JP2000299818A - Method for driving ccd type image pickup device and ccd type image pickup device - Google Patents
Method for driving ccd type image pickup device and ccd type image pickup deviceInfo
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、2個以上の出力端
子を有するCCD型撮像素子、または2個以上のCCD
型撮像素子を使用してCCD型撮像装置を構成した場合
のCCD型撮像素子の駆動方法、およびCCD型撮像装
置に関する。The present invention relates to a CCD type image pickup device having two or more output terminals, or two or more CCDs.
The present invention relates to a driving method of a CCD imaging device when a CCD imaging device is configured using the imaging device, and a CCD imaging device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、一般的に複数の出力端子を有する
撮像素子、または、3板式あるいは4板式撮像装置のよ
うな複数の撮像素子を有する撮像装置において各信号出
力端子の出力特性のばらつきを補正するには、光学的黒
レベル信号によるオフセット成分を調整する方法、また
は外部回路のゲイン調整の方法がある。また、より高精
度に各出力端子特性を補正しようとする場合には、あら
かじめ各出力端子の特性を測定し、そのデータをメモリ
に記憶しておいて、デジタル信号処理回路にて補正処理
を行う方法がある。2. Description of the Related Art Conventionally, in an image pickup device having a plurality of output terminals or an image pickup device having a plurality of image pickup devices such as a three-plate type or a four-plate type image pickup device, variations in the output characteristics of each signal output terminal are known. For the correction, there is a method of adjusting an offset component due to an optical black level signal, or a method of adjusting a gain of an external circuit. When the output terminal characteristics are to be corrected with higher accuracy, the characteristics of each output terminal are measured in advance, the data is stored in a memory, and the correction process is performed by a digital signal processing circuit. There is a way.
【0003】また、増幅型固体撮像素子に関しては、素
子内に基準信号発生回路を設けて出力アンプのゲインを
調整する技術(特開平8−289204号公報参照)も
知られている。As for an amplification type solid-state imaging device, there is also known a technology of providing a reference signal generating circuit in the device to adjust the gain of an output amplifier (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-289204).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した方法のうちメ
モリを用いる方法は、各出力端子特性の温度変動に対し
て対応することができず、一時的には各端子の特性ばら
つきを補正できるものの時間が経つにつれ特性ばらつき
による縦縞や境界線、領域毎のずれ等が画面上に現れ
る。Among the above-mentioned methods, the method using a memory cannot cope with the temperature fluctuation of each output terminal characteristic and can temporarily correct the characteristic variation of each terminal. As time elapses, vertical stripes, boundaries, shifts in each region, and the like due to characteristic variations appear on the screen.
【0005】また、出力回路のばらつきを補正すること
ができるようにした特開平8−289204号公報記載
の技術は、撮像素子の信号電荷を電流または電圧として
取り扱うMOS型、または増幅型撮像素子にのみ適用し
得るものであり、光電変換された電荷信号を検出アンプ
まで電荷として取り扱うCCD型撮像素子には同様な技
術を適用することはできない。The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-289204, which is capable of correcting variations in output circuits, is applicable to a MOS-type or amplifying-type image sensor which handles signal charges of the image sensor as current or voltage. However, the same technique cannot be applied to a CCD type image pickup device that handles a photoelectrically converted charge signal as a charge up to a detection amplifier.
【0006】また、最近、撮像素子の出力データレート
を向上させるために、撮像素子が単に複数の出力端子を
持つだけでなく受光面を領域分割しそれぞれの領域に出
力端子を有するさまざまな多出力構造型撮像素子が開発
されている。これらの構造を持つ撮像素子では、領域境
界部分にダミー画素を作る領域がないため信号読み出し
動作に入ると有効映像信号がいきなり出力され、撮像素
子上のアンプの立ち上がり特性の影響で第1画素の出力
レベルが他の画素の出力レベルと異なるという現象が問
題となっている。Recently, in order to improve the output data rate of the image pickup device, not only the image pickup device has a plurality of output terminals but also a multi-output device which divides a light receiving surface into regions and has an output terminal in each region. Structural imaging devices have been developed. In an image sensor having such a structure, since there is no area for forming a dummy pixel at a region boundary, an effective video signal is output immediately when the signal reading operation is started, and the first pixel of the first pixel is affected by the rising characteristic of an amplifier on the image sensor. The phenomenon that the output level is different from the output levels of the other pixels has become a problem.
【0007】また、撮像素子の素子外部で用いられる回
路やフィルタのリンギング特性は映像期間の境界部分で
オーバーシュートやアンダーシュートなどのノイズを発
生する恐れがある。実際にハイビジョンスタジオ規格で
は、有効映像期間とは別にこのようなノイズを含まない
期間ということでクリーンアパーチャーという有効映像
期間に比べ少し短い期間を定義している。このようなノ
イズは受光面を分割して読み出す撮像素子においては、
映像信号合成後に分割領域の境界で境界線の発生につな
がり、撮影映像の画質に大きく影響を与える。Further, the ringing characteristics of a circuit or a filter used outside the image pickup device may cause noise such as overshoot and undershoot at a boundary portion of a video period. Actually, the HDTV studio standard defines a period that is a little shorter than the effective image period called a clean aperture because it is a period that does not include such noises separately from the effective image period. In an image sensor which reads out such noise by dividing the light receiving surface,
After synthesizing the video signal, a boundary line is generated at the boundary of the divided area, which greatly affects the image quality of the captured video.
【0008】本発明の目的は、2個以上の出力端子を有
するCCD型固体撮像素子、または2個以上の撮像素子
を用いたCCD型撮像装置において、映像信号を出力す
る際に撮像素子上のアンプの立ち上がり特性が有効映像
信号に影響を与えないようにするとともに各撮像素子に
設けられた出力端子の特性のばらつきを補正し得るよう
にし、さらに、外部信号処理回路の動特性の影響が有効
映像信号に現れないようにするCCD型撮像素子の駆動
方法およびCCD型撮像装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a CCD type solid-state image pickup device having two or more output terminals or a CCD type image pickup device using two or more image pickup devices when outputting a video signal. Prevents the rise characteristics of the amplifier from affecting the effective video signal, corrects the variations in the characteristics of the output terminals provided on each image sensor, and effectively controls the dynamic characteristics of the external signal processing circuit. An object of the present invention is to provide a driving method of a CCD type image pickup device and a CCD type image pickup device which do not appear in a video signal.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、撮像素子内部で水平有効映像期間の直
前にリファレンス信号、または画素レベルとして連続性
のあるダミー信号(以下、基準信号と言う)を出力し、
また、水平有効映像期間の直後にダミー信号を出力する
CCD型撮像装置を提供し、これは、各撮像素子の出力
端子毎の特性のばらつきなどが水平有効映像期間の映像
出力に与える悪影響を軽減することを目的とする。ま
た、既存のCCD型撮像素子の素子構成を全く変更する
ことなしに上記リファレンス信号やダミー信号を生成す
る新規なCCD型撮像素子の駆動方法を提供する。さら
に、上記リファレンス信号を基準にしてCCD型撮像素
子の出力回路の特性を補正することによりリアルタイム
での補正が可能となり、出力回路特性の時間的変動にも
対応させることが可能となる。In order to achieve the above object, according to the present invention, a reference signal or a dummy signal having a continuity as a pixel level (hereinafter referred to as a reference signal) is provided immediately before a horizontal effective video period in an image sensor. Output)
In addition, the present invention provides a CCD type imaging device that outputs a dummy signal immediately after the horizontal effective video period, which reduces the adverse effect on the video output during the horizontal effective video period due to variations in characteristics of the output terminals of each image sensor. The purpose is to do. Further, the present invention provides a novel CCD type image pickup device driving method which generates the above-mentioned reference signal and dummy signal without changing the element configuration of the existing CCD type image pickup device at all. Further, by correcting the characteristics of the output circuit of the CCD type imaging device with reference to the reference signal, real-time correction is possible, and it is possible to cope with a temporal change in the output circuit characteristics.
【0010】すなわち、本発明CCD型撮像素子の駆動
方法は、読み出し信号リセット用トランジスタを所定期
間オン状態にするとともに、当該期間に前記読み出し信
号リセット用トランジスタに接続されたリセット電源の
電位を水平電荷転送CCDのSGゲートにおける電位バ
リアレベルより低くすることによって当該水平電荷転送
CCDの最終段の予備ゲート下に所定レベルの基準信号
電荷を注入し、さらに前記水平電荷転送CCDの電荷転
送方向が有効映像期間の転送方向に対し逆方向となるタ
イミングの転送パルスを前記水平電荷転送CCDに印加
することによって、前記基準信号電荷を前記水平電荷転
送CCD内部のあらかじめ定められた数の予備ゲートに
蓄積し、該蓄積された前記基準信号電荷を水平有効映像
期間の直前に読み出し得るようにしたことを特徴とする
ものである。That is, in the driving method of the CCD type image pickup device according to the present invention, the read signal reset transistor is turned on for a predetermined period, and the potential of the reset power supply connected to the read signal reset transistor is changed to the horizontal charge during the period. By lowering the potential barrier level at the SG gate of the transfer CCD, a reference signal charge of a predetermined level is injected below the preliminary gate at the final stage of the horizontal charge transfer CCD, and the charge transfer direction of the horizontal charge transfer CCD is changed to an effective image. By applying a transfer pulse having a timing opposite to the transfer direction of the period to the horizontal charge transfer CCD, the reference signal charge is accumulated in a predetermined number of spare gates inside the horizontal charge transfer CCD, The stored reference signal charge is read immediately before a horizontal effective video period. It is characterized in that it has as to be in.
【0011】また、本発明CCD型撮像素子の駆動方法
は、前記基準信号電荷の注入直前にSGゲート電極への
印加電圧を制御して前記電位バリアレベルの高さを調整
することによって、前記予備ゲート下に注入される信号
電荷量を調整し、注入される電荷を任意のレベルに制御
し得るようにしたことを特徴とするものである。Further, in the driving method of the CCD type image pickup device according to the present invention, the height of the potential barrier level is adjusted by controlling the voltage applied to the SG gate electrode immediately before the injection of the reference signal charge, thereby making the preliminary It is characterized in that the amount of signal charge injected under the gate is adjusted so that the injected charge can be controlled to an arbitrary level.
【0012】また、本発明CCD型撮像素子の駆動方法
は、さらにCCD型撮像素子の水平有効映像期間の直後
に前記読み出し信号リセット用トランジスタを所定期間
オフ状態にして、前記水平有効映像期間の最終画素レベ
ルの出力を保持し得るようにしたことを特徴とするもの
である。Further, in the driving method of the CCD type image pickup device according to the present invention, the read signal reset transistor is turned off for a predetermined period immediately after the horizontal effective image period of the CCD type image pickup device. It is characterized in that an output at a pixel level can be held.
【0013】また、本発明CCD型撮像装置は、受光領
域を複数の領域に分割してその分割されたそれぞれの領
域毎に撮像信号出力端子を有するCCD型撮像素子また
は複数のCCD型撮像素子を用いて構成したCCD型撮
像装置において、前記CCD型撮像素子が、水平有効映
像期間の直前の期間に所定レベルを有する基準信号が付
加されて出力されるCCD型撮像素子であることを特徴
とするものである。Further, the CCD type image pickup device of the present invention comprises a CCD type image pickup device or a plurality of CCD type image pickup devices having a light receiving area divided into a plurality of areas and having an image signal output terminal for each of the divided areas. In the CCD imaging device configured using the CCD imaging device, the CCD imaging device is a CCD imaging device to which a reference signal having a predetermined level is added and output in a period immediately before a horizontal effective image period. Things.
【0014】また、本発明CCD型撮像装置は、さらに
電位バリアレベル調整用基準電源を具え、前記基準信号
付加のために基準信号レベルに相当する信号電荷を注入
する直前に水平電荷転送CCDのSGゲート電極への印
加電圧を制御することで電位バリアレベルの高さを調整
することによって、注入電荷量を調整し、基準信号レベ
ルを任意に可変し得るようにしたことを特徴とするもの
である。The CCD type imaging apparatus of the present invention further comprises a reference power supply for adjusting a potential barrier level, and the SG of the horizontal charge transfer CCD immediately before injecting a signal charge corresponding to the reference signal level for adding the reference signal. By adjusting the height of the potential barrier level by controlling the voltage applied to the gate electrode, the amount of injected charge is adjusted, and the reference signal level can be arbitrarily varied. .
【0015】また、本発明CCD型撮像装置は、さらに
CCD型撮像素子の水平有効映像期間の最終画素レベル
の出力を保持し得るように前記水平有効映像期間の直後
に所定期間オフ状態にされる読み出し信号リセット用ト
ランジスタを具えたことを特徴とするものである。Further, the CCD type image pickup apparatus of the present invention is turned off for a predetermined period immediately after the horizontal effective image period so that the output of the last pixel level of the horizontal effective image period of the CCD type image pickup device can be held. A read signal reset transistor is provided.
【0016】また、本発明CCD型撮像装置は、さらに
アンプゲインが前記基準信号に関連した信号によって制
御されるゲイン制御アンプを具えたことを特徴とするも
のである。Further, the CCD type imaging apparatus according to the present invention further comprises a gain control amplifier whose amplifier gain is controlled by a signal related to the reference signal.
【0017】また、本発明CCD型撮像装置は、前記C
CD型撮像素子の水平有効映像期間の直前の期間に付加
される所定レベルを有する基準信号が、それぞれが所定
レベルを有する複数のレベルを含んでいる基準信号であ
ることを特徴とするものである。Further, the CCD type imaging apparatus according to the present invention is characterized in that
The reference signal having a predetermined level added in a period immediately before the horizontal effective video period of the CD-type image sensor is a reference signal including a plurality of levels each having a predetermined level. .
【0018】また、本発明CCD型撮像装置は、受光領
域を複数の領域に分割してその分割されたそれぞれの領
域毎に撮像信号出力端子を有するCCD型撮像素子を用
いて構成したCCD型撮像装置において、領域毎の水平
電荷転送CCDのSGゲート電極が、前記領域毎の最左
列の画素が他の領域と隣接している領域において、前記
領域毎に水平有効映像期間の直前の期間に付加される基
準信号のレベルが隣接領域の1ライン前の最右列の画素
のレベルと同一レベルになるように印加電圧が制御され
るSGゲート電極であることを特徴とするものである。Further, the CCD type imaging apparatus according to the present invention divides a light receiving area into a plurality of areas, and uses a CCD type imaging device having an imaging signal output terminal for each of the divided areas. In the device, the SG gate electrode of the horizontal charge transfer CCD for each region is connected to the region where the leftmost pixel of each region is adjacent to another region during a period immediately before the horizontal effective video period for each region. It is an SG gate electrode whose applied voltage is controlled such that the level of the reference signal to be added is the same as the level of the pixel in the rightmost column one line before the adjacent region.
【0019】また、本発明CCD型撮像装置は、前記S
Gゲート電極が、さらに前記領域毎の水平電荷転送CC
Dの予備ゲート内の複数の電荷蓄積セルにそれぞれ異な
るレベルの信号を注入するように印加電圧が制御される
SGゲート電極であることを特徴とするものである。Further, the CCD type imaging apparatus of the present invention has
The G gate electrode further includes a horizontal charge transfer CC for each of the regions.
D is an SG gate electrode whose applied voltage is controlled so that signals of different levels are respectively injected into a plurality of charge storage cells in the spare gate.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照し、発明の
実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。本発明
の説明に入るに先立ち、本発明との対比のため、まず、
従来のCCD型撮像素子の駆動方法について説明する。
図1は、水平電荷転送CCDとして3相転送方式を用い
た従来のCCD型撮像素子の出力アンプ周辺の構成を示
している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Prior to describing the present invention, for comparison with the present invention, first,
A driving method of a conventional CCD image sensor will be described.
FIG. 1 shows a configuration around an output amplifier of a conventional CCD image sensor using a three-phase transfer method as a horizontal charge transfer CCD.
【0021】図1において、CCD型撮像素子における
一般的な信号電荷の流れは以下のようである。すなわ
ち、受光部で光電変換された信号電荷(マイナス電荷)
が図示されない垂直電荷転送CCDを介して各ライン毎
に水平電荷転送CCDに転送される。図1中のR1,R
2,R3は3相の転送ゲートで1画素の信号電荷転送を
取り扱う。水平電荷転送CCDに転送された信号電荷
は、3相の駆動パルスで水平電荷転送CCDを駆動する
ことにより順次左方向に転送され、水平電荷転送CCD
の最後のゲートRLから、一定バイアスに設定されたゲ
ートSGを通過し、ノードAまで転送される。ノードA
で電荷は電荷検出容量Cに充電され、電圧信号に変換さ
れて出力アンプで増幅後、撮像素子の出力端子より出力
される。In FIG. 1, the general flow of signal charges in a CCD type image pickup device is as follows. That is, the signal charge (minus charge) photoelectrically converted by the light receiving unit
Is transferred to a horizontal charge transfer CCD for each line via a vertical charge transfer CCD (not shown). R1, R in FIG.
2 and R3 are three-phase transfer gates that handle signal charge transfer of one pixel. The signal charges transferred to the horizontal charge transfer CCD are sequentially transferred to the left by driving the horizontal charge transfer CCD with three-phase driving pulses.
From the last gate RL through the gate SG set to a constant bias, and transferred to the node A. Node A
The charge is charged in the charge detection capacitor C, converted into a voltage signal, amplified by an output amplifier, and then output from the output terminal of the image sensor.
【0022】信号電荷により充電された電荷検出容量C
は、次に、リセットゲートRGをONにして一定のリセ
ット電位Vdにリセットされる。リセット後、リセット
ゲートRGをOFFにして次の画素の信号電荷の充電に
備える。この動作を繰り返すことにより、次々に画素の
信号電荷を読み出すことができる。また、水平ブランキ
ング期間は水平電荷転送CCDの動作を停止し、従っ
て、ノードAには電荷は転送されず、リセットゲートR
GのみがON/OFFしている。以上は、従来技術の動
作説明である。Charge detection capacitance C charged by signal charge
Next, the reset gate RG is turned on to reset to a constant reset potential Vd. After the reset, the reset gate RG is turned off to prepare for charging the signal charge of the next pixel. By repeating this operation, the signal charges of the pixels can be read one after another. During the horizontal blanking period, the operation of the horizontal charge transfer CCD is stopped, so that no charge is transferred to the node A and the reset gate R
Only G is ON / OFF. The above is the description of the operation of the related art.
【0023】次に、本発明CCD型撮像素子の駆動方法
を説明する。図2は、本発明CCD型撮像素子の駆動方
法における駆動パルスのタイミングを示している。本発
明駆動方法は、水平ブランキング期間にリセット電位V
dを一時的に下げることにより、基準信号電荷(マイナ
ス電荷)を水平電荷転送CCDに注入し、次の信号電荷
読み出し時に基準信号として読み出すことを基本として
いる。Next, a driving method of the CCD type image pickup device according to the present invention will be described. FIG. 2 shows the timing of the driving pulse in the driving method of the CCD type imaging device of the present invention. According to the driving method of the present invention, the reset potential V
By basically lowering d, the reference signal charge (minus charge) is injected into the horizontal charge transfer CCD, and is read out as a reference signal at the time of reading out the next signal charge.
【0024】これは、原理的には、水平ブランキング期
間の一部においてリセットゲートRGをONにし、その
間、リセット電位VdをSGゲート直下の電位バリアレ
ベル以下に下げることでマイナス電荷を水平電荷転送C
CDのRLゲート下に注入することで達成される。This is because, in principle, the reset gate RG is turned on during a part of the horizontal blanking period, and during that time, the reset electric potential Vd is lowered below the potential barrier level immediately below the SG gate to transfer the negative electric charge to the horizontal electric charge transfer. C
This is achieved by injection under the RL gate of the CD.
【0025】実際には、図2に示すように、水平ブラン
キング期間においてリセットゲートRGを信号電荷読み
出し時と同様水平電荷転送CCDのクロック周波数でO
N/OFFを繰り返す動作を行っても、ON期間にリセ
ット電位Vdの電位はノードAに達するので何ら問題な
く水平電荷転送CCDのRLゲート下に電荷を注入する
ことができる。Actually, as shown in FIG. 2, the reset gate RG is driven at the clock frequency of the horizontal charge transfer CCD during the horizontal blanking period in the same manner as when reading out the signal charge.
Even if an operation of repeating N / OFF is performed, the potential of the reset potential Vd reaches the node A during the ON period, so that charges can be injected under the RL gate of the horizontal charge transfer CCD without any problem.
【0026】次に、R1,R2,R3,RLゲートのパ
ルスタイミングを調整することで電荷を通常の、転送方
向(順方向)とは逆の方向に転送し、注入マイナス電荷
を予備ゲート部(図1参照)に蓄積する。蓄積が完了し
た時点で、TCKパルスによって受光部からの映像信号
電荷を水平電荷転送CCDのゲートR2,R3ゲート下
に転送後、R2ゲートのマイナス電荷をR3ゲート下に
転送して両者をまとめたうえで水平電荷転送CCDを順
方向に転送することにより信号を読み出す。Next, by adjusting the pulse timing of the R1, R2, R3, and RL gates, the charges are transferred in the direction opposite to the normal transfer direction (forward direction), and the injected minus charges are transferred to the spare gate portion ( (See FIG. 1). At the time when the accumulation is completed, the video signal charge from the light receiving section is transferred under the gates R2 and R3 of the horizontal charge transfer CCD by the TCK pulse, and then the negative charge of the gate R2 is transferred under the gate R3 to combine them. Then, a signal is read by transferring the horizontal charge transfer CCD in the forward direction.
【0027】これによって、まず予備ゲート下に蓄積さ
れた注入マイナス電荷が出力信号として読み出され、そ
の後連続して信号電荷が出力されることになる。さら
に、最後の映像信号電荷が電荷検出容量Cに転送された
時点で、ある一定期間リセット動作を停止すれば撮像素
子の出力アンプからは1ラインの最終画素のレベルが保
持されて出力される。As a result, first, the injected negative charges accumulated under the spare gate are read out as an output signal, and thereafter, the signal charges are continuously output. Further, at the time when the last video signal charge is transferred to the charge detection capacitor C, if the reset operation is stopped for a certain period, the level of the last pixel of one line is held and output from the output amplifier of the image sensor.
【0028】図3(a),(b)および(c)は、水平
有効映像期間における信号電荷読み出し時の、本発明に
よって水平ブランキング期間に行われるマイナス電荷注
入時の、およびマイナス電荷注入後リセット電位を元の
電位に戻すときの撮像素子の出力アンプ周辺の電子の各
ポテンシャル図を示している。まず、水平有効映像期間
における信号電荷読み出し時には、図3(a)に示すよ
うに、水平電荷転送CCDから送られてくる信号電荷が
ノードAで検出され、信号電荷読み出し後にはリセット
ゲートRGを通して定電位Vd0に吸収される。FIGS. 3A, 3B and 3C show the signal charge readout during the horizontal effective image period, the negative charge injection performed during the horizontal blanking period according to the present invention, and after the negative charge injection. FIG. 4 shows potential diagrams of electrons around an output amplifier of an image sensor when a reset potential is returned to an original potential. First, at the time of reading out signal charges in the horizontal effective image period, as shown in FIG. 3A, the signal charges sent from the horizontal charge transfer CCD are detected at the node A, and after reading out the signal charges, the signal charges are fixed through the reset gate RG. It is absorbed by the potential Vd0.
【0029】本発明によって、水平ブランキング期間に
行われる電荷注入時には、図3(b)に示すように、ま
ず、読み出し時にはパルス駆動されている水平電荷転送
CCDの最終段ゲートRLの電圧を上げ(電子のポテン
シャルを下げ)電荷を蓄積できる状態にし、次にリセッ
ト電位VdをSGゲート下のポテンシャルレベルより上
げる(電位を下げる)ことによりノードA、およびS
G、RLゲート下に電荷を注入する。電荷注入後は、図
3(c)に示すように、セット電位Vdを再び元のVd
0まで戻すことにより不要な注入電荷は吸収され、SG
ゲートとRLゲートのポテンシャル差に応じた電荷量が
RLゲート直下に残留する。According to the present invention, at the time of charge injection during the horizontal blanking period, as shown in FIG. 3B, first, at the time of reading, the voltage of the last-stage gate RL of the pulse-driven horizontal charge transfer CCD is increased. (Lower the potential of the electrons) so as to be able to accumulate the charges, and then raise the reset potential Vd above the potential level under the SG gate (lower the potential) to reduce the nodes A and S
The charge is injected under the G and RL gates. After the charge injection, the set potential Vd is restored to the original Vd as shown in FIG.
By returning to 0, unnecessary injected charges are absorbed and SG
A charge corresponding to the potential difference between the gate and the RL gate remains immediately below the RL gate.
【0030】このRLゲート直下に残された電荷を、図
4(b)に示すように、通常の信号電荷読み出し時(図
4(a)参照)と逆方向に1段転送することにより基準
信号電荷を水平電荷転送CCD内部に送ることができ
る。上記動作を繰り返すことにより複数画素にわたって
基準信号電荷を水平電荷転送CCD内の予備ゲート部に
蓄積することができる。水平ブランキング期間終了直前
に水平電荷転送CCDを駆動し始め、信号を読み出すこ
とにより、図5(b)に示すように、有効映像期間の直
前のある一定期間基準信号を得ることができ、アンプの
立ち上がり特性が有効映像信号に影響を与えないように
することができる。なお、図5(a)は本発明を適用し
ない従来のCCD型撮像素子の駆動の場合を示してい
る。As shown in FIG. 4B, the charge remaining immediately below the RL gate is transferred by one stage in the direction opposite to the normal signal charge readout (see FIG. 4A), thereby obtaining a reference signal. The charge can be sent inside the horizontal charge transfer CCD. By repeating the above operation, the reference signal charges can be accumulated in the spare gate portion in the horizontal charge transfer CCD over a plurality of pixels. By starting driving the horizontal charge transfer CCD immediately before the end of the horizontal blanking period and reading out the signal, a reference signal can be obtained for a certain period immediately before the effective video period, as shown in FIG. Can be prevented from affecting the effective video signal. FIG. 5A shows a case of driving a conventional CCD image sensor to which the present invention is not applied.
【0031】また、前述したように、水平有効期間終了
直後にも最終画素レベルをリセットパルス(リセットゲ
ートRGに印加するパルス)停止期間に出力することが
できる(図5(b)参照)ので、外部信号処理回路の動
特性の影響が有効映像信号に現れないようにすることが
できる。Further, as described above, the final pixel level can be output during the reset pulse (pulse applied to the reset gate RG) stop period immediately after the end of the horizontal effective period (see FIG. 5B). The effect of the dynamic characteristics of the external signal processing circuit can be prevented from appearing in the effective video signal.
【0032】一方、出力信号における基準信号レベル、
および映像信号レベルは出力アンプのゲインによって左
右され、複数の出力端子から読み出された映像信号のゲ
インのばらつきの原因となる。On the other hand, the reference signal level of the output signal,
In addition, the video signal level is affected by the gain of the output amplifier, and causes a variation in the gain of the video signals read from the plurality of output terminals.
【0033】図6は、複数の出力端子から読み出された
映像信号のゲインのばらつきを補正するゲイン補正回路
の一例を示している。本例においては、水平ライン毎に
出力される基準信号をスイッチSWによって容量Cに蓄
積し、蓄積によって変換された電圧をコンパレータによ
り基準電圧Vsと比較し、その出力をゲイン制御信号と
して映像信号が入力されたゲイン制御アンプを制御する
ように構成する。このようにすれば、多出力構造型撮像
素子の領域間のばらつきや複数のCCD型撮像素子間の
ばらつきを補正することができる。FIG. 6 shows an example of a gain correction circuit for correcting a variation in gain of video signals read from a plurality of output terminals. In this example, a reference signal output for each horizontal line is stored in a capacitor C by a switch SW, a voltage converted by the storage is compared with a reference voltage Vs by a comparator, and the output is used as a gain control signal to output a video signal. It is configured to control the input gain control amplifier. In this way, it is possible to correct variations between the regions of the multi-output structure type imaging device and variations between the plurality of CCD type imaging devices.
【0034】図7は、基準信号レベルに相当する信号電
荷の注入直前に、水平電荷転送CCDのSGゲート電極
への印加電圧を制御することで電位バリアレベルの高さ
を調整することによって、注入電荷量を調整し、基準信
号のレベルを任意に可変し得るようにしたCCD型撮像
素子の駆動方法を示している。図7において、SGゲー
トに印加する電圧を制御することによりSGゲート下の
バリアレベル(図3参照)が変化し、注入できる電荷量
を制御することが可能となる。FIG. 7 shows that, just before the injection of the signal charge corresponding to the reference signal level, the level of the potential barrier level is adjusted by controlling the voltage applied to the SG gate electrode of the horizontal charge transfer CCD. A driving method of a CCD type image pickup device in which a charge amount is adjusted and a level of a reference signal can be arbitrarily changed is shown. In FIG. 7, by controlling the voltage applied to the SG gate, the barrier level below the SG gate (see FIG. 3) changes, and the amount of charge that can be injected can be controlled.
【0035】図8は、この(図7に示す)駆動方法によ
って構成したCCD型撮像装置の一構成例を示してい
る。図8においては、受光部領域の画素は3つの領域に
分割され、水平電荷転送CCD1、水平電荷転送CCD
2、および水平電荷転送CCD3によってそれぞれ読み
出される。いま、(n−1)ライン目の画素の読み出し
時に領域1、領域2における(n−1)ラインの最終画
素、の出力レベルをスイッチSW1、SW2をON
することによって容量C1、C2 にそれぞれ蓄積し、
その蓄積レベルに対応したDCバイアス(本例では、差
動増幅器の出力)をSG2、SG3にそれぞれ加えるこ
とにより、予備ゲート2、3に蓄積する注入電荷量を
、の画素信号レベルと同量にすることができる。FIG. 8 shows an example of the configuration of a CCD type image pickup apparatus constructed by this driving method (shown in FIG. 7). In FIG. 8, the pixels in the light receiving area are divided into three areas, a horizontal charge transfer CCD 1 and a horizontal charge transfer CCD.
2 and the horizontal charge transfer CCD 3 respectively. Now, when reading out the pixels on the (n-1) th line, the output levels of the last pixel on the (n-1) th line in the region 1 and the region 2 are turned on by the switches SW1 and SW2.
By doing so, they are stored in the capacitors C1 and C2, respectively.
By applying a DC bias (the output of the differential amplifier in this example) corresponding to the accumulation level to SG2 and SG3, the amount of injected charges accumulated in the spare gates 2 and 3 is made equal to the pixel signal level of can do.
【0036】次に、nライン目の画素の読み出しが開始
されたとき、領域2、領域3の最初の有効画素、が
読み出される前にその予備ゲートに蓄積された画素、
の隣接画素、のレベルと同量の信号が読み出さ
れ、領域を分割した際に発生する外部信号処理回路の動
特性の影響による不連続成分を抑圧することができる。
本例は、水平電荷転送CCDが3つの場合の例を示して
いるが、これは、受光部領域の画素が2つ以上の領域に
分割され、2つ以上の水平電荷転送CCDを含む場合の
構成として常に可能なものである。Next, when the reading of the pixels on the n-th line is started, the pixels stored in the spare gate before the first effective pixel in the area 2 and the area 3 are read out,
The same amount of signals as the level of the adjacent pixel is read out, and the discontinuous component caused by the influence of the dynamic characteristic of the external signal processing circuit generated when the area is divided can be suppressed.
This example shows an example in which there are three horizontal charge transfer CCDs. This is a case where the pixels in the light receiving area are divided into two or more areas and two or more horizontal charge transfer CCDs are included. It is always possible as a configuration.
【0037】図9は、図8に示す構成において、アンプ
ゲインの調整が同時に実現できるようにしたCCD型撮
像装置の一構成例を示している。原理的には予備ゲート
の段数を多くし、外部より予備ゲート内の複数の電荷蓄
積セルに異なるレベルの信号を注入することにより出力
時にさまざまな基準信号レベルを出力することができ
る。FIG. 9 shows an example of the configuration of a CCD type imaging apparatus in which the adjustment of the amplifier gain can be realized simultaneously in the configuration shown in FIG. In principle, various reference signal levels can be output at the time of output by increasing the number of stages of the spare gate and injecting signals of different levels into a plurality of charge storage cells in the spare gate from the outside.
【0038】図9は、その具体例として、予備ゲート内
に電荷蓄積セルR3を2つ(R23とR13)有する場
合である。まず、最初の電荷注入では、スイッチSW
3、SW4を隣接領域の画素出力と同レベルの信号が注
入されるように接続する。電荷を注入し、水平電荷転送
CCDを逆方向に駆動し、注入電荷をゲートR23直下
に蓄積する。次に、スイッチSW3、SW4を基準電圧
A(コンパレータに印加される基準電圧と異なることに
注意されたい)がSG1、SG2、SG3に接続される
ようにし、基準電圧Aと同レベルの信号を注入する。水
平電荷転送CCDを逆方向に駆動することにより、基準
電圧Aと同レベルの信号電荷はR23直下に蓄積され、
さらに事前に注入していた隣接領域の画素出力と同レベ
ルの信号電荷はR13まで転送されて蓄積される。FIG. 9 shows a specific example in which two charge storage cells R3 (R23 and R13) are provided in the spare gate. First, in the first charge injection, the switch SW
3. SW4 is connected so that a signal of the same level as the pixel output of the adjacent area is injected. The charge is injected, the horizontal charge transfer CCD is driven in the reverse direction, and the injected charge is stored immediately below the gate R23. Next, the switches SW3 and SW4 are connected such that the reference voltage A (which is different from the reference voltage applied to the comparator) is connected to SG1, SG2 and SG3, and a signal having the same level as the reference voltage A is injected. I do. By driving the horizontal charge transfer CCD in the reverse direction, signal charges at the same level as the reference voltage A are accumulated immediately below R23,
Further, the signal charge of the same level as the pixel output of the adjacent region, which has been injected in advance, is transferred to R13 and accumulated.
【0039】信号読み出し時にはこれらの注入電荷が順
次読み出され、まず、各アンプに共通の基準電圧Aと同
レベルの信号電荷が読み出され、これをアンプゲインの
調整用基準信号として用いることができる。また、次に
出力される隣接領域の画素出力と同レベルの信号電荷
は、図8に示した例と同様に、領域間のばらつきを補正
するための信号として用いることができる。At the time of signal reading, these injected charges are sequentially read out. First, a signal charge having the same level as the reference voltage A common to each amplifier is read out, and this is used as a reference signal for adjusting the amplifier gain. it can. In addition, the signal charge of the same level as that of the pixel output of the adjacent region to be output next can be used as a signal for correcting the variation between the regions, as in the example shown in FIG.
【0040】[0040]
【発明の効果】本発明によれば、2個以上の出力端子を
有するCCD型撮像素子、または2個以上のCCD型撮
像素子を使用してCCD型撮像装置を構成した場合に、
従来から問題視されていた各撮像素子の出力端子の出力
端子毎の特性のばらつきを精度よく補正することが可能
となる。According to the present invention, when a CCD type imaging device having two or more output terminals, or a CCD type imaging device using two or more CCD type imaging devices,
It is possible to accurately correct variations in characteristics of the output terminals of the respective image pickup devices, which have conventionally been regarded as a problem, for each output terminal.
【0041】また、本発明によれば、2個以上の出力端
子を有するCCD型撮像素子、または2個以上のCCD
型撮像素子を使用してCCD型撮像装置を構成した場合
の出力回路の動特性や信号処理回路におけるフィルタ等
のリンギングによる各ラインにおける出力初期部分のレ
ベル変動をなくすことができる。According to the present invention, there is provided a CCD type image pickup device having two or more output terminals, or two or more CCDs.
In the case where a CCD type image pickup device is constructed using a type image pickup device, it is possible to eliminate the level fluctuation of the initial output portion of each line due to the dynamic characteristics of the output circuit and the ringing of the filter or the like in the signal processing circuit.
【図1】 水平電荷転送CCDとして3相転送方式を用
いた従来のCCD型撮像素子の出力アンプ周辺の構成を
示している。FIG. 1 shows a configuration around an output amplifier of a conventional CCD image sensor using a three-phase transfer method as a horizontal charge transfer CCD.
【図2】 本発明CCD型撮像素子の駆動方法における
駆動パルスのタイミングを示している。FIG. 2 shows the timing of a driving pulse in a driving method of a CCD type imaging device according to the present invention.
【図3】 水平有効映像期間における信号電荷読み出し
時の、本発明によって水平ブランキング期間に行われる
マイナス電荷注入時の、およびマイナス電荷注入後リセ
ット電位を元の電位に戻すときの撮像素子の出力アンプ
周辺の電子の各ポテンシャル図を示している。FIG. 3 shows an output of an image sensor at the time of reading out signal charges during a horizontal effective video period, at the time of injecting negative charges performed during a horizontal blanking period according to the present invention, and when returning a reset potential to the original potential after injecting negative charges. Each potential diagram of electrons around the amplifier is shown.
【図4】 水平有効映像期間における信号電荷読み出し
時と、本発明によって水平ブランキング期間に行われる
マイナス電荷注入時の水平電荷転送CCDの駆動パルス
タイミングを示している。FIG. 4 shows a drive pulse timing of a horizontal charge transfer CCD at the time of reading out signal charges during a horizontal effective video period and at the time of injecting negative charges during a horizontal blanking period according to the present invention.
【図5】 従来のCCD型撮像素子の駆動方法と、本発
明によって水平ブランキング期間にマイナス電荷を注入
する駆動方法とによってそれぞれ得られる1水平期間の
出力映像信号を示している。FIG. 5 shows output video signals for one horizontal period obtained by a conventional driving method of a CCD type imaging device and a driving method of injecting a negative charge during a horizontal blanking period according to the present invention.
【図6】 複数の出力端子から読み出された映像信号の
ゲインのばらつきを補正するゲイン補正回路の一例を示
している。FIG. 6 illustrates an example of a gain correction circuit that corrects a variation in gain of video signals read from a plurality of output terminals.
【図7】 基準信号レベルに相当する信号電荷の注入直
前に、水平電荷転送CCDのSGゲート電極への印加電
圧を抑制することで電位バリアレベルの高さを調整する
ことによって、注入電荷量を調整し、基準信号レベルを
任意に可変し得るようにしたCCD型撮像素子の駆動方
法を示している。FIG. 7: Immediately before the injection of signal charges corresponding to the reference signal level, the height of the potential barrier level is adjusted by suppressing the voltage applied to the SG gate electrode of the horizontal charge transfer CCD, thereby reducing the amount of injected charges. The figure shows a driving method of a CCD type image pickup device that can be adjusted and the reference signal level can be arbitrarily changed.
【図8】 図7に示す駆動方法によって構成したCCD
型撮像装置の一構成例を示している。FIG. 8 is a CCD configured by the driving method shown in FIG.
1 shows an example of a configuration of a portable imaging device.
【図9】 図8に示す構成において、アンプゲインの調
整が同時に実現できるようにしたCCD型撮像装置の一
構成例を示している。FIG. 9 shows an example of a configuration of a CCD imaging apparatus in which adjustment of an amplifier gain can be simultaneously realized in the configuration shown in FIG.
Claims (10)
所定期間オン状態にするとともに、当該期間に前記読み
出し信号リセット用トランジスタに接続されたリセット
電源の電位を水平電荷転送CCDのSGゲートにおける
電位バリアレベルより低くすることによって当該水平電
荷転送CCDの最終段の予備ゲート下に所定レベルの基
準信号電荷を注入し、さらに前記水平電荷転送CCDの
電荷転送方向が有効映像期間の転送方向に対し逆方向と
なるタイミングの転送パルスを前記水平電荷転送CCD
に印加することによって、前記基準信号電荷を前記水平
電荷転送CCD内部のあらかじめ定められた数の予備ゲ
ートに蓄積し、該蓄積された前記基準信号電荷を水平有
効映像期間の直前に読み出し得るようにしたことを特徴
とするCCD型撮像素子の駆動方法。1. A read signal reset transistor is turned on for a predetermined period, and a potential of a reset power supply connected to the read signal reset transistor is lower than a potential barrier level of an SG gate of a horizontal charge transfer CCD during the period. This causes a reference signal charge of a predetermined level to be injected under the preliminary gate at the final stage of the horizontal charge transfer CCD, and further, the timing at which the charge transfer direction of the horizontal charge transfer CCD is opposite to the transfer direction of the effective video period. Transfer pulse of the horizontal charge transfer CCD
So that the reference signal charge is stored in a predetermined number of spare gates inside the horizontal charge transfer CCD so that the stored reference signal charge can be read out immediately before a horizontal effective image period. A driving method for a CCD type image pickup device, characterized in that:
方法において、前記基準信号電荷の注入直前にSGゲー
ト電極への印加電圧を制御して前記電位バリアレベルの
高さを調整することによって、前記予備ゲート下に注入
される信号電荷量を調整し、注入される電荷を任意のレ
ベルに制御し得るようにしたことを特徴とするCCD型
撮像素子の駆動方法。2. The method according to claim 1, wherein a voltage applied to an SG gate electrode is controlled immediately before the injection of the reference signal charge to adjust the height of the potential barrier level. A method of driving a CCD type imaging device, wherein the amount of signal charges injected under the spare gate is adjusted so that the injected charges can be controlled to an arbitrary level.
子の駆動方法において、該駆動方法は、さらにCCD型
撮像素子の水平有効映像期間の直後に前記読み出し信号
リセット用トランジスタを所定期間オフ状態にして、前
記水平有効映像期間の最終画素レベルの出力を保持し得
るようにしたことを特徴とするCCD型撮像素子の駆動
方法。3. The method for driving a CCD type imaging device according to claim 1, further comprising the step of turning off the read signal reset transistor for a predetermined period immediately after a horizontal effective video period of the CCD type imaging device. Wherein the output of the last pixel level in the horizontal effective video period can be held.
割されたそれぞれの領域毎に撮像信号出力端子を有する
CCD型撮像素子または複数のCCD型撮像素子を用い
て構成したCCD型撮像装置において、 前記CCD型撮像素子は、水平有効映像期間の直前の期
間に所定レベルを有する基準信号が付加されて出力され
るCCD型撮像素子であることを特徴とするCCD型撮
像装置。4. A CCD type image pickup device having a light receiving area divided into a plurality of areas and an image pickup signal output terminal for each of the divided areas or a CCD type image pickup apparatus constituted by using a plurality of CCD type image pickup elements. 5. The CCD imaging device according to claim 1, wherein the CCD imaging device is a CCD imaging device to which a reference signal having a predetermined level is added and output in a period immediately before a horizontal effective video period.
て、該撮像装置はさらに電位バリアレベル調整用基準電
源を具え、前記基準信号付加のために基準信号レベルに
相当する信号電荷を注入する直前に水平電荷転送CCD
のSGゲート電極への印加電圧を制御することで電位バ
リアレベルの高さを調整することによって、注入電荷量
を調整し、基準信号レベルを任意に可変し得るようにし
たことを特徴とするCCD型撮像装置。5. The CCD type imaging device according to claim 4, further comprising a reference power supply for adjusting a potential barrier level, and immediately before injecting a signal charge corresponding to a reference signal level for adding said reference signal. Horizontal charge transfer CCD
Wherein the voltage applied to the SG gate electrode is controlled to adjust the height of the potential barrier level, thereby adjusting the amount of injected charge and arbitrarily changing the reference signal level. Type imaging device.
置において、該撮像装置はさらにCCD型撮像素子の水
平有効映像期間の最終画素レベルの出力を保持し得るよ
うに前記水平有効映像期間の直後に所定期間オフ状態に
される読み出し信号リセット用トランジスタを具えたこ
とを特徴とするCCD型撮像装置。6. The CCD type imaging device according to claim 4, wherein said imaging device further holds an output of a final effective pixel level of the horizontal effective video period of the CCD type imaging device. A CCD type imaging device comprising a read signal reset transistor which is turned off immediately after a predetermined period.
CD型撮像装置において、該撮像装置はさらにアンプゲ
インが前記基準信号に関連した信号によって制御される
ゲイン制御アンプを具えたことを特徴とするCCD型撮
像装置。7. C according to claim 4, wherein
A CCD type imaging apparatus, wherein the imaging apparatus further includes a gain control amplifier whose amplifier gain is controlled by a signal related to the reference signal.
CD型撮像装置において、前記CCD型撮像素子の水平
有効映像期間の直前の期間に付加される所定レベルを有
する基準信号は、それぞれが所定レベルを有する複数の
レベルを含んでいる基準信号であることを特徴とするC
CD型撮像装置。8. C according to any one of claims 4 to 7,
In the CD imaging device, the reference signal having a predetermined level added in a period immediately before the horizontal effective video period of the CCD imaging device is a reference signal including a plurality of levels each having a predetermined level. C characterized by
CD type imaging device.
割されたそれぞれの領域毎に撮像信号出力端子を有する
CCD型撮像素子を用いて構成したCCD型撮像装置に
おいて、領域毎の水平電荷転送CCDのSGゲート電極
は、前記領域毎の最左列の画素が他の領域と隣接してい
る領域において、前記領域毎に水平有効映像期間の直前
の期間に付加される基準信号のレベルが隣接領域の1ラ
イン前の最右列の画素のレベルと同一レベルになるよう
に印加電圧が制御されるSGゲート電極であることを特
徴とするCCD型撮像装置。9. A CCD type image pickup apparatus comprising a light receiving area divided into a plurality of areas and using a CCD type image pickup device having an image pickup signal output terminal for each of the divided areas. The SG gate electrode of the transfer CCD has a level of a reference signal added to a period immediately before a horizontal effective video period for each region in a region where the leftmost pixel of each region is adjacent to another region. A CCD type image pickup device characterized by being an SG gate electrode whose applied voltage is controlled so as to be at the same level as the level of a pixel in the rightmost column one line before the adjacent region.
いて、前記SGゲート電極は、さらに前記領域毎の水平
電荷転送CCDの予備ゲート内の複数の電荷蓄積セルに
それぞれ異なるレベルの信号を注入するように印加電圧
が制御されるSGゲート電極であることを特徴とするC
CD型撮像装置。10. The CCD type imaging device according to claim 9, wherein the SG gate electrode further injects signals of different levels into a plurality of charge storage cells in a spare gate of the horizontal charge transfer CCD for each area. Characterized in that it is an SG gate electrode whose applied voltage is controlled as described above.
CD type imaging device.
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JP10641899A JP3987232B2 (en) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Method for driving CCD type imaging device and CCD type imaging device |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008259244A (en) * | 2001-03-13 | 2008-10-23 | Ecchandesu:Kk | Image sensor |
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-
1999
- 1999-04-14 JP JP10641899A patent/JP3987232B2/en not_active Expired - Fee Related
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US8367999B2 (en) | 2009-01-30 | 2013-02-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid state imaging device comprising dummy regions each containing a multiplication register and an amplifier |
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