JP2000012583A - 半導体の封止成形方法 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＰＳ樹脂を用いて封止成形をするにあたっ
て、ワイヤーの曲がり不良の発生を防ぐことができる半
導体の封止成形方法を提供する。 【解決手段】 ＰＰＳ樹脂と無機充填材を含有し、ＰＰ
Ｓ樹脂を３０〜９９重量％含むＰＰＳ樹脂成形材料を、
ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融点の温度範囲に設定され
た成形金型に注入して、半導体素子１を封止成形する。
次に、ＰＰＳ樹脂の融点より８０℃以上低い温度に成形
金型を冷却した後、封止成形品を成形金型から取り出
す。ＰＰＳ樹脂成形材料を成形金型に注入する際にはＰ
ＰＳ樹脂成形材料の溶融材料の温度低下を防いで、溶融
粘度の上昇によるワイヤー２のスウィープを防止するこ
とができる。また封止成形品の取り出しの際には封止成
形品の冷却固化を十分に進めて変形が生じることを防ぐ
ことができる。
て、ワイヤーの曲がり不良の発生を防ぐことができる半
導体の封止成形方法を提供する。 【解決手段】 ＰＰＳ樹脂と無機充填材を含有し、ＰＰ
Ｓ樹脂を３０〜９９重量％含むＰＰＳ樹脂成形材料を、
ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融点の温度範囲に設定され
た成形金型に注入して、半導体素子１を封止成形する。
次に、ＰＰＳ樹脂の融点より８０℃以上低い温度に成形
金型を冷却した後、封止成形品を成形金型から取り出
す。ＰＰＳ樹脂成形材料を成形金型に注入する際にはＰ
ＰＳ樹脂成形材料の溶融材料の温度低下を防いで、溶融
粘度の上昇によるワイヤー２のスウィープを防止するこ
とができる。また封止成形品の取り出しの際には封止成
形品の冷却固化を十分に進めて変形が生じることを防ぐ
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を製造
する際の半導体の封止成形方法に関するものである。
する際の半導体の封止成形方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、リードフレームの上に半
導体素子を搭載し、半導体素子とリードフレームとの間
に金線等のワイヤーをボンディングし、そして半導体素
子とワイヤーを封止樹脂で封止成形することによって、
製造されている。
導体素子を搭載し、半導体素子とリードフレームとの間
に金線等のワイヤーをボンディングし、そして半導体素
子とワイヤーを封止樹脂で封止成形することによって、
製造されている。
【０００３】そして封止成形は、エポキシ樹脂などの熱
硬化性樹脂を用い、トランスファー成形などでおこなわ
れているが、最近では、熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂
（ポリフェニレンサルファイド樹脂）を用い、射出成形
などで封止成形を行なうことが検討されている。
硬化性樹脂を用い、トランスファー成形などでおこなわ
れているが、最近では、熱可塑性樹脂であるＰＰＳ樹脂
（ポリフェニレンサルファイド樹脂）を用い、射出成形
などで封止成形を行なうことが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
ＰＰＳ樹脂を射出成形などで封止成形する場合、ＰＰＳ
の溶融樹脂が流動する際にワイヤーが押し流されてスウ
ィープが発生し、ワイヤーが曲げられてワイヤー同士が
接触したりするおそれがあるという問題があった。
ＰＰＳ樹脂を射出成形などで封止成形する場合、ＰＰＳ
の溶融樹脂が流動する際にワイヤーが押し流されてスウ
ィープが発生し、ワイヤーが曲げられてワイヤー同士が
接触したりするおそれがあるという問題があった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ＰＰＳ樹脂を用いて封止成形をするにあたって、
ワイヤーの曲がり不良の発生を防ぐことができる半導体
の封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
あり、ＰＰＳ樹脂を用いて封止成形をするにあたって、
ワイヤーの曲がり不良の発生を防ぐことができる半導体
の封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体の封
止成形方法は、ＰＰＳ樹脂と無機充填材を含有し、ＰＰ
Ｓ樹脂を３０〜９９重量％含むＰＰＳ樹脂成形材料を、
ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融点の温度範囲に設定され
た成形金型に注入して、半導体素子を封止成形し、ＰＰ
Ｓ樹脂の融点より８０℃以上低い温度に成形金型を冷却
した後、封止成形品を成形金型から取り出すことを特徴
とするものである。
止成形方法は、ＰＰＳ樹脂と無機充填材を含有し、ＰＰ
Ｓ樹脂を３０〜９９重量％含むＰＰＳ樹脂成形材料を、
ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融点の温度範囲に設定され
た成形金型に注入して、半導体素子を封止成形し、ＰＰ
Ｓ樹脂の融点より８０℃以上低い温度に成形金型を冷却
した後、封止成形品を成形金型から取り出すことを特徴
とするものである。
【０００７】また請求項２の発明は、射出成形あるいは
射出圧縮成形で封止成形を行なうことを特徴とするもの
である。
射出圧縮成形で封止成形を行なうことを特徴とするもの
である。
【０００８】また請求項３の発明は、封止成形後の成形
金型の冷却を、自然放熱による冷却あるいは、水、油、
フロン、アンモニアから選ばれる冷媒による強制冷却で
行なうことを特徴とするものである。
金型の冷却を、自然放熱による冷却あるいは、水、油、
フロン、アンモニアから選ばれる冷媒による強制冷却で
行なうことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１０】本発明において、封止成形に用いるＰＰＳ
樹脂成形材料としては、ＰＰＳ樹脂と無機充填材を配合
した樹脂組成物を用いることができる。
樹脂成形材料としては、ＰＰＳ樹脂と無機充填材を配合
した樹脂組成物を用いることができる。
【００１１】ここで、無機充填材としては、非晶質シリ
カ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカ、アルミナ、ガ
ラス、ミルドファイバーガラス、酸化チタン、炭酸カル
シウム、クレー、マイカ、タルク、カオリン、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム等を用いることができる。
カ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカ、アルミナ、ガ
ラス、ミルドファイバーガラス、酸化チタン、炭酸カル
シウム、クレー、マイカ、タルク、カオリン、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム等を用いることができる。
【００１２】そして本発明では、ＰＰＳ樹脂成形材料と
してＰＰＳ樹脂を３０〜９９重量％含有するものを用い
るものであり、無機充填材の他にさらに無機イオン交換
体を配合するのが好ましい。無機イオン交換体は成形材
料中の不純物イオンをイオン交換して捕捉することがで
きる物質であり、特開昭５９−１７０１７３号公報等で
開示されている公知のものを使用することができるが、
次の一般式で示されるものを用いるのが好ましい。
してＰＰＳ樹脂を３０〜９９重量％含有するものを用い
るものであり、無機充填材の他にさらに無機イオン交換
体を配合するのが好ましい。無機イオン交換体は成形材
料中の不純物イオンをイオン交換して捕捉することがで
きる物質であり、特開昭５９−１７０１７３号公報等で
開示されている公知のものを使用することができるが、
次の一般式で示されるものを用いるのが好ましい。
【００１３】 ＳｂaＢｉbＯc（ＯＨ）d（ＮＯ3）e・ｎＨ2Ｏ （ただし、式中のａ，ｂはそれぞれ１〜２、ｃは１〜
７、ｄは０．２〜３、ｅは０．０５〜３、ｎは０〜２で
ある。） 上記のＰＰＳ樹脂成形材料において、３０〜９９重量％
含有されるＰＰＳ樹脂以外の１〜７０重量％は無機充填
材と無機イオン交換体であるが、無機充填材が０．９〜
６９．９重量％、無機イオン交換体が０．１〜２重量％
になるように配合するのが好ましい。ＰＰＳ樹脂の含有
量が３０重量％未満であって、無機充填材と無機イオン
交換体の合計量が７０重量％を超えると、ＰＰＳ樹脂成
形材料の溶融粘度が高くなり、このＰＰＳ樹脂成形材料
を用いて封止成形を行なう際に半導体素子とリードフレ
ームとの間にボンディングしたワイヤーが押し流され、
スウィープ不良が発生するおそれがある。
７、ｄは０．２〜３、ｅは０．０５〜３、ｎは０〜２で
ある。） 上記のＰＰＳ樹脂成形材料において、３０〜９９重量％
含有されるＰＰＳ樹脂以外の１〜７０重量％は無機充填
材と無機イオン交換体であるが、無機充填材が０．９〜
６９．９重量％、無機イオン交換体が０．１〜２重量％
になるように配合するのが好ましい。ＰＰＳ樹脂の含有
量が３０重量％未満であって、無機充填材と無機イオン
交換体の合計量が７０重量％を超えると、ＰＰＳ樹脂成
形材料の溶融粘度が高くなり、このＰＰＳ樹脂成形材料
を用いて封止成形を行なう際に半導体素子とリードフレ
ームとの間にボンディングしたワイヤーが押し流され、
スウィープ不良が発生するおそれがある。
【００１４】次に、このＰＰＳ樹脂成形材料を用いた封
止成形を説明する。まず、リードフレーム１０の上にＩ
Ｃ等の半導体素子１を搭載すると共に半導体素子１とリ
ードフレーム１０との間に金線等のワイヤー３をボンデ
ィングし、これを成形金型内にセットする。そしてＰＰ
Ｓ樹脂成形材料４を加熱溶融して成形金型に射出注入
し、図１に示すようにＰＰＳ樹脂成形材料４で半導体素
子１とワイヤー３を封止する。この射出注入の際の成形
金型の温度は、ＰＰＳ樹脂の融点から５０℃を引いた温
度と、ＰＰＳ樹脂の融点の間の温度に設定されるもので
ある。ＰＰＳ樹脂の融点が２８０℃であれば、成形金型
の温度は２３０℃〜２８０℃の範囲に設定されるもので
ある。このように成形金型の温度をＰＰＳ樹脂の融点−
５０℃〜融点の温度範囲に設定して射出注入を行なうこ
とによって、成形金型に射出注入されたＰＰＳ樹脂成形
材料の溶融材料の温度低下を防ぎ、溶融粘度の上昇によ
るワイヤー３のスウィープを防止することができるもの
である。従って、成形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点−
５０℃より低いと、ワイヤー３にスウィープが発生し易
くなる。逆に成形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点より高
い温度であると、封止成形品の外観が不良になる。また
この射出成形の際のＰＰＳ樹脂成形材料の溶融温度は２
９０℃〜３３０℃程度である。
止成形を説明する。まず、リードフレーム１０の上にＩ
Ｃ等の半導体素子１を搭載すると共に半導体素子１とリ
ードフレーム１０との間に金線等のワイヤー３をボンデ
ィングし、これを成形金型内にセットする。そしてＰＰ
Ｓ樹脂成形材料４を加熱溶融して成形金型に射出注入
し、図１に示すようにＰＰＳ樹脂成形材料４で半導体素
子１とワイヤー３を封止する。この射出注入の際の成形
金型の温度は、ＰＰＳ樹脂の融点から５０℃を引いた温
度と、ＰＰＳ樹脂の融点の間の温度に設定されるもので
ある。ＰＰＳ樹脂の融点が２８０℃であれば、成形金型
の温度は２３０℃〜２８０℃の範囲に設定されるもので
ある。このように成形金型の温度をＰＰＳ樹脂の融点−
５０℃〜融点の温度範囲に設定して射出注入を行なうこ
とによって、成形金型に射出注入されたＰＰＳ樹脂成形
材料の溶融材料の温度低下を防ぎ、溶融粘度の上昇によ
るワイヤー３のスウィープを防止することができるもの
である。従って、成形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点−
５０℃より低いと、ワイヤー３にスウィープが発生し易
くなる。逆に成形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点より高
い温度であると、封止成形品の外観が不良になる。また
この射出成形の際のＰＰＳ樹脂成形材料の溶融温度は２
９０℃〜３３０℃程度である。
【００１５】上記のように成形金型にＰＰＳ樹脂成形材
料を射出注入した後、成形金型をＰＰＳ樹脂の融点より
８０℃以上低い温度にまで冷却した後、成形金型を開い
て、封止成形して得られた封止成形品としての半導体装
置を突き出して取り出す。封止成形品を取り出す際の成
形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点から８０℃を引いた温
度よりも高いと、封止成形品の冷却固化が不十分で、成
形金型を型開きする際や、封止成形品を成形金型から突
き出す際に封止成形品が変形するおそれがある。取り出
し時の成形金型の温度の下限は特に設定されないが、生
産性やエネルギー効率の点から、室温が実質上の下限で
ある。
料を射出注入した後、成形金型をＰＰＳ樹脂の融点より
８０℃以上低い温度にまで冷却した後、成形金型を開い
て、封止成形して得られた封止成形品としての半導体装
置を突き出して取り出す。封止成形品を取り出す際の成
形金型の温度がＰＰＳ樹脂の融点から８０℃を引いた温
度よりも高いと、封止成形品の冷却固化が不十分で、成
形金型を型開きする際や、封止成形品を成形金型から突
き出す際に封止成形品が変形するおそれがある。取り出
し時の成形金型の温度の下限は特に設定されないが、生
産性やエネルギー効率の点から、室温が実質上の下限で
ある。
【００１６】ここで、成形金型の冷却は、自然放熱によ
る冷却の他に、水、油、フロン、アンモニアから選ばれ
る冷媒を用いた強制冷却で行なうことができる。また成
形は、上記のような射出成形法による他に、成形金型の
パーティングラインを少し開いた状態で金型内にＰＰＳ
樹脂成形材料を射出注入した後、成形金型を完全に閉じ
て圧縮する射出圧縮成形法で行なうようにすることもで
きる。
る冷却の他に、水、油、フロン、アンモニアから選ばれ
る冷媒を用いた強制冷却で行なうことができる。また成
形は、上記のような射出成形法による他に、成形金型の
パーティングラインを少し開いた状態で金型内にＰＰＳ
樹脂成形材料を射出注入した後、成形金型を完全に閉じ
て圧縮する射出圧縮成形法で行なうようにすることもで
きる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００１８】ＰＰＳ樹脂として呉羽化学工業社製の直鎖
型ＰＰＳ樹脂「Ｗ−２０２Ａ」（融点２８０℃）、無機
充填材として日本板ガラス社製ミルドファイバーガラス
「ＲＥＶ８」、無機イオン交換体として化学式がＳｂ2
Ｂｉ1.4Ｏ6.4（ＯＨ）0.9（ＮＯ3）0.4・０．６Ｈ2Ｏの
ものを用い、表１の配合で実施例１〜３及び比較例１〜
３のＰＰＳ樹脂成形材料を調製した。各ＰＰＳ樹脂成形
材料の３００℃での溶融粘度を表１に示す。溶融粘度の
測定は、平行平板型回転粘度計（レオメトリックサイエ
ンティフィック（Rheometric Scientific）社製「ＡＲ
ＥＳ ２ＫＦＲＴＮ１−ＦＣＯ−ＳＴＤ」を用い、測定
周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、１０ｒａｄ／ｓｅｃ、１００
ｒａｄ／ｓｅｃで行なった。
型ＰＰＳ樹脂「Ｗ−２０２Ａ」（融点２８０℃）、無機
充填材として日本板ガラス社製ミルドファイバーガラス
「ＲＥＶ８」、無機イオン交換体として化学式がＳｂ2
Ｂｉ1.4Ｏ6.4（ＯＨ）0.9（ＮＯ3）0.4・０．６Ｈ2Ｏの
ものを用い、表１の配合で実施例１〜３及び比較例１〜
３のＰＰＳ樹脂成形材料を調製した。各ＰＰＳ樹脂成形
材料の３００℃での溶融粘度を表１に示す。溶融粘度の
測定は、平行平板型回転粘度計（レオメトリックサイエ
ンティフィック（Rheometric Scientific）社製「ＡＲ
ＥＳ ２ＫＦＲＴＮ１−ＦＣＯ−ＳＴＤ」を用い、測定
周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ、１０ｒａｄ／ｓｅｃ、１００
ｒａｄ／ｓｅｃで行なった。
【００１９】そしてＰＰＳ樹脂成形材料を３００℃に加
熱溶融して、射出時間１秒の条件で射出成形用成形金型
に射出成形し、図１のようにＰＰＳ樹脂成形材料で封止
した半導体装置を成形した。この射出時の成形金型の温
度を表１に示す。次に、成形金型を表１の温度まで冷却
した後、成形金型を開いて半導体装置を突き出して脱型
した。
熱溶融して、射出時間１秒の条件で射出成形用成形金型
に射出成形し、図１のようにＰＰＳ樹脂成形材料で封止
した半導体装置を成形した。この射出時の成形金型の温
度を表１に示す。次に、成形金型を表１の温度まで冷却
した後、成形金型を開いて半導体装置を突き出して脱型
した。
【００２０】上記のように封止成形した半導体装置をＸ
線により観察し、封止成形によりワイヤーがどの程度流
れて変形したかを測定してワイヤースイープ率を算出し
た。すなわち、封止成形によってワイヤー３が図２
（ａ）の状態から図２（ｂ）の状態に変形したときに、
（ｙ／ｘ）×１００をワイヤースウィープ率とした。ま
た半導体装置の変形を評価した。半導体装置の変形の評
価は、目視で観察して外観にノックアウトピンによる変
形のあるものを「×」とし、変形のないものを「〇」と
して行なった。これらの結果を表１に示す。
線により観察し、封止成形によりワイヤーがどの程度流
れて変形したかを測定してワイヤースイープ率を算出し
た。すなわち、封止成形によってワイヤー３が図２
（ａ）の状態から図２（ｂ）の状態に変形したときに、
（ｙ／ｘ）×１００をワイヤースウィープ率とした。ま
た半導体装置の変形を評価した。半導体装置の変形の評
価は、目視で観察して外観にノックアウトピンによる変
形のあるものを「×」とし、変形のないものを「〇」と
して行なった。これらの結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】 表１に見られるように、各実施例のものはワイヤースウ
ィープが発生し難く、また変形が生じないものであっ
た。
ィープが発生し難く、また変形が生じないものであっ
た。
【００２２】
【発明の効果】上記のように本発明は、ＰＰＳ樹脂と無
機充填材を含有し、ＰＰＳ樹脂を３０〜９９重量％含む
ＰＰＳ樹脂成形材料を、ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融
点の温度範囲に設定された成形金型に注入して、半導体
素子を封止成形し、ＰＰＳ樹脂の融点より８０℃以上低
い温度に成形金型を冷却した後、封止成形品を成形金型
から取り出すようにしたので、ＰＰＳ樹脂成形材料を成
形金型に注入する際にはＰＰＳ樹脂成形材料の溶融材料
の温度低下を防いで、溶融粘度の上昇によるワイヤーの
スウィープを防止してワイヤーの曲がり不良を低減する
ことができるものであり、また封止成形品の取り出しの
際には封止成形品の冷却固化を十分に進めて変形が生じ
ることを防ぐことができるものである。
機充填材を含有し、ＰＰＳ樹脂を３０〜９９重量％含む
ＰＰＳ樹脂成形材料を、ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融
点の温度範囲に設定された成形金型に注入して、半導体
素子を封止成形し、ＰＰＳ樹脂の融点より８０℃以上低
い温度に成形金型を冷却した後、封止成形品を成形金型
から取り出すようにしたので、ＰＰＳ樹脂成形材料を成
形金型に注入する際にはＰＰＳ樹脂成形材料の溶融材料
の温度低下を防いで、溶融粘度の上昇によるワイヤーの
スウィープを防止してワイヤーの曲がり不良を低減する
ことができるものであり、また封止成形品の取り出しの
際には封止成形品の冷却固化を十分に進めて変形が生じ
ることを防ぐことができるものである。
【図１】封止成形された半導体装置の一例を示す断面図
である。
である。
【図２】ワイヤースウィープ率の測定を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。
１ 半導体素子 ３ ワイヤー ４ ＰＰＳ樹脂成形材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２９Ｋ 81:00 103:04 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F202 AA34 AB11 AH33 AK02 CA11 CB01 CB12 CN01 CN05 CN12 CN13 CN21 4F206 AA34 AB11 AH37 AK02 JA03 JB17 JF01 JL02 JM04 JN25 JN41 JN43 4M109 AA01 BA01 CA21 EA13 EB12 5F061 AA01 BA01 CA21 CB02 DA16 DE03
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＰＳ樹脂と無機充填材を含有し、ＰＰ
Ｓ樹脂を３０〜９９重量％含むＰＰＳ樹脂成形材料を、
ＰＰＳ樹脂の融点−５０℃〜融点の温度範囲に設定され
た成形金型に注入して、半導体素子を封止成形し、ＰＰ
Ｓ樹脂の融点より８０℃以上低い温度に成形金型を冷却
した後、封止成形品を成形金型から取り出すことを特徴
とする半導体の封止成形方法。 - 【請求項２】 射出成形あるいは射出圧縮成形で封止成
形を行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体の
封止成形方法。 - 【請求項３】 封止成形後の成形金型の冷却を、自然放
熱による冷却あるいは、水、油、フロン、アンモニアか
ら選ばれる冷媒による強制冷却で行なうことを特徴とす
る請求項１又は２に記載の半導体の封止成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178339A JP2000012583A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 半導体の封止成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178339A JP2000012583A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 半導体の封止成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012583A true JP2000012583A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16046771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178339A Withdrawn JP2000012583A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 半導体の封止成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090083A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing metal insert polyphenylene sulfide resin molded component, the molded component and semiconductor producing device having it |
| WO2003044850A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-05-30 | Advanced Systems Automation Ltd | Apparatus for molding a semiconductor wafer and process therefor |
| US7456091B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-11-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8659129B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP10178339A patent/JP2000012583A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090083A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing metal insert polyphenylene sulfide resin molded component, the molded component and semiconductor producing device having it |
| WO2003044850A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-05-30 | Advanced Systems Automation Ltd | Apparatus for molding a semiconductor wafer and process therefor |
| CN1314093C (zh) * | 2001-10-05 | 2007-05-02 | 先进系统自动化有限公司 | 铸模半导体晶片的装置及工艺 |
| US7456091B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-11-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7659635B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-02-09 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8659129B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
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|---|---|---|---|
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