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JP2000036490A - プラズマ処理装置およびその方法 - Google Patents

プラズマ処理装置およびその方法

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JP2000036490A
JP2000036490A JP10219760A JP21976098A JP2000036490A JP 2000036490 A JP2000036490 A JP 2000036490A JP 10219760 A JP10219760 A JP 10219760A JP 21976098 A JP21976098 A JP 21976098A JP 2000036490 A JP2000036490 A JP 2000036490A
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electrode
temperature
ring body
plasma processing
wafer
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地塩 輿水
Hiroyuki Ishihara
博之 石原
Kimihiro Higuchi
公博 樋口
Koji Maruyama
幸児 丸山
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Japan Science and Technology Agency
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Japan Science and Technology Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の全面に均一な処理を施すことが可
能なプラズマ処理装置およびその方法を提供する。 【解決手段】 エッチング装置１００の処理室１０２内
に配置された下部電極１０６上には，静電チャック１０
８が設けられ，チャック面上に載置されるウェハＷの周
囲を囲むように導電性の内側リング体１１２ａと絶縁性
の外側リング体１１２ｂが配置される。ウェハＷと内側
および外側リング体１１２ａ，１１２ｂの温度は，第１
〜第３温度センサ１４２，１４４，１４６で検出され
る。制御器１４０は，該温度情報に基づいてウェハＷと
内側リング体１１２ａの温度が略同一になるように，第
１ガス吐出孔１１４からウェハＷの中央部と静電チャッ
ク１０８との間および第２ガス吐出孔１１６からウェハ
Ｗの外縁部と静電チャック１０８との間に供給するＨｅ
の圧力と，外側リング体１１２ｂ内のヒータ１４８の発
熱量を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，気密な処理室内に，被処理体，例
えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）の載
置台を兼ねた下部電極と，接地された処理室壁面の一部
を成す上部電極とを対向配置したプラズマエッチング装
置が提案されている。該装置の下部電極上には，静電チ
ャックが設けられており，例えばポリイミド製の薄膜で
挟持された電極に高圧直流電力を印加すると，チャック
面上に載置されたウェハが吸着保持される。また，下部
電極には，静電チャック上に載置されるウェハの周囲を
囲うように略環状のリング体が配置されている。このリ
ング体は，導電性の内側リング体と絶縁性の外側リング
体から成り，静電チャック上にウェハが載置された際
に，内側リング体がウェハの周囲を囲み，外側リング体
が内側リング体の周囲を囲むと共に下部電極の周縁部を
覆うように電極上に配置されている。また，下部電極に
は，温度調整機構が内装されており，下部電極および静
電チャックを介してウェハの温度を調整することができ
る。さらに，下部電極には，静電チャックとウェハとの
間に伝熱ガスを供給するためのガス供給経路が設けられ
ており，その伝熱ガスによってウェハと静電チャックと
の間の熱伝導率を高めるように構成されている。
【０００３】かかる構成により，所定温度に維持された
下部電極上に載置されたウェハを静電チャックで吸着保
持すると共に，処理室内に所定の処理ガスを導入した
後，下部電極に所定の高周波電力を印加すると，処理室
内にプラズマが生成され，該プラズマによりウェハに所
定のエッチング処理が施される。また，内側リング体
は，上記の如く導電性材料，例えばＳｉやＳｉＣやＣ
（カーボン）などから形成されているため，プラズマに
対してウェハの外径を電気的に大きく見せることがで
き，プラズマをウェハの中央部のみ成らずその外縁部に
も均一に入射させることができる。さらに，外側リング
体は，上記の如く絶縁性材料，例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ
2などから形成されているため，プラズマをウェハ上に
集中させて，ウェハ全面に均一に案内することができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，導電性
の内側リング体は，ウェハと同様にプラズマ中のイオン
が激しく衝突するため，非常に加熱され易い。さらに，
内側リング体は，下部電極に直接固定される外側リング
体とは異なり，下部電極上に置かれているだけなので，
処理時の減圧雰囲気下では，内側リング体の熱を十分に
下部電極に放熱させることができない。その結果，内側
リング体は，２５０℃程度にまで加熱されることがあ
り，該熱によって内側リング体の周辺のラジカル密度が
不均一になって，内側リング体に隣接するウェハ外縁部
のエッチングレートが低下し，ウェハの中央部とその外
縁部で処理に差が生じて，ウェハの全面に均一な処理を
施すことが困難となる。
【０００５】さらに，最近，例えば直径が３００ｍｍな
どの大口径ウェハに処理を施す技術が提案されている
が，ウェハの直径に比例してウェハ外縁部の被処理面の
面積も大きくなり，上述の如くウェハの外縁部に均一な
処理を施せないと，歩留りの低下が一層顕著になる。さ
らにまた，半導体素子の生産性を向上させるためには，
ウェハの外縁部のぎりぎりのところにまで素子を形成す
る必要があるが，上記の如くウェハの外縁部に均一な処
理を施すことができないと，かかる技術的要求も達成す
ることができない。
【０００６】また，外側リング体は，絶縁性材料から構
成されているために，内側リング体よりもプラズマ中の
イオンの衝突割合が少なく，外側リング体の温度上昇は
内側リング体に比べて相対的に緩慢である。その結果，
エッチング処理を複数のウェハに連続的に行う場合に
は，最初のウェハから所定枚数のウェハに処理を施すま
では，特に外側リング体の温度が安定せず，外側リング
体の周辺，すなわちウェハの外縁部周辺のラジカル密度
が不均一となって，ウェハの中央部と外縁部とで処理に
差が生じ，ウェハの全面に均一な処理を施すことが困難
となる。従って，処理開始時には，外側リング体の温度
を安定させるため，所定枚数のダミーウェハに処理を施
す必要があり，スループットを低下させる原因となって
いる。
【０００７】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みて成されたものであり，本発明の第１の
目的は，被処理体上および被処理体の外縁部周辺に均一
なラジカルを生成し，被処理体の全面に均一な処理を施
すことが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置
およびその方法を提供することである。
【０００８】また，本発明の第２の目的は，処理開始直
後から均一かつ安定した処理を被処理体に施すことが可
能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置およびその
方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，処理室内に配された電極上に載置される被
処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
おいて，電極に設けられる温度調整手段と，少なくとも
電極上に載置される被処理体の周囲を囲むように配置さ
れる導電性リング体と，導電性リング体の周囲を囲むよ
うに配置される絶縁性リング体とからなるリング体と，
少なくとも導電性リング体と電極との間に伝熱ガスを供
給する第１ガス供給経路と，伝熱ガスの供給圧力を調整
する圧力調整手段と，圧力調整手段を制御する第１制御
手段と，を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が
提供される。
【００１０】かかる構成によれば，第１制御手段が圧力
調整手段を調整し，所定圧力の伝熱ガスを第１ガス供給
経路を介して少なくとも導電性リング体と電極との間に
供給するので，処理時の減圧雰囲気下でも，電極上に載
せられている導電性リング体と電極との間の熱伝導率を
高めることができ，該導電性リング体の熱を所定温度に
維持された電極に確実に吸収させることができる。その
結果，処理中にイオンの衝突によって導電性リング体が
加熱されても，その導電性リング体を所定の温度に維持
することができるので，導電性リング体に隣接する被処
理体の外縁部付近のラジカル密度を一定にすることがで
き，被処理体の外縁部にも所定の処理を施すことができ
る。また，伝熱ガスの圧力は，ガス圧力調整手段で適宜
変更することができるので，導電性リング体の温度をプ
ロセスに応じて適宜設定することもできる。
【００１１】また，第１制御手段で，例えば請求項２に
記載の発明のように，少なくとも導電性リング体の温度
と被処理体の温度とが略同一になるように，圧力調整手
段を制御すれば，被処理体と導電性リング体の周辺に分
布するラジカルの密度を均一化することができるため，
被処理体の中央部と外縁部で処理に差が生じることな
く，被処理体の全面に均一な処理を施すことができる。
【００１２】さらに，第１制御手段で，例えば請求項３
に記載の発明のように，少なくとも導電性リング体の温
度と被処理体の温度とを測定する温度センサで検出され
た温度情報に基づいて圧力調整手段を制御すれば，処理
中に随時変化する被処理体の温度に追従させて導電性リ
ング体を所定温度に設定することができる。
【００１３】また，電極に，例えば請求項４に記載の発
明のように，少なくとも被処理体と電極との間に伝熱ガ
スを供給し，第１ガス供給経路と個別独立に形成された
１または２以上の第２ガス供給経路が設けてもよい。か
かる構成よれば，第１ガス供給経路と第２ガス供給経路
が個別独立に形成されているので，被処理体と電極との
間と，導電性リング体と電極との間に供給する伝熱ガス
の種類や供給圧力を相互に変更することができる。その
結果，被処理体と電極との間と，導電性リング体と電極
との間の各熱伝導率を相互に独立して設定することがで
きるため，導電性リング体の温度調整を確実に行うこと
ができる。
【００１４】さらに，上記プラズマ処理装置に，例えば
請求項５に記載の発明のように，少なくとも絶縁性リン
グ体に設けられる加熱手段と，加熱手段を制御する第２
制御手段とを備えてもよい。かかる構成によれば，第２
制御手段が加熱手段を制御し，絶縁性リング体を処理開
始前に予め所定温度に加熱できるので，処理中に絶縁性
リング体の温度変化が実質的になくなり，処理開始直後
から被処理体に所定の処理を施すことができる。その結
果，予めダミーの被処理体に処理を施して絶縁性リング
体の温度を所定温度に上昇させて安定させる必要がない
ので，スループットを向上させることができる。さら
に，絶縁性リング体の温度を適宜調整できるので，処理
中のみならず処理前後で絶縁性リング体を所定温度に維
持することができる。
【００１５】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項６に記載の発明のように，処理室内に配された電極上
に載置される被処理体に対してプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置において，電極に設けられる温度調整手段
と，電極上に載置される被処理体の周囲を囲むように配
置される導電性リング体と，少なくとも導電性リング体
と電極との間に伝熱ガスを供給する第１ガス供給経路
と，第１ガス供給経路と連通し，少なくとも被処理体と
電極との間に伝熱ガスを供給する第２ガス供給経路と，
伝熱ガスの供給圧力を調整する圧力調整手段と，圧力調
整手段を制御する制御手段と，を備えることを特徴とす
るプラズマ処理装置が提供される。
【００１６】かかる構成によれば，第１ガス供給経路と
第２ガス供給経路とを連通させたので，第１ガス供給経
路に個別独立したガス供給系を接続しなくても導電性リ
ング体と電極との間に伝熱ガスを供給することができ，
装置構成を容易にすることができる。さらに，上記構成
を採用すれば，上述した従来の装置からの変更点も少な
くなり，該発明を容易に実施することができる。
【００１７】さらに，本発明の第３の観点によれば，請
求項７に記載の発明のように，処理室内に配された電極
の載置面に形成された静電チャック上に載置される被処
理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置にお
いて，電極に設けられる温度調整手段と，静電チャック
上に載置される被処理体の周囲を囲むように配置される
導電性リング体と，少なくとも電極と導電性リング体と
の間に介装され，電極と導電性リング体との間の熱伝導
率を，電極と被処理体との間の熱伝導率と略同一にする
熱伝導率調整部材と，を備えることを特徴とするプラズ
マ処理装置が提供される。
【００１８】かかる構成によれば，少なくとも導電性リ
ング体と電極との間に上記熱伝導率調整部材を介装する
ので，電極上に載置される被処理体と電極との間と，導
電性リング体と電極との間の熱伝導率を略同一にでき，
比較的簡単な構成で導電性リング体の温度と被処理体の
温度を実質的に一致させることができる。さらに，導電
性リング体と電極との間に上記熱伝導率調整部材を介装
するのみなので，容易に実施することができると共に，
処理装置の生産コストの上昇を抑えることもできる。
【００１９】また，本発明の第４の観点によれば，請求
項８に記載の発明のように，処理室内に配された電極上
に載置される被処理体に対してプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置において，電極に設けられる温度調整手段
と，電極上に載置される被処理体の周囲を囲むように配
置される導電性リング体と，少なくとも導電性リング体
を電極に対して押圧すると共に，導電性リングの押圧力
を調整可能な押圧手段と，を備えることを特徴とするプ
ラズマ処理装置が提供される。
【００２０】かかる構成によれば，押圧手段によって導
電性リング体を電極に密着できるので，導電性リング体
と電極との間の熱伝導率を高めることができ，導電性リ
ング体の熱を電極に吸収させることができる。さらに，
導電性リング体の押圧力は，押圧手段により調整可能な
ので，導電性リング体の温度を所定温度に適宜設定する
ことができる。また，導電性リング体を押圧手段で電極
に押圧するのみなので，装置構成を簡素化することがで
きる。
【００２１】さらに，本発明の第５の観点によれば，請
求項９に記載の発明のように，処理室内に配された電極
上に載置される被処理体に対してプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理方法において，電極に設けられる温度調整手
段を調整し，電極を所定温度に設定する工程と，電極上
に載置される被処理体の周囲を囲むように配される導電
性リング体と，電極との間に伝熱ガスを供給する工程
と，被処理体の温度と導電性リング体の温度とが略同一
になるように，伝熱ガスの供給圧力を調整する工程と，
を含むことを特徴とするプラズマ処理方法が提供され
る。
【００２２】かかる構成によれば，導電性リング体と電
極との間に，被処理体の温度と導電性の温度とが略同一
になるように所定の供給圧力で伝熱ガスを供給し，導電
性リング体の温度を調整するので，処理時の減圧雰囲気
下でも導電性リング体と電極との間の熱伝導率を高める
ことができると共に，伝熱ガスの供給圧力の調整によ
り，導電性リング体の温度を適宜調整することができ
る。
【００２３】また，本発明の第６の観点によれば，請求
項１０に記載の発明のように，処理室内に配された電極
上に載置される被処理体に対してプラズマ処理を施すプ
ラズマ処理方法において，電極に設けられる温度調整手
段により温度が調整される被処理体の温度と，電極上に
載置される被処理体の周囲を囲むように配される導電性
リング体の温度とを略同一にしてプラズマ処理を行うこ
とを特徴とする，プラズマ処理方法が提供される。
【００２４】かかる構成によれば，所定温度に調整され
る被処理体の温度と，導電性リング体との温度とが実質
的に同一の状態で被処理体にプラズマ処理を施すので，
均一な密度のラジカルを生成することができ，被処理体
の全面に均一な処理を施すことができる。なお，被処理
体の温度と導電性リング体の温度とを略同一にするため
には，上述した発明の如く，導電性リング体と電極との
間に伝熱ガスを供給したり，熱伝導率調整部材を介装し
たり，あるいは導電性リング体を電極に押圧すればよ
い。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置およびその方法を
エッチング装置およびその方法に適用した実施の形態に
ついて説明する。
【００２６】（第１の実施の形態） （１）エッチング装置の全体構成 まず，図１および図２を参照しながら，本発明を適用可
能なエッチング装置１００の全体構成について説明す
る。図１に示すエッチング装置１００の処理室１０２
は，接地された気密な処理容器１０４内に形成されてい
る。処理室１０２内には，ウェハＷの載置台を兼ねた下
部電極１０６が配置されている。この下部電極１０６
は，熱伝導率が良く導電性の金属，例えばアルミニウム
から成り，略円筒形状に形成されている。また，下部電
極１０６の載置面には，例えばポリイミド製の薄膜１０
８ａで電極１０８ｂを挟持して成る静電チャック１０８
が設けられており，その電極１０８ｂには，１．５ｋＶ
の高電圧を出力する高圧直流電源１１０が接続されてい
る。
【００２７】また，下部電極１０６の上部には，静電チ
ャック１０８上に載置されるウェハＷの周囲を囲むよう
に略環状のリング体１１２が設けられている。このリン
グ体１１２は，例えばＳｉやＳｉＣやＣ（カーボン）な
ど導電性材料から成る内側リング体（導電性リング体）
１１２ａと，例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2など絶縁性材料
から成る外側リング体（絶縁性リング体）１１２ｂから
構成されている。また，内側リング体１１２ａは，図示
の例では，静電チャック１０８の周囲と，静電チャック
１０８のチャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲
むように配置されている。さらに，外側リング体１１２
ｂは，図示の例では，内側リング体１１２ａの周囲を囲
むと共に，下部電極１０６の外縁部と，その側部の一部
を覆うように配置されている。また，内側リング体１１
２ａと外側リング体１１２ｂは，不図示の締結部材，例
えばボルトによって下部電極１０６に固定されている。
【００２８】また，静電チャック１０８のチャック面に
は，静電チャック１０８とウェハＷとの間に伝熱ガス，
例えばＨｅを供給する第１および第２ガス供給孔１１
４，１１６が設けられており，図示の例では，第１ガス
供給孔１１４は，ウェハＷの中央部にＨｅを供給可能な
位置に所定間隔ごとに配置され，第２ガス供給孔１１６
は，ウェハＷの外縁部にＨｅを供給可能な位置に所定間
隔ごとに配置されている。また，第１ガス供給孔１１４
と第２ガス供給孔１１６には，それぞれに対応して第１
ガス供給管１１８と第２ガス供給管１２０が接続されて
おり，これら第１ガス供給管１１８と第２ガス供給管１
２０には，それぞれに対応して第１圧力調整ユニット１
６４と第２圧力調整ユニット１６６が介装されている。
【００２９】第１圧力調整ユニット１６４は，図２に示
すように，第１ガス供給孔１１４とガス供給源１３８と
の間に第１開閉バルブ１２１と流量調整バルブ（マスフ
ローコントローラ）１２２と第２開閉バルブ１２４が介
装され，第１開閉バルブ１２１と流量調整バルブ１２２
との間に圧力計（キャパシタンスマノメータ）１６８と
第１排気管１７０が介装されている。さらに，第１排気
管１７０には，圧力調整バルブ１７２と第３開閉バルブ
１７４が介装されており，その圧力調整バルブ１７２に
は，上記圧力計１６８が接続されている。さらにまた，
流量調整バルブ１２２と圧力調整バルブ１７２には，制
御器１４０が接続されている。また，第２圧力調整ユニ
ット１６６は，同図に示す第１圧力調整ユニット１６４
と同一に構成されている。
【００３０】また，図１に示すように，内側リング体１
１２ａと接する下部電極１０６の表面には，Ｏリング１
８４で気密にシールされた内側リング体１１２ａと下部
電極１０６との間に伝熱ガス，例えばＨｅガスを供給す
る本実施の形態にかかる第３ガス供給孔１３０が設けら
れており，図示の例では，第３ガス供給孔１３０は，内
側リング体１１２ａの底面にＨｅを供給可能な位置に，
所定間隔ごとに配置されている。さらに，第３ガス供給
孔１３０には，第３ガス供給管１３２が接続されてお
り，この第３ガス供給管１３２には，第３圧力調整ユニ
ット１８６が介装されている。また，第３圧力調整ユニ
ット１８６は，図２に示す第１圧力調整ユニット１６４
と同一に構成されている。
【００３１】また，制御器１４０には，図１に示すよう
にウェハＷの温度を検出する第１温度センサ１４２と，
内側リング体１１２ａの温度を検出する第２温度センサ
１４４と，外側リング体１１２ｂの温度を検出する第３
温度センサ１４６が接続されている。これら本実施の形
態にかかる第１〜第３温度センサ１４２，１４４，１４
６は，図示の例では，ファイバ式接触温度計から構成さ
れており，第１の温度センサ１４２は，ウェハＷと接触
する静電チャック１０８のチャック面に露出するように
配置され，第２温度センサ１４４は，内側リング体１１
２ａと接触する下部電極１０６の表面に露出するように
配置され，第３温度センサ１４６は，外側リング体１１
２ｂと接触する下部電極１０６の表面に露出するように
配置されている。
【００３２】また，外側リング体１１２ｂ内には，本実
施の形態にかかるヒータ１４８が内装されており，この
ヒータ１４８には，可変電源１５０が接続されている。
さらに，その可変電源１５０には，上記制御器１４０が
接続されている。また，下部電極１０６には，下部電極
１０６の温度を適宜調整するための温度調整機構を構成
する冷媒循環路１５２が内装されており，この冷媒循環
路１５２内に例えば−２０℃の冷媒が循環する。さら
に，下部電極１０６には，整合器１５４を介して，例え
ば１３．５６ＭＨｚで１７００Ｗのプラズマ生成用高周
波電力を出力する高周波電源１５６が接続されている。
【００３３】また，下部電極１０６の載置面に対向する
処理室１０２の天井部には，接地された上部電極１５８
が配置されている。また，上部電極１５８は，多数のガ
ス吐出孔１５８ａが形成されており，このガス吐出孔１
５８ａには，不図示の処理ガス供給源と連通する処理ガ
ス供給管１６０が接続されている。従って，処理ガス供
給源から，例えば１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と，５０ｓｃｃ
ｍのＣＯと，３００ｓｃｃｍのＡｒと，５ｓｃｃｍのＯ
2との混合ガスが，ガス吐出孔１５８ａを介して処理室
１０２内に供給される。また，処理容器１０４の下部に
は，不図示の真空引き機構と連通する第２排気管１６２
が接続されており，その真空引き機構の作動により，処
理室１０２内は，例えば４０ｍＴｏｒｒの減圧雰囲気に
維持される。
【００３４】（２）内側リング体の温度とプラズマ中の
ラジカル分布との関係 次に，図３を参照しながら，内側リング体１１２ａの温
度と，処理室１０２内で生成されるプラズマ中のラジカ
ル分布との関係について説明する。なお，図３（ａ）
は，ウェハＷの中心から半径方向の処理室１０２内を示
す概略的な断面図で，同図中の矢印は処理室１０２内の
ガスの流れを概略的に示しており，また図３（ｂ）は，
図３（ａ）に対応する処理室１０２内のラジカル分布を
示している。
【００３５】図３（ａ）に示すように，ガス吐出孔１５
８ａからウェハＷ方向に吐出されたガスは，ウェハＷの
半径方向に流れた後，リング体１１２付近で流れを変
え，図１に示す第２排気管１６２から排気される。ま
た，内側リング体１１２ａは，上記の如く導電性材料か
ら形成されているため，ウェハＷと同様にプラズマ中の
イオンが激しく衝突し，非常に加熱され易い。従って，
本実施の形態とは異なり，内側リング体１１２ａと下部
電極１０６との間に伝熱ガスを供給しない場合には，処
理時の減圧雰囲気下では，内側リング体１１２ａと下部
電極１０６との間の熱伝導率が非常に低いため，内側リ
ング体１１２ａに生じた熱が下部電極１０６に吸収され
難く，内側リング体１１２ａが例えば２５０℃程度にま
で加熱される。さらに，その内側リング体１１２ａが高
温になると，図３（ｂ）に実線で示すように，内側リン
グ体１１２ａ周辺のラジカルの密度が低下し，内側リン
グ体１１２ａに隣接して配されるウェハＷの外縁部のエ
ッチングレートも低下して，ウェハＷの中央部と外縁部
とで処理にバラツキが生じてしまう。
【００３６】そこで，本実施の形態の如く，内側リング
体１１２ａと下部電極１０６との間にＨｅなどの伝熱ガ
スを供給すれば，処理時の減圧雰囲気下でも，それら内
側リング体１１２ａと下部電極１０６との間の熱伝導率
を高めることができるため，内側リング体１１２ａで生
じた熱を下部電極１０６に確実に吸収させることができ
る。
【００３７】（３）伝熱ガスの供給構成 次に，図１，図２および図４を参照しながら，ウェハＷ
と静電チャック１０８との間と，内側リング体１１２ａ
と下部電極１０６との間に供給するＨｅの供給構成につ
いて説明する。まず，プラズマ生成前に，図１に示す下
部電極１０６の静電チャック１０８上に載置されたウェ
ハＷの温度が第１温度センサ１４２で検出されると共
に，内側リング体１１２ａの温度が第２温度センサ１４
４で検出され，それら各温度情報が制御器１４０に伝達
される。この際，下部電極１０６は，例えば−２０℃に
維持されている。また，制御器１４０は，それら各温度
情報に基づいて，ウェハＷの全面と内側リング体１１２
ａの温度が略同一になるように，内側リング体１１２ａ
と下部電極１０６との間と，ウェハＷと静電チャック１
０８との間に供給するＨｅの圧力を，第１〜第３圧力調
整ユニット１６４，１６６，１８６によって調整する。
これにより，所定圧力に調整されたＨｅが，第１ガス供
給孔１１４からウェハＷの中央部と静電チャック１０８
との間に供給され，第２ガス供給孔１１６からウェハＷ
の外縁部と静電チャック１０８との間に供給され，第３
ガス供給孔１３０から内側リング体１１２ａと下部電極
１０６との間に供給され，ウェハＷの温度と内側リング
体１１２ａの温度が略同一となる。
【００３８】また，上記各Ｈｅの圧力は，それぞれに対
応する第１〜第３圧力調整ユニット１６４，１６６，１
８６により，常時上記設定値に維持されている。例え
ば，図２に示す第１圧力調整ユニット１６４と同一に構
成された第３圧力調整ユニット１８６を例に挙げて説明
すると，内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間
の圧力，すなわち第３ガス供給孔１３０から供給される
Ｈｅの圧力は，圧力計１６８で常時測定されており，そ
の測定された圧力情報は，圧力調整バルブ１７２に伝達
されている。また，圧力調整バルブ１７２は，圧力計１
６８で測定された実圧力値と，制御器１４０により設定
された設定圧力値とを比較し，それら実圧力値と設定圧
力値とが略同一になるように，該圧力調整バルブ１７２
の開度を調整している。従って，上記実圧力値が設定圧
力値よりも大きい場合には，圧力調整バルブ１７２を開
放して，第３ガス供給管１３２内のＨｅを第１排気管１
７０を介して排気し，内側リング体１１２ａと下部電極
１０６との間の圧力を低下させることにより，該圧力と
上記設定圧力値とを略同一にする。また，第１および第
２圧力調整ユニット１６４，１６６も上述の如く第３圧
力調整ユニット１８６略同一に構成されているので，ウ
ェハＷと静電チャック１０８との間の圧力も常時設定圧
力値に維持されている。
【００３９】次いで，プラズマ処理を開始すると，例え
ば図４に示すように，ウェハＷの温度が上昇し，変化す
る。なお，同図は，複数のウェハＷに連続的にエッチン
グ処理を施した際の各ウェハＷの温度変化を示す概略的
な説明図であり，同図中のＷ−＃１〜Ｗ−＃ｎは，各ウ
ェハＷの番号を示している。ここで，ウェハＷの温度変
化について説明すると，連続処理開始直後のウェハＷ−
＃１の温度は，プラズマ生成前には，下部電極１０６と
略同一の−２０℃程度に維持されており，処理後には，
処理時間に比例して上昇し，例えば３分間の処理が終了
した直後には，７０℃程度にまで上昇する。
【００４０】また，次に処理を施すウェハＷ−＃２の温
度は，プラズマ生成前にすでに上記ウェハＷ−＃１より
も高い−１０℃程度となる。これは，静電チャック１０
８の構成部材に熱伝導率の低いポリイミド製の薄膜１０
８ｂを採用しているためであり，ウェハＷの搬入出等に
より，ウェハＷ−＃１の処理終了後からウェハＷ−＃２
の処理開始までに，例えば３０秒〜１分程度の間隔が空
いていても，静電チャック１０８のチャック面の熱が下
部電極１０６に十分に吸収されないためである。さら
に，上記理由により，ウェハＷ−＃２の処理中および処
理終了直後の温度も，ウェハＷ−＃１よりも相対的に高
くなり，処理終了直後には，８０℃程度にまで上昇す
る。以下同様に，ウェハＷ−＃５までは，ウェハＷの温
度は，処理回数に比例して，処理前〜処理直後の温度が
相対的に上昇する。また，ウェハＷ−＃５〜ウェハＷ−
＃ｎの温度は，同図に示すプロフィルの如く，略同一に
変化する。
【００４１】そして，本実施の形態では，図４に示すよ
うに変化するウェハＷの温度と内側リング体１１２ａの
温度を，それぞれに対応する第１温度センサ１４２と第
２温度センサ１４４で常時検出し，それらウェハＷの温
度と内側リング体１１２ａの温度が実質的に同一になる
ように，第３圧力調整ユニット１８６を適宜調整して，
内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間に所定圧
力のＨｅを供給する。かかる構成により，内側リング体
１１２ａの温度も，図４に示すウェハＷの温度と略同一
に変化する。その結果，図３（ｂ）に示す太字点線のよ
うに，内側リング体１１２ａ上方のラジカル密度を均一
にすることができ，ウェハＷの全面に均一なエッチング
処理を施すことができる。
【００４２】また，ウェハＷは，静電チャック１０８に
よって該チャック面に吸着保持されているが，ウェハＷ
の外縁部は，該中央部よりもウェハＷとチャック面との
間に供給されるＨｅが流出し易いために，ウェハＷの中
央部よりも温度が相対的に高くなり易い。そこで，本実
施の形態では，ウェハＷの中央部とチャック面との間に
Ｈｅを供給する第１ガス吐出孔と１１４と，ウェハＷの
外縁部とチャック面との間にＨｅを供給する第２ガス吐
出孔１１６とを，個別独立に形成し，ウェハＷの中央部
とその外縁部とで各々異なる圧力のＨｅを供給する。
【００４３】例えば，ウェハＷの表面温度を，該表面に
形成されたフォトレジストが損傷しない温度である１１
０℃程度以下に設定する場合には，ウェハＷの中央部と
チャック面中央部との間に７Ｔｏｒｒ程度のＨｅを適宜
供給し，ウェハＷの外縁部とチャック面の外縁部との間
に４０Ｔｏｒｒ程度のＨｅを適宜供給する。
【００４４】（４）ヒータの制御構成 次に，再び図１を参照しながら，外側リング体１１２ｂ
に内装されたヒータ１４８の制御構成について説明す
る。外側リング体１１２ｂは，内側リング体１１２ａと
は異なり，絶縁性材料から形成されているため，プラズ
マ雰囲気に曝されてもプラズマ中のイオンがあまり衝突
せず，上記の如く複数のウェハＷに連続的に処理を行う
場合でも，外側リング体１１２ｂの温度上昇は，緩慢で
ある。すなわち，外側リング体１１２ｂの温度は，所定
枚数のウェハＷに処理を施した後には，１５０℃〜２０
０℃程度にまで上昇し，安定するが，連続処理の開始か
ら５枚〜１０枚程度のウェハＷに処理を施した後でない
と，上記温度で安定しない。その結果，外側リング体１
１２ｂの温度上昇中には，内側リング体１１２ａの周辺
のラジカル密度が一定にならず，ウェハＷの処理に影響
を及ぼす。
【００４５】そこで，外側リング体１１２ｂの温度を，
ヒータ１４８によって処理開始前に予め，例えば１８０
℃程度まで加熱すると共に，その外側リング体１１２ｂ
が上記所定温度に達した後は，外側リング体１１２ｂが
その１８０℃程度の温度に維持されるように，制御器１
４０が第３温度センサ１４６で検出された外側リング体
１１２ｂの温度情報に基づいてヒータ１４８を調整し，
外側リング体１１２ｂの温度を制御する。また，外側リ
ング体１１２ｂは，内側リング体１１２ａとは異なり，
絶縁性材料から形成されているため，上記イオンの衝突
に起因する発熱は比較的少なく，また外側リング体１１
２ｂで生じた熱は，下部電極１０６に放熱され易いた
め，ヒータ１４８の発熱量の調整のみで，外側リング体
１１２ｂを所定温度に維持することができる。その結
果，ウェハＷ上と内側リング体１１２ａ周辺のラジカル
密度を安定化することができる。
【００４６】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，処理開始直後からウェハＷ上とリング体１１２周
辺のラジカル密度を均一化することができるので，ウェ
ハＷの中央部と外縁部とでエッチングレートに差が生じ
ることがなく，ウェハＷ全面に均一な処理を施すことが
できると共に，スループットを向上させることができ
る。
【００４７】（第２の実施の形態）次に，図５を参照し
ながら，本発明を適用可能な第２の実施の形態のエッチ
ング装置２００について説明する。なお，上述した第１
の実施の形態にかかるエッチング装置１００と略同一の
機能および構成を有する構成要素については，同一の符
号を付することにより，重複説明を省略する。
【００４８】本実施の形態のエッチング装置２００は，
ウェハＷの外縁部とチャック面との間と，内側リング体
１１２ａと下部電極１０６との間に供給するＨｅの圧力
を，一の圧力調整機構で調整することを特徴としてい
る。すなわち，エッチング装置２００の下部電極２０２
には，図示の例では，上記第３ガス供給孔１３０と第２
ガス供給管１２０に接続される第３ガス供給管２０４が
内装されている。従って，ガス供給源１３８から供給さ
れるＨｅは，第２圧力調整ユニット１６６で所定圧力，
例えば４０Ｔｏｒｒ程度に調整された後，第２ガス供給
管１２０と第２ガス供給孔１１６を介して，ウェハＷの
外縁部と静電チャック１０８との間に供給されると共
に，さらに第２ガス供給管１２０と第３ガス供給管２０
４と第３ガス供給孔１３０を介して，内側リング体１１
２ａと下部電極２０２との間にも供給される。なお，そ
の他の構成は，上記エッチング装置１００と略同一に構
成されている。
【００４９】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，第２および第３ガス供給孔１１６，１３０からそ
れぞれ供給するＨｅの圧力を第２圧力調整ユニット１６
６で行い，該Ｈｅの供給系を共有したので，内側リング
体１１２ａの温度とウェハＷの温度とを比較的近い温度
に設定することができると共に，装置構成を簡素化する
ことができ，装置の生産コストも削減することができ
る。また，図示の如く，第２ガス供給管１２０と第３ガ
ス供給管２０４とを下部電極２０２内で接続すれば，上
記従来のエッチング装置からの構成変更を最小限に止め
ることができ，容易に実施することができる。
【００５０】（第３の実施の形態）次に，図６を参照し
ながら，本発明を適用可能な第３の実施の形態のエッチ
ング装置５００について説明する。なお，本実施の形態
においても，上述した第１の実施の形態にかかるエッチ
ング装置１００と略同一の機能および構成を有する構成
要素については，同一の符号を付することにより，重複
説明を省略する。
【００５１】エッチング装置５００の第３ガス供給孔１
３０は，第３ガス供給管５０２を介して，第２ガス供給
孔１１６と第２圧力調整ユニット１６６との間の第２ガ
ス供給管１２０に接続されている。さらに，その第３ガ
ス供給管５０２には，制御器１４０に接続されている第
１可変バルブ５０４が介装されている。また，第３ガス
供給管５０２の第３ガス供給孔１３０と第１可変バルブ
５０４との間には，接続管５０６が接続されており，こ
の接続管５０６は，第１ガス供給管１１８の第１ガス供
給孔１１４と第１圧力調整ユニット１６４との間にも接
続されている。さらに，接続管５０６には，制御器１４
０に接続されている第２可変バルブ５０６が介装されて
いる。
【００５２】かかる構成により，制御器１４０によって
第１および第２可変バルブ５０４，５０６の開度を適宜
調整すれば，例えば７Ｔｏｒｒ程度のＨｅが第１可変バ
ルブ５０４で所定圧力に調整された後，接続管５０６を
介して第３ガス供給管５０２に供給され，また例えば４
０Ｔｏｒｒ程度のＨｅが第２可変バルブ５０６で所定圧
力に調整された後，第２ガス供給管１２０を介して第３
ガス供給管５０２に供給される。その結果，第３ガス供
給孔１３０を介して内側リング体１１２ａと下部電極１
０６との間に適宜所定圧力の伝熱ガスを供給することが
できる。なお，その他の構成は，上記エッチング装置１
００と略同一に構成されている。
【００５３】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，上記第２の実施の形態にかかるエッチング装置２
００と同様に，第３ガス供給管５０２に独立した圧力調
整ユニットを接続する必要がないので，装置構成を簡素
化することができる。また，内側リング体１１２ａと下
部電極１０６との間に供給するＨｅの圧力は，第１およ
び第２可変バルブ５０４，５０６で適宜調整できるの
で，内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間の熱
伝導率を所望の状態に設定することができ，内側リング
体１１２ａの温度とウェハＷの温度とを比較的近い値に
することができる。
【００５４】（第４の実施の形態）次に，図７を参照し
ながら，本発明を適用可能な第４の実施の形態のエッチ
ング装置３００について説明する。なお，本実施の形態
においても，上述した第１の実施の形態にかかるエッチ
ング装置１００と略同一の機能および構成を有する構成
要素については，同一の符号を付することにより，重複
説明を省略する。ただし，上記第１〜第３の実施の形態
にかかるエッチング装置１００，２００，５００は，内
側リング体１１２ａと下部電極１０６との間にＨｅを供
給するが，これに対して本実施の形態のエッチング装置
３００は，内側リング体１１２ａと下部電極１０６との
間に，静電チャック１０８を介したウェハＷと下部電極
１０６との熱伝導率と，内側リング体１１２ａと下部電
極１０６との間の熱伝導率とを略同一にする熱伝導率調
整部材を介装することを特徴としている。
【００５５】すなわち，エッチング装置３００の内側リ
ング体１１２ａと下部電極１０６との間には，それら内
側リング体１１２ａと下部電極１０６との間の熱伝導率
をＲとし，静電チャック１０８上に載置されたウェハＷ
と下部電極１０６との間の熱伝導率をＷとし，内側リン
グ体１１２ａの上面（処理室１０２側露出面）の面積を
Ｓ1とし，内側リング体１１２ａの底面（下部電極１０
６との接触面）の面積をＳ2とした場合に， Ｒ ＝ Ｗ × Ｓ1／Ｓ2 を満たす熱伝導率を有する材料膜３０２を介装する。な
お，その他の構成は，上記エッチング装置１００と略同
一に構成されている。
【００５６】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間に
上記材料膜３０２を介装したので，ウェハＷの温度と内
側リング体１１２ａの温度を略同一にすることができ，
上記第１〜第３の実施の形態と同様に，ウェハＷ全面に
均一な処理を施すことができる。また，エッチング装置
に，内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間に伝
熱ガスを供給するガス供給機構を設ける必要がないた
め，エッチング装置の生産コストの上昇を抑えることが
できる。
【００５７】（第５の実施の形態）次に，図８を参照し
ながら，本発明を適用可能な第５の実施の形態のエッチ
ング装置４００について説明する。なお，本実施の形態
においても，上述した第１の実施の形態にかかるエッチ
ング装置１００と略同一の機能および構成を有する構成
要素については，同一の符号を付することにより，重複
説明を省略する。
【００５８】同図に示すエッチング装置４００のリング
体４０２は，上記内側リング体１１２ａと略同一の導電
性材料から形成された略環状の内側リング体４０４と，
上述した外側リング体１１２ｂから構成されている。こ
の内側リング体４０４には，ネジ４０６を挿入可能な複
数の貫通孔４０４ａが形成されていると共に，貫通孔４
０４ａの処理室１０２側に該貫通孔４０４ａと連通する
座ぐり穴４０４ｂが形成されている。また，内側リング
体１１２ａと下部電極１０６との間には，熱伝導率の高
い材料，例えば表面にＡｌ2Ｏ3膜が形成されたアルミニ
ウム板４０８が介装される。さらに，アルミニウム板４
０８には，上記貫通孔４０４ａに対応して，ネジ４０６
を挿入可能な貫通孔４０８ａが形成されている。
【００５９】また，内側リング体４０４の取り付け時に
は，アルミニウム板４０８と下部電極１０６とを不図示
の熱伝導テープ（シート）で密着させると共に，内側リ
ング体４０４とアルミニウム板４０８とを不図示の接着
剤で密着させる。さらに，アルミニウム板４０８を複数
のネジ４０６で下部電極１０６に密着，固定する。そし
て，ネジ４０６の取り付け後，座ぐり穴４０４ｂに内側
リング体４０４と略同一の材料から成るネジカバー４１
０を嵌装し，内側リング体４０４の上面を平坦化する。
なお，その他の構成は，上記エッチング装置１００と略
同一に構成されている。
【００６０】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，各ネジ４０６の締め付けトルクを適宜調整するこ
とにより，アルミニウム板４０８の下部電極１０６に対
する押圧力，すなわちアルミニウム板４０８と下部電極
１０６との密着性を調整できるので，そのアルミニウム
板４０８に接着された内側リング体４０４の熱伝導率を
所望の状態に設定することができる。その結果，ウェハ
Ｗの温度と内側リング体４０４の温度を略同一にするこ
とができるので，ウェハＷの全面に均一な処理を施すこ
とができる。また，内側リング体４０４自体は，ネジ４
０６で締結しないので，その内側リング体４０４が損傷
することもない。
【００６１】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。
【００６２】例えば，上記実施の形態において，内側リ
ング体と外側リング体から成るリング体を採用した構成
を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定さ
れるものではなく，導電性リング体単独でも本発明を適
用することができる。
【００６３】また，上記実施の形態において，制御器が
温度センサによって検出された温度情報に基づいて圧力
調整ユニットを調整する構成を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されるものではない。例え
ば，予めダミーウェハにエッチング処理を施して内側リ
ング体や外側リング体の温度変化曲線を求めて，制御器
に設定しておく。そして，通常の処理時には，その予め
求められた温度変化曲線に基づいて，上述した圧力調整
ユニットや，ヒータの発熱量を調整しても良い。かかる
構成によれば，実際の処理時にウェハやリング体の温度
を検出する温度センサをエッチング装置に設ける必要が
ないので，エッチング装置の生産コストを削減すること
ができる。
【００６４】さらに，上記実施の形態において，ウェハ
と静電チャックとの間と，内側リング体と下部電極との
間に伝熱ガスを供給する構成を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されるものではなく，さらに
外側リング体と下部電極との間にも伝熱ガスを供給する
構成を採用しても，本発明を適用することができる。
【００６５】また，上記実施の形態において，ポリイミ
ド製の静電チャックを採用する構成を例に挙げて説明し
たが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，
例えばセラミック製の静電チャックをエッチング装置に
採用する場合でも，本発明を実施することができる。
【００６６】さらに，上記実施の形態において，外側リ
ング体にヒータを内装した構成を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，上
記ヒータなどの加熱手段が設けられていない外側リング
体を採用する場合でも，本発明を実施することができ
る。
【００６７】また，上記実施の形態において，下部電極
のみに高周波電力を印加するエッチング装置を例に挙げ
て説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもので
はなく，下部電極と上部電極の両方や，上部電極のみに
高周波電力を印加するエッチング装置にも本発明を適用
することができ，さらに上記エッチング装置に限られ
ず，アッシング装置やＣＶＤ装置などの各種プラズマ処
理装置にも適用することができる。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば，電極上に載置される被
処理体の周囲を囲むように配置される内側リング体と外
側リング体の温度と，その被処理体の温度を略同一にす
ることができるので，被処理体の中央部および外縁部の
周辺のラジカル密度を均一化することができ，被処理体
の全面に均一な処理を施すことができる。その結果，被
処理体の外縁部のぎりぎりまで素子を形成することがで
きるので，特に大型の被処理体に処理を施す場合の歩留
りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略
的な断面図である。
【図２】図１に示す圧力調整ユニットを説明するための
概略的な説明図である。
【図３】図３（ａ）は，図１に示すエッチング装置のウ
ェハの中心から半径方向の処理室内を表す概略的な断面
図であり，また図３（ｂ）は，図３（ａ）に対応する処
理室内のラジカル分布を表す概略的な説明図である。
【図４】図１に示すエッチング装置で複数のウェハに連
続的にエッチング処理を施した際の各ウェハの温度変化
を表す概略的な説明図である。
【図５】本発明を適用可能な他のエッチング装置を示す
概略的な断面図である。
【図６】本発明を適用可能な他のエッチング装置を示す
概略的な断面図である。
【図７】本発明を適用可能な他のエッチング装置を示す
概略的な断面図である。
【図８】本発明を適用可能な他のエッチング装置を示す
概略的な断面図である。
【符号の説明】
１００ エッチング装置 １０２ 処理室 １０６ 下部電極 １０８ 静電チャック １１２ リング体 １１２ａ 内側リング体 １１２ｂ 外側リング体 １１４ 第１ガス供給孔 １１６ 第２ガス供給孔 １３０ 第３ガス供給孔 １３８ ガス供給源 １４０ 制御器 １４２ 第１温度センサ １４４ 第２温度センサ １４６ 第３温度センサ １４８ ヒータ １５２ 冷媒循環路 １５８ 上部電極 １６４ 第１圧力調整ユニット １６６ 第２圧力調整ユニット １８６ 第３圧力調整ユニット Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 博之 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 樋口 公博 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 丸山 幸児 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DA16 DA19 DA20 DD02 DD08 DE06 DG14 DM03 DM08 DM35 DM39 DN01 5F004 BA04 BB13 BB22 BB25 BB26 BC03 CA02 CA04 CA08 CB12 5F031 FF03 GG10 GG20 KK03 KK06 5F045 AA08 BB01 DP03 EE17 EH13 EJ03 EK21 EM05 GB05 GB06

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理室内に配された電極上に載置される
    被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
    において：前記電極に設けられる温度調整手段と；少な
    くとも前記電極上に載置される前記被処理体の周囲を囲
    むように配置される導電性リング体と，前記導電性リン
    グ体の周囲を囲むように配置される絶縁性リング体とか
    らなるリング体と；少なくとも前記導電性リング体と前
    記電極との間に伝熱ガスを供給する第１ガス供給経路
    と；前記伝熱ガスの供給圧力を調整する圧力調整手段
    と；前記圧力調整手段を制御する第１制御手段と；を備
    えることを特徴とする，プラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記第１制御手段は，少なくとも前記導
    電性リング体の温度と前記被処理体の温度とが略同一に
    なるように，前記圧力調整手段を制御することを特徴と
    する，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記第１制御手段は，少なくとも前記導
    電性リング体の温度と前記被処理体の温度とを測定する
    温度センサで検出された温度情報に基づいて前記圧力調
    整手段を制御することを特徴とする，請求項１または２
    のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記電極には，少なくとも前記被処理体
    と前記電極との間に伝熱ガスを供給し，前記第１ガス供
    給経路と個別独立に形成された１または２以上の第２ガ
    ス供給経路が設けられることを特徴とする，請求項１，
    ２または３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 さらに，少なくとも前記絶縁性リング体
    に設けられる加熱手段と；前記加熱手段を制御する第２
    制御手段と；を備えることを特徴とする，請求項１，
    ２，３または４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 処理室内に配された電極上に載置される
    被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
    において：前記電極に設けられる温度調整手段と；前記
    電極上に載置される前記被処理体の周囲を囲むように配
    置される導電性リング体と；少なくとも前記導電性リン
    グ体と前記電極との間に伝熱ガスを供給する第１ガス供
    給経路と；前記第１ガス供給経路と連通し，少なくとも
    前記被処理体と前記電極との間に前記伝熱ガスを供給す
    る第２ガス供給経路と；前記伝熱ガスの供給圧力を調整
    する圧力調整手段と；前記圧力調整手段を制御する制御
    手段と；を備えることを特徴とする，プラズマ処理装
    置。
  7. 【請求項７】 処理室内に配された電極の載置面に形成
    された静電チャック上に載置される被処理体に対してプ
    ラズマ処理を施すプラズマ処理装置において：前記電極
    に設けられる温度調整手段と；前記静電チャック上に載
    置される前記被処理体の周囲を囲むように配置される導
    電性リング体と；少なくとも前記電極と前記導電性リン
    グ体との間に介装され，前記電極と前記導電性リング体
    との間の熱伝導率を，前記電極と前記被処理体との間の
    熱伝導率と略同一にする熱伝導率調整部材と；を備える
    ことを特徴とする，プラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 処理室内に配された電極上に載置される
    被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
    において：前記電極に設けられる温度調整手段と；前記
    電極上に載置される前記被処理体の周囲を囲むように配
    置される導電性リング体と；少なくとも前記導電性リン
    グ体を前記電極に対して押圧すると共に，前記導電性リ
    ングの押圧力を調整可能な押圧手段と；を備えることを
    特徴とする，プラズマ処理装置。
  9. 【請求項９】 処理室内に配された電極上に載置される
    被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法
    において：前記電極に設けられる温度調整手段を調整
    し，前記電極を所定温度に設定する工程と；前記電極上
    に載置される前記被処理体の周囲を囲むように配される
    導電性リング体と，前記電極との間に伝熱ガスを供給す
    る工程と；前記被処理体の温度と前記導電性リング体の
    温度とが略同一になるように，前記伝熱ガスの供給圧力
    を調整する工程と；を含むことを特徴とする，プラズマ
    処理方法。
  10. 【請求項１０】 処理室内に配された電極上に載置され
    る被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方
    法において，前記電極に設けられる温度調整手段により
    温度が調整される前記被処理体の温度と，前記電極上に
    載置される前記被処理体の周囲を囲むように配される導
    電性リング体の温度とを略同一にして前記プラズマ処理
    を行うことを特徴とする，プラズマ処理方法。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016126A (ja) * 2000-04-25 2002-01-18 Tokyo Electron Ltd 被処理体の載置装置
WO2002007212A1 (fr) * 2000-07-17 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Dispositif de maintien pour corps traite
JP2002184850A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Rohm Co Ltd プロセス装置におけるウェハ温度の制御方法
JP2003529931A (ja) * 2000-03-31 2003-10-07 ラム リサーチ コーポレーション ポリシリコンのエッチングの均一性を向上し、エッチング速度の変動を低減するための方法
KR100425445B1 (ko) * 2001-04-24 2004-03-30 삼성전자주식회사 플라즈마 에칭 챔버 및 이를 이용한 포토마스크 제조 방법
JP2004119448A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Nec Kyushu Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2004228565A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部品および半導体製造装置
JP2005085547A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
KR100489508B1 (ko) * 2002-06-10 2005-05-16 황정남 저온 플라즈마 발생 장치 및 방법
JP2006127900A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Kyocera Corp 環状ヒータ
US7102872B2 (en) 2003-07-24 2006-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatic chuck
KR100635975B1 (ko) * 2000-02-14 2006-10-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
US7175242B2 (en) 2003-08-22 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
KR100739569B1 (ko) * 2000-12-21 2007-07-13 삼성전자주식회사 플라즈마 에칭 장치
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
KR100975665B1 (ko) 2008-01-25 2010-08-17 (주)에스이 플라즈마 양산용 상압 플라즈마 발생장치
KR101001313B1 (ko) * 2008-11-14 2010-12-14 세메스 주식회사 웨이퍼 플라즈마 처리장치
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US8038837B2 (en) 2005-09-02 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member
US20120006492A1 (en) * 2001-07-10 2012-01-12 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
JP2012134375A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8298371B2 (en) 2007-03-28 2012-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2014187402A (ja) * 2009-02-05 2014-10-02 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2014222786A (ja) * 2008-08-15 2014-11-27 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 温度制御式ホットエッジリング組立体
JP2018506175A (ja) * 2014-12-18 2018-03-01 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 加工物の温度均一性を向上させる装置
JP2019091756A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 サムコ株式会社 ステージおよびプラズマ処理装置
JP2019534571A (ja) * 2016-11-03 2019-11-28 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 静電気的にクランプされたエッジリング
US10529539B2 (en) 2004-06-21 2020-01-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8114245B2 (en) * 1999-11-26 2012-02-14 Tadahiro Ohmi Plasma etching device
JP4676074B2 (ja) * 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
JP4219628B2 (ja) * 2001-07-27 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および基板載置台
KR101141488B1 (ko) * 2003-03-21 2012-05-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리중의 기판이면(裏面) 증착 감소방법 및 장치
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20040244949A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-09 Tokyo Electron Limited Temperature controlled shield ring
US20050016467A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for dry chamber temperature control
TW200520019A (en) * 2003-12-12 2005-06-16 Ind Tech Res Inst Control device of substrate temperature
US7713431B2 (en) * 2004-06-10 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
TWI447802B (zh) * 2004-06-21 2014-08-01 Tokyo Electron Ltd A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a computer-readable recording medium
JP4723871B2 (ja) * 2004-06-23 2011-07-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ ドライエッチング装置
KR20060037822A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 고밀도플라즈마 화학기상증착 장치 및 그를 이용한반도체소자의 제조 방법
CN101483138B (zh) * 2005-09-30 2011-06-22 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法
US7956310B2 (en) * 2005-09-30 2011-06-07 Tokyo Electron Limited Stage, substrate processing apparatus, plasma processing apparatus, control method for stage, control method for plasma processing apparatus, and storage media
US7749400B2 (en) * 2005-12-16 2010-07-06 Jason Plumhoff Method for etching photolithographic substrates
TWI354320B (en) * 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
CN100468619C (zh) * 2006-08-23 2009-03-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 刻蚀设备的控温装置及其控制晶片温度的方法
GB0624740D0 (en) * 2006-12-12 2007-01-17 Micromass Ltd Mass spectrometer
JP2008243937A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP5035884B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
JP5269335B2 (ja) 2007-03-30 2013-08-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100884333B1 (ko) * 2007-04-03 2009-02-18 세메스 주식회사 기판 지지 부재, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2008311351A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
US7837827B2 (en) * 2007-06-28 2010-11-23 Lam Research Corporation Edge ring arrangements for substrate processing
JP5255936B2 (ja) * 2008-07-18 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置
WO2010030718A2 (en) * 2008-09-11 2010-03-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for monitoring and controlling a plasma process with an ion mobility spectrometer
JP5203986B2 (ja) * 2009-01-19 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリングの加熱方法、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
US8139340B2 (en) * 2009-01-20 2012-03-20 Plasma-Therm Llc Conductive seal ring electrostatic chuck
US8486221B2 (en) * 2009-02-05 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method
KR101359070B1 (ko) * 2009-03-03 2014-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조, 성막 장치 및 원료 회수 방법
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
KR101108337B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-25 주식회사 디엠에스 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치
JP5719599B2 (ja) * 2011-01-07 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5732941B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP5741124B2 (ja) * 2011-03-29 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20120309115A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for supporting and controlling a substrate
CN102953045B (zh) * 2011-08-25 2014-04-09 沈阳金研机床工具有限公司 化学气相沉积法涂层系统及工艺
US9018022B2 (en) * 2012-09-24 2015-04-28 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus
JP2014107387A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びフォーカスリングを保持する方法
CN103928372B (zh) * 2014-04-22 2017-01-11 上海华力微电子有限公司 一种抗腐蚀的晶圆清洗装置
KR101600265B1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 화학기상증착장치
CN105742203B (zh) * 2014-12-10 2019-08-13 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备
US10515786B2 (en) * 2015-09-25 2019-12-24 Tokyo Electron Limited Mounting table and plasma processing apparatus
CN106683969B (zh) * 2015-11-06 2018-09-11 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理装置运行方法
CN106920725B (zh) * 2015-12-24 2018-10-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法
US10770309B2 (en) 2015-12-30 2020-09-08 Mattson Technology, Inc. Features for improving process uniformity in a millisecond anneal system
US10109464B2 (en) * 2016-01-11 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Minimization of ring erosion during plasma processes
JP2017126727A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 東京エレクトロン株式会社 載置台の構造及び半導体処理装置
JP2018063974A (ja) 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台
US10199252B2 (en) * 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
WO2019055162A1 (en) * 2017-09-18 2019-03-21 Mattson Technology, Inc. COOLED FOCUSING RING FOR A PLASMA PROCESSING APPARATUS
KR102242812B1 (ko) * 2018-05-17 2021-04-22 세메스 주식회사 반송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR102277809B1 (ko) * 2019-07-15 2021-07-14 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
US11894255B2 (en) 2019-07-30 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Sheath and temperature control of process kit
KR102697630B1 (ko) 2019-10-15 2024-08-23 삼성전자주식회사 식각 장치
US11600511B2 (en) * 2020-03-19 2023-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN114695048A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件和包含下电极组件的等离子体处理装置
KR102572570B1 (ko) * 2021-07-02 2023-08-29 광운대학교 산학협력단 멀티존 열전달 구조물을 이용한 기판 처리 장치 및 온도 제어 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904506A (en) * 1972-11-13 1975-09-09 Shatterproof Glass Corp Apparatus for continuous production of sputter-coated glass products
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
US5411624A (en) * 1991-07-23 1995-05-02 Tokyo Electron Limited Magnetron plasma processing apparatus
JPH05217951A (ja) 1991-10-24 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JP3257741B2 (ja) * 1994-03-03 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及び方法
JPH07310187A (ja) 1994-05-16 1995-11-28 Kobe Steel Ltd プラズマ処理装置
US5891350A (en) * 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
JP3208044B2 (ja) * 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW323387B (ja) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH09129612A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Tokyo Electron Ltd エッチングガス及びエッチング方法
US5748434A (en) * 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
JP3013782B2 (ja) 1996-07-30 2000-02-28 関西日本電気株式会社 ドライエッチング装置
JP3374033B2 (ja) * 1997-02-05 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH10303288A (ja) * 1997-04-26 1998-11-13 Anelva Corp プラズマ処理装置用基板ホルダー
KR100292410B1 (ko) * 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635975B1 (ko) * 2000-02-14 2006-10-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
JP2003529931A (ja) * 2000-03-31 2003-10-07 ラム リサーチ コーポレーション ポリシリコンのエッチングの均一性を向上し、エッチング速度の変動を低減するための方法
JP4907827B2 (ja) * 2000-03-31 2012-04-04 ラム リサーチ コーポレーション ポリシリコンのエッチングの均一性を向上し、エッチング速度の変動を低減するための方法
JP2002016126A (ja) * 2000-04-25 2002-01-18 Tokyo Electron Ltd 被処理体の載置装置
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
WO2002007212A1 (fr) * 2000-07-17 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Dispositif de maintien pour corps traite
US6733624B2 (en) 2000-07-17 2004-05-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for holding an object to be processed
JP2002184850A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Rohm Co Ltd プロセス装置におけるウェハ温度の制御方法
KR100739569B1 (ko) * 2000-12-21 2007-07-13 삼성전자주식회사 플라즈마 에칭 장치
KR100425445B1 (ko) * 2001-04-24 2004-03-30 삼성전자주식회사 플라즈마 에칭 챔버 및 이를 이용한 포토마스크 제조 방법
US7601469B2 (en) 2001-04-24 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same
US9437402B2 (en) 2001-07-10 2016-09-06 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US9728381B2 (en) 2001-07-10 2017-08-08 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US20150083332A1 (en) * 2001-07-10 2015-03-26 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US8904957B2 (en) 2001-07-10 2014-12-09 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US20130174983A1 (en) * 2001-07-10 2013-07-11 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US8387562B2 (en) * 2001-07-10 2013-03-05 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
US20120006492A1 (en) * 2001-07-10 2012-01-12 Tokyo Electron Limited Plasma processor and plasma processing method
KR100489508B1 (ko) * 2002-06-10 2005-05-16 황정남 저온 플라즈마 발생 장치 및 방법
JP2004119448A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Nec Kyushu Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
JP4671262B2 (ja) * 2003-01-21 2011-04-13 日本碍子株式会社 半導体加熱装置
JP2004228565A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置用部品および半導体製造装置
US7102872B2 (en) 2003-07-24 2006-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatic chuck
US7175242B2 (en) 2003-08-22 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
JP2005085547A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US10546727B2 (en) 2004-06-21 2020-01-28 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US8603293B2 (en) 2004-06-21 2013-12-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US10529539B2 (en) 2004-06-21 2020-01-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US10854431B2 (en) 2004-06-21 2020-12-01 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US9490105B2 (en) 2004-06-21 2016-11-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP2006127900A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Kyocera Corp 環状ヒータ
JP4596883B2 (ja) * 2004-10-28 2010-12-15 京セラ株式会社 環状ヒータ
US8038837B2 (en) 2005-09-02 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member
US8414735B2 (en) 2005-09-02 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member
US8298371B2 (en) 2007-03-28 2012-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10847341B2 (en) 2007-03-28 2020-11-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10804072B2 (en) 2007-03-28 2020-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR100975665B1 (ko) 2008-01-25 2010-08-17 (주)에스이 플라즈마 양산용 상압 플라즈마 발생장치
JP2014222786A (ja) * 2008-08-15 2014-11-27 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 温度制御式ホットエッジリング組立体
KR101001313B1 (ko) * 2008-11-14 2010-12-14 세메스 주식회사 웨이퍼 플라즈마 처리장치
JP2014187402A (ja) * 2009-02-05 2014-10-02 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2012134375A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
TWI560767B (en) * 2010-12-22 2016-12-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2018506175A (ja) * 2014-12-18 2018-03-01 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 加工物の温度均一性を向上させる装置
JP2019534571A (ja) * 2016-11-03 2019-11-28 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 静電気的にクランプされたエッジリング
JP7200101B2 (ja) 2016-11-03 2023-01-06 ラム リサーチ コーポレーション 静電気的にクランプされたエッジリング
US11935776B2 (en) 2016-11-03 2024-03-19 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring
JP2019091756A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 サムコ株式会社 ステージおよびプラズマ処理装置

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