JP2000244040A - Ｅｒドープされたファイバ増幅器を含む物品 - Google Patents
Ｅｒドープされたファイバ増幅器を含む物品Info
- Publication number
- JP2000244040A JP2000244040A JP2000035783A JP2000035783A JP2000244040A JP 2000244040 A JP2000244040 A JP 2000244040A JP 2000035783 A JP2000035783 A JP 2000035783A JP 2000035783 A JP2000035783 A JP 2000035783A JP 2000244040 A JP2000244040 A JP 2000244040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- band
- fiber
- article
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/04—Gain spectral shaping, flattening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣバンドＥＤＦＡに望ましくは匹敵する改善
された性能を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされ
たファイバ増幅器）を提供すること。 【解決手段】 ＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたフ
ァイバ増幅器）の特性が、Ｃバンドにおけるフィルタ手
段（351,352,353)を備えることにより改善される。フィ
ルタ手段は、４００ｄＢ・ｎｍよりも大きい良さの指数
（figure of merit）を有する。フィルタ手段は、個別
および／または分散型フィルタ手段であり得る。好まし
い実施形態において、２つ以上の全Ｃバンドブレーズド
ファイバブラッググレーティングが使用される。
された性能を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされ
たファイバ増幅器）を提供すること。 【解決手段】 ＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたフ
ァイバ増幅器）の特性が、Ｃバンドにおけるフィルタ手
段（351,352,353)を備えることにより改善される。フィ
ルタ手段は、４００ｄＢ・ｎｍよりも大きい良さの指数
（figure of merit）を有する。フィルタ手段は、個別
および／または分散型フィルタ手段であり得る。好まし
い実施形態において、２つ以上の全Ｃバンドブレーズド
ファイバブラッググレーティングが使用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｌバンド光ファイ
バ増幅器を含む物品（例えば、光ファイバ通信システム
またはそのようなシステムにおいて使用するための部
品）に関する。
バ増幅器を含む物品（例えば、光ファイバ通信システム
またはそのようなシステムにおいて使用するための部
品）に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｅｒドープされたファイバ増幅器（ＥＤ
ＦＡ）は、光ファイバ通信システムにおいて広く使用さ
れている。伝統的に、ＥＤＦＡは、一般にＣバンド
（“Ｃ”は、“conventional（通常の）”を指す）と呼
ばれる範囲の、約１５２５ｎｍから約１５６５ｎｍまで
の波長範囲において使用される。
ＦＡ）は、光ファイバ通信システムにおいて広く使用さ
れている。伝統的に、ＥＤＦＡは、一般にＣバンド
（“Ｃ”は、“conventional（通常の）”を指す）と呼
ばれる範囲の、約１５２５ｎｍから約１５６５ｎｍまで
の波長範囲において使用される。
【０００３】設置された光ファイバ（例えば、分散シフ
トファイバ）のかなりの割合は、４波混合のような非線
形効果のために、Ｃバンド波長範囲全体におけるマルチ
チャネル高密度波長分割多重（ＤＷＤＭ）動作に適さな
い。したがって、典型的には１５６５ｎｍよりも大きい
設置された光ファイバに対して上述された動作波長を含
む波長範囲において動作することができる光ファイバ増
幅器を利用可能にすることが望ましい。。
トファイバ）のかなりの割合は、４波混合のような非線
形効果のために、Ｃバンド波長範囲全体におけるマルチ
チャネル高密度波長分割多重（ＤＷＤＭ）動作に適さな
い。したがって、典型的には１５６５ｎｍよりも大きい
設置された光ファイバに対して上述された動作波長を含
む波長範囲において動作することができる光ファイバ増
幅器を利用可能にすることが望ましい。。
【０００４】最近、約１５６５〜１６２５ｎｍの範囲に
おけるＥＤＦＡの使用が報告されてきた。例えば、J.F.
Massicott 等による、Electronics Letters, Vol. 28,
pp.1924-1925 (1992) を参照のこと。この動作範囲
は、現在一般にＬバンドと呼ばれ、“Ｌ”は、“long
（長い）”を意味する。単一ＥＤＦＡにおけるＣバンド
およびＬバンドの両方での動作も、報告されている。Y.
Sun 等による、Proceedings of the European Confere
nce on Optical Communication (ECOC '98), pp. 53-54
(1998) を参照のこと。
おけるＥＤＦＡの使用が報告されてきた。例えば、J.F.
Massicott 等による、Electronics Letters, Vol. 28,
pp.1924-1925 (1992) を参照のこと。この動作範囲
は、現在一般にＬバンドと呼ばれ、“Ｌ”は、“long
（長い）”を意味する。単一ＥＤＦＡにおけるＣバンド
およびＬバンドの両方での動作も、報告されている。Y.
Sun 等による、Proceedings of the European Confere
nce on Optical Communication (ECOC '98), pp. 53-54
(1998) を参照のこと。
【０００５】現在のところ、ＬバンドＥＤＦＡの報告さ
れている性能は、ＣバンドＥＤＦＡにおいて日常的に利
用可能なものに対して劣っている。例えば、ＬバンドＥ
ＤＦＡの雑音指数（ＮＦ）は、一般に、ＣバンドＥＤＦ
Ａの場合よりも１〜２ｄＢ高く、前者の出力電力は、典
型的に、後者のものよりも１から数ｄＢ低い。Ｌバンド
ＥＤＦＡの潜在的な利点から、望ましくはＣバンドＥＤ
ＦＡに匹敵する改善された性能を有するＬバンドＥＤＦ
Ａを利用可能にすることが強く望まれている。本願は、
そのようなＥＤＦＡを開示する。
れている性能は、ＣバンドＥＤＦＡにおいて日常的に利
用可能なものに対して劣っている。例えば、ＬバンドＥ
ＤＦＡの雑音指数（ＮＦ）は、一般に、ＣバンドＥＤＦ
Ａの場合よりも１〜２ｄＢ高く、前者の出力電力は、典
型的に、後者のものよりも１から数ｄＢ低い。Ｌバンド
ＥＤＦＡの潜在的な利点から、望ましくはＣバンドＥＤ
ＦＡに匹敵する改善された性能を有するＬバンドＥＤＦ
Ａを利用可能にすることが強く望まれている。本願は、
そのようなＥＤＦＡを開示する。
【０００６】図１は、通常のＥｒドープされたファイバ
（ＥＤＦ）のベースモデリングパラメータを示す。符号
１０および１１は、それぞれ吸収および利得を示す。Ｃ
バンドおよびＬバンドも示されている。ファイバは、
０．２３の開口数（ＮＡ）、８５０ｎｍのカットオフ波
長、コアにおける９．０×１０25イオン／ｍ3と推定さ
れたＥｒ濃度、コア中の１２Ｍ％Ａｌ、および０．２３
のＮＡを提供するための適切なＧｅを有する。図１の吸
収曲線は、全てのエルビウムイオンが接地状態で測定さ
れた。利得曲線は、高い（＞３００ｍＷ）９８０ｎｍポ
ンプパワーレベルの存在において測定された。これは、
全てのＥｒイオンを励起状態（全反転）に置くことが期
待される。
（ＥＤＦ）のベースモデリングパラメータを示す。符号
１０および１１は、それぞれ吸収および利得を示す。Ｃ
バンドおよびＬバンドも示されている。ファイバは、
０．２３の開口数（ＮＡ）、８５０ｎｍのカットオフ波
長、コアにおける９．０×１０25イオン／ｍ3と推定さ
れたＥｒ濃度、コア中の１２Ｍ％Ａｌ、および０．２３
のＮＡを提供するための適切なＧｅを有する。図１の吸
収曲線は、全てのエルビウムイオンが接地状態で測定さ
れた。利得曲線は、高い（＞３００ｍＷ）９８０ｎｍポ
ンプパワーレベルの存在において測定された。これは、
全てのＥｒイオンを励起状態（全反転）に置くことが期
待される。
【０００７】図２は、図１のファイバにより達成される
可能な正味利得スペクトルを示す。これらは、次式で決
定される図１の利得および損失スペクトルの全ての線形
的組合せである。
可能な正味利得スペクトルを示す。これらは、次式で決
定される図１の利得および損失スペクトルの全ての線形
的組合せである。
【数１】 ここで、ｇ*およびαは、図１の利得および損失パラメ
ータであり、Ｉ￣ｎｖは、ファイバの長さに沿うイオン
の平均反転である。
ータであり、Ｉ￣ｎｖは、ファイバの長さに沿うイオン
の平均反転である。
【０００８】ＥＤＦＡにおける低い雑音指数（ＮＦ）を
得るために、実質的に全てのイオンが励起状態になけれ
ばならないことが知られている。これは、図２の１００
％反転利得を生成する。実際において、ＥＤＦＡの入力
端の実質的な部分において、この高い反転利得形状（例
えば、約１０ｄＢよりも大きな利得を生成するために十
分な）を得ることが、低いＮＦを提供するために適切で
ある。
得るために、実質的に全てのイオンが励起状態になけれ
ばならないことが知られている。これは、図２の１００
％反転利得を生成する。実際において、ＥＤＦＡの入力
端の実質的な部分において、この高い反転利得形状（例
えば、約１０ｄＢよりも大きな利得を生成するために十
分な）を得ることが、低いＮＦを提供するために適切で
ある。
【０００９】図２の１００％反転曲線の利得形状は、Ｌ
バンドにおける場合よりもＣバンドにおいて実質的に高
いことが分かる。したがって、高度に反転されたＥＤＦ
は、Ｌバンド全体において１０ｄＢ以上の利得を蓄積す
るために、十分に長い場合、Ｃバンドにおけるいくつか
の波長は、非常に大きな利得（例えば、５０ｄＢ、１０
０ｄＢさえも）を受けることになる。実際そのような利
得レベルは、以下の理由により得ることはできない。
バンドにおける場合よりもＣバンドにおいて実質的に高
いことが分かる。したがって、高度に反転されたＥＤＦ
は、Ｌバンド全体において１０ｄＢ以上の利得を蓄積す
るために、十分に長い場合、Ｃバンドにおけるいくつか
の波長は、非常に大きな利得（例えば、５０ｄＢ、１０
０ｄＢさえも）を受けることになる。実際そのような利
得レベルは、以下の理由により得ることはできない。
【００１０】この状況を分析して、Ｃバンドにおける増
幅された自発放出（ＡＳＥ）は、高いパワーレベルまで
蓄積し、Ｅｒイオンの実質的な割合を接地状態に導き利
得を減少させかつＮＦを増大させることを発見した。ま
た、Ｃバンドにおいて蓄積されるパワーおよびＡＳＥと
して放出されるパワーは、失われて、Ｌバンドにおける
信号パワーとして放出に利用可能ではなく、したがって
増幅器効率を低下させる。
幅された自発放出（ＡＳＥ）は、高いパワーレベルまで
蓄積し、Ｅｒイオンの実質的な割合を接地状態に導き利
得を減少させかつＮＦを増大させることを発見した。ま
た、Ｃバンドにおいて蓄積されるパワーおよびＡＳＥと
して放出されるパワーは、失われて、Ｌバンドにおける
信号パワーとして放出に利用可能ではなく、したがって
増幅器効率を低下させる。
【００１１】我々の分析に基づいて、ＣバンドＡＳＥ
は、典型的には、Ｌバンド増幅器における劣化の最大の
原因であると結論づけた。
は、典型的には、Ｌバンド増幅器における劣化の最大の
原因であると結論づけた。
【００１２】Ｌバンドの少なくとも一部分において動作
するＥＤＦＡは、ＡＳＥフィルタを有するＥＤＦＡとし
て知られている。例えば、M. Yamada 等による、Electr
onics Letters, Vol. 33(8), P. 710 (1997)は、１．５
５μｍバンドＥＤＦＡおよび１．５８μｍバンドＥＤＦ
Ａを並列構成で含む広帯域および利得平坦増幅器を開示
する。H. Ono 等による、IEEE Photonics Technology L
etters, Vol. 9(5), P. 596 (1997)は、１．５７〜１．
６０μｍ波長領域において使用するための利得平坦ＥＤ
ＦＡを開示する。
するＥＤＦＡは、ＡＳＥフィルタを有するＥＤＦＡとし
て知られている。例えば、M. Yamada 等による、Electr
onics Letters, Vol. 33(8), P. 710 (1997)は、１．５
５μｍバンドＥＤＦＡおよび１．５８μｍバンドＥＤＦ
Ａを並列構成で含む広帯域および利得平坦増幅器を開示
する。H. Ono 等による、IEEE Photonics Technology L
etters, Vol. 9(5), P. 596 (1997)は、１．５７〜１．
６０μｍ波長領域において使用するための利得平坦ＥＤ
ＦＡを開示する。
【００１３】また、Y. Sun 等による、Electronics Let
ters, Vol. 33, p. 1965 (1997) を参照のこと。ヨーロ
ッパ特許出願 No.９４１１５４７９．１は、とりわけ、
段間にＡＳＥフィルタを有する２段ファイバ増幅器を開
示する。M. Kakui 等による、OFC '96 Technical Diges
t, WF3 は、ＷＤＭ伝送のためのＡＳＥ除去フィルタと
してチャープドファイバグレーティングを使用するＥＤ
ＦＡを開示する。J.L.Zyskind 等による、OFC '94 Tech
nical Digest, WK8 は、ＡＳＥフィルタを含むカウンタ
ーポンプされた第１段を有する２段ＥＤＦＡを開示す
る。米国特許第５，４０６，４１１号は、ＡＳＥフィル
タを含む多段ファイバ増幅器を開示する。
ters, Vol. 33, p. 1965 (1997) を参照のこと。ヨーロ
ッパ特許出願 No.９４１１５４７９．１は、とりわけ、
段間にＡＳＥフィルタを有する２段ファイバ増幅器を開
示する。M. Kakui 等による、OFC '96 Technical Diges
t, WF3 は、ＷＤＭ伝送のためのＡＳＥ除去フィルタと
してチャープドファイバグレーティングを使用するＥＤ
ＦＡを開示する。J.L.Zyskind 等による、OFC '94 Tech
nical Digest, WK8 は、ＡＳＥフィルタを含むカウンタ
ーポンプされた第１段を有する２段ＥＤＦＡを開示す
る。米国特許第５，４０６，４１１号は、ＡＳＥフィル
タを含む多段ファイバ増幅器を開示する。
【００１４】米国特許第５，４３０，５７２号は、とり
わけ、Ｃバンドにおける１５５０ｎｍの近くでの利得を
助けるために約１５３０ｎｍのピークに対するＡＳＥフ
ィルタリングを開示する。そのようなフィルタは、ロー
マグニチュード狭帯域デバイスである。米国特許第５，
７０１，１９４号は、「隣接帯域」における信号に対す
るＡＳＥの差動減衰を開示する。また、これは１５５０
ｎｍの近くのＣバンド利得を助けるための１５３０ｎｍ
近くにおけるローマグニチュードＡＳＥフィルタリング
を示す。
わけ、Ｃバンドにおける１５５０ｎｍの近くでの利得を
助けるために約１５３０ｎｍのピークに対するＡＳＥフ
ィルタリングを開示する。そのようなフィルタは、ロー
マグニチュード狭帯域デバイスである。米国特許第５，
７０１，１９４号は、「隣接帯域」における信号に対す
るＡＳＥの差動減衰を開示する。また、これは１５５０
ｎｍの近くのＣバンド利得を助けるための１５３０ｎｍ
近くにおけるローマグニチュードＡＳＥフィルタリング
を示す。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＣバンドＥ
ＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能を有するＬ
バンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ増幅器）を
提供することを目的とする。
ＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能を有するＬ
バンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ増幅器）を
提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】ＡＳＥ蓄積の問題は、例
えば図２の５０％反転曲線に対応する低い反転状態にお
いて、ＥＤＦＡを動作させることにより低減させること
ができる。しかし、この解決方法は、利得がＣバンドお
よびＬバンドの両方において減少するので、所望の利得
を得るために遙かに長いＥＤＦを使用することが必要と
される。また、この解決方法は、ＮＦを大幅に増大させ
ることになる。明らかに、比較的低い反転におけるＥＤ
ＦＡの動作は、このアプローチを望ましくないものにす
る欠点を有している。
えば図２の５０％反転曲線に対応する低い反転状態にお
いて、ＥＤＦＡを動作させることにより低減させること
ができる。しかし、この解決方法は、利得がＣバンドお
よびＬバンドの両方において減少するので、所望の利得
を得るために遙かに長いＥＤＦを使用することが必要と
される。また、この解決方法は、ＮＦを大幅に増大させ
ることになる。明らかに、比較的低い反転におけるＥＤ
ＦＡの動作は、このアプローチを望ましくないものにす
る欠点を有している。
【００１７】我々は、ＥＤＦＡへの適切なフィルタ手段
の設置が、増幅器特性を実質的に改善することができる
ことを発見した。
の設置が、増幅器特性を実質的に改善することができる
ことを発見した。
【００１８】具体的には、本発明は、１５６５〜１６２
５ｎｍの波長領域における光信号の増幅に適合するＥＤ
ＦＡを含む物品において具現化される。ここで、増幅器
は長さＬのＥｒドープされた光ファイバを含む。
５ｎｍの波長領域における光信号の増幅に適合するＥＤ
ＦＡを含む物品において具現化される。ここで、増幅器
は長さＬのＥｒドープされた光ファイバを含む。
【００１９】重要なことに、ＥＤＦＡは、長さＬのＥｒ
ドープされた光ファイバ中に配置された光フィルタ手段
をさらに含む。この光フィルタ手段は、４００ｄＢ・ｎ
ｍよりも大きい良さの指数を有する増幅器を提供するよ
うに選択される。ここで、この良さ指数（ＦＯＭ）は、
１５２０ｎｍから１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ
（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）は、長さＬにおけるフ
ィルタ手段による波長λにおける全損失である。
ドープされた光ファイバ中に配置された光フィルタ手段
をさらに含む。この光フィルタ手段は、４００ｄＢ・ｎ
ｍよりも大きい良さの指数を有する増幅器を提供するよ
うに選択される。ここで、この良さ指数（ＦＯＭ）は、
１５２０ｎｍから１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ
（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）は、長さＬにおけるフ
ィルタ手段による波長λにおける全損失である。
【００２０】好ましい実施形態において、光フィルタ手
段は、ＥＤＦにおいて１つまたは２つ以上の広帯域の
（典型的には、Ｃバンドの実質的に全てをカバーする）
かつ深い（典型的には１０ｄＢよりも大きい損失の）フ
ィルタを含む。我々の知る限り、そのようなＥＤＦＡ
は、先行技術により開示または示唆されていない。
段は、ＥＤＦにおいて１つまたは２つ以上の広帯域の
（典型的には、Ｃバンドの実質的に全てをカバーする）
かつ深い（典型的には１０ｄＢよりも大きい損失の）フ
ィルタを含む。我々の知る限り、そのようなＥＤＦＡ
は、先行技術により開示または示唆されていない。
【００２１】改善された増幅器特性が単一のブロードア
ンドディープフィルタ（例えば、約４０ｎｍおよび１０
ｄＢ）で得ることができるが、ＦＯＭ＞４００ｄＢ・ｎ
ｍを生じるように選択された２つ以上のフィルタをＥＤ
Ｆの異なる場所に配置することにより、さらによい結果
がしばしば得られる。
ンドディープフィルタ（例えば、約４０ｎｍおよび１０
ｄＢ）で得ることができるが、ＦＯＭ＞４００ｄＢ・ｎ
ｍを生じるように選択された２つ以上のフィルタをＥＤ
Ｆの異なる場所に配置することにより、さらによい結果
がしばしば得られる。
【００２２】１つまたは２つ以上の個別フィルタを含む
光フィルタ手段が現在のところ好ましいが、本発明はこ
れに限定されない。例えば、分散型フィルタ手段も可能
であり、考察されている。そのような分散型フィルタ手
段は、１５２０〜１５６５ｎｍ波長領域において波長依
存吸収を提供するように選択される。個別フィルタエレ
メントは、ブレーズドブラッググレーティング（blazed
Bragg grating）、反射モードコンバータ、誘電性フィ
ルタ、ヒューズドファイバカプラおよびヒューズドバイ
コニックファイバカプラ（fused biconic fiber couple
r）からなるフィルタエレメントのグループから例えば
選択される。そのようなフィルタエレメントは、当業者
に知られている。光フィルタ手段は、個別フィルタ手段
と分散型フィルタ手段との組合せであってもよい。
光フィルタ手段が現在のところ好ましいが、本発明はこ
れに限定されない。例えば、分散型フィルタ手段も可能
であり、考察されている。そのような分散型フィルタ手
段は、１５２０〜１５６５ｎｍ波長領域において波長依
存吸収を提供するように選択される。個別フィルタエレ
メントは、ブレーズドブラッググレーティング（blazed
Bragg grating）、反射モードコンバータ、誘電性フィ
ルタ、ヒューズドファイバカプラおよびヒューズドバイ
コニックファイバカプラ（fused biconic fiber couple
r）からなるフィルタエレメントのグループから例えば
選択される。そのようなフィルタエレメントは、当業者
に知られている。光フィルタ手段は、個別フィルタ手段
と分散型フィルタ手段との組合せであってもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の重要な側面は、４００ｄ
Ｂ・ｎｍよりも大きいＦＯＭを有する増幅器を提供する
ように選択されたＥｒドープされたファイバにおけるフ
ィルタ手段を提供することである。ここで、ＦＯＭは、
１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ（λ）
の積分であり、ＦＬ（λ）はＥｒドープされたファイバ
の長さＬにおける光フィルタ手段によるλにおける全損
失である。
Ｂ・ｎｍよりも大きいＦＯＭを有する増幅器を提供する
ように選択されたＥｒドープされたファイバにおけるフ
ィルタ手段を提供することである。ここで、ＦＯＭは、
１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ（λ）
の積分であり、ＦＬ（λ）はＥｒドープされたファイバ
の長さＬにおける光フィルタ手段によるλにおける全損
失である。
【００２４】ＦＯＭは、次式で表現することもできる。
【数２】 上記の表現は、ｄＢで表される損失ＦＬ1（λ），ＦＬ2
（λ），…ＦＬn（λ）を有するｎ個の個別フィルタリ
ングデバイスの存在を許容する。これらのデバイスは、
ＥＤＦの長さＬ中の位置ｚ1，ｚ2，…ｚnに配置されて
いる。また、ｄＢ／ｍで表される分散された不飽和損失
αd（λ，ｚ）の存在を許容する。この表現において、
積分は、ａ＝１５２０ｎｍからｂ＝１５６５ｎｍまでの
スペクトル領域、およびＥＤＦＡ長さ、即ちｚ＝０ない
しＬについて行われる。
（λ），…ＦＬn（λ）を有するｎ個の個別フィルタリ
ングデバイスの存在を許容する。これらのデバイスは、
ＥＤＦの長さＬ中の位置ｚ1，ｚ2，…ｚnに配置されて
いる。また、ｄＢ／ｍで表される分散された不飽和損失
αd（λ，ｚ）の存在を許容する。この表現において、
積分は、ａ＝１５２０ｎｍからｂ＝１５６５ｎｍまでの
スペクトル領域、およびＥＤＦＡ長さ、即ちｚ＝０ない
しＬについて行われる。
【００２５】上記の表現は、個別フィルタ手段または分
散型フィルタ手段によるかどうかにかかわらず、Ｌバン
ドＥＤＦＡ中の全てのＣバンド損失の和である。
散型フィルタ手段によるかどうかにかかわらず、Ｌバン
ドＥＤＦＡ中の全てのＣバンド損失の和である。
【００２６】図３は、本発明の例示的な実施形態、即
ち、大きなＦＯＭを有する間隔をおいて配置された複数
のＣバンド除去フィルタを有するＬバンドＥＤＦＡ３０
を示す。Ｌバンド信号は、図示しない送信器から図示し
ない受信機へ、通常の伝送ファイバ３１上を伝播し、ポ
ンプ放射は、図示しないポンプ源からファイバ３２を通
ってＷＤＭ３３に伝播する。結合された信号およびポン
プ放射は、ＥＤＦ３４に結合されて、流さＬのＥＤＦを
通過した後、増幅されたＬバンド信号は、典型的には、
通常のダウンストリーム伝送ファイバ３１に結合され
る。
ち、大きなＦＯＭを有する間隔をおいて配置された複数
のＣバンド除去フィルタを有するＬバンドＥＤＦＡ３０
を示す。Ｌバンド信号は、図示しない送信器から図示し
ない受信機へ、通常の伝送ファイバ３１上を伝播し、ポ
ンプ放射は、図示しないポンプ源からファイバ３２を通
ってＷＤＭ３３に伝播する。結合された信号およびポン
プ放射は、ＥＤＦ３４に結合されて、流さＬのＥＤＦを
通過した後、増幅されたＬバンド信号は、典型的には、
通常のダウンストリーム伝送ファイバ３１に結合され
る。
【００２７】いくつかの（例えば３個の）Ｃバンド除去
フィルタ３５１，３５２および３５３が、ＥＤＦ中に配
置される。アップストリームフィルタ３５１は、ＥＤＦ
の入力端から所定距離Ｌ1に配置され、フィルタ３５２
は、フィルタ３５１から所定距離Ｌ2に配置されて、フ
ィルタ３５３は、フィルタ３５２から所定距離Ｌ3間隔
をおかれる。例示的なシングルステートＥＤＦＡにおけ
るＥＤＦの全体長さはＬである。
フィルタ３５１，３５２および３５３が、ＥＤＦ中に配
置される。アップストリームフィルタ３５１は、ＥＤＦ
の入力端から所定距離Ｌ1に配置され、フィルタ３５２
は、フィルタ３５１から所定距離Ｌ2に配置されて、フ
ィルタ３５３は、フィルタ３５２から所定距離Ｌ3間隔
をおかれる。例示的なシングルステートＥＤＦＡにおけ
るＥＤＦの全体長さはＬである。
【００２８】好ましい実施形態において、フィルタは、
公知の方法でＥＤＦ中に形成される。しかし、これは必
要条件ではなく、グレーティングは長いＥｒフリーファ
イバ中に形成することができ、その中にグレーティング
を有するファイバは、適切な長さのＥＤＦにつなぎ合わ
せることができる。
公知の方法でＥＤＦ中に形成される。しかし、これは必
要条件ではなく、グレーティングは長いＥｒフリーファ
イバ中に形成することができ、その中にグレーティング
を有するファイバは、適切な長さのＥＤＦにつなぎ合わ
せることができる。
【００２９】図４は、２つのＣバンドフィルタのフィル
タ損失を概略的に示す。両方のフィルタは、３０ｄＢの
フィルタ損失を有する。曲線４１は、１５２０〜１５６
３ｎｍの範囲をカバーする実質的な全Ｃバンドフィルタ
に対するものであり、曲線４２は、例えば１５２０〜１
５５０ｎｍの範囲をカバーする部分的Ｃバンドフィルタ
についてのものである。前者は、ＦＯＭ＝１２９０ｄＢ
・ｎｍを有し、後者は、ＦＯＭ＝９００ｄＢ・ｎｍを有
する。
タ損失を概略的に示す。両方のフィルタは、３０ｄＢの
フィルタ損失を有する。曲線４１は、１５２０〜１５６
３ｎｍの範囲をカバーする実質的な全Ｃバンドフィルタ
に対するものであり、曲線４２は、例えば１５２０〜１
５５０ｎｍの範囲をカバーする部分的Ｃバンドフィルタ
についてのものである。前者は、ＦＯＭ＝１２９０ｄＢ
・ｎｍを有し、後者は、ＦＯＭ＝９００ｄＢ・ｎｍを有
する。
【００３０】図１のデータおよび図４のフィルタ特性は
一緒に、図３に示されているＥＤＦＡの特性の通常の数
字的シミュレーションにおいて使用された。これは、Lu
centTechnologies社のSpecialty Fiber Division から
商業的に入手可能なＯＡＳＩＸシミュレーションツール
を使用して、図示されているように−１０ｄＢｍの全信
号パワーおよびＬ1＝Ｌ2＝Ｌ3＝６ｍおよびＬについて
行われた。ポンプ光は、９８０ｎｍにおいて１００ｍＷ
であり、信号と共に伝播すると仮定された。上記のパラ
メータは例にすぎない。
一緒に、図３に示されているＥＤＦＡの特性の通常の数
字的シミュレーションにおいて使用された。これは、Lu
centTechnologies社のSpecialty Fiber Division から
商業的に入手可能なＯＡＳＩＸシミュレーションツール
を使用して、図示されているように−１０ｄＢｍの全信
号パワーおよびＬ1＝Ｌ2＝Ｌ3＝６ｍおよびＬについて
行われた。ポンプ光は、９８０ｎｍにおいて１００ｍＷ
であり、信号と共に伝播すると仮定された。上記のパラ
メータは例にすぎない。
【００３１】しかし、このシミュレーションの結果は、
実際のＬバンドＥＤＦＡにおいて得ることができる増幅
器特性を示す。例えば、図１のモデル化パラメータは、
Lucent Technologies社から商業的に入手可能なＥＤＦ
の利得および吸収特性によく一致する。６ｍのフィルタ
間隔は、これがＣバンド中のＡＳＥがＬバンド特性を害
するファイバにおけるレベルに達する前に、図１のファ
イバに対する最大長さであることが分かったからであ
る。明らかに、ファイバ間隔は、６ｍよりも小さくても
よいが、異なるＥＤＦに対しては６ｍよりも大きくても
よい。
実際のＬバンドＥＤＦＡにおいて得ることができる増幅
器特性を示す。例えば、図１のモデル化パラメータは、
Lucent Technologies社から商業的に入手可能なＥＤＦ
の利得および吸収特性によく一致する。６ｍのフィルタ
間隔は、これがＣバンド中のＡＳＥがＬバンド特性を害
するファイバにおけるレベルに達する前に、図１のファ
イバに対する最大長さであることが分かったからであ
る。明らかに、ファイバ間隔は、６ｍよりも小さくても
よいが、異なるＥＤＦに対しては６ｍよりも大きくても
よい。
【００３２】図５は、上記の数字的シミュレーションに
より決定されたＥＤＦ長さの関数としての出力パワーを
示す。曲線５１は、フィルタなしの場合であり、曲線５
２〜５６は、それぞれ６，１２および１８ｍにおける３
個のフィルタ（各３０ｄＢ）、６ｍにおける１個のフィ
ルタ（３０ｄＢ）、１２ｍにおける１個のフィルタ（３
０ｄＢ）、１８ｍにおける１個のフィルタ（３０ｄＢ）
および６ｍおよび１２ｍにおける２個のフィルタ（各３
０ｄＢ）の場合である。全てのフィルタは、図４の曲線
４１に示されているように、全Ｃバンドフィルタであ
る。曲線５２および５６は、本質的に区別不可能であ
る。
より決定されたＥＤＦ長さの関数としての出力パワーを
示す。曲線５１は、フィルタなしの場合であり、曲線５
２〜５６は、それぞれ６，１２および１８ｍにおける３
個のフィルタ（各３０ｄＢ）、６ｍにおける１個のフィ
ルタ（３０ｄＢ）、１２ｍにおける１個のフィルタ（３
０ｄＢ）、１８ｍにおける１個のフィルタ（３０ｄＢ）
および６ｍおよび１２ｍにおける２個のフィルタ（各３
０ｄＢ）の場合である。全てのフィルタは、図４の曲線
４１に示されているように、全Ｃバンドフィルタであ
る。曲線５２および５６は、本質的に区別不可能であ
る。
【００３３】このシミュレーションは、単一の適切に配
置された全Ｃバンドフィルタであっても、大幅に改善さ
れた出力パワーを生じることを明確に示しており、ま
た、１個よりも多いフィルタが使用される場合、さらに
大幅な改善が得られることを示している。
置された全Ｃバンドフィルタであっても、大幅に改善さ
れた出力パワーを生じることを明確に示しており、ま
た、１個よりも多いフィルタが使用される場合、さらに
大幅な改善が得られることを示している。
【００３４】図６は、上述したＬバンドＥＤＦＡの最も
悪いチャネルのＮＦを示している。曲線６１〜６６は、
それぞれＣバンドフィルタなし、６，１２および１８ｍ
における３個の全Ｃバンドフィルタ、６ｍにおける１個
の全Ｃバンドフィルタ、１２ｍにおける１個の全Ｃバン
ドフィルタ、１８ｍにおける１個の全Ｃバンドフィル
タ、および６および１２ｍにおける２個の全Ｃバンドフ
ィルタに対応する。全てのフィルタは、３０ｄＢフィル
タである。図６は、単一の適切に配置された全Ｃバンド
フィルタ（大きなＦＯＭを有する）の存在がＮＦを改善
することができ、１個よりも多い数のフィルタが使用さ
れる場合さらなる改善が得られることを示す。
悪いチャネルのＮＦを示している。曲線６１〜６６は、
それぞれＣバンドフィルタなし、６，１２および１８ｍ
における３個の全Ｃバンドフィルタ、６ｍにおける１個
の全Ｃバンドフィルタ、１２ｍにおける１個の全Ｃバン
ドフィルタ、１８ｍにおける１個の全Ｃバンドフィル
タ、および６および１２ｍにおける２個の全Ｃバンドフ
ィルタに対応する。全てのフィルタは、３０ｄＢフィル
タである。図６は、単一の適切に配置された全Ｃバンド
フィルタ（大きなＦＯＭを有する）の存在がＮＦを改善
することができ、１個よりも多い数のフィルタが使用さ
れる場合さらなる改善が得られることを示す。
【００３５】図７は、Ｃバンドフィルタなし（曲線７
１）、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍにおける３個の全Ｃバ
ンド３０ｄＢフィルタ（曲線７２）、６ｍにおける１個
の全Ｃバンド３０ｄＢフィルタ（曲線７３）および６ｍ
における１個の全Ｃバンド９０ｄＢフィルタ（曲線７
４）について、ＥＤＦ長さと出力パワーとの関係を示
す。図７の結果は、最もよい結果に対して、Ｃバンド損
失は、２つ以上の間隔をおいて配置されたフィルタにお
いて、ＥＤＦに沿って好都合に分散していることを示
す。
１）、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍにおける３個の全Ｃバ
ンド３０ｄＢフィルタ（曲線７２）、６ｍにおける１個
の全Ｃバンド３０ｄＢフィルタ（曲線７３）および６ｍ
における１個の全Ｃバンド９０ｄＢフィルタ（曲線７
４）について、ＥＤＦ長さと出力パワーとの関係を示
す。図７の結果は、最もよい結果に対して、Ｃバンド損
失は、２つ以上の間隔をおいて配置されたフィルタにお
いて、ＥＤＦに沿って好都合に分散していることを示
す。
【００３６】図８は、上述したＬバンドＥＤＦＡについ
て、ＥＤＦ長さと最も悪いチャネルのＮＦとの関係を示
す。曲線８１は、Ｃバンドフィルタがない場合であり、
曲線８２は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに３個の全（３
０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、６ｍに１個の全
（３０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、および６ｍ
に１個の全（９０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合で
ある。これらの曲線は、高いＦＯＭの単一の全Ｃバンド
フィルタであっても、ＮＦを改善することができること
を示している。
て、ＥＤＦ長さと最も悪いチャネルのＮＦとの関係を示
す。曲線８１は、Ｃバンドフィルタがない場合であり、
曲線８２は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに３個の全（３
０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、６ｍに１個の全
（３０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、および６ｍ
に１個の全（９０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合で
ある。これらの曲線は、高いＦＯＭの単一の全Ｃバンド
フィルタであっても、ＮＦを改善することができること
を示している。
【００３７】図９および１０は、フィルタ幅の効果を示
す。曲線９１および１０１は、Ｃバンドフィルタのない
ＥＤＦＡであり、曲線９２および１０２は、６ｍ、１２
ｍおよび１８ｍに３個の（３０ｄＢ）全Ｃバンド（１５
２０〜１５６３ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡであ
り、曲線９３および１０３は、６ｍ、１２ｍおよび１８
ｍに３個の（３０ｄＢ）部分的Ｃバンド（１５２０〜１
５５０ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡである。これら
の曲線は、全Ｃバンドフィルタを部分的Ｃバンドフィル
タで置き換えることは、出力パワーおよびＮＦにおける
かなり小さな改善の結果となることを示す。
す。曲線９１および１０１は、Ｃバンドフィルタのない
ＥＤＦＡであり、曲線９２および１０２は、６ｍ、１２
ｍおよび１８ｍに３個の（３０ｄＢ）全Ｃバンド（１５
２０〜１５６３ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡであ
り、曲線９３および１０３は、６ｍ、１２ｍおよび１８
ｍに３個の（３０ｄＢ）部分的Ｃバンド（１５２０〜１
５５０ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡである。これら
の曲線は、全Ｃバンドフィルタを部分的Ｃバンドフィル
タで置き換えることは、出力パワーおよびＮＦにおける
かなり小さな改善の結果となることを示す。
【００３８】図１１は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに配
置された３個の全Ｃバンドフィルタを有する上述のＥＤ
ＦＡについて、フィルタ長さを変化させた場合の、ＥＤ
Ｆ長さに対するＬバンド中の出力パワーを示す。曲線１
１１〜１１５は、それぞれ、フィルタなし（即ち、０ｄ
Ｂ）、５ｄＢフィルタ、１０ｄＢフィルタ、２０ｄＢフ
ィルタ、２５ｄＢおよび３０ｄＢフィルタについてのも
のである。これらの曲線は、約２５〜３０ｄＢフィルタ
長まで、フィルタ長さを増加させると出力パワーが改善
することを明確に示している。大幅な改善（例えば、最
大５０％以上可能である）が、約１０ｄＢの結合フィル
タ損失で、２個または３個の全Ｃバンドフィルタで得る
ことができる。
置された３個の全Ｃバンドフィルタを有する上述のＥＤ
ＦＡについて、フィルタ長さを変化させた場合の、ＥＤ
Ｆ長さに対するＬバンド中の出力パワーを示す。曲線１
１１〜１１５は、それぞれ、フィルタなし（即ち、０ｄ
Ｂ）、５ｄＢフィルタ、１０ｄＢフィルタ、２０ｄＢフ
ィルタ、２５ｄＢおよび３０ｄＢフィルタについてのも
のである。これらの曲線は、約２５〜３０ｄＢフィルタ
長まで、フィルタ長さを増加させると出力パワーが改善
することを明確に示している。大幅な改善（例えば、最
大５０％以上可能である）が、約１０ｄＢの結合フィル
タ損失で、２個または３個の全Ｃバンドフィルタで得る
ことができる。
【００３９】図１２は、上述のＥＤＦＡについての最も
悪いチャネルのＮＦを示し、曲線１２１〜１２４は、そ
れぞれ、Ｃバンドフィルタなし、３個の５ｄＢフィル
タ、３個の１０ｄＢフィルタ、および３個の２０ｄＢ、
２５ｄＢまたは３０ｄＢフィルタの場合についてのもの
である。また、この図は、約１０ｄＢの結合フィルタ損
失で、２〜３個の全Ｃバンドフィルタにより大幅な改善
が得られることを示す。
悪いチャネルのＮＦを示し、曲線１２１〜１２４は、そ
れぞれ、Ｃバンドフィルタなし、３個の５ｄＢフィル
タ、３個の１０ｄＢフィルタ、および３個の２０ｄＢ、
２５ｄＢまたは３０ｄＢフィルタの場合についてのもの
である。また、この図は、約１０ｄＢの結合フィルタ損
失で、２〜３個の全Ｃバンドフィルタにより大幅な改善
が得られることを示す。
【００４０】Ｌバンド増幅器性能におけるいくつかの改
善が、約４００ｄＢ・ｎｍよりも大きいＦＯＭ（例え
ば、フィルタ強度１０ｄＢ以上およびフィルタ帯域幅４
０ｎｍ以上）の単一Ｃバンドフィルタが提供される場合
に得ることができる。このフィルタ帯域幅は、通常と同
様に、半値幅（ＦＷＨＭ）として定義される。
善が、約４００ｄＢ・ｎｍよりも大きいＦＯＭ（例え
ば、フィルタ強度１０ｄＢ以上およびフィルタ帯域幅４
０ｎｍ以上）の単一Ｃバンドフィルタが提供される場合
に得ることができる。このフィルタ帯域幅は、通常と同
様に、半値幅（ＦＷＨＭ）として定義される。
【００４１】上記した結果は、得ることのできる結果の
例であるが、本発明はこの開示された実施形態に限定さ
れない。様々なＣバンド除去フィルタが、大幅に改善し
たＬバンド性能を得ることができ、かつ考えられる。望
ましくは、フィルタは、Ｌバンドにおいて並びにポンプ
波長（典型的には９８０ｎｍまたは１４８０ｎｍ）にお
いて最小の挿入損失（例えば、＜０．１ｄＢ）を有する
大きな反射減衰量（例えば、＞４０ｄＢ）を有する。大
きな反射減衰量は、例えばアイソレータまたはサーキュ
レータの手段により得ることができる。しかし、これら
のデバイスは、典型的には望ましくない挿入損失を追加
する。
例であるが、本発明はこの開示された実施形態に限定さ
れない。様々なＣバンド除去フィルタが、大幅に改善し
たＬバンド性能を得ることができ、かつ考えられる。望
ましくは、フィルタは、Ｌバンドにおいて並びにポンプ
波長（典型的には９８０ｎｍまたは１４８０ｎｍ）にお
いて最小の挿入損失（例えば、＜０．１ｄＢ）を有する
大きな反射減衰量（例えば、＞４０ｄＢ）を有する。大
きな反射減衰量は、例えばアイソレータまたはサーキュ
レータの手段により得ることができる。しかし、これら
のデバイスは、典型的には望ましくない挿入損失を追加
する。
【００４２】本発明による例示的なＥＤＦＡの上述した
シミュレーション結果は、従来技術によるＥＤＦＡに実
質的に対応するシミュレーション結果に匹敵する。Ｃバ
ンドにおいて１５２５ｎｍから１５４０ｎｍの（強度お
よび幅が異なることを除いて図４に示されている）２０
ｄＢＡＳＥフィルタで、１５４５〜１５６０ｎｍの１６
チャネル（１ｎｍ間隔）を有するＣバンドに１００ｍＷ
の９８０ｎｍポンプ光、−１０ｄＢｍ全信号入力が仮定
された。
シミュレーション結果は、従来技術によるＥＤＦＡに実
質的に対応するシミュレーション結果に匹敵する。Ｃバ
ンドにおいて１５２５ｎｍから１５４０ｎｍの（強度お
よび幅が異なることを除いて図４に示されている）２０
ｄＢＡＳＥフィルタで、１５４５〜１５６０ｎｍの１６
チャネル（１ｎｍ間隔）を有するＣバンドに１００ｍＷ
の９８０ｎｍポンプ光、−１０ｄＢｍ全信号入力が仮定
された。
【００４３】上記したファイバおよび増幅器構成がシミ
ュレーションに使用された。この場合に、５ｍフィルタ
間隔が最適であることが分かった。出力およびＮＦの実
質的に最大の改善が、帯域幅１５２５〜１５４０ｎｍを
有する単一１５ｄＢフィルタにより達せられた。２個の
フィルタの使用は、実質的に改善を生じなかった。最大
の必要とされるフィルタＦＯＭは、３００ｄＢ・ｎｍ
（１５ｎｍにおいて２０ｄＢ）である。このＦＯＭは、
我々の知る限り、従来使用されていたいかなるＦＯＭよ
りも大きい。ＦＯＭ＝３００ｄＢ・ｎｍを有するＣバン
ドＡＳＥフィルタは、ＬバンドＥＤＦＡに対して小さな
改善しか生じなかった。
ュレーションに使用された。この場合に、５ｍフィルタ
間隔が最適であることが分かった。出力およびＮＦの実
質的に最大の改善が、帯域幅１５２５〜１５４０ｎｍを
有する単一１５ｄＢフィルタにより達せられた。２個の
フィルタの使用は、実質的に改善を生じなかった。最大
の必要とされるフィルタＦＯＭは、３００ｄＢ・ｎｍ
（１５ｎｍにおいて２０ｄＢ）である。このＦＯＭは、
我々の知る限り、従来使用されていたいかなるＦＯＭよ
りも大きい。ＦＯＭ＝３００ｄＢ・ｎｍを有するＣバン
ドＡＳＥフィルタは、ＬバンドＥＤＦＡに対して小さな
改善しか生じなかった。
【００４４】帯域幅のほとんどにおいて実質的に平坦な
強度を有する３０ｎｍ以上の帯域幅を有するフィルタが
知られている。例えば、A. Vengsarkar 等によるOFC '9
5, PD4-1; Erdogan et al., J. of the Optical Societ
y of America A, Vol. 13, pp. 296-313 (1996)および
米国特許第５，７４０，２９２号を参照のこと。
強度を有する３０ｎｍ以上の帯域幅を有するフィルタが
知られている。例えば、A. Vengsarkar 等によるOFC '9
5, PD4-1; Erdogan et al., J. of the Optical Societ
y of America A, Vol. 13, pp. 296-313 (1996)および
米国特許第５，７４０，２９２号を参照のこと。
【００４５】図１３は、本発明による物品、即ち本発明
によるＬバンドＥＤＦＡを含む光ファイバ通信システム
１３０を概略的に示す。符号１３１〜１３５は、それぞ
れ、ＷＤＭ送信器、通常の伝送ファイバ、ＬバンドＥＤ
ＦＡ、および受信機である。通常の構成要素（例えば、
マルチプレクサおよびデマルチプレクサ）は示されてい
ない。
によるＬバンドＥＤＦＡを含む光ファイバ通信システム
１３０を概略的に示す。符号１３１〜１３５は、それぞ
れ、ＷＤＭ送信器、通常の伝送ファイバ、ＬバンドＥＤ
ＦＡ、および受信機である。通常の構成要素（例えば、
マルチプレクサおよびデマルチプレクサ）は示されてい
ない。
【００４６】個別光フィルタをＥＤＦ中に配置すること
は、ＬバンドＥＤＦＡの増幅器特性において望ましい改
善が得られる唯一の方法ではない。例えば、分散型損失
手段を備えることも同様の結果を得る。そのような損失
手段は、ＥＤＦ中の適切に選択されたドーパントであっ
てもよいし、または適切に選択された導波路構造であっ
てもよい。損失メカニズムは、ＥＤＦの少なくとも使用
部分において活性であり、典型的にはＥＤＦ全体におい
て活性であり、ＥＤＦのいかなる部分においても、Ｃバ
ンドにおける最大の蓄積利得を約３０ｄＢ低く維持する
ように選択される。
は、ＬバンドＥＤＦＡの増幅器特性において望ましい改
善が得られる唯一の方法ではない。例えば、分散型損失
手段を備えることも同様の結果を得る。そのような損失
手段は、ＥＤＦ中の適切に選択されたドーパントであっ
てもよいし、または適切に選択された導波路構造であっ
てもよい。損失メカニズムは、ＥＤＦの少なくとも使用
部分において活性であり、典型的にはＥＤＦ全体におい
て活性であり、ＥＤＦのいかなる部分においても、Ｃバ
ンドにおける最大の蓄積利得を約３０ｄＢ低く維持する
ように選択される。
【００４７】図１４は、本発明によるさらなる例示的な
Ｌバンド増幅器１４０を概略的に示す。この増幅器は、
二段からなり、入力段（第１段）は、３１ｍのＥｒドー
プされたファイバであり、出力段（第２段）は、１３０
ｍの同じＥｒドープされたファイバである。ファイバ
は、１５３０ｎｍにおいて６ｄＢ／ｍのピーク吸収を有
する。入力段は、区分間のインラインＡＳＥフィルタに
より、それぞれ長さ６．５ｍ、４．５ｍおよび２０ｍの
ファイバの３つの区分に分割されている。
Ｌバンド増幅器１４０を概略的に示す。この増幅器は、
二段からなり、入力段（第１段）は、３１ｍのＥｒドー
プされたファイバであり、出力段（第２段）は、１３０
ｍの同じＥｒドープされたファイバである。ファイバ
は、１５３０ｎｍにおいて６ｄＢ／ｍのピーク吸収を有
する。入力段は、区分間のインラインＡＳＥフィルタに
より、それぞれ長さ６．５ｍ、４．５ｍおよび２０ｍの
ファイバの３つの区分に分割されている。
【００４８】２つの段は、それぞれ９８０ｎｍの１００
ｍＷおよび１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光で共に
ポンプされる。ポンプ光は、ＷＤＭカプラの手段により
通常の方法で増幅器に結合される。通常の光アイソレー
ションが、第２段から第１段へのＡＳＥフィードバック
を防止するために増幅器段間に配置される。図示しない
通常の送信器からの信号放射は、Ｌバンド増幅器へ通常
の伝送ファイバ中を伝播する。ポンプ光（９８０ｎｍ）
は、図示しない通常のポンプ源により提供されて、通常
のファイバ１４２を通してＷＤＭカプラ１４４に伝播さ
れて、増幅器入力段に入力される。
ｍＷおよび１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光で共に
ポンプされる。ポンプ光は、ＷＤＭカプラの手段により
通常の方法で増幅器に結合される。通常の光アイソレー
ションが、第２段から第１段へのＡＳＥフィードバック
を防止するために増幅器段間に配置される。図示しない
通常の送信器からの信号放射は、Ｌバンド増幅器へ通常
の伝送ファイバ中を伝播する。ポンプ光（９８０ｎｍ）
は、図示しない通常のポンプ源により提供されて、通常
のファイバ１４２を通してＷＤＭカプラ１４４に伝播さ
れて、増幅器入力段に入力される。
【００４９】入力段は、２個のインラインＡＳＥフィル
タ１４７および１４８を有する。符号１４６および１４
５は、それぞれ、通常の光アイソレータおよび１４８０
ｎｍポンプ光を第２の増幅器段に結合させるためのＷＤ
Ｍカプラである。１４８０ｎｍポンプ光は、図示しない
通常のポンプ光源により提供され、ファイバ１４３を通
してＷＤＭカプラに伝播される。増幅された信号放射
は、図示しない利用手段、例えば増幅器および受信器に
伝送可能に信号を接続する伝送ファイバに提供される。
タ１４７および１４８を有する。符号１４６および１４
５は、それぞれ、通常の光アイソレータおよび１４８０
ｎｍポンプ光を第２の増幅器段に結合させるためのＷＤ
Ｍカプラである。１４８０ｎｍポンプ光は、図示しない
通常のポンプ光源により提供され、ファイバ１４３を通
してＷＤＭカプラに伝播される。増幅された信号放射
は、図示しない利用手段、例えば増幅器および受信器に
伝送可能に信号を接続する伝送ファイバに提供される。
【００５０】上述した２段Ｌバンド光増幅器の性能を測
定した。入力飽和信号は、５ｎｍ間隔を開けて配置され
た１５７０〜１６００ｎｍに７個のチャネルに構成され
た。各チャネル中のパワーは、増幅器への全入力パワー
が−１１．５ｄＢｍとなるように−２０ｄＢｍに設定さ
れた。出力パワースペクトルは図１５に示されている。
全出力パワーは、増幅器が９８０ｎｍの１００ｍＷおよ
び１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光でポンプされた
場合、１７．１ｄＢｍであった。増幅器の電力変換効率
（ＰＣＥ）は、２４．３％であり、これは量子限界の３
１％に対応する。
定した。入力飽和信号は、５ｎｍ間隔を開けて配置され
た１５７０〜１６００ｎｍに７個のチャネルに構成され
た。各チャネル中のパワーは、増幅器への全入力パワー
が−１１．５ｄＢｍとなるように−２０ｄＢｍに設定さ
れた。出力パワースペクトルは図１５に示されている。
全出力パワーは、増幅器が９８０ｎｍの１００ｍＷおよ
び１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光でポンプされた
場合、１７．１ｄＢｍであった。増幅器の電力変換効率
（ＰＣＥ）は、２４．３％であり、これは量子限界の３
１％に対応する。
【００５１】２個以上の増幅器段を有する本発明による
ＬバンドＥＤＦＡにおいて、これは、通常Ｃバンドフィ
ルタ手段を含む入力段である。２個以上の段を有するＥ
ＤＦＡにおいて、ＥＤＦの長さは、Ｃバンドフィルタ手
段を含む段におけるＥＤＦの長さであると理解される。
ＬバンドＥＤＦＡにおいて、これは、通常Ｃバンドフィ
ルタ手段を含む入力段である。２個以上の段を有するＥ
ＤＦＡにおいて、ＥＤＦの長さは、Ｃバンドフィルタ手
段を含む段におけるＥＤＦの長さであると理解される。
【００５２】図１６は、２段の上述したＥＤＦＡの測定
された利得および雑音を示す。利得スペクトルは、帯域
において小さなプローブ信号を調節することにより、か
つ７個の飽和信号が同調されたときにその利得を測定す
ることにより得られた。プローブ信号の大きさは、利得
スペクトルに影響を与えることのないように、−４０ｄ
Ｂｍ（７個の飽和信号から２０ｄＢ低い）に設定され
た。
された利得および雑音を示す。利得スペクトルは、帯域
において小さなプローブ信号を調節することにより、か
つ７個の飽和信号が同調されたときにその利得を測定す
ることにより得られた。プローブ信号の大きさは、利得
スペクトルに影響を与えることのないように、−４０ｄ
Ｂｍ（７個の飽和信号から２０ｄＢ低い）に設定され
た。
【００５３】増幅器の利得が２７ｄＢを超える帯域は、
３３ｎｍであり、帯域における利得変動は約１．７ｄＢ
であった。単純な利得透過フィルタは、１ｄＢ低いとこ
ろまで利得変動を減少することができる。増幅器帯域に
おける外部光雑音指数は、４．５ｄＢ低かった。これ
は、ＷＤＭカプラの損失およびエルビウムファイバに対
する重ねつなぎを含む。最も低い雑音指数は、１５７０
ｎｍにおいて３．７５ｄＢであり、最も高い雑音指数
は、１６０２ｎｍにおいて４．４５ｄＢであった。
３３ｎｍであり、帯域における利得変動は約１．７ｄＢ
であった。単純な利得透過フィルタは、１ｄＢ低いとこ
ろまで利得変動を減少することができる。増幅器帯域に
おける外部光雑音指数は、４．５ｄＢ低かった。これ
は、ＷＤＭカプラの損失およびエルビウムファイバに対
する重ねつなぎを含む。最も低い雑音指数は、１５７０
ｎｍにおいて３．７５ｄＢであり、最も高い雑音指数
は、１６０２ｎｍにおいて４．４５ｄＢであった。
【００５４】図１７は、本発明による上述した例示的な
増幅器における使用に適したブレーズドファイバブラッ
ググレーティングの伝達スペクトルを示す。通常の光フ
ァイバ（Lucent Technologies社から入手可能な５Ｄフ
ァイバ）が、重水素と共に通常の方法でロードされ、チ
ャープドブレーズドブラッググレーティングが、位相マ
スクを介するＵＶ（２４２ｎｍ）暴露によりファイバコ
アに書き込まれる。
増幅器における使用に適したブレーズドファイバブラッ
ググレーティングの伝達スペクトルを示す。通常の光フ
ァイバ（Lucent Technologies社から入手可能な５Ｄフ
ァイバ）が、重水素と共に通常の方法でロードされ、チ
ャープドブレーズドブラッググレーティングが、位相マ
スクを介するＵＶ（２４２ｎｍ）暴露によりファイバコ
アに書き込まれる。
【００５５】公称の位相マスク間隔は、１．０７６ｎｍ
であり、位相マスク間隔に置けるチャープは、２ｎｍ／
ｃｍである。グレーティングの長さは、１．５ｃｍであ
り、そのプロファイルは、ほぼガウス分布である。グレ
ーティングブレイズは、ファイバに対して位相マスクを
傾けることにより得られる。増幅器の各フィルタは、
３．５度および６度の位相マスクチルト角を有する２つ
のグレーティングからなり、それぞれ１５６０ｎｍおよ
び１５３０ｎｍに近い最大クラッディングモード損失を
与える。各グレーティングにおける屈折率変調は、約
０．００３である。
であり、位相マスク間隔に置けるチャープは、２ｎｍ／
ｃｍである。グレーティングの長さは、１．５ｃｍであ
り、そのプロファイルは、ほぼガウス分布である。グレ
ーティングブレイズは、ファイバに対して位相マスクを
傾けることにより得られる。増幅器の各フィルタは、
３．５度および６度の位相マスクチルト角を有する２つ
のグレーティングからなり、それぞれ１５６０ｎｍおよ
び１５３０ｎｍに近い最大クラッディングモード損失を
与える。各グレーティングにおける屈折率変調は、約
０．００３である。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＣバンドＥＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能
を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ
増幅器）を提供することができる。
ＣバンドＥＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能
を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ
増幅器）を提供することができる。
【図１】商業的に入手可能なＥＤＦのモデル化パラメー
タを波長の関数として示す図。
タを波長の関数として示す図。
【図２】様々なレベルのイオン反転について波長の関数
として利得を示す図。
として利得を示す図。
【図３】本発明による例示的なＬバンドＥＤＦＡを示す
概略図。
概略図。
【図４】全Ｃバンドフィルタのフィルタ損失および部分
Ｃバンドフィルタのフィルタ損失を示す図。
Ｃバンドフィルタのフィルタ損失を示す図。
【図５】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
【図６】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
【図７】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
【図８】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
【図９】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレ
ーション結果を示す図。
【図１０】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
【図１１】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
【図１２】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュ
レーション結果を示す図。
【図１３】ＬバンドＥＤＦＡを有するＷＤＭファイバ伝
送システムを示す図。
送システムを示す図。
【図１４】本発明による例示的なＬバンドＥＤＦＡを示
す図。
す図。
【図１５】本発明によるＥＤＦＡの出力スペクトルを示
す図。
す図。
【図１６】本発明によるＥＤＦＡの利得および雑音指数
を示す図。
を示す図。
【図１７】例示的なブレーズドファイバブラッググレー
ティングの伝達スペクトルを示す図。
ティングの伝達スペクトルを示す図。
３０ ＬバンドＥＤＦＡ ３１ ダウンストリーム伝送ファイバ ３２ ファイバ ３４ ＥＤＦ １４２ ファイバ １４４，１４５ ＷＤＭカプラ １４６ 光アイソレータ １４７，１４８ インラインＡＳＥフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ロランド パトリシオ イスピンドラ アメリカ合衆国、07928 ニュージャージ ー、チャサム、ノース パザイック アベ ニュー 37 (72)発明者 トーマス アンドリュー ストラッサー アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ワーレン、ハーモニー ロード ６ (72)発明者 ポール ステファン ウエストブルック アメリカ合衆国、07928 ニュージャージ ー、チャサム、リバー ロード 420 ア パートメント ケー−11 (72)発明者 ポール フランシス ウィソッキ アメリカ合衆国、08822 ニュージャージ ー、フレミントン、プレザント ビュー ウェイ 15
Claims (10)
- 【請求項１】 約１５６５〜１６２５ｎｍの波長領域に
おける光信号放射の増幅に適合するＥｒドープされたフ
ァイバ増幅器を含む物品であって、 前記増幅器は、入力を有する長さＬのＥｒドープされた
光ファイバと、前記光信号放射およびポンプ光を前記Ｅ
ｒドープされた光ファイバに結合させるための単数また
は複数のカプラを含むものにおいて、前記増幅器は、前
記長さＬのＥｒドープされた光ファイバ中に配置された
光フィルタ手段をさらに含み、前記光フィルタ手段は、
４００ｄＢ・ｎｍよりも大きい良さの指数（ＦＯＭ）を
有する増幅器を提供するように選択され、前記良さの指
数は、１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ
（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）は、前記長さＬのＥｒ
ドープされた光ファイバにおける前記光フィルタ手段に
よる波長λにおける全損失であることを特徴とする物
品。 - 【請求項２】 前記光フィルタ手段は、前記１５２０〜
１５６５ｎｍの波長領域において波長依存吸収を提供す
るように選択されることを特徴とする請求項１記載の物
品。 - 【請求項３】 前記光フィルタ手段は、前記１５２０〜
１５６５ｎｍの波長領域においてフィルタリングを提供
するように選択された少なくとも１つの個別のフィルタ
エレメントを含むことを特徴とする請求項１記載の物
品。 - 【請求項４】 前記少なくとも１つの個別のフィルタエ
レメントは、ブレーズドブラッグフレーティング、長間
隔ファイバグレーティング、反射モードコンバータ、誘
電性フィルタ、ヒューズドファイバカプラ、およびヒュ
ーズドバイコニックファイバカプラからなるフィルタエ
レメントのグループから選択されることを特徴とする請
求項３記載の物品。 - 【請求項５】 前記少なくとも１つの個別のフィルタエ
レメントが、ブレーズドブラッググレーティングである
ことを特徴とする請求項３記載の物品。 - 【請求項６】 前記Ｅｒドープされたファイバ増幅器
が、入力段を有する多段ファイバ増幅器であり、前記光
フィルタ手段が、前記入力段に配置されていることを特
徴とする請求項１記載の物品。 - 【請求項７】 前記光フィルタ手段が、１５２０〜１５
６５ｎｍの波長領域において、波長依存吸収を提供する
ように選択された分散型フィルタ手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項３記載の物品。 - 【請求項８】 前記良さの指数が５００ｄＢ・ｎｍより
も大きいことを特徴とする請求項１記載の物品。 - 【請求項９】 前記光フィルタ手段が、２個以上の個別
のフィルタエレメントを含むことを特徴とする請求項３
記載の物品。 - 【請求項１０】 前記２つ以上の個別のフィルタエレメ
ントが、ブレーズドブラッググレーティングであること
を特徴とする請求項９記載の物品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/252560 | 1999-02-19 | ||
| US09/252,560 US6141142A (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Article comprising an L-Band optical fiber amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244040A true JP2000244040A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3634708B2 JP3634708B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=22956527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000035783A Expired - Fee Related JP3634708B2 (ja) | 1999-02-19 | 2000-02-14 | Ｅｒドープされたファイバ増幅器を含む物品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6141142A (ja) |
| EP (1) | EP1030414B1 (ja) |
| JP (1) | JP3634708B2 (ja) |
| DE (1) | DE60001239T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005051196A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エルビュームドープ光ファイバ増幅器 |
| US8514484B2 (en) | 2010-05-26 | 2013-08-20 | Fujitsu Limited | Optical amplifier and optical fiber |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326119B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2002-03-07 | 윤종용 | 씨드-빔을 이용한 엘-밴드 광섬유 증폭기 |
| US6459526B1 (en) * | 1999-08-09 | 2002-10-01 | Corning Incorporated | L band amplifier with distributed filtering |
| US6396624B1 (en) * | 2000-01-11 | 2002-05-28 | Tycom (Us) Inc. | Extended band erbium doped fiber amplifier |
| US6697558B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-02-24 | Fitel U.S.A. Corp | Raman amplified optical system with reduction of four-wave mixing effects |
| US6441953B1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-08-27 | Corning Incorporated | L band multistage amplifier with improved noise figure |
| US6731426B2 (en) | 2001-02-23 | 2004-05-04 | Photon-X, Inc. | Long wavelength optical amplifier |
| US6507430B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-01-14 | Photon X, Inc. | Long wavelength optical amplifier |
| US6618193B1 (en) * | 2001-03-26 | 2003-09-09 | Nortel Networks Limited | Optical amplification systems and methods |
| KR100394457B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-08-14 | 주식회사 네오텍리서치 | 장파장대역용 에르븀첨가 광섬유레이저 |
| CN1324829C (zh) * | 2001-08-03 | 2007-07-04 | 华为技术有限公司 | 密集波分复用系统的功率均衡的实现方法 |
| KR100388355B1 (ko) * | 2001-08-03 | 2003-06-25 | 학교법인 성균관대학 | 안정화된 광섬유격자 반도체 레이저 |
| US6927898B2 (en) * | 2001-08-15 | 2005-08-09 | Photon-X, Llc | Ultra-wide bandwidth optical amplifier |
| JP2003069116A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Fujitsu Ltd | 光増幅器及び利得偏差補償方法 |
| US6781748B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-08-24 | Photon-X, Llc | Long wavelength optical amplifier |
| AU2002366169A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-06-10 | Photon-X, Inc. | L band optical amplifier |
| US7209283B2 (en) * | 2004-04-07 | 2007-04-24 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical amplifier with a flattened gain profile |
| US7272287B2 (en) * | 2005-05-11 | 2007-09-18 | Fitel Usa Corp | Optical fiber filter for suppression of amplified spontaneous emission |
| US10510043B2 (en) * | 2005-06-13 | 2019-12-17 | Skyword Inc. | Computer method and apparatus for targeting advertising |
| US8744224B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-06-03 | Alcatel Lucent | Tapered fiber bundle apparatus with monitoring capability |
| US7724423B2 (en) * | 2006-03-16 | 2010-05-25 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Optical fiber laser having improved efficiency |
| CA3156196C (en) | 2017-01-27 | 2024-06-25 | Teraxion Inc. | Optical fiber filter of wideband deleterious light and uses thereof |
| US10591667B2 (en) | 2017-05-19 | 2020-03-17 | Ofs Fitel, Llc | Optical fiber with specialized figure-of-merit and applications therefor |
| CN108133650B (zh) * | 2017-06-22 | 2019-10-18 | 杭州电子科技大学 | C+l波段的edfa教学开发实验箱 |
| CN108183386B (zh) * | 2018-01-16 | 2019-07-09 | 浙江大学 | 一种基于啁啾光纤布拉格光栅滤波的掺铒光纤光源装置 |
| WO2021034830A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | Ofs Fitel, Llc | Optical fiber amplifier with distributed gain flattening |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB897205A (en) * | 1959-10-19 | 1962-05-23 | Ici Ltd | Precipitated calcium carbonate |
| US5117303A (en) * | 1990-08-23 | 1992-05-26 | At&T Bell Laboratories | Method of operating concatenated optical amplifiers |
| US5430572A (en) * | 1993-09-30 | 1995-07-04 | At&T Corp. | High power, high gain, low noise, two-stage optical amplifier |
| US5406411A (en) * | 1993-10-14 | 1995-04-11 | Corning Incorporated | Fiber amplifier having efficient pump power utilization |
| PE41196A1 (es) * | 1994-07-25 | 1996-12-17 | Pirelli Cavi Spa | Sistema de telecomunicacion amplificado para transmisiones en multiplex por division de longitud de onda, capaz de limitar las variaciones en la potencia de salida |
| US5740292A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-14 | Lucent Technologies Inc. | Mode coupling optical waveguide grating |
| JP3452768B2 (ja) * | 1997-08-11 | 2003-09-29 | 富士通株式会社 | 光増幅のための方法及び装置並びに該装置を有するシステム |
| JP4075113B2 (ja) * | 1997-11-07 | 2008-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ増幅器及びエルビウム添加光ファイバ |
| JP3519926B2 (ja) * | 1997-11-12 | 2004-04-19 | 古河電気工業株式会社 | 波長多重光通信方式およびその光増幅器 |
| US6049418A (en) * | 1998-02-06 | 2000-04-11 | Lucent Technologies, Inc. | Noise figure in optical amplifiers with a split-band architecture |
-
1999
- 1999-02-19 US US09/252,560 patent/US6141142A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-09 EP EP00300983A patent/EP1030414B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-09 DE DE60001239T patent/DE60001239T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-14 JP JP2000035783A patent/JP3634708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005051196A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エルビュームドープ光ファイバ増幅器 |
| US8514484B2 (en) | 2010-05-26 | 2013-08-20 | Fujitsu Limited | Optical amplifier and optical fiber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60001239D1 (de) | 2003-02-27 |
| US6141142A (en) | 2000-10-31 |
| EP1030414B1 (en) | 2003-01-22 |
| DE60001239T2 (de) | 2003-10-30 |
| JP3634708B2 (ja) | 2005-03-30 |
| EP1030414A1 (en) | 2000-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3634708B2 (ja) | Ｅｒドープされたファイバ増幅器を含む物品 | |
| US5260823A (en) | Erbium-doped fibre amplifier with shaped spectral gain | |
| JP2734209B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| Sun et al. | 80 nm ultra-wideband erbium-doped silica fibre amplifier | |
| JP3749392B2 (ja) | 改善された縦続接続された光ファイバラマンデバイスを含む物品 | |
| JP4900501B2 (ja) | 光増幅器及び光増幅方法 | |
| US5323404A (en) | Optical fiber laser or amplifier including high reflectivity gratings | |
| JP2640445B2 (ja) | 光増幅器 | |
| US6903865B2 (en) | Communication system using S-band Er-doped fiber amplifiers with depressed cladding | |
| EP0535002B1 (en) | Erbium-doped fibre amplifier with shaped spectral gain | |
| KR100686417B1 (ko) | 이득 평탄화 필터를 가진 광섬유 증폭기 | |
| JP3884744B2 (ja) | 利得平坦化された広帯域エルビウム添加光ファイバ増幅器 | |
| KR100559469B1 (ko) | 이득고정형 광증폭기 | |
| Harun et al. | Gain clamping in two-stage L-band EDFA using a broadband FBG | |
| Talam et al. | EDFA gain flattening using fiber Bragg gratings employing different host materials | |
| KR20010041602A (ko) | 초광대역의 저-노이즈 게인-플랫된 희토류 도프처리된섬유 증폭기 | |
| US7495825B2 (en) | Integration of a gain equalization filter in a gain medium | |
| JP2870870B2 (ja) | 光ファイバ増幅方法および光ファイバ増幅器 | |
| JP4568247B2 (ja) | 光増幅モジュール及びそれを含む光増幅器 | |
| JP2001044545A (ja) | 光増幅器 | |
| JP2001203415A (ja) | 光増幅器 | |
| KR100584717B1 (ko) | 광섬유 및 이를 이용한 하이브리드 광섬유 증폭기 | |
| JP2003332660A (ja) | 光増幅モジュール、光増幅器、光通信システム及び白色光源 | |
| Al-Mansoori et al. | Wideband EDFA utilizing short-length high concentration erbium-doped fiber | |
| Harun et al. | Gain clamped L‐band EDFA using a fiber Bragg grating in two stage configuration |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040510 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040810 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040813 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041110 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041201 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041224 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3634708 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |