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JP2001007631A - Microstrip patch antenna - Google Patents

Microstrip patch antenna

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Publication number
JP2001007631A
JP2001007631A JP11175996A JP17599699A JP2001007631A JP 2001007631 A JP2001007631 A JP 2001007631A JP 11175996 A JP11175996 A JP 11175996A JP 17599699 A JP17599699 A JP 17599699A JP 2001007631 A JP2001007631 A JP 2001007631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency amplifiers
patch antenna
antenna element
power
conductor film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11175996A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidenori Yugawa
秀憲 湯川
Kenichi Horiguchi
健一 堀口
Andrenko Andray
アンドレイ・アンドレンコ
Yukio Ikeda
幸夫 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP11175996A priority Critical patent/JP2001007631A/en
Publication of JP2001007631A publication Critical patent/JP2001007631A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized microstrip patch antenna of low loss. SOLUTION: A transmission system circuit of an antenna system consists of only a power distributor 12, transmission high frequency amplifiers 13a, 13b, isolators 14a, 14b and a patch antenna element 15. Since a signal with large power amplified by the two transmission high frequency amplifiers 13a, 13b is fed to the patch antenna element 15 not via a power combiner, the antenna system has a low loss. Furthermore, since the power distributor 12, the transmission high frequency amplifiers 13a, 13b, the isolators 14a, 14b and the patch antenna element 15 are integrated on a dielectric board 10, the antenna system can be miniaturized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてVHF
帯、UHF帯、マイクロ波帯およびミリ波帯で用いられ
るマイクロストリップパッチアンテナに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a microstrip patch antenna used in a band, a UHF band, a microwave band, and a millimeter wave band.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は1998 IEEE MTT−S
Digest,“THE IMPLEMENTATI
ON OF RTU AND RSU TRANSCE
IVER FOR WLL SYSTEM ”,pp1
93〜196に示された従来のアンテナ装置を示す回路
構成図であり、図において、1は入力端子、2は入力端
子1から入力された信号を分配する電力分配器、3a,
3bは分配された信号を増幅する送信用高周波増幅器、
4はそれぞれ増幅された信号を合成する電力合成器、5
は合成された信号をアイソレーションするアイソレー
タ、6は送受信に応じて切り替えられるデュプレクサで
ある。7はデュプレクサ6を通じた信号に応じた電波を
放射したり、受信した電波に応じた信号をデュプレクサ
6に出力するアンテナ素子、8はデュプレクサ6を通じ
た受信された信号を増幅する受信用高周波増幅器、9は
出力端子である。入力端子1、電力分配器2、送信用高
周波増幅器3a,3b、電力合成器4、アイソレータ
5、デュプレクサ6、およびアンテナ素子7により、ア
ンテナ素子7から電波を放射する送信系回路が構成さ
れ、アンテナ素子7、受信用高周波増幅器8、および出
力端子9により、アンテナ素子7から電波を受信する受
信系回路が構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a 1998 IEEE MTT-S.
Digest, "THE IMPLEMENTATORI
ON OF RTU AND RSU TRANSCE
IVER FOR WLL SYSTEM ", pp1
1 is a circuit configuration diagram showing a conventional antenna device shown in 93 to 196, in which 1 is an input terminal, 2 is a power divider for distributing a signal input from an input terminal 1, 3a,
3b is a transmitting high-frequency amplifier for amplifying the distributed signal,
4 is a power combiner for combining the amplified signals, 5
Is an isolator that isolates the combined signal, and 6 is a duplexer that is switched according to transmission and reception. Reference numeral 7 denotes an antenna element that emits a radio wave corresponding to the signal transmitted through the duplexer 6 or outputs a signal corresponding to the received radio wave to the duplexer 6. 9 is an output terminal. The input terminal 1, the power divider 2, the transmitting high-frequency amplifiers 3a and 3b, the power combiner 4, the isolator 5, the duplexer 6, and the antenna element 7 constitute a transmission system circuit for radiating radio waves from the antenna element 7. The element 7, the receiving high-frequency amplifier 8, and the output terminal 9 constitute a receiving circuit that receives a radio wave from the antenna element 7.

【0003】次に動作について説明する。入力端子1か
ら信号が入力されると、入力された信号は電力分配器2
によって分配され、それぞれ送信用高周波増幅器3a,
3bによって増幅された後、電力合成器4によって合成
される。このように複数の送信用高周波増幅器3a,3
bを電力分配器2および電力合成器4を介して並列に配
置することにより、信号は大電力に増幅される。こうし
て増幅された信号はアイソレータ5を通過し、デュプレ
クサ6が送信系回路側に切り替えられているので、受信
系回路の受信用高周波増幅器8側には出力されず、アン
テナ素子7に給電されて電波が空中に放射される。この
とき、アイソレータ5は、デュプレクサ6側からの不要
な反射信号が送信用高周波増幅器3a,3bに流れ込
み、それら送信用高周波増幅器3a,3bを劣化させる
ことを防ぐために設けられている。
Next, the operation will be described. When a signal is input from the input terminal 1, the input signal is
, And the transmission high-frequency amplifiers 3a,
After being amplified by 3b, they are combined by the power combiner 4. Thus, the plurality of transmitting high-frequency amplifiers 3a, 3
By arranging b in parallel via the power divider 2 and the power combiner 4, the signal is amplified to a large power. The signal amplified in this way passes through the isolator 5 and the duplexer 6 is switched to the transmitting system circuit side, so that it is not output to the receiving high-frequency amplifier 8 side of the receiving system circuit but is fed to the antenna element 7 and Is radiated into the air. At this time, the isolator 5 is provided to prevent unnecessary reflected signals from the duplexer 6 from flowing into the transmitting high-frequency amplifiers 3a and 3b and deteriorating the transmitting high-frequency amplifiers 3a and 3b.

【0004】また、アンテナ素子7に受信用周波数の電
波が入射されると、入射された電波は電気信号に変換さ
れ、デュプレクサ6が受信系回路側に切り替えられてい
るので、送信系回路には出力されず、受信用高周波増幅
器8に出力される。この信号は受信用高周波増幅器8に
よって増幅された後、出力端子9に出力される。
When a radio wave of a receiving frequency is incident on the antenna element 7, the incident radio wave is converted into an electric signal, and the duplexer 6 is switched to the receiving system circuit side. It is not output but is output to the receiving high-frequency amplifier 8. This signal is amplified by the receiving high-frequency amplifier 8 and then output to the output terminal 9.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ装置は
以上のように構成されているので、入力端子1からアン
テナ素子7に至る送信系回路においては、電力合成器
4、およびアイソレータ5などの損失により出力低下や
効率低下がおこる。また、アンテナ素子7から出力端子
9に至る受信系回路においては、デュプレクサ6の損失
により、NF特性が劣化する。さらに、電力合成器4、
アイソレータ5、およびデュプレクサ6により装置が大
形化するなどの課題があった。
Since the conventional antenna device is configured as described above, in the transmission system circuit from the input terminal 1 to the antenna element 7, the loss of the power combiner 4, the isolator 5, etc. As a result, output and efficiency are reduced. Further, in the receiving system circuit from the antenna element 7 to the output terminal 9, the NF characteristic is deteriorated due to the loss of the duplexer 6. Further, the power combiner 4,
There were problems such as an increase in the size of the device due to the isolator 5 and the duplexer 6.

【0006】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、小形で低損失なマイクロストリッ
プパッチアンテナを得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to obtain a small, low-loss microstrip patch antenna.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
ストリップパッチアンテナは、入力信号を分配する電力
分配器と、分配された信号を増幅する第1および第2の
送信用高周波増幅器と、増幅された信号をアイソレーシ
ョンする第1および第2のアイソレータと、表面導体膜
により形成され、対称線に対して対称な位置に第1およ
び第2の給電点が設けられ、第1および第2のアイソレ
ータを介した信号を第1および第2の給電点から入力す
るアンテナ素子とを備え、電力分配器、第1および第2
の送信用高周波増幅器、第1および第2のアイソレー
タ、およびアンテナ素子を一体化して構成したものであ
る。
A microstrip patch antenna according to the present invention includes a power divider for distributing an input signal, first and second transmitting high-frequency amplifiers for amplifying the distributed signal, and an amplifier for amplifying the signal. First and second isolators for isolating the separated signals and first and second feed points provided at positions symmetrical with respect to a line of symmetry formed by the surface conductor film, and the first and second isolators are provided. And an antenna element for inputting a signal via the first and second feeding points via the first and second power feeding points.
, The transmission high-frequency amplifier, the first and second isolators, and the antenna element.

【0008】この発明に係るマイクロストリップパッチ
アンテナは、電力分配器、第1および第2の送信用高周
波増幅器、および第1および第2のアイソレータをアー
ス用導体膜上に設け、誘電体基板の裏面から表面のアン
テナ素子の第1および第2の給電点に給電するようにし
たものである。
In a microstrip patch antenna according to the present invention, a power distributor, first and second transmitting high-frequency amplifiers, and first and second isolators are provided on a grounding conductive film, and a back surface of a dielectric substrate is provided. To the first and second feeding points of the antenna element on the surface.

【0009】この発明に係るマイクロストリップパッチ
アンテナは、第1および第2の送信用高周波増幅器に接
続された第1および第2の接続線路と、第1の接続線路
と第2の接続線路との間に接続され、第1および第2の
接続線路と共に第1および第2の送信用高周波増幅器に
よって増幅された信号をアイソレーションする抵抗と、
表面導体膜により形成され、対称線に対して対称な位置
に第1および第2の給電点が設けられ、第1および第2
の接続線路を介した信号を第1および第2の給電点から
入力するアンテナ素子とを備え、電力分配器、第1およ
び第2の送信用高周波増幅器、第1および第2の接続線
路、抵抗およびアンテナ素子を一体化して構成したもの
である。
A microstrip patch antenna according to the present invention includes a first and a second connection lines connected to a first and a second transmission high-frequency amplifier, and a first and a second connection lines. A resistor connected between the first and second transmission lines and for isolating the signal amplified by the first and second transmitting high-frequency amplifiers;
First and second feed points are provided at positions symmetrical with respect to the line of symmetry, formed by the surface conductor film, and the first and second power supply points are provided.
Antenna element for inputting a signal from the first and second feed points via the first connection line, a power divider, first and second transmission high-frequency amplifiers, first and second connection lines, and a resistor. And an antenna element.

【0010】この発明に係るマイクロストリップパッチ
アンテナは、第1の給電点に入力される信号と第2の給
電点に入力される信号の位相差を180度としたもので
ある。
[0010] In the microstrip patch antenna according to the present invention, the phase difference between the signal input to the first feeding point and the signal input to the second feeding point is set to 180 degrees.

【0011】この発明に係るマイクロストリップパッチ
アンテナは、表面導体膜により形成され、対称線に対し
て対称な位置に第1および第2の給電点が設けられたア
ンテナ素子と、給電された信号を増幅する第1および第
2の受信用高周波増幅器と、増幅された信号を合成して
出力する電力合成器とを備え、第1および第2の受信用
高周波増幅器、および電力合成器をアース用導体膜上に
設け、誘電体基板の表面のアンテナ素子の第1および第
2の給電点から裏面の第1および第2の受信用高周波増
幅器に給電するようにしたものである。
A microstrip patch antenna according to the present invention includes an antenna element formed of a surface conductor film and having first and second feed points provided at positions symmetrical with respect to a line of symmetry, and a feed signal. A first and a second high-frequency receiving amplifier for amplifying; and a power combiner for combining and outputting the amplified signals, wherein the first and second high-frequency receiving amplifiers and the power combiner are connected to a ground conductor. The antenna is provided on a film, and power is supplied from the first and second feeding points of the antenna element on the front surface of the dielectric substrate to the first and second high-frequency receiving amplifiers on the back surface.

【0012】この発明に係るマイクロストリップパッチ
アンテナは、第1および第2の給電点と第1および第2
の受信用高周波増幅器との間に接続された第1および第
2の接続線路と、第1および第2の接続線路の間に接続
され、第1および第2の接続線路と共に第1および第2
の給電点によって給電された信号をアイソレーションす
る抵抗とを備え、第1および第2の接続線路、および抵
抗をアース用導体膜上に設け、誘電体基板の表面のアン
テナ素子の第1および第2の給電点から裏面の第1およ
び第2の接続線路に給電するようにしたものである。
The microstrip patch antenna according to the present invention has first and second feeding points and first and second feeding points.
First and second connection lines connected between the first and second connection lines, and the first and second connection lines together with the first and second connection lines.
A first and a second connection line, and a resistor provided on the ground conductor film, and a first and a second antenna element on the surface of the dielectric substrate. In this configuration, power is supplied from the second power supply point to the first and second connection lines on the back surface.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1によるマ
イクロストリップパッチアンテナを示す概略構成図であ
り、図において、10は裏面にアース用導体膜を設け、
表面に表面導体膜を設けた誘電体基板、11は入力端
子、12は入力端子11からの入力信号を分配する電力
分配器、13a,13bは分配されたそれぞれの信号を
増幅する送信用高周波増幅器(第1、第2の送信用高周
波増幅器)である。14a,14bは増幅されたそれぞ
れの信号をアイソレーションするアイソレータ(第1、
第2のアイソレータ)、15は対称線に対して対称な位
置に2つの給電点(第1、第2の給電点)15a,15
bが設けられ、アイソレータ14a,14bを介したそ
れぞれの信号をそれら2つの給電点15a,15bから
入力する矩形のパッチアンテナ素子(アンテナ素子)で
ある。なお、電力分配器12、送信用高周波増幅器13
a,13b、アイソレータ14a,14b、およびパッ
チアンテナ素子15は、誘電体基板10の表面導体膜上
に形成されたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG.
A dielectric substrate having a surface conductor film provided on its surface; 11, an input terminal; 12, a power divider for distributing an input signal from the input terminal 11; 13 a and 13 b, transmission high-frequency amplifiers for amplifying each of the distributed signals (First and second transmission high-frequency amplifiers). 14a and 14b are isolator (first, 14b) for isolating each amplified signal.
The second isolators) and 15 have two feeding points (first and second feeding points) 15a and 15 at positions symmetrical with respect to the line of symmetry.
b is a rectangular patch antenna element (antenna element) for inputting respective signals via the isolators 14a and 14b from the two feeding points 15a and 15b. It should be noted that the power divider 12, the transmitting high-frequency amplifier 13
a, 13b, isolators 14a, 14b, and patch antenna element 15 are formed on the surface conductor film of the dielectric substrate 10.

【0014】次に動作について説明する。入力端子11
から入力された信号は電力分配器12によって等振幅等
位相で分配され、分配された信号はそれぞれ送信用高周
波増幅器13a,13bによって増幅された後、それぞ
れアイソレータ14a,14bを通じて、パッチアンテ
ナ素子15の2つの給電点15a,15bに給電され
る。これらの給電点15a,15bに入力される2つの
信号は等振幅等位相であるので、パッチアンテナ素子1
5により対称線の方向の偏波面を持つ直線偏波が空中に
放射される。
Next, the operation will be described. Input terminal 11
Are distributed at equal amplitudes and phases by the power divider 12, and the distributed signals are amplified by the transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b, respectively, and then passed through the isolators 14a and 14b, respectively. Power is supplied to two power supply points 15a and 15b. Since the two signals input to the feeding points 15a and 15b have the same amplitude and the same phase, the patch antenna element 1
5 causes a linearly polarized wave having a plane of polarization in the direction of the symmetry line to be radiated into the air.

【0015】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、電力分配器12、送信用高周波増幅器13a,13
b、アイソレータ14a,14b、およびパッチアンテ
ナ素子15だけでアンテナ装置の送信系回路が構成さ
れ、2つの送信用高周波増幅器13a,13bによって
増幅された大電力の信号が、電力合成器を介さずにパッ
チアンテナ素子15に給電されるので、装置を低損失に
することができる。また、電力分配器12、送信用高周
波増幅器13a,13b、アイソレータ14a,14
b、およびパッチアンテナ素子15は、誘電体基板10
上に一体化して構成されているので、装置を小形にする
ことができる効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, the power distributor 12, the transmitting high-frequency amplifiers 13a, 13
b, the isolator 14a, 14b, and the patch antenna element 15 alone constitute a transmission system circuit of the antenna device, and the high-power signal amplified by the two transmission high-frequency amplifiers 13a, 13b is transmitted without passing through the power combiner. Since power is supplied to the patch antenna element 15, the device can be reduced in loss. Further, the power divider 12, the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b, the isolators 14a and 14
b, and the patch antenna element 15
Since the device is integrally formed on the upper portion, an effect that the device can be downsized can be obtained.

【0016】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2によるマイクロストリップパッチアンテナを示す概
略構成図であり、図において、電力分配器12、送信用
高周波増幅器13a,13b、およびアイソレータ14
a,14bを誘電体基板の10の裏面のアース用導体膜
上に形成し、その誘電体基板10の裏面から表面の表面
導体膜に形成されたパッチアンテナ素子15の2つの給
電点15a,15bに給電するものである。その他の構
成は図1と同一であり、また、動作は実施の形態1と同
一であるので説明を省略する。
Embodiment 2 FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a second embodiment of the present invention. In the figure, a power divider 12, transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b, and an isolator 14 are shown.
a and 14b are formed on the grounding conductor film on the back surface of the dielectric substrate 10, and two feeding points 15a and 15b of the patch antenna element 15 formed on the front surface conductor film from the back surface of the dielectric substrate 10 Power. The other configuration is the same as that of FIG. 1 and the operation is the same as that of the first embodiment, so that the description is omitted.

【0017】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、実施の形態1と同様な効果を奏する。また、2つの
給電点15a,15bがパッチアンテナ素子15の面上
に設けられているので、2つの給電点15a,15bの
位置について選択の自由度が大きくなる。従って、2つ
の給電点15a,15bから見たパッチアンテナ素子1
5の入力インピーダンスを送信系回路の出力側のインピ
ーダンスと一致するように選択すればパッチアンテナ素
子15と送信系回路の整合をとることができ、送信用高
周波増幅器13a,13bにおける整合回路の設計の自
由度が大きくなる。さらに、電力分配器12、送信用高
周波増幅器13a,13b、およびアイソレータ14
a,14bを誘電体基板10の裏面におけるパッチアン
テナ素子15直下の領域に配置することにより、アンテ
ナ装置全体の占有面積が低減される効果が得られる。
As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Since the two feeding points 15a and 15b are provided on the surface of the patch antenna element 15, the degree of freedom in selecting the positions of the two feeding points 15a and 15b is increased. Therefore, the patch antenna element 1 viewed from the two feeding points 15a and 15b
5 is selected so as to match the impedance on the output side of the transmission system circuit, the patch antenna element 15 and the transmission system circuit can be matched, and the design of the matching circuit in the transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b can be improved. The degree of freedom increases. Further, the power divider 12, the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b, and the isolator 14
By arranging a and b in the region directly below the patch antenna element 15 on the back surface of the dielectric substrate 10, an effect of reducing the occupied area of the entire antenna device can be obtained.

【0018】実施の形態3.図3はこの発明の実施の形
態3によるマイクロストリップパッチアンテナを示す概
略構成図であり、図において、16a,16bは送信用
高周波増幅器13a,13bとパッチアンテナ素子15
の2つの給電点15a,15bとにそれぞれ接続された
接続線路(第1、第2の接続線路)、17は接続線路1
6a,16bの間に接続され、それら接続線路16a,
16bと共に送信用高周波増幅器13a,13bによっ
て増幅されたそれぞれの信号をアイソレーションする抵
抗であり、接続線路16a,16bのインピーダンス、
抵抗17の抵抗値、接続線路16a,16b中の抵抗1
7の接続点は、パッチアンテナ素子15の入力インピー
ダンス、送信系回路のインピーダンスに応じて、2つの
接続線路16a,16b間のアイソレーションがとれる
ように決定されている。なお、電力分配器12、送信用
高周波増幅器13a,13b、接続線路16a,16
b、および抵抗17を誘電体基板の10の裏面のアース
用導体膜上に形成し、その誘電体基板10の裏面から表
面の表面導体膜に形成されたパッチアンテナ素子15の
2つの給電点15a,15bに給電するものである。そ
の他の構成は図2と同一であり、また、動作は実施の形
態1と同一であるので説明を省略する。
Embodiment 3 FIG. 3 is a schematic diagram showing a microstrip patch antenna according to a third embodiment of the present invention. In the figure, reference numerals 16a and 16b denote transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b and a patch antenna element 15 respectively.
Connection lines (first and second connection lines) connected to the two feeding points 15a and 15b, respectively, and 17 is the connection line 1
6a, 16b, the connection lines 16a,
16b is a resistor for isolating the respective signals amplified by the transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b together with the impedance of the connection lines 16a and 16b.
Resistance value of resistance 17, resistance 1 in connection lines 16a and 16b
The connection point 7 is determined according to the input impedance of the patch antenna element 15 and the impedance of the transmission system circuit so that isolation between the two connection lines 16a and 16b can be obtained. The power divider 12, the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b, and the connection lines 16a and 16
b, and a resistor 17 are formed on the grounding conductor film on the back surface of the dielectric substrate 10, and two feed points 15a of the patch antenna element 15 formed on the front surface conductor film from the back surface of the dielectric substrate 10 , 15b. The other configuration is the same as that of FIG. 2 and the operation is the same as that of the first embodiment.

【0019】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、実施の形態2と同様な効果を奏する。また、パッチ
アンテナ素子15側からの不要な反射信号は抵抗17に
よって消費されるので、送信用高周波増幅器13a,1
3bに流れ込む反射信号を低減することができる。従っ
て、送信用高周波増幅器13a,13bの劣化を防ぐこ
とができる。さらに、アイソレータ14a,14bが不
要であるため装置を小形にできる効果が得られる。
As described above, according to the third embodiment, the same effects as in the second embodiment can be obtained. Since unnecessary reflection signals from the patch antenna element 15 are consumed by the resistor 17, the transmission high-frequency amplifiers 13a and 13a
3b can be reduced. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the transmission high-frequency amplifiers 13a and 13b. Further, since the isolators 14a and 14b are unnecessary, an effect that the apparatus can be downsized can be obtained.

【0020】実施の形態4.図4はこの発明の実施の形
態4によるマイクロストリップパッチアンテナを示す概
略構成図であり、図において、18は出力信号の位相差
が180度となるように分配する電力分配器、19は電
力分配器18によって位相が180度遅れる分配端子側
に接続され、通過位相が180度となる移相器である。
その他の構成は図2と同一であるので説明を省略する。
Embodiment 4 FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a fourth embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 18 denotes a power divider that distributes an output signal so that the phase difference is 180 degrees, and 19 denotes a power divider. The phase shifter is connected to the distribution terminal side whose phase is delayed by 180 degrees by the device 18 and has a passing phase of 180 degrees.
The other configuration is the same as that of FIG.

【0021】次に動作原理について説明する。入力端子
11から入力された信号は、出力信号の位相差が180
度となる電力分配器18によって、等振幅、位相差18
0度で分配され、送信用高周波増幅器13a,13bに
入力される。送信用高周波増幅器13a,13bがB級
動作であるとすると、送信用高周波増幅器13a,13
bを通過した信号においては、基本周波数の位相は逆
相、偶高調波の位相は同相となる。さらに、2つの信号
のうち一方は通過位相180度の移相器19を通過する
ため、最終的に2つの信号においては、基本周波数の位
相は同相、偶高調波の位相は逆相となってパッチアンテ
ナ素子15に給電される。
Next, the operation principle will be described. The signal input from the input terminal 11 has a phase difference of 180
The power divider 18 has the same amplitude and phase difference 18.
The signals are distributed at 0 degrees and input to the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b. Assuming that the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b operate in class B, the transmitting high-frequency amplifiers 13a and 13b
In the signal passing through b, the phase of the fundamental frequency is opposite, and the phase of the even harmonic is in phase. Furthermore, since one of the two signals passes through the phase shifter 19 having a passing phase of 180 degrees, the two signals eventually have the same phase of the fundamental frequency and the opposite phase of the even harmonic. The power is supplied to the patch antenna element 15.

【0022】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、実施の形態2と同様な効果を奏する。また、基本周
波数においては、パッチアンテナ素子15により対称線
の方向の偏波面を持つ直線偏波が空中に放射され、偶高
調波においては、基本周波数における直線偏波と直交す
る方向の偏波面を持つ直線偏波が空中に放射される。従
って、基本周波数信号と偶高調波信号の電波を切り分け
ることができる効果が得られる。
As described above, according to the fourth embodiment, the same effects as in the second embodiment can be obtained. Also, at the fundamental frequency, a linearly polarized wave having a plane of polarization in the direction of the symmetry line is radiated into the air by the patch antenna element 15, and for even harmonics, the plane of polarization in a direction orthogonal to the linearly polarized wave at the fundamental frequency is changed. The linearly polarized wave which has it is radiated in the air. Therefore, an effect is obtained that radio waves of the fundamental frequency signal and the even harmonic signal can be separated.

【0023】実施の形態5.図5はこの発明の実施の形
態5によるマイクロストリップパッチアンテナを示す概
略構成図であり、図において、21は対称線に対して対
称な位置に2つの給電点が設けられた矩形のパッチアン
テナ素子(アンテナ素子)、22a,22bは2つの給
電点によって給電されたそれぞれの信号を増幅する受信
用高周波増幅器(第1、第2の受信用高周波増幅器)、
23は増幅されたそれぞれの信号を合成して出力する電
力合成器、24は出力端子である。なお、パッチアンテ
ナ素子21を誘電体基板10の表面の表面導体膜に形成
し、受信用高周波増幅器22a,22b、および電力合
成器23を誘電体基板10の裏面のアース用導体膜上に
形成して、その誘電体基板10の表面のパッチアンテナ
素子21の2つの給電点から裏面の受信用高周波増幅器
22a,22bに給電するものである。
Embodiment 5 FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a fifth embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 21 denotes a rectangular patch antenna element provided with two feeding points at positions symmetrical with respect to a line of symmetry. (Antenna elements), 22a and 22b are receiving high-frequency amplifiers (first and second receiving high-frequency amplifiers) for amplifying respective signals fed by the two feeding points,
23 is a power combiner for combining and outputting the amplified signals, and 24 is an output terminal. Note that the patch antenna element 21 is formed on the surface conductor film on the surface of the dielectric substrate 10, and the high-frequency receiving amplifiers 22 a and 22 b and the power combiner 23 are formed on the ground conductor film on the back surface of the dielectric substrate 10. The power is supplied from the two feeding points of the patch antenna element 21 on the front surface of the dielectric substrate 10 to the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b on the back surface.

【0024】次に動作について説明する。パッチアンテ
ナ素子21に入射された電波は電気信号に変換され、受
信用高周波増幅器22a,22bによって増幅された
後、電力合成器23によって合成されて出力端子24に
出力される。
Next, the operation will be described. The radio wave incident on the patch antenna element 21 is converted into an electric signal, amplified by the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b, then synthesized by the power synthesizer 23, and output to the output terminal 24.

【0025】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、パッチアンテナ素子21、受信用高周波増幅器22
a,22b、および電力合成器23だけでアンテナ装置
の受信系回路を構成し、デュプレクサが不要であるの
で、装置を低損失にすることができる。また、受信用高
周波増幅器22a,22b、および電力合成器23は、
誘電体基板10の裏面に一体化して構成されているの
で、装置を小形にすることができる。さらに、受信用高
周波増幅器22a,22b、および電力合成器23は、
誘電体基板10の裏面に配置され、2つの給電点はパッ
チアンテナ素子21の面上に設けられているので、パッ
チアンテナ素子21の2つの給電点について位置の選択
の自由度が大きくなる。従って、2つの給電点から見た
パッチアンテナ素子21の入力インピーダンスを受信系
回路の入力側のインピーダンスと一致するように選択す
ればパッチアンテナ素子21と受信系回路の整合がとれ
るので、受信用高周波増幅器22a,22bにおける整
合回路の設計の自由度が大きくなる。さらに、受信用高
周波増幅器22a,22b、および電力合成器23を誘
電体基板10の裏面におけるパッチアンテナ素子21の
直下の領域に配置することにより、アンテナ装置全体の
占有面積が低減されるという効果が得られる。
As described above, according to the fifth embodiment, the patch antenna element 21, the receiving high-frequency amplifier 22
Since the receiving system circuit of the antenna device is constituted only by the a, 22b and the power combiner 23, and the duplexer is unnecessary, the device can be reduced in loss. Further, the reception high-frequency amplifiers 22a and 22b and the power combiner 23
Since the device is integrally formed on the back surface of the dielectric substrate 10, the device can be downsized. Further, the reception high-frequency amplifiers 22a and 22b and the power combiner 23
Since the two feeding points are provided on the back surface of the dielectric substrate 10 and are provided on the surface of the patch antenna element 21, the degree of freedom in selecting the positions of the two feeding points of the patch antenna element 21 is increased. Therefore, if the input impedance of the patch antenna element 21 as viewed from the two feeding points is selected so as to match the impedance on the input side of the receiving system circuit, the matching between the patch antenna element 21 and the receiving system circuit can be achieved, and the high frequency signal for reception can be obtained. The degree of freedom in designing a matching circuit in the amplifiers 22a and 22b is increased. Further, by arranging the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b and the power combiner 23 in a region directly below the patch antenna element 21 on the back surface of the dielectric substrate 10, an effect that the occupied area of the entire antenna device is reduced. can get.

【0026】実施の形態6.図6はこの発明の実施の形
態6によるマイクロストリップパッチアンテナを示す概
略構成図であり、図において、25a,25bはパッチ
アンテナ素子21の2つの給電点と受信用高周波増幅器
22a,22bとの間にそれぞれ接続された接続線路
(第1、第2の接続線路)、26は接続線路25a,2
5bの間に接続され、それら接続線路25a,25bと
共に2つの給電点によって給電されたそれぞれの信号を
アイソレーションする抵抗であり、接続線路25a,2
5bのインピーダンス、抵抗26の抵抗値、接続線路2
5a,25b中の抵抗26の接続点は、パッチアンテナ
素子21の出力インピーダンス、受信系回路のインピー
ダンスに応じて、2つの接続線路25a,25b間のア
イソレーションがとれるように決定されている。なお、
パッチアンテナ素子21を誘電体基板10の表面の表面
導体膜に形成し、接続線路25a,25b、抵抗26、
受信用高周波増幅器22a,22b、および電力合成器
23を誘電体基板10の裏面のアース用導体膜上に形成
して、その誘電体基板10の表面のパッチアンテナ素子
21の2つの給電点から裏面の接続線路25a,25b
に給電するものである。その他の構成は図5と同一であ
り、また、動作は実施の形態5に、接続線路25a,2
5bおよび抵抗26によるアイソレーション作用を加え
たものと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 6 FIG. FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a sixth embodiment of the present invention. In the drawing, reference numerals 25a and 25b denote a portion between two feeding points of a patch antenna element 21 and high-frequency receiving amplifiers 22a and 22b. , Connection lines (first and second connection lines) respectively connected to the connection lines 25a, 2a
5b, which is a resistor for isolating the respective signals fed by the two feeding points together with the connection lines 25a, 25b.
5b impedance, resistance value of resistor 26, connection line 2
The connection point of the resistor 26 in 5a, 25b is determined according to the output impedance of the patch antenna element 21 and the impedance of the receiving circuit so that isolation between the two connection lines 25a, 25b can be obtained. In addition,
The patch antenna element 21 is formed on the surface conductor film on the surface of the dielectric substrate 10, and the connection lines 25a and 25b, the resistor 26,
The receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b and the power combiner 23 are formed on the grounding conductor film on the back surface of the dielectric substrate 10, and the two antennas 21 on the front surface of the dielectric substrate 10 are fed back from two feeding points. Connection lines 25a, 25b
Power. The other configuration is the same as that of FIG. 5, and the operation is similar to that of the fifth embodiment.
Since this is the same as that obtained by adding the isolation action by the resistor 5b and the resistor 26, the description is omitted.

【0027】以上のように、この実施の形態6によれ
ば、実施の形態5と同様な効果を奏する。また、受信用
高周波増幅器22a,22b側からの不要な反射信号は
抵抗26によって消費されるので、パッチアンテナ素子
21に流れ込む反射信号を低減することができる。従っ
て、受信用高周波増幅器22a,22bとパッチアンテ
ナ素子21の間の多重反射を抑制でき、受信信号周波数
特性の劣化および受信用高周波増幅器22a,22bの
劣化を防ぐことができる効果が得られる。
As described above, according to the sixth embodiment, the same effects as in the fifth embodiment can be obtained. Unnecessary reflected signals from the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b are consumed by the resistor 26, so that reflected signals flowing into the patch antenna element 21 can be reduced. Therefore, the multiple reflection between the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b and the patch antenna element 21 can be suppressed, and the effect of preventing the deterioration of the reception signal frequency characteristics and the deterioration of the receiving high-frequency amplifiers 22a and 22b can be obtained.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、入力
信号を分配する電力分配器と、分配された信号を増幅す
る第1および第2の送信用高周波増幅器と、増幅された
信号をアイソレーションする第1および第2のアイソレ
ータと、表面導体膜により形成され、対称線に対して対
称な位置に第1および第2の給電点が設けられ、第1お
よび第2のアイソレータを介した信号を第1および第2
の給電点から入力するアンテナ素子とを備え、電力分配
器、第1および第2の送信用高周波増幅器、第1および
第2のアイソレータ、およびアンテナ素子を一体化して
構成したので、電力合成器を必要としない構成なので、
装置を低損失にすることができる。また、誘電体基板上
に一体化して構成されているので、装置を小形にするこ
とができる効果が得られる。
As described above, according to the present invention, a power divider for distributing an input signal, first and second transmission high-frequency amplifiers for amplifying the distributed signal, and The first and second isolators to be isolated and the surface conductor film are provided, and the first and second feeding points are provided at positions symmetrical with respect to the symmetry line, and the first and second isolators are provided. The signal is first and second
And a power divider, the first and second transmitting high-frequency amplifiers, the first and second isolators, and the antenna element are integrally formed. Since it is a configuration that is not required,
The device can have low loss. Further, since the device is integrally formed on the dielectric substrate, an effect that the device can be downsized can be obtained.

【0029】この発明によれば、電力分配器、第1およ
び第2の送信用高周波増幅器、および第1および第2の
アイソレータをアース用導体膜上に設け、誘電体基板の
裏面から表面のアンテナ素子の第1および第2の給電点
に給電するように構成したので、第1および第2の給電
点がアンテナ素子の面上に設けられているので、第1お
よび第2の給電点の位置について選択の自由度が大きく
なる。従って、第1および第2の給電点から見たアンテ
ナ素子の入力インピーダンスを送信系回路の出力側のイ
ンピーダンスと一致するように選択すればアンテナ素子
と送信系回路の整合をとることができ、第1および第2
の送信用高周波増幅器における整合回路の設計の自由度
が大きくなる。さらに、アンテナ装置全体の占有面積が
低減される効果が得られる。
According to the present invention, the power divider, the first and second transmitting high-frequency amplifiers, and the first and second isolators are provided on the grounding conductor film, and the antenna from the back surface to the front surface of the dielectric substrate is provided. Since the first and second feed points of the element are configured to feed power, the first and second feed points are provided on the surface of the antenna element, and thus the positions of the first and second feed points are set. Has a greater degree of freedom for selection. Therefore, if the input impedance of the antenna element viewed from the first and second feed points is selected so as to match the impedance on the output side of the transmission system circuit, the antenna element and the transmission system circuit can be matched. 1st and 2nd
In this case, the degree of freedom in designing a matching circuit in the transmitting high-frequency amplifier increases. Further, the effect of reducing the occupied area of the entire antenna device can be obtained.

【0030】この発明によれば、第1および第2の送信
用高周波増幅器に接続された第1および第2の接続線路
と、第1の接続線路と第2の接続線路との間に接続さ
れ、第1および第2の接続線路と共に第1および第2の
送信用高周波増幅器によって増幅された信号をアイソレ
ーションする抵抗と、表面導体膜により形成され、対称
線に対して対称な位置に第1および第2の給電点が設け
られ、第1および第2の接続線路を介した信号を第1お
よび第2の給電点から入力するアンテナ素子とを備え、
電力分配器、第1および第2の送信用高周波増幅器、第
1および第2の接続線路、抵抗およびアンテナ素子を一
体化して構成したので、アンテナ素子側からの不要な反
射信号は抵抗によって消費されるので、第1および第2
の送信用高周波増幅器に流れ込む反射信号を低減するこ
とができる。従って、第1および第2の送信用高周波増
幅器の劣化を防ぐことができる。さらに、第1および第
2のアイソレータが不要であるため装置を小形にできる
効果が得られる。
According to the present invention, the first and second connection lines connected to the first and second transmission high-frequency amplifiers are connected between the first and second connection lines. , A resistor for isolating the signal amplified by the first and second transmission high-frequency amplifiers together with the first and second connection lines, and the first conductor at a position symmetrical with respect to the line of symmetry formed by the surface conductor film. And an antenna element for inputting a signal via the first and second connection lines from the first and second power supply points,
Since the power divider, the first and second transmission high-frequency amplifiers, the first and second connection lines, the resistor, and the antenna element are integrated, an unnecessary reflected signal from the antenna element side is consumed by the resistor. Therefore, the first and second
The reflected signal flowing into the transmitting high-frequency amplifier can be reduced. Therefore, it is possible to prevent the first and second transmission high-frequency amplifiers from deteriorating. Further, since the first and second isolators are not required, an effect that the device can be downsized can be obtained.

【0031】この発明によれば、第1の給電点に入力さ
れる信号と第2の給電点に入力される信号の位相差を1
80度とするように構成したので、アンテナ素子により
対称線の方向の偏波面を持つ直線偏波を空中に放射する
ことができる効果が得られる。
According to the present invention, the phase difference between the signal input to the first feeding point and the signal input to the second feeding point is set to 1
Since the angle is set to be 80 degrees, an effect is obtained that the antenna element can radiate linearly polarized light having a plane of polarization in the direction of the symmetry line into the air.

【0032】この発明によれば、表面導体膜により形成
され、対称線に対して対称な位置に第1および第2の給
電点が設けられたアンテナ素子と、給電された信号を増
幅する第1および第2の受信用高周波増幅器と、増幅さ
れた信号を合成して出力する電力合成器とを備え、第1
および第2の受信用高周波増幅器、および電力合成器を
アース用導体膜上に設け、誘電体基板の表面のアンテナ
素子の第1および第2の給電点から裏面の第1および第
2の受信用高周波増幅器に給電するように構成したの
で、デュプレクサが不要であるので、装置を低損失にす
ることができる。また、装置を小形にすることができ
る。さらに、第1および第2の受信用高周波増幅器、お
よび電力合成器は、誘電体基板の裏面に配置され、第1
および第2の給電点はアンテナ素子の面上に設けられて
いるので、アンテナ素子の第1および第2の給電点につ
いて位置の選択の自由度が大きくなる。従って、第1お
よび第2の給電点から見たアンテナ素子の入力インピー
ダンスを受信系回路の入力側のインピーダンスと一致す
るように選択すればアンテナ素子と受信系回路の整合が
とれるので、第1および第2の受信用高周波増幅器にお
ける整合回路の設計の自由度が大きくなる。さらに、ア
ンテナ装置全体の占有面積が低減されるという効果が得
られる。
According to the present invention, the antenna element formed of the surface conductor film and provided with the first and second feed points at positions symmetrical with respect to the line of symmetry, and the first element for amplifying the fed signal And a second high frequency amplifier for reception, and a power combiner for combining and outputting the amplified signals,
And a second receiving high-frequency amplifier and a power combiner are provided on a grounding conductive film, and the first and second receiving high-frequency amplifiers on the back side from the first and second feeding points of the antenna element on the front surface of the dielectric substrate. Since the high-frequency amplifier is configured to supply power, a duplexer is not required, so that the device can have low loss. Further, the device can be downsized. Further, the first and second receiving high-frequency amplifiers and the power combiner are arranged on the back surface of the dielectric substrate,
Since the and the second feeding point are provided on the surface of the antenna element, the degree of freedom in selecting the positions of the first and second feeding points of the antenna element is increased. Therefore, if the input impedance of the antenna element viewed from the first and second feeding points is selected so as to match the impedance on the input side of the receiving system circuit, the matching between the antenna element and the receiving system circuit can be achieved. The degree of freedom in designing the matching circuit in the second high-frequency receiving amplifier is increased. Further, the effect that the occupied area of the entire antenna device is reduced can be obtained.

【0033】この発明によれば、第1および第2の給電
点と第1および第2の受信用高周波増幅器との間に接続
された第1および第2の接続線路と、第1および第2の
接続線路の間に接続され、第1および第2の接続線路と
共に第1および第2の給電点によって給電された信号を
アイソレーションする抵抗とを備え、第1および第2の
接続線路、および抵抗をアース用導体膜上に設け、誘電
体基板の表面のアンテナ素子の第1および第2の給電点
から裏面の第1および第2の接続線路に給電するように
構成したので、第1および第2の受信用高周波増幅器側
からの不要な反射信号は抵抗によって消費されるので、
アンテナ素子に流れ込む反射信号を低減することができ
る。従って、第1および第2の受信用高周波増幅器とア
ンテナ素子の間の多重反射を抑制でき、受信信号周波数
特性の劣化および第1および第2の受信用高周波増幅器
の劣化を防ぐことができる効果が得られる。
According to the present invention, the first and second connection lines connected between the first and second feeding points and the first and second high-frequency receiving amplifiers, and the first and second connection lines are provided. And a resistor for isolating a signal fed by the first and second feed points together with the first and second connection lines, the first and second connection lines; and Since the resistor is provided on the grounding conductor film and the first and second feed points of the antenna element on the front surface of the dielectric substrate are fed to the first and second connection lines on the back surface, the first and second connection lines are provided. Unnecessary reflected signals from the second receiving high-frequency amplifier are consumed by the resistors,
The reflected signal flowing into the antenna element can be reduced. Therefore, the multiple reflection between the first and second high-frequency receiving amplifiers and the antenna element can be suppressed, and the effect of preventing the deterioration of the frequency characteristics of the received signal and the first and second high-frequency receiving amplifiers can be prevented. can get.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態3によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態4によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態5によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態6によるマイクロスト
リップパッチアンテナを示す概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a microstrip patch antenna according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】 従来のアンテナ装置を示す回路構成図であ
る。
FIG. 7 is a circuit configuration diagram showing a conventional antenna device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 誘電体基板、12 電力分配器、13a 送信用
高周波増幅器(第1の送信用高周波増幅器)、13b
送信用高周波増幅器(第2の送信用高周波増幅器)、1
4a アイソレータ(第1のアイソレータ)、14b
アイソレータ(第2のアイソレータ)、15,21 パ
ッチアンテナ素子(アンテナ素子)、15a 給電点
(第1の給電点)、15b 給電点(第2の給電点)、
16a,25a 接続線路(第1の接続線路)、16
b,25b 接続線路(第2の接続線路)、17,26
抵抗、22a 受信用高周波増幅器(第1の受信用高
周波増幅器)、22b 受信用高周波増幅器(第2の受
信用高周波増幅器)、23 電力合成器。
Reference Signs List 10 dielectric substrate, 12 power divider, 13a transmission high-frequency amplifier (first transmission high-frequency amplifier), 13b
Transmission high-frequency amplifier (second transmission high-frequency amplifier), 1
4a isolator (first isolator), 14b
Isolator (second isolator), 15, 21 patch antenna element (antenna element), 15a feed point (first feed point), 15b feed point (second feed point),
16a, 25a connection line (first connection line), 16
b, 25b connection line (second connection line), 17, 26
Resistor, 22a high-frequency receiving amplifier (first high-frequency receiving amplifier), 22b high-frequency receiving amplifier (second high-frequency receiving amplifier), 23 power combiner.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレイ・アンドレンコ 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 池田 幸夫 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5J045 AA07 AB05 DA10 EA07 FA02 HA03 JA12 JA18 MA07 NA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Andrei Andrenko 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Yukio Ikeda 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo No. Mitsubishi Electric Corporation F-term (reference) 5J045 AA07 AB05 DA10 EA07 FA02 HA03 JA12 JA18 MA07 NA01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基板の裏面にアース用導体膜を設
け、表面に電波を放射する表面導体膜を設けたマイクロ
ストリップパッチアンテナにおいて、入力信号を分配す
る電力分配器と、上記電力分配器によって分配されたそ
れぞれの信号を増幅する第1および第2の送信用高周波
増幅器と、上記第1および第2の送信用高周波増幅器に
よって増幅されたそれぞれの信号をアイソレーションす
る第1および第2のアイソレータと、上記表面導体膜に
より形成され、対称線に対して対称な位置に第1および
第2の給電点が設けられ、上記第1および第2のアイソ
レータを介したそれぞれの信号をそれら第1および第2
の給電点から入力するアンテナ素子とを備え、上記電力
分配器、上記第1および第2の送信用高周波増幅器、上
記第1および第2のアイソレータ、および上記アンテナ
素子を一体化して構成したことを特徴とするマイクロス
トリップパッチアンテナ。
1. A power divider for distributing an input signal in a microstrip patch antenna having a conductor film for grounding provided on a back surface of a dielectric substrate and a surface conductor film for radiating radio waves on the surface, and the power divider. First and second transmission high-frequency amplifiers for amplifying respective signals distributed by the first and second transmission high-frequency amplifiers, and first and second transmission high-frequency amplifiers for isolating the respective signals amplified by the first and second transmission high-frequency amplifiers First and second feeding points are provided at positions symmetrical with respect to a line of symmetry, formed by the isolator and the surface conductor film, and each signal through the first and second isolators is transmitted to the first and second isolators. And the second
And an antenna element input from a feeding point of the above, wherein the power divider, the first and second transmitting high-frequency amplifiers, the first and second isolators, and the antenna element are integrally formed. Characterized microstrip patch antenna.
【請求項2】 電力分配器、第1および第2の送信用高
周波増幅器、および第1および第2のアイソレータをア
ース用導体膜上に設け、誘電体基板の裏面から表面のア
ンテナ素子の第1および第2の給電点に給電することを
特徴とする請求項1記載のマイクロストリップパッチア
ンテナ。
2. A power splitter, first and second transmitting high-frequency amplifiers, and first and second isolators are provided on a grounding conductive film, and the first and second antenna elements on the front to back surfaces of the dielectric substrate are provided. The microstrip patch antenna according to claim 1, wherein power is supplied to the second power supply point.
【請求項3】 誘電体基板の裏面にアース用導体膜を設
け、表面に電波を放射する表面導体膜を設けたマイクロ
ストリップパッチアンテナにおいて、入力信号を分配す
る電力分配器と、上記電力分配器によって分配されたそ
れぞれの信号を増幅する第1および第2の送信用高周波
増幅器と、上記第1および第2の送信用高周波増幅器に
それぞれ接続された第1および第2の接続線路と、上記
第1の接続線路と上記第2の接続線路との間に接続さ
れ、それら第1の接続線路および第2の接続線路と共に
上記第1および第2の送信用高周波増幅器によって増幅
されたそれぞれの信号をアイソレーションする抵抗と、
上記表面導体膜により形成され、対称線に対して対称な
位置に第1および第2の給電点が設けられ、上記第1お
よび第2の接続線路を介したそれぞれの信号をそれら第
1および第2の給電点から入力するアンテナ素子とを備
え、上記電力分配器、上記第1および第2の送信用高周
波増幅器、上記第1および第2の接続線路、上記抵抗お
よび上記アンテナ素子を一体化して構成したことを特徴
とするマイクロストリップパッチアンテナ。
3. A power divider for distributing an input signal in a microstrip patch antenna provided with a ground conductor film on the back surface of a dielectric substrate and a surface conductor film for radiating radio waves on the surface, and the power divider. First and second transmission high-frequency amplifiers for amplifying respective signals distributed by the first and second transmission high-frequency amplifiers, and first and second connection lines respectively connected to the first and second transmission high-frequency amplifiers; The first and second transmission lines are connected between the first connection line and the second connection line, and are amplified together with the first and second connection lines by the first and second transmission high-frequency amplifiers. Resistance to isolate,
First and second feed points are provided at positions symmetrical with respect to the line of symmetry, formed by the surface conductor film, and the first and second power supply points are transmitted through the first and second connection lines. And an antenna element input from a second feeding point. The power divider, the first and second transmission high-frequency amplifiers, the first and second connection lines, the resistor, and the antenna element are integrated. A microstrip patch antenna, comprising:
【請求項4】 第1の給電点に入力される信号と第2の
給電点に入力される信号の位相差を180度としたこと
を特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1
項記載のマイクロストリップパッチアンテナ。
4. The apparatus according to claim 1, wherein a phase difference between a signal input to the first power supply point and a signal input to the second power supply point is 180 degrees. Or 1
The microstrip patch antenna according to the item.
【請求項5】 誘電体基板の裏面にアース用導体膜を設
け、表面に電波を受信する表面導体膜を設けたマイクロ
ストリップパッチアンテナにおいて、上記表面導体膜に
より形成され、対称線に対して対称な位置に第1および
第2の給電点が設けられたアンテナ素子と、上記第1お
よび第2の給電点によって給電されたそれぞれの信号を
増幅する第1および第2の受信用高周波増幅器と、上記
第1および第2の受信用高周波増幅器によって増幅され
たそれぞれの信号を合成して出力する電力合成器とを備
え、上記第1および第2の受信用高周波増幅器、および
上記電力合成器を上記アース用導体膜上に設け、上記誘
電体基板の表面の上記アンテナ素子の第1および第2の
給電点から裏面の上記第1および第2の受信用高周波増
幅器にそれぞれ給電することを特徴とするマイクロスト
リップパッチアンテナ。
5. A microstrip patch antenna in which a ground conductor film is provided on the back surface of a dielectric substrate and a surface conductor film for receiving radio waves is provided on the front surface, wherein the microstrip patch antenna is formed by the surface conductor film and is symmetric with respect to a line of symmetry. An antenna element provided with first and second feeding points at different positions, first and second receiving high-frequency amplifiers for amplifying respective signals fed by the first and second feeding points, A power combiner that combines and outputs respective signals amplified by the first and second receiving high-frequency amplifiers, wherein the first and second receiving high-frequency amplifiers and the power combiner are combined with each other. The antenna is provided on a grounding conductor film, and power is supplied from the first and second feeding points of the antenna element on the front surface of the dielectric substrate to the first and second receiving high-frequency amplifiers on the back surface, respectively. A microstrip patch antenna.
【請求項6】 第1および第2の給電点と第1および第
2の受信用高周波増幅器との間にそれぞれ接続された第
1および第2の接続線路と、上記第1の接続線路と上記
第2の接続線路との間に接続され、それら第1の接続線
路および第2の接続線路と共に上記第1および第2の給
電点によって給電されたそれぞれの信号をアイソレーシ
ョンする抵抗とを備え、上記第1および第2の接続線
路、および上記抵抗をアース用導体膜上に設け、誘電体
基板の表面のアンテナ素子の第1および第2の給電点か
ら裏面の上記第1および第2の接続線路にそれぞれ給電
することを特徴とする請求項5記載のマイクロストリッ
プパッチアンテナ。
6. A first and a second connection line respectively connected between a first and a second power supply point and a first and a second high-frequency receiving amplifier, the first connection line and the first connection line, respectively. A resistor connected between the second connection line and the first connection line and the second connection line, and a resistor for isolating respective signals supplied by the first and second power supply points together with the first connection line and the second connection line; The first and second connection lines and the resistor are provided on a grounding conductor film, and the first and second connection lines on the rear surface are provided from the first and second feeding points of the antenna element on the front surface of the dielectric substrate. 6. The microstrip patch antenna according to claim 5, wherein power is supplied to each of the lines.
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