JP2001093824A - レジスト下層用組成物及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるポリシラン
又はポリシラン−カルボシランコポリマーと、脂肪族不
飽和基含有化合物と、ハイドロシリレーション用促進剤
とを含有することを特徴とするレジスト下層用組成物。 ［（Ｒ¹ _aＲ² _bＳｉ）_k（Ｒ³ _cＲ⁴ _dＳｉ）_m（Ｒ⁵ _eＨ_fＳｉ）_nＱ_q］_p …（１） （但し、式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵は置換又は非
置換の一価炭化水素基、水素原子、水酸基又はハロゲン
原子を表す。ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれ１≦ａ
≦２、０≦ｂ≦２、１≦ａ＋ｂ≦３、０≦ｃ≦２、０≦
ｄ≦２、０≦ｃ＋ｄ≦２．５、１≦ｅ≦２、０＜ｆ≦
１、１＜ｅ＋ｆ≦２であり、１≦ｋ＋ｍ＋ｎ≦１０を満
足し、２≦ｆ×ｎ×ｐである。Ｑは置換又は非置換の二
価の炭化水素基又は複素環基を表す。ｑは０又は１、ｐ
は分子量５００〜５００，０００を満足する数であ
る。） 【効果】 本発明により、ラインアンドスペースが０．
２５μｍより微細なパターンのリソグラフィー用の有機
ケイ素系ポリマー膜を与える組成物を、一般のレジスト
溶媒可溶の組成物として提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光性レジスト組
成物によるレジスト層の下層を形成する目的で用いられ
るレジスト下層用組成物及びこれを用いたパターン形成
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、ポリシラン材料はその特異な化学的、光学的性質が
注目されており、導電性物質、光導電性物質、非線形光
学物質などとして期待されているものの、物理的な強度
不足やほかの物質との相溶性に問題があり、十分な展開
を得るには至っていない。ポリシランの基本骨格である
Ｓｉ−Ｓｉ結合は、光分解性があることから、ラジカル
開始剤やレジスト材料への応用も検討されたが、実用性
を満足するまでの感度を得るには至っていない。一方、
電子装置はますます微細化が要求され、その作成用プロ
セスとしてのリソグラフィー工程は、光源をはじめとす
る露光装置はもとより、各工程に使用される材料やプロ
セス自体の見直しが盛んに行われている。特に、微細化
に伴う光源の短波長化は極めて有効な手段であり、微細
加工への要求と共に可視光から紫外光へと順次短波長を
用いた露光装置が取り入れられてきた。しかし、これら
の装置の開発には膨大なコストが必要な上、微細化のス
ピードが著しく速くなってきていることから、光源の短
波長化に頼らず、材料やプロセスの工夫により、従来限
界といわれていたレベルを超える微細化を達成する方法
が求められている。

【０００３】近年では、反射防止膜をレジスト層の上層
又は下層に設置することが定在波の発生を抑え、良好な
レジストパターンを与える手法として高解像度が求めら
れるプロセスを中心に広く取り入れられている。この場
合、本発明者は、下塗り型反射防止膜組成物として有機
ケイ素系ポリマーを使用することについて検討し、これ
を用いることによりレジストパターン形成後のハロゲン
ガスプラズマエッチングにおいて、レジスト層に比べて
エッチングされ易く、パターンの微細化をする上で非常
に有利な特性を持っていることを知見した。しかしなが
ら、ポリシラン材料をはじめとする有機ケイ素系ポリマ
ーは、高分子なものほど一般のレジスト溶媒に対する溶
解性が低く、プロセスに導入する際には特殊な溶媒を必
要とするなどの問題があった。また、低分子では有機ケ
イ素系ポリマー膜が、その上層にレジスト膜を形成する
際に、レジスト溶媒に一部溶解し、ミキシングを起こす
ことによりパターンの乱れが生じるなどの問題があり、
この点の解決が要望された。

【０００４】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記要望に応えるため鋭意検討を行った結
果、下記一般式（１）で示されるポリシラン又はポリシ
ラン−カルボシランコポリマーと、脂肪族不飽和基含有
化合物と、ハイドロシリレーション用促進剤とを含有す
る組成物の硬化膜をレジスト層の下層とすることによ
り、定在波の形成を抑えることができ、また上記組成物
は、微細加工に対して有効な、硬化前は安全性の高い溶
剤に対する溶解性が高く、硬化後はレジスト組成物との
間にミキシングを生じさせないものであること、更に
は、上記組成物の硬化膜を１７０〜２８０ｎｍにおける
光学吸収係数が屈折率１．５〜２．５で消衰係数０．２
〜０．６とした場合、その二層レジスト（上記硬化膜と
その上に形成されるレジスト層）が微細化に極めて有効
であることを知見した。

【０００５】 ［（Ｒ¹ _aＲ² _bＳｉ）_k（Ｒ³ _cＲ⁴ _dＳｉ）_m（Ｒ⁵ _eＨ_fＳｉ）_nＱ_q］_p …（１） （但し、式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵は置換又は非
置換の一価炭化水素基、水素原子、水酸基又はハロゲン
原子を表す。ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれ１≦ａ
≦２、０≦ｂ≦２、１≦ａ＋ｂ≦３、０≦ｃ≦２、０≦
ｄ≦２、０≦ｃ＋ｄ≦２．５、１≦ｅ≦２、０＜ｆ≦
１、１＜ｅ＋ｆ≦２であり、１≦ｋ＋ｍ＋ｎ≦１０を満
足し、２≦ｆ×ｎ×ｐである。Ｑは置換又は非置換の二
価の炭化水素基又は複素環基を表す。ｑは０又は１、ｐ
は分子量５００〜５００，０００を満足する数であ
る。）

【０００６】即ち、従来より、ラインアンドスペースが
０．２５μｍ以下の微細なリソグラフィーを２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザーを使用したプロセスで達成す
るために、ＣＭＰによる平坦化とレジスト層を薄膜化さ
せて焦点深度の低減化による微細化の達成が報告されて
おり、この際に反射防止膜をレジスト層の上層又は下層
として形成させることによる形状の安定化も併せて検討
されているが、レジスト層の下に式（１）に示すような
有機ケイ素化合物から実質的になる層を組み合わせる形
の二層型レジストを使用することにより、照射光の反射
を防止して形状の安定化を図ると共に、レジスト／有機
ケイ素化合物層、及び有機ケイ素化合物層／ＳｉＯ₂又
は有機ケイ素化合物層／Ｓｉにおけるエッチング速度比
をエッチングガスを選択することにより大きく取ること
ができること、このために上部レジスト層を薄膜化で
き、焦点深度を低減化することによる解像度の増大が図
られ、微細化を達成することができることを見出した。

【０００７】ここで、１７０〜２８０ｎｍにおける光学
吸収係数として屈折率が１．５〜２．５で消衰係数が
０．２〜０．６と大きな値を持つようなケイ素系高分子
化合物を含有する組成物の硬化皮膜に使用されるベース
ポリマーとなる式（１）の有機ケイ素系化合物は、ポリ
シラン骨格特有のσ共役による紫外線吸収特性が鎖長に
より変化することを利用して合成できるが、式（１）の
有機ケイ素系化合物は、骨格中にσ共役を切断するよう
な枝分かれ構造や二価炭化水素基あるいは複素環基を組
み合わせることにより、分子量の低下による物理特性の
低下を引き起こすことなく、比較的短波長領域の光吸収
特性を達成することができ、しかも通常のレジスト溶媒
として使用される安全性の高い溶剤に可溶であり、そし
て加熱により架橋、硬化させることにより不溶化する組
成物として、かかる式（１）のＳｉ−Ｈ基を含有する中
分子量の有機ケイ素系ポリマー、脂肪族不飽和基含有化
合物及びハイドロシリレーション用促進剤の組み合わせ
が半導体製造工程への導入に対して極めて有効なこと、
即ち、この組成物の架橋後の硬化膜がＳｉ−Ｓｉ結合を
多く含有することから、エッチング特性がケイ素似で、
ハロゲンガスプラズマエッチングに対してレジスト層に
比べてエッチングされ易く、パターンの微細化をする上
で非常に有利な特性を保持していることを見出し、本発
明をなすに至ったものである。

【０００８】従って、本発明は、（１）上記一般式
（１）で示されるポリシラン又はポリシラン−カルボシ
ランコポリマーと、脂肪族不飽和基含有化合物と、ハイ
ドロシリレーション用促進剤とを含有することを特徴と
するレジスト下層用組成物、（２）硬化膜の１７０〜２
８０ｎｍにおける光学吸収係数が、屈折率１．５〜２．
５で消衰係数が０．２〜０．６である上記組成物、
（３）基体上に上記組成物の皮膜を形成し、これを硬化
した後、この硬化膜上にレジスト層を形成し、次いでこ
のレジスト層を露光し、現像してレジストパターンを形
成した後、露呈硬化膜部分をエッチング除去することを
特徴とするパターン形成方法、（４）露呈硬化膜部分を
除去することにより露呈した基体部分を加工するように
した上記パターン形成方法を提供する。

【０００９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のレジスト下層用組成物は、重量平均分子量が５
００〜５００，０００の下記一般式（１）で示されるポ
リシラン又はポリシラン−カルボシランコポリマーを主
成分とする。

【００１０】 ［（Ｒ¹ _aＲ² _bＳｉ）_k（Ｒ³ _cＲ⁴ _dＳｉ）_m（Ｒ⁵ _eＨ_fＳｉ）_nＱ_q］_p …（１） ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁵は、置換又は非置換の一価炭化水素
基、水素原子、水酸基又はハロゲン原子であり、Ｒ¹〜
Ｒ⁵は同一であっても異なっていてもよい。上記一価炭
化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族炭化水素
基が用いられる。脂肪族又は脂環式炭化水素基の場合、
炭素数１〜１２、好ましくは１〜６であり、例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が
挙げられる。また、芳香族炭化水素基としては、炭素数
６〜１４、より好ましくは６〜１０のものが好適であ
り、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。な
お、置換炭化水素基としては、上記に例示した非置換の
炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、
アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換
したもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロ
メチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられ
る。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等が挙げられる。

【００１１】ａ，ｂは、１≦ａ≦２、０≦ｂ≦２、１≦
ａ＋ｂ≦３であり、好ましくは１≦ａ≦２、０≦ｂ≦
２、１≦ａ＋ｂ≦２である。

【００１２】ｃ，ｄは、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦２、０≦
ｃ＋ｄ≦２．５であり、ｅ，ｆは、１≦ｅ≦２、０＜ｆ
≦１、１＜ｅ＋ｆ≦２である。

【００１３】ｋ，ｍ，ｎは、１≦ｋ＋ｍ＋ｎ≦１０を満
足する。この場合、ｋ，ｍは０又は正数であり、ｎは正
数である。この場合、上記ｆ及びｎは２≦ｆ×ｎ×ｐを
満足し、ｐは上記式（１）の化合物の重量平均分子量を
５００〜５００，０００とする正数である。

【００１４】一方、ｑは０又は１であり、ｑ＝１の場
合、Ｑは置換又は非置換の二価の炭化水素基又は複素環
基である。Ｑとしては、炭素数１〜６のエチレン基等の
アルキレン基、炭素数６〜１４のフェニレン基等のアリ
ーレン基などを示す。また、ｑ＝０のときは、０≦ａ＋
ｂ＜２又は０≦ｃ＋ｄ＜２であることが好ましい。

【００１５】次に、本発明の組成物は、脂肪族不飽和基
含有化合物を含む。脂肪族不飽和基としては、特に炭素
数２〜８のアルケニル基、例えばビニル基、アリル基、
ブテニル基、ヘキセニル基などが挙げられ、中でもビニ
ル基、アリル基が好ましい。あるいは炭素数２〜８のア
ルキニル基、例えばエチニル基、プロピニル基、ブチニ
ル基、ヘキシニル基などが挙げられ、中でもエチニル基
が好ましい。

【００１６】この脂肪族不飽和基含有化合物は、一分子
中に上記脂肪族不飽和基を２個以上含むものが好まし
い。上記化合物として具体的には、Ａ−ＴＭＰＴ（トリ
メチロールプロパントリアクリレート，新中村化学社
製）、パラ−ジエチニルベンゼン、メタ−ジエチニルベ
ンゼン、ＴＲＩＡＭ−７０５（トリメリット酸トリアリ
レート，和光純薬社製）などの有機多価不飽和化合物の
ほか、側鎖にビニル基又はアリル基を２個以上含有する
ポリシラン類などが挙げられる。

【００１７】上記脂肪族不飽和基含有化合物の配合量
は、ポリシラン又はポリシラン−カルボシランコポリマ
ー１００部（重量部、以下同じ）に対して５〜１５０
部、好ましくは２０〜１００部、より好ましくは３０〜
６０部である。

【００１８】本発明の組成物は、更にハイドロシリレー
ション用促進剤を含有する。ハイドロシリレーション用
促進剤として、有機過酸化物が用いられる。有機過酸化
物として具体的には、ＢＰＯ（過酸化ベンゾイル）、パ
ーテトラＡ、パークミルＤ（ジクミルパーオキサイ
ド）、ＢＴＴＢ（３，３’，４，４’−テトラブチルパ
ーオキシカルボニルベンゾフェノン）（いずれも日本油
脂社製）などが挙げられる。更に、２，２’−アゾビス
イソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ジメチル−２，２’
−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（Ｖ−６０
１，和光純薬社製）、１，１’−アゾビス（１−アセト
キシ−１−フェニルエタン）（ＯＴ（ａｚｏ）−１５，
大塚化学社製）などの有機アゾ化合物も、有機過酸化物
には劣るものの、効果が認められ、使用することができ
る。

【００１９】上記ハイドロシリレーション用促進剤の配
合量は、ポリシラン又はポリシラン−カルボシランコポ
リマー１００部に対して０．１〜５０部、好ましくは１
〜３０部、より好ましくは５〜２０部である。

【００２０】本発明の組成物には、更に必要に応じてレ
ベリング剤、安定剤や酸発生剤等を配合し得る。

【００２１】上記成分は、有機溶剤に溶解し、本組成物
は溶液として使用することが好ましいが、この場合、有
機溶剤としては、上記成分を溶解し得るものであればよ
く、特に制限されるものではないが、中でもエーテル
系、エステル系溶剤が好ましく、具体的にはＥＬ（乳酸
エチル）、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテート）、アニソール、ＥＥＰ（エトキシエ
チルプロピオネート）などが挙げられる。

【００２２】上記組成物は、その皮膜を加熱すること、
好ましくは１００〜２５０℃において加熱することによ
り硬化するが、本発明においては、上記組成物は、その
硬化膜の１７０〜２８０ｎｍにおける光学吸収係数とし
て、屈折率が１．５〜２．５で、消衰係数が０．２〜
０．６、好ましくは屈折率が１．６〜２．０、消衰係数
が０．３〜０．４であることが好ましい。

【００２３】この場合、上記組成物の硬化（ハイドロシ
リレーション）は、酸素含有量が１容量％以下、特に５
０ｐｐｍ以下である雰囲気、具体的には窒素やアルゴ
ン、ヘリウム等の不活性雰囲気下あるいは不活性ガス気
流下でハイドロシリレーションを行うことが好ましい。

【００２４】本発明の組成物は、感光性レジスト組成
物、特に紫外線又は電子線感応性レジスト組成物による
レジスト層の下層を形成する。具体的には、基体上にス
ピンコート法等の適宜な方法で上記組成物の皮膜を塗
布、乾燥し、好ましくはこの皮膜を上記のようにして硬
化させた後、その上に感光性レジスト組成物の皮膜を形
成し、常法に従って、露光、現像を行い、本発明の組成
物の硬化膜上にレジストパターンを形成する。次いで、
レジスト層が形成されていない露呈硬化膜部分をハロゲ
ン系ガス、例えば塩素ガスを含むプラズマを用いてエッ
チング、除去し、エッチングパターンを形成する。この
場合、必要によっては、残ったレジスト層と上記硬化膜
をマスクし、常法により露呈基体部分の加工を行うこと
ができる。

【００２５】ここで、基体としては、ＳｉＯ₂系の膜等
を用いることができる。また、上記硬化膜の厚さは、レ
ジスト層の厚さの０．１〜３倍、特に０．５〜２倍とす
ることが好ましい。なお、レジスト組成物は、ポジ型で
あってもネガ型であってもよい。更に、上記露呈硬化膜
部分のエッチングは、プラズマエッチング法によること
が好ましい。なお、このプラズマエッチング法として
は、常法を採用することができる。また更に、上記露呈
基体部分の加工は、硬化膜部分のエッチングとは別のガ
ス組成によるプラズマエッチング法として、常法に従っ
て行うことができる。

【００２６】本発明の上記リソグラフィープロセスによ
れば、基板からの反射を防止し、定在波の発生を防い
で、高解像度を達成すると共に、プラズマエッチングに
より安定性の高いレジストパターンを形成し、レジスト
とのミキシングを防止することができる。この場合、ポ
リシランは紫外線領域に強い光吸収能を持っており、基
板からの反射を防止する材料として適しているばかりで
なく、塩素系ガス等、ハロゲン系ガスプラズマエッチン
グにおいて炭化水素系材料に比べエッチング性に優れ、
微細なパターン転写が容易である。しかし、薄膜を形成
させるために使用できる溶剤は安全性の高い化合物が必
要であるが、レジスト組成物と塗布時のミキシングを防
止できる高重合物にすると安全性の高い溶剤を使用する
ことが困難となる。それに比べ、上記式（１）の中分子
量のケイ素系ポリマーを架橋させることにより、耐溶剤
性の高い、即ちレジスト膜とミキシングしない、即ちレ
ジストパターンにおいて裾引きの生じないパターンが容
易に作成できる。

【００２７】

【発明の効果】本発明により、ラインアンドスペースが
０．２５μｍより微細なパターンのリソグラフィー用の
有機ケイ素系ポリマー膜を与える組成物を、一般のレジ
スト溶媒可溶の組成物として提供することができる。

【００２８】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、下記例において部は重量部を示す。

【００２９】［実施例１］ジルコノセン触媒を用いたフ
ェニルシランの高温脱水素重合反応により、ＭＷ＝３，
２００、ＭＮ＝２，１００のポリ（フェニルシラン）を
得た。このポリマーは、枝分かれ構造が発達しているこ
とを反映して紫外吸収スペクトルでは２５０ｎｍ付近に
ショルダーを示すものの、明確な吸収極大は示さず、２
４８ｎｍにおける消衰係数は０．３５であった。

【００３０】［実施例２］ジフェニルジクロロシラン，
ｐ−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン及びメチル
ジクロロシランを５０％，２５％，２５％のモル比で仕
込み、金属ナトリウムを用いたウルツ反応により有機ケ
イ素ポリマーを得た。このポリマーの分子量はＭＷ＝１
３，１８０、ＭＮ＝５，０７０と高分子でありながら、
その紫外吸収極大は２６２ｎｍであり、２４８ｎｍにお
ける消衰係数は０．３であった。

【００３１】［実施例３］ジフェニルジクロロシラン，
ｐ−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン及びメチル
ジクロロシランを５６％，１９％，２５％のモル比で仕
込み、金属ナトリウムを用いたウルツ反応により有機ケ
イ素ポリマーを得た。このポリマーの分子量はＭＷ＝
８，８８０、ＭＮ＝５，２３０と高分子でありながら、
その紫外吸収極大は２６３ｎｍであり、２４８ｎｍにお
ける消衰係数は０．３であった。

【００３２】［実施例４］ジフェニルジクロロシラン，
ｐ−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン及びメチル
ジクロロシランを６５％，２１％，１４％のモル比で仕
込み、金属ナトリウムを用いたウルツ反応により有機ケ
イ素ポリマーを得た。このポリマーの分子量はＭＷ＝
８，４８０、ＭＮ＝４，７９０と高分子でありながら、
その紫外吸収極大は２６３ｎｍであり、２４８ｎｍにお
ける消衰係数は０．３であった。

【００３３】［実施例５］ジフェニルジクロロシラン，
ｐ−ビス（ジメチルクロロシリル）ベンゼン及びメチル
ジクロロシランを５０％，１９％，３１％のモル比で仕
込み、金属ナトリウムを用いたウルツ反応により有機ケ
イ素ポリマーを得た。このポリマーの分子量はＭＷ＝１
０，０２０、ＭＮ＝４，１８０と高分子でありながら、
その紫外吸収極大は２６０ｎｍであり、２４８ｎｍにお
ける消衰係数は０．３であった。

【００３４】［実施例６］実施例１で得られたポリ（フ
ェニルシラン）１００部、ＭＷ＝２，４００、ＭＮ＝
１，６００のポリ（ビニルフェニル）シラン６０部、ラ
ジカル開始剤ＢＴＴＢ（日本油脂社製）１０部のＰＧＭ
ＥＡ溶液を石英基板上にスピン塗布し、酸素濃度１容量
％以下の雰囲気下で１９０℃，１分間加熱し、架橋、硬
化させた。この膜は、膜厚が０．２μで、ＥＬ（乳酸エ
チル）、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールメチルエー
テルアセテート）などのレジスト溶媒に全く不溶であっ
た。この硬化膜の２４８ｎｍにおける屈折率は１．７０
で消衰係数は０．３であった。また、この硬化膜は、塩
素ガスプラズマによるエッチング速度がレジスト膜の
３．０倍で、パターン転写における形状の保持も良好で
あった。

【００３５】［実施例７］実施例６のビニル基含有ポリ
シラン６０部に代えて、Ａ−ＴＭＰＴ（新中村化学社
製）３０部を使用して組成物を調製し、同様の加熱条件
にて架橋、硬化させた。この膜は、膜厚が０．２μで、
ＥＬ，ＰＧＭＥＡなどのレジスト溶媒に全く不溶であっ
た。この硬化膜の２４８ｎｍにおける屈折率は１．６８
で消衰係数は０．３であった。また、この硬化膜は、塩
素ガスプラズマによるエッチング速度がレジスト膜の
２．９倍で、パターン転写における形状の保持も良好で
あった。

【００３６】［実施例８］実施例６のビニル基含有ポリ
シラン６０部に代えて、ｍ−ジエチニルベンゼン３０部
を使用して組成物を調製し、同様の加熱条件にて架橋、
硬化させた。この膜は、膜厚が０．２μで、ＥＬ，ＰＧ
ＭＥＡなどのレジスト溶媒に全く不溶であった。この硬
化膜の２４８ｎｍにおける屈折率は１．７０で消衰係数
は０．３であった。また、この硬化膜は、塩素ガスプラ
ズマによるエッチング速度がレジスト膜の２．９倍で、
パターン転写における形状の保持も良好であった。

【００３７】［実施例９］実施例２で得られた有機ケイ
素ベースポリマー１００部、架橋剤ＴＲＩＡＭ−７０５
（和光純薬社製）１１部、ラジカル開始剤ＢＴＴＢ（日
本油脂社製）８部を溶剤（アニソール）９００部に溶解
させたものを基板上にスピン塗布後、酸素濃度１容量％
以下の雰囲気下で１９０℃，１分間加熱し、架橋、硬化
させた。この膜は、膜厚が０．２５μで、ＥＬ，ＰＧＭ
ＥＡなどのレジスト溶媒に全く不溶であった。この硬化
膜の２４８ｎｍにおける消衰係数は０．２５であった。
また、この硬化膜は、塩素ガスプラズマによるエッチン
グ速度がレジスト膜の２．５倍で、パターン転写におけ
る形状の保持も良好であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０３ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 濱田 吉隆 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 BC13 BC42 CB33 CC20 DA25 EA10 FA41 4F070 AA59 AC32 AC43 AC44 AC56 AE08 GA04 GA06 GC09 4J002 CP01W CP01X CP011 EA046 EH076 EH146 EK037 EK047 EK057 EQ037 ET007 FD14X FD146 FD157 GP03 4J035 JA01 LA05 LB16 5F046 PA07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるポリシラン
   又はポリシラン−カルボシランコポリマーと、脂肪族不
   飽和基含有化合物と、ハイドロシリレーション用促進剤
   とを含有することを特徴とするレジスト下層用組成物。 ［（Ｒ¹ _aＲ² _bＳｉ）_k（Ｒ³ _cＲ⁴ _dＳｉ）_m（Ｒ⁵ _eＨ_fＳｉ）_nＱ_q］_p …（１） （但し、式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵は置換又は非
   置換の一価炭化水素基、水素原子、水酸基又はハロゲン
   原子を表す。ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれ１≦ａ
   ≦２、０≦ｂ≦２、１≦ａ＋ｂ≦３、０≦ｃ≦２、０≦
   ｄ≦２、０≦ｃ＋ｄ≦２．５、１≦ｅ≦２、０＜ｆ≦
   １、１＜ｅ＋ｆ≦２であり、１≦ｋ＋ｍ＋ｎ≦１０を満
   足し、２≦ｆ×ｎ×ｐである。Ｑは置換又は非置換の二
   価の炭化水素基又は複素環基を表す。ｑは０又は１、ｐ
   は分子量５００〜５００，０００を満足する数であ
   る。）
2. 【請求項２】 脂肪族不飽和基含有化合物が一分子中に
   脂肪族不飽和基を２個以上含む請求項１記載の組成物。
3. 【請求項３】 脂肪族不飽和基がビニル基又はアリル基
   である請求項１又は２記載の組成物。
4. 【請求項４】 ハイドロシリレーション用促進剤が有機
   過酸化物である請求項１，２又は３記載の組成物。
5. 【請求項５】 硬化膜の１７０〜２８０ｎｍにおける光
   学吸収係数が、屈折率１．５〜２．５で消衰係数が０．
   ２〜０．６である請求項１乃至４のいずれか１項記載の
   組成物。
6. 【請求項６】 基体上に請求項１乃至５のいずれか１項
   記載の組成物の皮膜を形成し、これを硬化した後、この
   硬化膜上にレジスト層を形成し、次いでこのレジスト層
   を露光し、現像してレジストパターンを形成した後、露
   呈硬化膜部分をエッチング除去することを特徴とするパ
   ターン形成方法。
7. 【請求項７】 露呈硬化膜部分を除去することにより露
   呈した基体部分を加工するようにした請求項６記載のパ
   ターン形成方法。
8. 【請求項８】 上記硬化膜の形成を酸素含有量が１容量
   ％以下の雰囲気にて１００〜２５０℃の加熱下に行う請
   求項６又は７記載のパターン形成方法。