JP2000275102A - 光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法 - Google Patents
光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法Info
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Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 62
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 55
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000003345 scintillation counting Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229940088597 hormone Drugs 0.000 description 3
- 239000005556 hormone Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 2
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 2
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001256 tonic effect Effects 0.000 description 2
- 229960000716 tonics Drugs 0.000 description 2
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 2
- CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenyl-1,3-oxazole Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010036618 Premenstrual syndrome Diseases 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000015961 tonic Nutrition 0.000 description 1
- 239000000439 tumor marker Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/16—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
- G01J1/18—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors using comparison with a reference electric value
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
する。 【解決手段】 液体シンチレーションカウンタ10は、
HPD24、チャージアンプ26、電圧アンプ28、比
較器30、カウンタ32、マルチチャネルアナライザ3
4、CPU36、ディスプレイ38等を備えて構成され
る。HPD24は、光電面24aとAPD24bとを有
し、入射する光子の数に応じた信号を出力する。比較器
30は、HPD24から出力され、チャージアンプ2
6、電圧アンプ28によって増幅された出力信号が、所
定のしきい値よりも大きい場合にのみ、当該出力信号を
出力する。しきい値は、HPD24の光電面24aから
放出される光電子が1つである場合の出力信号より大き
く、光電子が2つである場合の出力信号より小さい値に
設定されている。
Description
チレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測
方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法に関
するものである。
のような微弱な光を計測する光計測装置として、光電子
増倍管を用いた光計測装置が知られている。光電子増倍
管は、入射した光束の光量に応じた光電子を放出する光
電面と、光電面から放出された光電子を増倍して出力す
る増倍部とを備えて構成される。従って、光電子増倍管
から出力されるパルス電流の数を計数することで、入射
した光束の光量を計測することが可能となる。
い測定を行おうとすると、熱的なゆらぎ等に起因して放
出される暗電流パルスがノイズとして作用する。これに
対して、光電子増倍管を2つ並べ、当該2つの光電子増
倍管の双方から同時に出力パルスが得られたときのみ、
出力パルスを有効なものとする同時計数法なる手法が知
られている。また、同時に複数個の光子が入射するマル
チフォトン検出の場合は、出力パルスのピーク値が一定
のしきい値以上となる場合にのみ、出力パルスを有効な
ものとする手法なども知られている。
より暗電流パルスを除去する光計測装置においては、以
下に示すような問題点があった。すなわち、2つの光電
子増倍管、2つの高速処理回路及び同時計数回路が必要
となることから装置が複雑化・大型化する。また、2つ
の光電子増倍管に同時に光子を入射させなくてはならな
いため、計数効率すなわち精度が低下する。
去する光計測装置においては、以下に示すような問題点
があった。すなわち、例えばMikio Yamashita, Osamu Y
uraand Yasushi Kawada: Utilization of High-Gain Fi
rst-Dynode PMTs for Measuring the Average Numbers
of Photoelectrons in Weak Light and Scintillation
s, Bulletin of the Electrotechnical Laboratory, Vo
l.47, Nos.9, 10, 1983に記載されているように、暗電
流パルスは、光電面から単一の光電子が放出された場合
とほぼ同様の出力波形を有する。しかし、光電子増倍管
の出力波形においては、光電面から単一の光電子が放出
された現象と複数の光電子が放出された現象とを完全に
分離することができないため、暗電流パルスを除去しよ
うとすると、しきい値を大きく(例えば4つの光電子に
対応するピーク値)する必要がある。ここで、しきい値
を大きくするに伴い暗電流パルスは効果的に除去できる
ようになるが、光電子の数え漏れも多く発生するように
なり、計数効率すなわち精度が低下する。
52号公報、特開平9−329548号公報、特開平1
0−227695号公報には、単一の光電子が放出され
た現象と複数の光電子が放出された現象とを分離して検
出できる光計測装置が記載されているが、これらの光計
測装置は、光電子数の平均値の推定等を行うものであ
り、暗電流パルスを除去することはできない。
電流パルスを有効に除去することができ、精度の高い測
定ができる光計測装置及びこれを用いたシンチレーショ
ンカウンタ、パーティクルカウンタ、並びに、光計測方
法及びこれを用いたシンチレーション計数方法、粒子計
数方法を提供することを課題とする。
に、本発明の光計測装置は、入射した光束の光量に応じ
た光電子を放出し、光電子の数に応じた出力信号を出力
する光検出手段と、出力信号と所定のしきい値とを比較
し、出力信号がしきい値よりも大きい場合にのみ出力信
号を出力する比較手段とを備え、しきい値は、光検出手
段により放出される光電子が1つである場合の出力信号
より大きく、光検出手段により放出される光電子が2つ
である場合の出力信号より小さいことを特徴としてい
る。
信号を出力し、光電子が1つである場合の出力信号より
大きく光電子が2つである場合の出力信号より小さいし
きい値よりも大きい出力信号のみを出力することで、単
一の光電子が放出された場合とほぼ同様の出力波形を有
する暗電流パルスを有効に除去できる。一方、2つ以上
の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、有
効に出力される。
きい値を設定する設定手段をさらに備えたことを特徴と
してもよい。
号、あるいは、暗電流パルスの出力信号は、周囲温度等
の使用環境により変動する。従って、しきい値を設定す
る設定手段を有することで、しきい値を使用環境に応じ
て適宜設定し直すことができる。
定手段は、光検出手段により放出される光電子が1つで
ある場合の出力信号を測定し、出力信号の1〜2倍の範
囲にしきい値を設定することを特徴としてもよい。
し、出力信号の1〜2倍の範囲にしきい値を設定するこ
とで、光電子が1つである場合の出力信号があらかじめ
わからない場合であっても、適切なしきい値を設定する
ことができる。
定手段は、光検出手段により光束が検出されない暗状態
の出力信号を一定期間測定し、出力信号の最大値をしき
い値として設定することを特徴としてもよい。
出力信号の最大値をしきい値として設定することで、暗
状態の出力信号があらかじめわからない場合であって
も、適切なしきい値を設定することができる。
きい値は、光検出手段により放出される光電子が1つで
ある場合の出力信号の1.2〜1.8倍の範囲であるこ
とが好適であり、1.3〜1.5倍の範囲であることが
より好適である。
検出手段は、入射した光束の光量に応じた光電子を放出
する光電面と、光電面から放出された光電子を加速する
加速手段と、加速手段によって加速された光電子を入射
させ、光電子の数に応じた信号を出力する半導体光検出
器とを備えたことを特徴としてもよい。
を備えた光検出手段を用いることで、光電面から同時
(あるいは極めて近いタイミング)に放出される光電子
が1つである場合と2つ以上である場合とを効果的に分
離して検出することができる。
導体光検出器は、アバランシェフォトダイオードである
ことが好適である。
のシンチレーションカウンタは、シンチレータから発せ
られる蛍光を光計測装置を用いて計測し、蛍光を計数す
るシンチレーションカウンタであって、光計測装置は、
上記いずれかの光計測装置であることを特徴としてい
る。
で、暗電流パルスを有効に除去できるとともに、2つ以
上の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、
有効に出力される。
のパーティクルカウンタは、粒子によって散乱される散
乱光を光計測装置を用いて計測し、粒子を計数するパー
ティクルカウンタであって、光計測装置は、上記いずれ
かの光計測装置であることを特徴としている。
で、暗電流パルスを有効に除去できるとともに、2つ以
上の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、
有効に出力される。
の光計測方法は、入射した光束の光量に応じた光電子を
放出し、光電子の数に応じた出力信号を出力する光検出
工程と、出力信号と所定のしきい値とを比較し、出力信
号がしきい値よりも大きい場合にのみ出力信号を出力す
る比較工程とを備え、しきい値は、光検出工程において
放出される光電子が1つである場合の出力信号より大き
く、光検出工程において放出される光電子が2つである
場合の前記出力信号より小さいことを特徴としている。
力信号を出力し、光電子が1つである場合の出力信号よ
り大きく光電子が2つである場合の出力信号より小さい
しきい値よりも大きい出力信号のみを出力することで、
単一の光電子が放出された場合とほぼ同様の出力波形を
有する暗電流パルスを有効に除去できる。一方、2つ以
上の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、
有効に出力される。
きい値を設定する設定工程をさらに備えたことを特徴と
してもよい。
号、あるいは、暗電流パルスの出力信号は、周囲温度等
の使用環境により変動する。従って、しきい値を設定す
る設定工程を有することで、しきい値を使用環境に応じ
て適宜設定し直すことができる。
定工程は、光検出工程において放出される光電子が1つ
である場合の出力信号を測定し、出力信号の1〜2倍の
範囲にしきい値を設定することを特徴としてもよい。
し、出力信号の1〜2倍の範囲にしきい値を設定するこ
とで、光電子が1つである場合の出力信号があらかじめ
わからない場合であっても、適切なしきい値を設定する
ことができる。
定工程は、光検出工程において光束が検出されない暗状
態の出力信号を一定期間測定し、出力信号の最大値をし
きい値として設定することを特徴としてもよい。
出力信号の最大値をしきい値として設定することで、暗
状態の出力信号があらかじめわからない場合であって
も、適切なしきい値を設定することができる。
きい値は、光検出工程において放出される光電子が1つ
である場合の出力信号の1.2〜1.8倍の範囲である
ことが好適であり、1.3〜1.5倍の範囲であること
がより好適である。
のシンチレーション計数方法は、シンチレータから発せ
られる蛍光を所定の光計測方法を用いて計測し、蛍光を
計数するシンチレーション計数方法であって、光計測方
法は、上記いずれかの光計測方法であることを特徴とし
ている。
で、暗電流パルスを有効に除去できるとともに、2つ以
上の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、
有効に出力される。
の粒子計数方法は、粒子によって散乱される散乱光を所
定の光計測方法を用いて計測し、粒子を計数する粒子計
数方法であって、光計測方法は、上記いずれかの光計測
方法であることを特徴としている。
で、暗電流パルスを有効に除去できるとともに、2つ以
上の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、
有効に出力される。
チレーションカウンタについて図面を参照して説明す
る。本実施形態にかかる液体シンチレーションカウンタ
は、被測定対象(以下、サンプルという)から放出され
るβ線を液体シンチレータによって光に変換し、かかる
シンチレーション光(蛍光)をカウントすることにより
サンプルの組成等を検出する装置である。尚、本発明の
光計測装置は、本実施形態にかかる液体シンチレーショ
ンカウンタに含まれる。まず、本実施形態に係る液体シ
ンチレーションカウンタの構成について説明する。図1
は本実施形態に係る液体シンチレーションカウンタの構
成図である。
カウンタ10は、試料室12と計測室14とを備えてい
る。試料室12には、サンプル16と液体シンチレータ
18とを入れる複数のバイアル20(容器)と、複数の
バイアルを載置できるとともに回転可能に備えられた回
転台22とが設けられている。
2,5−ジフェニルオキサゾール(2,5-diphenyloxazol
e)をトルエンに溶かしたものなどが用いられる。かかる
場合にサンプルからβ線が放出されると、液体シンチレ
ータ18からは波長380nmの蛍光が発せられる。ま
た、サンプルとしてトリチウムを用いると、この蛍光
は、平均60光子程度のパルス光となる。
テクタ(以下、HPD24という)、チャージアンプ2
6、電圧アンプ28、比較器30(比較手段)、カウン
タ32、マルチチャネルアナライザ34、CPU36
(設定手段)、ディスプレイ38及び切替スイッチ40
が設けられている。ここで、HPD24、チャージアン
プ26及び電圧アンプ28は光検出部(光検出手段)を
構成する。以下、各構成要素について詳細に説明する。
光電子を放出する光電面24aと光電面24aから放出
された光電子の数に応じた信号を出力する半導体光検出
器であるアバランシェフォトダイオード(以下、APD
24bという)とを、真空筐体24c内に対向配置して
構成されている。ここで、光電面24aには、高圧電源
24d(加速手段)によって負の高電圧(例えば−8k
V)が印加されており、APD24bのアノード−カソ
ード間には、バイアス回路24eによって逆バイアス電
圧(例えば−150V)が印加されている。また、HP
D24には、図示しない電子レンズ部が設けられてお
り、光電面24aから放出された光電子を効率よくAP
D24bに入射させることができるようになっている。
また、HPD24は、光電面24aが試料室12に対向
するように配置されており、液体シンチレータ18から
発せられた蛍光(の一部)を受光することができるよう
になっている。
24aからは入射した光子の数に応じた光電子が放出さ
れる。かかる光電子は電界の作用によって加速され、電
子レンズ部の作用によって収束されてAPD24bに入
射する。APD24bに入射した光電子は、そのエネル
ギーを失う際に多数の正孔−電子対を生成し、これが初
段の増倍率になる。初段の増倍率は、電子の加速電圧
(光電面に印加した電圧)に依存し、かかる電圧が−8
kVの場合で約1200となる。その後、電子はさらに
50倍程度にアバランシェ増倍する。その結果、APD
24b全体で約60000倍のゲインが得られる。ここ
で、初段の増倍率が約1200と極めて大きいことか
ら、APD24bを用いたHPD24の増倍ゆらぎは極
めて小さい。従って、HPD24を用いることにより、
図2に示すマルチフォトンに対する出力波高分布図から
わかるように、光電面24aから放出された光電子がい
くつであるかを区別して検出することができる。ここ
で、図2は、光電面24aの印加電圧を−8kV、AP
D24bの逆バイアス電圧を−150Vとし、オルテッ
ク社の型番142Aのプリアンプを用いて測定した結果
である。
に、演算増幅器26aと、演算増幅器26aの−側入力
端と出力端とを接続するキャパシタ26bと、キャパシ
タ26bと並列に接続された抵抗26cとを備えて構成
される。ここで、HPD24のAPD24bから出力さ
れる信号は、演算増幅器26aの−側入力端に入力さ
れ、演算増幅器26aの+側入力端は接地されている。
チャージアンプ26は、HPD24から出力される電荷
量を積分し、電圧として出力する。例えば、キャパシタ
26bの容量値を1pF、抵抗26cの抵抗値を1GΩ
とすると、チャージアンプ26は、入力された1pCの
電荷量を1Vの電圧として出力する。この場合、出力さ
れる電圧波形の時定数は1msとなる。
ら出力された電圧を増幅して出力する。増幅ゲインは、
例えば50倍に設定されている。
示により、電圧アンプ28から出力される出力信号が、
比較器30またはマルチチャネルアナライザ34のいず
れか一方に出力されるように出力先を切り替える。
れる出力信号と所定のしきい値とを比較し、この出力信
号がしきい値よりも大きい場合にのみ出力信号を出力す
る。より具体的には、比較器30の+側入力端には電圧
アンプ28からの出力信号が入力されており、−側入力
端にはしきい値を決める基準電圧が入力されている。か
かるしきい値は、HPD24の光電面24aから放出さ
れる光電子が1つである場合の電圧アンプ28からの出
力信号より大きく、HPD24の光電面24aから放出
される光電子が2つである場合の電圧アンプ28からの
出力信号より小さい値に設定される。本実施形態にかか
る液体シンチレーションカウンタ10の場合は、APD
24bのゲイン(60000倍)、チャージアンプの変
換ゲイン(1V/1pC)、電圧アンプ28のゲイン
(50倍)等を考慮すると、光電子が1つである場合の
上記出力信号は0.5V、光電子が2つである場合の上
記出力信号は1.0Vとなることから、しきい値は0.
5〜1.0Vの間に設定される。ここで、しきい値はC
PU36によって決定される。
た出力パルスをカウントし、CPU32に対して出力す
る。また、マルチチャネルアナライザ34は、電圧アン
プ28から出力される出力信号の波高値の分布を計測す
る。ディスプレイ38は、カウンタ32のカウント値、
検出されたサンプルの組成等を表示する。
り具体的には、切替スイッチ40の制御、ディスプレイ
38の表示内容の制御、比較器30のしきい値の決定、
後述のシャッタの開閉制御などを行う。尚、しきい値の
より具体的な決定方法については後述する。CPU36
はまた、試料室12の回転台22の回転を制御し、測定
を行いたいバイアル20をHPD24に対向する位置ま
で移動させる。
壁面であって、HPD24の光電面24aに対向する位
置には、シャッタ40が設けられており、測定時にはシ
ャッタ40を開けることで、液体シンチレータ18から
発せられた蛍光(の一部)がHPD24の光電面24a
に入射する。一方、測定時以外は、シャッタ40を閉じ
ることで、液体シンチレータ18から発せられた蛍光を
遮断する。
方法について具体的に説明する。しきい値を決定するた
めには、まず、シャッタ40を閉じるとともに、切替ス
イッチ40をマルチチャネルアナライザ34側に切り替
える。シャッタ40を閉じることにより、HPD24に
光が入射しない状態(以下、ダーク状態という)が形成
される。ダーク状態においては光電面24aから光電子
が1電子ずつ離散的に放出されるので、マルチチャネル
アナライザ34によってダーク状態における出力波高分
布を計測することで、光電面24aから放出される光電
子が1つである場合に電圧アンプ28から出力される出
力信号を求めることができる。
ザ34によって検出される出力波高分布は図3に示すよ
うなものになり、この出力波高分布がピーク値となる出
力波高値が、光電面24aから放出される光電子が1つ
である場合に電圧アンプ28から出力される平均的な出
力信号となる。一方、光電面24aから放出される光電
子が2つである場合に電圧アンプ28から出力される出
力信号は、光電子が1つである場合の出力信号を2倍し
て求めればよい。
号よりも大きく、光電子が2つである場合の出力信号よ
りも小さい範囲において、しきい値をどのような値とす
るかは以下のように定められる。すなわち、本願発明者
らの実験によれば、HPD24の光電面24aに印加す
る電圧、及び、APD24bの逆バイアス電圧を種々に
変化させた場合の暗電流パルスの最大値は表1に示すよ
うになる。尚、暗電流パルスの最大値は、光電子の数に
換算してある。
た場合の出力信号を有効に出力することとを考慮する
と、しきい値は、光電子が1つである場合の出力信号の
1.2倍より大きく、かつ、大きくなりすぎない値、す
なわち、光電子が1つである場合の出力信号の1.2〜
1.8倍の範囲であることが好ましく、1.3〜1.5
倍の範囲であることがより好ましい。従って、CPU3
6は、しきい値をかかる範囲に決定する。
一定期間測定すれば、その中の最大波高値が求められ
る。かかる最大波高値、あるいは、最大波高値よりもわ
ずかに大きい値をしきい値としてもよい。
ーションカウンタの動作について説明し、併せて、本発
明のシンチレーション計数方法について説明する。本実
施形態にかかる液体シンチレーションカウンタ10を用
いてサンプルの分析を行うためには、まず比較器30の
しきい値を決定する。しきい値の決定は、以下の手順で
行われる。すなわち、まず、HPD24の光電面24a
に負の高電圧(−8kV)を印加し、APD24bに逆
バイアス電圧を印加した状態で、シャッタ40を閉じて
ダーク状態とする。また、切替スイッチ40をマルチチ
ャネルアナライザ側に切り替え、出力波高分布を計測す
る。
り、出力波高分布がピークとなる値(1200チャネ
ル)から、光電面24aから放出される光電子が1つで
ある場合に電圧アンプ28から出力される平均的な出力
信号は0.56V(計算値は0.50V)と求められ
る。その後、CPU36によって、光電子が1つである
場合の出力信号の例えば1.4倍に相当する0.78V
がしきい値として決定され、比較器30の基準電圧が当
該しきい値に設定される。ここで、HPD24のゲイン
や電源からの電圧等は周囲温度や使用条件によって微妙
に異なるので、正確な計測を行うためには、計測開始前
に、その都度上記基準電圧の設定を行うことが好まし
い。尚、基準電圧の設定が終わると、CPU36によっ
て切り替えスイッチ40が比較器30側に切り替えられ
る。
である場合の出力信号に広がりが生じるのは、HPD2
4の増倍ゆらぎやチャージアンプ26等のノイズに起因
するが、HPD24の増倍ゆらぎは光電子増倍管などの
それと比較して極めて小さいため、適切なしきい値を設
定することが可能となる。
は、以下のようにセットされる。サンプル16として
は、例えば、ホルモンや腫瘍マーカなどの抗原とβ線源
であるトリチウムで標識された抗体とが抗原・抗体反応
した後の生成物が対象となる。この場合、発せられるβ
線量が多いほど抗原が多く存在していることを示すの
で、ホルモンの異常や腫瘍の有無などを検出することが
できる。サンプル16がバイアル20に挿入された後、
バイアル20は液体シンチレータ18によって満たされ
る。また、サンプル16及び液体シンチレータ18を入
れたバイアル20が回転台22に載置されると、CPU
36からの指示により回転台22が回転し、バイアル2
0が計測位置、すなわち、HPD24に対向する位置に
配置される。
CPU36によってシャッタ40が開かれ、計測が開始
される。液体シンチレータ18から発せられた蛍光(の
一部)は、HPD24の光電面24aに入射する。光電
面24aに光子が入射すると、光電面24aからは入射
した光子の数に応じた光電子が放出され、光電子は電界
の作用によって加速され、電子レンズ部の作用によって
収束されてAPD24bに入射する。APD24bに入
射した光電子は、そのエネルギーを失う際に多数の正孔
−電子対を生成し、さらにアバランシェ増倍して出力さ
れる。
ジアンプ26によって増幅されて電圧として出力され、
さらに電圧アンプ28によって増幅される。電圧アンプ
28から出力される出力信号は比較器30に入力される
が、比較器30の基準電圧は光電子が1つである場合の
出力信号の1.4倍に相当する0.78Vに設定されて
いることから、光電子が1つである場合の出力信号に相
当する暗電流パルスは比較器30から出力されない。一
方、光電子が2つ以上である場合の出力信号は比較器3
0から効果的に出力される。
により光電子が1つ放出される場合も考えられるが、液
体シンチレータ18を用いた放射線検出等などの場合
は、1イベントで複数の光子を放出する場合が多く、光
電子が1つ放出される場合の出力信号を暗電流パルスと
ともに除去してしまっても特に問題はない。
ウンタ32によってカウントされ、このカウント値がC
PU36に出力される。その後CPU36により、当該
カウント値に基づいて、ホルモンの異常や腫瘍の有無な
どが判断され、その結果がディスプレイ38に表示され
る。
ーションカウンタの作用、効果について説明する。本実
施形態にかかる液体シンチレーションカウンタ10は、
HPD24により光電子の数に応じた信号を出力し、ま
た、比較器30により光電子が1つである場合の出力信
号の1.4倍に相当するしきい値よりも大きい出力信号
のみを出力する。従って、単一の光電子が放出された場
合とほぼ同様の出力波形を有する暗電流パルスを有効に
除去できるとともに、2つ以上の光電子が放出された場
合の出力信号は除去されず、有効に出力される。その結
果、精度の高い測定が可能となる。
ら放出される頻度は、光電面の大きさ、種類等にも依存
するが、概ね、数十〜数千カウント/秒である。従っ
て、微弱光の検出においては、かかる暗電流パルスが大
きなノイズとなり、それを除去するために、計数効率を
低下させている。これに対して、本実施形態にかかる液
体シンチレーションカウンタ10は、暗電流パルスを効
果的に除去することができるため、計数効率が向上す
る。
シンチレーションカウンタと本実施形態にかかる液体シ
ンチレーションカウンタ10それぞれの計数効率を図4
に示す。横軸は1イベントで発生する平均光子数を表
し、縦軸は計数効率を表す。同時計数法による液体シン
チレーションカウンタにおいては、2個の光電子増倍管
それぞれに入射する光子数の比が3:7程度になること
が多い。そこで、同時計数法による液体シンチレーショ
ンカウンタにおいては、光がこの割合で光電子増倍管に
導かれたときに、2個の光電子増倍管で光が同時に検出
される確率を計数効率とした。また、本実施形態にかか
る液体シンチレーションカウンタ10においては、シン
チレーション光の70%をHPD24に入射させた場合
(集光率70%)、または、シンチレーション光の85
%をHPD24に入射させた場合(集光率85%)それ
ぞれについて、光電子が2つ以上検出される確率を計数
効率とした。例えば、1イベントで発生する平均光子数
が3である場合について比較すると、同時計数法による
液体シンチレーションカウンタの集光効率が52%程度
であるのに対し、本実施形態にかかる液体シンチレーシ
ョンカウンタ10の計数効率は、62%(集光率70
%)または72%(集光率85%)となっており、同時
計数法による液体シンチレーションカウンタと比較して
集光効率が向上している。尚、簡単のため、光電面24
aの量子効率は100%としている。
ションカウンタ10は、2つの光電子増倍管、2つの高
速処理回路及び同時計数回路などが不要であるため、同
時計数法による液体シンチレーションカウンタと比較し
た場合、装置を小型化、単純化することができる。ま
た、同時計数等の必要がないことから、高速処理の必要
性も緩和される。
ションカウンタ10は、CPU36により比較器30の
基準電圧(しきい値)を設定可能としたことで、しきい
値を使用環境に応じて適宜設定し直すことができる。そ
の結果、使用環境によらず、精度の高い測定が可能とな
る。
ションカウンタは、マルチチャネルアナライザ34によ
って、光電子が1つである場合の出力信号を測定し、C
PU30によって当該出力信号の1〜2倍の範囲(具体
的には1.4倍)にしきい値を設定する。従って、光電
子が1つである場合の出力信号があらかじめわからない
場合であっても、適切なしきい値を設定することができ
る。
ションカウンタ10は、APD24bを含むHPD24
によって光の検出を行うことで、光電面24aから放出
される光電子が1つである場合と2つ以上である場合と
を効果的に分離して検出することができる。その結果、
光電子が1つである場合とほぼ同様の出力波形を有する
暗電流パルスを極めて効果的に除去することが可能とな
る。
ィクルカウンタについて説明する。本実施形態にかかる
パーティクルカウンタは、水や大気などのサンプルに光
を照射し、当該サンプルに混入している異物によって散
乱される散乱光を検出し、当該異物の粒径や数を計測す
る装置である。尚、上記実施形態にかかる液体シンチレ
ーションカウンタと同一の構成要素については同一の番
号を付し、重複する説明を省略する。まず、本実施形態
に係るパーティクルカウンタの構成について説明する。
図5は本実施形態に係るパーティクルカウンタの構成図
である。
50は、試料室52と光源室54と計測室56とを備え
ている。試料室52には、サンプル58を流すための管
であるキャピラリ60と、サンプル58内に含まれる異
物62による散乱光を集光して計測室56に入射させる
湾曲ミラー64とが設けられている。光源室54には、
サンプル58を照射するための照射光を発する光源66
と、光源66から照射された照射光を集光する集光レン
ズ68が設けられている。
アンプ70、ゲイン調整アンプ72、比較器30、A/
D変換器74、マルチチャネルカウンタ76、ピークホ
ールド回路78、CPU36、ディスプレイ38及び切
替スイッチ40が設けられている。ここで、HPD24
とI/V変換アンプ70とで、光検出部を構成する。以
下、各構成要素について詳細に説明する。
出力される電流(電荷量)を積分し、電圧として出力す
る。ここで、I/V変換アンプ70は、チャージアンプ
等と比較して高速応答性を有するため、高頻度に入射す
る光の検出をする際に有効である。
示により、I/V変換アンプ70から出力される出力信
号が、比較器30等またはピークホールド回路78のい
ずれか一方に出力されるように出力先を切り替える。
出力される出力信号と所定のしきい値とを比較し、この
出力信号がしきい値よりも大きい場合に、A/D変換器
74にトリガ信号を出力する。かかるしきい値は、HP
D24の光電面24aから放出される光電子が1つであ
る場合のI/V変換アンプ70からの出力信号より大き
く、HPD24の光電面24aから放出される光電子が
2つである場合のI/V変換アンプ70からの出力信号
より小さい値に設定されている。
リガ信号を受けて、I/V変換アンプ70から出力され
た出力信号をA/D変換し、マルチチャネルカウンタ7
6に対して出力する。その際、HPD24の光電面24
aから放出された光電子の数をデジタル値として出力す
るように分解能が調節されている。すなわち、HPD2
4の光電面24aから2個の光電子が放出された場合は
デジタル値”2”、3個の光電子が放出された場合はデ
ジタル値”3”、4個の光電子が放出された場合はデジ
タル値”4”がそれぞれ出力される。ただし、A/D変
換器74は、比較器30からのトリガ信号を受けてA/
D変換を行い、また、比較器30のしきい値は、HPD
24の光電面24aから放出される光電子が1つである
場合のI/V変換アンプ70からの出力信号より大きく
設定されていることから、HPD24の光電面24aか
ら1個の光電子が放出された場合に、A/D変換器74
から信号は出力されない。また、ゲイン調整アンプ72
は、CPU36からの指示により、A/D変換器74の
ゲインを調整する。
換器74から出力された信号を、その出力値毎にカウン
トして、CPU36に対して出力する。従って、マルチ
チャネルカウンタ76では、HPD24の光電面24a
から放出される光電子数の分布(入射する光子数の分布
に対応)が得られる。
変換アンプ70から出力された出力信号のピーク値をホ
ールドしてCPU36に出力する。従って、ダーク状態
で切替スイッチ40をピークホールド回路78側に切り
替えることで、一定期間内の暗電流パルスの最大値を測
定することが可能となる。
カウンタの動作について説明し、併せて、本発明の粒子
計数方法について説明する。本実施形態にかかるパーテ
ィクルカウンタ50を用いてサンプル60の分析を行う
ためには、まず比較器30のしきい値を決定する。しき
い値の決定は、以下の手順で行われる。すなわち、シャ
ッタ40を閉じてダーク状態を形成し、切替スイッチ4
0をピークホールド回路78側に切り替えて、一定期
間、暗電流パルスを計測する。その際のピークホールド
回路78の出力値、すなわち、かかる期間中の出力信号
の最大値をしきい値として決定する。
よって切替スイッチ40が比較器30側に切り替えら
れ、計測が開始される。計測は、キャピラリ60内に水
などのサンプル58を流し、光源66からサンプル58
に光を照射して行う。サンプル58に異物62が含まれ
ていない場合は、光源66から照射された光はキャピラ
リ60、サンプル58を透過し、HPD24には入射し
ない。一方、サンプル58に異物62が含まれている場
合は、光源66から照射された光は異物62によって散
乱し、その一部がHPD24に入射する。
aから光電子が放出され、かかる光電子はAPD24b
によって増倍されて出力される。出力電流は、I/V変
換アンプ70によって電圧に変換され、A/D変換器7
4によってA/D変換された後、マルチチャネルカウン
タ76によってカウントされる。ここで、比較器30の
基準電圧は暗電流パルスの最大値(光電子が1つである
場合の出力信号の1.3〜1.5倍相当)に設定されて
いることから、光電子が1つである場合の出力信号に相
当する暗電流パルスはA/D変換されず、従ってA/D
変換器74から出力されない。一方、光電子が2つ以上
である場合の出力信号はA/D変換され、A/D変換器
74から効果的に出力される。
マルチチャネルカウンタ76によって出力値毎にカウン
トされ、光電子数の分布(入射する光子数の分布に対
応)が、CPU36に対して出力される。ここで、入射
する光子数は異物62の粒径に依存するため、CPU3
6によって、入射する光子数の分布から異物62の粒径
分布が算出され、図6に示すように、ディスプレイ38
に表示される。
カウンタの作用、効果について説明する。本実施形態に
かかるパーティクルカウンタ50は、HPD24により
光電子の数に応じた信号を出力し、また、A/D変換器
74は比較器30からのトリガ信号により信号を出力す
る。従って、単一の光電子が放出された場合とほぼ同様
の出力波形を有する暗電流パルスを有効に除去できると
ともに、2つ以上の光電子が放出された場合の出力信号
は除去されず、有効に出力される。その結果、精度の高
い測定が可能となる。
は、量子効率を高めるべくGaAs系の光電面を用い、
集光効率を高めるべく光電面の面積を大きくすると、暗
電流パルスを形成する光電子が光電面から放出される頻
度は、数十万カウント/秒となることもある。この場
合、A/D変換を行うための時間を1μs程度とする
と、暗電流パルスの計測時間が全体の約10%を占めて
しまうことになり、計測したい散乱光を数え落とす可能
性が極めて高くなる。これに対して、本実施形態にかか
るパーティクルカウンタ50は、暗電流パルスをA/D
変換せず、信号光である散乱光による出力信号のみをA
/D変換するため、効率よく、精度の高い計測が可能と
なる。従って、本実施形態にかかるパーティクルカウン
タ50は、例えば、半導体装置製造のためのクリーンル
ーム内の大気や洗浄水に含まれる異物(ゴミや塵など)
の数や粒径を正確に把握し、制御するために極めて有用
である。
ウンタ50は、2つの光電子増倍管、2つの高速処理回
路及び同時計数回路などが不要であるため、同時計数法
によるパーティクルカウンタと比較した場合、装置を小
型化、単純化することができる。また、同時計数等の必
要がないことから、高速処理の必要性も緩和される。
ウンタ50は、CPU36により比較器30の基準電圧
(しきい値)を設定可能としたことで、しきい値を使用
環境に応じて適宜設定し直すことができる。その結果、
使用環境によらず、精度の高い測定が可能となる。
ウンタ50は、ピークホールド回路78によって一定期
間中の暗電流パルスの最大値を計測し、かかる最大値を
しきい値として決定することで、暗電流パルスの大きさ
があらかじめわからない場合であっても、適切なしきい
値を設定することができる。
ウンタ50は、APD24bを含むHPD24によって
光の検出を行うことで、光電面24aから放出される光
電子が1つである場合と2つ以上である場合とを効果的
に分離して検出することができる。その結果、光電子が
1つである場合とほぼ同様の出力波形を有する暗電流パ
ルスを極めて効果的に除去することが可能となる。
ンカウンタ10あるいはパーティクルカウンタ50にお
いては、半導体光検出器としてAPD24bを用いてい
たが、これは、フォトダイオードなどでもよい。
ーションカウンタ10あるいはパーティクルカウンタ5
0においては、CPU36によってしきい値を決定して
設定していたが、これは、調節つまみなどを用いて手動
で設定してもよい。
光検出手段あるいは光検出工程によって光電子の数に応
じた出力信号を出力し、また、かかる出力信号のうち所
定のしきい値以上の信号のみを出力する。従って、単一
の光電子が放出された場合とほぼ同様の出力波形を有す
る暗電流パルスを有効に除去できるとともに、2つ以上
の光電子が放出された場合の出力信号は除去されず、有
効に出力される。その結果、精度の高い測定ができるま
た、本発明の光計測装置又は光計測方法においては、し
きい値を設定する設定手段あるいは設定工程を有するこ
とで、しきい値を使用環境に応じて適宜設定し直すこと
ができる。その結果、使用環境に関わらず精度の高い測
定が可能となる。
においては、光電子が1つである場合の出力信号を測定
し、出力信号の1〜2倍の範囲にしきい値を設定するこ
とで、光電子が1つである場合の出力信号があらかじめ
わからない場合であっても、適切なしきい値を設定する
ことができる。その結果、光電子が1つである場合の出
力信号があらかじめわからない場合であっても、精度の
高い測定が可能となる。
においては、暗状態の出力信号を一定期間測定し、当該
出力信号の最大値をしきい値として設定することで、暗
状態の出力信号があらかじめわからない場合であって
も、適切なしきい値を設定することができる。その結
果、暗状態の出力信号があらかじめわからない場合であ
っても、精度の高い測定が可能となる。
電面、加速手段及び半導体光検出器を備えた光検出手段
を用いることで、光電面から同時(あるいは極めて近い
タイミング)に放出される光電子が1つである場合と2
つ以上である場合とを効果的に分離して検出することが
できる。その結果、極めて精度の高い測定が可能とな
る。
またはシンチレーション計数方法は、暗電流パルスを有
効に除去できるとともに、2つ以上の光電子が放出され
た場合の出力信号は除去されず、有効に出力される。そ
の結果、精度の高いシンチレーションの計数が可能とな
る。
は粒子計数方法は、暗電流パルスを有効に除去できると
ともに、2つ以上の光電子が放出された場合の出力信号
は除去されず、有効に出力される。その結果、精度の高
い粒子の計数が可能となる。
る。
料室、14,56…測定室、16,58…サンプル、1
8…液体シンチレータ、20…バイアル、22…回転
台、24…HPD、26…チャージアンプ、28…電圧
アンプ、30…比較器、32…カウンタ、34…マルチ
チャネルアナライザ、36…CPU、38…ディスプレ
イ、40…シャッタ、50…パーティクルカウンタ、5
4…光源室、60…キャピラリ、62…異物、64…湾
曲ミラー、66…光源、68…集光レンズ、70…I/
V変換アンプ、72…ゲイン調整アンプ、74…A/D
変換器、76…マルチチャネルカウンタ、78…ピーク
ホールド回路
Claims (18)
- 【請求項1】 入射した光束の光量に応じた光電子を放
出し、該光電子の数に応じた出力信号を出力する光検出
手段と、 前記出力信号と所定のしきい値とを比較し、前記出力信
号が前記しきい値よりも大きい場合にのみ前記出力信号
を出力する比較手段とを備え、 前記しきい値は、 前記光検出手段により放出される前記光電子が1つであ
る場合の前記出力信号より大きく、前記光検出手段によ
り放出される前記光電子が2つである場合の前記出力信
号より小さいことを特徴とする光計測装置。 - 【請求項2】 前記しきい値を設定する設定手段をさら
に備えたことを特徴とする請求項1に記載の光計測装
置。 - 【請求項3】 前記設定手段は、前記光検出手段により
放出される前記光電子が1つである場合の前記出力信号
を測定し、該出力信号の1〜2倍の範囲に前記しきい値
を設定することを特徴とする請求項2に記載の光計測装
置。 - 【請求項4】 前記設定手段は、前記光検出手段により
光束が検出されない暗状態の前記出力信号を一定期間測
定し、該出力信号の最大値を前記しきい値として設定す
ることを特徴とする請求項2に記載の光計測装置。 - 【請求項5】 前記しきい値は、 前記光検出手段により放出される前記光電子が1つであ
る場合の前記出力信号の1.2〜1.8倍の範囲である
ことを特徴とする請求項1に記載の光計測装置。 - 【請求項6】 前記しきい値は、 前記光検出手段により放出される前記光電子が1つであ
る場合の前記出力信号の1.3〜1.5倍の範囲である
ことを特徴とする請求項5に記載の光計測装置。 - 【請求項7】 前記光検出手段は、 入射した光束の光量に応じた光電子を放出する光電面
と、 前記光電面から放出された前記光電子を加速する加速手
段と、 前記加速手段によって加速された前記光電子を入射さ
せ、該光電子の数に応じた信号を出力する半導体光検出
器とを備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか
1項に記載の光計測装置。 - 【請求項8】 前記半導体光検出器は、アバランシェフ
ォトダイオードであることを特徴とする請求項7に記載
の光計測装置。 - 【請求項9】 シンチレータから発せられる蛍光を光計
測装置を用いて計測し、該蛍光を計数するシンチレーシ
ョンカウンタにおいて、 前記光計測装置は、請求項1〜8のいずれか1項に記載
の光計測装置であることを特徴とするシンチレーション
カウンタ。 - 【請求項10】 粒子によって散乱される散乱光を光計
測装置を用いて計測し、該粒子を計数するパーティクル
カウンタにおいて、 前記光計測装置は、請求項1〜8のいずれか1項に記載
の光計測装置であることを特徴とするパーティクルカウ
ンタ。 - 【請求項11】 入射した光束の光量に応じた光電子を
放出し、該光電子の数に応じた出力信号を出力する光検
出工程と、 前記出力信号と所定のしきい値とを比較し、前記出力信
号が前記しきい値よりも大きい場合にのみ前記出力信号
を出力する比較工程とを備え、 前記しきい値は、 前記光検出工程において放出される前記光電子が1つで
ある場合の前記出力信号より大きく、前記光検出工程に
おいて放出される前記光電子が2つである場合の前記出
力信号より小さいことを特徴とする光計測方法。 - 【請求項12】 前記しきい値を設定する設定工程をさ
らに備えたことを特徴とする請求項11に記載の光計測
方法。 - 【請求項13】 前記設定工程は、前記光検出工程にお
いて放出される前記光電子が1つである場合の前記出力
信号を測定し、該出力信号の1〜2倍の範囲に前記しき
い値を設定することを特徴とする請求項12に記載の光
計測方法。 - 【請求項14】 前記設定工程は、前記光検出工程にお
いて光束が検出されない暗状態の前記出力信号を一定期
間測定し、該出力信号の最大値を前記しきい値として設
定することを特徴とする請求項12に記載の光計測方
法。 - 【請求項15】 前記しきい値は、 前記光検出工程において放出される前記光電子が1つで
ある場合の前記出力信号の1.2〜1.8倍の範囲であ
ることを特徴とする請求項11に記載の光計測方法。 - 【請求項16】 前記しきい値は、 前記光検出工程において放出される前記光電子が1つで
ある場合の前記出力信号の1.3〜1.5倍の範囲であ
ることを特徴とする請求項15に記載の光計測方法。 - 【請求項17】 シンチレータから発せられる蛍光を所
定の光計測方法を用いて計測し、該蛍光を計数するシン
チレーション計数方法において、 前記光計測方法は、請求項11〜16のいずれか1項に
記載の光計測方法であることを特徴とするシンチレーシ
ョン計数方法。 - 【請求項18】 粒子によって散乱される散乱光を所定
の光計測方法を用いて計測し、該粒子を計数する粒子計
数方法において、 前記光計測方法は、請求項11〜16のいずれか1項に
記載の光計測方法であることを特徴とする粒子計数方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08383999A JP4040789B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法 |
US10/381,368 US6960771B1 (en) | 1999-03-26 | 2000-09-25 | Optical measurement apparatus and method for optical measurement |
PCT/JP2000/006561 WO2002027283A1 (fr) | 1999-03-26 | 2000-09-25 | Appareil et procede de mesure optique |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08383999A JP4040789B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法 |
PCT/JP2000/006561 WO2002027283A1 (fr) | 1999-03-26 | 2000-09-25 | Appareil et procede de mesure optique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000275102A true JP2000275102A (ja) | 2000-10-06 |
JP4040789B2 JP4040789B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=26344941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08383999A Expired - Fee Related JP4040789B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6960771B1 (ja) |
JP (1) | JP4040789B2 (ja) |
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US6960771B1 (en) | 1999-03-26 | 2005-11-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical measurement apparatus and method for optical measurement |
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JP7100184B1 (ja) | 2021-07-14 | 2022-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 演算装置、光検出装置、及びゲイン算出方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5797884B2 (ja) | 2010-08-04 | 2015-10-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光量検出方法及びその装置 |
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CN109655478B (zh) * | 2018-12-12 | 2024-02-27 | 深圳市福瑞康科技有限公司 | 一种闪烁检测装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2996508B2 (ja) | 1990-11-19 | 2000-01-11 | アロカ株式会社 | 水中放射性物質モニタ装置 |
JPH0572113A (ja) | 1991-09-11 | 1993-03-23 | Hitachi Ltd | 微粒子計測方法及び微粒子を使用した定量方法 |
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JP3413241B2 (ja) | 1993-05-07 | 2003-06-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
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JP2658843B2 (ja) | 1993-12-16 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 単一光子計測装置 |
JPH08148113A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
JPH09196752A (ja) | 1995-11-15 | 1997-07-31 | Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk | 測光装置 |
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JPH09329548A (ja) | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk | 蛍光寿命測定装置 |
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JP4040789B2 (ja) | 1999-03-26 | 2008-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光計測装置、シンチレーションカウンタ、パーティクルカウンタ、光計測方法、シンチレーション計数方法及び粒子計数方法 |
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1999
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JP7121140B2 (ja) | 2018-12-18 | 2022-08-17 | 株式会社日立ハイテク | 測定装置、及び信号処理方法 |
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JP7100184B1 (ja) | 2021-07-14 | 2022-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 演算装置、光検出装置、及びゲイン算出方法 |
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JP2023012727A (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 演算装置、光検出装置、及びゲイン算出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6960771B1 (en) | 2005-11-01 |
JP4040789B2 (ja) | 2008-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060320 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |