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JP2000183283A - Laminated-type circuit module and its manufacturing method - Google Patents

Laminated-type circuit module and its manufacturing method

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JP2000183283A
JP2000183283A JP10360917A JP36091798A JP2000183283A JP 2000183283 A JP2000183283 A JP 2000183283A JP 10360917 A JP10360917 A JP 10360917A JP 36091798 A JP36091798 A JP 36091798A JP 2000183283 A JP2000183283 A JP 2000183283A
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JP
Japan
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wiring
insulating layer
circuit module
electrode
feed
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JP10360917A
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Takuya Sasaya
卓也 笹谷
Shinichiro Kawakita
晋一郎 川北
Nobuaki Kawahara
伸章 川原
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated-type circuit module whose latitude for arrangement can be enhanced, without being restricted by the arrangement of electrodes, the size of parts, or the like and at the same time can be miniaturized, and its manufacturing method. SOLUTION: Wirings 2 and 3 are formed on a wiring substrate 1, an insulation layer 8 is formed on it, and a bare chip 12 is incorporated into the insulation layer 8, while being electrically connected to the wiring 2 and 3. Wiring 10 and 11 is formed on the upper surface of the insulation layer 8, and an insulation layer 9 is laminated on the insulation layer 8. A bare chip 16 is incorporated into the insulation layer 9 while it is electrically connected to the wiring 10 and 11, and feedthrough electrodes 21 and 22 are incorporated into the insulation layer 8, while being electrically connected to the wiring 2, 3, 10, and 11. By arranging the wiring and bare chip in build-up structure, the arrangement of electrodes and the size of parts cannot be restricted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ベアチップ等の
部品を重ねて配置した積層型回路モジュール及びその製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated circuit module in which components such as bare chips are stacked and arranged, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ベアチップ等の回路部品を縦方向に積層
した積層実装により回路基板の小型化が可能である。こ
のような積層実装方式として、例えば図13に示すよう
に、チップ端面に配線100a,100bを引き出した
ベアチップ100を複数積層し、端面に設けた配線10
1,102でチップ間を接続する方法やインターポーザ
基板にベアチップを実装し、そのインターポーザ基板を
積層する方法などがある。この種の積層方法は、“A Re
view of 3-D Packaging Technology”IEEE Transaction
s on components,packaging,and manufacturing techno
logy-part B,vol.21,No.1,Feb.1998に系統的にまとめら
れている。
2. Description of the Related Art It is possible to reduce the size of a circuit board by laminating and mounting circuit components such as bare chips in a vertical direction. As such a lamination mounting method, for example, as shown in FIG. 13, a plurality of bare chips 100 in which wirings 100a and 100b are drawn out on a chip end face are stacked and a wiring 10 provided on the end face is provided.
There is a method of connecting chips at 1, 102, a method of mounting a bare chip on an interposer substrate, and a method of laminating the interposer substrate. This type of lamination method is called “A Re
view of 3-D Packaging Technology ”IEEE Transaction
s on components, packaging, and manufacturing techno
logy-part B, vol.21, No.1, Feb. 1998.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図13
に示したベアチップ100を直接積層する方法において
は、その多くがチップ端面に電極を取り出す構造をチッ
プ上に作り込む必要があり、既存のICチップには適用
が難しい。さらに、積層するチップ100は同一サイズ
である必要があるため、異なるサイズのチップ積層には
適さない。また、インターポーザ基板を用いた積層では
インターポーザ基板の分サイズが大きくなる。このよう
に、従来の積層実装方法では、サイズや適用可能なIC
チップなどに制約がある。
However, FIG.
In many of the methods of directly stacking the bare chips 100 shown in (1), it is necessary to form a structure on the chip on which the electrodes are taken out on the chip end face, and it is difficult to apply the structure to an existing IC chip. Further, since the chips 100 to be stacked need to be the same size, they are not suitable for stacking chips of different sizes. Further, in the case of lamination using an interposer substrate, the size is increased by the size of the interposer substrate. As described above, in the conventional stacked mounting method, the size and the applicable IC
There are restrictions on chips, etc.

【0004】そこで、この発明の目的は、電極配置や部
品サイズなどの制約を受けることなく配置の自由度を高
くできるとともに、小型化を図ることができる積層型回
路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a stacked circuit module which can be arranged with a high degree of freedom without being restricted by electrode arrangement and component size, and which can be miniaturized, and a method of manufacturing the same. It is in.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の積層型
回路モジュールは、第1の配線の上に形成された第1の
絶縁層と、第1の絶縁層において第1の配線と電気的に
接続された状態で内蔵された第1の表面実装部品と、第
1の絶縁層の上面に形成された第2の配線と、第1の絶
縁層の上に積層された第2の絶縁層と、第2の絶縁層に
おいて第2の配線と電気的に接続された状態で内蔵され
た第2の表面実装部品と、第1の絶縁層において第1と
第2の配線に電気的に接続された状態で内蔵されたフィ
ードスルー電極と、を備えたことを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a laminated circuit module comprising: a first insulating layer formed on a first wiring; First component mounted in a state of being electrically connected, a second wiring formed on an upper surface of the first insulating layer, and a second insulating layer laminated on the first insulating layer Layer, a second surface-mounted component incorporated in the second insulating layer while being electrically connected to the second wiring, and electrically connected to the first and second wirings in the first insulating layer. And a feed-through electrode incorporated in a connected state.

【0006】このような構成を採用することにより、積
層された第1および第2の絶縁層において、配線に電気
的に接続された第1および第2の表面実装部品が内蔵さ
れるとともに、絶縁層において内蔵されたフィードスル
ー電極を通して第1の表面実装部品と第2の表面実装部
品とが電気的に接続される。
By adopting such a configuration, the first and second surface-mounted components electrically connected to the wiring are built in the first and second insulating layers laminated, and The first surface-mounted component and the second surface-mounted component are electrically connected through a feedthrough electrode built in the layer.

【0007】よって、従来の図13に示すベアチップ1
00を直接積層する構造においては、チップ端面に電極
を取り出す構造をチップ上に作り込む必要があり、既存
のICチップには適用が難しく、また、積層するチップ
は同一サイズである必要があり異なるサイズのチップ積
層には適さず、さらに、インターポーザ基板を用いた積
層ではインターポーザ基板の分サイズが大きくなってし
まっていた。これに対し、本発明においては、配線や部
品をビルドアップ構造で配置することで、部品に接続の
ための特別な構造を設けることなく(チップ端面に電極
を取り出す構造をチップ上に作り込む必要はなく)、既
存のICチップに容易に適用でき、また、積層するチッ
プも同一サイズである必要がなく異なるサイズのチップ
を積層配置でき、さらに、インターポーザ基板なしで小
型化を図ることができる。
Accordingly, the conventional bare chip 1 shown in FIG.
In the structure of directly laminating 00, it is necessary to build a structure for taking out electrodes on the chip end face on the chip, it is difficult to apply it to an existing IC chip, and the laminated chips need to be the same size and differ. It is not suitable for stacking chips of a size, and further, in stacking using an interposer substrate, the size is increased by the size of the interposer substrate. On the other hand, in the present invention, by arranging the wiring and the components in the build-up structure, it is necessary to provide a special structure for connecting the components to the component (a structure in which the electrodes are taken out from the chip end face is formed on the chip). ), It can be easily applied to existing IC chips, the chips to be stacked need not be the same size, chips of different sizes can be stacked and arranged, and furthermore, miniaturization can be achieved without an interposer substrate.

【0008】このようにして、電極配置や部品サイズな
どの制約を受けることなく配置の自由度を高くできると
ともに、小型化を図ることができることとなる。ここ
で、請求項4に記載のように、フィードスルー電極は、
上部の方が底部よりも細くなっているものとすると、座
屈しにくい。
In this way, the degree of freedom in arrangement can be increased without being restricted by the arrangement of electrodes and component sizes, and the size can be reduced. Here, as described in claim 4, the feed-through electrode is:
If the top is thinner than the bottom, it is less likely to buckle.

【0009】また、請求項5に記載の積層型回路モジュ
ールの製造方法によれば、上面に第1の配線を形成した
ベース材に対し、第1の配線に電気的に接続された状態
で第1の表面実装部品が実装されるとともに、第1の配
線の上にフィードスルー電極が配置される。そして、ベ
ース材の上に第1の絶縁層が、フィードスルー電極の上
面が露出する状態で積層される。さらに、第1の絶縁層
の上面に、フィードスルー電極に電気的に接続された第
2の配線が形成される。そして、第1の絶縁層の上に、
第2の配線に電気的に接続された状態で第2の表面実装
部品が実装され、第1の絶縁層の上に第2の絶縁層が積
層される。その結果、請求項1に記載の積層型回路モジ
ュールが得られる。
Further, according to the method of manufacturing a laminated circuit module according to the fifth aspect, the base material having the first wiring formed on the upper surface is connected to the first wiring in a state of being electrically connected to the first wiring. One surface mount component is mounted, and a feedthrough electrode is arranged on the first wiring. Then, the first insulating layer is laminated on the base material with the upper surface of the feedthrough electrode exposed. Further, a second wiring electrically connected to the feed-through electrode is formed on the upper surface of the first insulating layer. Then, on the first insulating layer,
The second surface mount component is mounted in a state where it is electrically connected to the second wiring, and the second insulating layer is stacked on the first insulating layer. As a result, the multilayer circuit module according to the first aspect is obtained.

【0010】ここで、請求項6に記載の積層型回路モジ
ュールの製造方法によれば、流動性を有する樹脂が配置
され、型材を用いて流動性樹脂が、フィードスルー電極
の上部と型材が接するまで押圧され、その後、流動性樹
脂が硬化され、型材が剥離される。このようにして、絶
縁層が積層される。
Here, according to the method of manufacturing a laminated circuit module according to the sixth aspect, the resin having fluidity is disposed, and the fluid resin is used to contact the upper portion of the feed-through electrode with the mold using the mold. Until the fluid resin is cured and the mold material is peeled off. Thus, the insulating layers are stacked.

【0011】また、請求項7に記載のように、型材の表
面に離型層を形成すると、離型層を介在させることによ
り型材の剥離を容易に行うことができる。また、請求項
8に記載のように、流動性樹脂として、硬化により体積
収縮するものを用いると、流動性樹脂の硬化の際に体積
収縮により樹脂部分からフィードスルー電極の先端が突
出するように形成される。
Further, when a release layer is formed on the surface of the mold material, the mold material can be easily separated by interposing the release layer. Further, as described in claim 8, when a material that contracts in volume by curing is used as the fluid resin, the tip of the feedthrough electrode projects from the resin portion due to the volume contraction when the fluid resin is cured. It is formed.

【0012】請求項9に記載のように、型材を剥離した
後に、樹脂の表面の灰化処理または樹脂の表面の機械研
磨を行うようにすると、フィードスルー電極の上に残る
樹脂を除去して電気的接続を確実にとることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, after the mold material is peeled off, the surface of the resin is ashed or the surface of the resin is mechanically polished, so that the resin remaining on the feedthrough electrode is removed. Electrical connection can be ensured.

【0013】請求項10に記載のように、型材の表面
に、微細な凹凸を形成すると、フィードスルー電極の表
面に微細な凹凸が転写され、その上に配置される配線と
の密着性が向上する。
When fine irregularities are formed on the surface of the mold material, the fine irregularities are transferred to the surface of the feed-through electrode, and the adhesion to the wiring disposed thereon is improved. I do.

【0014】請求項12に記載のように、型材の表面
に、部品配置空間形成用の凸部を形成すると、型材の凸
部により絶縁層には空間が形成され、この空間に電子部
品を配置することができる。
According to a twelfth aspect of the present invention, when a convex portion for forming a component placement space is formed on the surface of the mold material, a space is formed in the insulating layer by the convex portion of the mold material, and electronic components are arranged in this space. can do.

【0015】請求項13に記載のように、型材の表面
に、絶縁層の厚さを調整するための凸部を形成すると、
型材の凸部により絶縁層の厚さを調整することができ
る。請求項14に記載のように、流動性樹脂としてエポ
キシ系樹脂を用いると、ポリイミド系樹脂を用いた場合
に比べ、揮発成分が少なく、巣(空洞)が発生しにく
い。
According to a thirteenth aspect, when a projection for adjusting the thickness of the insulating layer is formed on the surface of the mold,
The thickness of the insulating layer can be adjusted by the projections of the mold. As described in claim 14, when an epoxy-based resin is used as the fluid resin, a volatile component is reduced and cavities (cavities) are less likely to be generated as compared with a case where a polyimide-based resin is used.

【0016】請求項15に記載のように、表面実装部品
としてベアチップを用いると、部品を薄くでき、絶縁層
も薄くできる。よって、フィードスルー電極を低くで
き、アスペクト比を小さくできる。その結果、電極を小
さくでき、ピッチを狭くできる。
When a bare chip is used as a surface mounting component, the component can be made thinner and the insulating layer can be made thinner. Therefore, the feedthrough electrode can be reduced, and the aspect ratio can be reduced. As a result, the electrodes can be made smaller and the pitch can be made smaller.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、この
発明を具体化した第1の実施の形態を図面に従って説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】図1〜図4は、本実施形態における積層型
回路モジュールの製造工程図である。図4(c)には、
積層型回路モジュールの全体構成を示す。詳しくは、絶
縁層(8,9)を2層だけ積層した状態での回路モジュ
ールの全体構成を示す。
FIG. 1 to FIG. 4 are manufacturing process diagrams of the laminated circuit module in the present embodiment. In FIG. 4C,
1 shows an overall configuration of a laminated circuit module. Specifically, the entire configuration of the circuit module in a state where only two insulating layers (8, 9) are stacked is shown.

【0019】この図4(c)において、配線基板1の上
には第1の配線(導体パターン)2,3が形成され、こ
の配線2,3はスルーホール4,5を通して裏面の電極
端子(導体パターン)6,7と接続されている。この電
極端子6,7は、最終的に完成した回路モジュールを他
の回路と接続するためのものである。また、配線2,3
を含めた配線基板1の上には層間絶縁層(第1の絶縁
層)8が形成され、その上には層間絶縁層(第2の絶縁
層)9が積層されている。絶縁層8の上面には第2の配
線(導体パターン)10,11が形成されている。
In FIG. 4C, first wirings (conductor patterns) 2 and 3 are formed on the wiring board 1, and the wirings 2 and 3 are passed through through holes 4 and 5 to form electrode terminals (rear surfaces) on the rear surface. (Conductor pattern) 6,7. The electrode terminals 6 and 7 are used to connect the finally completed circuit module to another circuit. In addition, wirings 2 and 3
An interlayer insulating layer (first insulating layer) 8 is formed on the wiring board 1 including the above, and an interlayer insulating layer (second insulating layer) 9 is laminated thereon. Second wirings (conductor patterns) 10 and 11 are formed on the upper surface of the insulating layer 8.

【0020】絶縁層8において第1の表面実装部品とし
てのベアチップ12が内蔵されている。ベアチップ12
の下面にはバンプ電極13,14が形成され、ベアチッ
プ12の下に配置した樹脂15によりバンプ電極13,
14が配線2,3と接触している。このようにベアチッ
プ12が配線2,3と電気的に接続された状態で絶縁層
8に内蔵されている。
The insulating layer 8 has a built-in bare chip 12 as a first surface mount component. Bare chip 12
The bump electrodes 13 and 14 are formed on the lower surface of the substrate, and the bump electrodes 13 and 14 are formed by a resin 15 disposed below the bare chip 12.
14 is in contact with the wirings 2 and 3. As described above, the bare chip 12 is incorporated in the insulating layer 8 in a state of being electrically connected to the wirings 2 and 3.

【0021】同様に、絶縁層9には第2の表面実装部品
としてのベアチップ16が内蔵されている。ベアチップ
16の下面にはバンプ電極17,18が形成され、ベア
チップ16の下に配置した樹脂19によりバンプ電極1
7,18が配線10,11と接触している。このように
ベアチップ16が配線10,11と電気的に接続された
状態で絶縁層9に内蔵されている。
Similarly, the insulating layer 9 has a built-in bare chip 16 as a second surface mount component. Bump electrodes 17 and 18 are formed on the lower surface of the bare chip 16, and the bump electrode 1 is formed by a resin 19 disposed under the bare chip 16.
7 and 18 are in contact with the wirings 10 and 11. Thus, the bare chip 16 is incorporated in the insulating layer 9 in a state of being electrically connected to the wirings 10 and 11.

【0022】また、絶縁層8の内部において配線2の上
にはスタッドバンプ20a,20bが積み上げられ、ス
タッドバンプ20bは配線10と接触している。このス
タッドバンプ20a,20bによりフィードスルー電極
21が構成され、フィードスルー電極21は配線2と配
線10に電気的に接続された状態で絶縁層8に内蔵さた
構造となっている。同様に、絶縁層8の内部において配
線3の上にはスタッドバンプ22a,22bが積み上げ
られ、スタッドバンプ22bは配線11と接触してい
る。このスタッドバンプ22a,22bによりフィード
スルー電極23が構成され、フィードスルー電極23は
配線3と配線11に電気的に接続された状態で絶縁層8
に内蔵された構造となっている。このフィードスルー電
極21,23および配線2,3,10,11を通してベ
アチップ12,16間が電気的に接続されている。
Further, stud bumps 20 a and 20 b are stacked on the wiring 2 inside the insulating layer 8, and the stud bump 20 b is in contact with the wiring 10. The stud bumps 20a and 20b form a feed-through electrode 21, and the feed-through electrode 21 has a structure in which the feed-through electrode 21 is electrically connected to the wiring 2 and the wiring 10 and is embedded in the insulating layer 8. Similarly, stud bumps 22 a and 22 b are stacked on the wiring 3 inside the insulating layer 8, and the stud bump 22 b is in contact with the wiring 11. The stud bumps 22a and 22b form a feed-through electrode 23, and the feed-through electrode 23 is electrically connected to the wiring 3 and the wiring 11 while the insulating layer 8 is formed.
It has a built-in structure. The bare chips 12 and 16 are electrically connected through the feedthrough electrodes 21 and 23 and the wirings 2, 3, 10 and 11.

【0023】一方、絶縁層9の内部において配線10の
上にはスタッドバンプ24a,24bが積み上げられ、
また、配線11の上にはスタッドバンプ26a,26b
が積み上げられている。スタッドバンプ24a,24b
および26a,26bによりフィードスルー電極25お
よび27が構成されている。
On the other hand, stud bumps 24a and 24b are stacked on the wiring 10 inside the insulating layer 9,
On the wiring 11, stud bumps 26a, 26b
Are piled up. Stud bumps 24a, 24b
And 26a, 26b constitute feed-through electrodes 25 and 27.

【0024】また、フィードスルー電極21,23,2
5,27はベアチップ12,16の近傍に位置してい
る。なお、配線基板1はモジュールのベース材として機
能するが、図4(c)に示す積層型回路モジュールに対
し配線基板1が無い態様にて実施してもよい。
The feedthrough electrodes 21, 23, 2
5 and 27 are located near the bare chips 12 and 16. Although the wiring board 1 functions as a base material of the module, the wiring board 1 may be implemented without the wiring board 1 with respect to the multilayer circuit module shown in FIG.

【0025】次に、このように構成した積層型回路モジ
ュールの製造方法を説明する。まず、図1(a)に示す
ように、ベース材としての配線基板1を用意する。この
配線基板1にはスルーホール4,5が形成されるととも
に、基板1の表面(上面)には配線2,3が、裏面(下
面)には電極端子6,7が形成されている。
Next, a description will be given of a method of manufacturing the laminated circuit module configured as described above. First, as shown in FIG. 1A, a wiring board 1 as a base material is prepared. Through holes 4 and 5 are formed in the wiring board 1, wirings 2 and 3 are formed on the surface (upper surface) of the substrate 1, and electrode terminals 6 and 7 are formed on the back surface (lower surface).

【0026】そして、図1(b)及び(c)に示すよう
に、バンプ電極13,14を有するベアチップ12を用
意し、配線2,3の上にバンプ電極13,14が位置す
る状態でベアチップ12をフェースダウンでFC実装す
る。実装方法としては、熱硬化性エポキシ系樹脂に導電
性フィラーを多数混入させた異方導伝ペースト(AC
P)30を用いる。つまり、図1(b)に示すように、
配線基板1の所定の位置に異方導伝ペースト30を適量
塗布し、図1(c)に示すように、ベアチップ12をフ
ェースダウンで設置する。さらに、チップ裏面から1バ
ンプあたり数十グラムで加圧するとともに、150℃〜
180℃で数十秒の硬化処理を行う。
Then, as shown in FIGS. 1B and 1C, a bare chip 12 having bump electrodes 13 and 14 is prepared, and the bare chip is placed in a state where the bump electrodes 13 and 14 are positioned on the wirings 2 and 3. 12 is mounted face down with FC. As a mounting method, an anisotropic conductive paste (AC) in which a large number of conductive fillers are mixed in a thermosetting epoxy resin.
P) 30 is used. That is, as shown in FIG.
An appropriate amount of the anisotropic conductive paste 30 is applied to a predetermined position of the wiring board 1, and the bare chip 12 is placed face down as shown in FIG. Furthermore, while applying a pressure of several tens of grams per bump from the back surface of the chip,
A curing treatment is performed at 180 ° C. for several tens of seconds.

【0027】引き続き、図1(d)に示すように、配線
基板1の上面における配線2,3の上に、スタッドバン
プ20a,20bおよび22a,22bを縦方向に重な
るように配置する。このようにして、フィードスルー電
極21,22となる高アスペクト比の電極(20a,2
0b,22a,22b)が配置される。
Subsequently, as shown in FIG. 1D, the stud bumps 20a, 20b and 22a, 22b are arranged on the wirings 2, 3 on the upper surface of the wiring board 1 so as to vertically overlap. In this manner, the high aspect ratio electrodes (20a, 2a) to be the feedthrough electrodes 21, 22 are formed.
0b, 22a, 22b).

【0028】図1(d)ではスタッドバンプを2個重ね
て配置する場合を示したがその個数は任意である。つま
り、フィードスルー電極21,23(重ねたスタッドバ
ンプ20a,20bおよび22a,22b)の高さh
は、バンプ電極13,14を含むベアチップ12の厚さ
t1に50μm程度を加えた値とする。具体的には、ベ
アチップ12のバンプ電極13,14の厚みを30μ
m、チップ12の厚みを100μmとした場合には、フ
ィードスルー電極21,23の高さhは180μmとな
る。また、小型化のためには、このフィードスルー電極
21,23は、ベアチップ12に可能な限り近づけて設
置することが望ましい。
FIG. 1D shows a case where two stud bumps are arranged in an overlapping manner, but the number is arbitrary. That is, the height h of the feed-through electrodes 21 and 23 (the stacked stud bumps 20a and 20b and 22a and 22b)
Is a value obtained by adding about 50 μm to the thickness t1 of the bare chip 12 including the bump electrodes 13 and 14. Specifically, the thickness of the bump electrodes 13 and 14 of the bare chip 12 is set to 30 μm.
m and the thickness of the chip 12 is 100 μm, the height h of the feedthrough electrodes 21 and 23 is 180 μm. In order to reduce the size, it is desirable that the feed-through electrodes 21 and 23 be installed as close to the bare chip 12 as possible.

【0029】なお、バンプ電極13,14を含むベアチ
ップ12の厚みt1が、例えば50μm程度以下であれ
ば通常のスタッドバンプ(1個のスタッドバンプ)をフ
ィードスルー電極として用いる。
If the thickness t1 of the bare chip 12 including the bump electrodes 13 and 14 is, for example, about 50 μm or less, a normal stud bump (one stud bump) is used as a feed-through electrode.

【0030】このようにして、配線基板1に対し、配線
2,3に電気的に接続された状態でベアチップ12を実
装するとともに、配線2,3の上にフィードスルー電極
21,23を配置する。なお、FC実装とフィードスル
ー電極の形成工程は順序を逆にしてもよい。つまり、フ
ィードスルー電極21,23を形成した後に、ベアチッ
プ12を実装してもよい。
In this way, the bare chip 12 is mounted on the wiring board 1 while being electrically connected to the wirings 2 and 3, and the feed-through electrodes 21 and 23 are arranged on the wirings 2 and 3. . The order of the FC mounting and the step of forming the feed-through electrode may be reversed. That is, after forming the feed-through electrodes 21 and 23, the bare chip 12 may be mounted.

【0031】引き続き、図2(a)に示すように、配線
基板1の上面、つまり、FC実装とフィードスルー電極
21,23の形成を行った面に、エポキシ樹脂系のプレ
ポリマー(硬化前の流動性の高い状態の樹脂)31を塗
布する。そして、図2(b)に示すように、このプレポ
リマー31を平坦化し、図2(c)に示すように、硬化
させることで、図3(a)に示すように、層間絶縁層8
を形成する。本実施形態においては、エポキシ樹脂系の
プレポリマー31を、流動性を有する樹脂(流動性樹
脂)であって、かつ、硬化により体積収縮する材料とし
て用いている。
Subsequently, as shown in FIG. 2A, the upper surface of the wiring substrate 1, that is, the surface on which the FC mounting and the formation of the feed-through electrodes 21 and 23 are performed, is coated with an epoxy resin-based prepolymer (before curing). A resin 31 in a state of high fluidity is applied. Then, as shown in FIG. 2 (b), the prepolymer 31 is flattened and cured as shown in FIG. 2 (c), thereby forming the interlayer insulating layer 8 as shown in FIG. 3 (a).
To form In the present embodiment, the epoxy resin-based prepolymer 31 is used as a material having fluidity (fluid resin) and contracting in volume upon curing.

【0032】このプレポリマー31の平坦化工程と硬化
工程を詳しく説明すると、図2(b)に示すように、型
材として、表面が平坦なガラス基板32を用意する。こ
のガラス基板32の表面には、シリコーン系もしくはテ
フロン系の離型層33が形成されている。そして、プレ
ポリマー31を塗布した基板1の上面に対し押圧用ガラ
ス基板32の離型層33を対向させて設置し、ガラス基
板32を下方に移動させてプレポリマー31を押圧す
る。押圧は、ガラス基板32の離型層33がフィードス
ルー電極21,23の上部に接し、さらにフィードスル
ー電極21,23の上部が直径数十〜100μm程度
(図中のW値)に潰れ変形するまで行う。このプレポリ
マー31とフィードスルー電極21,23の押圧の際
に、フィードスルー電極21,23が座屈することを避
けるため垂直方向にのみ力が加わるようにすることが望
ましい。
The step of flattening and curing the prepolymer 31 will be described in detail. As shown in FIG. 2B, a glass substrate 32 having a flat surface is prepared as a mold material. A silicone-based or Teflon-based release layer 33 is formed on the surface of the glass substrate 32. Then, the release layer 33 of the pressing glass substrate 32 is placed so as to face the upper surface of the substrate 1 on which the prepolymer 31 is applied, and the prepolymer 31 is pressed by moving the glass substrate 32 downward. In the pressing, the release layer 33 of the glass substrate 32 comes into contact with the upper portions of the feed-through electrodes 21 and 23, and the upper portions of the feed-through electrodes 21 and 23 are crushed and deformed to several tens to 100 μm in diameter (W value in the drawing). Do until. When the prepolymer 31 and the feed-through electrodes 21 and 23 are pressed, it is desirable to apply a force only in the vertical direction to avoid buckling of the feed-through electrodes 21 and 23.

【0033】これにより、硬化前の流動性を有する樹脂
(プレポリマー)31でベアチップ12とフィードスル
ー電極21,23が埋め込まれるとともに、その表面が
平坦化される。
As a result, the bare chip 12 and the feed-through electrodes 21 and 23 are buried with the resin (prepolymer) 31 having fluidity before curing, and the surface thereof is flattened.

【0034】その後、図2(c)に示すように、押圧し
たまま加熱することでプレポリマー31を硬化させ、層
間絶縁層8を形成する。硬化条件は、例えば、150℃
〜180℃、60秒程度である。この硬化において、樹
脂の体積収縮によりフィードスルー電極21,23の先
端が樹脂層8から突出する。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the prepolymer 31 is cured by heating while being pressed, and the interlayer insulating layer 8 is formed. Curing conditions are, for example, 150 ° C.
180 ° C. for about 60 seconds. In this curing, the tips of the feed-through electrodes 21 and 23 project from the resin layer 8 due to the volume shrinkage of the resin.

【0035】さらに、押圧用ガラス基板32を層間絶縁
層8の表面から剥離する。その結果、図3(a)に示す
ようになる。剥離は、ガラス基板32と層間絶縁層8の
間に離型層33が介在されているため極わずかな外力を
加えるだけで簡単(容易)に行うことができる。剥離後
の層間絶縁層8の表面は、ガラス基板32の表面と同程
度の平坦性が得られる。また、フィードスルー電極2
1,23の上部では、フィードスルー電極21,23と
ガラス基板32に挟まれてエポキシ樹脂はほぼ完全に排
除され、フィードスルー電極21,23が露出してい
る。
Further, the pressing glass substrate 32 is peeled off from the surface of the interlayer insulating layer 8. As a result, the result is as shown in FIG. Since the release layer 33 is interposed between the glass substrate 32 and the interlayer insulating layer 8, the peeling can be easily (easily) performed by applying a very small external force. The surface of the interlayer insulating layer 8 after peeling has the same level of flatness as the surface of the glass substrate 32. Also, feed-through electrode 2
In the upper portions of the first and second electrodes 23 and 23, the epoxy resin is almost completely removed between the feed through electrodes 21 and 23 and the glass substrate 32, and the feed through electrodes 21 and 23 are exposed.

【0036】このようにして、配線基板1の上に絶縁層
8が、フィードスルー電極21,23の上面が露出する
状態で積層される。次に、フィードスルー電極21,2
3とこの後に形成する図3(c)に示す2層目の配線1
0,11の電気的接続を確実(完全)に行うために、フ
ィードスルー電極21,23の上部に残るわずかなエポ
キシ樹脂を除去する。具体的には、層間絶縁層8の表面
全体を酸素プラズマで灰化処理する。
In this way, the insulating layer 8 is laminated on the wiring board 1 with the upper surfaces of the feed-through electrodes 21 and 23 exposed. Next, the feedthrough electrodes 21 and
3 and a second-layer wiring 1 to be formed thereafter as shown in FIG.
To ensure (completely) electrically connect 0 and 11, a small amount of epoxy resin remaining on the feed-through electrodes 21 and 23 is removed. Specifically, the entire surface of the interlayer insulating layer 8 is ashed with oxygen plasma.

【0037】なお、この樹脂の表面の灰化処理の代わり
に、硬化したエポキシ樹脂の表面を機械研磨して、フィ
ードスルー電極21,23の上に残る樹脂を確実に除去
するようにしてもよい。この場合にも、プレポリマー3
1の材料として、前述したように硬化の際の体積収縮が
比較的大きな材料を選ぶことで、フィードスルー電極2
1,23の先端部分を樹脂部分(層間絶縁層8)の表面
から突出させやすく、その他の部分に比べ僅かに飛び出
しているフィードスルー電極21,23の上端部を平坦
な研磨台で研磨すれば、フィードスルー電極21,23
の上部に残留したエポキシ樹脂を選択的に除去できる。
Instead of the ashing treatment of the surface of the resin, the surface of the cured epoxy resin may be mechanically polished to surely remove the resin remaining on the feed-through electrodes 21 and 23. . Also in this case, prepolymer 3
By selecting a material having a relatively large volume shrinkage upon curing as described above, the feed-through electrode 2
The top ends of the feedthrough electrodes 21 and 23, which are easy to protrude from the surface of the resin portion (the interlayer insulating layer 8) and slightly project from the other portions, can be polished with a flat polishing table. , Feed-through electrodes 21 and 23
The epoxy resin remaining on the upper portion can be selectively removed.

【0038】そして、図3(b)に示すように、絶縁層
8の上に配線材料34を蒸着にて全面に形成し、図3
(c)に示すように、エッチングプロセスでパターニン
グする。プロセス温度はエポキシの耐熱を考慮して25
0℃程度を上限とする。これにより、絶縁層8の上面
に、フィードスルー電極21,23に電気的に接続され
た2層目の配線10,11が形成される。
Then, as shown in FIG. 3B, a wiring material 34 is formed on the entire surface of the insulating layer 8 by vapor deposition.
As shown in (c), patterning is performed by an etching process. The process temperature is 25 considering the heat resistance of the epoxy.
The upper limit is about 0 ° C. Thereby, the second-layer wirings 10 and 11 electrically connected to the feed-through electrodes 21 and 23 are formed on the upper surface of the insulating layer 8.

【0039】その後、図4(a)に示すように、1層目
と同様にベアチップ16をFC実装する。つまり、絶縁
層8の上に、配線10,11に電気的に接続された状態
でベアチップ16を実装する。
Thereafter, as shown in FIG. 4A, the bare chip 16 is mounted by FC in the same manner as in the first layer. That is, the bare chip 16 is mounted on the insulating layer 8 while being electrically connected to the wirings 10 and 11.

【0040】その後、図4(b)に示すように、同様の
方法でフィードスルー電極25,27を形成し、図4
(c)に示すように、エポキシ樹脂で埋め込み、絶縁層
8の上に絶縁層9を積層する。この図4(a)〜(c)
に示すチップ実装・電極形成・樹脂の埋め工程を繰り返
して回路モジュールを完成する。図4(c)の状態で
は、積層された絶縁層8,9において、配線2,3,1
0,11に電気的に接続されたベアチップ12,16が
内蔵されるとともに、絶縁層8において内蔵されたフィ
ードスルー電極21,23を通してベアチップ12と1
6とが電気的に接続されている。
Thereafter, as shown in FIG. 4B, feed-through electrodes 25 and 27 are formed in the same manner, and as shown in FIG.
As shown in (c), the insulating layer 9 is laminated on the insulating layer 8 by embedding with an epoxy resin. 4A to 4C.
The circuit module is completed by repeating the steps of chip mounting, electrode formation and resin filling shown in (1). In the state of FIG. 4 (c), the wirings 2, 3, 1
Bare chips 12 and 16 electrically connected to 0 and 11 are built in, and bare chips 12 and 1 are passed through feed-through electrodes 21 and 23 built in insulating layer 8.
6 are electrically connected.

【0041】ここで、流動性樹脂(プレポリマー31)
としてエポキシ系樹脂を用いたので、ポリイミド系樹脂
を用いた場合に比べ、揮発成分が少なく、巣(空洞)が
発生しにくい。また、表面実装部品としてベアチップ1
2,16を用いているので、表面実装部品を薄くでき、
絶縁層8,9も薄くできる。よって、フィードスルー電
極21,23,25,27を低くでき、アスペクト比を
小さくできる。その結果、電極21,23,25,27
を小さくでき、ピッチを狭くできる。
Here, the fluid resin (prepolymer 31)
Since the epoxy resin is used, the volatile component is small and cavities (cavities) are less likely to occur as compared with the case where a polyimide resin is used. In addition, bare chip 1 as a surface mount component
Since 2,16 are used, the surface mount components can be made thinner,
The insulating layers 8 and 9 can also be made thin. Therefore, the feedthrough electrodes 21, 23, 25, and 27 can be reduced, and the aspect ratio can be reduced. As a result, the electrodes 21, 23, 25, 27
And the pitch can be narrowed.

【0042】また、上記の作製方法で積層構造を形成す
ることで、インターポーザ基板を用いずにチップ間の配
線を自由にレイアウトすることができる。また、本方法
で形成した場合、一層あたりの層厚をベアチップの厚さ
に数十μm程度を加えた厚さにできるためインターポー
ザ基板を用いた場合よりはるかに厚み方向のサイズを縮
小できる。また、チップの実装は従来から用いられてい
るFC実装を用いるためチップ自体に特殊な構造を設け
る必要がなく通常のベアチップがそのまま使用できる。
Further, by forming a laminated structure by the above-described manufacturing method, it is possible to freely lay out wiring between chips without using an interposer substrate. Further, when formed by this method, the layer thickness per layer can be increased by adding several tens of μm to the thickness of the bare chip, so that the size in the thickness direction can be reduced much more than when an interposer substrate is used. In addition, since the chip is mounted by using the conventional FC mounting, it is not necessary to provide a special structure on the chip itself, and a normal bare chip can be used as it is.

【0043】さらに、本製造方法では、図3(a)に示
すごとく、絶縁層8が形成されると同時にフィードスル
ー電極21,23が絶縁層8の表面に取り出せるため製
造工程も簡素化できる。
Further, in the present manufacturing method, as shown in FIG. 3A, since the insulating layer 8 is formed and at the same time the feedthrough electrodes 21 and 23 can be taken out from the surface of the insulating layer 8, the manufacturing process can be simplified.

【0044】このように、本実施の形態は下記の特徴を
有する。 (イ)配線やベアチップをビルドアップ構造で配置する
ことで、電極配置や部品サイズなどの制約を受けること
なく配置の自由度を高くできるとともに、小型化を図る
ことができる。つまり、図13の構造においては、チッ
プ端面に電極を取り出す構造をチップ上に作り込む必要
があり、既存のICチップには適用が難しく、また、積
層するチップは同一サイズである必要があり異なるサイ
ズのチップ積層には適さず、さらに、インターポーザ基
板を用いた積層ではインターポーザ基板の分サイズが大
きくなってしまっていた。これに対し、本実施形態にお
いては、ベアチップに接続のための特別な構造を設ける
ことなく(チップ端面に電極を取り出す構造をチップ上
に作り込む必要はなく)、既存のICチップに容易に適
用でき、また、積層するチップ12,16も同一サイズ
である必要がなく異なるサイズのチップを積層配置で
き、さらに、インターポーザ基板なしで小型化を図るこ
とができる。 (第2の実施の形態)次に、第2の実施の形態を、第1
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図5〜図7
には、本実施形態における積層型回路モジュールの製造
工程図を示す。
As described above, this embodiment has the following features. (A) By arranging the wiring and the bare chip in a build-up structure, the degree of freedom of the arrangement can be increased without being restricted by the electrode arrangement and the component size, and the size can be reduced. In other words, in the structure shown in FIG. 13, it is necessary to form a structure for taking out electrodes on the chip end face on the chip, it is difficult to apply the structure to an existing IC chip, and the stacked chips need to be the same size and differ. It is not suitable for stacking chips of a size, and further, in stacking using an interposer substrate, the size is increased by the size of the interposer substrate. On the other hand, in the present embodiment, the present invention can be easily applied to an existing IC chip without providing a special structure for connection to the bare chip (there is no need to build a structure for taking out electrodes on the chip end surface on the chip). Also, the chips 12 and 16 to be stacked need not be the same size, and chips of different sizes can be stacked and arranged, and further, miniaturization can be achieved without an interposer substrate. (Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described with reference to the first embodiment.
The following description focuses on the differences from this embodiment. 5 to 7
1 shows a manufacturing process diagram of the multilayer circuit module in the present embodiment.

【0045】第1の実施形態では、フィードスルー電極
にスタッドバンプ20a,20b、22a,22b、2
4a,24b、26a,26bを用いるとともに、配線
形成のために蒸着とエッチングを用いた。これに対し、
本実施形態では、JPS(Jet Printing System )を用
いている。JPSは、超微粒子を数十μm〜100μm
程度の微細なノズルから高速で基板の所定の位置に吹き
付けて描画する方法である。このように、本実施形態で
は、フィードスルー電極として、図7(c)に示すよう
に、JPS電極40,41,42,43を用いている。
フィードスルー電極40〜43の形状は、上部の方が底
部よりも細くなっており、座屈しにくい構造になってい
る。また、JPSを用いてフィードスルー電極40〜4
3の他にもバンプ44,45,46,47および配線4
8,49,50,51が一括して形成される。
In the first embodiment, the stud bumps 20a, 20b, 22a, 22b, 2
4a, 24b, 26a, and 26b were used, and vapor deposition and etching were used for wiring formation. In contrast,
In the present embodiment, JPS (Jet Printing System) is used. JPS is capable of forming ultrafine particles of several tens μm to 100 μm
This is a method of drawing by spraying a predetermined minute position of a substrate from a fine nozzle at a high speed. As described above, in the present embodiment, the JPS electrodes 40, 41, 42, and 43 are used as the feed-through electrodes as shown in FIG.
The shape of the feed-through electrodes 40 to 43 is thinner at the top than at the bottom, and has a structure that is less likely to buckle. In addition, the feedthrough electrodes 40 to 4 are formed by using JPS.
3 and bumps 44, 45, 46, 47 and wiring 4
8, 49, 50 and 51 are collectively formed.

【0046】JPSによるフィードスルー電極、配線、
バンプの一括形成は図5の要領で行われる。まず、図5
(a)に示すように、配線2,3および電極端子6,7
を有する配線基板1を用意する。そして、図5(b)に
示すように、配線基板1をJPS装置内のXYステージ
55に固定し、100〜250℃に加熱する。これは、
形成した電極の密着性を向上させるためである。JPS
装置の超微粒子生成室(図示略)で形成したAu超微粒
子56は、XYステージ55の直上、配線基板1から5
00μm程度離れた直径100μmのノズル57から配
線基板1に高速で噴射される。配線基板1に高速で衝突
した超微粒子56は配線基板1に堆積し、Au薄膜を形
成する。
The feed-through electrode, wiring,
Batch formation of bumps is performed as shown in FIG. First, FIG.
As shown in (a), wirings 2, 3 and electrode terminals 6, 7
Is prepared. Then, as shown in FIG. 5B, the wiring substrate 1 is fixed to the XY stage 55 in the JPS device, and is heated to 100 to 250 ° C. this is,
This is for improving the adhesion of the formed electrode. JPS
The Au ultra-fine particles 56 formed in the ultra-fine particle generation chamber (not shown) of the apparatus are directly above the XY stage 55,
It is jetted at high speed from the nozzle 57 having a diameter of 100 μm which is separated by about 00 μm to the wiring board 1. The ultrafine particles 56 that have collided with the wiring substrate 1 at high speed are deposited on the wiring substrate 1 to form an Au thin film.

【0047】このとき、超微粒子56の噴射と同時にX
Yステージ55を移動することで、任意の配線パターン
を形成することができる。また、配線48,49上の任
意の位置にフィードスルー電極40,41やバンプ4
4,45を形成する。この形成は超微粒子56を噴射し
たままXYステージ55を停止することで行う。つま
り、超微粒子56を配線基板1に対して垂直に立つよう
に成膜することによりフィードスルー電極40,41や
バンプ44,45を形成することができる。これらの電
極部の高さは、XYステージ55の停止時間で調整す
る。
At this time, X is injected simultaneously with the injection of the ultrafine particles 56.
By moving the Y stage 55, an arbitrary wiring pattern can be formed. In addition, the feedthrough electrodes 40 and 41 and the bumps 4 are provided at arbitrary positions on the wirings 48 and 49.
4, 45 are formed. This formation is performed by stopping the XY stage 55 with the ultrafine particles 56 being jetted. That is, the feed-through electrodes 40 and 41 and the bumps 44 and 45 can be formed by forming the ultrafine particles 56 so as to stand perpendicular to the wiring substrate 1. The height of these electrode portions is adjusted by the stop time of the XY stage 55.

【0048】このような形成方法で、図5(c)に示す
ように、高さ400μm程度のフィードスルー電極4
0,41を200μm以下の狭ピッチで形成可能であ
る。この後は、第1の実施形態と同様にFC実装とエポ
キシ樹脂による埋め込みを行い回路モジュールを完成す
る。つまり、図6(a)に示すように、ベアチップ12
を搭載し、図6(b)に示すように、プレポリマー31
を配置して基板32で押さえ、さらに、硬化処理する。
そして、図6(c)に示すように、型材である基板32
を取り外し、図7(a)に示すように、JPSによりフ
ィードスルー電極42,43、配線50,51およびバ
ンプ46,47を形成する。その後、図7(b)に示す
ように、ベアチップ16を搭載し、図7(c)に示すよ
うに、層間絶縁層9を配置して基板で押さえ、さらに、
硬化処理する。以後は同じようにする。
With such a forming method, as shown in FIG. 5C, the feedthrough electrode 4 having a height of about 400 μm is formed.
0, 41 can be formed at a narrow pitch of 200 μm or less. Thereafter, similarly to the first embodiment, FC mounting and embedding with epoxy resin are performed to complete a circuit module. That is, as shown in FIG.
And a prepolymer 31 as shown in FIG.
Are arranged, pressed by the substrate 32, and further subjected to a curing process.
Then, as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 7A, feed-through electrodes 42 and 43, wirings 50 and 51, and bumps 46 and 47 are formed by the JPS. Thereafter, as shown in FIG. 7 (b), the bare chip 16 is mounted, and as shown in FIG. 7 (c), the interlayer insulating layer 9 is arranged and pressed by the substrate.
Harden. Thereafter, the same operation is performed.

【0049】以上、第1の実施形態ではフィードスルー
電極としてスタッドバンプ20a,20b、22a,2
2b、24a,24b、26a,26bを縦積みした
が、この場合フィードスルー電極の高さhを任意に設定
することが難しかった。これに対し、本実施形態ではJ
PSの使用により簡単に任意の高さのフィードスルー電
極40〜43が得られ作製条件の自由度が上がる。
As described above, in the first embodiment, the stud bumps 20a, 20b, 22a, 2
2b, 24a, 24b, 26a, 26b were stacked vertically, but in this case, it was difficult to arbitrarily set the height h of the feed-through electrode. In contrast, in the present embodiment, J
By using PS, feed-through electrodes 40 to 43 having an arbitrary height can be easily obtained, and the degree of freedom of manufacturing conditions is increased.

【0050】また、JPSを用いることで第1の実施形
態では必要であった配線(パターン)10,11を形成
する際のマスクプロセスが省略可能となる。また、ベア
チップ12,16のFC実装で必要なバンプも基板1側
に配線形成と一括で形成できるためのチップ側の作製プ
ロセスからバンプ形成工程を省略できる。
The use of the JPS makes it possible to omit the mask process for forming the wirings (patterns) 10 and 11 required in the first embodiment. In addition, the bump forming step can be omitted from the chip-side manufacturing process because the bumps required for FC mounting of the bare chips 12 and 16 can be formed simultaneously with the wiring formation on the substrate 1 side.

【0051】さらに、配線やフィードスルー電極を直描
することでホト工程やエッチング工程を廃止することが
可能となり、作製プロセスの大幅な簡素化と試作工数の
低減を図ることも可能である。
Further, by directly drawing the wiring and the feed-through electrode, the photo step and the etching step can be eliminated, and the manufacturing process can be greatly simplified and the number of trial manufacturing steps can be reduced.

【0052】本例の応用例として、フィードスルー電極
の配置をJPSの代わりに、印刷法により行ってもよ
い。 (第3の実施の形態)次に、第3の実施の形態を、第2
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図8には、
本実施形態における積層型回路モジュールの製造工程図
を示す。
As an application example of this embodiment, the feed-through electrodes may be arranged by a printing method instead of JPS. (Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described with reference to a second embodiment.
The following description focuses on the differences from this embodiment. In FIG.
FIG. 4 shows a manufacturing process diagram of the laminated circuit module in the present embodiment.

【0053】本実施形態では、プレポリマー押圧の際に
用いる押圧用基板60の表面を粗面化している。これ
は、エポキシ層の上に形成する2層目以降の配線材料の
密着性の向上を目的とし行うものである。
In this embodiment, the surface of the pressing substrate 60 used for pressing the prepolymer is roughened. This is for the purpose of improving the adhesiveness of the wiring material of the second and subsequent layers formed on the epoxy layer.

【0054】図8(a)に示すように、型材としての押
圧用基板60の表面を粗面化して微細な凹凸60aを形
成する。その後、離型層61を形成する。この基板でプ
レポリマー31を押圧し、さらに、プレポリマー31を
硬化させる。そして、図8(b)に示すように、押圧用
基板60を剥離する。すると、フィードスルー電極4
0,41および層間絶縁層8の表面には押圧用基板60
に形成した凹凸60aと同様の凹凸が転写(形成)され
る。
As shown in FIG. 8A, the surface of the pressing substrate 60 as a mold material is roughened to form fine irregularities 60a. After that, a release layer 61 is formed. The prepolymer 31 is pressed by the substrate, and the prepolymer 31 is further cured. Then, as shown in FIG. 8B, the pressing substrate 60 is peeled off. Then, the feedthrough electrode 4
0, 41 and the surface of the interlayer insulating layer 8
The unevenness similar to the unevenness 60a formed in the above is transferred (formed).

【0055】なお、密着性向上を目的とした表面の粗面
化は、第1の実施形態で行っている酸素プラズマによる
エポキシ層表面の灰化処理や機械研磨でも代用できる
が、本実施形態に示す方法を用いることでより簡単に再
現性よく表面の粗面化が達成できる。
The surface roughening for the purpose of improving the adhesion can be performed by ashing or mechanical polishing of the surface of the epoxy layer by the oxygen plasma performed in the first embodiment. By using the method shown, surface roughening can be achieved more easily and with good reproducibility.

【0056】押圧用基板60の表面の粗面化の方法は、
この他にも、例えば押圧用基板60がガラス基板の場
合、CF4 を使ったドライエッチングやガラス基板
上にポリシリコン膜を形成し熱処理でポリシリコンを粒
成長させて凹凸を形成してもよい。また、サンドブラス
トのような方法で機械的に凹凸を形成する方法もある。 (第4の実施の形態)次に、第4の実施の形態を、第2
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図9〜図1
1には、本実施形態における積層型回路モジュールの製
造工程図を示す。
The method of roughening the surface of the pressing substrate 60 is as follows.
In addition, for example, when the pressing substrate 60 is a glass substrate, irregularities may be formed by dry etching using CF4 or forming a polysilicon film on the glass substrate and growing the polysilicon by grain growth by heat treatment. There is also a method of mechanically forming unevenness by a method such as sandblasting. (Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment will be described with reference to a second embodiment.
The following description focuses on the differences from this embodiment. 9 to 1
FIG. 1 shows a manufacturing process diagram of the multilayer circuit module in the present embodiment.

【0057】実際に回路を構成する際には、ベアチップ
の他にバイパスコンデンサや平滑化コンデンサの目的で
キャパシタ等のデスクリート部品(機能部品)を実装す
る必要が生じる場合が多い。ベアチップが裏面を研磨す
ることで数十μm程度までの任意の厚さに薄くできるの
に対してデスクリート部品はmmオーダの特定の厚みを
持つ。ベアチップとチップコンデンサのような厚さの異
なる部品を同一面上に配置するために絶縁層の厚みをデ
スクリート部品の厚みに合わせたのでは小型化の障害に
なる。また、フィードスルー電極もデスクリート部品よ
りも高いものが必要になり、その形成が著しく難しくな
る。
When actually configuring a circuit, it is often necessary to mount discrete components (functional components) such as capacitors for the purpose of bypass capacitors and smoothing capacitors in addition to bare chips. While the bare chip can be thinned to an arbitrary thickness of about several tens of μm by polishing the back surface, the discrete component has a specific thickness on the order of mm. If components having different thicknesses, such as a bare chip and a chip capacitor, are arranged on the same surface and the thickness of the insulating layer is adjusted to the thickness of the discrete component, it will be an obstacle to miniaturization. Also, the feedthrough electrode needs to be higher than the discrete component, and its formation is extremely difficult.

【0058】そこで、異なる高さの部品を混載する場合
には、以下のようにする。まず、図9(a)に示すよう
に、配線2,3,70が形成された基板1に対し、図9
(b)に示すようにフィードスルー電極40,41、バ
ンプ44,45および配線48,49を形成し、図9
(c)に示すように、ベアチップ12を搭載する。その
後、図10(a)に示すように、押圧用基板71の所定
の位置(デスクリート部品搭載位置)に押圧後のエポキ
シ層の厚さ相当の凸部72を設けておく。このようにす
ることで、図11(a)に示すように、層間絶縁層8に
デスクリート部品を埋め込むための凹部73が簡単に形
成できる。引き続き、図11(b)に示すように、この
凹部73に配線形成を行いデスクリート部品74を異方
導伝ペースト(ACP)による樹脂75で実装する。
Therefore, when components of different heights are mixed, the following is performed. First, as shown in FIG. 9A, the substrate 1 on which the wirings 2, 3, 70 are formed is
As shown in FIG. 9B, feed-through electrodes 40 and 41, bumps 44 and 45, and wirings 48 and 49 are formed.
As shown in (c), the bare chip 12 is mounted. Thereafter, as shown in FIG. 10A, a convex portion 72 corresponding to the thickness of the epoxy layer after pressing is provided at a predetermined position (a discrete component mounting position) of the pressing substrate 71. In this way, as shown in FIG. 11A, the concave portion 73 for embedding the discrete component in the interlayer insulating layer 8 can be easily formed. Subsequently, as shown in FIG. 11B, wiring is formed in the concave portion 73, and a discrete component 74 is mounted with a resin 75 made of an anisotropic conductive paste (ACP).

【0059】そして、図11(c),(d)に示すよう
に、配線50,51、バンプ46,47、フィードスル
ー電極42,43を形成するとともに、2層目のベアチ
ップ16を搭載し、さらに、層間絶縁層9でディスクリ
ート部品74を完全に埋め込む。このようにして、厚み
の異なる部品12(16)と74を効率的に積層するこ
とができる。
Then, as shown in FIGS. 11C and 11D, wirings 50 and 51, bumps 46 and 47, feed-through electrodes 42 and 43 are formed, and the second-layer bare chip 16 is mounted. Further, the discrete component 74 is completely embedded in the interlayer insulating layer 9. In this manner, components 12 (16) and 74 having different thicknesses can be efficiently laminated.

【0060】このように本実施形態においては、図10
に示すごとく、型材71として、その表面に、部品配置
空間形成用の凸部72が形成されているものを用いたの
で、型材の凸部72により絶縁層8には凹部73が形成
され、この空間73に電子部品74を配置することがで
きる。 (第5の実施の形態)次に、第5の実施の形態を、第4
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図12に
は、本実施形態における積層型回路モジュールの製造工
程図を示す。本実施形態では、図10の凸部72をチッ
プ配置領域の周辺部に数箇所配置して層間絶縁層31の
膜厚を面内で均一に保つためのスペーサーとしている。
つまり、これまで説明してきた実施形態では、層間絶縁
層8,9の膜厚は、フィードスルー電極21,23,2
5,27,40〜43をスペーサーのように用いて決定
されていた。しかし、フィードスルー電極の密度が少な
かったり分布が極端に不均一な場合には、フィードスル
ー電極で層間絶縁層8,9の膜厚を均一に保つことが困
難になる。その場合、図12に示す本実施形態のよう
に、例えばチップ配置領域の周辺部分に多数の凸部80
を均一に配置する。これにより、層間絶縁層の膜厚の均
一性を簡単に確保できる。
As described above, in the present embodiment, FIG.
As shown in FIG. 7, a mold 71 having a convex portion 72 for forming a component placement space formed on the surface thereof is used. Therefore, a concave portion 73 is formed in the insulating layer 8 by the convex portion 72 of the mold material. An electronic component 74 can be arranged in the space 73. (Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment will be described with reference to a fourth embodiment.
The following description focuses on the differences from this embodiment. FIG. 12 shows a manufacturing process diagram of the multilayer circuit module in the present embodiment. In the present embodiment, the protrusions 72 of FIG. 10 are arranged at several places in the periphery of the chip arrangement region to form spacers for keeping the thickness of the interlayer insulating layer 31 uniform in the plane.
That is, in the embodiments described above, the film thickness of the interlayer insulating layers 8 and 9 is
5, 27, 40 to 43 were determined using spacers. However, when the density of the feed-through electrode is low or the distribution is extremely non-uniform, it becomes difficult to keep the thickness of the interlayer insulating layers 8 and 9 uniform with the feed-through electrode. In this case, as in the present embodiment shown in FIG.
Are placed evenly. Thereby, uniformity of the film thickness of the interlayer insulating layer can be easily ensured.

【0061】このように本実施形態においては、型材7
1の表面に、絶縁層の厚さを調整するための凸部80を
形成したので、型材の凸部80により絶縁層の厚さを容
易に調整することができる。
As described above, in the present embodiment, the shape 7
Since the convex portions 80 for adjusting the thickness of the insulating layer are formed on the surface of the substrate 1, the thickness of the insulating layer can be easily adjusted by the convex portions 80 of the mold.

【0062】これまで説明してきたものの他にも下記の
ように実施してもよい。第1〜第5の実施形態では、熱
硬化性のエポキシ系樹脂を層間絶縁材料としたが光硬化
性樹脂やエポキシ以外の樹脂材料も広く使用可能であ
る。
In addition to those described above, the present invention may be carried out as follows. In the first to fifth embodiments, a thermosetting epoxy resin is used as the interlayer insulating material. However, a resin material other than a photocurable resin or epoxy can be widely used.

【0063】また、これまでの実施形態では、FC実装
はフェースダウンで行っているが、フェースアップでも
適用可能である。さらに、これまでの実施形態では回路
モジュール一個分の図で説明しているが、大きな基板を
用い複数の回路モジュールを一括して積層形成し、積層
後に、各回路モジュールに切り離すことで更に効率的な
生産が可能になる。
In the embodiments described above, the FC mounting is performed face down, but it is also applicable to face up. Furthermore, in the embodiments described so far, a description of one circuit module is described, but a plurality of circuit modules are collectively laminated using a large substrate, and after lamination, each circuit module is separated to be more efficient. Production is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態における積層型回路モジュー
ルの製造工程を説明するための図。
FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of a multilayer circuit module according to a first embodiment.

【図2】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説明
するための図。
FIG. 2 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図3】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説明
するための図。
FIG. 3 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図4】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説明
するための図。
FIG. 4 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図5】第2の実施の形態における積層型回路モジュー
ルの製造工程を説明するための図。
FIG. 5 is a diagram for explaining a manufacturing process of the multilayer circuit module according to the second embodiment.

【図6】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説明
するための図。
FIG. 6 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図7】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説明
するための図。
FIG. 7 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図8】第3の実施の形態における積層型回路モジュー
ルの製造工程を説明するための図。
FIG. 8 is a diagram for explaining a manufacturing process of the multilayer circuit module according to the third embodiment.

【図9】第4の実施の形態における積層型回路モジュー
ルの製造工程を説明するための図。
FIG. 9 is a diagram for explaining a manufacturing process of the multilayer circuit module according to the fourth embodiment.

【図10】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説
明するための図。
FIG. 10 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図11】同じく積層型回路モジュールの製造工程を説
明するための図。
FIG. 11 is a view for explaining a manufacturing process of the laminated circuit module.

【図12】第5の実施の形態における積層型回路モジュ
ールの製造工程を説明するための図。
FIG. 12 is a diagram for explaining a manufacturing process of the multilayer circuit module according to the fifth embodiment.

【図13】従来の積層型回路モジュールを示す図。FIG. 13 is a view showing a conventional laminated circuit module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…配線基板、2,3…配線、8…絶縁層、9…絶縁
層、10,11…配線、12…ベアチップ、16…ベア
チップ、20a,20b…スタッドバンプ、21…フィ
ードスルー電極、22a,22b…スタッドバンプ、2
3…フィードスルー電極、31…プリポリマー、32…
ガラス基板、33…離型層、40…フィードスルー電
極、41…フィードスルー電極、60…押圧用基板、6
0a…凹凸、72…凸部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2, 3 ... Wiring, 8 ... Insulating layer, 9 ... Insulating layer, 10 ... 11 Wiring, 12 ... Bare chip, 16 ... Bare chip, 20a, 20b ... Stud bump, 21 ... Feedthrough electrode, 22a, 22b ... stud bump, 2
3 ... feed-through electrode, 31 ... prepolymer, 32 ...
Glass substrate, 33 release layer, 40 feed-through electrode, 41 feed-through electrode, 60 pressing substrate, 6
0a: unevenness, 72: convex portion.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の配線と、 前記第1の配線の上に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層において前記第1の配線と電気的に接
続された状態で内蔵された第1の表面実装部品と、 前記第1の絶縁層の上面に形成された第2の配線と、 前記第1の絶縁層の上に積層された第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層において前記第2の配線と電気的に接
続された状態で内蔵された第2の表面実装部品と、 前記第1の絶縁層において前記第1と第2の配線に電気
的に接続された状態で内蔵されたフィードスルー電極
と、を備えたことを特徴とする積層型回路モジュール。
A first wiring, a first insulating layer formed on the first wiring, and a state in which the first wiring is electrically connected to the first wiring in the first insulating layer. A built-in first surface mount component, a second wiring formed on an upper surface of the first insulating layer, a second insulating layer laminated on the first insulating layer, A second surface-mounted component embedded in the second insulating layer while being electrically connected to the second wiring; and electrically connected to the first and second wirings in the first insulating layer. And a feed-through electrode embedded in the stacked state.
【請求項2】 前記フィードスルー電極は、スタッドバ
ンプにより構成されたものである請求項1に記載の積層
型回路モジュール。
2. The multilayer circuit module according to claim 1, wherein said feed-through electrode is formed by stud bumps.
【請求項3】 前記スタッドバンプは、複数個積層され
ているものである請求項2に記載の積層型回路モジュー
ル。
3. The multilayer circuit module according to claim 2, wherein a plurality of said stud bumps are stacked.
【請求項4】 前記フィードスルー電極は、上部の方が
底部よりも細くなっているものである請求項1に記載の
積層型回路モジュール。
4. The multilayer circuit module according to claim 1, wherein the feed-through electrode has an upper portion thinner than a bottom portion.
【請求項5】 上面に第1の配線を形成したベース材に
対し、第1の配線に電気的に接続された状態で第1の表
面実装部品を実装するとともに、第1の配線の上にフィ
ードスルー電極を配置する工程と、 前記ベース材の上に第1の絶縁層を、前記フィードスル
ー電極の上面が露出する状態で積層する工程と、 前記第1の絶縁層の上面に、前記フィードスルー電極に
電気的に接続された第2の配線を形成する工程と、 前記第1の絶縁層の上に、前記第2の配線に電気的に接
続された状態で第2の表面実装部品を実装する工程と、 前記第1の絶縁層の上に第2の絶縁層を積層する工程
と、を備えたことを特徴とする積層型回路モジュールの
製造方法。
5. A first surface-mounted component is mounted on a base material having a first wiring formed on an upper surface thereof while being electrically connected to the first wiring, and the first wiring is mounted on the first wiring. Disposing a feed-through electrode; laminating a first insulating layer on the base material in a state where an upper surface of the feed-through electrode is exposed; Forming a second wiring electrically connected to the through electrode; and forming a second surface-mounted component on the first insulating layer while being electrically connected to the second wiring. A method for manufacturing a laminated circuit module, comprising: a mounting step; and a step of laminating a second insulating layer on the first insulating layer.
【請求項6】 前記絶縁層の積層工程は、 流動性を有する樹脂を配置する工程と、 型材を用いて前記流動性樹脂を、前記フィードスルー電
極の上部と前記型材が接するまで押圧する工程と、 前記流動性樹脂を硬化させる工程と、 前記型材を剥離する工程とを有することを特徴とする請
求項5に記載の積層型回路モジュールの製造方法。
6. The laminating step of the insulating layer includes: a step of arranging a resin having fluidity; and a step of using a mold to press the fluid resin until the upper part of the feedthrough electrode contacts the mold. The method according to claim 5, further comprising: a step of curing the fluid resin; and a step of removing the mold material.
【請求項7】 前記型材の表面に離型層を形成したこと
を特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジュールの
製造方法。
7. The method for manufacturing a multilayer circuit module according to claim 6, wherein a release layer is formed on a surface of said mold material.
【請求項8】 前記流動性樹脂として、硬化により体積
収縮するものを用いたことを特徴とする請求項6に記載
の積層型回路モジュールの製造方法。
8. The method for manufacturing a multilayer circuit module according to claim 6, wherein a resin that contracts in volume upon curing is used as the fluid resin.
【請求項9】 前記型材を剥離した後に、樹脂の表面の
灰化処理または樹脂の表面の機械研磨を行うようにした
ことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジュー
ルの製造方法。
9. The method for manufacturing a multilayer circuit module according to claim 6, wherein after the mold material is peeled off, the surface of the resin is ashed or the surface of the resin is mechanically polished.
【請求項10】 前記型材の表面に、微細な凹凸を形成
したことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジ
ュールの製造方法。
10. The method according to claim 6, wherein fine irregularities are formed on the surface of the mold.
【請求項11】 前記フィードスルー電極の配置は、J
PSまたは印刷法により行うようにしたことを特徴とす
る請求項5に記載の積層型回路モジュールの製造方法。
11. The arrangement of the feed-through electrode is J
6. The method according to claim 5, wherein the method is performed by a PS or a printing method.
【請求項12】 前記型材の表面に、部品配置空間形成
用の凸部を形成したことを特徴とする請求項5に記載の
積層型回路モジュールの製造方法。
12. The method for manufacturing a multilayer circuit module according to claim 5, wherein a convex portion for forming a component arrangement space is formed on a surface of said mold member.
【請求項13】 前記型材の表面に、絶縁層の厚さを調
整するための凸部を形成したことを特徴とする請求項5
に記載の積層型回路モジュールの製造方法。
13. A method according to claim 5, wherein a projection for adjusting the thickness of the insulating layer is formed on the surface of the mold.
3. The method for manufacturing a laminated circuit module according to item 1.
【請求項14】 前記流動性樹脂としてエポキシ系樹脂
を用いたことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路
モジュールの製造方法。
14. The method according to claim 6, wherein an epoxy resin is used as the fluid resin.
【請求項15】 前記表面実装部品としてベアチップを
用いたことを特徴とする請求項5に記載の積層型回路モ
ジュールの製造方法。
15. The method according to claim 5, wherein a bare chip is used as the surface mount component.
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