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JP2001044263A - Substrate carrying method and substrate carrying apparatus - Google Patents

Substrate carrying method and substrate carrying apparatus

Info

Publication number
JP2001044263A
JP2001044263A JP11221365A JP22136599A JP2001044263A JP 2001044263 A JP2001044263 A JP 2001044263A JP 11221365 A JP11221365 A JP 11221365A JP 22136599 A JP22136599 A JP 22136599A JP 2001044263 A JP2001044263 A JP 2001044263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
amount
transport
output data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11221365A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Okamoto
裕昭 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP11221365A priority Critical patent/JP2001044263A/en
Publication of JP2001044263A publication Critical patent/JP2001044263A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to precisely carry a substrate, such as a wafer, specially a substrate having orientation flat or the like, to a previously set reference position, at a high throughput. SOLUTION: Carrying of a substrate is executed by a method, where the substrate is carried to a substrate support part along a prescribed carrying path by a substrate carrying part. In this case, the method consists of processors S1 to S3 of continuously detecting the external shape of the substrate, which is carried, by an optical sensor having the longitudinal direction in the direction orthogonally intersecting the carrying direction of the substrate, processes S4 to S12 of finding the amount of the shift of the reference position of the substrate, where it is set on the carrying path beforehand on the basis of the detected result, from the position of the substrate which is carried, and a process S13 of correcting the amount of the shift of the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板を搬送する方
法、特に半導体基板や液晶基板等が配置された位置を検
出し、予め定められた基準位置に搬送する方法及び搬送
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for transporting a substrate, and more particularly to a method and a transport device for detecting a position where a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate, or the like is disposed, and transporting the substrate to a predetermined reference position.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子製造分野において、ウエハカ
セットと処理装置との間で半導体ウエハ(以下「ウエ
ハ」という)を移動させる場合、ロボットアーム等の搬
送機構によりウエハカセットから半導体ウエハを取り出
して処理装置内部の所定位置に導入し、次に処理が終了
したウエハをウエハカセットに移載して収納している。
2. Description of the Related Art In the field of manufacturing semiconductor devices, when a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") is moved between a wafer cassette and a processing apparatus, the semiconductor wafer is taken out of the wafer cassette by a transfer mechanism such as a robot arm and processed. The wafer is introduced into a predetermined position in the apparatus, and the processed wafer is transferred to and stored in a wafer cassette.

【0003】処理装置ではウエハに対して様々な処理が
行われるため、ウエハは予め定められた位置に正確に搬
送されることが望まれる。従来技術の搬送機構では、例
えば特公平7−27953号公報に開示されているよう
に、搬送経路途中のウエハの上部近傍に複数の光源(光
エミッタ)、下部近傍に該光源に対応する複数の光学セ
ンサをそれぞれ設けている。ロボットアームにより搬送
されるウエハが一対の光源とセンサとを横切ると光源か
らの光が遮られ、通過すると再び光源からの光がセンサ
に入射するようになる。そして、複数のセンサは搬送経
路に沿って設けられているので、搬送されるウエハによ
り次々に光が遮られてゆく。ウエハにより光源からの光
が遮られた瞬間と、通過によりセンサが光を再び受光し
た瞬間とをトリガとして、出力信号を取り込んでいる。
In a processing apparatus, various processes are performed on a wafer. Therefore, it is desired that the wafer be accurately transferred to a predetermined position. In a conventional transfer mechanism, as disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 7-27953, a plurality of light sources (light emitters) are provided near an upper portion of a wafer in the middle of a transfer path, and a plurality of light sources corresponding to the light sources are provided near a lower portion. An optical sensor is provided for each. When the wafer conveyed by the robot arm crosses the pair of light sources and the sensor, the light from the light source is blocked, and when the wafer passes, the light from the light source is incident on the sensor again. Further, since the plurality of sensors are provided along the transfer path, the light is sequentially blocked by the transferred wafer. The output signal is captured by using the trigger at the moment when the light from the light source is blocked by the wafer and at the moment when the sensor receives the light again due to the passage.

【0004】そして、これらの出力信号に基づいて演算
処理を行うことで実際に搬送されているウエハの中心位
置と、予め設定されている基準位置とのズレ(差分)を
算出し、搬送系にフィードバックしてズレ量を相殺する
ことでウエハを基準位置に搬送している。
[0004] Then, by performing arithmetic processing based on these output signals, a deviation (difference) between the center position of the wafer being actually conveyed and a preset reference position is calculated, and the result is sent to the conveyance system. The wafer is transported to the reference position by feeding back and canceling the shift amount.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術の手順では、ウエハの中心位置を算出するための
演算に時間がかかるのでスループットの低下を招いてい
る。また、ウエハには、ウエハの向きを認識するために
所謂オリエンテーション・フラット(以下、「オリフ
ラ」という)と呼ばれる円形のウエハの円弧部分の一部
が直線状に形成されいるもの、又はノッチと呼ばれる切
り欠き部分が円周上に設けられているものがある。そし
て、上記従来技術の方法で、オリフラやノッチを検出し
てその影響を除去するためには、例えば、少なくとも3
組のセンサからの出力信号に基づいて演算処理を行う必
要があるので、演算に時間がかかり、さらなるスループ
ットの低下を招いている。
However, according to the above-mentioned conventional procedure, the calculation for calculating the center position of the wafer takes a long time, so that the throughput is reduced. In addition, a wafer is formed by forming a part of a circular arc portion of a circular wafer in a so-called orientation flat (hereinafter, referred to as “orientation flat”) in order to recognize the orientation of the wafer, or a notch. In some cases, a notch is provided on the circumference. In order to detect the orientation flat and the notch and remove the influence by the method of the related art, for example, at least 3
Since it is necessary to perform arithmetic processing based on output signals from a pair of sensors, it takes a long time to perform the arithmetic operation, which further reduces the throughput.

【0006】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、ウエハ等の基板、特に、オリフラ等を有する基
板を高いスループットで予め設定された基準位置へ正確
に搬送できる基板搬送方法と基板搬送装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and a substrate transport method and a substrate capable of accurately transporting a substrate such as a wafer, in particular, a substrate having an orientation flat or the like, to a predetermined reference position with high throughput. An object is to provide a transport device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板搬送部により所定の搬送経路に沿っ
て基板を基板支持部まで搬送する方法において、搬送さ
れる前記基板の外形状を搬送方向に対して直交する方向
に長手方向を有する光学センサにより連続的に検出する
工程と、前記検出された結果に基づいて、前記搬送経路
において予め設定されている前記基板の基準位置と前記
搬送される基板の位置とのズレ量を求める工程と、前記
基板のズレ量を補正する工程と、からなることを特徴と
する基板搬送方法を提供する。
According to the present invention, there is provided a method for transferring a substrate to a substrate support along a predetermined transfer path by a substrate transfer unit. A step of continuously detecting the shape by an optical sensor having a longitudinal direction in a direction perpendicular to the transport direction, and based on the detected result, a reference position of the substrate preset in the transport path and A method of transporting a substrate, comprising: a step of calculating a deviation amount from a position of the substrate to be transported; and a step of correcting the deviation amount of the substrate.

【0008】また、本発明は、前記基板は円周上の少な
くとも一部に欠け部分を有する円形状であり、前記ズレ
量を求める工程において前記欠け部分を検出し、前記光
学センサの出力データを補正する工程をさらに有するこ
とが望ましい。
Further, according to the present invention, the substrate has a circular shape having a notched portion in at least a part of a circumference thereof. The notched portion is detected in the step of obtaining the shift amount, and output data of the optical sensor is obtained. It is desirable to further include a step of correcting.

【0009】また、本発明では、前記ズレ量を求める工
程は、さらに、前記光学センサからの出力データの2次
微分情報を算出する工程と、前記2次微分情報が少なく
とも2つのピーク値を含む場合に、該2つのピーク値間
の前記出力データを補間する工程と、前記出力データ又
は前記補間された出力データの最小値を求める工程と、
前記最小値と前記基板の搬送方向の移動量とから前記基
板の位置を算出する工程と、前記基準位置と前記算出さ
れた位置との差分を求める工程とを有し、前記ズレ量を
補正する工程は、前記ズレ量に基づいて前記基板搬送部
と前記基板支持部とを相対的に移動する工程を有するこ
とが望ましい。
In the present invention, the step of calculating the amount of deviation further includes a step of calculating secondary differential information of output data from the optical sensor, and the secondary differential information includes at least two peak values. Interpolating the output data between the two peak values, and determining a minimum value of the output data or the interpolated output data,
A step of calculating the position of the substrate from the minimum value and the amount of movement of the substrate in the transport direction; and a step of calculating a difference between the reference position and the calculated position. Preferably, the step includes a step of relatively moving the substrate transport unit and the substrate support unit based on the deviation amount.

【0010】なお、前記光学センサが前記基板により遮
られる光の光量変化を検出する場合は出力データの最小
値を求めることが好ましいが、光学センサが基板による
反射光量の変化を検出する場合は出力データの最大値を
求めることが好ましい。そして、後者の反射光量の変化
を検出する場合は、さらに、出力データの最大値と前記
基板の搬送方向の移動量とから前記基板の位置を算出す
ることが望ましい。
When the optical sensor detects a change in the amount of light blocked by the substrate, it is preferable to obtain the minimum value of the output data. However, when the optical sensor detects a change in the amount of light reflected by the substrate, the output value is determined. It is preferable to find the maximum value of the data. When detecting the latter change in the amount of reflected light, it is preferable to further calculate the position of the substrate from the maximum value of the output data and the amount of movement of the substrate in the transport direction.

【0011】また、本発明は、所定の経路に沿って基板
支持部まで基板を搬送する基板搬送部と、搬送方向に対
して直交する方向に長手方向を有し、搬送される前記基
板の外形状を連続的に検出する光学センサと、前記検出
された結果に基づいて、前記搬送経路において予め設定
されている前記基板の基準位置と前記搬送される基板の
位置とのズレ量を求める演算処理部と、前記基板のズレ
量に基づいて前記基板搬送部と前記基板支持部とを相対
移動させる駆動部とを有することを特徴とする基板搬送
装置を提供する。
Further, the present invention provides a substrate transport section for transporting a substrate along a predetermined path to a substrate support section, wherein the substrate transport section has a longitudinal direction in a direction orthogonal to the transport direction, and is provided outside the substrate to be transported. An optical sensor for continuously detecting a shape, and an arithmetic processing for obtaining a shift amount between a preset reference position of the substrate and a position of the substrate to be conveyed on the conveyance path based on the detected result. And a drive unit configured to relatively move the substrate transfer unit and the substrate support unit based on a displacement amount of the substrate.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態を説明する。図1(a)、(b)は、本発
明の実施の形態にかかる搬送装置の構成を示す図であ
る。図1(a)は、円形状のウエハ2が矢印Dの方向に
搬送されてライン型の光源3Aを横切っている様子を基
板上方(Z方向)から見た図である。図1(b)は斜視
図であり、ウエハカセット(キャリア)1内には上面に
フォトレジストが塗布された複数の円形のウエハが層状
に収納されている。なお、ここでは簡単のため1枚のウ
エハ2のみを図示する。ウエハカセット1は図中Z方向
に上下移動することでウエハ2の鉛直方向の位置が変化
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIGS. 1A and 1B are diagrams illustrating a configuration of a transport device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a diagram illustrating a state in which a circular wafer 2 is transported in the direction of arrow D and crosses a line-shaped light source 3A as viewed from above the substrate (Z direction). FIG. 1B is a perspective view, in which a wafer cassette (carrier) 1 contains a plurality of circular wafers coated with a photoresist on the upper surface in layers. Here, only one wafer 2 is shown for simplicity. The vertical position of the wafer 2 changes as the wafer cassette 1 moves up and down in the Z direction in the figure.

【0013】ロボットアーム4は、駆動部MTにより上
下移動(Z方向)が可能であるとともに、水平面内にお
いて直線運動や回動が可能である。このロボットアーム
4はウエハカセット1内部に移動しウエハ2を載置した
後、ウエハカセット1からウエハ2を取り出す。そし
て、ウエハ2は、搬送経路(方向)Dに沿って所定の基
板支持部5まで搬送される。搬送経路途中のウエハ2の
上部近傍にはライン型の光源3Aと、下部近傍には光源
3Aに対応したライン型の受光センサ3Bとが設けられ
ている。ラインセンサ3Bは、搬送方向Dに対して直交
する方向(Y方向)に長手方向を有し、搬送経路に沿っ
て搬送されるウエハ2の外形を連続的に検出する。図
中、符号Eが付された一点鎖線で示す円は搬送されてい
るウエハ2がセンサ3Bを通過している状態、符号Fが
付された点線で示す円はずれ量が補正され基板支持部5
へ載置される状態をそれぞれ示している。
The robot arm 4 can be moved up and down (Z direction) by a drive unit MT, and can move linearly and rotate in a horizontal plane. The robot arm 4 moves inside the wafer cassette 1 and places the wafer 2 thereon, and then takes out the wafer 2 from the wafer cassette 1. Then, the wafer 2 is transferred to a predetermined substrate supporting unit 5 along a transfer path (direction) D. A line-type light source 3A is provided near the upper part of the wafer 2 in the middle of the transfer path, and a line-type light receiving sensor 3B corresponding to the light source 3A is provided near the lower part. The line sensor 3B has a longitudinal direction in a direction (Y direction) orthogonal to the transfer direction D, and continuously detects the outer shape of the wafer 2 transferred along the transfer path. In the figure, a circle indicated by a dashed line with reference symbol E indicates a state in which the wafer 2 being conveyed is passing through the sensor 3B, and a circle indicated by a dotted line with reference symbol F indicates that the amount of displacement has been corrected and the substrate support portion 5 has been corrected.
The state where it is mounted on each is shown.

【0014】図2は、ウエハ2のX方向の移動量(横
軸)とセンサ3Bの出力信号の強度(縦軸)との関係を
示す図であり、移動量C1の位置で出力が最小値P1とな
っている。ライン型光学センサがフォトダイオードの場
合は、ウエハにより遮られる入射光量の変化は下向きの
凸形状の曲線となる。逆に、ウエハによる反射光量の変
化をプロットすると上向きに凸形状の曲線となる。ま
た、ライン型センサがCCD等の場合、直接的に検出さ
れたウエハ端部の位置が図2に示す出力信号曲線のよう
になる。
[0014] Figure 2 is a diagram showing the relationship between the moving amount in the X direction of the wafer 2 intensity of the output signal of the (horizontal axis) and sensor 3B (the vertical axis), the minimum output at the position of the moving amount C 1 and it has a value P 1. When the line-type optical sensor is a photodiode, the change in the amount of incident light blocked by the wafer is a downwardly convex curve. Conversely, when the change in the amount of light reflected by the wafer is plotted, the curve becomes an upwardly convex curve. When the line-type sensor is a CCD or the like, the position of the wafer edge directly detected is as shown in an output signal curve shown in FIG.

【0015】次に、センサ3Bからの出力信号はメモリ
Mに格納される。そして、演算処理部CPは該メモリM
のデータを読み込んで、後述する一連の演算処理を行う
ことで搬送されているウエハ2の位置を算出する。そし
て、演算処理部CPは予め定められた位置(以下、「基
準位置」という)とウエハ2の実際の位置とのズレ量を
算出し、このズレ量を補正(相殺)するように駆動部M
Tによりアーム4と基板支持部5とを相対移動させる。
この結果、ウエハ2を基準位置に設置することができ
る。
Next, the output signal from the sensor 3B is stored in the memory M. Then, the arithmetic processing unit CP stores the memory M
The position of the wafer 2 being conveyed is calculated by reading the above data and performing a series of arithmetic processing described later. Then, the arithmetic processing unit CP calculates a deviation amount between a predetermined position (hereinafter, referred to as a “reference position”) and the actual position of the wafer 2, and corrects (cancels) the deviation amount by the driving unit M.
The arm 4 and the substrate support 5 are relatively moved by T.
As a result, the wafer 2 can be set at the reference position.

【0016】次に、図3のフローチャートに基づいて上
記手順と演算処理とについて説明する。ステップS1で
ウエハキャリア1からアーム4によりウエハ2が抜き取
られる。そして、駆動部MTによりアーム4が移動させ
られ、ウエハ2は方向Dへ搬送される。ステップS2
で、ライン型光学センサ3Bからの出力信号データと、
ウエハ2の移動量とをメモリMへ連続的に取り込み始め
る。そして、ウエハ2が符号Eで示す位置を通過してい
る状態では、光源3Aからの光はウエハ2により遮光さ
れ光学センサ3Bの受光量が減少する。ステップS3で
は、ウエハ2が光学センサ3B部を通過し終わった時点
又は通過してから一定時間経過後の時点でメモリMへの
出力信号データの書込みを終了する。
Next, the above procedure and calculation processing will be described with reference to the flowchart of FIG. In step S1, the wafer 2 is extracted from the wafer carrier 1 by the arm 4. Then, the arm 4 is moved by the driving unit MT, and the wafer 2 is transferred in the direction D. Step S2
And output signal data from the line-type optical sensor 3B,
The movement amount of the wafer 2 and the movement amount of the wafer 2 are continuously taken into the memory M. Then, when the wafer 2 passes through the position indicated by the symbol E, light from the light source 3A is blocked by the wafer 2 and the amount of light received by the optical sensor 3B decreases. In step S3, the writing of the output signal data to the memory M is completed at the point in time when the wafer 2 has passed through the optical sensor 3B or at a point in time after a lapse of a predetermined time.

【0017】次に説明するステップS4からステップS
9までは、ウエハ2がオリフラやノッチ等を有している
場合であっても、正確にウエハ2の位置(アーム4上の
ウエハ2の位置)を算出するための演算処理手順を示し
ている。演算処理部CPはメモリMに格納されたデータ
を読み出し(ステップS4)、そのデータの2次微分
(差分)情報を算出する。演算処理部CPは、予め設定
されているスレッショルド・レベル(閾値)と2次微分
情報とを比較し、スレッショルド・レベルよりも大きな
値の2次微分情報を求める(ステップ6)。スレッショ
ルド・レベルよりも大きな値の2次微分情報が連続して
存在している場合には、それら連続している値を一つの
グループとして、そのグループの数Gを検出する(ステ
ップ7)。
Steps S4 to S4 described next
9 shows an arithmetic processing procedure for accurately calculating the position of the wafer 2 (the position of the wafer 2 on the arm 4) even when the wafer 2 has an orientation flat or a notch. . The arithmetic processing unit CP reads the data stored in the memory M (step S4), and calculates secondary differential (difference) information of the data. The arithmetic processing unit CP compares a preset threshold level (threshold) with the second derivative information, and obtains second derivative information having a value larger than the threshold level (step 6). If the second derivative information having a value larger than the threshold level exists continuously, the continuous values are regarded as one group, and the number G of the group is detected (step 7).

【0018】グループの数Gがゼロの場合(G=0)
は、光学センサ3Bで連続的に検出した範囲の外にオリ
フラ(図3中では「OF」と略称する)等が存在してい
る。また、グループの数Gが1の場合(G=1)は、光
学センサ3Bで連続的に検出した範囲の端にオリフラ等
が存在している。さらに、グループの数Gが2の場合
(G=0)は、光学センサ3Bで連続的に検出した範囲
の中にオリフラ等が存在している。
When the number G of groups is zero (G = 0)
Has an orientation flat (abbreviated as “OF” in FIG. 3) outside the range continuously detected by the optical sensor 3B. When the number G of groups is 1 (G = 1), an orientation flat or the like exists at the end of the range continuously detected by the optical sensor 3B. Further, when the number G of groups is 2 (G = 0), the orientation flat or the like exists in the range continuously detected by the optical sensor 3B.

【0019】これらグループの数Gとオリフラ等の検出
位置との関係を図4及び図5に基づいて説明する。図4
及び図5において、横軸は搬送されるウエハの移動量、
太い実線SOはセンサの出力信号(左側縦軸:単位は任
意)、細い実線DFは2次微分値(右側縦軸:単位は任
意)をそれぞれ示している。そして、所定のスレッショ
ルド・レベル(不図示)を超える2次微分値はPK1と
PK2との2つ存在しているので、グループの数G=2
である。図4におけるピーク値PK1とPK2との位置
は搬送されているウエハ2のオリフラ部がセンサ3Bを
通過し始める位置と通過し終わった位置とに対応し、図
5におけるピーク値PK1とPK2との位置は搬送され
ているウエハ2のノッチ部がセンサ3Bを通過し始める
位置と通過し終わった位置とに対応している。
The relationship between the number G of these groups and the detection position of the orientation flat will be described with reference to FIGS. FIG.
5 and FIG. 5, the horizontal axis represents the movement amount of the transferred wafer,
The thick solid line SO indicates the output signal of the sensor (left vertical axis: arbitrary unit), and the thin solid line DF indicates the second derivative (right vertical axis: arbitrary unit). Since there are two secondary differential values exceeding a predetermined threshold level (not shown), PK1 and PK2, the number of groups G = 2
It is. The positions of the peak values PK1 and PK2 in FIG. 4 correspond to the position where the orientation flat portion of the wafer 2 being conveyed starts passing through the sensor 3B and the position where the orientation flat portion has passed, and the peak values PK1 and PK2 in FIG. The positions correspond to the position where the notch portion of the wafer 2 being conveyed starts to pass through the sensor 3B and the position where it passes.

【0020】そして、オリフラ部などがセンサ検出の範
囲外又は範囲の端に存在する場合は、センサ出力SOを
そのまま使用してセンサ出力最小値P1とその時のウエ
ハ移動量C1とを求めることができる(ステップ8)。
これに対して、オリフラ部などがセンサ検出範囲内に存
在する場合(図4、図5)は、オリフラ部を除いた部分
に対応するセンサ出力値を用いて当該オリフラ部分を例
えば6次等の多項式で近似することで補間する(ステッ
プ9)。図4、図5における点線部分が補間されたデー
タである。そして、多項式で近似した曲線の最小値P1
とその時のウエハ移動量C1とを算出する(ステップ1
0)。
If the orientation flat is outside or at the end of the sensor detection range, the sensor output SO is used as it is to determine the sensor output minimum value P 1 and the wafer movement amount C 1 at that time. (Step 8).
On the other hand, when the orientation flat portion or the like exists in the sensor detection range (FIGS. 4 and 5), the orientation flat portion is classified into, for example, the sixth order by using the sensor output value corresponding to the portion excluding the orientation flat portion. Interpolation is performed by approximation with a polynomial (step 9). 4 and 5 indicate the interpolated data. Then, the minimum value P1 of the curve approximated by the polynomial
Calculating a and the wafer moving amount C 1 at that time (Step 1
0).

【0021】次に、ステップ11において、次式(1)
によりセンサ3Bの出力値P1をセンサ3Bの遮光部分
の長さに換算する。なお、搬送方向(X方向)のウエハ
位置X1は搬送アームの移動量C1にそのまま対応してい
る。 (1) Y1=L×(Pmax−P1)/Pmax ここで、Pmaxは全く遮光されていない時のセンサの出
力値、P1はセンサ出力の最小値、Lはセンサの有効長
さをそれぞれ示している。
Next, in step 11, the following equation (1)
Converting the output value P 1 of the sensor 3B to the length of the light shielding portion of the sensor 3B by. Incidentally, the wafer position X 1 of the conveying direction (X-direction) corresponds directly to the amount of movement C 1 of the conveying arm. (1) Y 1 = L × (P max −P 1 ) / P max Here, P max is the output value of the sensor when no light is shielded, P 1 is the minimum value of the sensor output, and L is the validity of the sensor. The length is indicated respectively.

【0022】そして、予め定められているウエハの基準
位置座標を(Xstd、Ystd)としたとき、該基準位置座
標からのウエハのズレ量(ΔX、ΔY)を次式(2)に
より算出する(ステップ12)。 (2) ΔX=X1−Xstd ΔY=Y1−Ystd ここで、Ystdはウエハが基準位置にあるときに遮光さ
れるセンサの長さを示している。
When the predetermined wafer reference position coordinates are (X std , Y std ), the wafer deviation amounts (ΔX, ΔY) from the reference position coordinates are calculated by the following equation (2). (Step 12). (2) ΔX = X 1 −X std ΔY = Y 1 −Y std Here, Y std indicates the length of the sensor that is shielded from light when the wafer is at the reference position.

【0023】そして、アーム4から基板支持部5へウエ
ハ2を受け渡す際に、上記ズレ量(ΔX,ΔY)を相殺
してゼロとなるように駆動部MTはアーム4と基板支持
部5とを相対的に移動する。この結果、ウエハ2を所定
の基準位置に搬送することができる。
When transferring the wafer 2 from the arm 4 to the substrate support 5, the drive unit MT makes the arm 4 and the substrate support 5 move so that the above-mentioned displacement amounts (ΔX, ΔY) are canceled out to be zero. Move relatively. As a result, the wafer 2 can be transferred to a predetermined reference position.

【0024】ところで、ウエハ2が搬送方向Dに直線状
に搬送される場合を説明したが、ウエハ2がウエハキャ
リア1から抜き取られた後、円弧状の経路に沿って基板
支持部5まで搬送される場合でも本発明を適用すること
ができる。さらに、上記実施形態では半導体素子の製造
に用いられるウエハの搬送に本発明を適用している。し
かしながら、本発明はこれに限られるものではなく、レ
チクルや液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に
用いられるガラスプレート、薄膜磁気ヘッドの製造に用
いられるセラミックウエハ等の搬送にも本発明を適用す
ることができる。また、以上説明した実施形態は、本発
明の理解を容易にするために記載されたものであって、
本発明を限定するために記載されたものではない。従っ
て、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物を含む趣旨であ
る。
The case where the wafer 2 is transferred linearly in the transfer direction D has been described. However, after the wafer 2 is extracted from the wafer carrier 1, the wafer 2 is transferred to the substrate support 5 along an arcuate path. The present invention can be applied to such cases. Further, in the above embodiment, the present invention is applied to the transfer of a wafer used for manufacturing a semiconductor device. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is also applied to transport of a glass plate used for manufacturing a display including a reticle or a liquid crystal display element, a ceramic wafer used for manufacturing a thin-film magnetic head, and the like. be able to. The embodiments described above are described to facilitate understanding of the present invention,
It is not intended to limit the invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を搬送している状態で連続的に基板の外形を光学セ
ンサで検出し、その光学センサ出力の最小値を算出する
ことで基板の位置を求めている。従って、簡単な演算処
理により高いスループットで効率良く基板を予め設定さ
れた基準位置へ正確に搬送できる。また、複数のセンサ
を使用せずに1組の光源(発光部)と光学センサ(受光
部)のみでオリフラやノッチを検出することが可能なの
で、光学センサで検出した範囲内のオリフラやノッチの
有無に関わらず基板の位置を簡便に検出できる。従っ
て、円形状の基板の円周に欠け部分が存在しても正確に
所定の基準位置へ搬送することができる。
As described above, according to the present invention,
While the substrate is being conveyed, the outer shape of the substrate is continuously detected by an optical sensor, and the position of the substrate is obtained by calculating the minimum value of the output of the optical sensor. Therefore, the substrate can be accurately and efficiently transported to the preset reference position with high throughput by simple arithmetic processing. Further, since the orientation flat and the notch can be detected only by one set of light source (light emitting portion) and optical sensor (light receiving portion) without using a plurality of sensors, the orientation flat and the notch within the range detected by the optical sensor can be detected. Regardless of the presence or absence, the position of the substrate can be easily detected. Therefore, even if there is a chipped portion on the circumference of the circular substrate, the substrate can be accurately conveyed to a predetermined reference position.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は光源と基板との関係を上方(Z方向)
から見た図、(b)は本発明の実施形態にかかる基板搬
送装置の斜視図である。
FIG. 1A shows the relationship between a light source and a substrate in an upward direction (Z direction).
FIG. 2B is a perspective view of the substrate transfer apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図2】光学センサ3Bの出力波形を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an output waveform of an optical sensor 3B.

【図3】本発明にかかる基板搬送方法のフローチャート
図である。
FIG. 3 is a flowchart of a substrate transfer method according to the present invention.

【図4】オリフラ部を有するウエハを搬送した時のセン
サ出力波形の例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a sensor output waveform when a wafer having an orientation flat portion is transferred.

【図5】ノッチ部を有するウエハを搬送した時のセンサ
出力波形の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a sensor output waveform when a wafer having a notch portion is transferred.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハキャリア 2 ウエハ 3A 光源 3B ライン型光学センサ 4 アーム 5 基板支持部 M メモリ CP 演算処理部 MT 駆動部 Reference Signs List 1 wafer carrier 2 wafer 3A light source 3B line-type optical sensor 4 arm 5 substrate support unit M memory CP arithmetic processing unit MT drive unit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板搬送部により所定の搬送経路に沿っ
て基板を基板支持部まで搬送する方法において、 搬送される前記基板の外形状を搬送方向に対して直交す
る方向に長手方向を有する光学センサにより連続的に検
出する工程と、 前記検出された結果に基づいて、前記搬送経路において
予め設定されている前記基板の基準位置と前記搬送され
る基板の位置とのズレ量を求める工程と、 前記基板のズレ量を補正する工程と、からなることを特
徴とする基板搬送方法。
1. A method for transporting a substrate to a substrate supporter along a predetermined transport path by a substrate transporter, wherein the optical device has a longitudinal direction in a direction perpendicular to a transport direction of an outer shape of the substrate to be transported. Continuously detecting by a sensor; and, based on the detected result, obtaining a shift amount between a preset reference position of the substrate on the transport path and a position of the transported substrate. Correcting the amount of displacement of the substrate.
【請求項2】 前記基板は円周上の少なくとも一部に欠
け部分を有する円形状であり、前記ズレ量を求める工程
において前記欠け部分を検出し、前記光学センサの出力
データを補正する工程をさらに有することを特徴とする
請求項1記載の基板搬送方法。
2. The method according to claim 1, wherein the substrate has a circular shape having a notched portion in at least a part of a circumference thereof, and a step of detecting the notched portion and correcting output data of the optical sensor in the step of obtaining the shift amount. 2. The method according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 前記ズレ量を求める工程は、さらに、 前記光学センサからの出力データの2次微分情報を算出
する工程と、 前記2次微分情報が少なくとも2つのピーク値を含む場
合に、該2つのピーク値間の前記出力データを補間する
工程と、 前記出力データ又は前記補間された出力データの最小値
を求める工程と、 前記最小値と前記基板の搬送方向の移動量とから前記基
板の位置を算出する工程と、 前記基準位置と前記算出された位置との差分を求める工
程とを有し、 前記ズレ量を補正する工程は、前記ズレ量に基づいて前
記基板搬送部と前記基板支持部とを相対的に移動する工
程を有することを特徴とする請求項1又は2記載の基板
搬送方法。
3. The method of claim 2, further comprising: calculating secondary differential information of output data from the optical sensor; and determining the secondary differential information when the secondary differential information includes at least two peak values. Interpolating the output data between two peak values; obtaining the minimum value of the output data or the interpolated output data; and calculating the minimum value and the amount of movement of the substrate in the transport direction of the substrate. A step of calculating a position, and a step of calculating a difference between the reference position and the calculated position, wherein the step of correcting the shift amount is performed based on the shift amount. 3. The method according to claim 1, further comprising the step of relatively moving the unit.
【請求項4】 所定の経路に沿って基板支持部まで基板
を搬送する基板搬送部と、 搬送方向に対して直交する方向に長手方向を有し、搬送
される前記基板の外形状を連続的に検出する光学センサ
と、 前記検出された結果に基づいて、前記搬送経路において
予め設定されている前記基板の基準位置と前記搬送され
る基板の位置とのズレ量を求める演算処理部と、 前記基板のズレ量に基づいて前記基板搬送部と前記基板
支持部とを相対移動させる駆動部とを有することを特徴
とする基板搬送装置。
4. A substrate transport section for transporting a substrate to a substrate support section along a predetermined path, and a longitudinal direction in a direction orthogonal to the transport direction. An arithmetic processing unit that calculates a deviation amount between a preset reference position of the substrate and a position of the conveyed substrate in the conveyance path based on the detected result; A substrate transport apparatus, comprising: a drive unit that relatively moves the substrate transport unit and the substrate support unit based on a displacement amount of the substrate.
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