JP2000096292A - ウエハのメッキ方法 - Google Patents
ウエハのメッキ方法Info
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Abstract
を調整でき、ウエハ表面に均一な膜厚のメッキを形成す
ることができるウエハのメッキ方法を提供する。 【解決手段】 電解メッキ液20中に、ウエハ100を
浸漬すると共にウエハ10から所定距離離間してウエハ
100と平行にアノード電極30を浸漬し、さらにウエ
ハ100とアノード電極30の間に中央に穴51を設け
た誘電体からなる遮蔽板50をウエハ100と平行に浸
漬し、遮蔽板50を電解メッキ液20中で移動しながら
ウエハ100とアノード電極30間に通電することによ
ってウエハ100表面にメッキを行なう。
Description
を均一に形成することができるウエハのメッキ方法に関
するものである。
エハのメッキ装置は、図5に示すように、電解メッキ液
120中に、ウエハ100と、ウエハ100表面に平行
に対向するように設置される平板状のアノード電極11
0とを浸漬し、ウエハ100とアノード電極110間に
通電することでウエハ100表面にメッキを行なうよう
に構成されている。
キ装置においてはその構造上、ウエハ100にメッキを
行なうために電界を印加した場合、ウエハ100の外周
部周辺の電位勾配と、中心部周辺の電位勾配に相違が生
じ、このためウエハ100の各部におけるメッキの膜厚
が不均一になってしまう恐れがあった。
ッキを施すためには、ウエハ100表面近傍の各部の電
位ができるだけ均一になるように調整する必要がある
が、このため従来はこの電場調整法として、アノード電
極の大きさを調整したり、アノード電極110とウエハ
100の間に誘電体の遮蔽板を入れるなどの方法を用い
ていた。
できる電場の範囲が狭く、ウエハ100表面において自
由に電場を調整することができなかった。特にウエハ1
00の径が大きくなればなるほどその中心部と外周部の
電位の差が大きくなるので、ウエハ100表面全体の広
い範囲にわたって電位分布を均一にしてメッキを均一に
形成することは困難になる。
ありその目的は、ウエハ面上の広い範囲にわたって各部
の電場を調整でき、これによってウエハ表面に均一な膜
厚のメッキを形成することができるウエハのメッキ方法
を提供することにある。
め本発明は、電解メッキ液中に、ウエハを浸漬すると共
にウエハから所定距離離間してウエハと平行にアノード
電極を浸漬して設置し、さらにウエハとアノード電極の
間に誘電体からなる遮蔽板をウエハと平行に浸漬して設
置し、前記遮蔽板を電解メッキ液中で移動しながらウエ
ハとアノード電極間に通電することによってウエハ表面
にメッキを行なうこととした。なお遮蔽板は、その中央
部分の遮蔽効果がそれよりも外側部分の遮蔽効果よりも
小さくなる形状に形成されていることが好ましい。また
本発明は、ウエハにメッキする際の通電の電流値を一定
にすると同時に、遮蔽板をウエハから徐々に遠ざけなが
らメッキを行なうこととした。
基づいて詳細に説明する。図1は本発明に用いるメッキ
装置を示す全体概略図である。同図に示すようにこのメ
ッキ装置は、メッキ槽10の電解メッキ液20中に、ウ
エハ100とアノード電極30とをそれぞれの対向面が
平行になるように所定距離離間して浸漬し、さらにウエ
ハ100とアノード電極30の間に遮蔽板50を移動可
能に浸漬して構成されている。以下各構成部品について
説明する。
槽13を設け、メッキ槽10とオーバーフロー槽13間
をポンプ15,恒温ユニット17,フィルター19を取
り付けた配管21で接続して構成されている。
外周をウエハ保持部材101で保持することでその一方
の表面を電解メッキ液20中に露出せしめるように構成
されている。
記ウエハ100の外形形状と相似形となるように、即ち
ウエハ100と略同一寸法形状の円板形状に形成されて
いる。
図及び図1に示すように遮蔽板50は誘電体製の板であ
って、中央に円形の孔51を設けて構成されている。
はこの実施形態では塩化ビニールを用いているが、それ
以外の誘電体材料、例えば耐熱塩化ビニール,ポリプロ
ピレン,ポリエーテルサルフォン,ポリエーテルエーテ
ルケトン,ポリカーボネート,ポリエチレン,ポリスチ
レン,ポリフッ化ビニリデン,フッ素樹脂等、種々のも
のを使用しても良い。
40によって、電解メッキ液20中で、ウエハ100の
面に対して平行のままでウエハ100に接近したり遠ざ
かったりすることができるように構成されている。その
際、ウエハ100の中心軸とアノード電極30の中心軸
と遮蔽板50の中心軸は一致している。
ず遮蔽板50をウエハ100に最も近づけた位置(図1
の点線で示す)にセットしておき、ポンプ15を駆動す
ることで恒温ユニット17とフィルタ19を通った電解
メッキ液20をメッキ槽10内にその下部から供給し
て、オーバーフロー槽13にオーバーフローし循環す
る。
に通電を行なってウエハ100表面にメッキを始める。
0がウエハ100に接近しているときのウエハ100と
遮蔽板50周辺の電場の状態を示す等電位線図である。
同図に示すように遮蔽板50がウエハ100に接近して
いる際は、遮蔽板50の孔51によって遮蔽板50の中
心部よりも外周部の方の遮蔽効果が大きいので、ウエハ
100の外周部よりも中心部の方が電位勾配が高くな
る。従ってこの状態ではウエハ100の中心部の方が外
周部よりもメッキがより厚く形成されていく。
徐々にウエハ100から引き離しながらメッキを継続し
て行ない、遮蔽板50がウエハ100から最も離れた位
置(図1の実線の位置)でそのメッキが完了するように
する。
ら離れた所定位置にあるときのウエハ100と遮蔽板5
0周辺の電場の状態を示す等電位線図である。同図に示
すように遮蔽板50がウエハ100から離れれば離れる
ほど相対的にウエハ100の中心部に比べて外周部の方
が徐々に電位勾配が高くなっていく。従って遮蔽板50
がウエハ100から離れるに従って相対的にウエハ10
0の外周部の方が中心部よりもメッキがより厚く形成さ
れていくようになる。
ッキをより厚く形成し、徐々に外周部のメッキをより厚
く形成していくように遮蔽板50を移動するので、全体
としてウエハ100全面に形成されるメッキの膜厚は均
一化される。
をウエハ100から引き離すに従って、つまりメッキ時
間の経過と共に、その電圧を下げていくように制御して
いる。何故ならウエハ100にメッキを形成していく
と、メッキ膜厚が厚くなることによってメッキ形成当初
よりも徐々に通電時の抵抗値が減少していく。このため
電圧値を一定にしておくと徐々に流れる電流値が上昇し
ていく。
積によって容易に求めることができるので、電流値は一
定にしておきたい(そうすると時間の管理だけでメッキ
膜厚を制御できるから)。さらに電流値が変化すること
で電流密度が変化すると、形成されるメッキ自体の特性
(膜の表面状態や密度等)が変化する。そこでこの実施
形態においては、電流値を一定にするために上述のよう
に電圧値を変化するように制御しているのである。
エハ100から離れた位置からウエハ100に接近する
ように移動させたり、または往復移動させることでメッ
キ膜厚を均一化するようにしても良い。但し上記実施形
態において遮蔽板50をウエハ100に接近した位置か
ら離れるように移動したのは以下の理由による。
01で保持される際にウエハ保持手段101に設けた図
示しない通電ピンがウエハ100の外周に接触されるこ
とによって通電される。このため通電ピンに近いウエハ
100の外周部分の方がウエハ100の中心部分よりも
電気抵抗が小さく、このためもし両部分の電位勾配が同
一だったとしても外周部の方により厚くメッキが形成さ
れていく傾向にある。このためメッキ当初はまず遮蔽板
50をウエハ100に接近させておくことで前述のよう
にウエハ100中心部の方のメッキ膜厚を外周部のメッ
キ膜厚よりも厚く形成せしめ、これによって中心部の電
気抵抗を外周部の電気抵抗よりも小さくするようにして
通電ピンまでの抵抗値を均一化し、より効果的にウエハ
100全面のメッキ膜厚の均一化を図るためである。
わりに、遮蔽板の中央部分の板厚を外周部分の板厚より
も薄くするようにしたり、遮蔽板に多数の孔を開けるが
中央部分に開ける孔の径を大きくし外周付近に開ける孔
の径を小さくする等、種々の変形が可能である。要は遮
蔽板50の中央部分の遮蔽効果をそれよりも外側部分の
遮蔽効果よりも小さくすれば良い。また穴51の形状も
必要に応じて円形以外としても良い。
ば以下のような優れた効果を有する。 遮蔽板の位置を移動するようにしたので、ウエハ面上
の広い範囲にわたって各部の電場をメッキの最中に大き
く変更・調整することが容易に行なえ、ウエハ表面に均
一な膜厚のメッキを形成することができる。
の遮蔽効果よりも小さくなるように該遮蔽板の形状を形
成したので、より効果的にウエハ全面のメッキ膜厚の均
一化を図ることができる。
すると同時に、遮蔽板を徐々にウエハから遠ざけながら
メッキを行なうこととしたので、さらに容易且つ効果的
にウエハ全面のメッキ膜厚の均一化が図れる。
ある。
のウエハ100と遮蔽板50周辺の電場の状態を示す等
電位線図である。
にあるときのウエハ100と遮蔽板50周辺の電場の状
態を示す等電位線図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 電解メッキ液中に、ウエハを浸漬すると
共にウエハから所定距離離間してウエハと平行にアノー
ド電極を浸漬して設置し、さらにウエハとアノード電極
の間に誘電体からなる遮蔽板をウエハと平行に浸漬して
設置し、前記遮蔽板を電解メッキ液中で移動しながらウ
エハとアノード電極間に通電することによってウエハ表
面にメッキを行なうことを特徴とするウエハのメッキ方
法。 - 【請求項2】 前記遮蔽板は、その中央部分の遮蔽効果
がそれよりも外側部分の遮蔽効果よりも小さくなる形状
に形成されていることを特徴とする請求項1記載のウエ
ハのメッキ方法。 - 【請求項3】 前記ウエハにメッキする際の通電の電流
値を一定にすると同時に、前記遮蔽板をウエハから遠ざ
けながらメッキを行なうことを特徴とする請求項1又は
2記載のウエハのメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26992998A JP3637214B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | ウエハのメッキ方法 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009191295A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法及びめっき装置 |
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-
1998
- 1998-09-24 JP JP26992998A patent/JP3637214B2/ja not_active Expired - Fee Related
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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