JP2000229912A

JP2000229912A - 桂皮酸誘導体の製造方法

Info

Publication number: JP2000229912A
Application number: JP11352388A
Authority: JP
Inventors: Koji Kume; 孝司久米; Satoshi Narizuka; 智成塚; Makoto Koide; 誠小出
Original assignee: Central Glass Co Ltd
Current assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 1998-12-10
Filing date: 1999-12-10
Publication date: 2000-08-22
Anticipated expiration: 2019-12-10
Also published as: JP3717355B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パラジウム触媒の存在下、ハロゲン化芳香族
化合物とアクリル酸誘導体から桂皮酸誘導体を製造する
新規方法を提供する。【解決手段】パラジウム触媒として、（式中、Ａｒ¹はトリフルオロメチルフェニル基、Ａｒ²
はアリール基、Ｌはホスフィン配位子を表す。）で表さ
れる錯化合物を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、桂皮酸誘導体の製
造方法に関し、より詳しくは、新規なパラジウム−ホス
フィン錯化合物を触媒とする、ハロゲン化芳香族化合物
とアクリル酸誘導体から桂皮酸誘導体を製造する方法に
関する。

【０００２】

【従来技術】パラジウム触媒、ホスフィン配位子及び塩
基の存在下にオレフィンを臭素化芳香族化合物によって
アリール化できることは既に知られている（R.F．Hec
k，Org．React．27，345-391（1982）)。

【０００３】この方法において、パラジウムは酸化価０
及び＋２価のパラジウム化合物例えばパラジウム（Ｉ
Ｉ）ハライド及びパラジウム（ＩＩ）カルボキシレー
ト、並びにパラジウム錯体化合物、例えばＰｄＸ₂Ｌ₂及
びＰｄＬ₄などのパラジウム錯体化合物が使用できるこ
とが知られている。但しここにＸはハロゲン原子を表わ
し、またＬは配位子例えばトリフェニルホスフィン、ト
リ（ｏ−トリル）ホスフィン、又はトリ（ｐ−アニシ
ル）ホスフィンなどのものが通常使用されている。

【０００４】また、塩素化芳香族化合物を使用するアル
ケンのアリール化は二座ホスフィン配位子の存在下にお
いて行うことができ（Y．Ben-Davidら、Organometallic
s 11，1995(1992)）、また、トリシクロヘキシルホスフ
ィンなどの親油性脂肪族ホスフィンを用いることでも可
能であることが開示されている（特表平09-509420号公
報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、触媒および
塩基の存在下にアクリル酸エステル類をハロゲン化芳香
族化合物によってアリール化する方法において、新規な
触媒を用いた方法を提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題は、触媒として
［（Ｐｈ3Ｐ）2ＰｄＰｈ（ＰｈＣＯＯ）］で表される錯
化合物のベンゾアト基のフェニル基にトリフルオロメチ
ル基を有するパラジウム錯化合物を使用することで解決
される。

【０００７】すなわち、本発明は、パラジウム触媒の存
在下、ハロゲン化芳香族化合物（ハロゲンは塩素、臭素
またはヨウ素）とアクリル酸誘導体から桂皮酸誘導体を
製造する方法であって、パラジウム触媒として一般式
（１）

【０００８】

【化６】

【０００９】（式中、Ａｒ¹は一般式（２）

【００１０】

【化７】

【００１１】（式中、Ｒ¹はトリフルオロメチル基を表
し、ｎは１〜３の整数を表す。）で表されるアリール基
を表し、Ａｒ²は一般式（３）

【００１２】

【化８】

【００１３】（式中、Ｒ²はそれぞれ独立に、トリフル
オロメチル基、トリフルオロメチルオキシ基、ハロゲン
（フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）、ニトロ
基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル
基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアル
コキシカルボニル基を表し、ｍは０〜４の整数を表
す。）で表されるアリール基を表し、Ｌはそれぞれ独立
にホスフィン配位子を表す。）で表されるパラジウム錯
化合物であることを特徴とする方法である。

【００１４】以下、本発明にかかるパラジウム錯化合物
について説明する。一般式（２）で表されるアリール基
としては、具体的にはトリフルオロメチル基を１個有す
る、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフル
オロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニ
ル基、トリフルオロメチル基を２個有する、２，３−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，４−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル基、２，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル基、２，６−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル基、３，４−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル基などが挙げられる。

【００１５】これらのうち、トリフルオロメチル基を２
個有するアリール基が好ましく、さらに３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル基が好ましい。

【００１６】したがって、一般式（１）で表される錯化
合物としては、

【００１７】

【化９】

【００１８】（式中、Ｒ²、ｍ、Ｌは一般式（１）にお
ける意味と同じ。）で表される錯化合物が好ましく、

【００１９】

【化１０】

【００２０】（式中Ｒ²、ｍ、Ｌは一般式（１）におけ
る意味と同じ。）で表されるの錯化合物がより好まし
い。

【００２１】一般式（３）で表されるアリール基の置換
基は、トリフルオロメチル基、トリフルオロメチルオキ
シ基、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をい
う）、ニトロ基、アセチル基、シアノ基、炭素数１〜４
のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２
〜５のアルコキシカルボニル基であり、アリール基は０
〜４個の置換基を有する。

【００２２】炭素数１〜４のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基）、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−
プロポキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基
としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポ
キシカルボニル基を挙げることができる。

【００２３】さらに、一般式（３）で表されるアリール
基としては少なくとも１個がトリフルオロメチル基であ
るアリール基が好ましい。

【００２４】一般式（３）で表されるアリール基を例示
すれば、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリ
フルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフ
ェニル基などのトリフルオロメチル基を１個有するアリ
ール基；２−トリフルオロメトキシフェニル基、３−ト
リフルオロメトキシフェニル基、４−トリフルオロメト
キシフェニル基などのトリフルオロメトキシ基を１個有
するアリール基；２−フルオロフェニル基、３−フルオ
ロフェニル基、４−フルオロフェニル基などのフッ素を
１個有するアリール基；２−クロロフェニル基、３−ク
ロロフェニル基、４−クロロフェニル基などの塩素を１
個有するアリール基；２−ブロモフェニル基、３−ブロ
モフェニル基、４−ブロモフェニル基などの臭素を１個
有するアリール基；２−ヨードフェニル基、３−ヨード
フェニル基、４−ヨードフェニル基などのヨウ素を１個
有するアリール基；２−ニトロフェニル基、３−ニトロ
フェニル基、４−ニトロフェニル基などのニトロ基を１
個有するアリール基；２−アセチルフェニル基、３−ア
セチルフェニル基、４−アセチルフェニル基などのアセ
チル基を１個有するアリール基；２−シアノフェニル
基、３−シアノフェニル基、４−シアノフェニル基など
のシアノ基を１個有するアリール基；２−メチルフェニ
ル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、
２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エ
チルフェニル基などのアルキル基を１個有するアリール
基；２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル
基、４−メトキシフェニル基、２−エトキシフェニル
基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基
などのアルコキシ基を１個有するアリール基；２−メト
キシカルボニルフェニル基、３−メトキシカルボニルフ
ェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、２−エ
トキシカルボニルフェニル基、３−エトキシカルボニル
フェニル基、４−エトキシカルボニルフェニル基などの
アルコキシ基を１個有するアリール基などが挙げられ
る。

【００２５】また、一般式（３）で表されるアリール基
は、２個以上の置換基を有することもでき、任意の組み
合わせが可能であるが、そのうちの１個の置換基がトリ
フルオロメチル基であるアリール基が好ましく、たとえ
ば、２−クロロ−３−（トリフルオロメチル）フェニル
基、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）フェニ
ル基、２−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）フェ
ニル基、３−フルオロ−５−（トリフルオロメチル）フ
ェニル基、２−ブロモ−６−（トリフルオロメチル）フ
ェニル基、４−クロロ−２−（トリフルオロメチル）フ
ェニル基、４−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）
フェニル基、２−クロロ−６−（トリフルオロメチル）
フェニル基、４−フルオロ−３−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、１−クロロ−４−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、２−フルオロ−６−（トリフルオロメ
チル）フェニル基、２−フルオロ−５−（トリフルオロ
メチル）フェニル基、２−クロロ−４−（トリフルオロ
メチル）フェニル基、４−クロロ−３−（トリフルオロ
メチル）フェニル基、４−クロロ−２−（トリフルオロ
メチル）フェニル基など；２−メチル−３−（トリフル
オロメチル）フェニル基、３−メチル−５−（トリフル
オロメチル）フェニル基、２−メチル−４−（トリフル
オロメチル）フェニル基、４，５−ジメチル−２−（ト
リフルオロメチル）フェニル基、２−メチル−５−（ト
リフルオロメチル）フェニル基、５，６−ジメチル−２
−（トリフルオロメチル）フェニル基、２−メチル−５
−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−メチル−３
−（トリフルオロメチル）フェニル基など；２−メトキ
シ−４−（トリフルオロメチル）フェニル基、２−エト
キシ−４−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−エ
トキシ−２−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−
メトキシ−２−（トリフルオロメチル）フェニル基、２
−メトキシ−５−（トリフルオロメチル）フェニル基な
ど；２−トリフルオロメトキシフェニル基、３−トリフ
ルオロメトキシフェニル基、４−トリフルオロメトキシ
フェニル基など；２−ニトロ−３−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、２−ニトロ−４−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、４−ニトロ−２−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、３−ニトロ−５−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、２−ニトロ−５−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、４−ニトロ−３−（トリフルオロメチ
ル）フェニル基など；２−シアノ−５−（トリフルオロ
メチル）フェニル基、２−シアノ−４−（トリフルオロ
メチル）フェニル基、４−フルオロ−３−シアノ−５−
（トリフルオロメチル）フェニル基、４−シアノ−３−
（トリフルオロメチル）フェニル基、２−クロロ−５−
シアノ−３−（トリフルオロメチル）フェニル基、４−
シアノ−２−（トリフルオロメチル）フェニル基など；
２−アミノ−６−（トリフルオロメチル）フェニル基、
２−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェニル基、
２−アミノ−４−（トリフルオロメチル）フェニル基、
２−アミノ−３−（トリフルオロメチル）フェニル基、
３−アミノ−６−（トリフルオロメチル）フェニル基、
３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェニル基、
４−アミノ−２−（トリフルオロメチル）フェニル基、
４−アミノ−３−（トリフルオロメチル）フェニル基、
４−アミノ−２−（トリフルオロメチル）フェニル基、
３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェニル基な
どを例示することできるがこれらに限られない。

【００２６】また、一般式（３）で表されるアリール基
としてはトリフルオロメチル基を二個以上有するアリー
ル基がより好ましい。

【００２７】トリフルオロメチル基を２個のみ有するア
リール基としては、２，３−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、２，４−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル基、２，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル基、２，６−ビス（トリフルオロメチル）フェニル
基、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基などが
挙げられる。

【００２８】また、さらに前記した置換基を有するアリ
ール基としては、２，３，４−トリス（トリフルオロメ
チル）フェニル基、２，４，５−トリス（トリフルオロ
メチル）フェニル基、２，３，５−トリス（トリフルオ
ロメチル）フェニル基、１，３，５−トリス（トリフル
オロメチル）フェニル基、３，４，５−トリス（トリフ
ルオロメチル）フェニル基、２，３，４，６−テトラキ
ス（トリフルオロメチル）フェニル基、１−ブロモ−
２，３，４−トリス（トリフルオロメチル）フェニル
基、２−ブロモ−４，５、６−トリス（トリフルオロメ
チル）フェニル基など；３，５−ジクロロ−４，６−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル基、２−クロロ−
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２−
メトキシ−３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル基、２−ブロモ−３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、２−ニトロ−４，６−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル基、５，６−ジクロロ−１，３−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、４−クロロ−
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基などが
例示できるがこれらに限られない。

【００２９】一般式（１）で表される化合物においてＬ
で表されるホスフィン配位子は、特に限定されないが、
一般式（４）、Ｐ（Ｒ³）3 （４）（式中、Ｒ³はそれぞれ独立に置換基を有することもあ
るフェニル基、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で
表されるホスフィン配位子である。ここで、Ｒ³はそれ
ぞれ独立に無置換であるかまたは炭素数１〜６のアルキ
ル基が置換したフェニル基、または炭素数１〜６の分岐
を有することもあるアルキル基である。具体的には、フ
ェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル
基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基などから選ばれ
た基であることが好ましい。また、Ｌで表されるホスフ
ィン配位子は、トリフェニルホスフィン、トリス（ｏ−
トリル）ホスフィン、トリス（ｍ−トリル）ホスフィ
ン、トリス（ｐ−トリル）ホスフィンまたはトリス（ｎ
−ブチル）ホスフィンなどが好ましく、トリフェニルホ
スフィンは特に好ましい。

【００３０】この新規化合物は結晶性であり、多くの有
機溶媒に溶解し、安定である。また、室温において空気
中で安定である。

【００３１】このような物理的、化学的性質を有するた
めに単離操作が容易であるので高純度の物質が得られや
すく、保存も容易であるので工業的な使用においても取
り扱い易いという特徴がある。

【００３２】本発明の錯化合物の製造法は特に限定され
ないが以下に例示的に示す。密閉でできる容器に一般式
（５）

【００３３】

【化１１】

【００３４】（式中、Ｒ1はトリフルオロメチル基を表
し、ｎは１〜３の整数を表す。）で表わされる安息香酸
と一般式（６）

【００３５】

【化１２】

【００３６】（式中、Ｘはハロゲン（フッ素、塩素、臭
素またはヨウ素をいう）、トリフルオロメタンスルホネ
ート基、炭素数１〜４のアルキルスルホネート基、置換
または非置換アリールスルホネート基を表し、Ｒ2、ｍ
は一般式（１）に同じ）で表される芳香族化合物、溶
媒、パラジウム化合物、ホスフィン配位子となるホスフ
ィン、塩基性物質を仕込む。溶媒としては、融点が低い
場合には一般式（６）で表される芳香族化合物が使える
他、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
などの脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エチレングリコ
ールジメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケト
ン類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジンなど
の第三アミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）など
の酸アミド類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ス
ルホランなどの含硫黄化合物、水などを使うことができ
る。

【００３７】塩基性物質としては、アンモニア、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
トリアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアニリン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン
などの第三アミン類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムな
どの酢酸塩、あるいは、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基な
どを挙げることができる。

【００３８】パラジウム化合物としては、酢酸パラジウ
ム、塩化パラジウム、臭化パラジウムなどが好適であ
る。

【００３９】原料各物質の使用比率は特に限定されない
が、パラジウムを有効に利用するために、一般式（６）
で表される芳香族化合物と一般式（５）で表される安息
香酸はそれぞれ１当量以上用い、ホスフィンは２当量以
上使用するのが好ましい。他の溶媒等は適宜の量を使用
すればよい。

【００４０】容器は加圧してもしなくてもよく、攪拌し
てもしなくてもよい。仕込んだ原料などは通常は５０〜
１５０℃程度に加熱して反応の進行を速める。所定の時
間が経過した後、容器を冷却して内容物を取り出す。内
容物に適宜抽出溶媒を加え固形分を分離して、揮発成分
を留去すれば目的とする一般式（１）で表される錯化合
物が得られる。必要に応じて再結晶により精製すること
ができる。

【００４１】また、前記の製造法において一般式（５）
で表される安息香酸を使用しないでほぼ同様の反応条件
で、ほぼ同様の処理を行うことによって、一般式（７）

【００４２】

【化１３】

【００４３】（式中のＲ²、Ｘ、ｍは一般式（６）にお
ける記号と、また、Ｌは一般式（４）における記号と同
じ）で表されるパラジウム錯化合物を調製し、得られた
錯化合物と一般式（５）で表わされる安息香酸と前記の
溶媒、塩基を容器に仕込み、必要に応じて加熱し、前記
同様の精製方法を施すことで一般式（１）で表される錯
化合物が得られる。

【００４４】本発明にかかるパラジウム錯化合物として
は、例えば、下式で表される［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリフル
オロメチル）フェニルビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム(II)、［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンゾアト］３’−トリフルオロメチルフェニルビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)が挙げら
れる。

【００４５】パラジウムの量は、使用するハロゲン化芳
香族化合物に対してその割合が０．０００１〜１モル
％、好ましくは０．００５〜０．０５モル％になるよう
に選ぶことができる。

【００４６】次に、本発明の製造方法を詳細に説明す
る。本発明に使用するアクリル酸誘導体は、例えば一般
式（８）で表される化合物である。

【００４７】

【化１４】

【００４８】式中、ＲはＣＮまたはＣＯＲ⁴であり、こ
こでＲ⁴はＯＨ、Ｏ−Ｃ_6-10のアリール、Ｏ−Ｃ_1-20の
アルキル、ＮＨ₂、ＮＨ−Ｃ_6-10のアリール、ＮＨＣ
_1-20のアルキル、Ｎ−Ｃ_6-10のアリール、Ｎ−（Ｃ_1-20
のアルキル）−Ｃ_6-10のアリールまたはＮ−（Ｃ_1-20の
アルキル）₂であり、Ｒ’はＨ、Ｃ_1-10のアルキル、Ｃ
_6-2 ₀のアリールまたはＲである。

【００４９】一般式（８）においてＲは、Ｒ⁴がＯＨ、
Ｏ−Ｃ_1-20のアルキル、特に好ましくはＯＨ、Ｏ−Ｃ
_1-10のアルキルであるＣＯＲ⁴であるのが好ましい。具
体的には、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アク
リル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸
ｎ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔ
−ブチル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸オクチル、
アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸メチル、メタ
クリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸
イソプロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸
ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル
酸ペンチル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸シク
ロヘキシルなどが挙げられる。

【００５０】本発明に使用するハロゲン化芳香族化合物
は、一般式（９）で表される化合物である。

【００５１】

【化１５】

【００５２】式中、Ｙは塩素、臭素またはヨウ素であ
り、Ｒ⁵はＣ_6-10の−アリール、Ｃ_1-2 ₀のアルキル、Ｃ
Ｎ、Ｓ−Ｒ⁶、ＣＯ−ＯＲ⁶、−Ｆ、ＣＦ₃、−ＯＣＦ₃、
ＯＲ⁶またはＮＲ⁶ ₂であり、ただしＲ⁶は水素、Ｃ_6-10の
アリールまたはＣ_1-20のアルキルであり、ｐは１または
２であり、ｑは１〜５であり、ｐ＋ｑは２〜６である。

【００５３】一般式（９）において、Ｒ⁵は好ましくは
ＣＦ₃、ＯＲ⁶またはＮＲ⁶ ₂であり、ただしＲ⁶はフェニ
ルまたはＣ_1-10のアルキルであり、Ｒ⁵はさらに好まし
くはＣＦ₃である。ｐは好ましくは１である。

【００５４】一般式（９）で表されるハロゲン化芳香族
化合物としては、Ｒ⁵の少なくとも１個がＣＦ₃であるの
が好ましく、少なくとも２個がＣＦ₃であるのがより好
ましい。そのような芳香族化合物としては、一般式
（３）で表される該当する置換フェニル基とＹ（臭素）
からなる化合物が例示できる。特に好ましいものとし
て、トリフルオロメチル基を１個のみ有するものとして
は、２−トリフルオロメチルブロモベンゼン、３−トリ
フルオロメチルブロモベンゼン、４−トリフルオロメチ
ルブロモベンゼン、また、トリフルオロメチル基を２個
のみ有するものとしては、２，３−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼン、２，４−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼン、２，５−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼン、２，６−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼン、３，４−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼン、３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）ブロモベンゼンが挙げられる。

【００５５】ハロゲン化芳香族化合物のアクリル酸誘導
体に対するモル比は任意に選ぶことができる。該モル比
が１：０．７〜１：３の範囲内で実施するのが好まし
く、この比が１：０．８〜１：１．５であるのが特に好
ましい。Ｙで表される２個のハロゲン原子が反応におい
て活性な場合は２倍量のアクリル酸誘導体が用いられ
る。

【００５６】本発明方法のための適当な無機塩基は、例
えば弱酸のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の塩であ
り、好ましくはアルカリ金属及びアルカリ土類金属の酢
酸塩、重炭酸塩、及び／または炭酸塩である。酢酸ナト
リウム、炭酸ナトリウムの使用が特に好ましい。ハロゲ
ン化芳香族化合物の塩基に対する比は、好ましくは０．
３〜２、特に好ましくは０．４〜１．３になるように選
ばれ、ハロゲン化芳香族化合物のモル当り当量の塩基が
用いられる。

【００５７】本発明による方法は、例えば５０〜１８０
℃の範囲の温度で実施することができる。好ましい温度
は８０〜１５０℃の範囲であり、特に好ましくは使用す
る溶媒の沸点領域にある温度である。本発明方法は通常
大気圧下に実施される。しかし減圧または加圧下で実施
することもできる。加圧の適用は、反応混合物の個々の
成分が大気圧では沸騰すると思われる反応温度で実施る
ことが望ましい場合に特に適当である。本発明の方法は
一般に、窒素等の保護ガス及び撹拌下に実施される。

【００５８】適当な溶媒は、例えばトルエン等の炭化水
素、テトラヒドロフラン等のエーテル、例えばＮ−メチ
ル−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトニトリルまたはジメチルスルホキシド等の極
性の非プロトン性溶媒である。

【００５９】本発明方法を使用して、例えば一般式（１
０）の桂皮酸誘導体を製造することが可能である。ただ
し上式中、使用した記号は式（８）及び（９）の場合に
示した意味を有する。

【００６０】

【化１６】

【００６１】本発明方法により桂皮酸誘導体とともに生
成した無機塩は例えば簡単な濾過（吸引または吸引しな
い）で分離することができる。また、静置して塩を沈殿
させ反応混合物の残りを傾瀉することも可能である。

【００６２】本発明の実施態様を以下に説明する。反応
器にハロゲン化芳香族化合物、アクリル酸誘導体、無機
塩基、本発明にかかるパラジウム錯化合物、及び任意に
溶媒を仕込み、攪拌する。仕込みの順序は任意でよい。
反応器を所定の温度、５０〜２００℃、好ましくは８０
〜１５０℃加熱し、もはや反応の進行が認められなくな
った後室温まで冷却する。

【００６３】反応液を水中に注ぎ、水性相を分離して有
機溶媒（例えばエーテル）で抽出し、水または飽和食塩
水で洗浄し次いで乾燥し、溶媒を留去し、残渣として固
体または液体の生成物を得る。必要に応じてこれを再結
晶または精留して高純度の桂皮酸誘導体を得る。

【００６４】

【実施例】以下に実施例をもって本発明を説明するがこ
れらの実施態様に限られない。

【００６５】［調製例１］［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニルビス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム(II)の合成ステンレス製オートクレーブに３，５−ビス（トリフル
オロメチル）ブロモベンゼン６５．３ｇ、テトラヒドロ
フラン１００ｍｌ、酢酸パラジウム５０．０ｇ、トリフ
ェニルホスフィン１７５．５ｇ、３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）安息香酸５７．６ｇ、２５％アンモニア
水６０．８ｇを仕込んだ。窒素置換を２回行い、窒素圧
を３ｋｇ／ｃｍ²として攪拌を始めると内温が約５０℃
に上昇した。その後油浴温度を１２０℃に設定し加熱を
開始した。約２時間後、内温が９５．６℃に達した時点
で油浴を外し冷却した。反応液に水２００ｍｌおよびト
ルエン６００ｍｌを加え、数分間攪拌した。得られた処
理液を吸引濾過し、濾液の有機層（上層）を分液した
後、飽和食塩水で２回洗浄し、無水マグネシウムで乾燥
後、揮発成分を留去濃縮した。濃縮初期に析出した固体
を濾別し、さらに濾液を濃縮した後，ｎ−ヘキサンを加
え冷却し析出した固体を濾別し粗生成物１８７．５ｇを
得た。粗生成物をトルエンから再結晶し淡黄色結晶１４
３．０ｇを得た。

【００６６】［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゾアト］３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II) 融点：168-170℃(decomp.) IR（KBr:cm^-1)：3060,2926,1637,1437,1321,1277,1173,
1127,748,697,518¹ H-NMR(基準物質：TMS 溶媒：CDCl₃)：δppm 6.97(s,1
H),7.09(s,2H),7.20-7.32(m,18H),7.40-7.50(m,12H),7.
53(s,2H),7.62(s,1H)³¹ P-NMR(基準物質：85%H₃PO₄ 溶媒：CDCl₃)：δppm 2
5.73(s)。

【００６７】［調製例２］ステンレス製オートクレーブ
に３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン
３２．５ｇ、テトラヒドロフラン７５ｍｌ、酢酸パラジ
ウム２５．０ｇ、トリフェニルホスフィン８７．３ｇ、
２５％アンモニア水３８．０ｇ（アンモニアとして９．
５ｇ）を仕込んだ。窒素置換を２回行い、窒素圧を３ｋ
ｇ／ｃｍ2として攪拌を始めると内温が上昇した。その
後油浴温度を１０５℃に設定し加熱を開始した。約１．
８時間後、内温が９７℃に達した時点で油浴を外し冷却
した。反応液にトルエン２００ｍｌを加え、数分間攪拌
し、得られた処理液を吸引濾過し、濾物を少量のｎ−ヘ
キサンで洗浄した後、乾燥し淡緑色結晶７２．１０ｇを
得た。

【００６８】ステンレス製オートクレーブに上で得られ
たブロモ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)７
０．０ｇ、３，５−ビス（トリフルオロメチル）安息香
酸３９．１ｇ、テトラヒドロフラン１５０ｍｌを加え
た。そこへ２５％アンモニア水２０．５ｇを仕込んだ
後、窒素置換を２回行い、窒素圧を３ｋｇ／ｃｍ²とし
て攪拌を始め、油浴温度を１００℃に設定し加熱を開始
した。約２時間後、油浴を外し冷却した。反応液にトル
エン５００ｍｌ、２５％アンモニア水１５０ｍｌ、およ
び水２００ｍｌを加え、数分間攪拌した。上層の有機層
を分液し、水洗２回、飽和食塩水で１回洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、揮発成分を留去、濃縮し、淡
黄色結晶７５．３ｇを得た。結晶のＩＲおよび¹Ｈ−Ｎ
ＭＲは実施例１で得られた結晶（［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム(II)）と同一であった。

【００６９】［調製例３］［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゾアト］３’−トリフルオロメチルフェ
ニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）
の合成ステンレス製オートクレーブに、３−トリフルオロメチ
ルブロモベンゼン２５．０ｇ、テトラヒドロフラン７５
ｍｌ、酢酸パラジウム２５ｇ、トリフェニルホスフィン
８７．３ｇ、２５％アンモニア水３８ｇ、３，５−ビス
（トリフルオロメチル）安息香酸５７．５ｇを仕込み、
実施例１と同様な操作を行って［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンゾアト］３’−トリフルオロメチル
フェニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）が３２．３ｇ得られた。

【００７０】［３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゾアト］３’−トリフルオロメチルフェニルビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム（II）¹ H-NMR（基準物質：TMS 溶媒：CDCl₃)：δppm 6.47(dd,
J=7.3,7.8Hz,1H),6.77(d,J=7.3Hz,1H),6.80(brs,1H),6.
95(d,J=7.8Hz,1H),7.24-7.30(m,18H),7.40-7.46(m,12
H)。

【００７１】［実施例１］３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）桂皮酸ｎ−ブチルエステルの合成真空乾燥した無水酢酸ナトリウム９．０２ｇを２００ｍ
ｌフラスコに取り、窒素気流下、さらに３，５−ビス
（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン２９．３ｇ、ア
クリル酸ｎ−ブチル１５．４ｇおよび実施例１で得られ
たパラジウム錯体（［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム(II)）２１０ｍｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７
０ｍｌを加えた。攪拌しつつ、油浴を用いて加熱した。
１１０℃で約１時間反応させた後室温まで冷却した。反
応液を氷水に注ぎ、エーテルで抽出した。有機層を分液
した後、水で３回洗浄し、飽和食塩水で２回洗浄し次い
で無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒をエバポレー
タで減圧下留去し、残渣として褐色固体を得た。これを
ｎ−ヘキサンで再結晶して結晶２２．３ｇを得た。３，５−ビス（トリフルオロメチル）桂皮酸ｎ−ブチ
ル：融点：47-48℃¹ H-NMR:(基準物質：TMS 溶媒：CDCl₃) δppm 0.975(t,J=7.3Hz,3H),1.38-1.50(m,2H),1.66-
1.75(m,2H),4.25(t,J=6.6Hz,2H)6.57(d,J=16Hz,1H),7.7
0(d,J=16Hz,1H),7.86(s,1H),7.93(s,2H)。

【００７２】［実施例２］３−トリフルオロメチル桂皮
酸ｎ−ブチルエステルの合成無水酢酸ナトリウム９．０２ｇを２００ｍｌフラスコに
取り、窒素気流下、さらに３−トリフルオロメチルブロ
モベンゼン２２．５ｇ、アクリル酸ｎ−ブチル１５．４
ｇおよび実施例１で得られたパラジウム錯体（［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾアト］３’，５’
−ビス（トリフルオロメチル）フェニルビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム(II)）５５．１ｍｇ、およ
びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７０ｍｌを加えた。攪
拌しつつ、油浴を用いて加熱した。１１０℃で約４０時
間反応させた後室温まで冷却した。反応液を氷水に注
ぎ、エーテルで抽出した。有機層を分液した後、水で３
回洗浄し、飽和食塩水で２回順次洗浄し次いで無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒をエバポレータで減圧下
留去した後、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフ
ィーで精製し、標題化合物２１．５ｇを油状物として得
た。

【００７３】［実施例３］３−トリフルオロメチル桂皮
酸の合成ステンレス製オートクレーブに３−トリフルオロメチル
ブロモベンゼン５６．３ｇ、アクリル酸１９．８ｇ、ト
リエチルアミン５０．６ｇおよび実施例１で得られたパ
ラジウム錯体（［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）
フェニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(I
I)）１３７．７ｍｇ、およびテトラヒドロフラン１００
ｍｌを仕込んだ。窒素置換を２回行い、窒素圧を２．５
ｋｇ／ｃｍ^２として攪拌を始め、油浴を用いて内温を１
１０℃に調整しながら反応を行った。約８時間後、油浴
を外し冷却した。反応液を氷水に注ぎ、濃塩酸を加えて
ｐＨ１に調整後、エーテルで抽出した。有機層を分液し
た後、水で３回洗浄し、飽和食塩水で２回洗浄し次いで
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒をエバポレータ
で減圧下留去した後、得られた残渣をｎ−ヘキサン／酢
酸エチルで再結晶し、標題化合物４１．７ｇを無色結晶
として得た。融点：１３５〜１３７℃

【００７４】

【発明の効果】本発明の製造方法は、新規のパラジウム
錯化合物を用いることで、芳香族化合物とアクリル酸誘
導体から高い収率で桂皮酸誘導体を製造することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パラジウム触媒の存在下、ハロゲン化芳香
族化合物（ハロゲンは塩素、臭素またはヨウ素）とアク
リル酸誘導体から桂皮酸誘導体を製造する方法であっ
て、パラジウム触媒として一般式（１）【化１】（式中、Ａｒ¹は一般式（２）【化２】（式中、Ｒ¹はトリフルオロメチル基を表し、ｎは１〜
３の整数を表す。）で表されるアリール基を表し、Ａｒ
²は一般式（３）【化３】（式中、Ｒ²はそれぞれ独立に、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメチルオキシ基、ハロゲン（フッ素、
塩素、臭素またはヨウ素をいう）、ニトロ基、アセチル
基、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜
４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニ
ル基を表し、ｍは０〜４の整数を表す。）で表されるア
リール基を表し、Ｌはそれぞれ独立にホスフィン配位子
を表す。）で表されるパラジウム錯化合物であることを
特徴とする方法。
【請求項２】使用する前記パラジウム触媒が、ハロゲン
化芳香族化合物に対して０．０００１〜１モル％のパラ
ジウムの量であることを特徴とする請求項１に記載の方
法。
【請求項３】アクリル酸誘導体が、一般式（８）【化４】（式中、ＲはＣＮまたはＣＯＲ⁴であり、ここでＲ⁴はＯ
Ｈ、Ｏ−Ｃ_6-10のアリール、Ｏ−Ｃ_1-20のアルキル、Ｎ
Ｈ₂、ＮＨ−Ｃ_6-10のアリール、ＮＨ−Ｃ_1-20のアルキ
ル、Ｎ−Ｃ_6-10のアリール、Ｎ−（Ｃ_1-20のアルキル）
−Ｃ_6-10のアリールまたはＮ−（Ｃ_1-20のアルキル）₂
であり、Ｒ’はＨ、Ｃ_1-10のアルキル、Ｃ₆ _-20のアリー
ルまたはＲである）で表されるアクリル酸誘導体である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】ハロゲン化芳香族化合物が、一般式（９）【化５】（式中、Ｙは塩素、臭素またはヨウ素であり、Ｒ⁵はＣ
_6-10の−アリール、Ｃ_1-2 ₀のアルキル、ＣＮ、Ｓ−
Ｒ⁶、ＣＯ−ＯＲ⁶、−Ｆ、ＣＦ₃、−ＯＣＦ₃、ＯＲ⁶ま
たはＮＲ⁶ ₂であり、ただしＲ⁶は水素、Ｃ_6-10のアリー
ルまたはＣ_1-20のアルキルであり、ｐは１または２であ
り、ｑは１〜５であり、ｐ＋ｑは２〜６である。）で表
されるハロゲン化芳香族化合物であり、ハロゲン化芳香
族化合物のアクリル酸誘導体に対するモル比が１：０．
７〜１：３の範囲であることを特徴とする請求項１乃至
３の何れかに記載の方法。
【請求項５】一般式（９）で表されるハロゲン化芳香族
化合物において、Ｒ⁵の少なくとも１個がＣＦ₃であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の方法。
【請求項６】一般式（９）で表されるハロゲン化芳香族
化合物において、Ｒ⁵がＣＦ₃、Ｙが臭素、ｎは１または
２であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記
載の方法。
【請求項７】方法が５０〜１８０℃の範囲の温度で行わ
れることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の
方法。
【請求項８】方法が保護ガスの下で撹拌しながら行われ
ることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の方
法。
【請求項９】一般式（２）で表されるアリール基がビス
（トリフルオロメチル）フェニル基である請求項１乃至
８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】一般式（２）で表されるアリール基が
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基である
請求項１乃至９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】一般式（３）で表されるアリール基のＲ
²の少なくとも１個がトリフルオロメチル基である請求
項１乃至１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】一般式（３）で表されるアリール基がフ
ェニル基、トリフルオロメチルフェニル基またはビス
（トリフルオロメチル）フェニル基である請求項１乃至
１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】一般式（３）で表されるアリール基が、
３−トリフルオロメチルフェニル基または３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル基である請求項１乃至
１２の何れかに記載の方法。
【請求項１４】一般式（３）で表されるアリール基がフ
ェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基または
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基であっ
て、一般式（２）で表されるアリール基が３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル基である請求項１乃至
１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】Ｌで表されるホスフィン配位子が一般式
（４）、Ｐ（Ｒ³）₃ （４）（式中、Ｒ³はそれぞれ独立に置換基を有することもあ
るフェニル基、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で
表されるホスフィン配位子である請求項１乃至１４の何
れかに記載の方法。
【請求項１６】Ｒ³がそれぞれ独立にフェニル基、ｏ−
トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、メチル基、エ
チル基またはｎ−ブチル基から選ばれた基である請求項
１乃至１５の何れかに記載の方法。
【請求項１７】両方のＬがトリフェニルホスフィンであ
る請求項１乃至１６の何れかに記載の方法。
【請求項１８】パラジウム触媒が［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンゾアト］３’，５’−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニルビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム(II)である請求項１乃至１７の何れかに
記載の方法。
【請求項１９】パラジウム触媒が［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンゾアト］３’−トリフルオロメチ
ルフェニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）である請求項１乃至１８の何れかに記載の方法。