JP2000151306A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000151306A JP2000151306A JP10316118A JP31611898A JP2000151306A JP 2000151306 A JP2000151306 A JP 2000151306A JP 10316118 A JP10316118 A JP 10316118A JP 31611898 A JP31611898 A JP 31611898A JP 2000151306 A JP2000151306 A JP 2000151306A
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- ground layer
- semiconductor device
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- frequency circuit
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は帰還ループを形成しないようにした
多層基板使用の半導体装置にかかるものである。 【解決手段】 本発明は高周波ストリップライン層１８
および表面グランド層１９に高周波回路RFCを形成し、
その高周波回路RFCのコンデンサ等を表面グランド層１
９を介して接地する真性グランド層１５を形成する多層
基板１１を備えた半導体装置３０において、多層基板１
１中に形成され高周波ストリップライン層１８に対とし
て配置する中間グランド層３１と、この中間グランド層
３１と表面グランド層１９とを遮断する遮断手段３２と
を備えたものである。
多層基板使用の半導体装置にかかるものである。 【解決手段】 本発明は高周波ストリップライン層１８
および表面グランド層１９に高周波回路RFCを形成し、
その高周波回路RFCのコンデンサ等を表面グランド層１
９を介して接地する真性グランド層１５を形成する多層
基板１１を備えた半導体装置３０において、多層基板１
１中に形成され高周波ストリップライン層１８に対とし
て配置する中間グランド層３１と、この中間グランド層
３１と表面グランド層１９とを遮断する遮断手段３２と
を備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に、高周波回路に用いる半導体装置に関する。
特に、高周波回路に用いる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】無線電話機等の高周波回路モジュールに
用いる半導体装置１０には図５、図６に示すようにガラ
スセラミックス、アルミナ、ガラスエポキシ樹脂等の誘
電体により構成した多層基板１１が備えられ、高周波回
路モジュールの省スペース化を図っている。
用いる半導体装置１０には図５、図６に示すようにガラ
スセラミックス、アルミナ、ガラスエポキシ樹脂等の誘
電体により構成した多層基板１１が備えられ、高周波回
路モジュールの省スペース化を図っている。
【０００３】この多層基板１１は少なくとも第１基板層
１２、第２基板層１３、第３基板層１４の３層基板によ
り構成されている。この第１基板層１２の下面には全面
にCu、AgPt等の導体電極層１５が形成され、グランド層
あるいは真性グランド層として上面のコンデンサ等の電
子部品を接地するようになっている。
１２、第２基板層１３、第３基板層１４の３層基板によ
り構成されている。この第１基板層１２の下面には全面
にCu、AgPt等の導体電極層１５が形成され、グランド層
あるいは真性グランド層として上面のコンデンサ等の電
子部品を接地するようになっている。
【０００４】第１基板層１２と第２基板層１３との間に
は局部的にCu、AgPt等の電極配線中間層１６が形成さ
れ、電子部品の配線や電力の供給をするようになってい
る。
は局部的にCu、AgPt等の電極配線中間層１６が形成さ
れ、電子部品の配線や電力の供給をするようになってい
る。
【０００５】第２基板層１３と第３基板層１４との間に
は全面にCu、AgPt等の中間グランド層１７が形成され、
高周波回路に対として配置し中間部での接地をするよい
うになっている。
は全面にCu、AgPt等の中間グランド層１７が形成され、
高周波回路に対として配置し中間部での接地をするよい
うになっている。
【０００６】第３基板層１４の上面には局部的にCu、Ag
Pt等の導体電極層１８が形成され、高周波回路を設ける
高周波ストリップライン層を構成するようになってい
る。また、この上面には局部的にCu、AgPt等の表面グラ
ンド層１９が形成され、高周波ストリップライン層１８
に実装するコンデンサ等の高周波回路の電子部品を真性
グランド層１５に接地するようになっている。
Pt等の導体電極層１８が形成され、高周波回路を設ける
高周波ストリップライン層を構成するようになってい
る。また、この上面には局部的にCu、AgPt等の表面グラ
ンド層１９が形成され、高周波ストリップライン層１８
に実装するコンデンサ等の高周波回路の電子部品を真性
グランド層１５に接地するようになっている。
【０００７】第１基板層１２、第２基板層１３、第３基
板層１４にはインダクタンスL、導電、放熱等の特性を
有する複数のビアホールあるいはスルーホール２０aが
設けられ、真性グランド層１５、電極配線中間層１６、
中間グランド層１７、ストリップライン層１８、表面グ
ランド層１９等を接続し電子部品等を接地し、放熱する
ようになっている。
板層１４にはインダクタンスL、導電、放熱等の特性を
有する複数のビアホールあるいはスルーホール２０aが
設けられ、真性グランド層１５、電極配線中間層１６、
中間グランド層１７、ストリップライン層１８、表面グ
ランド層１９等を接続し電子部品等を接地し、放熱する
ようになっている。
【０００８】また、第１基板層１２、第２基板層１３に
は同様にしてインダクタンスL、導電、放熱等の特性を
有する複数のビアホールあるいはスルーホール２０bが
設けられ、真性グランド層１５、電極配線中間層１６、
中間グランド層１７等を接続し電子部品等を接地し、放
熱するようになっている。
は同様にしてインダクタンスL、導電、放熱等の特性を
有する複数のビアホールあるいはスルーホール２０bが
設けられ、真性グランド層１５、電極配線中間層１６、
中間グランド層１７等を接続し電子部品等を接地し、放
熱するようになっている。
【０００９】第３基板層１４には矩形状のキャビティー
２１が開けられ、中間グランド層１７にMOS-FET等の半
導体素子２２をベアチップマウントするようになってい
る。
２１が開けられ、中間グランド層１７にMOS-FET等の半
導体素子２２をベアチップマウントするようになってい
る。
【００１０】この半導体素子２２にはボンディングワイ
ヤー２３が取り付けられ、高周波ストリップライン層１
８に接続するようになっている。
ヤー２３が取り付けられ、高周波ストリップライン層１
８に接続するようになっている。
【００１１】高周波回路RFCは高周波ストリップライン
層１８および表面グランド層１９に実装あるいは含まれ
ている抵抗R、インダクタンスL、コンデンサC、半導体
素子２２等により構成され、図示しない無線電話機の高
周波モジュールを形成するようになっている。
層１８および表面グランド層１９に実装あるいは含まれ
ている抵抗R、インダクタンスL、コンデンサC、半導体
素子２２等により構成され、図示しない無線電話機の高
周波モジュールを形成するようになっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このように構成した高
周波回路RFCを有する半導体装置１０の入力端子INから
図７に実践矢印で示すような高周波無線信号RFを入力す
ると半導体素子２２により増幅され出力端子OUTから出
力する。
周波回路RFCを有する半導体装置１０の入力端子INから
図７に実践矢印で示すような高周波無線信号RFを入力す
ると半導体素子２２により増幅され出力端子OUTから出
力する。
【００１３】他方、この高周波無線信号RFの一部が一点
鎖線矢印で示すように抵抗R、コンデンサC、インダクタ
ンスL等を介して真性グランド層１５に漏れる。
鎖線矢印で示すように抵抗R、コンデンサC、インダクタ
ンスL等を介して真性グランド層１５に漏れる。
【００１４】この漏れ高周波無線信号RFがビアホール２
０aのインダクタンスL等により中間グランド層１７の電
位を真性グランド層１５の電位より高くする。
０aのインダクタンスL等により中間グランド層１７の電
位を真性グランド層１５の電位より高くする。
【００１５】そのため、高周波回路RFCの出力側から鎖
線矢印に示すように中間グランド層１７を介し半導体素
子２２のゲート部２２Gに入力する帰還ループを形成す
る。
線矢印に示すように中間グランド層１７を介し半導体素
子２２のゲート部２２Gに入力する帰還ループを形成す
る。
【００１６】この高周波無線信号RFが正帰還信号である
と半導体素子２２により発振させられ無線電話機に対し
て不具合を生じる。
と半導体素子２２により発振させられ無線電話機に対し
て不具合を生じる。
【００１７】この発振を抑制するため従来は半導体素子
２２の入力側にダンピング抵抗を設け、半導体素子２２
の利得を低下させせていた。
２２の入力側にダンピング抵抗を設け、半導体素子２２
の利得を低下させせていた。
【００１８】しかし、ダンピング抵抗を設けると半導体
素子２２の特性を損ねるばかりか出力を下げ効率を低下
させると言う問題があった。
素子２２の特性を損ねるばかりか出力を下げ効率を低下
させると言う問題があった。
【００１９】そこで本発明はこのような帰還ループを形
成しないようにした多層基板を有する半導体装置を提供
することを目的とするものである。
成しないようにした多層基板を有する半導体装置を提供
することを目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は高周波
ストリップライン層および表面グランド層に高周波回路
を形成し、その高周波回路のコンデンサ等を表面グラン
ド層を介して接地する真性グランド層を形成する多層基
板を備えた半導体装置において、多層基板中に形成され
高周波ストリップライン層に対として配置する中間グラ
ンド層と、この中間グランド層と表面グランド層との帰
還ループとを遮断する遮断手段とを備えたことを特徴と
する半導体装置を提供するものである。
ストリップライン層および表面グランド層に高周波回路
を形成し、その高周波回路のコンデンサ等を表面グラン
ド層を介して接地する真性グランド層を形成する多層基
板を備えた半導体装置において、多層基板中に形成され
高周波ストリップライン層に対として配置する中間グラ
ンド層と、この中間グランド層と表面グランド層との帰
還ループとを遮断する遮断手段とを備えたことを特徴と
する半導体装置を提供するものである。
【００２１】また、請求項２の発明の遮断手段は中間グ
ランド層に開けた穴であることを特徴とする半導体装置
を提供するものである。
ランド層に開けた穴であることを特徴とする半導体装置
を提供するものである。
【００２２】さらに、請求項３の発明の遮断手段は少な
くとも高周波回路の入力側に設けたことを特徴とする半
導体装置を提供するものである。
くとも高周波回路の入力側に設けたことを特徴とする半
導体装置を提供するものである。
【００２３】さらに、請求項４の発明の遮断手段は少な
くとも高周波回路の出力側に設けたことを特徴とする半
導体装置を提供するものである。
くとも高周波回路の出力側に設けたことを特徴とする半
導体装置を提供するものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体装置の第１の実
施の形態を図１ないし図３を参照しながら説明する。
施の形態を図１ないし図３を参照しながら説明する。
【００２５】この本発明半導体装置３０は基本的に従来
の半導体装置１０とほぼ同様に構成されているので同一
部分は同一符号を付し詳細な説明は省略して説明する。
の半導体装置１０とほぼ同様に構成されているので同一
部分は同一符号を付し詳細な説明は省略して説明する。
【００２６】半導体装置３０は図５等と同様にガラスセ
ラミックス、アルミナ、ガラスエポキシ樹脂等の誘電体
により構成した第１基板層１２、第２基板層１３、第３
基板層１４からなる多層基板１１を備えている。
ラミックス、アルミナ、ガラスエポキシ樹脂等の誘電体
により構成した第１基板層１２、第２基板層１３、第３
基板層１４からなる多層基板１１を備えている。
【００２７】この第２基板層１３と第３基板層１４との
間にはほぼ全面にCu,AgPt等の中間グランド層３１が形
成される。この中間グランド層３１には複数の環状穴３
２が開けられ、表面グランド層１９と真性グランド層１
５とを接続するビアホール２０aを遮断し中間グランド
層３１と高周波ストリップライン層１８と分離するよう
になっている。
間にはほぼ全面にCu,AgPt等の中間グランド層３１が形
成される。この中間グランド層３１には複数の環状穴３
２が開けられ、表面グランド層１９と真性グランド層１
５とを接続するビアホール２０aを遮断し中間グランド
層３１と高周波ストリップライン層１８と分離するよう
になっている。
【００２８】このように構成した高周波モジュールを構
成する半導体装置３０の入力端子INから図３に実践矢印
で示すような高周波無線信号RFを入力すると半導体素子
２２により増幅され出力端子OUTから出力する。
成する半導体装置３０の入力端子INから図３に実践矢印
で示すような高周波無線信号RFを入力すると半導体素子
２２により増幅され出力端子OUTから出力する。
【００２９】他方、この高周波無線信号RFの一部が一点
鎖線矢印で示すように高周波ストリップライン層１８の
抵抗R、コンデンサC、インダクタンスLを介して中間グ
ランド層３１とは分離した状態で直接に真性グランド層
１５に漏れる。
鎖線矢印で示すように高周波ストリップライン層１８の
抵抗R、コンデンサC、インダクタンスLを介して中間グ
ランド層３１とは分離した状態で直接に真性グランド層
１５に漏れる。
【００３０】この分離により中間グランド層３１を表面
グランド層１９から遮断し高周波回路の出力側から半導
体素子２２のゲート部２２Gに入力する帰還ループの形
成を阻止する。
グランド層１９から遮断し高周波回路の出力側から半導
体素子２２のゲート部２２Gに入力する帰還ループの形
成を阻止する。
【００３１】そのため、この高周波無線信号RFにより半
導体素子２２を発振させ無線電話機に対する不具合を生
じることがない。
導体素子２２を発振させ無線電話機に対する不具合を生
じることがない。
【００３２】図４は本発明半導体装置３０の第２の実施
の形態を示すものである。
の形態を示すものである。
【００３３】この本発明半導体装置３０の第２基板層１
３と第３基板層１４との間にはほぼ全面にCu,AgPt等の
中間グランド層４１が形成される。この中間グランド層
４１には複数の環状穴４２が開けられ、高周波回路RFC
の半導体素子２２と表面グランド層１９が遮断される。
３と第３基板層１４との間にはほぼ全面にCu,AgPt等の
中間グランド層４１が形成される。この中間グランド層
４１には複数の環状穴４２が開けられ、高周波回路RFC
の半導体素子２２と表面グランド層１９が遮断される。
【００３４】このように構成した高周波モジュールを構
成する半導体装置３０においても第１の実施の形態と同
様に高周波無線信号RFにより中間グランド層４１から高
周波回路RFCを形成する高周波ストリップライン層１８
を介して半導体素子２２のゲート部２２Gに入力する帰
還ループを形成することがない。
成する半導体装置３０においても第１の実施の形態と同
様に高周波無線信号RFにより中間グランド層４１から高
周波回路RFCを形成する高周波ストリップライン層１８
を介して半導体素子２２のゲート部２２Gに入力する帰
還ループを形成することがない。
【００３５】そのため、この高周波無線信号RFにより半
導体素子２２を発信させ無線電話機に対する不具合を生
じることがない。
導体素子２２を発信させ無線電話機に対する不具合を生
じることがない。
【００３６】なお、上記の実施の形態では中間グランド
層３１、４１等に複数の環状穴３２、４２を設け高周波
回路RFCの帰還ループを阻止するようにしたが高周波回
路RFCの入力側、出力側あるいは半導体素子２２でそれ
ぞれ別々に遮断するようにしても同様な効果が得ること
ができる。
層３１、４１等に複数の環状穴３２、４２を設け高周波
回路RFCの帰還ループを阻止するようにしたが高周波回
路RFCの入力側、出力側あるいは半導体素子２２でそれ
ぞれ別々に遮断するようにしても同様な効果が得ること
ができる。
【００３７】また、中間グランド層３１、４１等に環状
穴３２、４２に代わり矩形状穴、スリット等の切断部と
しても同様な効果を得ることができる。
穴３２、４２に代わり矩形状穴、スリット等の切断部と
しても同様な効果を得ることができる。
【００３８】さらに、多層基板１１を３層としたがこれ
を４層、５層と増加するようにしてもよい。かかる場
合、中間グランド層は高周波ストリップライン層１８に
対として配置し高周波回路FRCの回路特性を損なわない
よにする必要がある。
を４層、５層と増加するようにしてもよい。かかる場
合、中間グランド層は高周波ストリップライン層１８に
対として配置し高周波回路FRCの回路特性を損なわない
よにする必要がある。
【００３９】
【発明の効果】各請求項の発明は高周波ストリップライ
ン層１８および表面グランド層１９に高周波回路RFCを
形成し、その高周波回路RFCのコンデンサ等を表面グラ
ント層１９を介して接地する真性グランド層１５を形成
する多層基板１１を備えた半導体装置３０において、多
層基板１１中に形成され高周波ストリップライン層１８
に対として配置する中間グランド層３１と、この中間グ
ランド層３１と表面グランド層１９とを遮断する遮断手
段３２とを備えたから高周波回路RFCに帰還ループを形
成し発振を生じさせることがない。
ン層１８および表面グランド層１９に高周波回路RFCを
形成し、その高周波回路RFCのコンデンサ等を表面グラ
ント層１９を介して接地する真性グランド層１５を形成
する多層基板１１を備えた半導体装置３０において、多
層基板１１中に形成され高周波ストリップライン層１８
に対として配置する中間グランド層３１と、この中間グ
ランド層３１と表面グランド層１９とを遮断する遮断手
段３２とを備えたから高周波回路RFCに帰還ループを形
成し発振を生じさせることがない。
【図１】本発明半導体装置の概要を示す平面図。
【図２】図１を主要部を切断した断面図。
【図３】図１の主要部の等価電気回路図。
【図４】本発明の他の半導体装置を示す断面図。
【図５】従来の半導体装置の概要を示す平面図。
【図６】図５の主要部を切断した断面図。
【図７】図５の主要部の等価電気回路図。
１０ 半導体装置 １１ 多層基板層 １２ 第１基板層 １３ 第２基板層 １４ 第３基板層 １５ 導体電極層または真性グランド層 １７、３１、４１ 中間グランド層 １８ 導体電極層または高周波ストリップライン層 １９ 表面グランド層 ２０a、２０b ビアホールなたはスルーホール ２２ 半導体素子 ３２、４２ 環状穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 BB16 FF45 HH06 5J067 AA01 AA04 CA54 FA16 HA10 HA25 HA29 HA33 KA68 LS11 MA11 QA04 QS05 SA13 5J092 AA01 AA04 CA54 FA16 HA10 HA25 HA29 HA33 KA68 MA11 QA04 SA13
Claims (4)
- 【請求項１】高周波ストリップライン層および表面グラ
ンド層に高周波回路を形成し、その高周波回路のコンデ
ンサ等を表面グランド層を介して接地する真性グランド
層を形成する多層基板を備えた半導体装置において、 多層基板中に形成され高周波ストリップライン層に対と
して配置する中間グランド層と、 この中間グランド層と表面グランド層との帰還ループを
遮断する遮断手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】遮断手段は中間グランド層に開けた穴であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】遮断手段は少なくとも高周波回路の入力側
に設けることを特徴とする請求項１または２記載の半導
体装置。 - 【請求項４】遮断手段は少なくとも高周波回路の出力側
に設けることを特徴とする請求項１または２記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316118A JP2000151306A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316118A JP2000151306A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151306A true JP2000151306A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18073455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316118A Pending JP2000151306A (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151306A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535156A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 埋込み構成要素からの熱伝導 |
| JP2009200119A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波モジュール |
| JP2011146468A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nec Corp | 放熱多層基板、電子装置及び放熱多層基板の製造方法 |
| US8225499B2 (en) | 2005-06-16 | 2012-07-24 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP10316118A patent/JP2000151306A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535156A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 埋込み構成要素からの熱伝導 |
| US8225499B2 (en) | 2005-06-16 | 2012-07-24 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure |
| JP2009200119A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波モジュール |
| JP2011146468A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nec Corp | 放熱多層基板、電子装置及び放熱多層基板の製造方法 |
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