FR2882824A1 - PROBE CARD - Google Patents
PROBE CARD Download PDFInfo
- Publication number
- FR2882824A1 FR2882824A1 FR0603892A FR0603892A FR2882824A1 FR 2882824 A1 FR2882824 A1 FR 2882824A1 FR 0603892 A FR0603892 A FR 0603892A FR 0603892 A FR0603892 A FR 0603892A FR 2882824 A1 FR2882824 A1 FR 2882824A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- external connection
- dielectric
- conductor
- connection terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
La présente invention propose une carte de sondes comprenant :- un substrat (10) ;- un matériau diélectrique de support disposé dans le substrat (10) ;- une borne de connexion externe (1) placée sur le matériau diélectrique de support ; et- une couche conductrice (3,4) disposée entre et essentiellement en contact avec à la fois le substrat (10) et le matériau diélectrique de support au niveau des côtés et de la partie basse du matériau diélectrique, comportant des parties maillées ou des parties découpées.The present invention provides a probe card comprising: - a substrate (10); - a support dielectric material disposed in the substrate (10); - an external connection terminal (1) placed on the support dielectric material; and a conductive layer (3,4) disposed between and substantially in contact with both the substrate (10) and the dielectric support material at the sides and bottom of the dielectric material, having mesh portions or cut parts.
Description
CARTE DE SONDESPROBE CARD
La présente invention concerne une carte de sondes pour connexion à une plaquette qui doit être mesurée avec un dispositif de mesure dans un dispositif de test de plaquette semi-conductrice. The present invention relates to a probe board for connection to a board to be measured with a measuring device in a semiconductor wafer test device.
Des progrès marqués ont été observés dans la technologie de fabrication des semi-conducteurs récente, incluant le progrès de la technologie de traitement fine requise pour une intégration à haute densité. Pour une implémentation à haute densité de même que pour la suppression de la génération de chaleur et pour la réduction de chaque élément, le courant et la tension nécessaires pour le fonctionnement dans les dispositifs à semi-conducteurs sont ré-duits d'année en année. Ainsi, l'importance de la mesure des microcourants a été reconnue et des précisions plus élevées dans la mesure du microcourant sont requises dans des cartes de sondes pour connecter des dispositifs de me-sure et des plaquettes. Significant progress has been made in recent semiconductor manufacturing technology, including the advancement of fine processing technology required for high density integration. For a high density implementation as well as for the suppression of heat generation and the reduction of each element, the current and voltage required for operation in semiconductor devices are reduced from year to year . Thus, the importance of microcurrent measurement has been recognized and higher accuracies in microcurrent measurement are required in probe cards for connecting measuring devices and wafers.
Une telle exigence est également présente dans le test de contrôle du traitement de plaquette. Comme procédé de test classique pour le contrôle du traitement, des puces de mesure que l'on appelle TEG (Groupe d'Elément de Test) sont formées au même instant que les puces ordinaires sont formées sur les plaquettes à des fins de mesures de caractéristiques. Dans de telles mesures, une carte de sondes est utilisée comme carte d'interface entre un dispositif de me-sure et un dispositif de sonde de plaquette pour déplacer et positionner une plaquette à mesurer, et est pourvue au-tour de son trou circulaire d'une pluralité d'aiguilles de contact de plaquette également appelées lames de contact de façon à établir des contacts avec les bornes de mesure de la plaquette. Such a requirement is also present in the wafer processing control test. As a conventional test method for process control, measurement chips called TEG (Test Element Group) are formed at the same time that ordinary chips are formed on the wafers for feature measurement purposes. . In such measurements, a probe card is used as an interface card between a measuring device and a wafer probe device for moving and positioning a wafer to be measured, and is provided around its circular hole. a plurality of wafer contact needles also referred to as contact blades so as to make contact with the wafer measurement terminals.
A la figure 10, une carte de sondes est généralement un disque circulaire 100 ayant un diamètre d'environ 20 à 30 cm, avec sa partie centrale munie d'une ouverture 102 à travers laquelle les aiguilles de contact ou les lames (non représentées) peuvent s'étendre pour contact avec des bornes de mesure sur une plaquette semi-conductrice placée pour être mesurée juste sous la carte de sondes. Chaque fil 103 s'étend depuis chaque aiguille ou lame positionnée au niveau de sa périphérie interne vers la périphérie externe où elle est connectée à un dispositif de mesure ou analogues. C'est-à-dire qu'un signal prélevé à partir de chaque borne d'une plaquette à semi-conducteur qui doit être mesurée est introduit dans la périphérie externe de la carte de sondes par l'intermédiaire de chaque aiguille ou lame et est ensuite envoyé à un dispositif de mesure depuis une borne de connexion externe 104 positionnée sur la périphérie externe de la carte de sondes. A ce moment, les fils pour la connexion de la plaquette semi-conductrice qui doit être mesurée au dispositif de mesure sont de quelques dizaines et sont placés mutuellement adjacents. Des motifs de garde 105 formés avec un conducteur sont positionnés autour des bornes de connexion externes 104 correspondantes. Dans l'exemple représenté sur les dessins, le nombre de bornes ou de broches de connexion externe est de quarante-huit (48). Une telle carte de sondes est également connue comme carte de personnalité ou carte d'interface. Voir la publication provisoire du modèle d'utilité japonais (JP-A) n Showa 64-47042 et la publication provisoire du brevet japonais (JP-A) n Heisei 8-330369. In FIG. 10, a probe card is generally a circular disc 100 having a diameter of about 20 to 30 cm, with its central portion provided with an opening 102 through which the contact pins or the blades (not shown) may extend for contact with measurement terminals on a semiconductor wafer placed to be measured just below the probe board. Each wire 103 extends from each needle or blade positioned at its inner periphery to the outer periphery where it is connected to a measuring device or the like. That is, a signal taken from each terminal of a semiconductor wafer to be measured is introduced into the outer periphery of the probe board through each needle or blade and is then sent to a measuring device from an external connection terminal 104 positioned on the outer periphery of the probe board. At this time, the wires for connection of the semiconductor wafer to be measured to the measuring device are a few tens and are mutually adjacent. Guard patterns 105 formed with a conductor are positioned around the corresponding external connection terminals 104. In the example shown in the drawings, the number of terminals or external connection pins is forty-eight (48). Such a probe card is also known as a personality card or interface card. See Japanese Utility Model (JP-A) n Showa 64-47042 Provisional Publication and Japanese Patent Publication (JP-A) No. Heisei 8-330369.
En général, une telle carte de sondes comporte des bornes de contact externes 104 au niveau de sa périphérie externe pour connexion à un dispositif de mesure. Chaque borne de contact 104 est composée d'un conducteur plan dis-posé sur une surface d'un substrat d'une carte de sondes sur lequel, par exemple, une aiguille de contact conductrice, tel qu'un élément de broche de contact qui comprend une tige conductrice avec une section transversale circulaire munie d'un ressort au niveau de sa base et entourée par un élément cylindrique de sorte que sur application de la force appropriée, la tige est rétractée et sollicitée par une force de réaction de façon à établir le contact électrique en poussant la pointe de la tige contre une sur-face du conducteur, avec un mécanisme pour assurer un contact électrique sûr est poussée contre la surface conductrice plane de la carte de sondes pour connexion de ce fait à un appareil externe, tel qu'une dispositif de me-sure. En outre, chaque borne de contact externe 104 comporte une partie d'extension de motif 106 près de sa périphérie interne, et un conducteur plan correspondant sur la surface de la carte de sondes s'étend vers l'intérieur. A la partie d'extension de motif, une extrémité d'un câble coaxial 103 est connectée et l'autre extrémité du câble coaxial est connectée à une extrémité de base d'une aiguille de contact qui a la forme d'une aiguille ou d'une lame comme on l'a décrit ci-dessus. C'est-à-dire que le câble coaxial 103 s'étend dans l'air entre la partie d'extension de motif et l'aiguille de contact. L'aiguille ou la lame est fixée à la périphérie interne de la carte de son-des et s'étend depuis celle-ci vers l'intérieur. En outre, la pointe de l'aiguille ou de la lame s'étendant vers l'intérieur est connectée à une borne prédéterminée sur une plaquette semi-conductrice à tester. In general, such a probe board has external contact terminals 104 at its outer periphery for connection to a measuring device. Each contact terminal 104 is composed of a plane conductor disposed on a surface of a substrate of a probe board on which, for example, a conductive contact needle, such as a contact pin element which comprises a conductive rod with a circular cross section provided with a spring at its base and surrounded by a cylindrical member so that upon application of the appropriate force, the rod is retracted and biased by a reaction force so as to establish the electrical contact by pushing the tip of the rod against a surface of the conductor, with a mechanism to ensure safe electrical contact is pushed against the flat conductive surface of the probe board for connection thereby to an external device, such as that a device for me-sure. In addition, each external contact terminal 104 has a pattern extension portion 106 near its inner periphery, and a corresponding planar conductor on the surface of the probe board extends inwardly. At the pattern extending portion, one end of a coaxial cable 103 is connected and the other end of the coaxial cable is connected to a base end of a needle which is in the shape of a needle or a blade as described above. That is, the coaxial cable 103 extends into the air between the pattern extension portion and the contact needle. The needle or blade is attached to the inner periphery of the sound card and extends therefrom inwardly. In addition, the tip of the inwardly extending needle or blade is connected to a predetermined terminal on a semiconductor wafer to be tested.
Comme on l'a précédemment mentionné, dans le domaine du test des éléments semi-conducteurs, des appareils de test qui peuvent mesurer des microcourants plus petits que le niveau habituellement utilisé sont nécessaires. De même, la précision de mesure de l'ordre des femtoampères est re- quise pour les cartes d'interface utilisées pour les dispositifs de test de plaquettes. Des problèmes majeurs concernant le développement des dispositifs de test avec de tel-les performances élevées incluent le courant de fuite entre les fils électriques attenants pour connexion d'un dispositif de test et d'un semi-conducteur à mesurer et l'absorption diélectrique se produisant entre ces fils et les diélectriques dans un substrat de la carte de sondes. As previously mentioned, in the field of semiconductor element testing, test devices that can measure microcurrents smaller than the usual level are needed. Similarly, the measurement accuracy of the femtoampere order is required for the interface boards used for the wafer test devices. Major problems with the development of test devices with such high performance include the leakage current between adjacent electrical wires for connection of a test device and a semiconductor to be measured and the dielectric absorption of producing between these wires and the dielectrics in a substrate of the probe board.
A titre d'exemple, le problème de l'absorption diélectrique se produit en raison des propriétés d'absorption di-électrique (courant d'absorption) du diélectrique utilisé comme substrat de la carte de sondes. En général, les matériaux isolants présentent une polarisation diélectrique lorsqu'une tension appliquée aux bornes de deux électrodes change et absorbe progressivement un courant jusqu'à ce que le traitement de polarisation soit achevé. En conséquence, même si une tension prédéterminée est appliquée à une plaquette semi-conductrice pour la mesure du courant, la me-sure du courant ne peut pas être effectuée correctement pendant un certain temps et un temps d'attente est nécessaire jusqu'à ce que la circulation du courant devienne stabilisée. Un temps d'attente est également nécessaire lorsque l'alimentation en tension est arrêtée du fait qu'un courant de décharge s'écoule progressivement. Pour les car-tes d'interface classiques, pour les dispositifs de mesure de plaquette, il n'est pas inhabituel qu'un tel temps d'attente de la mesure puisse durer quelques dizaines de secondes jusqu'à ce que le courant d'absorption diélectrique soit réduit de l'ordre du femtoampère. Ceci est un des problèmes importants dans le cas de la réduction de la durée requise pour la mesure des microcourants. By way of example, the problem of dielectric absorption occurs due to the dielectric absorption properties (absorption current) of the dielectric used as the substrate of the probe board. In general, the insulating materials exhibit a dielectric bias when a voltage applied across two electrodes changes and gradually absorbs a current until the polarization process is completed. Accordingly, even if a predetermined voltage is applied to a semiconductor wafer for current measurement, the current measurement can not be performed correctly for a certain time and a waiting time is necessary until that the circulation of the current becomes stabilized. Waiting time is also necessary when the power supply is stopped because a discharge current flows progressively. For conventional interface boards, for wafer measuring devices, it is not unusual that such a waiting time of the measurement can last a few tens of seconds until the current of dielectric absorption is reduced by the order of the femtoampere. This is one of the important problems in the case of reducing the time required for the measurement of microcurrent.
Du fait que la précision de mesure de l'ordre de femtoampère est maintenant nécessaire, le courant de fuite circulant dans un matériau diélectrique entre deux fils attenants est également devenu important. Since the measurement accuracy of the femtoampere order is now required, the leakage current flowing in a dielectric material between two adjacent wires has also become important.
Parmi les composants sur la carte de sondes comme précédemment mentionnés, les parties de la borne de contact externe et la partie d'extension de motif tendent à être influencées par l'absorption diélectrique et la fuite de courant. Le câble coaxial s'étendant depuis chaque partie d'extension de motif se trouve dans l'air de sorte qu'il est peu influencé par l'absorption diélectrique ou la fuite de courant. Comme partie d'aiguille, par exemple, une aiguille coaxiale hautement isolante peut être utilisée et un fil de gainage entourant le fil d'âme de cette aiguille peut être connecté à une garde. De plus, l'isolement entre des aiguilles attenantes ayant une partie du fil de l'aiguille non recouverte avec le fil de protection est bon du fait qu'il est obtenu par l'air qui présente la même cons-tante diélectrique approximativement que celle du vide. De même, le temps de réponse de la polarisation diélectrique n'est pas un problème. Of the components on the probe board as previously mentioned, the portions of the external contact terminal and the pattern extension portion tend to be influenced by dielectric absorption and current leakage. The coaxial cable extending from each pattern extension portion is in the air so that it is little influenced by dielectric absorption or current leakage. As a needle part, for example, a highly insulating coaxial needle may be used and a sheathing wire surrounding the core wire of this needle may be connected to a guard. In addition, the isolation between adjoining needles having a portion of the uncoated needle thread with the shielding wire is good because it is obtained by air having the same dielectric constant approximately as that emptiness. Likewise, the response time of the dielectric bias is not a problem.
Pour prendre en compte ces problèmes provoqués par la borne de contact externe, de manière classique, une pluralité de trous traversants sont formés à partir des électrodes sur la surface à travers le substrat de la carte de sondes de sorte que la périphérie des électrodes peut être définie. Un exemple d'une de ces technologies est décrit dans la publication provisoire de brevet japonais n Heisei 8-335754. In order to take into account these problems caused by the external contact terminal, conventionally a plurality of through holes are formed from the electrodes on the surface through the substrate of the probe board so that the periphery of the electrodes can be defined. An example of one of these technologies is described in Japanese Patent Provisional Publication No. 8-335754.
Un problème dans un tel procédé est qu'une déformation tend à se produire dans la carte de sondes à mesure que le nombre de trous traversants est accru et en ce que la résistance physique de la carte se détériore dans ou près de la région des trous traversants. Même si le nombre des trous traversants est accru sans tenir compte des difficultés de fabrication et de l'élévation du coût, un certain courant de fuite à travers le diélectrique entre ces trous traversants reste toujours un problème et une perte diélectrique ne peut pas être réduite à un niveau désiré à mesure qu'un niveau de précision de mesure plus élevé est requis. A problem in such a process is that deformation tends to occur in the probe board as the number of through holes is increased and the physical strength of the board deteriorates in or near the hole region. through. Even though the number of through holes is increased without regard to manufacturing difficulties and cost increases, a certain leakage current through the dielectric between these through holes still remains a problem and a dielectric loss can not be reduced at a desired level as a higher level of measurement accuracy is required.
Il conviendra de noter qu'il existe des variations dans les propriétés diélectriques et courant de fuite de chaque fil pour chaque carte de sondes. En conséquence, même si le contrôle du processus de fabrication est suffisamment amélioré, de telles variations dans les propriétés diélectriques et de fuite de courant de chaque fil pour chaque carte de sondes devraient limiter la précision des mesures des courants. Par exemple, dans le cas d'une carte de sondes utilisée actuellement avec 48 broches, après application d'une tension d'environ 10 volts, le courant de fuite 10 secondes après cette application de tension sur la plupart des broches est d'environ 0,3 x 10-13 A. Toutefois, un tel courant de fuite des autres broches spécifiques de-vient environ 1 à 2 x 10-13 A. C'est un but de la présente invention de réduire le temps d'attente de la mesure qui résulte de l'absorption diélectrique et de diminuer le courant de fuite en régime normal de façon à améliorer la précision de la mesure des microcourants ou des fluctuations de ceux-ci. C'est un autre but de la présente invention de réduire les variations des propriétés de chaque broche ou chaque carte de sondes. It should be noted that there are variations in the dielectric properties and leakage current of each wire for each probe board. Accordingly, even if the control of the manufacturing process is sufficiently improved, such variations in the dielectric and current leakage properties of each wire for each probe board should limit the accuracy of the current measurements. For example, in the case of a probe board currently used with 48 pins, after applying a voltage of about 10 volts, the leakage current 10 seconds after this voltage application on most pins is approximately However, such a leakage current of other specific pins is approximately 1 to 2 x 10-13 A. It is an object of the present invention to reduce the waiting time of the measurement which results from the dielectric absorption and to reduce the leakage current under normal conditions so as to improve the accuracy of the measurement of microcurrents or fluctuations thereof. It is another object of the present invention to reduce variations in the properties of each pin or probe board.
Aux vues des problèmes décrits ci-dessus de la technique antérieure, la présente invention se rapporte à une structure dans laquelle une borne de connexion externe pour utilisation dans une carte de sondes est entourée par des conducteurs. In view of the above-described problems of the prior art, the present invention relates to a structure in which an external connection terminal for use in a probe card is surrounded by conductors.
- La présente invention propose une carte de sondes comprend un substrat, un matériau diélectrique de support disposé dans le substrat, une borne de connexion ex- terne placée sur le matériau diélectrique de support, une couche conductrice disposée entre et essentielle-ment en contact avec à la fois le substrat, la partie basse et les côtés du matériau diélectrique de support, caractérisée en ce que ladite couche conductrice comporte des parties maillées ou des parties découpées. The present invention provides a probe board comprising a substrate, a support dielectric material disposed in the substrate, an external connection terminal placed on the support dielectric material, a conductive layer disposed between and substantially in contact with the substrate. both the substrate, the bottom part and the sides of the dielectric support material, characterized in that said conductive layer comprises mesh parts or cut parts.
Avantageusement, la carte de sondes présente au moins une des caractéristiques suivantes: - le conducteur comprend au moins un conducteur inférieur disposé sur un fond d'un évidement formé dans le substrat pour recevoir le matériau diélectrique de support et un conducteur latéral disposé sur les faces latérales de l'évidement et un espace ou entrefer est disposé entre le-dit matériau diélectrique de support et le conducteur latéral; - l'entrefer ou l'espace est scellé par un matériau diélectrique à partir de l'extérieur du substrat; - la carte de sondes comporte deux ou plus bornes de connexion externes et la connexion électrique entre ces bornes de connexion externes est assurée par la connexion électrique disposée à l'intérieur du substrat; - ledit conducteur comporte des parties maillées ou des parties découpées; ladite borne externe est placée à un niveau plus bas sur une distance prédéterminée que la surface du corps du substrat; - ledit conducteur est connecté à une borne de garde; et, - ladite borne de garde est prévue avec une garde ac-tive. Advantageously, the probe card has at least one of the following characteristics: the conductor comprises at least one lower conductor disposed on a bottom of a recess formed in the substrate for receiving the dielectric support material and a lateral conductor disposed on the faces side of the recess and a gap or gap is disposed between said dielectric support material and the lateral conductor; the air gap or space is sealed by a dielectric material from outside the substrate; the probe card comprises two or more external connection terminals and the electrical connection between these external connection terminals is ensured by the electrical connection disposed inside the substrate; said conductor comprises mesh parts or cut parts; said external terminal is placed at a lower level for a predetermined distance than the surface of the body of the substrate; said conductor is connected to a guard terminal; and, said guard terminal is provided with active guard.
Les conducteurs entourant la borne de connexion ex-terne dans la présente invention sont, de préférence, connectés à une borne de garde, encore de préférence à une borne de garde active. The conductors surrounding the ex-dull connection terminal in the present invention are preferably connected to a guard terminal, more preferably to an active guard terminal.
Le conducteur fixé au substrat entoure la borne de connexion externe dans le substrat. En supposant que le conducteur présente une configuration en forme de boîte, la face inférieure du conducteur est positionnée endessous de la borne externe dans le substrat et les quatre faces latérales sont positionnées dans le substrat et entourent la borne de connexion externe depuis les quatre côtés. Le terme "dans le substrat" ne signifie pas nécessairement que le conducteur est encastré dans le substrat. C'est-à-dire qu'au moins une partie de chaque conducteur devrait apparaître depuis la surface du substrat et peut dépasser de celle-ci. En outre, lorsque la surface du substrat est évidée ou encochée, le conducteur peut être exposé dans les parties évidées ou encochées du substrat ou dépassé dans l'air. The conductor attached to the substrate surrounds the external connection terminal in the substrate. Assuming that the conductor has a box-like configuration, the underside of the conductor is positioned below the outer terminal in the substrate and the four side faces are positioned in the substrate and surround the external connection terminal from all four sides. The term "in the substrate" does not necessarily mean that the conductor is embedded in the substrate. That is, at least a portion of each conductor should appear from the surface of the substrate and may protrude therefrom. In addition, when the surface of the substrate is recessed or notched, the conductor can be exposed in the recessed or notched portions of the substrate or exceeded in the air.
Dans une telle construction de la présente invention, les propriétés des microcourants de l'ordre du femtoampère peuvent être accentuées de sorte que la précision de la me-sure peut être améliorée. Le temps d'attente qui résulte de l'instabilité du courant découlant de l'absorption diélectrique peut également être réduit. De plus, le substrat peut inclure d'autres réseaux électriques qui peuvent ne pas être inclus dans le substrat du fait qu'ils peuvent détériorer les propriétés des microcourants. Du fait que la carte de sondes de la présente invention peut être constituée en général en une structure plane (bien que l'on puisse avoir des structures tridimensionnelles), elle peut être facilement manipulée et réduire le coût pour le stockage ou le transport. En outre, la présente invention est compatible avec les cartes de sondes que l'on trouve actuellement sur le marché. In such a construction of the present invention, the properties of femtoampere-like microcurrent can be enhanced so that the accuracy of measurement can be improved. The waiting time that results from the instability of the current resulting from the dielectric absorption can also be reduced. In addition, the substrate may include other electrical grids that may not be included in the substrate because they may degrade microcurrent properties. Since the probe card of the present invention can be generally made of a planar structure (although three-dimensional structures can be provided), it can be easily manipulated and reduce the cost for storage or transport. In addition, the present invention is compatible with the probe cards currently found on the market.
Le substrat peut avoir une structure monocouche mais, de préférence, a une structure multicouche. Dans un mode de réalisation préféré, par exemple, les fils conducteurs peu-vent être disposés parmi les couches et des traversées ou trous traversants peuvent être formés dans un substrat multicouche par une des technologies actuellement connues pour fabriquer des substrats multicouches. The substrate may have a monolayer structure but preferably has a multilayer structure. In a preferred embodiment, for example, the conductive wires may be disposed among the layers and through-holes or through-holes may be formed in a multilayer substrate by one of the currently known technologies for making multilayer substrates.
La carte de sondes de la présente invention peut être fabriquée en conformité avec la procédure suivante, bien qu'elle ne soit pas limitée à tout procédé de fabrication quelconque. La borne de connexion externe entourée par le conducteur peut être produite, par exemple, en formant un évidement dans un substrat, en disposant une partie de borne de connexion externe du type boîte dans laquelle une borne de connexion externe est formée sur la surface supérieure et un matériau conducteur est disposé sur les surfa-ces latérales par électrodéposition ou analogues et en ajustant la partie de borne de connexion externe du type boîte dans l'évidement. En variante, la borne de connexion externe peut être produite en formant un évidement dans un substrat, en disposant un matériau conducteur dans la partie évidée par électrodéposition ou analogues et en ajustant ou en mettant à adhérer dans cet évidement un élément constitué d'un diélectrique du type boîte et d'une borne de connexion externe disposée sur celui-ci. Sinon, dans le cas d'un substrat multicouche, la borne de connexion externe entourée par les conducteurs peut être produite en plaçant un motif conducteur sur une couche interne positionné en-dessous de la borne de connexion externe, en découpant un motif entourant la borne et en atteignant la couche interne après stratification et en appliquant un matériau conducteur dans le motif découpé. The probe card of the present invention may be manufactured in accordance with the following procedure, although it is not limited to any manufacturing method. The external connection terminal surrounded by the conductor can be produced, for example, by forming a recess in a substrate, by disposing a box-type external connection terminal portion in which an external connection terminal is formed on the upper surface and a conductive material is disposed on the side surfaces by electrodeposition or the like and by fitting the box-type external connection terminal portion into the recess. Alternatively, the external connection terminal may be produced by forming a recess in a substrate, disposing a conductive material in the electrodeposition-recessed portion, or the like, and by fitting or adhering a dielectric member in this recess. of the box type and an external connection terminal disposed thereon. Alternatively, in the case of a multilayer substrate, the external connection terminal surrounded by the conductors may be produced by placing a conductive pattern on an inner layer positioned beneath the external connection terminal, by cutting a pattern surrounding the terminal and reaching the inner layer after lamination and applying a conductive material in the cut pattern.
La figure 1 est une vue en perspective d'un mode de réalisation fondamental de la présente invention, des parties de substrat autour des conducteurs latéraux et de fond étant éliminées. Figure 1 is a perspective view of a basic embodiment of the present invention, with substrate portions around the side and bottom conductors being removed.
La figure 2 est une vue en coupe le long de la ligne A-A de la figure 1. Figure 2 is a sectional view along the line A-A of Figure 1.
La figure 3 est une vue en coupe correspondant à la figure 2 montrant un autre mode de réalisation de la pré-sente invention. Figure 3 is a sectional view corresponding to Figure 2 showing another embodiment of the present invention.
La figure 4 est un schéma simplifié pour déterminer approximativement la capacité entre une borne de connexion externe et chaque surface latérale d'un mode de réalisation de la présente invention. Fig. 4 is a schematic diagram for approximately determining the capacitance between an external connection terminal and each side surface of an embodiment of the present invention.
La figure 5 est une vue en perspective d'un autre mode de réalisation de la présente invention avec les parties de substrat autour des conducteurs latéraux et de fond étant éliminées, comme cela est représenté à la figure 1. Fig. 5 is a perspective view of another embodiment of the present invention with the substrate portions around the side and bottom conductors being removed, as shown in Fig. 1.
La figure 6 est une vue en perspective correspondant à la figure 5 montrant encore un autre mode de réalisation de la présente invention. Fig. 6 is a perspective view corresponding to Fig. 5 showing yet another embodiment of the present invention.
La figure 7 est une vue en perspective montrant encore un autre mode de réalisation de la présente invention. Fig. 7 is a perspective view showing yet another embodiment of the present invention.
La figure 8 est une vue en coupe d'un mode de réalisation dans lequel des espaces sont ménagés à l'intérieur d'un substrat de la présente invention. Fig. 8 is a sectional view of an embodiment in which gaps are provided within a substrate of the present invention.
La figure 9 est une vue en coupe d'un autre mode de réalisation dans lequel des espaces sont ménagés à l'intérieur d'un substrat de la présente invention. Fig. 9 is a sectional view of another embodiment in which gaps are provided within a substrate of the present invention.
La figure 10 est une vue d'en haut d'une carte de son-des montrant sa construction entière. Figure 10 is a top view of a sound map showing its entire construction.
On décrira plusieurs modes de réalisation de la pré-sente invention en se référant aux figures 1 à 9. La figure 1 représente un mode de réalisation fondamental de la pré-sente invention. Sur le même dessin, des parties entourant le substrat sont éliminées pour montrer la borne de connexion externe 1 et un matériau conducteur 2, 3, 4 placé autour de celle-ci. Le matériau conducteur 2, 3, 4 est électriquement connecté et ceux-ci sont équipotentiels les uns aux autres. Sur le substrat, la borne de connexion ex-terne 1 et le motif de garde supérieur 2 entourant la borne 1 peuvent être vus, les deux étant composés d'un conducteur. Sur la borne de connexion externe 1 et sur le motif de garde supérieur 2, trois éléments de broche de contact 20, 21, 22 dépassant depuis une tête de test d'un dispositif de mesure de semi-conducteur sont positionnés de façon à être en contact avec leurs cibles correspondantes. Dans ce mode de réalisation, l'élément de broche de contact 20 est ce que l'on appelle une borne de "force" pour appliquer une tension et mesurer un courant, l'élément de broche de contact 21 est une borne de "détection" pour prélever une tension qui doit être mesurée. Ces bornes de force et de détection procurent une connexion Kelvin. L'élément de broche de contact 22 est une broche de garde pour appliquer une tension au motif de garde supérieur 2. L'élément de broche de garde 22 agit comme borne de garde dans un dispositif de garde active dans lequel elle est maintenue équipotentielle aux bornes de force et de détection pour bloquer les influences externes au-dessus de la borne de connexion externe ou dans un mécanisme de garde passif dans lequel elle est connectée à une tension fixe. La présente invention est applicable aux deux mécanismes de garde qu'ils soient actifs ou passifs. A la figure 1, ces bornes de force et de détection sont placées sur la même borne de connexion externe 1. Toutefois, deux bornes de connexion externes peuvent être prévues séparément pour les bornes de détection et de force et chaque borne de connexion externe peut être connectée à une aiguille de sonde utilisant un câble coaxial séparé. Several embodiments of the present invention will be described with reference to Figs. 1-9. Fig. 1 shows a basic embodiment of the present invention. In the same drawing, portions surrounding the substrate are removed to show the external connection terminal 1 and a conductive material 2, 3, 4 placed around it. The conductive material 2, 3, 4 is electrically connected and these are equipotential to each other. On the substrate, the ex-dull connection terminal 1 and the upper guard pattern 2 surrounding the terminal 1 can be seen, both being composed of a conductor. On the external connection terminal 1 and on the upper guard pattern 2, three contact pin elements 20, 21, 22 protruding from a test head of a semiconductor measuring device are positioned to be in position. contact with their corresponding targets. In this embodiment, the contact pin element 20 is a so-called "force" terminal for applying a voltage and measuring a current, the contact pin element 21 is a "detection" terminal. "to take a voltage that needs to be measured. These terminals of force and detection provide a Kelvin connection. The contact pin element 22 is a guard pin for applying a voltage to the upper guard pattern 2. The guard pin member 22 acts as a guard terminal in an active guard device in which it is held equipotential to power and sense terminals for blocking external influences over the external connection terminal or in a passive guard mechanism in which it is connected to a fixed voltage. The present invention is applicable to both guard mechanisms whether they are active or passive. In FIG. 1, these terminals of force and detection are placed on the same external connection terminal 1. However, two external connection terminals can be provided separately for the detection and force terminals and each external connection terminal can be connected to a probe needle using a separate coaxial cable.
La figure 1 représente la borne de connexion externe 1 entourée par les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4. Les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4 sont connectés électriquement les uns aux autres et également connectés au motif de garde supérieur 2. De manière idéale, la borne de connexion externe 1 est séparée électromagnétiquement d'un diélectrique constituant le substrat externe via les conducteurs latéraux 3 et le conducteur de fond 4. Toutefois, comme on le décrira ci-dessous, la séparation électromagnétique complète n'est pas requise pour certains modes de réalisation spécifiques de la présente invention. Un fil d'âme du câble coaxial 8 pour connexion avec une aiguille de sonde est connecté à une borne de connexion externe 1 et l'autre conducteur externe du câble coaxial 8 est connecté au conducteur 2. FIG. 1 shows the external connection terminal 1 surrounded by the lateral conductors 3 and the bottom conductor 4. The lateral conductors 3 and the bottom conductor 4 are electrically connected to one another and also connected to the upper guard pattern 2. Ideally, the external connection terminal 1 is electromagnetically separated from a dielectric constituting the external substrate via the lateral conductors 3 and the bottom conductor 4. However, as will be described below, the complete electromagnetic separation is not not required for certain specific embodiments of the present invention. A core wire of the coaxial cable 8 for connection with a probe needle is connected to an external connection terminal 1 and the other external conductor of the coaxial cable 8 is connected to the conductor 2.
La figure 2 montre une vue en coupe le long de la ligne A-A représentant une vue en coupe du substrat 10. Comme on peut le voir à la figure 2, le substrat est constitué de deux couches. La surface de la première couche 5 définit la surface du substrat 10 et le conducteur inférieur 4 est disposé entre la première couche 5 et la seconde couche 6. Cette structure peut être fabriquée en fournissant le conducteur 4 en utilisant l'électrodéposition ou analogues sur le fond de la première couche 5 ou au sommet de la seconde couche 6. Le conducteur latéral 3 peut être formé en utilisant l'électrodéposition ou analogues sur des faces créées en enlevant par découpe une partie de la première couche 5. En variante, le conducteur peut être formé par électrodéposition ou analogues sur les faces latérales et inférieure du diélectrique 7 pour s'ajuster dans la surface découpée dans la première couche 5. Figure 2 shows a sectional view along the line A-A showing a sectional view of the substrate 10. As can be seen in Figure 2, the substrate consists of two layers. The surface of the first layer 5 defines the surface of the substrate 10 and the lower conductor 4 is disposed between the first layer 5 and the second layer 6. This structure can be manufactured by providing the conductor 4 by using electrodeposition or the like on the bottom of the first layer 5 or at the top of the second layer 6. The side conductor 3 may be formed using plating or the like on faces created by cutting off part of the first layer 5. Alternatively, the driver may be formed by electrodeposition or the like on the side and bottom faces of the dielectric 7 to fit into the cut surface in the first layer 5.
Des exemples des matériaux qui peuvent être utilisés pour fabriquer le substrat 10 incluent des résines synthétiques utilisées habituellement pour les substrats des circuits électriques, par exemple, des polycarbonates renforcés par fibre de verre, des polyimides, des résines époxy-verre et autres produits tels que des céramiques. Des exemples des matériaux utilisés pour que le diélectrique soit placé dans le substrat 10 pour supporter la borne de connexion externe 1 sur celui-ci incluent des résines synthétiques similaires à celles utilisées pour le substrat 10 de même que des matériaux ayant d'excellentes propriétés isolantes et diélectriques, tels que PTFE. Il est également possible de fabriquer des structures fines en utilisant des matériaux autres que ceux décrits cidessus par application des technologies de fabrication pour produire des circuits intégrés et les technologies de micro-usinage. Examples of materials that can be used to make the substrate include synthetic resins commonly used for substrates of electrical circuits, for example, glass fiber reinforced polycarbonates, polyimides, epoxy-glass resins, and other products such as ceramics. Examples of the materials used for the dielectric to be placed in the substrate 10 to support the external connection terminal 1 thereon include synthetic resins similar to those used for the substrate 10 as well as materials having excellent insulating properties. and dielectrics, such as PTFE. It is also possible to fabricate fine structures using materials other than those described above by applying manufacturing technologies to produce integrated circuits and micro-machining technologies.
La figure 3 représente un autre mode de réalisation ayant une section transversale différente de celle de la figure 2. Dans ce mode de réalisation, des entrefers 9 sont disposés entre la première couche 5 et le diélectrique 7 supportant sur celui-ci la borne de connexion externe 1. Ces entrefers peuvent réduire grandement la capacité entre la borne de connexion externe 1 et les conducteurs 3, 4. Dans la configuration de la figure 2, en supposant que les valeurs de capacité Cl et C3, comme cela est représenté à la figure 4 (A) entre la borne de connexion externe 1 et le conducteur 3 sur ses côtés droit et gauche sont de 10 pF, respectivement, et en supposant que la capacité C2 entre la borne 1 et le conducteur de fond 4 est de 10 pF, la capacité totale devient de 30 pF comme la somme de celles-ci. Dans le cas où l'on prévoit les entrefers 9, comme cela est représenté à la figure 4(B), les valeurs de capacité C12 et 2882824 14 C32 correspondant à ces entrefers 9 peuvent être considérées être d'environ 1 pF, respectivement. Ainsi, par exemple, la capacité Cl' entre le conducteur côté gauche 3 et la borne de connexion externe 1 est de 0,9 pF comme on l'obtient par l'équation suivante: Cl' = C12 * Cl / (C12 + Cl) = 0,9 pF En conséquence, la capacité totale est d'environ 11,8 pF comme obtenu par Cl' + C2 + C3' (C3' est la capacité entre le conducteur côté droit 3 et la borne de connexion ex-terne 1), réduisant de ce fait significativement la capacité totale. FIG. 3 represents another embodiment having a cross section different from that of FIG. 2. In this embodiment, air gaps 9 are arranged between the first layer 5 and the dielectric 7 supporting on it the connection terminal. external 1. These air gaps can greatly reduce the capacitance between the external connection terminal 1 and the conductors 3, 4. In the configuration of Figure 2, assuming that the capacitance values Cl and C3, as shown in FIG. 4 (A) between the external connection terminal 1 and the conductor 3 on its right and left sides are 10 pF, respectively, and assuming that the capacitance C2 between the terminal 1 and the ground conductor 4 is 10 pF, the total capacity becomes 30 pF as the sum of these. In the case where air gaps 9 are provided, as shown in FIG. 4 (B), the capacitance values C12 and 2882824 C32 corresponding to these air gaps 9 can be considered to be about 1 pF, respectively. Thus, for example, the capacitance Cl 'between the left side conductor 3 and the external connection terminal 1 is 0.9 pF as obtained by the following equation: Cl' = C12 * Cl / (C12 + Cl ) = 0.9 pF As a result, the total capacitance is about 11.8 pF as obtained by Cl '+ C2 + C3' (C3 'is the capacitance between the right-hand side conductor 3 and the ex-dull connection terminal 1), thereby significantly reducing the total capacity.
Dans les structures représentées aux figures 1 à 3, chaque conducteur latéral 3 peut dépasser de la surface du substrat (non spécifiquement représenté). Dans une telle structure, lorsque les éléments de broche de contact 20, 21, 22 contactent la surface du substrat, ces éléments de broche peuvent ne pas être vus de l'extérieur et une protection électromagnétique peut être prévue entre ces éléments de broche de contact. In the structures shown in Figures 1 to 3, each side conductor 3 may protrude from the surface of the substrate (not specifically shown). In such a structure, when the contact pin elements 20, 21, 22 contact the surface of the substrate, these pin elements may not be seen from the outside and electromagnetic shielding may be provided between these pin contact elements. .
La figure 5 représente un autre mode de réalisation dans lequel les bornes de connexion externes 31, 32 peuvent être seulement dans des zones où les éléments de broche de contact 20, 21 pour connexion à un dispositif de mesure ex-terne seront en contact avec celui-ci. La connexion entre ces bornes 31, 32 est assurée par un trajet de conduction 35 formé dans le substrat. La borne 33 peut assurer la connexion à une aiguille de sonde via un câble coaxial. Dans ce mode de réalisation, des propriétés de blindage plus élevé peuvent être obtenues en formant un motif conducteur 34 qui sert comme garde supérieure juste à proximité de la périphérie des bornes de connexion externes 31, 32, 33. Ainsi, l'élément de broche de contact 22 pour mesurer un potentiel de garde peut contacter un blindage supérieur 34. FIG. 5 shows another embodiment in which the external connection terminals 31, 32 may be only in areas where the contact pin elements 20, 21 for connection to an ex-dull measuring device will be in contact with that -this. The connection between these terminals 31, 32 is provided by a conduction path 35 formed in the substrate. Terminal 33 can connect to a probe needle via a coaxial cable. In this embodiment, higher shielding properties can be obtained by forming a conductive pattern 34 which serves as an upper guard just near the periphery of the external connection terminals 31, 32, 33. Thus, the pin element contact 22 for measuring a guard potential can contact an upper shield 34.
En outre, la connexion à une aiguille de sonde via un câble coaxial 8 peut être remplacée par un trajet conducteur blindé formé dans le substrat. In addition, the connection to a probe needle via a coaxial cable 8 may be replaced by a shielded conductive path formed in the substrate.
Une partie maillée partiellement ou totalement, des parties découpées 41 et des parties encochées 42 dans le conducteur latéral 3 sont représentées aux figures 6(A) à 6(C), respectivement. Le trajet conducteur 35 à l'intérieur du substrat, comme cela est représenté à la figure 5, peut être disposé à travers les parties découpées 41 ou les parties encochées 42 à partir de l'extérieur de la structure de support de la borne de connexion externe 1. Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, une des surfaces latérales correspondant aux conducteurs latéraux 3 du diélectrique supportant la borne de connexion externe 1 sur celui-ci peut être ouverte à un emplacement couvrant toutes les surfaces incluant la face inférieure avec le conducteur. Une telle structure est préférée à des fins de facilité de fabrication et de souplesse de conception. A partially or fully meshed portion, cut portions 41 and notched portions 42 in the side conductor 3 are shown in Figs. 6 (A) through 6 (C), respectively. The conductive path 35 within the substrate, as shown in FIG. 5, may be disposed through the cut portions 41 or the notched portions 42 from the outside of the connection terminal support structure. In another embodiment of the present invention, one of the lateral surfaces corresponding to the lateral conductors 3 of the dielectric supporting the external connection terminal 1 thereon may be open at a location covering all the surfaces including the underside with the driver. Such a structure is preferred for ease of manufacture and design flexibility.
Aux figures 1 à 3, des substrats 10 avec des structures à deux couches sont représentés comme exemples. Des substrats ayant des structures à trois couches ou plus, toutefois, peuvent également être appliqués à la présente invention et il est possible d'utiliser des structures plus complexes utilisant des substrats avec un certain nombre de couches. Dans un premier exemple de ces cas, il est possible de proposer une structure dans laquelle la borne de connexion externe 1 est positionnée plus bas que la surface du substrat 10, comme cela est représenté à la figure 7. A la figure 7, quatre faces latérales du substrat 10 sont en-levées en laissant le motif de garde 2. Le niveau de la borne de connexion externe 1 est abaissé, tandis que le conducteur latéral 3 sur les surfaces de paroi du substrat 10 autour de la borne de connexion externe 1 dépasse de celle-ci. Ainsi, lorsque les éléments de broche de contact 2882824 16 20, 21 touchent la borne 1, les conducteurs latéraux 3 servent comme blindage électromagnétique pour les éléments de broche de contact 20, 21 pour empêcher l'absorption diélectrique découlant des différences de potentiel entre les composants des bornes de connexion externe attenantes et les éléments de broche. In Figures 1 to 3, substrates 10 with two-layer structures are shown as examples. Substrates having structures of three or more layers, however, can also be applied to the present invention and it is possible to use more complex structures using substrates with a number of layers. In a first example of these cases, it is possible to propose a structure in which the external connection terminal 1 is positioned lower than the surface of the substrate 10, as shown in FIG. 7. In FIG. the level of the external connection terminal 1 is lowered, while the lateral conductor 3 on the wall surfaces of the substrate 10 around the external connection terminal 1. exceeds it. Thus, when the contact pin elements 2882824 16 20, 21 touch the terminal 1, the lateral conductors 3 serve as electromagnetic shielding for the contact pin elements 20, 21 to prevent the dielectric absorption arising from the potential differences between them. components of the external connecting terminals and the spindle elements.
Comme on l'a décrit en se référant aux figures 3 et 4, en prévoyant des entrefers autour du diélectrique supportant la borne de connexion externesur celle-ci, la capacité entre la borne de connexion externe et le conducteur environnant peut être significativement réduite. Les effets de la fixation de poussière sur les surfaces constituant les entrefers et l'humidité et analogues peuvent entraîner la détérioration des propriétés de résistance isolante et d'absorption diélectrique. Pour empêcher de tels effets non désirés, les entrefers ou espaces peuvent être scellés. Les figures 8 et 9 représentent des vues en coupe de ces structures, respectivement. Dans les structures des figures 8 et 9, une borne de connexion externe 51 s'étend vers le haut jusqu'à l'intérieur du substrat 10. La borne de connexion externe 51 est supportée par un diélectrique de support 52 encastré dans le substrat 10. Des espaces ou entrefers 54 sont scellés par des couches diélectriques 53, respective-ment. Dans les entrefers ou espaces scellés 54, de l'air sec ou un gaz inerte est placé. La borne de connexion ex-terne 51 est exposée sur la surface du substrat et les motifs de conducteur de garde supérieurs 55 sont formés entourant la partie exposée. A la figure 8, le diélectrique de support 52 est en contact avec les conducteurs latéral et inférieur 56, 57. A la figure 9, le diélectrique de support 52 est en contact avec le conducteur inférieur 57 mais n'est pas en contact avec le conducteur latéral 56. La structure comme il est représenté aux figures 8 et 9, est généralement similaire à la structure ou principe des fils blindés. En conséquence, en utilisant une telle structure à la place de la connexion via des câbles coaxiaux ou des câbles blindés fait qu'il est également possible de connecter la borne de connexion externe 51 avec une aiguille de sonde. As described with reference to FIGS. 3 and 4, by providing air gaps around the dielectric supporting the external connection terminal thereto, the capacitance between the external connection terminal and the surrounding conductor can be significantly reduced. The effects of dust fixation on air gap and moisture surfaces and the like can result in deterioration of the insulating resistance and dielectric absorption properties. To prevent such unwanted effects, air gaps or spaces can be sealed. Figures 8 and 9 show sectional views of these structures, respectively. In the structures of FIGS. 8 and 9, an external connection terminal 51 extends upwardly into the interior of the substrate 10. The external connection terminal 51 is supported by a support dielectric 52 embedded in the substrate 10 Spaces or gaps 54 are sealed by dielectric layers 53, respectively. In air gaps or sealed spaces 54, dry air or an inert gas is placed. The ex-dull connection terminal 51 is exposed on the surface of the substrate and the upper guard conductor patterns 55 are formed surrounding the exposed portion. In FIG. 8, the support dielectric 52 is in contact with the lateral and lower conductors 56, 57. In FIG. 9, the support dielectric 52 is in contact with the lower conductor 57 but is not in contact with the Lateral conductor 56. The structure as shown in Figures 8 and 9, is generally similar to the structure or principle of the shielded wires. Accordingly, by using such a structure instead of connecting via coaxial cables or shielded cables, it is also possible to connect the external connection terminal 51 with a probe needle.
La présente invention a été décrite en se référant à un certain nombre de modes de réalisation ci-dessus. Il est également possible, dans des applications spécifiques, de remplacer le câble coaxial par un câble à une seule âme avec un revêtement hautement isolant représenté typiquement par PTFE (Teflon() ou analogues qui doit être utilisé pour la connexion à une aiguille de sonde. The present invention has been described with reference to a number of embodiments above. It is also possible, in specific applications, to replace the coaxial cable with a single core cable with a highly insulating coating typically represented by PTFE (Teflon () or the like which is to be used for connection to a probe needle.
La carte de sondes de la présente invention comme décrite ci-dessus peut réduire le temps d'attente découlant de l'absorption diélectrique se produisant entre les différents potentiels électriques et réduire le courant de fuite en régime normal à un niveau négligeable. En outre, puisque le corps isolant placé entre les différents potentiels peut être protégé par des conducteurs, des variations des propriétés de microcourant pour chaque carte de sondes ou chaque élément de broche de contact en raison de la nature inhérente du corps isolant ou de procédés de fabrication non réguliers peuvent être empêchées. The probe board of the present invention as described above can reduce the waiting time resulting from the dielectric absorption occurring between the different electrical potentials and reduce the normal leakage current to a negligible level. In addition, since the insulating body placed between the different potentials can be protected by conductors, variations in the microcurrent properties for each probe board or each contact pin element due to the inherent nature of the insulative body or methods of Non-regular manufacturing can be prevented.
On peut se référer à la description entière de la de-mande de brevet japonais n 2000-36626 déposée le 15 février 2000 incluant le mémoire descriptif, les revendications, les dessins et le résumé. Reference can be made to the entire disclosure of Japanese Patent Application No. 2000-36626 filed February 15, 2000 including the specification, claims, drawings and summary.
2882824 182882824 18
Claims (5)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/782,110 US6558168B2 (en) | 2000-02-15 | 2001-02-13 | Probe card |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2882824A1 true FR2882824A1 (en) | 2006-09-08 |
Family
ID=25124982
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0109992A Expired - Fee Related FR2820825B1 (en) | 2001-02-13 | 2001-07-26 | PROBE CARD |
FR0603892A Withdrawn FR2882824A1 (en) | 2001-02-13 | 2006-05-02 | PROBE CARD |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0109992A Expired - Fee Related FR2820825B1 (en) | 2001-02-13 | 2001-07-26 | PROBE CARD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (2) | FR2820825B1 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2197081A (en) * | 1986-11-07 | 1988-05-11 | Plessey Co Plc | Coplanar waveguide probe |
US4983907A (en) * | 1987-05-14 | 1991-01-08 | Intel Corporation | Driven guard probe card |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
-
2001
- 2001-07-26 FR FR0109992A patent/FR2820825B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-02 FR FR0603892A patent/FR2882824A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2820825A1 (en) | 2002-08-16 |
FR2820825B1 (en) | 2006-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0228953B1 (en) | Encapsulation housing for an electronic circuit | |
EP0133125B1 (en) | Electronic component housing with a capacitor | |
EP0638933B1 (en) | Interconnection process of stacked semi-conductors chips and devices | |
EP1053592B1 (en) | Encapsulated surface wave component and collective method for making same | |
EP0800210B1 (en) | Compact microwave module | |
EP0310463A1 (en) | Housing for a high-density integrated circuit | |
EP1032001A1 (en) | Inductive component, integrated transformer, in particular for a radio frequency circuit, and associated integrated circuit with such inductive component or integrated transformer | |
FR2700416A1 (en) | Semiconductor device having a semiconductor element on a mounting element. | |
US6854980B2 (en) | Probe card | |
EP0660386A1 (en) | Test structure for integrated circuit | |
FR2653601A1 (en) | PORTABLE ELECTRONICS CONNECTABLE TO CHIPS. | |
WO2002029423A1 (en) | Multicontact electric connector | |
EP0228741B1 (en) | Testing device for a leadless carrier provided with a high-frequency integrated circuit chip | |
EP0448483A1 (en) | Apparatus for testing integrated circuits | |
FR3123147A1 (en) | Ball array type flip chip integrated circuit package for very high frequency operation. | |
FR2882824A1 (en) | PROBE CARD | |
EP1252804B1 (en) | Radiocommunication module in the form of an electronic macro-component, corresponding interface structure and transfer method onto a motherboard | |
FR2629271A1 (en) | DEVICE FOR INTERCONNECTING AND PROTECTING A BULK MICROFREQUENCY COMPONENT BLEACH | |
FR2666452A1 (en) | Multilayer semiconductor circuit module | |
EP1037054A1 (en) | Elementary low loss calibrating structure for calibrating an integrated circuit probe | |
EP0282396A1 (en) | Complex hybrid circuit structure, and its production method | |
FR2726941A1 (en) | INTEGRATED VARISTOR PROTECTION DEVICE OF AN ELECTRONIC COMPONENT AGAINST THE EFFECTS OF AN ELECTRO-MAGNETIC FIELD OR STATIC LOADS | |
FR2958085A1 (en) | TUNABLE HIGH FREQUENCY TRANSMISSION LINE | |
FR2860347A1 (en) | Testing apparatus and microcomputer chip connector, has two plates maintained one above another, such that openings of plates are respectively situated on two parallel axes, and third plate having width equal to section of contact pins | |
WO2002084313A1 (en) | Measuring probe and device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20080331 |