material for an inductance element as an example of an electronic component according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態における電子部品の一例
として挙げたインダクタンス素子の保護材を設ける工程
を示した図
FIG. 8 is a view showing a step of providing a protective material for an inductance element as an example of an electronic component according to an embodiment of the present invention.

【図9】マンハッタン現象を示す図FIG. 9 illustrates the Manhattan phenomenon.

【図10】本発明の一実施の形態における電子部品の端
子部の膜厚と電極食われ現象が発生する時間の関係を示
したグラフ
FIG. 10 is a graph showing a relationship between a film thickness of a terminal portion of an electronic component and a time at which an electrode erosion phenomenon occurs in one embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施の形態における電子部品の端
子部の膜厚と素子のQ値の関係を示したグラフ
FIG. 11 is a graph showing a relationship between a film thickness of a terminal portion of an electronic component and a Q value of an element according to an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図
FIG. 12 is a perspective view showing a wireless terminal device according to one embodiment of the present invention;

【図13】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図
FIG. 13 is a block diagram showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention;

【図14】従来のインダクタンス素子を示す側面図FIG. 14 is a side view showing a conventional inductance element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基台 12 導電膜 13 溝 14 保護材 15,16 端子部 30 スピーカー 31 操作部 32 表示部 33 アンテナ 34 送信部 35 受信部 36 制御部 Reference Signs List 11 base 12 conductive film 13 groove 14 protective material 15, 16 terminal unit 30 speaker 31 operation unit 32 display unit 33 antenna 34 transmission unit 35 reception unit 36 control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 和弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 磯崎 賢蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E070 AA01 AB02 BA07 BB01 CB03 CB15 CC03 DB02 EA01  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Kazuhiro Takeda 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terms (reference) 5E070 AA01 AB02 BA07 BB01 CB03 CB15 CC03 DB02 EA01

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、前記一対の端子部が向き合う方向
の全長をL1とした場合に、前記一対の端子部の互いに
向き合う方向における前記一対の端子部それぞれの長さ
P5,P6はそれぞれ、 0.07<P5÷L1<0.3 0.07<P6÷L1<0.3 の関係を有する事を特徴とする電子部品。
1. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component provided with a terminal portion, wherein when a total length in a direction in which the pair of terminal portions face each other is L1, a length P5 of the pair of terminal portions in a direction in which the pair of terminal portions face each other; P6 is an electronic component characterized by having a relationship of 0.07 <P5 ÷ L1 <0.3 0.07 <P6 ÷ L1 <0.3.
【請求項2】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、端子部の表面粗さを中心線平均粗
さで1μm〜10μmとした事を特徴とする電子部品。
2. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a terminal portion, wherein the surface roughness of the terminal portion is 1 μm to 10 μm as a center line average roughness.
【請求項3】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、端子部を構成する結晶粒をフレー
ク状とすると共に、結晶粒径を1〜5μmとしたことを
特徴とする電子部品。
3. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a terminal portion, wherein the crystal grain constituting the terminal portion is formed in a flake shape, and the crystal grain size is 1 to 5 μm.
【請求項4】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、端子部を構成する結晶粒を球状体
とすると共に、結晶粒径を0.1μm〜0.8μmとし
たことを特徴とする電子部品。
4. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a terminal portion, wherein the crystal grains constituting the terminal portion are spherical, and the crystal grain size is 0.1 μm to 0.8 μm.
【請求項5】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、端子部の基台の端面上における膜
厚を10μm〜30μmとした事を特徴とする電子部
品。
5. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a terminal portion, wherein a film thickness on an end surface of a base of the terminal portion is 10 μm to 30 μm.
【請求項6】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、端子部を基台の端面と前記端面に
隣接する側面に設けるとともに、前記側面上に形成され
る端子部の厚みを10μm〜25μmとした事を特徴と
する電子部品。
6. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component comprising a terminal portion, wherein the terminal portion is provided on an end surface of the base and a side surface adjacent to the end surface, and the thickness of the terminal portion formed on the side surface is 10 μm to 25 μm. And electronic components.
【請求項7】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられた溝と、前記基台を挟むよう
に前記基台の端面上に設けられた一対の端子部とを備え
た電子部品であって、前記一対の端子部が向き合う方向
の全長をL1とした場合に、前記一対の端子部の互いに
向き合う方向における前記一対の端子部それぞれの長さ
P5,P6はそれぞれ、 0.07<P5÷L1<0.3 0.07<P6÷L1<0.3 の関係を有するとともに、端子部の表面粗さを中心線平
均粗さで1μm〜10μmとし、前記端子部の基台の端
面上における膜厚を10μm〜30μmとし、前記端子
部を前記基台の端面上と前記端面に隣接する側面に設け
るとともに、前記側面上に形成される端子部の厚みを1
0μm〜25μmとした事を特徴とする電子部品。
7. A base, a conductive film provided on the base, a groove provided in the conductive film, and a pair of bases provided on an end face of the base so as to sandwich the base. An electronic component provided with a terminal portion, wherein when a total length in a direction in which the pair of terminal portions face each other is L1, a length P5 of the pair of terminal portions in a direction in which the pair of terminal portions face each other; Each of P6 has a relationship of 0.07 <P51L1 <0.3 0.07 <P6 ÷ L1 <0.3, and the surface roughness of the terminal portion is 1 μm to 10 μm as a center line average roughness, The terminal portion has a thickness of 10 μm to 30 μm on the end surface of the base, and the terminal portion is provided on the end surface of the base and on a side surface adjacent to the end surface, and the thickness of the terminal portion formed on the side surface 1
An electronic component having a thickness of 0 μm to 25 μm.
【請求項8】基台の端面上にも導電膜を設け前記導電膜
を介して端子部を設けた事を特徴とする請求項1〜7い
ずれか1記載の電子部品。
8. The electronic component according to claim 1, wherein a conductive film is provided also on an end surface of the base, and a terminal portion is provided via the conductive film.
【請求項9】溝を覆う保護材を設けた事を特徴とする請
求項1〜8いずれか1記載の電子部品。
9. The electronic component according to claim 1, further comprising a protective material for covering the groove.
【請求項10】端子部上に耐食膜か接合膜の少なくとも
一つを設けた事を特徴とする請求項1〜9いずれか1記
載の電子部品。
10. The electronic component according to claim 1, wherein at least one of a corrosion-resistant film and a bonding film is provided on the terminal portion.
【請求項11】端子部として導電ペーストを固化させて
形成した事を特徴とする請求項1〜10いずれか1記載
の電子部品。
11. The electronic component according to claim 1, wherein the terminal portion is formed by solidifying a conductive paste.
【請求項12】導電ペーストには導電材料、樹脂材料、
溶剤を含むことを特徴とする請求項11記載の電子部
品。
12. The conductive paste includes a conductive material, a resin material,
The electronic component according to claim 11, further comprising a solvent.
【請求項13】樹脂材料として熱硬化性樹脂を用いると
共に、150℃〜230℃で硬化させる事を特徴とする
請求項12記載の電子部品。
13. The electronic component according to claim 12, wherein a thermosetting resin is used as the resin material, and the resin is cured at 150 ° C. to 230 ° C.
【請求項14】導電材料として銀粒子を用いることを特
徴とする請求項12記載の電子部品。
14. The electronic component according to claim 12, wherein silver particles are used as the conductive material.
【請求項15】導電ペースト中の銀粒子は、50重量%
〜70重量%とした事を特徴とする請求項14記載の電
子部品。
15. The silver particles in the conductive paste are 50% by weight.
The electronic component according to claim 14, wherein the content is set to 70 to 70% by weight.
【請求項16】端子部に導電ペーストをディップ法或い
はローラを介して塗布する事を特徴とする請求項11記
載の電子部品。
16. The electronic component according to claim 11, wherein a conductive paste is applied to the terminal portion by a dipping method or a roller.
【請求項17】保護材を電着膜で構成した事を特徴とす
る請求項9記載の電子部品。
17. The electronic component according to claim 9, wherein the protection member is formed of an electrodeposition film.
【請求項18】基台を底面が略正方形状の角柱状とした
事を特徴とする請求項1〜17いずれか1記載の電子部
品。
18. The electronic component according to claim 1, wherein the base has a prism shape with a substantially square bottom surface.
【請求項19】長さL1,幅L2,高さL3としたとき
に、 L1=0.2〜2.0mm(好ましくは0.3〜0.8
mm) L2=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) L3=0.1〜1.0mm(好ましくは0.1〜0.4
mm) のサイズを有する事を特徴とする請求項1〜18いずれ
か1記載の電子部品。
19. A length L1, a width L2, and a height L3, wherein L1 = 0.2 to 2.0 mm (preferably 0.3 to 0.8 mm).
mm) L2 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
mm) L3 = 0.1 to 1.0 mm (preferably 0.1 to 0.4 mm)
The electronic component according to any one of claims 1 to 18, wherein the electronic component has a size of (mm).
【請求項20】端子部を基台の端面上から前記基台の側
面上に設けられた保護材上まで延在させるとともに、前
記端子部と前記導電膜の間に保護材を挟み込んだことを
特徴とする請求項1〜19いずれか1記載の電子部品。
20. A semiconductor device comprising: a terminal portion extending from an end surface of a base to a protective material provided on a side surface of the base; and a protective material interposed between the terminal portion and the conductive film. The electronic component according to any one of claims 1 to 19, characterized by:
【請求項21】基台と、前記基台上に設けられた導電膜
と、前記導電膜に設けられたスパイラル状の溝と、前記
溝を覆うように設けられた保護材と、前記基台の端部に
設けられた導電膜上及び保護材上に設けられた端子部と
を備え、前記端子部と前記溝の最端部は前記保護材を介
して対向していることを特徴とする電子部品。
21. A base, a conductive film provided on the base, a spiral groove provided in the conductive film, a protective material provided so as to cover the groove, A terminal portion provided on the conductive film and the protective material provided at an end of the groove, and the terminal portion and the extreme end of the groove face each other with the protective material interposed therebetween. Electronic components.
【請求項22】溝の端子部側端部と端子部を保護材を介
して対向させた事を特徴とする請求項1〜20いずれか
1記載の電子部品。
22. The electronic component according to claim 1, wherein an end of the groove on the terminal portion side and the terminal portion face each other via a protective material.
【請求項23】導電膜と溝によって、インダクタンス成
分を形成することを特徴とする請求項1〜22いずれか
1記載の電子部品。
23. The electronic component according to claim 1, wherein an inductance component is formed by the conductive film and the groove.
【請求項24】導電膜の代わりに抵抗膜を用いた事を特
徴とする請求項1〜22いずれか1記載の電子部品。
24. The electronic component according to claim 1, wherein a resistive film is used in place of the conductive film.
【請求項25】導電膜を少なくとも2分する溝を設け、
容量成分を有する事を特徴とする請求項1〜22いずれ
か1記載の電子部品。
25. A groove for dividing the conductive film into at least two,
The electronic component according to claim 1, further comprising a capacitance component.
【請求項26】表示手段と、データ信号もしくは音声信
号の少なくとも一方を送信信号に変換するか、受信信号
をデータ信号もしくは音声信号の少なくとも一方に変換
する変換手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受
信するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた無
線端末装置であって、発信回路,フィルタ回路,アンテ
ナ部及び各段とのマッチング回路周辺部等の少なくとも
一つに請求項1〜25いずれか1記載の電子部品を用い
たことを特徴とする無線端末装置。
26. Display means, conversion means for converting at least one of a data signal and a voice signal into a transmission signal or converting a reception signal into at least one of a data signal and a voice signal, and wherein said transmission signal and said reception signal are converted. 26. A wireless terminal device comprising: an antenna for transmitting and receiving signals; and control means for controlling each unit, wherein at least one of a transmitting circuit, a filter circuit, an antenna unit, a matching circuit for each stage, and the like is included. A wireless terminal device using the electronic component according to any one of the above.
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US6946945B2 (en) 2001-10-03 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method of manufacturing the same
JP2015079958A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Chip electronic component, and mounting board and packaging unit of chip electronic component
JP2015082660A (en) * 2013-10-22 2015-04-27 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Chip electronic component and manufacturing method of the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946945B2 (en) 2001-10-03 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method of manufacturing the same
JP2004296952A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Tdk Corp Electronic component and its outer layer forming method
JP2015079958A (en) * 2013-10-16 2015-04-23 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Chip electronic component, and mounting board and packaging unit of chip electronic component
JP2015082660A (en) * 2013-10-22 2015-04-27 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Chip electronic component and manufacturing method of the same
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