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JP2000061677A - レ―ザ切断装置および切断方法 - Google Patents

レ―ザ切断装置および切断方法

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JP2000061677A
JP2000061677A JP11008573A JP857399A JP2000061677A JP 2000061677 A JP2000061677 A JP 2000061677A JP 11008573 A JP11008573 A JP 11008573A JP 857399 A JP857399 A JP 857399A JP 2000061677 A JP2000061677 A JP 2000061677A
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laser beam
cooling
line
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炳鎰 金
盛旭 ▲鄭▼
Seong-Wook Jeong
Gushoku Ri
愚植 李
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範洙 金
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示器パネル用合着パネルをレーザーを
利用して切断するレーザー切断装置と切断方法を提供す
る。 【解決手段】 レーザー切断装置は,特定波長のレーザ
ービームを切断対象物に照射するレーザーと,レーザー
が切断対象物の始作端部にレーザービームを照射する前
に,切断対象物の切断線が始めるへりに切断開始溝を形
成する切断溝形成手段と,レーザーのレーザービームが
照射された切断対象物の切断線を冷却させる冷却手段と
を含む。これにより,滑らかに切断でき,ガラスパーテ
ィクル発生が抑制され,不良の発生を防止でき生産性が
大幅に向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,レーザ切断装置お
よびレーザ切断装置を利用した切断方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】液晶表示器(Liquid Cryst
al Display:LCD)は,小型,軽量化,お
よび低消費電力などの長所を有し,最近,陰極線管(C
athode Ray Tube:CRT)の代替とし
て脚光を浴びている平板表示器の一種である。
【0003】LCDは,2枚のガラス基板と,これら2
枚のガラス基板間に介在された液晶を含む構成を有する
ものである。液晶は,電界によって整列状態が変化し,
入射光を通過および遮断させる光シャッターとしての役
割を果たすことによって映像を表示する。
【0004】このようなLCDの製造において,生産性
の向上を目的として,一回の製造工程の間に多数のパネ
ルを製作することが可能な製造方法が提案されている。
その一つは,単位パネル(LCD単位セル,LCD単位
ガラス)の面積を多数個合せた面積に該当する面積を有
するガラス母基板,例えば6個の単位パネル面積に該当
する面積を有するガラス母基板を使用する方法である。
【0005】ガラス母基板を使用して薄膜トランジスタ
(TFT)液晶表示装置を製造する場合,2枚のガラス
母基板のうち,一方の基板には6枚の単位TFT基板に
必要なゲートライン,データライン,薄膜トランジス
タ,画素電極,および背向膜などが形成され,他方の基
板には6枚の単位カラーフィルタ基板に必要なカラーフ
ィルタ層,対向電極,およびブラックマトリックスなど
が形成される。
【0006】このように構成要素が形成された2枚のガ
ラス母基板は,合着工程,単位パネルに分離するための
切断工程,液晶注入工程,液晶注入口を密封するエンド
シール工程,および偏光板付着工程を経て,単位パネル
に分離される。
【0007】図40は,切断状態のガラス母基板1の平
面図であって,単位パネル6の領域を決めるポイントに
カッティングキー20が形成され,カッティングキー2
0を基準にスクライブライン4a,4bが定義される。
【0008】切断工程において,スクライブライン4
a,4bに沿って硬度の高いダイヤモンドガラスカッタ
を用いてガラス母基板1に所定深さを有する予備切断溝
を形成し,その後ガラス母基板1に衝撃を加えてガラス
母基板1から単位パネルA〜Fを分離する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,ダイヤ
モンドガラスカッタを用いてガラス母基板1を切断する
場合,予備切断溝が形成された後,完全に分割するため
にガラス母基板1に衝撃が加えられるため,ガラス母基
板1が切断される際に発生する微細ガラスパーティクル
(glass chip)が周囲に飛散してしまう。し
たがって,微細ガラスパーティクルによる不具合を予防
するため,従来,集塵設備を備える必要があった。
【0010】また,一定の大きさに切断されて搬入され
たガラス母基板1のエッジ部分には,図40の領域E
1,E2をそれぞれ拡大した図41,図42に示すよう
に,ダイヤモンドガラスカッタによって切断される際に
発生した鋭い凹凸部分が多数存在する。この鋭い凹凸部
分には,凹凸部分がない部分に比べて高い応力(str
ess)が集中し,特に凹凸の程度が甚だしい部分8に
は,さらに高い応力が集中する。このため,予備切断溝
の形成後,衝撃を加えて単位パネル6を分離する場合,
予備切断溝部分(図40中の点線)に沿って単位パネル
6が分離されず,高い応力が集中している部分8に沿っ
て分離されてしまい,活性領域が分断されるおそれがあ
った。このような現象は,特に,大型画面を実現するタ
イルドLCDパネルを製作する場合に問題とされる。
【0011】図43は,4個の単位パネルA〜Dを相互
接合して構成されたタイルドLCDパネル20の平面図
であり,図44は,図43の領域E4の詳細図である。
【0012】図43に示したように,単位パネルA〜D
それぞれの4つのエッジ面のうち,隣接した2つの面を
オプティカルボンド22によって接合され,タイルドL
CDパネル20が形成される。
【0013】例えば,図44に示すように滑らかでない
エッジ面を有する単位パネルAおよび単位パネルBが相
互接合されたとき,単位パネルAのエッジ面24と単位
パネルBのエッジ面25に注目すると,両エッジ面2
4,25を接合したオプティカルボンド22の厚さに応
じてシームライン(seam line)の幅が2mm
以上となるおそれがあった。この場合,エッジ面24,
25におけるブラックマトリックスの幅も2mm以上と
なってしまっていた。この2mmの幅は,単位パネルを
分割するブラックマトリックスの幅に比して非常に広い
ものであるため,映像が再生される際,シームラインが
認識されることになり,接合部分のブラックマトリック
スに沿って画面が分割されてしまう。
【0014】これを防止するためには,LCDパネルの
製造前に製造可能な最小シームライン幅をあらかじめ算
出し,LCDパネルのピクセルとピクセル幅を算出され
た最小シームラインの幅と同一となるように設定する。
そして,シームラインがブラックマトリックスの役割を
果たすように製造することによって画面分割が防止され
る。
【0015】シームラインの幅によってタイルドLCD
の全体解像度が決定されるため,全体解像度を増大させ
るためには,シームラインの幅を狭めることが必要であ
る。しかし,前述したようにダイヤモンドガラスカッタ
によって切断された単位パネルの切断面加工誤差によっ
て多くの問題点が生じるため,シームラインの幅を狭め
るためことは困難であった。したがって,従来の大型タ
イルドLCDは,高価であるにも関わらず,解像度が低
く,屋内用に使用することは不適当とされていた。この
ため,従来の大型タイルドLCDは,高解像度が要求さ
れない屋外用として用いられていた。
【0016】また,図40に示した1次切断線4aに沿
って1次切断が実行された後,2次切断線4bに沿って
2次切断が実行されると,1次切断の際に1次切断線4
aの切断面に発生した凹凸構造によって,1次切断線4
aと2次切断線4bが交差する領域E3に図41および
図42に示すような切断不良が発生していた。
【0017】ところで,レーザビームを用いて1次切断
を行った場合,1次切断線4aと2次切断線4bが交差
する領域E3における切断面に微細クラックが発生しな
いため,クラックが1次切断線4aと2次切断線4bの
交差点をすぎて伝播されない。特に,交差点がパネルの
パッドおよび活性領域内にある場合,クラック伝播の線
形性はさらに重要となる。
【0018】しかしながら,従来のレーザビームを利用
したレーザ切断装置は次のような問題点を有する。
【0019】通常,冷却流体が高温に加熱されたガラス
母基板1を冷却させた後消失する際,レーザビームを分
散(scattering)させガラス母基板1に対す
る切断力を低下させている。例えば,冷却流体として気
体が用いられた場合,ガラス母基板1の冷却にともない
冷却気体の温度が上昇し,気体分子の運動が活発にな
る。運動が活発になった冷却気体は,フォーカシングレ
ンズ群ハウジングから出力されるレーザビームに対して
拡散され,レーザビームを分散させることになる。ま
た,冷却流体として液体が用いられた場合,ガラス母基
板1を冷却にともない冷却液体の温度が上昇し,これに
よって発生した水蒸気によってレーザビームが分散され
ることになる。
【0020】このように冷却流体によってレーザビーム
が分散すると,ガラス母基板1の加熱面積が拡大してし
まい加熱温度が低くなる。加熱温度の低下によって,所
定の位置にクラックが発生しない,あるいはクラックが
生じたとしてもそのクラックがガラス母基板1の裏面ま
で伝播されなくなり,結果的に単位パネルがガラス母基
板から完全に切断されない場合があった。
【0021】また,液体が冷却流体として使用された場
合,ガラス母基板1の表面に噴射された液体が乾燥され
ながら単位パネルを汚染(むら)する場合がある。この
汚染によって,単位パネルの液晶注入口が遮断されてし
まい,後工程における液晶注入が不可能になるおそれが
あった。
【0022】さらに,冷却装置から噴射された冷却液体
がガラス母基板1の表面において四方に飛散し,レーザ
ビームを散乱させるなどレーザカッティング設備に悪影
響を及ぼす場合があった。
【0023】ところで,レーザを用いたガラス母基板1
のカッティング工程は,カッティング用レーザビームの
パワーによって暗室チャンバにおいて行われる。例え
ば,波長1300nm程度の赤外線領域帯のレーザビー
ムが使われる場合,作業者は,カッティング用レーザビ
ームがスクライブラインに沿って一直線に前進している
かどうかを肉眼で確認することができない。クラック
は,レーザビームの進行方向に沿って伝播されるため,
カッティング用レーザビームがスクライブラインから単
位パネル内側に離脱すると,クラックも単位パネル内側
に伝播されることになる。レーザビームの走査ラインを
肉眼で確認できないことから,ガラス母基板1から切断
された単位パネル全部が不良となる場合もあった。
【0024】一旦このようなカッティング不良が発生す
ると,カッティング不良は,1枚のガラス母基板で止ま
らず,最悪の場合,連続してカッティング工程に入る数
十枚,数百枚のガラス母基板に対してカッティング不良
が生じることもあり得た。すなわち,一度に大量の単位
パネルが不良品となるおそれがあった。これは,レーザ
カッティングが完了した後,チャンバから搬出されてく
るガラス母基板のカッティング状態を作業者がその都度
確認することが不可能なためである。
【0025】また,従来,作業者がカッティング不良を
確認した場合,ガラス母基板に形成されたスクライブラ
インとカッティング用レーザビームをアラインさせるた
めに,多くの時間が所要され,製品の生産性が低下する
ことも問題とされていた。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】本発明は,上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものであり,その第1の目的
は,ガラス母基板から単位パネルを切断する際,切断線
部および切断線の交差点における切断不良を防止するこ
とが可能なレーザ切断装置および切断方法を提供するこ
とにある。
【0027】本発明の第2の目的は,ガラス母基板から
単位パネルを切断する際,ガラスパーティクルの発生を
防止することが可能なレーザ切断装置および切断方法を
提供することにある。
【0028】本発明の第3の目的は,ガラス母基板から
切断された単位パネルの切断面を平滑とすることが可能
なレーザ切断装置および切断方法を提供することにあ
る。
【0029】本発明の第4の目的は,冷却流体によるレ
ーザビームの分散を防止することが可能なレーザ切断装
置および切断方法を提供することにある。
【0030】本発明の第5の目的は,冷却流体による単
位パネルの表面の汚染,および,液晶注入口の閉鎖を防
止することが可能なレーザ切断装置および切断方法を提
供することにある。
【0031】本発明の第6の目的は,冷却流体によるレ
ーザカッタの故障を防止することが可能なレーザ切断装
置および切断方法を提供することにある。
【0032】本発明の第7の目的は,カッティング用レ
ーザビームの進行経路を肉眼で識別することによって,
スクライブラインからカッティング用レーザビームが離
脱していないか否かを容易に確認することが可能なレー
ザ切断装置および切断方法を提供することにある。
【0033】本発明の第8の目的は,カッティング用レ
ーザビームの進行経路を肉眼で識別するとともに,スク
ライブラインからカッティング用レーザビームが離脱し
た場合,カッティング用レーザビームの移動経路を修正
してスクライブラインとカッティング用レーザビームを
迅速にアラインさせることが可能なレーザ切断装置およ
び切断方法を提供することにある。
【0034】本発明の第9の目的は,タイルドLCDパ
ネル間の境界面に形成されるシームライン幅を最小化す
ることが可能なレーザ切断装置および切断方法を提供す
ることにある。
【0035】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,本発明の一側面によれば,レーザ切断装置は,所定
の波長のレーザビームを合着されたガラス母基板のよう
な切断対象物に照射するレーザと,レーザビームが照射
された切断線を冷却させる冷却ユニットを含む。ここ
で,切断対象物とレーザおよび冷却装置は相対的な位置
変更によって切断対象物の切断線にレーザを照射したり
冷却流体を噴射する。
【0036】選択的に,前記レーザ切断装置は,前記切
断対象物の切断線にレーザビームを照射する前に,前記
切断対象物の選択位置,例えば始端部,終端部,または
交差点に所定深さの予備切断溝を形成するための予備切
断溝形成ユニットを含む。
【0037】また,選択的に,前記レーザ,前記予備切
断溝形成ユニットおよび前記冷却ユニットは移送ユニッ
トに設けられ,移送ユニットの移動によって選択方向の
切断線に移送する。
【0038】本発明の他の側面によれば,レーザ切断装
置は,冷却ユニットから噴射される冷却流体がレーザが
照射された切断線に噴射された直後に冷却流体を吸入す
るための吸入ユニットを含む。冷却ユニットは冷却流体
供給部と,流体噴射管を含んで,吸入ユニットは冷却流
体を効果的に吸入するように流体噴射管の後端に設置さ
れる。吸入ユニットは吸入管と,前記吸入管に真空を発
生させるように前記吸入管と連通されたポンプを含む。
【0039】本発明のまた他の側面によれば,レーザ切
断装置は,レーザビームの一部は透過させて一部は反射
させた後反射されたレーザビームを可視光線帯域の波長
に変調させてレーザビームの経路を認知する光変調部を
含んで,前記光変調部はレーザのフォーカシングレンズ
群ハウジング下部に設けられる。
【0040】選択的に,光変調部はレーザから出射され
たレーザビームの一部はそのまま透過させて残り一部は
反射させるビームスプリッタと,前記ビームスプリッタ
から反射されたレーザビームの波長を可視光線帯域の波
長に変調して指示用レーザビームを発生させる光変調部
と,前記光変調部の後端に所定勾配で設けられて指示用
レーザビームをスクライブラインに反射させる反射鏡を
含む。
【0041】好ましくは,ビームスプリッタを透過した
カッティング用レーザビームと指示用レーザビームは同
一線上に照射され,指示用レーザビームはカッティング
用レーザビームの後側に位置する。
【0042】本発明のまた他の側面によれば,レーザ切
断装置は,ガラス母基板のような切断対象物にクラック
発生のための第1波長を有する第1レーザビームを照射
する第1レーザと,前記第1レーザの進行方向を基準に
冷却ユニットの後端に設けられ,ガラス母基板上に発生
されたクラックに第2波長を有する第2レーザビームを
照射する第2レーザと,前記第2レーザから出射され
て,前記ガラス母基板のクラックから反射された第2レ
ーザビームを受光する感知部を含む。
【0043】ここで,第1,第2レーザはレーザビーム
を発振させるレーザ発振ユニットと,レーザ発振ユニッ
トの全面に設けられてレーザビームを屈折させる屈折レ
ンズ部と,屈折されたレーザビームの焦点を調整するフ
ォーカシングレンズ群と,フォーカシングレンズ群の外
部を包むフォーカシングレンズ群ハウジングを含む。
【0044】同時に,感知部はクラックから反射された
第2レーザビームの光量を検出する光量検出センサであ
る。
【0045】好ましくは,前記した全てのレーザカッテ
ィング装置において,噴射ノズルの端部を傾斜するよう
に構成する。レーザビームの直径は噴射ノズルの直径よ
り通常細いために,傾斜したノズル端部の尖頭部を切断
線にアライメントして噴射することによって製作の間,
切断線以外の方向にクラックが発生することを防止す
る。
【0046】本発明のまた他の側面によれば,レーザビ
ームを利用した切断方法は,まず切断対象物の切断線と
切断始作点を感知する。切断線と切断始作点の感知信号
によって切断線の始端部に所定深さの予備切断開始溝を
形成する。
【0047】次に,予備切断開始溝を始まりに切断線に
沿ってレーザビームを照射する。レーザビームの照射の
間,レーザビームが照射された切断線を急速冷却させ
る。レーザの進行の間,切断対象物の終端部を感知すれ
ば,切断線の終端部に予備切断終了溝を形成する。レー
ザは予備切断終了溝の端までレーザビームを照射した次
に動作を止める。
【0048】本発明のまた他の側面によれば,切断線と
切断線が90度または他の角度で交差する交差点にも予
備切断交差溝を形成する工程が適用できる。
【0049】選択的に,前記予備切断交差溝をレーザビ
ームの照射前に交差点に形成したり,交差線が表れる
時,形成することができる。
【0050】ここで,前記予備切断交差溝は切断線と同
一な直線であったり,円形が可能である。
【0051】本発明のまた他の側面によれば,レーザビ
ームを通してガラス母基板のような切断対象物を切断す
る時,ガラス母基板が一度に切断されないように最初切
断深さを調節し,二回以上に分けて切断されるようにす
ることによってガラス母基板の後面で発生する不規則な
クラックによる切断不良を防止する。
【0052】好ましくは,このように切断された大型ガ
ラス基板から切断されて個別化された単位パネルの切断
面は鋭い角が形成されるために後続工程中角部分で応力
集中現象が発生して破損が発生できるので,レーザビー
ムのフォーカスを調節してレーザビームの集束度を高め
て切断面を若干溶融させる状態で切断面を急速冷却させ
て切断面のエッジ部分がラウンディングされるようにす
る。
【0053】本発明のまた他の側面によれば,ガラス母
基板のような切断対象物の切断予定線に沿ってレーザビ
ームを照射し,前記レーザビームが照射された部分を冷
却して前記ガラス母基板にクラックを発生させる。前記
クラックが発生された実切断線と前記切断予定線を比較
して前記実切断線が前記切断予定線を離脱したのかを判
断する。判断段階の結果から前記レーザビームの移動経
路を修正する。ここで,実切断線は,クラックにアライ
ン用レーザビームを照射した次にクラックから反射され
た光を感知することによって確認され,切断予定線はあ
らかじめ入力される。
【0054】前記した多様なレーザ切断装置および方法
はタイルドLCDパネルの製造に特に効果的に適用でき
る。
【0055】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら,
本発明にかかるレーザ切断装置および切断方法の好適な
実施の形態について詳細に説明する。なお,以下の説明
および添付された図面において,略同一の機能および構
成を有する構成要素については,同一符号を付すること
によって重複説明を省略する。
【0056】(第1の実施の形態)図1は,第1の実施
の形態にかかるレーザ切断装置200の斜視図であっ
て,切断線の始端部と終端部に予備切断溝を形成するた
めのプリスクライバ260がレーザ220の進行方向の
前端に設けられた構成を示す。
【0057】図1において,切断対象物は,少なくとも
1個,例えば6個の単位パネルを切り取ることが可能な
面積を有する2枚のガラス母基板,すなわち薄膜トラン
ジスタ基板およびカラーフィルタ基板が合着されたLC
Dパネル(合着基板)100である。
【0058】薄膜トランジスタ基板は,内表面に形成さ
れた薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタに連結された
データおよびゲートバスライン,薄膜トランジスタに連
結された画素電極を含むものである。カラーフィルタ基
板は,内表面に形成されたカラーフィルタ層および対向
電極を含むものである。
【0059】第1の実施の形態にかかるレーザ切断装置
200は,LCDパネル(ガラス母基板)100に形成
された切断線(スクライブライン)120に沿って所定
の波長のレーザビームを照射するレーザ220とレーザ
220からのレーザビームが照射された切断線120を
冷却する冷却装置240を含むものである。
【0060】レーザ220の進行方向にはプリスクライ
バ260が設けられている。プリスクライバ260は,
切断対象物であるLCDパネル100の外表面の選択位
置,例えば切断線120の始端部Ps,終端部,または
交差点に所定深さの予備切断溝を形成する。図2に始端
部Psを拡大して示す。
【0061】レーザ220,冷却装置240,およびプ
リスクライバ260は,移送装置に設けられており,移
送装置の移動によって切断線方向であるX軸およびY軸
方向に移動する。
【0062】LCDパネル100に形成された切断線1
20は,図40に示したように,外表面に表示されたカ
ッティングキー20を連結する線で定義される。LCD
パネル100は,1回の切断工程によって切断されるの
ではなく,一の基板の切断後に,対向する他の基板の切
断が実行される。各基板に対する切断は,外表面から内
表面に向けて進められる。
【0063】LCDパネル100を切断するためのレー
ザ220として,発振波長λが約10.6μm,出力5
0〜250WのYAGレーザ,COレーザ,またはダ
イオードレーザなどを用いることが可能である。ここ
で,レーザ220は,切断対象であるLCDパネル10
0がガラス基板である場合,固状ガラスから液状ガラス
に相変換させるためのガラス転移温度(Glass T
ransition Temperature:Tg)
を切断線部分に対して与えることが可能なレーザ出力が
必要とされる。
【0064】そして,レーザ220は,図3に示すよう
に,レーザビームを発振させるレーザ発振ユニット22
2,レーザ発振ユニット222から発振されたレーザビ
ームの走査方向を屈折させる屈折レンズ224,屈折さ
れたレーザビームのフォーカスを調整してレーザビーム
の強さを調節するフォーカシングレンズ群229,およ
びビームの焦点距離を変更させるために上下移動可能な
フォーカシングレンズ群ハウジング226を含むもので
ある。
【0065】図1に示すように,冷却装置240は,レ
ーザ220の進行方向を基準にレーザ220の後端に設
けられており,冷却流体が貯蔵された冷却流体貯蔵部2
42,および,冷却流体貯蔵部242から供給された冷
却流体をレーザビームが照射されたLCDパネル100
の切断線120に沿って噴射する流体噴射管244を含
むものである。
【0066】冷却流体としては純水,冷却オイル,液体
窒素,または液体ヘリウムを用いることが可能である。
そして,冷却流体は,流体噴射管244から0.1〜
0.3秒の間隔で急速に加熱されたLCDパネル100
に対して噴射される。
【0067】切断開始溝および切断終了溝を形成するプ
リスクライバ260は,レーザ220の前端に備えられ
た本体部266,本体部266に結合されて回転する回
動軸262,および回動軸262に結合されて本体部2
66に対して回動軸262が垂直下方に旋回した後に所
定のRPM(Round Per Minute)で回
動する回転鋸の目264を含むものである。そして,本
体部266は,非作動状態ではLCDパネル100と平
行に位置しており,作動状態ではLCDパネル100に
垂直した方向に折り曲げ自在となる。
【0068】プリスクライバ260の回動軸262は,
LCDパネル100の切断始作点と終端部を感知する位
置感知センサ290の感知信号によって動作する。この
位置感知センサ290は,図4および図6に示すよう
に,レーザ220の移動方向の前端に設けられている。
【0069】レーザ220,冷却装置240,プリスク
ライバ260,および位置感知センサ290は,移送装
置280に装着され,切断線方向であるX軸方向とY軸
方向に動く。具体的には,レーザ220,冷却装置24
0,プリスクライバ260,および位置感知センサ29
0は,Y軸移送プレート282に形成された溝形態のレ
ールに沿ってY軸方向に移動可能であり,Y軸移送プレ
ート282は,X軸移送プレート284に沿って移動可
能とされている。すなわち,レーザ220,冷却装置2
40,およびプリスクライバ260のY軸方向への移動
は,Y軸移送プレート282が固定された状態でレーザ
220,冷却装置240,およびプリスクライバ260
自体が移動することによって実現し,X軸方向への移動
は,X軸移送プレート284に沿ってY軸移送プレート
282を移動させることによって実現する。
【0070】図4および図6に示したように,Y軸移送
プレート282の下部面には補助移送プレート283が
設けられており,補助移送プレート283には冷却装置
240の流体噴射管244,レーザ220のフォーカシ
ングレンズ群ハウジング226,および位置感知センサ
290が装着されている。
【0071】以上のような構成を有する第1の実施の形
態にかかるレーザ切断装置200を用いて合着状態のL
CDパネル100を切断する方法について,図1〜図7
を用いて説明する。
【0072】まず,切断対象であるLCDパネル100
が固定プレート(図示せず。)に載置される。レーザ切
断装置200は,LCDパネル100に向かって移動
し,レーザ220のフォーカシングレンズ群ハウジング
226の前端に設けられた位置感知センサ290は,切
断線120と,切断線120が始まるLCDパネル10
0の始端部Psを感知する。切断線120と始端部Ps
が感知されることによって,プリスクライバ260の回
動軸262が時計方向に回動し,回転鋸の目264が始
端部Psに位置することになる。回転鋸の目264は,
選択されたRPMで回動することによって切断線120
の始端部Psに予備切断溝を形成する(図1,図4参
照)。
【0073】予備切断溝が形成された後,回転鋸の目2
64は動作を停止し,回動軸262は反時計方向に回動
して元来の位置に復帰する。
【0074】次に,フォーカシングレンズ群ハウジング
226は,位置感知センサ290との間隔で移動する。
これによってレーザビームの照射点を予備切断溝が形成
されたLCDパネル100の始端部Psに位置させる。
【0075】次に,フォーカシングレンズ群ハウジング
226は,レーザビームを照射しつつ切断線120に沿
って移動する。この時,レーザビーム228が照射され
たLCDパネル100の切断線120は急速に加熱さ
れ,局部的な熱膨張とともに高い応力集中が発生する。
【0076】このように局部的に加熱され局所熱膨張が
生じたLCDパネル100には,フォーカシングレンズ
群ハウジング226の後端に設けられ後続する流体噴射
管244からLCDパネル100の加熱部分温度に比べ
て非常に低い低温の流体が0.1〜0.3秒間隔で断続
的に供給される。そして,加熱されたLCDパネル10
0は急速に冷却される。
【0077】このように急速冷却されたLCDパネル1
00の切断線120部分には,熱膨張および熱収縮によ
る高い熱応力が発生する。熱応力の大きさがガラス分子
と分子とを結合させる結合力より大きくなったとき,非
晶質ガラス分子構造が破壊され,LCDパネル100の
切断線120に沿ってクラックが生成される。この時,
クラックの生成およびクラックの進行方向は,レーザビ
ーム228の走査方向と同一,すなわちLCDパネル1
00の平面に対して垂直方向となり,結果的にLCDパ
ネル100は完全に切断されることになる(図1,図5
参照)。
【0078】Y軸移送プレート282に沿ってフォーカ
シングレンズ群ハウジング226がレーザビームを照射
しつつ進行する間に,位置感知センサ290がLCDパ
ネル100の切断線120の終端部を感知すると,回動
軸262は,再び時計方向に旋回して切断開始溝と同一
形状を有する切断終了溝を形成する。切断終了溝が形成
された後,回動軸262は,再び反時計方向に回転して
元の位置に復帰する。そして,フォーカシングレンズ群
ハウジング226は,LCDパネル100の切断線12
0の終端部までレーザビームを照射したところで動作を
停止する。
【0079】次に,レーザ切断装置200は,LCDパ
ネル100をX軸方向に沿って切断するよう制御され,
Y軸方向の切断と略同一の方法で切断動作が実行される
(図1,図6参照)。
【0080】図7は,レーザ切断装置を構成するフォー
カシングレンズ群ハウジング226および回転鋸の目2
64の上述の工程における進行経路を示すものである。
符号52は,回転鋸の目264の進行経路を示し,符号
54は,レーザ220の進行経路を示している。回転鋸
の目264の進行経路52は,切断線の始端部Psおよ
び終端部ではガラス基板100の表面から所定深さにあ
り,両端部を除く部分ではガラス基板100の表面と所
定間隔をおいた上方にある。
【0081】以上の製造工程においてLCDパネルの一
側ガラス母基板の切断が完了した後,かかるLCDパネ
ルを裏返し,他側ガラス母基板の切断を略同一の方法で
実行する。
【0082】図8は,図1で示したレーザ切断装置20
0に備えられる他のプリスクライバ370を示すもので
ある。作動時,時計方向および反時計方向に回動する回
転鋸の目264を備えた上述のプリスクライバ260と
は異なり,この他のプリスクライバ370は,上下に往
復運動する回転鋸の目を備えている。なお,図8におけ
る符号382は,Y軸移送プレートを示し,符号383
は,補助移送プレートを示す。
【0083】図8に示すように,プリスクライバ370
は,フォーカシングレンズ群ハウジング326の移動方
向の前端に別途に設置されている。プリスクライバ37
0は,位置感知センサ390の感知信号によって回動す
るモータ352,モータ352の回動軸に偏心連結さ
れ,所定角度で回動する偏心カム354,偏心カム35
4の回動によって上下に往復運動するプッシュロッド3
56,プッシュロッド356の上下運動によって上下に
往復運動する回転鋸の目用ロッド358,プッシュロッ
ド356によって下方に加圧された回転鋸の目用ロッド
358を上方に押し上げる弾性部材359,回転鋸の目
用ロッド358の端部に連結されて所定のRPMで回動
する回転鋸の目364,およびこれらの構成要素を内部
に設けるハウジング350を含むものである。
【0084】図8に示すように,回転鋸の目用ロッド3
58は,プッシュロッド356によって加圧される第1
ロッドと第1ロッドの端部に垂直に固定された第2ロッ
ドで分割構成することも可能であるが,一体化した構造
とすることも可能である。
【0085】偏心カム354は,図9および図10に示
すように,プッシュロッド356の上端を加圧するよう
に楕円板形状を有し,中心軸から長方向側に偏向された
軸を有する。
【0086】フォーカシングレンズ群ハウジング326
が合着状態のLCDパネル100の一側面に向かって移
動する間に,フォーカシングレンズ群ハウジング326
の前端に設けられた位置感知センサ390が切断線の始
端部Psを感知すると,モータ352が所定角度回動す
る。図9に示すように,モータ352の回動で偏心カム
354は偏心軸から遠く離れた一側端部がプッシュロッ
ド356を加圧し,これにより回転鋸の目用ロッド36
8が切断線の始端部Psに向けて下方に移動する。回転
鋸の目364がLCDパネル100に触れたところで回
転鋸の目364は,所定のRPMで回動して切断線の始
端部Psに予備切断溝を形成する。
【0087】予備切断溝が形成された後,再びモータ3
52が回転すると,図9および図10に示すように,偏
心カム354は,偏心軸の近くに位置する一側端部がプ
ッシュロッド356を加圧するように回動する。この偏
心カム354の回動によって弾性部材359は,反発力
で回転鋸の目用ロッド368を上側に押し上げ,回転鋸
の目364は,LCDパネル100から分離される。
【0088】位置感知センサ390が切断線の始端部P
sを感知した位置からレーザビームの出射軸間の距離S
1程度フォーカシングレンズ群ハウジング326が移動
したところで,レーザ220は,レーザビームの照射を
開始する。
【0089】そして,補助移動プレート383の後端に
設けられたノズル344は,上述のようにレーザビーム
の照射経路に沿って冷却剤を散布する。
【0090】移動中の位置感知センサ390が切断線の
終端部を感知したところで,再びモータ352が回転し
て偏心カム352を図9に示すような状態とする。これ
によって,LCDパネル100に向かって下降した回転
鋸の目364は,終端溝を形成することになる。
【0091】位置感知センサ390が切断線の終端部を
感知した位置からフォーカシングレンズ群ハウジング3
26のビーム出射軸間の距離S1程度フォーカシングレ
ンズ群ハウジング326が移動したところで,レーザ2
20は,レーザビームの照射を停止する。レーザ220
のレーザビーム照射の停止にあわせて,ノズル344
は,冷却剤の散布動作を停止する。
【0092】以上説明したように,第1の実施の形態に
かかるレーザ切断装置200によれば,予備切断溝形成
装置が備えられており,かかる予備切断溝形成装置によ
って,切断線にレーザビームが照射される前にLCDパ
ネル100の切断線の始端部Psおよび終端部に対して
予備切断溝が形成されるため,切断線に沿って切断され
ることになり,切断されるべきではない位置での切断が
防止されることになる。
【0093】また,位置感知センサ390を用いて,予
備切断溝の形成時点とレーザビームの照射開始時点が正
確に制御されるため,不要な電力の消費および冷却剤の
浪費が防止される。
【0094】本実施の形態においては,LCDパネル1
00の始端部Psと終端部の両側に予備切断溝を形成す
る場合に即して説明したが,本発明これに限らず,始端
部Psにのみ予備切断溝を形成する場合にも適用可能で
ある。
【0095】また,本実施の形態においては,切断対象
物であるLCDパネル100が固定され,レーザ22
0,冷却装置240,およびプリスクライバ260,3
70が移動する場合に即して説明したが,本発明はこれ
に限らず,レーザ220,冷却装置240,およびプリ
スクライバ260が固定され,LCDパネル100が移
動して切断される場合にも適用可能である。
【0096】ところで,従来の切断方法によれば,1回
のレーザビーム照射と冷却によってLCDパネル100
を急速加熱/急速冷却してLCDパネル100にクラッ
クを誘発させて切断するため,レーザビーム228が照
射される外表面と,これに対向する内表面との間に不均
一なクラックが発生して切断不良が生じるおそれがあっ
た。このような切断不良を防止するための切断方法を図
3および図11を用いて説明する。
【0097】図11に示すように,LCDパネル100
が完全に切断されないように,まずレーザ220のフォ
ーカシングレンズ群ハウジング226とLCDパネル1
00の間隔を調節する。すなわち,フォーカシングレン
ズ群229とLCDパネル100の焦点,または,レー
ザビーム228の強度を調節して1次的にLCDパネル
100の全体厚さ約60%程度のみ切断されるようにす
る。
【0098】次に,フォーカシングレンズ群ハウジング
226とLCDパネル100の間隔を再び調節してレー
ザビームの強さを1次切断時より弱く調節する。以後,
LCDパネル100を2次的に完全に切断することによ
ってLCDパネル100の後面で発生する不均一なクラ
ックを防止することが可能となる。
【0099】以下,かかる切断方法をより具体的に説明
する。
【0100】まず,図3および図11に示すように,レ
ーザ切断装置200のレーザビーム取出口245とLC
Dパネル100の上面との間隔をシリンダ227,シリ
ンダロッド227aによって間隔L1に調整する。ま
た,レーザビーム228のフォーカスを調整してレーザ
ビーム228の端部直径が数μmになるように調整す
る。これによって,レーザビーム228の強度が調節さ
れることになる。その後,1次切断として,レーザビー
ム228によって,一側ガラス母基板の厚さH全体を切
断しないように,厚さC1のみ切断する。
【0101】このようにLCDパネル100を厚さC1
で1次切断した後,再びシリンダ227,シリンダロッ
ド227aを移動させることによって,レーザ切断装置
200とLCDパネル100の間隔L1を調整する。こ
れによって,レーザビーム228の端部直径が1次切断
時の直径数μmの数十〜数百倍になるようにレーザビー
ム228のフォーカスが再調整される。
【0102】そして,レーザビーム228の強度を1次
切断時より弱く調整し,LCDパネル100を2次切断
する。このときのレーザビーム228の強度は,LCD
パネル100の溶融温度とガラス転移温度の間になるよ
うに調整される。
【0103】1次切断の進行方向,2次切断の進行方向
は,切断時間を勘案して,各々反対,すなわち往復する
ようにすることが好ましい。
【0104】ところで,ダイヤモンドブレードやレーザ
切断装置を利用して切断された角面は非常に鋭くなる。
このため,切断された角面には応力集中現象が生じ,外
部からの僅かな衝撃でも破損する場合があった。また,
ダイヤモンドブレードを使用する場合には,切断面にガ
ラスチップが残存してしまい,後の偏光板付着工程やテ
ープキャリアパッケージ付着工程においてガラスチップ
による不具合が発生する場合があった。
【0105】これらの不具合の発生を防止するために
は,切断された角面に対してグラインディング加工を施
すことが有効である。しかし,研摩機を使用する研磨工
程は,研磨する間配線に静電気が発生し,素子不良の原
因ともなりかねない。このため,静電気の発生が防止さ
れた研磨方法が強く要求されていた。
【0106】研磨時に静電気の発生が防止され,角面を
ラウンディング処理する方法を図12に示す。レーザ切
断装置200によって切断された切断面の上部角122
に沿って,LCDパネル100の溶融温度以上になるよ
うにレーザビーム228の強度を調整して照射する。レ
ーザビーム228の照射によって切断面の上部角が溶け
出し,冷却装置の流体噴射管244から低温の冷却流体
が供給されて角にクラックが誘発される。これによって
切断面の上部角はラウンディングされる。
【0107】図13は,図12のA−A’で切断された
LCDパネル100の断面を示すものである。上述の方
法によってラウンディング処理されて曲率半径Rを有す
る単位パネルの角が示されている。また,図14は,図
12のB−B’で切断されたいLCDパネル100の断
面を示すものである。ラウンディング処理されていない
単位パネルの角が示されている。
【0108】上述した方法によってLCDパネル100
から分離され個別化された各単位パネルは,LCDパネ
ル製作工程において一つの完成されたLCDモジュール
に組立てられる。
【0109】多数の単位パネルを切り出せる大きさを有
するガラス母基板において,単位パネルと単位パネルと
の間の切断線の間隔は,単位パネルのサイズを決定する
主な要素の一つである。すなわち,所定の面積を持った
ガラス母基板において,切断線間の間隔が広い場合,単
位パネルのサイズは小さくなり,切断線間の間隔が狭く
なるにつれて単位パネルのサイズは大きくなる。
【0110】例えば,図15に示すように,550mm
×650mmの面積を持ったLCDパネル100を利用
して,4枚の15.0インチ単位パネル110を製造す
る場合,切断線120の間隔は3.8mmとなる。かか
る切断線120の間隔を狭めることによって,単位パネ
ル110のサイズを15.0インチより大きくすること
が可能となる。
【0111】図16に示したように,LCDパネル10
0の切断線に対するレーザビーム228(フォーカシン
グビーム)の形状を楕円とする。切断方向がY方向であ
る場合,レーザビーム228は,切断線120bに平行
な直径Y1が長軸であり,切断線120bに直交する直
径X1が短軸である楕円形とされる。逆に,切断方向が
X方向である場合,レーザビーム228は,切断線12
0aに平行な直径X1が長軸であり,切断線120aに
直交する直径Y1が短軸である楕円形とされる。
【0112】切断方向がY方向であり,レーザビーム2
28の長軸となる直径Y1および短軸となる直径X1を
各々パラメータとして切断速度を測定した結果を表1に
示す。
【0113】
【表1】
【0114】表1から明らかなように,短軸となる直径
X1を長軸となる直径Y1に比べて相対的に大幅に小さ
くしてレーザビーム228をシャープなスリット状とし
た場合,切断速度が向上することになる。また,そのス
リット幅が狭くなるほど切断速度は速くなり,クラック
伝播が始まる上部角はラウンディングされ,クラック伝
播が終わる下部角はシャープになる。
【0115】以上の方法を用いることによって,図12
に示した切断面のラウンディング処理のためのグライン
ディング工程が省略可能となる。また,ダイヤモンドブ
レードによる切断とは異なり,シャープな下部角にはガ
ラスチップが発生することなく,研磨工程を実施しなく
とも研磨した場合と略同一の効果を得ることが可能とな
る。
【0116】レーザビーム228において,短軸となる
直径X1と長軸となる直径Y1の比は,1:50以上と
することが好ましい。さらに,直径X1は,1μm〜5
00μmの範囲とし,長軸直径Yは,10〜100mm
の範囲とすることが好ましい。
【0117】以上,本実施の形態にかかる切断方法によ
れば,単位パネルのサイズを増大させ,切断速度を向上
させ,さらには,切断面の欠け落ち(chippin
g)およびクラックの発生が防止される。したがって,
LCDパネルのスループットが向上することになる。
【0118】切断線が交差しているガラス母基板を切断
する場合,レーザ切断装置を用いて1次切断を行うと,
2次切断にレーザ切断装置を用いることが困難となる場
合があった。その理由は以下の通りである。すなわち,
レーザ切断装置を用いて1次切断の切断面は,極めて滑
らかである。このため1次切断線と直交する方向に2次
切断をレーザ切断装置を用いて実行する場合,交差点前
でクラックの伝播が止まってしまう。したがって,本実
施の形態にかかる切断方法によれば,交差点に予備切断
溝が形成されることいなる。
【0119】図17および図18は,切断対象物が相互
直交する複数の切断線を有する場合,レーザの前端に予
備切断溝形成装置を有するレーザ切断装置を用いて切断
対象物を切断する切断方法の各工程を示したフローチャ
ートである。
【0120】図17に示したように,まず切断線の交差
点に対して,図19に示した”+”形の予備切断溝12
5,または,図20に示した円形の予備切断溝127を
形成する。
【0121】次に,1次切断線,例えば縦方向の切断線
120aの始端部に切断開始溝を形成し,切断線120
aに沿ってレーザビームを照射するとともに,レーザビ
ームが照射された1次切断線を急速冷却させる。そし
て,切断線120aの終端部に切断終了溝を形成し,レ
ーザビームを切断線120aの終端部まで照射する過程
を通して1次切断が完了する。
【0122】1次切断の後,2次切断線,すなわち横方
向の切断線120bの始端部に切断開始溝を形成し,1
次切断線と直交する2次切断線に沿ってレーザビームを
照射するとともに,レーザビームが照射された2次切断
線を急速冷却させる。そして,交差点をすぎた2次切断
線の終端部に切断終了溝を形成し,レーザビームを2次
切断線の終端部まで照射する過程を通して2次切断が完
了する。
【0123】なお,この切断工程において,1次切断終
了溝の形成,および,2次切断終了溝の形成は,省略す
ることも可能である。
【0124】かかる切断方法によれば,2次切断線とし
ての切断線120bに沿ってクラックが伝播され交差点
に達した場合,交差点には交差点切断開始溝が形成され
ているため,クラックは,線形性を保ったまま交差点を
通過し2次切断線の終端部まで伝播される。
【0125】一方,図18に示した切断方法は,1次切
断線が切断対象物の両側端部まで達する場合ではなく,
図21に示すように,1次切断線の終端部が切断対象物
の内側所定位置にある場合に適用される。
【0126】図18および図21に示したように,まず
1次切断線144の始端部に切断開始溝142を形成す
る。次に,1次切断線144に沿ってレーザビームを照
射するとともに,レーザビームが照射された1次切断線
144を急速冷却させる。そして,1次切断線144の
終端部に切断終了溝146を形成し,レーザビームを1
次切断線144の終端部まで照射する過程を通して1次
切断が完了する。
【0127】1次切断の後,プリスクライバの回転鋸の
目の方向を90度回転させて2次切断線149の始端部
に切断開始溝148を形成し,1次切断線144と直交
する2次切断線149に沿ってレーザビームを照射する
とともに,レーザビームが照射された2次切断線149
を急速冷却させる。そして,2次切断線149の終端部
に切断終了溝を形成し,レーザビームを2次切断線14
9の終端部まで照射する過程を通して2次切断が完了す
る。
【0128】なお,この切断工程において,1次切断終
了溝の形成,および,2次切断終了溝の形成は,省略す
ることも可能である。
【0129】かかる切断方法によれば,2次切断線14
9に沿ってレーザビームが照射される前に,2次切断線
149の始端部に切断開始溝が形成されるため,クラッ
クは,線形性を保ったまま2次切断線の終端部まで伝播
される。
【0130】図17〜図21で説明した第1切断線およ
び第2切断線における切断開始溝および切断終了溝の形
成については,上述のダイヤモンドまたはタングステン
から成る回転鋸の目を用いた形成方法,または,冷却工
程をともなわないレーザを用いた形成方法等が適用可能
である。
【0131】本実施の形態において,切断対象物として
薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板が合着され
たLCDパネル100を用いて説明したが,本発明はこ
れに限定されるものではない。低い靭性(Toughn
ess)を有するものであって,切断線の始端部および
終端部にクラックが発生する可能性のあるあらゆる基
板,例えばシリコン基板に対しても本発明は適用可能で
ある。
【0132】以上説明したように,本発明の第1の実施
の形態かかるレーザ切断装置および切断方法によれば,
予備切断溝形成装置を用いて,切断線にレーザビームが
照射される前に切断対象のガラス母基板の切断始端部お
よび切断終端部に対して予備切断溝が形成されるため,
切断線の端部において切断線以外の位置で切断されるこ
とが実質的に防止されることになる。
【0133】また,切断線が直交する切断対象物であっ
ても,2次切断線の始端部に切断開始溝が形成されるた
め,レーザ切断装置の適用が可能となる。
【0134】そして,位置感知センサを用いて,予備切
断溝の形成時点とレーザビームの照射開始時点が正確に
制御されるため,不要な電力の消費および冷却剤の浪費
が防止される。
【0135】また,切断面の上部角をレーザビームによ
ってラウンディングすることが可能となるため,研磨に
よる静電気の発生が防止される。
【0136】さらに,切断線に照射されるレーザビーム
の形状が楕円とされているため,レーザビームの照射の
間,研磨工程を設けることなく切断面の上部角をラウン
ディングさせることが可能となる。
【0137】(第2の実施の形態)図22は,第2の実
施の形態にかかるレーザ切断装置202の斜視図であ
る。このレーザ切断装置202は,第1の実施の形態に
かかるレーザ切断装置200が有する長所および特徴に
加えて,冷却流体によってレーザビームが分散されてカ
ッティング力が低下することが防止され,さらに,パネ
ルを汚染することなく切断することが可能な構成および
機能を有するものである。
【0138】図22に示すように,レーザ切断装置20
2は,レーザ220によって急速加熱されたLCDパネ
ル100を急速冷却させる冷却装置240から噴射され
た冷却流体246を吸入する冷却流体吸入装置250を
含む構成を有する。
【0139】第2の実施の形態にかかるレーザ切断装置
202に備えられた冷却流体吸入装置250は,図22
に示すように,Y軸移送プレート282の進行方向を基
準に冷却装置240の一部である流体噴射管244の後
端に設けられており,LCDパネル100を冷却させた
冷却流体246を吸入するために真空を発生させるポン
プ252,および,ポンプ252と連通されてLCDパ
ネル100の表面に噴射された冷却流体246を吸入す
る吸入管254を含むものである。
【0140】吸入管254の端部は,流体噴射管244
の方向に屈曲されることが好ましく,これによって流体
噴射管244で噴射された冷却流体246が効率的に吸
入されることになる。
【0141】流体噴射管244から噴射された冷却流体
246がLCDパネル100の表面に触れる前に吸入管
254に吸入されることを防止するために,ポンプ25
2の吸入力は,冷却流体246の噴射圧力より低く設定
される。
【0142】次に,第2の実施の形態にかかるレーザ切
断装置202を用いて,ガラス母基板を切断する工程を
図23〜図25を用いて説明する。
【0143】まず,図23に示したように,単位パネル
110の縁に沿ってスクライブライン120が形成され
たLCDパネル100を設備側固定プレート(図示せ
ず。)に固定させた後,LCDパネル100に形成され
た切断線120,プリスクライバ260の回転鋸の目2
64,およびフォーカシングレンズ群ハウジング226
のレーザビーム取出口(図示せず。)を一列に正確に整
列させる。
【0144】続いて,プリスクライバ260,レーザ2
20,流体噴射管244,および吸入管254がY軸移
送プレート282に沿って,指定された経路で前進す
る。
【0145】Y軸移送プレート282に沿って移動する
プリスクライバ260がLCDパネル100の一側端部
に達したところで,図23に示したように,プリスクラ
イバ260の回動軸262がLCDパネル100方向に
回動する。このとき,回動軸262の端部に設けられた
回転鋸の目264がLCDパネル100の切断始端部に
所定の深さの切断開始溝30(図24円内拡大図参照)
を形成し,かかる切断始端部に応力を集中させる。
【0146】プリスクライバ260の回転鋸の目264
によってLCDパネル100に切断開始溝30が形成さ
れた後,回動軸262は,逆回動し元の位置に復帰す
る。
【0147】回動軸262元の位置に復帰したところ
で,Y軸移送プレート282に設けられたレーザ発振ユ
ニット222において,COレーザ等のレーザ220
が発振し,レーザビーム228が出力される。出力され
たレーザビーム228は,屈折レンズ部224に照射さ
れて,一定角度で屈折し,図22に示したフォーカシン
グレンズ群229を通過する。フォーカシングレンズ群
229を通過したレーザビーム228は集束され,ビー
ム端部の直径は数μm程度とされる。
【0148】集束されたレーザビーム228は,図24
に示したように,Y軸移送プレート282に沿って前進
するレーザ220から出力されており,LCDパネル1
00の切断開始溝30を始点として,切断線120に沿
ってLCDパネル100に照射される。
【0149】レーザビーム228が照射されたLCDパ
ネル100は,レーザビーム228の高エネルギーによ
って急速加熱され,局部的な熱膨張とともに高い応力集
中が生じる。
【0150】局部的に加熱されながら局所熱膨張が発生
したLCDパネル100に対して,流体噴射管244か
ら低温の流体が0.1〜0.3秒間隔で断続的に供給さ
れる。これによって急速に加熱されたLCDパネル10
0は,急速に冷却される。
【0151】このように急速冷却されたLCDパネル1
00の切断線120には,熱膨張および熱収縮による高
い熱応力が発生する。熱応力の大きさがガラス分子と分
子とを結合させる結合力より大きくなったとき,非晶質
ガラス分子構造が破壊され,LCDパネル100の切断
線120に沿ってクラックが生成される。この時,クラ
ックの生成およびクラックの進行方向は,レーザビーム
228の走査方向と同一,すなわちLCDパネル100
の平面に対して垂直方向となり,結果的にLCDパネル
100は完全に切断されることになる。
【0152】図24に示すように,急速加熱されたLC
Dパネル100を冷却するための冷却流体246,例え
ば冷却液体がLCDパネル100の表面に残存する場
合,残存している冷却液体が乾燥されながら単位パネル
を汚染(むら)する場合がある。
【0153】また,従来,冷却流体246として冷却液
体が用いられた場合,急速加熱されたLCDパネル10
0の温度によって冷却液体が気化され,気化された冷却
液体がフォーカシングレンズ群ハウジング229方向に
拡散し,結果的にレーザビーム228を散乱させるおそ
れがあった。冷却流体246として冷却気体が用いられ
た場合も同様であり,冷却気体の運動によってフォーカ
シングレンズ群ハウジング229方向に冷却気体が拡散
し,結果的にレーザビーム228を散乱させるおそれが
あった。
【0154】この点,第2の実施の形態にかかるレーザ
切断装置202は,冷却流体吸入装置250を備えてお
り,LCDパネル100を冷却させた冷却流体246を
冷却流体吸入装置250で吸入することが可能とされて
いる。これによって,冷却流体246による単位パネル
110の汚染,および,レーザビーム228の散乱が防
止されることになる。
【0155】具体的には,ポンプ252を稼動させて吸
入管254に真空を発生させ,冷却流体246がLCD
パネル100の表面に接触し切断線120を冷却した直
後,真空状態の吸入管254は,外部雰囲気との圧力差
によって冷却流体246を吸入する。
【0156】例えば,純水を冷却流体246として使用
する場合,真空状態の吸入管254は,LCDパネル1
00の表面に残存している純水246と,高温の熱によ
り気化された水蒸気を吸入する。窒素ガスを冷却流体2
46として使用する場合,真空状態の吸入管254は,
窒素ガスがLCDパネル100と衝突し拡散される前に
かかる窒素ガスを吸入する。
【0157】ポンプ252の真空圧は,冷却流体246
の噴射圧力より低く設定されており,流体噴射管244
から噴射された冷却流体246が直ちに吸入管254に
吸入されることはない。
【0158】図25に示すように,レーザ220は,Y
軸移送プレート282に沿って続けて前進する。そし
て,切断予定線120に沿ってLCDパネル100が切
断される間,噴射された冷却流体246は継続して吸入
されることになる。LCDパネル100の他側端部にプ
リスクライバ260が達したところで,回動軸262
は,再びLCDパネル100方向に回動してLCDパネ
ル100の他側端部に切断終了溝を形成する。
【0159】以上の工程を通してLCDパネル100に
おける一側基板の切断が完了した後,合着状態のLCD
パネル100を裏返し,他側基板の切断を実行する。
【0160】以上のように,第2の実施の形態にかかる
レーザ切断装置202は,冷却装置240の後端部に冷
却流体吸入装置250を備えており,LCDパネル10
0を冷却させた冷却流体246を冷却流体吸入装置25
0で吸入することが可能とされている。これによって,
レーザビーム228の散乱が防止され,カッティング力
が向上することになる。
【0161】また,冷却流体246として液体が用いら
れた場合であっても,LCDパネル100に残存してい
る冷却液体を取り除くことが可能となり,単位パネルに
おける汚染が防止されるとともに,冷却液体による液晶
注入口の閉鎖も防止される。
【0162】なお,第2の実施の形態においては,切断
対象物であるLCDパネル100が固定され,レーザ2
20,冷却装置240,およびプリスクライバ260が
移動する場合に即して説明したが,本発明はこれに限ら
ず,レーザ220,冷却装置240,およびプリスクラ
イバ260が固定され,LCDパネル100が移動して
切断される場合にも適用可能である。
【0163】(第3の実施の形態)切断線120上に到
達した冷却流体246の温度に対して,切断線120に
近接した部分に到達した冷却流体246の温度が低くな
ってしまった場合,切断線120に沿ってクラックが伝
播せず,切断線120を外れて伝播するいわゆる切断不
良が発生する場合がある。
【0164】このような切断不良を防止するための方策
として,冷却流体噴射管の直径を非常に細く,好ましく
はレーザビームの直径と同等とすることが考えられる。
【0165】しかし,図28に示すように,通常,冷却
流体が噴射されるノズル82の直径D2は,レーザビー
ムの直径D1よりはるかに太い(D1<<D2)。
【0166】第3の実施の形態にかかるレーザ切断装置
は,レーザビーム228の直径D1より太い直径を有す
るノズル82を備えており,このノズル82は,注射針
と同様に斜めにカットされた端部を有するものである。
【0167】図26は,第3の実施の形態にかかるレー
ザ切断装置に備えられた冷却装置241の構成を示すブ
ロック図であり,図27は,冷却装置241の概略的な
構成を示すものである。
【0168】図26および図27に示すように,冷却装
置241は,レーザによって加熱されて熱膨張したガラ
ス母基板の切断線(スクライブライン)を急速に冷却さ
せる役割を果たすものであり,液体窒素,液体ヘリウム
等液化された不活性気体が充填された冷却ガスボンベ6
0,冷却ガスボンベ60から冷却ガスを気体状態の低温
冷却ガスに相変換させる相変換装置70,および相変換
された低温冷却ガスを噴射する噴射装置80を含むもの
である。
【0169】相変換装置70は,図27に示したよう
に,冷却ガス供給管91の端部に形成された膨張ノズル
72,膨張ノズル72を通過して気化された低温の冷却
ガスを一時的に貯蔵する所定容積を有する貯蔵タンク7
4を含むものである。
【0170】膨張ノズル72は,直径の大きい部分およ
び小さい部分を有するものであり,冷却ガス供給管91
から送出された気化する前の液体状態にある冷却剤の体
積を急速に膨張させるように機能する。
【0171】冷却ガス供給管91から送出された液状ガ
スの通過/遮断を制御するために冷却ガス供給管91に
は第1ソレノイドバルブ91aが設けられており,この
第1ソレノイドバルブ91aは,マイクロコントローラ
(図示せず。)などの制御装置によって制御される。
【0172】貯蔵タンク74の出口にはマイクロコント
ローラによって制御される第2ソレノイドバルブ74a
が設けられており,これによって貯蔵タンク74に貯蔵
された冷却ガスの流出入が制御される。
【0173】第2ソレノイドバルブ74aにはノズル8
2が連結されており,ノズル82の中間部分には高圧の
冷却ガスによってLCDパネル100が破損されないよ
うに冷却ガスの圧力を調節する圧力調節装置86が状況
に応じて設置される。
【0174】以上の構成を有する冷却装置241の動作
について,図26〜図28を参照しながら説明する。
【0175】レーザビーム228が切断線120に照射
されたところで,冷却ガス供給管91に備えられた第1
ソレノイドバルブ91aが次第に開放され,冷却ガスボ
ンベ60に充填されている液状の冷却ガスが冷却ガス供
給管91に供給される。
【0176】冷却ガスは,膨張ノズル72を通過する間
に急速に膨張され,気体状態とされ貯蔵タンク74に貯
蔵される。
【0177】次に,第2ソレノイドバルブ94aが開放
されることによって,冷却ガスがノズル82を通して噴
射される。噴射された冷却ガスの圧力は,圧力調節装置
86によって調節される。なお,噴射された冷却ガスの
圧力に応じて,冷却ガスと接触する切断対象物の温度が
変化するため,冷却ガスの圧力は,適切な範囲で調節さ
れる。
【0178】ここで,図28および図29に基づき,冷
却流体の分布とレーザビームが走査される切断線(スク
ライブライン)の関係を説明する。
【0179】切断線120とノズル82の端部との距離
に応じて,噴射された冷却流体の温度分布は変化する。
すなわち,図28に示したように,ノズル82のトップ
にあたるC部分を通過した冷却ガスの温度が最も低くな
り,ノズル82の斜めにカットされた傾斜部にあるB
部,A部を通過した冷却ガスの温度は,C部分を通過し
た冷却ガスの温度に比べて著しく高くなる。
【0180】ノズル82のトップにあたるC部分がレー
ザ220の進行方向の第一後側に位置するようにして,
C部分が切断線120に沿って進行するようにする。こ
のよに,冷却装置241において冷却流体が噴射される
ノズル82の端部を傾斜するように構成したことによっ
て,レーザビームが照射された部分に対して,最も温度
の低い冷却流体を的確に供給することが可能となる。し
たがって,クラックは切断線120を外れることなく,
結果的に切断不良が実質的に防止されることになる。
【0181】なお,第3の実施の形態においては,切断
対象物であるLCDパネル100が固定され,レーザ2
20,冷却装置241,およびプリスクライバ260が
移動する場合に即して説明したが,本発明はこれに限ら
ず,レーザ220,冷却装置241,およびプリスクラ
イバ260が固定され,LCDパネル100が移動して
切断される場合にも適用可能である。
【0182】(第4の実施の形態)通常,レーザ切断装
置によれば,ダイヤモンドブレードを利用した切断装置
と異なり,検査者の肉眼で切断の進行経路を確認するこ
とが困難となる。
【0183】第4の実施の形態にかかるレーザ切断装置
および切断方法によれば,レーザビームの進行経路を作
業者の肉眼で容易に確認することが可能となる。
【0184】図30は,第4の実施の形態にかかるレー
ザ切断装置204の斜視図であり,図31は,図30の
レーザ切断装置204に備えられたレーザ220および
レーザビーム228の進行経路確認装置の詳細断面図で
ある。
【0185】図30に示すように,第4の実施の形態に
かかるレーザ切断装置204は,レーザ220から照射
されたレーザビーム228の移動経路を肉眼で確認する
ための指示用レーザビーム235を発生させる光変調装
置270を含むものである。この光変調装置270は,
支持部材265によってY軸移送プレート282に固定
されている。
【0186】図31に示すように,光変調装置270を
含むレーザ220は,暗室であるチャンバ400内に設
けられるが,これはカッティング用のレーザビーム22
8のパワーが大きいため,作業者および周辺装置への影
響を考慮してのことである。
【0187】チャンバ400の一側壁にはレーザビーム
228の進行経路を確認するためのウィンドウ410が
設けられている。
【0188】光変調装置270は,レーザビーム228
が出射されるフォーカシングレンズ群ハウジング226
の下方に設けられている。そして,光変調装置270
は,ハウジング272,ハウジング272の内部に設け
られビーム入射口274を通して入射されたレーザビー
ム228の一部を透過させ,残り一部を反射させるよう
にして入射されたレーザビーム228を分割するビーム
スプリッタ(beamsplitter)252,ビー
ムスプリッタ252における反射によって分離された光
を可視光線帯域の光に変調する光変調部254,および
変調された光を所定角度で反射する反射鏡256を含む
ものである。
【0189】レーザ発振ユニット222の発振によって
フォーカシングレンズ群ハウジング226の取出口24
5から出射されたレーザビーム228は,例えば,発振
波長λが1300nmである赤外線であって,50〜2
50W程度の出力とされている。かかるレーザビーム2
28を出力するレーザとして,例えば,YAGレーザま
たはCOレーザ等が用いられる。
【0190】ビームスプリッタ252は,片面が傾斜す
るように切断された2個の直角プリズムの傾斜面が相互
接するように配置して構成されている。2個の直角プリ
ズムうち一方の傾斜面には,偏光板が取り付けられてお
り,入射面に対して平行な光成分を透過させ,入射面に
対して垂直な光成分を90゜反射させるように機能す
る。そして,ビームスプリッタ252は,レーザビーム
228が出射されるフォーカシングレンズ群ハウジング
226の取出口245に対向する位置に設けられてい
る。
【0191】光変調部254は,レーザ220の進行方
向を基準にビームスプリッタ252の後端にビームスプ
リッタ252と平行となるように設けられており,ビー
ムスプリッタ252で反射された例えば約1300nm
の波長を有する赤外線帯域のレーザビーム228を人の
肉眼で識別可能な例えば約630nmの波長を有する可
視光線帯域の指示用レーザビーム235に変調するもの
である。光変調部254は,非線形物質であるクリスタ
ル,ポリマ,または液晶等によって構成することが可能
である。
【0192】反射鏡256は,光変調部254の後端に
所定勾配で設けられており,光変調部254から出射さ
れた指示用レーザビーム235をレーザビーム228の
後側に向けて反射させる。ここで,カッティング用のレ
ーザビーム228と指示用レーザビーム235は,同一
の切断線120上に位置するように調整される。
【0193】ビームスプリッタ252,光変調部25
4,および反射鏡256を囲むハウジング272には,
ビームスプリッタ252に対してレーザビーム228を
入射させるための入射口274,ビームスプリッタ25
2を透過したカッティング用のレーザビーム228を切
断対象物であるLCDパネル100に形成された切断線
120に向けて出射するための第1出射口276,およ
び反射鏡256で反射された指示用レーザビーム235
を出射するための第2出射口278が形成されている。
【0194】入射口274は,フォーカシングレンズ群
ハウジング226の取出口245の直径より若干大きく
形成される。また,第1出射口276は,ハウジング2
72の底面に入射口274と対応される位置に形成さ
れ,第2出射口278は,第1出射口276の後端,す
なわち指示用レーザビーム235の反射経路と対応する
部分に形成される。
【0195】以上のような構成を有する第4の実施の形
態にかかるレーザ切断装置によるLCDパネル100の
切断工程を説明する。
【0196】単位パネル110の縁に沿って形成された
切断線120,プリスクライバ260に備えられた回転
鋸の目264,光変調装置270のハウジング272に
形成された入射口274,第1出射口276,および第
2出射口278を一列に正確に整列させる。ここで,切
断線120は,単位パネル110の各角に形成されたカ
ッティングキー20に基づき形成されている。また,第
2出射口278から出射される指示用レーザビーム23
5を用いることによって,切断線120,第1出射口2
76,および第2出射口278の整列が容易化されてい
る。
【0197】このように回転鋸の目264,第1出射口
276,および第2出射口278が切断線120と整列
されたところで,プリスクライバ260の回動軸262
がLCDパネル100方向に回動し,回動軸262に固
定された回転鋸の目264は,LCDパネル100の一
端部に所定深さの切断開始溝を形成する。
【0198】その後,回動軸262は,逆回動して元の
位置に復帰し,レーザ発振ユニット222から発振され
たレーザビーム228は,屈折レンズ部224によって
屈折され,フォーカシングレンズ群229に伝達され
る。フォーカシングレンズ群229を通過したレーザビ
ーム228は,数μm程度の直径となるように集束さ
れ,フォーカシングレンズ群ハウジング226の取出口
245から出射される。
【0199】フォーカシングレンズ群ハウジング226
の取出口245から出射されたレーザビーム228は,
光変調装置270のハウジング272に形成された入射
口274を通して光変調装置270の内部に取り込まれ
る。ここで,光変調装置270に取り込まれたカッティ
ング用のレーザビーム228のうち,一部は入射された
ときと同一の波長で第1出射口276を通過し,残り一
部は,可視光線帯域の波長に変調された後第2出射口2
78を通過する。
【0200】かかる動作をさらに詳しく説明する。光変
調装置270に入射されたレーザビーム228のうち5
0%は,ビームスプリッタ252をそのまま透過し,第
1出射口274を通してLCDパネル100に形成され
た切断線120に照射され,残り50%は,ビームスプ
リッタ252で90゜に反射される。
【0201】ビームスプリッタ252で反射されたレー
ザビーム228は,ビームスプリッタ252と対向して
設けられている光変調部254に入射される。そして,
光変調部254に入射されたレーザビーム228は,作
業者が肉眼で確認することが可能な可視光線帯域の波長
に変調される。例えば,1300nmの波長を有するレ
ーザビーム228が光変調部254によって630nm
の波長を有する赤色光に変調される。
【0202】このように,可視光線帯域の波長に変調さ
れて生成された指示用レーザビーム235は,反射鏡2
56で反射され,ハウジング272の底面に形成された
第2出射口278を通して,カッティング用のレーザビ
ーム228と同一の切断線120に照射される。
【0203】第1出射口276から出射されたカッティ
ング用のレーザビーム228は,切断線120を急速に
加熱しながら走査し,第2出射口278から出射された
指示用レーザビーム235は,カッティング用レーザビ
ーム228に追従する。すわわち,作業者は,指示用レ
ーザビーム235によってカッティング用のレーザビー
ム228の進行経路を確認することが可能となる。
【0204】カッティング用のレーザビーム228によ
って急速に加熱されたLCDパネル100は,流体噴射
管244から噴射された冷却流体246によって急速冷
却される。このとき,LCDパネル100の切断線12
0には熱膨張と収縮により高い熱応力が発生する。熱応
力の大きさがガラス分子と分子とを結合させる結合力よ
り大きくなったとき,非晶質ガラス分子構造が破壊さ
れ,LCDパネル100の切断線120に沿ってクラッ
クが生成される。そして,単位パネル110がLCDパ
ネル100から切断される。
【0205】ここで,クラックの生成方向は,カッティ
ング用のレーザビーム228の進行方向と同一であるた
め,レーザビーム228が切断線120から離脱した場
合,単位パネル110にカッティング不良が生じること
になる。このため,作業者は,切断工程の間,指示用レ
ーザビーム235が切断線120に沿って一直線に進行
でいることを随時確認する。指示用レーザビーム235
が切断線120から離脱した場合は,カッティング用の
レーザビーム228も切断線120から離脱しているこ
とになるため,レーザ切断装置204の稼動を中止させ
る。そして,レーザ220の調節を行い,次の切断線1
20と指示用レーザビーム235をアラインさせ切断工
程を再開させる。
【0206】以上のように第4の実施の形態にかかるレ
ーザ切断装置および切断方法によれば,指示用レーザビ
ーム235によってカッティング用のレーザビーム22
8の進行経路を肉眼で確認することが可能となるため,
カッティング不良により廃棄処分とされる単位パネルの
数が低減される。
【0207】なお,第4の実施の形態においては,切断
対象物であるLCDパネル100が固定され,レーザ2
20,冷却装置241,およびプリスクライバ260が
移動する場合に即して説明したが,本発明はこれに限ら
ず,レーザ220,冷却装置241,およびプリスクラ
イバ260が固定され,LCDパネル100が移動して
切断される場合にも適用可能である。
【0208】(第5の実施の形態)第4の実施の形態に
かかるレーザ切断装置によれば,レーザビーム228の
経路を肉眼で確認することが可能となるが,レーザビー
ム228の経路が切断対象物,例えば合着されたLCD
パネル100の表面の整列キーによって定義される切断
予定線に沿って正確に進行しているか否かを確認するこ
とは困難である。
【0209】実切断線が切断予定線からセル内側に離脱
した場合,クラックも同じくセル内側に伝播されるた
め,切断されたセル全部が不良と判定される。このよう
な切断不良は,1枚のLCDパネルに止まらず,連続し
て切断工程が進められた場合,数十枚〜数百枚のLCD
パネルに影響が及ぶおそれもある。
【0210】第5の実施の形態にかかるレーザ切断装置
および切断方法によれば,実際の切断線の進行経路と切
断予定線が外れた場合,切断動作を中止させる,あるい
は,外れた実切断線の進行経路を修正することが可能と
なる。
【0211】図32は,第5の実施の形態にかかるレー
ザ切断装置206の斜視図である。このレーザ切断装置
206は,切断予定線に沿ってレーザビーム228を照
射する第1レーザ220,第1レーザ220から照射さ
れたレーザビーム228が照射された実切断線に沿って
冷却流体を噴射する冷却装置240,および冷却流体の
噴射によってLCDパネル100の実切断線に沿って伝
播されるクラックの進行経路を追跡する第2レーザ29
0を含むものである。冷却装置240は,第1レーザ2
20の進行方向の後端に設けられ,第2レーザ290
は,冷却装置240の後端に設けられている。
【0212】LCDパネル100の切断予定線の始端部
に切断開始溝を形成するプリスクライバ260,およ
び,移送装置280は,状況に応じて備えられるもので
ある。また,第2の実施の形態において説明した冷却流
体吸入装置250を増設することも可能である。
【0213】第4の実施の形態にかかるレーザ切断装置
と同様に,第5の実施の形態にかかるレーザ切断装置2
06は,暗室であるチャンバ(図示せず。)内に備えら
れる。チャンバの外側壁にはカッティング用のレーザビ
ーム228の移動経路を作業者が観察するためのウィン
ドウが設けられる。
【0214】第2レーザ290は,第1レーザ220と
同様に,レーザ発振ユニット292,屈折レンズ部29
4,フォーカシングレンズ群(図示せず。),およびフ
ォーカシングレンズ群ハウジング296を含むものであ
る。
【0215】フォーカシングレンズ群ハウジング296
の所定部分には,光センサ298が設けられている。光
センサ298は,第2レーザ290から照射され,LC
Dパネル100の実切断線に発生したクラックに反射し
たビームを感知するものである。光センサ298は,L
CDパネル100のクラックに反射されたクラック認識
用レーザビームの光量を検出する光量検出センサで構成
されることが好ましい。
【0216】光センサ298,第1レーザ220,およ
び第2レーザ290は,図33に示したように,例えば
マイクロプロセッサから構成された制御装置400によ
って制御される。制御装置400は,入力されている切
断予定線の経路と,センサから入力された実切断線の経
路とを光センサ298から入力される光量に基づき比較
判断し,移送装置280を含むレーザ切断装置206の
動作を中止させたり,移送装置280の動作を調整する
ことが可能である。
【0217】第2レーザ290に備えられたレーザ発振
ユニット292は,Y軸移送プレート282に設けられ
ており,クラック認識用レーザビーム237を出力す
る。このクラック認識用レーザビーム237は,可視光
線であることが好ましく,発振波長λが630nm程度
のヘリウムネオンレーザビームを適用することが可能で
ある。かかる構成によれば,作業者は,肉眼でクラック
認識用レーザビーム237およびカッティング用のレー
ザビーム228の移動経路を確認することが可能とな
る。
【0218】また,第1レーザ220に備えられたレー
ザ発振ユニット222の発振によってフォーカシングレ
ンズ群ハウジング226から出射されたレーザビーム2
28は,例えば,発振波長λが1300nmである赤外
線であって,50〜250W程度の出力とされている。
かかるレーザビーム228を出力するレーザとして,例
えば,YAGレーザまたはCOレーザ等が用いられ
る。
【0219】以上のような構成を有する第5の実施の形
態にかかるレーザ切断装置206によるLCDパネル1
00の切断工程を図32〜図34を用いて説明すれる。
【0220】LCDパネル100に定義された切断線1
20に対して,プリスクライバ260に備えられた回転
鋸の目264,カッティング用のレーザビーム228,
およびクラック認識用レーザビーム237を一列に正確
に整列させる。このように回転鋸の目264,カッティ
ング用のレーザビーム228,およびクラック認識用レ
ーザビーム237が切断線120と一致したところで,
回動軸262がLCDパネル100の方向に回動し,回
動軸262に固定された回転鋸の目264は,LCDパ
ネル100の一端部に所定深さの切断開始溝を形成す
る。
【0221】その後,回動軸262は,逆回動して元の
位置に復帰し,数μmに集束され,フォーカシングレン
ズ群ハウジング226から出射されたカッティング用の
レーザビーム228は,LCDパネル100に形成され
た切断開始溝を始点として切断線120に沿って走査
し,LCDパネル100を急速加熱する。
【0222】続いて,第1レーザ220の後端に設けら
れた冷却噴射管244から冷却流体246が,レーザビ
ーム228が照射されたLCDパネル100に対して噴
射され,切断線120に沿ってクラックが発生する。こ
れによって,LCDパネル100からの単位パネル11
0の切断が進行する(図34,S500)。
【0223】第2レーザ290に備えられたフォーカシ
ングレンズ群において数μmに集束されたクラック認識
用レーザビーム237は,カッティング用のレーザビー
ム228と同一の経路をたどり,冷却流体246に追従
してLCDパネル100に発生したクラックに照射され
る。
【0224】クラック認識用レーザビーム237がクラ
ックに照射されると,クラック認識用レーザビーム23
7の一部がクラックの入射面で反射される。第2レーザ
290におけるフォーカシングレンズ群ハウジング29
6に設けられた光センサ298は,反射されたクラック
認識用レーザビーム237の光量を感知した後,これに
相当する電気信号をマイクロプロセッサ400に伝達す
る。
【0225】光センサ298から伝達された電気信号が
マイクロプロセッサ400に入力されれると,マイクロ
プロセッサ400は,かかる電気信号を光の強さに換算
し,予め入力された光の強さと,換算された光の強さと
を比較して,カッティング用のレーザビーム228が切
断線120から離脱しているか否かを判断する(図3
4,S510)。
【0226】比較判断の結果,予め入力されている光の
強さと,光センサ298から入力された光の強さが略同
一な場合,カッティング工程を続行させる。
【0227】対して,比較判断の結果,予め入力されて
いる光の強さと,光センサ298から入力された光の強
さが異なる場合,カッティング用のレーザビーム228
が切断線120から離脱したとして,マイクロプロセッ
サ400は,予め入力されている光の強さと光センサ2
98から入力された光の強さに基づき,切断予定線であ
る切断線120と実切断線120’の離脱角θ(図33
参照)を計算する(図34,S520)。
【0228】マイクロプロセッサ400は,計算された
離脱角θに応じてX軸移送プレート284の位置を調整
し,カッティング用のレーザビーム228を切断線12
0と一致させる(図34,S530)。
【0229】X軸移送プレート284の調整によって第
2レーザ290が移動し,クラックにクラック認識用レ
ーザビーム237が照射される。光センサ298は,ク
ラックの入射面で反射したクラック認識用レーザビーム
237の光量を感知した後,これに応じた電気信号を再
びマイクロプロセッサ400に伝達する。
【0230】マイクロプロセッサ400は,光センサ2
98から入力された電気信号を光の強さに換算した後,
予め入力されている光の強さと,換算された光の強さろ
を比較してカッティング用のレーザビーム228が切断
線120に一致しているか否かを判断する(図34,S
540)。
【0231】比較の結果,切断線120とカッティング
用のレーザビーム228が一致したと判断した場合,L
CDパネル100を急速加熱/急速冷却させ,LCDパ
ネル100から単位パネル110を切断する工程を続け
て進行する(図34,S550)。
【0232】比較の結果,カッティング用のレーザビー
ム228と切断線120が一致しないと判断した場合,
離脱角θを計算する工程に戻る。
【0233】このようにマイクロプロセッサ400を用
いて,自動的に切断線120とカッティング用のレーザ
ビーム228とを一致させることによって,切断線12
0からカッティング用のレーザビーム228が離脱した
直後にカッティング経路を補正することが可能となる。
したがって,1枚の単位パネル110にのみカッティン
グ不良が発生するだけで,不具合の大量発生が防止され
ることになる。
【0234】以上説明したように,第5の実施の形態に
かかるレーザ切断装置および切断方法によれば,切断線
120とカッティング用のレーザビーム228との離脱
角θが計算され,切断線120に対してカッティング用
のレーザビーム228を自動的にアラインさせることが
可能となるため,連続的なカッティング不良の発生が防
止されることになる。したがって,設備稼動時間を増加
させることが可能となり,製品の生産性が向上する。
【0235】なお,第5の実施の形態においては,切断
対象物であるLCDパネル100が固定され,レーザ2
20,冷却装置240,およびプリスクライバ260が
移動する場合に即して説明したが,本発明はこれに限ら
ず,レーザ220,冷却装置240,およびプリスクラ
イバ260が固定され,LCDパネル100が移動して
切断される場合にも適用可能である。
【0236】(第6の実施の形態)第1の実施の形態〜
第5の実施の形態において説明されたレーザ切断装置お
よび切断方法は,大型画面を実現するタイルドLCDモ
ジュールの製造に対しても効果的に適用することが可能
である。
【0237】図35〜図39は,本発明によって切断さ
れた単位パネルを利用して大型平板表示素子を製造する
方法を示すものである。
【0238】高解像度大型平板表示素子を製造するため
には,まず,XGAまたはUXGAを支援可能な高解像
度を有する複数個の単位パネルが形成されたガラス母基
板(図示せず。)を製造し,その後,単位パネルが形成
されたガラス母基板を精密,かつ,切断面を滑らかに切
断する工程が実行される。
【0239】切断装置としては,上述のレーザ切断装置
200,202,204,206が選択的に用いられ
る。
【0240】まず,例えば,COレーザビームを利用
して,ガラス母基板の切断線(スクライブライン)を急
速加熱/急速冷却させ,微細クラックを誘発させる。こ
のクラックによってガラス母基板に形成された複数個の
単位パネルを精密に切断して単位パネル150,15
2,154,156を製造する。
【0241】切断工程において,上述したように,ガラ
ス母基板の切断される両側エッジ面に切断開始溝および
切断終了溝を形成する方法が用いられる。さらに,切断
線の交差点にも予備切断溝が形成される。
【0242】ガラス母基板の外表面から始まる微細クラ
ックがガラス母基板の内表面方向に進行する際,ガラス
母基板の内表面に不規則なクラックが発生しないよう
に,切断されるガラス母基板を2回に分けて切断する方
法が選択的に使用される。
【0243】第1〜5の実施の形態にかかる切断装置お
よび切断方法を選択的に用いることによって,単位パネ
ル150,152,154,156は,滑らかな切断面
を有するように切断される。切断された単位パネル15
0,152,154,156は,4枚で1つの大型平板
表示素子を形成する。すなわち,4枚の30”単位パネ
ル150,152,154,156を2×2の正方行列
で配列することによって,1つの60”LCDパネルが
形成されることになる。また,4枚の単位パネル15
0,152,154,156から2枚を用いて1×2行
列構造とし,30”に相当する2枚のLCDパネルを形
成することも可能である。
【0244】ガラス母基板から切断されて個別化された
単位パネル150,152,154,156の切断面に
はゲート電極(図示せず。)とデータ電極(図示せ
ず。)がコンタクトされるエッジ電極が形成されてい
る。ゲート電極とデータ電極が形成された単位パネル1
50,152,154,156は,ゲート電極とデータ
電極が外側に向くように配列される。
【0245】複数個の単位パネル150,152,15
4,156は,図36に示すように,接合予定面155
を基準に整列され,かかる接合線に沿ってレーザビーム
228が照射される。ここで,レーザビーム228の強
さは,レーザ照射部分が溶融される程度に調節される。
レーザビーム228の照射によって単位パネル150,
152,154,156は相互接合される。
【0246】単位パネル150,152,154,15
6は,多様な媒介物質を用いて相互溶融接合される。こ
の場合のシームラインの幅は,XGAまたはUXGAを
支援する高い解像度を有するLCDパネル150,15
2,154,156が必要とするシームライン幅に近接
することになるため,大型ディスプレイ画面がシームラ
インによって分離される現象は防止されることになる。
【0247】また,図37および図38に示したよう
に,単位パネル157,158,159,160の間
に,溶融点が基板として使われるガラスの溶融点より著
しく低い焼結ガラスであるシンタードガラス(sint
ered glass)または鉛含有ガラスのような媒
介接合ガラス170が介在する場合,単位パネル15
7,158,159,160を両側から加圧した後,図
36に示すレーザビーム228によって媒介接合ガラス
170を溶融させ,単位パネル157,158,15
9,160を相互接合させる方法がある。
【0248】この場合,シンタードガラスや鉛含有ガラ
スなどの媒介接合ガラス170は,非常に薄い膜形状と
することが可能であるため,単位パネル157,15
8,159,160のブラックマトリックスとしての役
割を果たすシームラインの幅を単位パネル157,15
8,159,160のピクセルの間隔に相当する幅に設
定することが可能である。したがって,接合のために媒
介物質を使用した場合であっても,高解像度を有する大
型平板表示素子の製造が可能となる。
【0249】以上のように接合されたセルは,LCDモ
ジュール組立工程を経て,最終的に大型平板表示素子が
完成する。
【0250】以上,添付図面を参照しながら本発明の好
適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる実
施の形態に限定されない。当業者であれば,特許請求の
範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変
更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,そ
れらについても当然に本発明の技術的範囲に属するもの
と了解される。
【0251】
【発明の効果】以上説明したように,本発明によれば切
断対象物の切断不良が防止される。また,切断時のパー
ティクルの発生が防止され,切断対象物の汚染が防止さ
れる。
【0252】さらに,切断状況を容易に確認することが
可能となる。また,切断位置にずれが生じた場合であっ
ても,迅速に修正することが可能となる。
【0253】そして,切断された対象物を相互に接合す
る場合,かかる接合箇所を極めて小さくすることが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態かかるレーザ切断装
置の斜視図である。
【図2】図1のPS部分の詳細図である。
【図3】図1のレーザ切断装置の断面図である。
【図4】図1のレーザ切断装置の切断過程を説明する説
明図である。
【図5】図1のレーザ切断装置の切断過程を説明する説
明図である。
【図6】図1のレーザ切断装置の切断過程を説明する説
明図である。
【図7】図1のレーザ切断装置の切断過程を説明する説
明図である。
【図8】図1のレーザ切断装置の切断過程を説明する説
明図である。
【図9】図1のレーザ切断装置のレーザビームと回転鋸
の目の進行軌跡を示した斜視図である。
【図10】図1のレーザ切断装置のレーザビームと回転
鋸の目の進行軌跡を示した斜視図である。
【図11】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための説明図である。
【図12】本発明の他の実施の形態による切断面の処理
方法を説明する斜視図である。
【図13】図12のA−A’線に沿って切断された断面
図である。
【図14】図12のB−B’線に沿って切断された断面
図である。
【図15】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための説明図である。
【図16】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための説明図である。
【図17】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するためのフローチャートである。
【図18】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するためのフローチャートである。
【図19】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための平面図である。
【図20】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための平面図である。
【図21】本発明の他の実施の形態による切断方法を説
明するための平面図である。
【図22】本発明の他の実施の形態によるレーザ切断装
置の斜視図である。
【図23】図22のレーザ切断装置を利用した切断方法
を説明するための斜視図である。
【図24】図22のレーザ切断装置を利用した切断方法
を説明するための斜視図である。
【図25】図22のレーザ切断装置を利用した切断方法
を説明するための斜視図である。
【図26】本発明の他の実施の形態による冷却装置のブ
ロック図である。
【図27】図26の冷却装置の部分構成図である。
【図28】ノズルの構造変更による切断過程を説明する
ための図面である。
【図29】ノズルの構造変更による切断過程を説明する
ための図面である。
【図30】本発明のまた他の実施の形態によるレーザ切
断装置の斜視図である。
【図31】図30のレーザ切断装置におけるレーザと光
変調装置を含む部分の詳細図である。
【図32】本発明の他の実施の形態によるレーザ切断装
置の斜視図である。
【図33】図32のレーザ切断装置でレーザの進行経路
を補正する方法を説明するための斜視図である。
【図34】図32のレーザ切断装置でレーザの進行経路
を補正する方法を説明するフローチャートである。
【図35】本発明のレーザ切断装置および切断方法をタ
イルドLCDパネルの製造に適用する過程を示す斜視図
である。
【図36】本発明のレーザ切断装置および切断方法をタ
イルドLCDパネルの製造に適用する過程を示す斜視図
である。
【図37】本発明のレーザ切断装置および切断方法をタ
イルドLCDパネルの製造に適用する過程を示す斜視図
である。
【図38】本発明のレーザ切断装置および切断方法をタ
イルドLCDパネルの製造に適用する過程を示す斜視図
である。
【図39】本発明のレーザ切断装置および切断方法をタ
イルドLCDパネルの製造に適用する過程を示す断面図
である。
【図40】従来のガラス母基板の平面図である。
【図41】図40のE1部の詳細図である。
【図42】図40のE2部の詳細図である。
【図43】従来のタイルドLCDの平面図である。
【図44】図43のE4部の詳細図である。
【符号の説明】
100 LCDパネル 110 単位パネル 120 切断線 200 レーザ切断装置 220 レーザ 222 レーザ発振ユニット 224 屈折レンズ部 226 フォーカシングレンズ群ハウジング 228 レーザビーム 240 冷却装置 242 冷却流体貯蔵部 244 流体噴射管 260 プリスクライバ 262 回動軸 264 回転鋸の目 280 移送装置 282 Y軸移送プレート 284 X軸移送プレート Ps 始端部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 1998P53539 (32)優先日 平成10年12月4日(1998.12.4) (33)優先権主張国 韓国(KR) (31)優先権主張番号 1998P53541 (32)優先日 平成10年12月4日(1998.12.4) (33)優先権主張国 韓国(KR) (72)発明者 ▲鄭▼ 盛旭 大韓民国ソウル市永登浦区楊坪洞5街9番 地1戸 東寶アパート101棟303号 (72)発明者 李 愚植 大韓民国ソウル市道峯区倉5洞296番地13 戸 三好マンション402号 (72)発明者 金 範洙 大韓民国京畿道水原市八達区池洞354番地 125戸

Claims (62)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の波長のレーザビームを切断対象物
    に照射するレーザと,前記レーザのレーザビームが照射
    された前記切断対象物の切断線を冷却させる冷却手段
    と,を含むことを特徴とする,レーザ切断装置。
  2. 【請求項2】 前記レーザは,前記レーザビームを発生
    させるレーザ発振ユニットと,前記レーザビームを所定
    方向に屈折させる屈折レンズと,屈折された前記レーザ
    ビームのフォーカスを調節するフォーカシングレンズ群
    と,前記フォーカシングレンズ群をカバーするフォーカ
    シングレンズ群ハウジングと,を含むことを特徴とす
    る,請求項1に記載のレーザ切断装置。
  3. 【請求項3】 前記レーザは,YAGレーザ,CO
    ーザ,またはダイオードレーザのいずれかであることを
    特徴とする,請求項1または2に記載のレーザ切断装
    置。
  4. 【請求項4】 前記冷却手段は,前記レーザが照射され
    た前記切断線に冷却流体を噴射する冷却流体供給部と,
    前記冷却流体供給部によって供給された冷却流体を急速
    加熱された前記切断対象物に噴射するノズルと,を含む
    ことを特徴とする,請求項1,2,または3に記載のレ
    ーザ切断装置。
  5. 【請求項5】 前記ノズルは,前記冷却流体の噴射方向
    に対して,端面が所定角度に傾斜していることを特徴と
    する,請求項4に記載のレーザ切断装置。
  6. 【請求項6】 前記ノズルは,噴射される前記冷却流体
    の圧力を調節するための圧力調節手段をさらに含むこと
    を特徴とする,請求項4または5に記載のレーザ切断装
    置。
  7. 【請求項7】 前記冷却流体は,窒素ガス,ヘリウムガ
    ス,またはアルゴンガスのいずれかであることを特徴と
    する,請求項1,2,3,4,5,または6に記載のレ
    ーザ切断装置。
  8. 【請求項8】 前記切断対象物に噴射された前記冷却流
    体を吸入する冷却流体吸入装置をさらに含むことを特徴
    とする,請求項1,2,3,4,5,6,または7に記
    載のレーザ切断装置。
  9. 【請求項9】 前記冷却流体吸入装置は,前記レーザの
    進行方向を基準に前記冷却装置の後端に設けられた吸入
    管と,前記吸入管と連通されて前記吸入管に真空を発生
    させるポンプと,を含むことを特徴とする,請求項8に
    記載のレーザ切断装置。
  10. 【請求項10】 前記ポンプの真空圧力は,前記冷却流
    体の噴射圧力より低いことを特徴とする,請求項9に記
    載のレーザ切断装置。
  11. 【請求項11】 所定の波長のレーザビームを切断対象
    物の1または2以上の切断線に沿って照射するレーザ
    と,前記切断線の選択位置に所定深さの切断溝を形成す
    る切断溝形成手段と,前記レーザのレーザビームが照射
    された前記切断対象物の切断線を冷却させる冷却手段
    と,を含むことを特徴とする,レーザ切断装置。
  12. 【請求項12】 前記レーザ,前記切断溝形成手段,お
    よび前記冷却手段を選択方向へ移送する移送手段をさら
    に含むことを特徴とする,請求項11に記載のレーザ切
    断装置。
  13. 【請求項13】 前記切断対象物を選択方向へ移送する
    切断対象物移送手段をさらに含むことを特徴とする,請
    求項11または12に記載のレーザ切断装置。
  14. 【請求項14】 前記切断溝形成手段は,前記レーザの
    進行方向の前端に設けられた第1ロッドと,前記第1ロ
    ッドとピボット結合されて時計および反時計方向に回動
    可能な第2ロッドと,前記第2ロッドの端部に設けら
    れ,前記切断対象物の切断線に切断溝を形成する回転鋸
    の目と,を含むことを特徴とする,請求項11,12,
    または13に記載のレーザ切断装置。
  15. 【請求項15】 前記切断溝が形成される選択位置は,
    前記切断対象物の切断線が始点領域,または,終点領域
    の少なくとも一つであることを特徴とする,請求項1
    1,12,13,または14に記載のレーザ切断装置。
  16. 【請求項16】 前記選択位置は,前記複数の切断線が
    交差する交差点であることを特徴とする,請求項11,
    12,13,または14に記載のレーザ切断装置。
  17. 【請求項17】 前記切断溝は,前記交差点から前記交
    差する切断線に沿って所定の長さを有するものであるこ
    とを特徴とする,請求項16に記載のレーザ切断装置。
  18. 【請求項18】 前記切断溝は,前記交差点を基準に所
    定直径を有する円形であることを特徴とする,請求項1
    6に記載のレーザ切断装置。
  19. 【請求項19】 前記選択位置は,前記複数の切断線か
    ら選択された第1切断線と直交する第2切断線の始端部
    であることを特徴とする,請求項11,12,13,ま
    たは14に記載のレーザ切断装置。
  20. 【請求項20】 前記切断対象物は,合着状態の2枚の
    ガラス基板であることを特徴とする,請求項1,2,
    3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,1
    3,14,15,16,17,18,または19に記載
    のレーザ切断装置。
  21. 【請求項21】 前記2枚のガラス基板は,液晶表示器
    パネルのカラーフィルタ基板,および,薄膜トランジス
    タ基板であり,前記薄膜トランジスタ基板は,内表面に
    形成された薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタに
    連結されたデータ,前記薄膜トランジスタに連結された
    ゲートバスライン,前記薄膜トランジスタに連結された
    画素電極を含み,前記カラーフィルタ基板は,内表面に
    形成されたカラーフィルタ層および対向電極を含むこと
    を特徴とする,請求項20に記載のレーザ切断装置。
  22. 【請求項22】 前記2枚のガラス基板は,少なくとも
    2枚の単位パネル面積に対応する面積を有するガラス母
    基板であることを特徴とする,請求項20に記載のレー
    ザ切断装置。
  23. 【請求項23】 前記冷却手段は,前記レーザが照射さ
    れた前記切断線に冷却流体を噴射する冷却流体供給部
    と,前記冷却流体供給部によって供給された冷却流体を
    急速加熱された前記切断対象物に噴射するノズルと,を
    含むことを特徴とする,請求項11,12,13,1
    4,15,16,17,18,19,20,21,また
    は22に記載のレーザ切断装置。
  24. 【請求項24】 前記ノズルは,前記冷却流体の噴射方
    向に対して,端面が所定角度に傾斜していることを特徴
    とする,請求項23に記載のレーザ切断装置。
  25. 【請求項25】 前記切断対象物に噴射された前記冷却
    流体を吸入する冷却流体吸入装置をさらに含むことを特
    徴とする,請求項11,12,13,14,15,1
    6,17,18,19,20,21,22,23,また
    は24に記載のレーザ切断装置。
  26. 【請求項26】 前記冷却流体吸入装置は,前記レーザ
    の進行方向を基準に前記冷却装置の後端に設けられた吸
    入管と,前記吸入管と連通されて前記吸入管に真空を発
    生させるポンプと,を含むことを特徴とする請求項25
    に記載のレーザ切断装置。
  27. 【請求項27】 前記ポンプの真空圧力は,前記冷却流
    体の噴射圧力より低いことを特徴とする,請求項26に
    記載のレーザ切断装置。
  28. 【請求項28】 切断対象物上に形成された切断線に沿
    って前記切断対象物に第1波長を有する第1レーザビー
    ムを照射するレーザと,前記第1レーザビームの一部を
    透過させて前記切断線に照射し,残り一部を第2波長を
    有する第2レーザビームに変調させ,前記切断線に対し
    て前記第2レーザビームを照射する光変調手段と,前記
    第1レーザビームが照射された前記切断線を急速冷却す
    る冷却手段と,を含むことを特徴とする,レーザ切断装
    置。
  29. 【請求項29】 前記切断対象物の選択位置に前記第1
    レーザビームが照射される前に所定深さの切断溝を形成
    するための切断溝形成手段をさらに含むことを特徴とす
    る,請求項28に記載のレーザ切断装置。
  30. 【請求項30】 前記レーザ,前記光変調手段,前記冷
    却手段,および前記切断溝形成手段を選択方向へ移送す
    る移送手段をさらに含むことを特徴とする,請求項29
    に記載のレーザ切断装置。
  31. 【請求項31】 前記切断対象物を選択方向へ移送する
    切断対象物移送手段をさらに含むことを特徴とする,請
    求項28,29,または30に記載のレーザ切断装置。
  32. 【請求項32】 前記第1レーザビームは,赤外線であ
    り,前記第2レーザビームは可視光線であることを特徴
    とする,請求項28,29,30,または31に記載の
    レーザ切断装置。
  33. 【請求項33】 前記光変調手段は,前記レーザから入
    射されたレーザビームの一部を透過させ,残りを反射さ
    せるビームスプリッタと,前記レーザの進行方向を基準
    に前記ビームスプリッタの後端に設けられて前記ビーム
    スプリッタから反射された前記レーザビームの波長を可
    視光線帯域の波長に変調して前記第2レーザビームを発
    生させる光変調部と,前記光変調部の後端に所定勾配で
    設けられて前記第2レーザビームを前記切断線に照射さ
    せる反射鏡と,を含むことを特徴とする,請求項28,
    29,30,31,または32に記載のレーザ切断装
    置。
  34. 【請求項34】 前記光変調部は,液晶,高分子,およ
    びクリスタルで構成される非線形物質グループから選択
    された一つであることを特徴とする,請求項33に記載
    のレーザ切断装置。
  35. 【請求項35】 前記光変調手段は,前記ビームスプリ
    ッタ,前記光変調部および前記反射鏡が装着されるハウ
    ジングをさらに含み,前記ハウジングは,前記レーザか
    ら照射された前記第1レーザビームを前記ビームスプリ
    ッタに入射するための入射口,前記ビームスプリッタを
    透過した前記第1レーザビームの一部が出射される第1
    出射口,および前記反射鏡から反射された前記第2レー
    ザビームが出射される第2出射口を含むことを特徴とす
    る,請求項33または34に記載のレーザ切断装置。
  36. 【請求項36】 前記レーザ,前記光変調手段,および
    前記冷却手段が格納されるチャンバをさらに含み,前記
    チャンバの外壁には,前記変調された第2レーザビーム
    の経路を確認するためのウィンドウが設けられることを
    特徴とする,請求項28,29,30,31,32,3
    3,34,または35に記載のレーザ切断装置。
  37. 【請求項37】 前記切断対象物に噴射された前記冷却
    流体を吸入する冷却流体吸入装置をさらに含むことを特
    徴とする,請求項28,29,30,31,32,3
    3,34,35,または36に記載のレーザ切断装置。
  38. 【請求項38】 前記冷却手段は,冷却流体を噴射する
    ノズルを含み,前記ノズルは,前記冷却流体の噴射方向
    に対して,端面が所定角度に傾斜していることを特徴と
    する,請求項28,29,30,31,32,33,3
    4,35,36,または37に記載のレーザ切断装置。
  39. 【請求項39】 切断予定線を有する切断対象物に対し
    て,前記切断予定線に沿って第1波長を有する第1レー
    ザビームを照射する第1レーザと,前記第1レーザから
    前記第1レーザビームが照射された実切断線を冷却して
    クラックを発生させる冷却手段と,前記実切断線に発生
    したクラックに対して第2波長を有する第2レーザビー
    ムを照射する第2レーザと,前記クラックにおいて反射
    した前記第2レーザビームを感知する感知手段と,前記
    感知手段の感知信号に基づき,前記実切断線と前記切断
    予定線を比較し,前記実切断線が前記切断予定線に一致
    しない場合に前記第1レーザビームの経路を修正するた
    めの経路修正信号を出力する制御手段と,を含むことを
    特徴とする,レーザ切断装置。
  40. 【請求項40】 前記第1レーザ,前記冷却手段,前記
    第2レーザ,および前記感知手段を移送する移送手段を
    さらに含み,前記移送手段は,前記経路修正信号によっ
    て経路が制御されることを特徴とする,請求項39に記
    載のレーザ切断装置。
  41. 【請求項41】 前記切断対象物を移送する切断対象物
    移送手段をさらに含み,前記切断対象物移送手段は,前
    記経路修正信号によって経路が制御されることを特徴と
    する,請求項39または40に記載のレーザ切断装置。
  42. 【請求項42】 前記切断対象物の選択位置に前記第1
    レーザビームが照射される前に所定深さの切断溝を形成
    するための切断溝形成手段をさらに含むことを特徴とす
    る,請求項39,40,または41に記載のレーザ切断
    装置。
  43. 【請求項43】 前記第2レーザビームは,可視光線で
    あることを特徴とする,請求項39,40,41,また
    は42に記載のレーザ切断装置。
  44. 【請求項44】 前記感知手段は,前記クラックの入射
    面から反射された前記第2レーザビームの光量を検出す
    る光量検出センサであることを特徴とする,請求項3
    9,40,41,42,または43に記載のレーザ切断
    装置。
  45. 【請求項45】 前記切断対象物に噴射された冷却流体
    を吸入する冷却流体吸入装置をさらに含むことを特徴と
    する,請求項39,40,41,42,43,または4
    4に記載のレーザ切断装置。
  46. 【請求項46】 前記冷却手段は,冷却流体を噴射する
    ノズルを含み,前記ノズルは,前記冷却流体の噴射方向
    に対して,端面が所定角度に傾斜していることを特徴と
    する,請求項39,40,41,42,43,44,ま
    たは45に記載のレーザ切断装置。
  47. 【請求項47】 切断対象物における1または2以上の
    切断予定線と前記切断予定線の始端部を感知する検知段
    階と,前記切断予定線と前記始端部を感知したことを示
    す感知信号によって,前記切断予定線の始端部に所定深
    さと所定長さの切断開始溝を形成する溝形成段階と,前
    記切断開始溝から前記切断予定線の終端部までレーザビ
    ームを照射するレーザビーム照射段階と,前記レーザビ
    ームが照射された箇所を急速冷却させる急速冷却段階
    と,を含むことを特徴とする,切断方法。
  48. 【請求項48】 前記終端部を感知し,前記終端部に切
    断終了溝を形成する段階をさらに含むことを特徴とす
    る,請求項47に記載の切断方法。
  49. 【請求項49】 前記切断予定線と交差する少なくとも
    一つの第2切断予定線との交差点を感知する段階と,感
    知された前記第2切断予定線の始端部にレーザビームを
    照射する前に切断開始溝を形成する段階と,をさらに含
    むことを特徴とする,請求項47または48に記載の切
    断方法。
  50. 【請求項50】 前記複数の切断予定線の交差点を感知
    し,前記交差点にレーザビームを照射する前に前記交差
    点に交差切断溝を形成する段階をさらに含むことを特徴
    とする,請求項48または49に記載の切断方法。
  51. 【請求項51】 前記交差切断溝は,前記交差点から前
    記交差する切断線に沿って所定の長さを有するものであ
    ることを特徴とする,請求項50に記載切断方法。
  52. 【請求項52】 前記交差切断溝は,前記交差点を基準
    に所定直径を有する円形であることを特徴とする,請求
    項50に記載の切断方法。
  53. 【請求項53】 前記切断対象物は,合着状態の2枚の
    ガラス基板であることを特徴とする,請求項47,4
    8,49,50,51,または52に記載の切断方法。
  54. 【請求項54】 前記2枚のガラス基板から選択された
    一側基板の一部を切断する1次切断と,残りの一部を切
    断する2次切断とを行うことによって,前記一側基板を
    完全に切断することを特徴とする,請求項53に記載の
    切断方法。
  55. 【請求項55】 前記1次切断は,前記一側基板の厚さ
    の実質的に60%の切断であることを特徴とする,請求
    項54に記載の切断方法。
  56. 【請求項56】 前記2枚のガラス基板は,少なくとも
    2枚の単位パネル面積に対応する面積を有するガラス母
    基板であることを特徴とする,請求項53,54,5
    5,または56に記載の切断方法。
  57. 【請求項57】 前記急速冷却段階の後,切断された前
    記切断対象物の切断面の角にレーザビームを照射し,前
    記レーザビームが照射された前記角を急速冷却する段階
    をさらに含むことを特徴とする,請求項47,48,4
    9,50,51,52,53,54,55,または56
    に記載の切断方法。
  58. 【請求項58】 前記切断対象物の切断予定線に照射さ
    れるレーザビームは,長軸が前記切断予定線と平行であ
    り,短軸が前記予定線と直交する楕円状であることを特
    徴とする,請求項47,48,49,50,51,5
    2,53,54,55,56,または57に記載の切断
    方法。
  59. 【請求項59】 前記短軸直径と前記長軸直径の比は,
    1:50以上であることを特徴とする,請求項58に記
    載の切断方法。
  60. 【請求項60】 前記短軸直径は,2μm〜500μm
    の範囲であり,前記長軸直径は,10mm〜100mm
    の範囲であることを特徴とする,請求項59に記載の切
    断方法。
  61. 【請求項61】 切断対象物の切断予定線に沿ってレー
    ザビームを照射するレーザビーム照射段階と,前記レー
    ザビームが照射された部分を冷却する冷却段階と,前記
    冷却段階で発生したクラックから実切断線を確認する確
    認段階と,前記実切断線と前記切断予定線を比較して前
    記実切断線が前記切断予定線を離脱したのか否か判断す
    る判断段階と,前記判断段階の結果から前記レーザビー
    ムの移動経路を修正する修正段階と,を含むことを特徴
    とする,切断方法。
  62. 【請求項62】 前記実切断線の経路は,前記クラック
    から反射される光量から判断されることを特徴とする,
    請求項61に記載の切断方法。
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Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635941B2 (en) 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
JP2004009139A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 New Wave Research ダイを製造する方法及びシステム
US6734083B2 (en) * 2001-08-28 2004-05-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dicing method and dicing apparatus for dicing plate-like workpiece
US7052976B2 (en) 2002-11-05 2006-05-30 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure
JP2008116969A (ja) * 2001-11-08 2008-05-22 Sharp Corp 液晶パネル及び液晶パネル製造装置
JP2008229712A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置
JP2009012449A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Haku Chishuku ベルト先端部加工装置
JP2009126779A (ja) * 2007-11-23 2009-06-11 Samsung Corning Precision Glass Co Ltd ガラス基板のレーザ切断装置
WO2009128219A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 株式会社リンクスタージャパン 脆性材料基板の加工装置および切断方法
JP2009255113A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および切断方法
JP2009255346A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および加工方法
EP2204255A3 (en) * 2000-09-13 2010-07-21 Hamamatsu Photonics K. K. Laser processing apparatus with controller for positioning the focus point at different levels in the object to be processed
US8263479B2 (en) 2002-12-03 2012-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
CN102722048A (zh) * 2012-06-20 2012-10-10 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制作装置及方法
US8304325B2 (en) 2002-03-12 2012-11-06 Hamamatsu-Photonics K.K. Substrate dividing method
JP2012232894A (ja) * 2000-06-21 2012-11-29 Schott Ag 平板ガラスから任意の輪郭のガラス板を製造する方法
CN103203540A (zh) * 2012-01-11 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 金属掩模板组装机中测量焊接装置及其运动机构
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
CN104339088A (zh) * 2013-08-02 2015-02-11 罗芬-新纳技术公司 用于在透明材料内执行激光成丝的系统
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP2015523296A (ja) * 2012-04-05 2015-08-13 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル
CN105436713A (zh) * 2015-12-24 2016-03-30 江苏信息职业技术学院 一种新型智能化激光切割机
JP2017531813A (ja) * 2014-09-30 2017-10-26 エルジー・ケム・リミテッド 偏光板の切断方法およびこれを用いて切断された偏光板
JP2018501108A (ja) * 2014-10-03 2018-01-18 アレヴァ・エンセ 光学ユニットを取外し可能に収容するための取外し可能シースを備える汚染環境内での使用に適したレーザ光線放射デバイス
CN110328709A (zh) * 2019-07-26 2019-10-15 安徽明洋电子有限公司 一种可调式led显示屏加工用切角机及其操作方法
CN110480192A (zh) * 2019-08-28 2019-11-22 业成科技(成都)有限公司 脆性材料的切割方法
US10804122B2 (en) 2017-01-23 2020-10-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate heating apparatus, substrate heating method and method of manufacturing electronic device
CN112108799A (zh) * 2020-09-07 2020-12-22 刘继海 一种基于旋转焊接技术的焊接杆降温装置及使用方法
CN112975146A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 浙江头鲸激光智能制造有限公司 一种使用方便的激光切割机
CN113751973A (zh) * 2021-09-30 2021-12-07 中冶赛迪技术研究中心有限公司 钢板热纵切生产工艺
CN113787315A (zh) * 2021-09-30 2021-12-14 中冶赛迪技术研究中心有限公司 高温钢板的在线热纵切方法
US11890835B2 (en) 2010-03-05 2024-02-06 Sage Electrochromics, Inc. Lamination of electrochromic device to glass substrates

Families Citing this family (250)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744776A (en) * 1989-07-14 1998-04-28 Tip Engineering Group, Inc. Apparatus and for laser preweakening an automotive trim cover for an air bag deployment opening
US6297869B1 (en) * 1998-12-04 2001-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same
AU2276000A (en) * 1999-03-08 2000-09-28 Elpatronic A.G. Method and device for welding sheets
DE19963939B4 (de) * 1999-12-31 2004-11-04 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus sprödbrüchigem Material
WO2001075966A1 (de) * 2000-04-04 2001-10-11 Synova S.A. Verfahren zum schneiden eines gegenstands und zur weiterverarbeitung des schnittguts sowie träger zum halten des gegenstands bzw. des schnittguts
US6947802B2 (en) * 2000-04-10 2005-09-20 Hypertherm, Inc. Centralized control architecture for a laser materials processing system
DE10041519C1 (de) * 2000-08-24 2001-11-22 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchschneiden einer Flachglasplatte in mehrere Rechteckplatten
JP2002172479A (ja) * 2000-09-20 2002-06-18 Seiko Epson Corp レーザ割断方法、レーザ割断装置、液晶装置の製造方法並びに液晶装置の製造装置
US6576870B2 (en) * 2000-11-13 2003-06-10 Hannstar Display Corp. Apparatus with double laser beams for cutting two bonded glass substrates and method thereof
EP1341991A4 (en) * 2000-11-17 2007-05-30 Emcore Corp LASER ISOLATED CHIP WITH TAPPED SIDE WALLS TO IMPROVE LIGHTING OUTPUT
US6812430B2 (en) * 2000-12-01 2004-11-02 Lg Electronics Inc. Glass cutting method and apparatus with controlled laser beam energy
US6869861B1 (en) 2001-03-08 2005-03-22 Amkor Technology, Inc. Back-side wafer singulation method
US6943429B1 (en) * 2001-03-08 2005-09-13 Amkor Technology, Inc. Wafer having alignment marks extending from a first to a second surface of the wafer
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
US6895133B1 (en) * 2001-06-20 2005-05-17 Lightwave Microsystems Corporation Crack propagation stops for dicing of planar lightwave circuit devices
KR100794284B1 (ko) * 2001-09-29 2008-01-11 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법
US20030062126A1 (en) * 2001-10-03 2003-04-03 Scaggs Michael J. Method and apparatus for assisting laser material processing
KR100786179B1 (ko) * 2002-02-02 2007-12-18 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법 및 장치
KR100832292B1 (ko) * 2002-02-19 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 절단 장치
JP4182001B2 (ja) * 2002-03-12 2008-11-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料の加工方法及び加工装置
US7042095B2 (en) * 2002-03-29 2006-05-09 Renesas Technology Corp. Semiconductor device including an interconnect having copper as a main component
US7288466B2 (en) * 2002-05-14 2007-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Processing method, manufacturing method of semiconductor device, and processing apparatus
US6960813B2 (en) 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
EP1549472B1 (en) * 2002-08-05 2008-09-24 Nxp B.V. Method for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method
KR100724474B1 (ko) * 2002-10-22 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 절단 장치 및 이를 이용한 절단방법
TWI286232B (en) * 2002-10-29 2007-09-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method and device for scribing fragile material substrate
US8348115B2 (en) 2002-11-06 2013-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Scribe line forming device and scribe line forming method
US20040094526A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Mccoy Edward D. Cutting laser beam nozzle assembly
KR100497820B1 (ko) * 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
KR20050091069A (ko) * 2003-01-10 2005-09-14 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 재료 기판의 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법그리고 자동 분단 라인
TWI240965B (en) * 2003-02-28 2005-10-01 Toshiba Corp Semiconductor wafer dividing method and apparatus
US20060183317A1 (en) * 2003-03-14 2006-08-17 Junji Noguchi Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US7186947B2 (en) * 2003-03-31 2007-03-06 Hypertherm, Inc. Process monitor for laser and plasma materials processing of materials
JP4640174B2 (ja) * 2003-05-22 2011-03-02 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
JP4175636B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-05 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法
JP4422463B2 (ja) * 2003-11-07 2010-02-24 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの分割方法
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
DE102004014277A1 (de) * 2004-03-22 2005-10-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum laserthermischen Trennen von Flachgläsern
JP2005334928A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Yamazaki Mazak Corp レーザ加工機における焦点調整装置
US20060021977A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Menegus Harry E Process and apparatus for scoring a brittle material incorporating moving optical assembly
US7820941B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
US20090078370A1 (en) * 2004-08-31 2009-03-26 Vladislav Sklyarevich Method of separating non-metallic material using microwave radiation
EP1632305A1 (de) * 2004-09-04 2006-03-08 Trumpf Werkzeugmaschinen GmbH + Co. KG Verfahren zur Ermittlung und Verfahren zur Einstellung der gegenseitigen Lage der Achse eines Laserbearbeitungsstrahls und der Achse eines Prozessgasstrahls an einer Laserbearbeitungsmaschine sowie Laserbearbeitungsmaschine mit Einrichtungen zur Umsetzung der Verfahren
JP2006108459A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd シリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US7822780B1 (en) * 2004-10-20 2010-10-26 Embarq Holdings Company, LP Computerized method and system for generating procedures capable of being used with multiple databases
JP4722054B2 (ja) * 2004-10-25 2011-07-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 クラック形成方法およびクラック形成装置
US7846008B2 (en) * 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US20090061744A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Rajeev Bajaj Polishing pad and method of use
US7530880B2 (en) * 2004-11-29 2009-05-12 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
WO2006057713A2 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US20070224925A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Rajeev Bajaj Chemical Mechanical Polishing Pad
US20080318505A1 (en) * 2004-11-29 2008-12-25 Rajeev Bajaj Chemical mechanical planarization pad and method of use thereof
US7815778B2 (en) * 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
JP4750720B2 (ja) * 2004-12-08 2011-08-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 被分割体における分割起点形成方法、被分割体の分割方法
US20060163220A1 (en) * 2005-01-27 2006-07-27 Brandt Aaron D Automatic gas control for a plasma arc torch
TWI380868B (zh) * 2005-02-02 2013-01-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltdl Fine processing method of sintered diamond using laser, cutter wheel for brittle material substrate, and method of manufacturing the same
JP2008529031A (ja) * 2005-02-03 2008-07-31 セラ セミコンダクター エンジニアリング ラボラトリーズ リミテッド マイクロ分析のためのサンプル調製
US7762871B2 (en) * 2005-03-07 2010-07-27 Rajeev Bajaj Pad conditioner design and method of use
US8398463B2 (en) 2005-03-07 2013-03-19 Rajeev Bajaj Pad conditioner and method
NL1028588C2 (nl) * 2005-03-22 2006-09-25 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het separeren van producten met een gecontroleerde snederand en gesepareerd product.
US20070039990A1 (en) * 2005-05-06 2007-02-22 Kemmerer Marvin W Impact induced crack propagation in a brittle material
NL1029171C2 (nl) * 2005-06-02 2006-12-05 Fico Bv Inrichting en werkwijze voor het met een dubbele snijstraal bewerken van elektronische componenten.
DE102005027800A1 (de) * 2005-06-13 2006-12-14 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum mehrfachen Trennen eines flachen Werkstückes aus einem spröden Material mittels Laser
US20080236199A1 (en) * 2005-07-28 2008-10-02 Vladislav Sklyarevich Method of Separating Non-Metallic Material Using Microwave Radiation
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
WO2007049668A1 (ja) * 2005-10-28 2007-05-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 脆性材料基板のスクライブライン形成方法およびスクライブライン形成装置
US20070138228A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Brown James W Method and apparatus for finishing a glass sheet
KR100972488B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 레이저를 이용한 액정표시소자 절단장치 및 절단방법, 이를이용한 액정표시소자 제조방법
US20070202780A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Chung-Ching Feng Polishing pad having a surface texture and method and apparatus for fabricating the same
ATE515359T1 (de) * 2006-04-28 2011-07-15 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh Laserbearbeitungsverfahren
DE102006025912A1 (de) * 2006-06-02 2007-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Glasscheibe sowie Verfahren zur Herstellung der Glasscheibe
US20080041833A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nicholas Dominic Cavallaro Thermal tensioning during thermal edge finishing
US8168514B2 (en) * 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
JP2008053500A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
TWI298280B (en) * 2006-09-06 2008-07-01 Nat Applied Res Laboratories Method for cutting non-metal material
US20080070378A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Jong-Souk Yeo Dual laser separation of bonded wafers
JP5029804B2 (ja) * 2006-11-02 2012-09-19 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断方法
TWI308880B (en) * 2006-11-17 2009-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Laser cutting apparatus and laser cutting method
WO2008103239A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Corning Incorporated Thermal edge finishing
US20080263877A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Newport Corporation Laser scribing system and method of use
KR101453587B1 (ko) * 2007-04-30 2014-11-03 코닝 인코포레이티드 이동 유리 리본을 스코어링하기 위한 장치, 시스템, 및 방법
US20090040640A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Jinnam Kim Glass cutting method, glass for flat panel display thereof and flat panel display device using it
US10016876B2 (en) 2007-11-05 2018-07-10 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods of forming polycrystalline compacts and earth-boring tools including polycrystalline compacts
WO2009061766A2 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Baker Hughes Incorporated Methods and apparatuses for forming cutting elements having a chamfered edge for earth-boring tools
US20100247836A1 (en) * 2007-11-07 2010-09-30 Claus Peter Kluge Method for the laser ablation of brittle components
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US20090178298A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Anatoli Anatolyevich Abramov Device for fluid removal after laser scoring
US7947919B2 (en) 2008-03-04 2011-05-24 Universal Laser Systems, Inc. Laser-based material processing exhaust systems and methods for using such systems
JP5345334B2 (ja) * 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
CN101999166A (zh) * 2008-04-11 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于激光刻划、熔接或任何构图系统的动态刻划对准
US8258427B2 (en) * 2008-05-30 2012-09-04 Corning Incorporated Laser cutting of glass along a predetermined line
KR100989125B1 (ko) * 2008-07-16 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 원장기판 절단 장치 및 이에 의하여 절단된 유기발광표시장치
TW201009525A (en) * 2008-08-18 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Laser marking method and laser marking system
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
US8895892B2 (en) * 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
CN102203943B (zh) * 2008-10-29 2013-07-31 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法
EP2200097A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
JP2012521339A (ja) * 2009-03-20 2012-09-13 コーニング インコーポレイテッド 精密レーザ罫書き
WO2010135614A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 Corning Incorporated Thin substrates having mechanically durable edges
US8622625B2 (en) * 2009-05-29 2014-01-07 Corning Incorporated Fiber end face void closing method, a connectorized optical fiber assembly, and method of forming same
WO2010144778A2 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Methods and systems for laser-scribed line alignment
JP5478957B2 (ja) * 2009-06-30 2014-04-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の割断方法
JP5609870B2 (ja) * 2009-07-03 2014-10-22 旭硝子株式会社 脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラス
US8592716B2 (en) * 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
US8330075B2 (en) * 2009-08-22 2012-12-11 Chung-Shan Institute Of Science And Technology, Armaments Bureau, Ministry Of National Defense Control method of optical cutting
JP2013503105A (ja) * 2009-08-28 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
US8171753B2 (en) * 2009-11-18 2012-05-08 Corning Incorporated Method for cutting a brittle material
US8946590B2 (en) * 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
WO2011066337A2 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
KR20110114026A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 삼성전자주식회사 시편 제조 장치 및 방법
CN102510788B (zh) * 2010-06-14 2014-12-24 三菱电机株式会社 激光加工装置以及激光加工方法
KR101009454B1 (ko) * 2010-07-06 2011-01-19 에이앤이테크놀로지(주) 레이저를 이용한 유리기판 절단가공 시스템
CA2805003C (en) 2010-07-12 2017-05-30 S. Abbas Hosseini Method of material processing by laser filamentation
FR2962682B1 (fr) 2010-07-16 2015-02-27 Saint Gobain Vitrage electrochimique a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
TWI513670B (zh) * 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
KR101350411B1 (ko) * 2010-11-20 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 멀티비젼용 어레이 기판 및 이를 구비한 액정표시장치
US8461480B2 (en) * 2010-11-30 2013-06-11 Electro Scientific Industries, Inc. Orthogonal integrated cleaving device
US8482713B2 (en) * 2011-02-04 2013-07-09 Apple Inc. Laser processing of display components for electronic devices
DE102011006738B4 (de) * 2011-04-04 2016-07-21 Tu Bergakademie Freiberg Verfahren zum vollständigen Vereinzeln von Hohlglas und Herstellungsverfahren für einen Glashohlkörper oder Behälterglas
CN104647840B (zh) 2011-05-13 2017-06-06 日本电气硝子株式会社 层叠体、层叠体的切断方法和层叠体的加工方法、以及脆性板状物的切断装置和切断方法
US20130137244A1 (en) * 2011-05-26 2013-05-30 Solexel, Inc. Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
CN103619528B (zh) * 2011-06-28 2015-09-09 株式会社Ihi 切断脆性构件的装置、方法以及被切断的脆性构件
KR101396989B1 (ko) * 2011-08-24 2014-05-21 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 유리 기판의 스크라이브 방법
DE102011084131A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Glasfolie mit speziell ausgebildeter Kante
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
DE102011084129A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Glasfolie mit speziell ausgebildeter Kante
US9090383B2 (en) 2011-12-01 2015-07-28 Sealstrip Corporation Tape sealed reclosable bag
US20130140291A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass Substrate Slicing Apparatus and Method
CN103959442B (zh) * 2011-12-07 2017-09-15 应用材料公司 用于基板处理的激光反射仪
US8716625B2 (en) * 2012-02-03 2014-05-06 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Workpiece cutting
KR101407976B1 (ko) * 2012-05-04 2014-07-03 코닝정밀소재 주식회사 실시간 파손 감지 기능을 구비한 유리기판용 레이저 절단 장치 및 이의 유리기판 파손 감지 방법
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
CN102749746B (zh) * 2012-06-21 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶基板切割装置及液晶基板切割方法
DE102012212131A1 (de) * 2012-07-11 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat und Verfahren zur Bruchvorbereitung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement
TW201417928A (zh) * 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
US9703139B2 (en) 2012-09-20 2017-07-11 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays
US8988636B2 (en) 2012-09-20 2015-03-24 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US9753317B2 (en) 2012-12-21 2017-09-05 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays using edge protection structures
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
CN103108521B (zh) * 2013-01-15 2016-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 前框结构、显示装置及显示装置的制作方法
US10226853B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads
JP2016520501A (ja) 2013-03-15 2016-07-14 キネストラル テクノロジーズ,インク. レーザ切断強化ガラス
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP2014231071A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ光による基板切断装置
CN103286443A (zh) * 2013-05-31 2013-09-11 昆山宝锦激光拼焊有限公司 激光拼焊用随动夹具
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
RU2543222C1 (ru) * 2013-08-23 2015-02-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Ласком" Способ притупления острых кромок стеклоизделий
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
CN103529655A (zh) * 2013-10-29 2014-01-22 天津芯硕精密机械有限公司 一种标定位移平台线性度的方法及系统
US20150121960A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
JP2015096823A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
US10252507B2 (en) 2013-11-19 2019-04-09 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US9517929B2 (en) 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
MX2016011203A (es) * 2014-03-04 2016-12-16 Saint Gobain Metodo para cortar una capa de vidrio laminada, ultradelgada.
US10654128B2 (en) * 2014-04-04 2020-05-19 Borgwarner, Inc. Method and laser device for forming grooves in bearing surfaces, and bearings including such grooves
DE102014106817A1 (de) 2014-05-14 2015-11-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Dünnglas-Bands und verfahrensgemäß hergestelltes Dünnglas-Band
CN104071974B (zh) * 2014-06-20 2016-04-13 武汉先河激光技术有限公司 一种用于玻璃切割的激光设备及切割方法
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
EP3169479B1 (en) 2014-07-14 2019-10-02 Corning Incorporated Method of and system for arresting incident crack propagation in a transparent material
US10611667B2 (en) 2014-07-14 2020-04-07 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块;用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
WO2016010789A2 (en) * 2014-07-14 2016-01-21 Rubicon Technology, Inc. Method of cold-cleaving sapphire material at cryogenic temperatures
EP3169477B1 (en) * 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
DE102014113150A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Schott Ag Glaselement mit niedriger Bruchwahrscheinlichkeit
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
DE102014119064A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Schott Ag Glasfilm mit speziell ausgebildeter Kante, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
EP3708548A1 (en) 2015-01-12 2020-09-16 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multiphoton absorption method
US10391588B2 (en) 2015-01-13 2019-08-27 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching
CN104625423B (zh) * 2015-01-21 2016-01-20 深圳市创鑫激光股份有限公司 一种激光打标控制方法、激光打标头以及激光打标机
CN104625435B (zh) * 2015-01-23 2017-04-19 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种激光飞行切割方法及系统
KR102546692B1 (ko) 2015-03-24 2023-06-22 코닝 인코포레이티드 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공
WO2016160391A1 (en) 2015-03-27 2016-10-06 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
KR20160126175A (ko) 2015-04-22 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 절단 방법 및 표시 장치 제조 방법
KR102401014B1 (ko) * 2015-07-01 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2017007868A1 (en) * 2015-07-07 2017-01-12 Corning Incorporated Apparatuses and methods for heating moving glass ribbons at separation lines and/or for separating glass sheets from glass ribbons
CN107835794A (zh) 2015-07-10 2018-03-23 康宁股份有限公司 在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品
BR112017028312B1 (pt) 2015-08-10 2022-10-11 Saint-Gobain Glass France Método para cortar uma camada de vidro e uso de camada de vidro
US9931714B2 (en) 2015-09-11 2018-04-03 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods and systems for removing interstitial material from superabrasive materials of cutting elements using energy beams
US9533813B1 (en) * 2015-09-27 2017-01-03 Sealstrip Corporation Re-closable, tamper-resistant, stand-up package
CN105365061A (zh) * 2015-11-18 2016-03-02 无锡科诺达电子有限公司 一种蓝宝石的精细切割仪
KR101796706B1 (ko) * 2016-03-08 2017-11-10 주식회사 토비스 스트레치드 디스플레이패널 및 이의 제조방법
US10163954B2 (en) 2016-04-11 2018-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Trenched device wafer, stepped-sidewall device die, and associated method
MY194570A (en) 2016-05-06 2022-12-02 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US20200324429A1 (en) * 2016-05-31 2020-10-15 Faurecia (China) Holding Co., Ltd. Release agent supply device for cold knife weakening and a cold knife system comprising such a device
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
CN109803934A (zh) 2016-07-29 2019-05-24 康宁股份有限公司 用于激光处理的装置和方法
EP3507057A1 (en) 2016-08-30 2019-07-10 Corning Incorporated Laser processing of transparent materials
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
CA2947367A1 (en) * 2016-11-03 2018-05-03 Shawcor Ltd. Apparatus and method for cooling coated pipe
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
CN107520978A (zh) * 2017-08-25 2017-12-29 浙江羿阳太阳能科技有限公司 一种硅片生产用分片装置
JP6616368B2 (ja) * 2017-09-14 2019-12-04 ファナック株式会社 レーザ加工前に光学系の汚染レベルに応じて加工条件を補正するレーザ加工装置
CN108176923B (zh) * 2017-12-19 2020-02-18 重庆鑫盟精密模具有限公司 激光加工设备
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
IT201800006251A1 (it) * 2018-06-12 2019-12-12 Impianto per la lavorazione a vista di prodotti in acciaio strutturale tramite laser fibra
KR102705403B1 (ko) * 2018-06-19 2024-09-12 코닝 인코포레이티드 투명 작업편의 레이저 처리의 능동적 제어
TWI734931B (zh) * 2018-09-17 2021-08-01 鴻超光電科技股份有限公司 軸調光斑方法及其系統
DE102018123363B4 (de) * 2018-09-24 2021-01-07 Bystronic Laser Ag Verfahren zur Kollisionsvermeidung und Laserbearbeitungsmaschine
JP7307534B2 (ja) * 2018-10-04 2023-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置
DE102018125620A1 (de) * 2018-10-16 2020-04-16 Schuler Pressen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden einer Blechplatine aus einem kontinuierlich geförderten Blechband
TWI706614B (zh) * 2018-11-10 2020-10-01 鴻超環保能源股份有限公司 雷射光源模組
CN109712531B (zh) * 2019-01-04 2021-02-26 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、角度检测方法及存储介质
KR102668788B1 (ko) * 2019-01-08 2024-05-24 코닝 인코포레이티드 유리 라미네이트 물품 및 그의 제조 방법
JP6758441B2 (ja) * 2019-02-18 2020-09-23 株式会社アマダ レーザ加工機、レーザ加工方法、及び加工プログラム作成装置
CN110560924B (zh) * 2019-08-23 2021-08-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 基于激光切割的自动化系统
US11237418B2 (en) * 2019-12-13 2022-02-01 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
CN111390399B (zh) * 2020-03-12 2022-02-15 上海柏楚电子科技股份有限公司 基于冷却点的切割控制方法、系统、电子设备与介质
CN111546521B (zh) * 2020-04-10 2022-02-01 江苏京创先进电子科技有限公司 一种划片机的高效率切割控制方法
KR20210130869A (ko) * 2020-04-22 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN111545904A (zh) * 2020-05-13 2020-08-18 南京航空航天大学 一种用于双激光束双侧同步焊接过程的快速冷却系统
CN111619025B (zh) * 2020-06-10 2021-12-28 浦江一本工贸有限公司 一种水晶棒材自动切割装置
TW202202920A (zh) * 2020-07-01 2022-01-16 美商康寧公司 製造包含間質基板之液晶裝置的方法
CN112091444B (zh) * 2020-08-07 2022-07-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 坡口切割控制方法及装置、存储介质及激光切割设备
WO2022037797A1 (de) * 2020-08-21 2022-02-24 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zur herstellung mindestens eines werkstückteils und eines restwerkstücks aus einem werkstück
KR20220037042A (ko) 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11377758B2 (en) 2020-11-23 2022-07-05 Stephen C. Baer Cleaving thin wafers from crystals
KR20220121306A (ko) * 2021-02-24 2022-09-01 삼성디스플레이 주식회사 커버 윈도우, 커버 윈도우의 제조방법, 및 표시 장치
CN113119326A (zh) * 2021-04-30 2021-07-16 南阳英良石业有限公司 大理石自动化切割设备及其使用方法
CN115521056A (zh) * 2022-10-25 2022-12-27 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的劈裂方法
CN115966491A (zh) * 2022-12-22 2023-04-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆切割平面检测装置及方法、晶圆切割装置及方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800991A (en) * 1972-04-10 1974-04-02 Ppg Industries Inc Method of and an apparatus for cutting glass
NO134614C (ja) * 1972-10-12 1976-11-17 Glaverbel
US4027137A (en) * 1975-09-17 1977-05-31 International Business Machines Corporation Laser drilling nozzle
DE3110235A1 (de) * 1981-03-17 1982-10-21 Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls"
JPS5988333A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Hitachi Ltd レ−ザによるガラス加工法
FR2627409A1 (fr) * 1988-02-24 1989-08-25 Lectra Systemes Sa Appareil de coupe laser muni d'un dispositif d'evacuation des fumees
RU2025244C1 (ru) * 1991-04-24 1994-12-30 Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева Способ газолазерной резки
GB2261296B (en) * 1991-11-07 1994-09-21 British Aerospace Dual wavelength laser beam delivery system
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
DE59406794D1 (de) * 1993-04-02 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum schneiden von hohlglas
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
JPH09150286A (ja) * 1995-06-26 1997-06-10 Corning Inc 脆弱性材料切断方法および装置
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
JPH0938959A (ja) * 1995-07-28 1997-02-10 Nec Kansai Ltd ウェーハ割断方法
DE69629704T2 (de) * 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
US5925024A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Joffe; Michael A Suction device with jet boost
JPH09253879A (ja) * 1996-03-25 1997-09-30 Hitachi Ltd レーザビームによる脆性基板の割断方法及び装置
JPH1034364A (ja) * 1996-07-25 1998-02-10 Souei Tsusho Kk 複数点熱源による脆性材料の割断加工方法
JPH10323778A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Hitachi Constr Mach Co Ltd レーザ加工における透明脆性材料の亀裂の先頭位置検出方法及びそれを用いたレーザ加工装置
JP4108177B2 (ja) * 1998-03-19 2008-06-25 株式会社日本マイクロニクス フィルム状被加工体の加工装置
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation

Cited By (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012232894A (ja) * 2000-06-21 2012-11-29 Schott Ag 平板ガラスから任意の輪郭のガラス板を製造する方法
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8716110B2 (en) 2000-09-13 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US7825350B2 (en) 2000-09-13 2010-11-02 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
EP2204255A3 (en) * 2000-09-13 2010-07-21 Hamamatsu Photonics K. K. Laser processing apparatus with controller for positioning the focus point at different levels in the object to be processed
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US6635941B2 (en) 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
US6893941B2 (en) 2001-03-21 2005-05-17 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and its manufacture method
US6734083B2 (en) * 2001-08-28 2004-05-11 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dicing method and dicing apparatus for dicing plate-like workpiece
JP2008116969A (ja) * 2001-11-08 2008-05-22 Sharp Corp 液晶パネル及び液晶パネル製造装置
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8551865B2 (en) 2002-03-12 2013-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting an object to be processed
US8673745B2 (en) 2002-03-12 2014-03-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8304325B2 (en) 2002-03-12 2012-11-06 Hamamatsu-Photonics K.K. Substrate dividing method
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US6960739B2 (en) 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US8822882B2 (en) 2002-06-10 2014-09-02 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser with edge detection
JP2004009139A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 New Wave Research ダイを製造する方法及びシステム
US7052976B2 (en) 2002-11-05 2006-05-30 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8263479B2 (en) 2002-12-03 2012-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting semiconductor substrate
US8450187B2 (en) 2002-12-03 2013-05-28 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
US8409968B2 (en) 2002-12-03 2013-04-02 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP2008229712A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置
CN101336756B (zh) * 2007-07-03 2012-06-20 白智淑 腰带端部加工设备
JP2009012449A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Haku Chishuku ベルト先端部加工装置
JP2009126779A (ja) * 2007-11-23 2009-06-11 Samsung Corning Precision Glass Co Ltd ガラス基板のレーザ切断装置
JP2009255113A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および切断方法
WO2009128219A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 株式会社リンクスタージャパン 脆性材料基板の加工装置および切断方法
JP2009255346A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および加工方法
US11890835B2 (en) 2010-03-05 2024-02-06 Sage Electrochromics, Inc. Lamination of electrochromic device to glass substrates
CN103203540A (zh) * 2012-01-11 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 金属掩模板组装机中测量焊接装置及其运动机构
JP2015523296A (ja) * 2012-04-05 2015-08-13 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル
CN102722048A (zh) * 2012-06-20 2012-10-10 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制作装置及方法
CN104339088A (zh) * 2013-08-02 2015-02-11 罗芬-新纳技术公司 用于在透明材料内执行激光成丝的系统
JP2017531813A (ja) * 2014-09-30 2017-10-26 エルジー・ケム・リミテッド 偏光板の切断方法およびこれを用いて切断された偏光板
US10821553B2 (en) 2014-09-30 2020-11-03 Lg Chem, Ltd. Method for cutting polarizing plate and polarizing plate cut using same
JP2018501108A (ja) * 2014-10-03 2018-01-18 アレヴァ・エンセ 光学ユニットを取外し可能に収容するための取外し可能シースを備える汚染環境内での使用に適したレーザ光線放射デバイス
CN105436713A (zh) * 2015-12-24 2016-03-30 江苏信息职业技术学院 一种新型智能化激光切割机
US10804122B2 (en) 2017-01-23 2020-10-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Substrate heating apparatus, substrate heating method and method of manufacturing electronic device
CN110328709A (zh) * 2019-07-26 2019-10-15 安徽明洋电子有限公司 一种可调式led显示屏加工用切角机及其操作方法
CN110328709B (zh) * 2019-07-26 2021-01-12 安徽明洋电子有限公司 一种可调式led显示屏加工用切角机及其操作方法
CN110480192A (zh) * 2019-08-28 2019-11-22 业成科技(成都)有限公司 脆性材料的切割方法
CN112108799A (zh) * 2020-09-07 2020-12-22 刘继海 一种基于旋转焊接技术的焊接杆降温装置及使用方法
CN112975146A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 浙江头鲸激光智能制造有限公司 一种使用方便的激光切割机
CN113751973A (zh) * 2021-09-30 2021-12-07 中冶赛迪技术研究中心有限公司 钢板热纵切生产工艺
CN113787315A (zh) * 2021-09-30 2021-12-14 中冶赛迪技术研究中心有限公司 高温钢板的在线热纵切方法

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