JP2000307212A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- JP2000307212A JP2000307212A JP11112289A JP11228999A JP2000307212A JP 2000307212 A JP2000307212 A JP 2000307212A JP 11112289 A JP11112289 A JP 11112289A JP 11228999 A JP11228999 A JP 11228999A JP 2000307212 A JP2000307212 A JP 2000307212A
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成でフリップチップ実装用の微細ピ
ッチの電極を容易に形成し、さらに信頼性を高める。 【解決手段】 コア材30の表面の銅箔をエッチングし
て微細な内層導体パターン31を形成する。その表面部
に、銅箔35を貼着したプリプレグ材からなる絶縁層3
2を設ける。スルーホール29の穴あけ加工を行ない、
銅箔35の表面及びスルーホール29の内面に銅めっき
層36を形成する。テンティング法により、電極28を
含む表層導体パターン33を形成する。レーザ加工によ
り絶縁層32に開口部32aを形成し、フリップチップ
実装用の電極27とする。ソルダレジスト層を34を設
けて導体部の表面処理を行なう。この多層プリント配線
基板21の電極27に、半導体ベアチップをフリップチ
ップ実装し、電極28に表面実装部品をはんだ付けし、
スルーホール29にリード挿入型部品をはんだ付けす
る。
ッチの電極を容易に形成し、さらに信頼性を高める。 【解決手段】 コア材30の表面の銅箔をエッチングし
て微細な内層導体パターン31を形成する。その表面部
に、銅箔35を貼着したプリプレグ材からなる絶縁層3
2を設ける。スルーホール29の穴あけ加工を行ない、
銅箔35の表面及びスルーホール29の内面に銅めっき
層36を形成する。テンティング法により、電極28を
含む表層導体パターン33を形成する。レーザ加工によ
り絶縁層32に開口部32aを形成し、フリップチップ
実装用の電極27とする。ソルダレジスト層を34を設
けて導体部の表面処理を行なう。この多層プリント配線
基板21の電極27に、半導体ベアチップをフリップチ
ップ実装し、電極28に表面実装部品をはんだ付けし、
スルーホール29にリード挿入型部品をはんだ付けす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ実
装用の微細ピッチの電極を有する配線基板及びその製造
方法に関する。
装用の微細ピッチの電極を有する配線基板及びその製造
方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】例えば半導体ベアチッ
プを配線基板に直接実装する技術として、近年、フリッ
プチップ実装の技術が発展してきており、この場合、多
層プリント配線基板に対し、他の表面実装部品やリード
挿入型部品等と共に、半導体ベアチップを実装すること
も行なわれている。この種の多層プリント配線基板とし
て、従来より、サブトラクティブ法により製造されるも
のがある。
プを配線基板に直接実装する技術として、近年、フリッ
プチップ実装の技術が発展してきており、この場合、多
層プリント配線基板に対し、他の表面実装部品やリード
挿入型部品等と共に、半導体ベアチップを実装すること
も行なわれている。この種の多層プリント配線基板とし
て、従来より、サブトラクティブ法により製造されるも
のがある。
【0003】このものは、図8及び図9に例示するよう
に、コア材1の表面(上下両面)に、銅箔からなる内層
導体パターン2を形成し、その表面に銅箔3付きの絶縁
層4を設け、この後スルーホール用の穴加工を行ない全
体に銅めっき5を施してスルーホール6を形成し、その
銅めっき5が施された銅箔3に対するエッチングによ
り、表層導体パターン7を形成し、更にソルダレジスト
8を形成するものである。このとき、表層導体パターン
7から、フリップチップ実装用の電極9や表面実装部品
用の電極10が形成されるようになっている。
に、コア材1の表面(上下両面)に、銅箔からなる内層
導体パターン2を形成し、その表面に銅箔3付きの絶縁
層4を設け、この後スルーホール用の穴加工を行ない全
体に銅めっき5を施してスルーホール6を形成し、その
銅めっき5が施された銅箔3に対するエッチングによ
り、表層導体パターン7を形成し、更にソルダレジスト
8を形成するものである。このとき、表層導体パターン
7から、フリップチップ実装用の電極9や表面実装部品
用の電極10が形成されるようになっている。
【0004】ところで、半導体チップに設けられる電極
(バンプ)は、例えば、直径が100μmものが、14
0μmのピッチで多数個並ぶといった微細なものとなっ
ている。しかしながら、上記構成では、図9に拡大して
示すように、表層導体パターン7は、銅箔3と銅めっき
5の層との二層構造となって厚み寸法が比較的大きい
(例えば32μm以上)ため、フリップチップ実装用の
電極9をエッチング加工によって微細なパターンに形成
することは難かしいという欠点があった。
(バンプ)は、例えば、直径が100μmものが、14
0μmのピッチで多数個並ぶといった微細なものとなっ
ている。しかしながら、上記構成では、図9に拡大して
示すように、表層導体パターン7は、銅箔3と銅めっき
5の層との二層構造となって厚み寸法が比較的大きい
(例えば32μm以上)ため、フリップチップ実装用の
電極9をエッチング加工によって微細なパターンに形成
することは難かしいという欠点があった。
【0005】また、別の従来例として、図10及び図1
1に示すような、アディティブ法により製造されるもの
もあった。このものは、コア材1上の内層導体パターン
2の表面に、エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層11を設
け、さらにその上面に感光性のエポキシ樹脂等からなる
永久レジスト12を設け、この永久レジスト12をマス
クとするようにして無電解めっきにより銅めっき13を
形成し、その銅めっき13により、フリップチップ実装
用の電極14や表面実装部品用の電極15を形成するも
のである。
1に示すような、アディティブ法により製造されるもの
もあった。このものは、コア材1上の内層導体パターン
2の表面に、エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層11を設
け、さらにその上面に感光性のエポキシ樹脂等からなる
永久レジスト12を設け、この永久レジスト12をマス
クとするようにして無電解めっきにより銅めっき13を
形成し、その銅めっき13により、フリップチップ実装
用の電極14や表面実装部品用の電極15を形成するも
のである。
【0006】この方法によれば、電極14を微細なパタ
ーンで形成することが可能となる。ところが、この構成
では、絶縁樹脂層11及び永久レジスト12の強度が小
さいため、冷熱衝撃によってクラックやはがれ等が発生
する虞があり、このため、車載用など比較的過酷な環境
で使用されるものに適用するには至っておらず、信頼性
に劣る不具合があった。
ーンで形成することが可能となる。ところが、この構成
では、絶縁樹脂層11及び永久レジスト12の強度が小
さいため、冷熱衝撃によってクラックやはがれ等が発生
する虞があり、このため、車載用など比較的過酷な環境
で使用されるものに適用するには至っておらず、信頼性
に劣る不具合があった。
【0007】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、簡単な構成でフリップチップ実装用の
微細ピッチの電極を容易に形成することができ、しかも
信頼性に優れる配線基板及びその製造方法を提供するに
ある。
で、その目的は、簡単な構成でフリップチップ実装用の
微細ピッチの電極を容易に形成することができ、しかも
信頼性に優れる配線基板及びその製造方法を提供するに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、フ
リップチップ実装用の電極を、コア材の表面に位置する
非めっき状態の内層導体パターンを、その表面を覆う絶
縁層を開口させて露出させることにより設けたところに
特徴を有する(請求項1の発明)。これによれば、フリ
ップチップ実装用の電極となる内層導体パターンは、表
面にめっき層が形成されず、厚みが薄い状態で、微細な
パターンに加工することが可能となる。また、アディテ
ィブ法と異なり、強度の十分に高い絶縁層とすることが
可能となる。従って、簡単な構成でフリップチップ実装
用の微細ピッチの電極を容易に形成することができ、し
かも信頼性に優れるという効果を得ることができる。
リップチップ実装用の電極を、コア材の表面に位置する
非めっき状態の内層導体パターンを、その表面を覆う絶
縁層を開口させて露出させることにより設けたところに
特徴を有する(請求項1の発明)。これによれば、フリ
ップチップ実装用の電極となる内層導体パターンは、表
面にめっき層が形成されず、厚みが薄い状態で、微細な
パターンに加工することが可能となる。また、アディテ
ィブ法と異なり、強度の十分に高い絶縁層とすることが
可能となる。従って、簡単な構成でフリップチップ実装
用の微細ピッチの電極を容易に形成することができ、し
かも信頼性に優れるという効果を得ることができる。
【0009】この場合、前記内層導体パターンを、コア
材の表面に設けられた金属箔を微細パターン加工して構
成することができる(請求項2の発明)。これによれ
ば、通常用いられる材料を使用することができ、内層導
体パターンの微細なパターン加工を可能としながらも、
安価に済ませることができる。
材の表面に設けられた金属箔を微細パターン加工して構
成することができる(請求項2の発明)。これによれ
ば、通常用いられる材料を使用することができ、内層導
体パターンの微細なパターン加工を可能としながらも、
安価に済ませることができる。
【0010】そして、本発明の配線基板の製造方法は、
請求項1又は2記載の配線基板を製造するための方法に
あって、コア材の表面に内層導体パターンを形成する工
程と、前記内層導体パターンの表面を絶縁層で覆った状
態でスルーホールめっきを行なう工程と、マウント領域
に対応する部分の絶縁層を露出させる工程と、その絶縁
層のうち電極部分を開口させて前記内層導体パターンを
露出させる工程とを含むところに特徴を有する(請求項
3の発明)。
請求項1又は2記載の配線基板を製造するための方法に
あって、コア材の表面に内層導体パターンを形成する工
程と、前記内層導体パターンの表面を絶縁層で覆った状
態でスルーホールめっきを行なう工程と、マウント領域
に対応する部分の絶縁層を露出させる工程と、その絶縁
層のうち電極部分を開口させて前記内層導体パターンを
露出させる工程とを含むところに特徴を有する(請求項
3の発明)。
【0011】これによれば、現行のサブトラクティブ法
に比較して、特に複雑な工程や高価な材料を追加するこ
となく、簡単な構成でフリップチップ実装用の微細ピッ
チの電極を容易に形成することができ、しかも信頼性に
優れる配線基板を製造することができる。また、このと
き、前記絶縁層を開口させる工程は、レーザ加工により
行うことが好ましく(請求項4の発明)、これにより、
微細な開口を精度良く形成することが可能となる。
に比較して、特に複雑な工程や高価な材料を追加するこ
となく、簡単な構成でフリップチップ実装用の微細ピッ
チの電極を容易に形成することができ、しかも信頼性に
優れる配線基板を製造することができる。また、このと
き、前記絶縁層を開口させる工程は、レーザ加工により
行うことが好ましく(請求項4の発明)、これにより、
微細な開口を精度良く形成することが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を多層プリント配線
基板に適用した一実施例について、図1ないし図7を参
照しながら説明する。図1及び図2は、本実施例に係る
配線基板たる多層プリント配線基板21の構成を示して
おり、図3及び図4は、その多層プリント配線基板21
に部品、この場合半導体チップ(ベアチップ)22、複
数個の表面実装部品23、リード挿入型部品24を実装
した様子を示している。
基板に適用した一実施例について、図1ないし図7を参
照しながら説明する。図1及び図2は、本実施例に係る
配線基板たる多層プリント配線基板21の構成を示して
おり、図3及び図4は、その多層プリント配線基板21
に部品、この場合半導体チップ(ベアチップ)22、複
数個の表面実装部品23、リード挿入型部品24を実装
した様子を示している。
【0013】このとき、図3及び図4に示すように、前
記半導体チップ22は、配線基板21の図で上面左側の
マウント領域25に、フリップチップ実装されるように
なっている。図5にも示すように、この半導体チップ2
2の実装面には、周辺部に矩形状に並ぶようにして、多
数個(例えば一辺に40個)の電極22aが設けられ、
各電極22aには、バンプ26が設けられるようになっ
ている。この場合、図5に示すように、前記電極22a
(バンプ26)の一辺(直径)の寸法aは、例えば10
0μm、形成ピッチbが例えば140μmとされてい
る。尚、図4に示すように、半導体チップ22の実装面
には、電極22aを除いて保護膜22bが形成されてい
る。
記半導体チップ22は、配線基板21の図で上面左側の
マウント領域25に、フリップチップ実装されるように
なっている。図5にも示すように、この半導体チップ2
2の実装面には、周辺部に矩形状に並ぶようにして、多
数個(例えば一辺に40個)の電極22aが設けられ、
各電極22aには、バンプ26が設けられるようになっ
ている。この場合、図5に示すように、前記電極22a
(バンプ26)の一辺(直径)の寸法aは、例えば10
0μm、形成ピッチbが例えば140μmとされてい
る。尚、図4に示すように、半導体チップ22の実装面
には、電極22aを除いて保護膜22bが形成されてい
る。
【0014】詳しくは後述するように、前記多層プリン
ト配線基板21の上面部には、前記マウント領域25に
位置して前記半導体チップ22の各電極22a(バンプ
26)が接続される電極27が形成されている。この電
極27は、前記半導体チップ22の各電極22aに対応
して微細ピッチで形成されている。また、この多層プリ
ント配線基板21には、前記表面実装部品23が接続さ
れる電極28が上下両面に形成されると共に、図1で右
端部に位置して前記リード挿入型部品24が実装される
めっきスルーホール29が形成されている。
ト配線基板21の上面部には、前記マウント領域25に
位置して前記半導体チップ22の各電極22a(バンプ
26)が接続される電極27が形成されている。この電
極27は、前記半導体チップ22の各電極22aに対応
して微細ピッチで形成されている。また、この多層プリ
ント配線基板21には、前記表面実装部品23が接続さ
れる電極28が上下両面に形成されると共に、図1で右
端部に位置して前記リード挿入型部品24が実装される
めっきスルーホール29が形成されている。
【0015】さて、前記多層プリント配線基板21の構
成について詳述する。図1に示すように、この多層プリ
ント配線基板21は、例えばガラスエポキシ材料からな
り厚み寸法が例えば0.2〜1.2mmのコア材30の表
面(上下両面)に、内層導体パターン31と、この内層
導体パターン31の表面部を覆う絶縁層32と、この絶
縁層32の表面部に形成された表層導体パターン33
と、最外層に位置する厚み寸法が例えば50μmのソル
ダレジスト層34とを有して構成されている。
成について詳述する。図1に示すように、この多層プリ
ント配線基板21は、例えばガラスエポキシ材料からな
り厚み寸法が例えば0.2〜1.2mmのコア材30の表
面(上下両面)に、内層導体パターン31と、この内層
導体パターン31の表面部を覆う絶縁層32と、この絶
縁層32の表面部に形成された表層導体パターン33
と、最外層に位置する厚み寸法が例えば50μmのソル
ダレジスト層34とを有して構成されている。
【0016】後の製造方法の説明でも述べるように、前
記内層導体パターン31は、前記コア材30の表面に貼
着された厚み寸法が例えば12μmの金属箔たる銅箔に
対し、エッチングにより所定の微細パターン加工を行な
って構成されるようになっている。そして、前記絶縁層
32は、例えばガラスエポキシ系やアラミドエポキシ系
のプリプレグ材を硬化させて構成され、厚み寸法が例え
ば20μmとされている。このとき、図2にも示すよう
に、前記フリップチップ実装用の電極27は、前記内層
導体パターン31に形成され、その上面を覆う前記絶縁
層32に開口部32aを形成して露出させることにより
設けられるようになっている。
記内層導体パターン31は、前記コア材30の表面に貼
着された厚み寸法が例えば12μmの金属箔たる銅箔に
対し、エッチングにより所定の微細パターン加工を行な
って構成されるようになっている。そして、前記絶縁層
32は、例えばガラスエポキシ系やアラミドエポキシ系
のプリプレグ材を硬化させて構成され、厚み寸法が例え
ば20μmとされている。このとき、図2にも示すよう
に、前記フリップチップ実装用の電極27は、前記内層
導体パターン31に形成され、その上面を覆う前記絶縁
層32に開口部32aを形成して露出させることにより
設けられるようになっている。
【0017】また、前記表層導体パターン33は、前記
絶縁層32の表面に貼着された厚み寸法が例えば12μ
mの銅箔35と、この銅箔35の表面に形成された厚み
寸法が例えば20μmの銅めっき層36との2層構造か
らなり、エッチングにより所定のパターンに形成される
ようになっている。このとき、前記電極28は、この表
層導体パターン33に設けられるようになっている。ま
た、前記銅めっき層36が前記スルーホール29の内周
面を覆い、上下両面側の表層導体パターン33を電気的
に接続するようになっている。
絶縁層32の表面に貼着された厚み寸法が例えば12μ
mの銅箔35と、この銅箔35の表面に形成された厚み
寸法が例えば20μmの銅めっき層36との2層構造か
らなり、エッチングにより所定のパターンに形成される
ようになっている。このとき、前記電極28は、この表
層導体パターン33に設けられるようになっている。ま
た、前記銅めっき層36が前記スルーホール29の内周
面を覆い、上下両面側の表層導体パターン33を電気的
に接続するようになっている。
【0018】次に、上記した多層プリント配線基板21
の製造方法について述べる。図6及び図7は、多層プリ
ント配線基板21の製造工程を順に示しており、この場
合、便宜上(紙面の都合上)2つの図に分けて示してい
る。即ち、まず、図6(a)に示すように、上下両面に
銅箔が貼付けられているコア材30に対し、内層導体パ
ターン31を形成する工程が実行される。この工程は、
銅箔の表面に設けられた感光レジストにフォト法により
所定のパターンを形成し、エッチングするといった周知
の方法により行なわれる。このとき、非めっき状態の厚
みの薄い銅箔をエッチングするものであるから、内層導
体パターン31の電極27部分の微細なパターンの加工
が可能となる。
の製造方法について述べる。図6及び図7は、多層プリ
ント配線基板21の製造工程を順に示しており、この場
合、便宜上(紙面の都合上)2つの図に分けて示してい
る。即ち、まず、図6(a)に示すように、上下両面に
銅箔が貼付けられているコア材30に対し、内層導体パ
ターン31を形成する工程が実行される。この工程は、
銅箔の表面に設けられた感光レジストにフォト法により
所定のパターンを形成し、エッチングするといった周知
の方法により行なわれる。このとき、非めっき状態の厚
みの薄い銅箔をエッチングするものであるから、内層導
体パターン31の電極27部分の微細なパターンの加工
が可能となる。
【0019】次いで、図6(b)に示すように、表面全
体に予め銅箔35を貼着したプリプレグ材を、前記内層
導体パターン31が形成されたコア材30の上下両面に
対し熱圧着する工程が行なわれ、絶縁層32及びその表
面の銅箔35の層が設けられる。次に、図6(c)に示
すように、ドリル等によるスルーホール29の穴あけ加
工が行われ、この後、図6(d)に示すように、銅めっ
きの工程が実行され、銅箔35の表面及びスルーホール
29の内面に銅めっき層36が形成される。
体に予め銅箔35を貼着したプリプレグ材を、前記内層
導体パターン31が形成されたコア材30の上下両面に
対し熱圧着する工程が行なわれ、絶縁層32及びその表
面の銅箔35の層が設けられる。次に、図6(c)に示
すように、ドリル等によるスルーホール29の穴あけ加
工が行われ、この後、図6(d)に示すように、銅めっ
きの工程が実行され、銅箔35の表面及びスルーホール
29の内面に銅めっき層36が形成される。
【0020】そして、図7(a)に示すように、前記銅
めっき層36及び銅箔35のうちの不要部をエッチング
により除去して、電極28を含む表層導体パターン33
を形成する工程が実行される。この工程は、例えばドラ
イフィルムをマスクとして銅をエッチングするテンティ
ング法を用いることができ、あるいは、所定パターンに
はんだめっきを施した後、そのはんだめっき層をマスク
としてエッチングを行なうはんだ剥離法を用いることが
できる。このとき、半導体チップ22のマウント領域2
5については、全体的に銅めっき層36及び銅箔35が
除去され、絶縁層32が露呈するようになる。
めっき層36及び銅箔35のうちの不要部をエッチング
により除去して、電極28を含む表層導体パターン33
を形成する工程が実行される。この工程は、例えばドラ
イフィルムをマスクとして銅をエッチングするテンティ
ング法を用いることができ、あるいは、所定パターンに
はんだめっきを施した後、そのはんだめっき層をマスク
としてエッチングを行なうはんだ剥離法を用いることが
できる。このとき、半導体チップ22のマウント領域2
5については、全体的に銅めっき層36及び銅箔35が
除去され、絶縁層32が露呈するようになる。
【0021】次に、図7(b)に示すように、前記絶縁
層32のうち、マウント領域25の電極27に対応する
部分に開口部32aを形成する工程が実行される。この
工程は、例えばレーザによる穴あけ加工により実行さ
れ、これにて、例えば直径寸法が100μm程度の開口
部32aが形成され、その内面側の内層導体パターン3
1が露出して電極27が形成されるのである。この場
合、レーザ加工を用いたことにより、穴径の精度が±1
0μm以下、位置精度が±10μm以下の高精度な加工
が可能となり、微細な開口部32aを精度良く形成する
ことができる。
層32のうち、マウント領域25の電極27に対応する
部分に開口部32aを形成する工程が実行される。この
工程は、例えばレーザによる穴あけ加工により実行さ
れ、これにて、例えば直径寸法が100μm程度の開口
部32aが形成され、その内面側の内層導体パターン3
1が露出して電極27が形成されるのである。この場
合、レーザ加工を用いたことにより、穴径の精度が±1
0μm以下、位置精度が±10μm以下の高精度な加工
が可能となり、微細な開口部32aを精度良く形成する
ことができる。
【0022】この後、図7(c)に示すように、ソルダ
レジスト層34を形成する工程が実行され、さらに、図
7(d)に示すように、露出している導体部(電極27
及び電極28並びにスルーホール29)に対して保護用
の表面処理層37を形成する工程が実行される。この表
面処理の方法としては、はんだを形成する場合は、露出
している導体部(銅)の表面に薬剤処理により粘着性被
膜を形成し、はんだ粉を接着させた後溶融させてはんだ
を薄くプリコートするスーパージャフィット法を用いる
ことができる。その他の方法としては、導体部(銅)の
表面にニッケルめっきを施した後、金めっきを形成する
方法を用いることができる。
レジスト層34を形成する工程が実行され、さらに、図
7(d)に示すように、露出している導体部(電極27
及び電極28並びにスルーホール29)に対して保護用
の表面処理層37を形成する工程が実行される。この表
面処理の方法としては、はんだを形成する場合は、露出
している導体部(銅)の表面に薬剤処理により粘着性被
膜を形成し、はんだ粉を接着させた後溶融させてはんだ
を薄くプリコートするスーパージャフィット法を用いる
ことができる。その他の方法としては、導体部(銅)の
表面にニッケルめっきを施した後、金めっきを形成する
方法を用いることができる。
【0023】以上のように構成された多層プリント配線
基板21には、図3に示すように、前記各部品22,2
3,24が実装される。即ち、前記リード挿入型部品2
4は、そのリード24aがスルーホール29に挿入され
た状態ではんだ付けされること(はんだ接続部38)に
より接続される。また、前記表面実装部品23は、その
端子部が、各電極28にはんだ付けされること(はんだ
接続部39)により接続される。
基板21には、図3に示すように、前記各部品22,2
3,24が実装される。即ち、前記リード挿入型部品2
4は、そのリード24aがスルーホール29に挿入され
た状態ではんだ付けされること(はんだ接続部38)に
より接続される。また、前記表面実装部品23は、その
端子部が、各電極28にはんだ付けされること(はんだ
接続部39)により接続される。
【0024】そして、前記半導体チップ22は、図4に
も示すように、多層プリント配線基板21の図で上面左
側のマウント領域25に、前記各電極22a(バンプ2
6)が、各電極27に対してはんだ付けされること(は
んだ接続部40)により接続(フリップチップ実装)さ
れるのである。また、このとき、半導体チップ22の底
面部と多層プリント配線基板21の上面との間には、封
止樹脂(アンダーフィル)41が設けられるようになっ
ている。尚、はんだ付け以外の接合方法としては、半導
体チップのバンプに導電性ペーストを転写したのち、半
導体チップの各バンプが基板の各電極に対応するように
マウントし、その後、導電性ペーストを加熱硬化する方
法も使用できる。
も示すように、多層プリント配線基板21の図で上面左
側のマウント領域25に、前記各電極22a(バンプ2
6)が、各電極27に対してはんだ付けされること(は
んだ接続部40)により接続(フリップチップ実装)さ
れるのである。また、このとき、半導体チップ22の底
面部と多層プリント配線基板21の上面との間には、封
止樹脂(アンダーフィル)41が設けられるようになっ
ている。尚、はんだ付け以外の接合方法としては、半導
体チップのバンプに導電性ペーストを転写したのち、半
導体チップの各バンプが基板の各電極に対応するように
マウントし、その後、導電性ペーストを加熱硬化する方
法も使用できる。
【0025】このように本実施例によれば、銅箔からな
り非めっき状態の内層導体パターン31から、フリップ
チップ実装用の電極27を構成するようにしたので、図
8及び図9に示した銅箔3と銅めっき5の層との二層構
造の表層導体パターン7に電極9を形成する従来のもの
と異なり、電極27の径及び形成ピッチが微細なもので
あっても、そのパターン加工を容易に行なうことができ
る。
り非めっき状態の内層導体パターン31から、フリップ
チップ実装用の電極27を構成するようにしたので、図
8及び図9に示した銅箔3と銅めっき5の層との二層構
造の表層導体パターン7に電極9を形成する従来のもの
と異なり、電極27の径及び形成ピッチが微細なもので
あっても、そのパターン加工を容易に行なうことができ
る。
【0026】また、絶縁層32をガラスエポキシのプリ
プレグ材から構成することができるので、従来のアディ
ティブ法(図10及び図11参照)に用いられる感光性
樹脂と異なり、絶縁層32の強度を十分に高くすること
ができ、クラックや剥がれの発生しにくいものとするこ
とができる。従って、本実施例によれば、簡単な構成で
フリップチップ実装用の微細ピッチの電極27を容易に
形成することができ、しかも信頼性に優れるという優れ
た効果を得ることができる。
プレグ材から構成することができるので、従来のアディ
ティブ法(図10及び図11参照)に用いられる感光性
樹脂と異なり、絶縁層32の強度を十分に高くすること
ができ、クラックや剥がれの発生しにくいものとするこ
とができる。従って、本実施例によれば、簡単な構成で
フリップチップ実装用の微細ピッチの電極27を容易に
形成することができ、しかも信頼性に優れるという優れ
た効果を得ることができる。
【0027】そして、本実施例の製造方法によれば、現
行のサブトラクティブ法に比較して、特に複雑な工程や
高価な材料を追加することなく、従来のものと同様の通
常用いられる材料を使用することにより簡単な構成でフ
リップチップ実装用の微細ピッチの電極27を容易に形
成することができ、安価に済ませることができるもので
ある。さらに、特に本実施例では、絶縁層32に開口部
32aを形成する工程を、レーザ加工により行うように
したので、微細な開口を精度良く形成することができる
といった利点も得ることができる。
行のサブトラクティブ法に比較して、特に複雑な工程や
高価な材料を追加することなく、従来のものと同様の通
常用いられる材料を使用することにより簡単な構成でフ
リップチップ実装用の微細ピッチの電極27を容易に形
成することができ、安価に済ませることができるもので
ある。さらに、特に本実施例では、絶縁層32に開口部
32aを形成する工程を、レーザ加工により行うように
したので、微細な開口を精度良く形成することができる
といった利点も得ることができる。
【0028】尚、本発明は上記した実施例に限定される
ものではなく、例えば多層プリント配線板に限らず、例
えばセラミック基板やガラス基板等に本発明を適用する
ことも可能であり、この場合、プリプレグ材から絶縁層
を形成するものに限らないことは勿論である。また、各
部の厚み寸法や電極のピッチ等の寸法や、各部の材質等
についても種々の変形が可能であることはいうまでもな
い等、本発明は要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して
実施し得るものである。
ものではなく、例えば多層プリント配線板に限らず、例
えばセラミック基板やガラス基板等に本発明を適用する
ことも可能であり、この場合、プリプレグ材から絶縁層
を形成するものに限らないことは勿論である。また、各
部の厚み寸法や電極のピッチ等の寸法や、各部の材質等
についても種々の変形が可能であることはいうまでもな
い等、本発明は要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して
実施し得るものである。
【図1】本発明の一実施例を示すもので、配線基板の縦
断面図
断面図
【図2】図1のA部を拡大して示す電極部分の縦断面図
【図3】部品を実装した状態の配線基板の縦断面図
【図4】図3のB部を拡大して示す電極部分の縦断面図
【図5】半導体チップの電極の様子を概略的に示す平面
図
図
【図6】配線基板の製造手順を示す図(その1)
【図7】配線基板の製造手順を示す図(その2)
【図8】従来例を示す配線基板の縦断面図
【図9】図8のC部を拡大して示す電極部分の縦断面図
【図10】別の従来例を示す配線基板の縦断面図
【図11】図10のD部を拡大して示す電極部分の縦断
面図
面図
図面中、21は多層プリント配線基板(配線基板)、2
2は半導体チップ、22aは電極、25はマウント領
域、26はバンプ、27は電極、29はめっきスルーホ
ール、30はコア材、31は内層導体パターン、32は
絶縁層、32aは開口部、33は表層導体パターン、3
6は銅めっき層、40ははんだ接続部を示す。
2は半導体チップ、22aは電極、25はマウント領
域、26はバンプ、27は電極、29はめっきスルーホ
ール、30はコア材、31は内層導体パターン、32は
絶縁層、32aは開口部、33は表層導体パターン、3
6は銅めっき層、40ははんだ接続部を示す。
Claims (4)
- 【請求項1】 コア材の表面部に設けられた複数層の導
体パターン間がめっきスルーホールにより接続されると
共に、半導体チップが実装されるマウント領域にフリッ
プチップ実装用の微細ピッチの電極を有してなる配線基
板であって、 前記フリップチップ実装用の電極は、前記コア材の表面
に位置する非めっき状態の内層導体パターンを、その表
面を覆う絶縁層を開口させて露出させることにより設け
られていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項2】 前記内層導体パターンは、コア材の表面
に設けられた金属箔を微細パターン加工して構成される
ことを特徴とする請求項1記載の配線基板。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の配線基板を製造す
るための方法であって、 前記コア材の表面に内層導体パターンを形成する工程
と、 前記内層導体パターンの表面を絶縁層で覆った状態でス
ルーホールめっきを行なう工程と、 前記マウント領域に対応する部分の絶縁層を露出させる
工程と、 その絶縁層のうち前記電極部分を開口させて前記内層導
体パターンを露出させる工程とを含むことを特徴とする
配線基板の製造方法。 - 【請求項4】 前記絶縁層を開口させる工程は、レーザ
加工により行なわれることを特徴とする請求項3記載の
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11112289A JP2000307212A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11112289A JP2000307212A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000307212A true JP2000307212A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14582974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11112289A Pending JP2000307212A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000307212A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157362B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-01-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit unit and method of fabricating the same |
-
1999
- 1999-04-20 JP JP11112289A patent/JP2000307212A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157362B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-01-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit unit and method of fabricating the same |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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