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FR2859486A1 - Deposition of an amorphous layer mainly containing fluorine and carbon on an optical substrate, notably for the production of low refractive index ophthalmic lenses - Google Patents

Deposition of an amorphous layer mainly containing fluorine and carbon on an optical substrate, notably for the production of low refractive index ophthalmic lenses Download PDF

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FR2859486A1
FR2859486A1 FR0310472A FR0310472A FR2859486A1 FR 2859486 A1 FR2859486 A1 FR 2859486A1 FR 0310472 A FR0310472 A FR 0310472A FR 0310472 A FR0310472 A FR 0310472A FR 2859486 A1 FR2859486 A1 FR 2859486A1
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Karine Schere
Pascale Lacan
Richard Bosmans
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Essilor International Compagnie Generale dOptique SA
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Abstract

The deposition under vacuum of an amorphous layer containing mainly fluorine and carbon is carried out using an ion canon able to eject ions in the form of a beam of accelerated ions created from at least one compound containing the fluorine and carbon in the form of a gas or a saturated vapor feeding the ion canon. An independent claim is also included for a device for putting this method into service.

Description

1 28594861 2859486

La présente invention a pour objet un procédé de dépôt sous vide d'une couche fluorée, en particulier fluorocarbonée, amorphe sur un substrat.  The subject of the present invention is a process for the vacuum deposition of a fluorinated, in particular fluorocarbonated, amorphous layer on a substrate.

Certains matériaux fluorocarbonés, lorsqu'ils sont utilisés en couches minces sont transparents dans le visible et possèdent un bas indice de réfraction, par exemple le polytétrafluoroéthylène (n=1.35 à 630 nm).  Some fluorocarbon materials, when used in thin layers, are transparent in the visible and have a low refractive index, for example polytetrafluoroethylene (n = 1.35 at 630 nm).

Leur utilisation comme couche bas indice dans un traitement anti-reflet est donc particulièrement appropriée car ils permettent un bas niveau de réflexion et une parfaite transparence dans toute la gamme spectrale du visible. Notamment dans le domaine des antireflets sur verres ophtalmiques, il est intéressant de disposer d'un matériau à indice de réfraction inférieur à celui de la silice (n -1.47 à 630 nm), matériau aujourd'hui couramment utilisé, car cela permet d'optimiser l'efficacité des antireflets tout en conservant un nombre de couches restreint.  Their use as a low index layer in an anti-reflection treatment is therefore particularly appropriate because they allow a low level of reflection and a perfect transparency throughout the spectral range of the visible. Particularly in the field of antireflection on ophthalmic lenses, it is advantageous to have a material with a refractive index lower than that of silica (n -1.47 at 630 nm), a material that is currently in common use, since this makes it possible to optimize the effectiveness of antireflections while maintaining a limited number of layers.

Cependant, les matériaux fluorocarbonés présentent souvent une mauvaise adhérence sur la plupart des matériaux. Cela est par exemple le cas lorsque l'on dépose par évaporation sous vide un composé fluorocarboné, tel que du Téflon amorphe. Cette mauvaise adhérence est un frein à leur développement, surtout dans le cas d'articles courants dont l'utilisation est intensive comme les lentilles ophtalmiques, qu'il convient de nettoyer fréquemment.  However, fluorocarbon materials often have poor adhesion to most materials. This is for example the case when one deposits by evaporation under vacuum a fluorocarbon compound, such as amorphous Teflon. This poor adhesion is a brake on their development, especially in the case of common items whose use is intensive such as ophthalmic lenses, which should be cleaned frequently.

Un autre procédé utilisé dans l'industrie est le dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) qui est décrit, par exemple, dans la demande de brevet internationale WO 98/33077. La méthode est basée sur l'utilisation de plasmas pour dissocier des gaz précurseurs et ainsi créer des radicaux résultants libres, aptes à se ré-associer pour former un matériau homogène adhérant à la surface des objets introduits dans la chambre de réaction. Cette technique est satisfaisante mais nécessite l'utilisation d'un équipement onéreux.  Another method used in the industry is Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) which is described, for example, in International Patent Application WO 98/33077. The method is based on the use of plasmas to dissociate precursor gases and thus create free resulting radicals, able to re-associate to form a homogeneous material adhering to the surface of the objects introduced into the reaction chamber. This technique is satisfactory but requires the use of expensive equipment.

En outre, la transparence des couches fluorocarbonées obtenues par PECVD est décevante car lesdites couches sont généralement de couleur jaunâtre.  In addition, the transparency of the fluorocarbon layers obtained by PECVD is disappointing because said layers are generally yellowish in color.

C'est pourquoi une nouvelle stratégie de dépôt est ici proposée, qui consiste à utiliser un canon à ions permettant d'éjecter des ions fluorés sous la 2 2859486 forme d'un faisceau d'ions accélérés, lequel va bombarder le substrat tout en apportant les électrons nécessaires à la constitution de composés fluorés électriquement neutres.  This is why a new deposition strategy is proposed here, which consists of using an ion gun for ejecting fluorinated ions under the form of an accelerated ion beam, which will bombard the substrate while providing the electrons necessary for the constitution of electrically neutral fluorinated compounds.

Ce procédé permet d'assurer d'une manière simple et efficace l'adhérence d'une couche fluorocarbonée amorphe à bas indice de réfraction sur un substrat optique ou une couche sous-jacente, de sorte à constituer une couche ou un empilement anti-reflets propre à être utilisé pour la production de lentilles ophtalmiques ayant une très bonne résistance aux chocs et aux rayures, une parfaite transparence et un indice de réfraction très bas.  This method makes it possible to ensure in a simple and effective manner the adhesion of a low refractive index amorphous fluorocarbon layer to an optical substrate or an underlying layer, so as to constitute an anti-reflective layer or stack. suitable for use in the production of ophthalmic lenses having very good impact and scratch resistance, perfect transparency and a very low refractive index.

De plus, ce procédé peut être facilement mis en oeuvre dans une machine d'évaporation classique, ce qui permet l'évaporation des premières couches, suivi directement du dépôt de la couche fluorocarbonée amorphe.  In addition, this process can be easily implemented in a conventional evaporation machine, which allows the evaporation of the first layers, followed directly by the deposition of the amorphous fluorocarbon layer.

L'invention, dans son ensemble, a ainsi pour objet un procédé de dépôt sous vide d'une couche fluorée amorphe sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape de dépôt de cette couche au moyen d'un canon à ions propre à éjecter des ions fluorés sous forme d'un faisceau d'ions accélérés créé à partir d'au moins un composé fluoré sous forme gazeuse ou de vapeur saturante alimentant le canon à ions.  The invention, as a whole, thus relates to a method of vacuum deposition of an amorphous fluorinated layer on a substrate, characterized in that it comprises the step of depositing this layer by means of a gun to ions capable of ejecting fluorinated ions in the form of an accelerated ion beam created from at least one gaseous fluorinated compound or saturated vapor supplying the ion gun.

Suivant des dispositions préférées: - le canon à ions est alimenté par au moins un composé fluoré, en mélange avec de l'oxygène, ou au moins un gaz rare; et/ou - le canon à ions est alimenté par au moins un composé fluorocarboné aliphatique ou cyclique, au moins un hydrocarbure fluoré aliphatique ou cyclique, ou un mélange de ceux-ci.  According to preferred arrangements: the ion gun is fed with at least one fluorinated compound, mixed with oxygen, or at least one rare gas; and / or the ion gun is fed with at least one aliphatic or cyclic fluorocarbon compound, at least one aliphatic or cyclic fluorinated hydrocarbon, or a mixture thereof.

La couche fluorocarbonée pouvant être obtenue selon l'invention consiste en un agrégat de composés essentiellement constitués d'atomes de fluor et de carbone. Elle est destinée à recouvrir la surface du substrat ou une couche sous-jacente de manière continue suivant une épaisseur qui varie typiquement entre 1 et 500 nm. Elle possède notamment un bas indice de réfraction et une faible constante diélectrique.  The fluorocarbon layer obtainable according to the invention consists of an aggregate of compounds consisting essentially of fluorine and carbon atoms. It is intended to cover the surface of the substrate or an underlying layer in a continuous manner with a thickness that typically varies between 1 and 500 nm. It has in particular a low refractive index and a low dielectric constant.

Une telle couche fluorocarbonée est amorphe dans la mesure où les molécules fluorocarbonées qui la composent ne forment généralement pas de polymère ou de structure cristalline de grande dimension.  Such a fluorocarbon layer is amorphous insofar as the fluorocarbon molecules which compose it do not generally form a polymer or a large crystalline structure.

3 2859486 Pour améliorer l'efficacité du procédé, on utilisera plus préférentiellement le perfluorocyclobutane (c-C4F6) ou bien un mélange de ce composé avec au moins un autre composé fluorocarboné, notamment du tetrafluorométhane (CF4) ou de l'hexafluorométhane (C2 F6), ou au moins un gaz rare.  In order to improve the efficiency of the process, perfluorocyclobutane (c-C4F6) or a mixture of this compound with at least one other fluorocarbon compound, especially tetrafluoromethane (CF4) or hexafluoromethane (C2 F6), will be used more preferentially. ), or at least one rare gas.

Le gaz rare est de préférence de l'argon ou du xénon.  The rare gas is preferably argon or xenon.

Les ions positifs crées à partir d'un gaz fluorocarboné sont majoritairement CF3+, CF2+, CF+, C+ et F+ dans des proportions qui dépendent en premier lieu du gaz fluorocarboné utilisé, mais également de la présence d'un gaz additif.  Positive ions created from a fluorocarbon gas are predominantly CF3 +, CF2 +, CF +, C + and F + in proportions that depend primarily on the fluorocarbon gas used, but also the presence of an additive gas.

Il est d'ailleurs possible selon le procédé de l'invention, d'obtenir une vitesse de dépôt plus élevée par une augmentation de la tension d'anode, ce qui a pour effet de faciliter la dissociation du gaz fluoré et d'augmenter l'énergie des ions.  It is also possible according to the method of the invention to obtain a higher deposition rate by increasing the anode voltage, which has the effect of facilitating the dissociation of the fluorinated gas and increasing the ion energy.

Le canon à ions qui est généralement utilisé est un canon à ions du genre présentant une anode annulaire, un filament qui sert de cathode et s'étend diamétralement au-dessus de l'anode annulaire et un aimant disposé en dessous de l'anode annulaire, qui peut être ou non permanent. Le distributeur de gaz, qui alimente le canon en gaz, est disposé, de préférence, entre l'anode et l'aimant.  The ion gun that is generally used is an ion gun of the kind having an annular anode, a filament which serves as a cathode and extends diametrically above the annular anode and a magnet disposed below the annular anode. , which may or may not be permanent. The gas distributor, which supplies the gun with gas, is preferably arranged between the anode and the magnet.

Ainsi, des électrons sont émis par la cathode, lesquels parcourent une trajectoire définie par les lignes du champ magnétique. Ces derniers sont accélérés vers une zone dite de décharge à proximité de l'anode où ils subissent des collisions avec les molécules des composés fluorés. Ces collisions produisent l'ionisation et la dissociation des composés fluorés. Les ions et électrons forment un gaz conducteur, ou plasma.  Thus, electrons are emitted by the cathode, which travel on a path defined by the magnetic field lines. The latter are accelerated towards a so-called discharge zone near the anode where they undergo collisions with the molecules of the fluorinated compounds. These collisions produce the ionization and dissociation of the fluorinated compounds. Ions and electrons form a conductive gas, or plasma.

Dans un tel contexte, les ions formés sont accélérés dans toutes les directions de l'espace. Ils vont traverser l'axe du canon à plusieurs reprises avant de s'échapper de la zone de décharge en un faisceau d'ions divergent.  In such a context, the ions formed are accelerated in all directions of space. They will cross the axis of the barrel several times before escaping from the discharge zone in a divergent ion beam.

Finalement, la charge positive des ions est neutralisée par une partie des électrons issus de la cathode, si bien que, lorsque ces derniers parviennent sur le substrat, le courant électrique du faisceau est quasi nul.  Finally, the positive charge of the ions is neutralized by a part of the electrons coming from the cathode, so that when they reach the substrate, the electric current of the beam is almost zero.

Le mode de dépôt prévu par l'invention permet l'utilisation de différents substrats, lesquels peuvent être en matière minérale ou de façon plus avantageuse, en matière plastique.  The deposition mode provided by the invention allows the use of different substrates, which may be of mineral material or, more advantageously, plastic.

4 2859486 Il peut s'agir en particulier d'une résine telle que le CR-39 , commercialisée par PPG Industries, qui peut être dans certains cas recouverte d'un vernis anti-abrasion et commercialisée alors sous le nom d'ORMA SUPRA .  It may be in particular a resin such as CR-39, marketed by PPG Industries, which may in some cases be coated with an abrasion-resistant varnish and then marketed under the name ORMA SUPRA.

Le procédé peut être utilisé pour le dépôt d'une unique couche fluorée amorphe, cependant l'invention prévoit de réaliser des empilements de couches d'indices de réfraction variables, comprenant une couche fluorée déposée selon le procédé de l'invention, en vue de fabriquer, entre autres, des lentilles ophtalmiques traitées antireflet.  The method may be used for the deposition of a single amorphous fluorinated layer, however the invention provides for stacks of variable refractive index layers, comprising a fluorinated layer deposited according to the method of the invention, in order to manufacture, among others, ophthalmic lenses treated anti-reflective.

Lors d'une utilisation du procédé de la présente invention dans le cadre 10 d'un empilement anti-reflets, la couche fluorée est généralement utilisée pour former la couche extérieure bas indice.  In use of the method of the present invention in the context of an antireflection stack, the fluorinated layer is generally used to form the low index outer layer.

L'invention peut ainsi consister à fabriquer un empilement anti-reflets par des étapes successives de dépôt physique en phase gazeuse sous vide (PVD) de trois couches ayant respectivement, depuis l'intérieur de l'empilement vers l'extérieur, un haut indice de réfraction / un bas indice de réfraction I un haut indice de réfraction, l'empilement de ces couches correspondant préférentiellement à un empilement de type ZrO2/SiO21ZrO2, où ZrO2 et SiO2 désignent les matériaux dont sont constitués ces couches; puis à déposer la couche extérieure fluorée amorphe au moyen d'un canon à ions propre à éjecter des ions fluorés.  The invention can thus consist in manufacturing an antireflection stack by successive steps of physical vapor deposition under vacuum (PVD) of three layers having, respectively, from inside the stack to the outside, a high index a refractive index / a low refractive index I a high refractive index, the stack of these layers preferably corresponding to a ZrO 2 / SiO 2 ZrO 2 type stack, where ZrO 2 and SiO 2 denote the materials of which these layers are made; then depositing the amorphous fluorinated outer layer by means of a clean ion gun to eject fluorinated ions.

Traditionnellement, les empilements antireflets sur lentilles ophtalmiques comportent une dernière couche anti-salissure. Le dépôt d'une telle couche n'est pas nécessaire dans le cadre de l'invention, puisque la couche fluorée amorphe selon l'invention présente déjà cette propriété anti-salissure.  Traditionally, anti-glare stacks on ophthalmic lenses have a final anti-fouling layer. The deposition of such a layer is not necessary in the context of the invention, since the amorphous fluorinated layer according to the invention already has this anti-soiling property.

De préférence, chaque étape de dépôt physique en phase gazeuse sous 25 vide évoquée ci-dessus, comprend l'évaporation du matériau à déposer par canon à électrons.  Preferably, each vacuum gas phase physical deposition step discussed above includes evaporation of the electron gun deposition material.

En pratique, chaque étape de dépôt physique en phase gazeuse est effectuée à une pression inférieure ou égale à 10"2 Pa.  In practice, each gas phase physical deposition step is carried out at a pressure of less than or equal to 10 -2 Pa.

L'invention porte également sur l'utilisation du procédé tel que défini ci-30 dessus pour améliorer l'adhérence d'une couche extérieure à base indice de réfraction sur la couche sous-jacente d'un empilement antireflets.  The invention also relates to the use of the method as defined above for improving the adhesion of a refractive index-based outer layer to the underlying layer of an antireflection stack.

L'invention a enfin pour objet un dispositif permettant la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte: - un canon à ions; 2859486 - des moyens d'alimentation du canon à ions en composé fluoré sous forme gaz ou vapeur; et - un porte-substrat au-dessus du canon à ions.  The invention finally relates to a device for implementing the method according to the invention, characterized in that it comprises: - an ion gun; 2859486 - means for supplying the ion gun of fluorinated compound in gas or vapor form; and a substrate holder above the ion gun.

Le canon à ions est de préférence du genre défini supra.  The ion gun is preferably of the kind defined above.

11 est prévu, en outre que le canon à ions et le porte-substrat soient logés dans une chambre et qu'un système de pompage pour faire le vide dans ladite chambre, fasse partie du dispositif.  It is further provided that the ion gun and the substrate holder are housed in a chamber and that a pumping system for evacuating said chamber is part of the device.

En complément du dispositif, peuvent venir s'ajouter, un piège à froid propre à augmenter la vitesse de pompage de l'eau et un canon à électrons pour l'évaporation par bombardement électronique des matériaux à déposer.  In addition to the device, can be added, a cold trap to increase the pumping speed of water and an electron gun for evaporation by electron bombardment of the materials to be deposited.

Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront par ailleurs de la description qui va suivre et qui fait référence aux dessins schématiques annexés, sur lesquels: - la figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif de mise 15 en oeuvre du procédé suivant l'invention - la figure 2 est une représentation schématique en coupe d'un canon à ions pouvant être utilisé pour le procédé selon l'invention; et la figure 3 représente un empilement anti-reflets, obtenu selon un mode de réalisation préféré de l'invention.  The features and advantages of the invention will become apparent from the following description, which refers to the appended diagrammatic drawings, in which: FIG. 1 is a diagrammatic representation of a device for implementing the method according to FIG. FIG. 2 is a diagrammatic representation in section of an ion gun that can be used for the method according to the invention; and FIG. 3 represents an antireflection stack obtained according to a preferred embodiment of the invention.

Dans la forme de réalisation représentée, le dispositif 10 de mise en oeuvre du procédé de dépôt sur un substrat 9, se présente sous la forme d'une chambre 8, où on peut faire le vide, et à l'intérieur de laquelle sont disposés un canon à ions 1 du type MarK Il (commercialisé par Commonwealth Scientific), comprenant un aimant fixe 6, et dans l'axe du canon un porte substrat 3, situé dans la direction de sortie des ions 14 fluorés.  In the embodiment shown, the device 10 for carrying out the deposition method on a substrate 9 is in the form of a chamber 8, which can be evacuated, and inside which are arranged an ion gun 1 of the MarK II type (marketed by Commonwealth Scientific), comprising a fixed magnet 6, and in the axis of the barrel a substrate holder 3, situated in the direction of exit of the fluorinated 14 ions.

Le substrat 9 est porté par un porte-substrat 3 qui, en pratique, fait partie d'un carrousel classique.  The substrate 9 is carried by a substrate holder 3 which, in practice, is part of a conventional carousel.

Le gaz alimentant le canon à ions en composés fluorés est libéré par dessous l'anode annulaire 4 à la faveur d'un distributeur de gaz 2 constitué d'une plaque percée d'orifices. La quantité de gaz est régulée en amont par un moyen d'alimentation 7, relié à un ou plusieurs débitmètres massiques du type MKS.  The gas supplying the ion gun of fluorinated compounds is released from below the annular anode 4 by means of a gas distributor 2 consisting of a plate pierced with orifices. The quantity of gas is regulated upstream by a supply means 7 connected to one or more mass flowmeters of the MKS type.

Des électrons sont émis par une cathode 5 et suivent approximativement des lignes du champ magnétique 13 visibles sur la figure 2. Ils sont accélérés vers la zone de décharge à proximité de l'anode 4, et subissent des collisions avec les 6 2859486 atomes ou molécules. Une partie de ces collisions produit des ions. Le mélange d'électrons et d'ions dans la région de décharge forme un gaz conducteur, ou plasma. Les ions formés sont accélérés comme indiqué sur la figure 2, et peuvent traverser l'axe du canon à ions plusieurs fois, avant de quitter la source. A la sortie ils forment un faisceau divergent.  Electrons are emitted by a cathode 5 and follow approximately lines of the magnetic field 13 visible in Figure 2. They are accelerated to the discharge zone near the anode 4, and undergo collisions with the 6 2859486 atoms or molecules . Part of these collisions produce ions. The mixture of electrons and ions in the discharge region forms a conductive gas, or plasma. The formed ions are accelerated as shown in Figure 2, and can traverse the axis of the ion gun several times before leaving the source. At the exit they form a divergent beam.

Ensuite, la charge d'espace positive de ces ions est neutralisée par une partie des électrons de la cathode 5.  Then, the positive space charge of these ions is neutralized by a part of the electrons of the cathode 5.

Un système de pompage 11 est prévu pour faire le vide à l'intérieur de la chambre 8 de dépôt, et un piège à froid (piège Meissner), qui n'est pas représenté ici dans un souci de simplification, est disposé à l'intérieur de l'enceinte pour augmenter la vitesse de pompage de l'eau. Il est ainsi possible d'obtenir en quelques minutes, la pression de l'ordre de 10-2 Pa nécessaire pour le dépôt.  A pumping system 11 is provided to evacuate inside the deposition chamber 8, and a cold trap (Meissner trap), which is not shown here for the sake of simplification, is disposed of inside the enclosure to increase the speed of pumping water. It is thus possible to obtain in a few minutes, the pressure of the order of 10-2 Pa necessary for the deposition.

Un canon à électrons 12 du type Leybold ESV6 avec un creuset tournant à quatre cavités est par ailleurs prévu pour l'évaporation par bombardement électronique des matériaux à déposer.  An electron gun 12 of the Leybold ESV6 type with a four-cavity rotating crucible is also provided for evaporation by electron bombardment of the materials to be deposited.

Il convient encore de relever que la cathode 5 se présente sous la forme d'un filament s'étendant diamétralement au-dessus de l'anode annulaire 4.  It should also be noted that the cathode 5 is in the form of a filament extending diametrically above the annular anode 4.

Un exemple d'un empilement pouvant être obtenu par le procédé suivant l'invention est illustré à la figure 3.  An example of a stack obtainable by the method according to the invention is illustrated in FIG.

Selon le mode de réalisation illustré sur cette figure, un substrat organique 19 revêtu d'un vernis anti-abrasion 20 disponible dans le commerce sous la dénomination ORMA-SUPRA est revêtu d'un empilement antireflet comprenant une alternance de couches minces à haut et bas indice de réfraction 21 (a-d).  According to the embodiment illustrated in this figure, an organic substrate 19 coated with an abrasion-resistant varnish 20 available commercially under the name ORMA-SUPRA is coated with an antireflection stack comprising an alternation of thin layers at high and low refractive index 21 (ad).

Selon le mode de réalisation préféré illustré à la figure 2, la première couche 21a est en matériau à haut indice de réfraction, c'est à dire supérieur à 1,6. Ce matériau est ici composé d'oxyde de zirconium (ZrO2), qui est déposé sur une épaisseur physique comprise typiquement entre 35 et 75 nm.  According to the preferred embodiment illustrated in FIG. 2, the first layer 21a is made of a material with a high refractive index, that is to say greater than 1.6. This material is here composed of zirconium oxide (ZrO2), which is deposited on a physical thickness typically between 35 and 75 nm.

La seconde couche 21b déposée sur la première couche 21a est ici composée de silice (SiO2), c'est à dire un matériau à bas indice de réfraction, et 30 d'épaisseur typiquement comprise entre 20 et 40 nm.  The second layer 21b deposited on the first layer 21a is here composed of silica (SiO2), that is to say a material with a low refractive index, and with a thickness typically between 20 and 40 nm.

La troisième couche 21c déposée ici est identique à la première couche 21a (couche de ZrO2), sauf pour ce qui concerne l'épaisseur, qui est comprise entre 120 et 190 nm.  The third layer 21c deposited here is identical to the first layer 21a (ZrO 2 layer), except for the thickness, which is between 120 and 190 nm.

7 2859486 Ces trois couches ont été déposées successivement au moyen d'une technique de dépôt physique en phase gazeuse sous-vide (PVD), définie précédemment, grâce au canon à électrons 12.  These three layers were successively deposited by means of a vacuum depressed gas phase physical deposition (PVD) technique, previously defined, using the electron gun 12.

Notons que d'autres matériaux adaptés et bien connus de l'homme du 5 métier pourraient être utilisés dans la première partie de cet empilement sans en modifier fondamentalement les performances.  Note that other suitable materials and well known to those skilled in the art could be used in the first part of this stack without fundamentally changing the performance.

Selon le mode de réalisation préféré, une couche fluorocarbonée amorphe 21d forme une couche extérieure à bas indice de réfraction de l'empilement. Elle est déposée à l'aide d'un canon à ions selon le dispositif de la figure 1. Son épaisseur est comprise entre 70 et 110 nm.  According to the preferred embodiment, an amorphous fluorocarbon layer 21d forms an outer layer with a low refractive index of the stack. It is deposited using an ion gun according to the device of Figure 1. Its thickness is between 70 and 110 nm.

Le dépôt est opéré directement sur la troisième couche 21 c à haut indice de réfraction, en plaçant l'échantillon directement au dessus du canon à ions, de préférence de sorte à ce que l'angle formé entre l'axe de l'empilement et celui du canon à ions n'excède pas 30 . Bien entendu, une rotation du caroussel est aussi possible.  The deposition is performed directly on the third layer 21c with a high refractive index, by placing the sample directly above the ion gun, preferably so that the angle formed between the axis of the stack and that of the ion gun does not exceed 30. Of course, carousel rotation is also possible.

Le dépôt s'effectue à l'aide d'une quantité de c-C4F8 sous forme gazeuse de 2 sccm (cm3/min en conditions normales), permettant de projeter des ions flurocarbonés.  The deposition is carried out using a quantity of c-C4F8 in gaseous form of 2 sccm (cm3 / min under normal conditions), for projecting flurocarbon ions.

La tension d'anode étant fixée à environ 100 V, on obtient un courant 20 d'anode compris entre 0.8 et 1 A, ce qui permet une vitesse de dépôt de l'ordre de 3 Angstrôm/s, pour une distance canon-substrat d'environ 30 cm.  As the anode voltage is set at approximately 100 V, an anode current of between 0.8 and 1 A is obtained, which allows a deposition rate of the order of 3 Angstrom / s for a gun-substrate distance. about 30 cm.

Notons qu'il est possible d'optimiser le rendement du dépôt, en introduisant un gaz rare en mélange tel que le xénon, ou bien simplement en augmentant la tension d'anode. Ces manipulations ont pour effet de fractionner davantage les ions qui sont émis par le canon 1.  Note that it is possible to optimize the efficiency of the deposit, by introducing a mixed rare gas such as xenon, or simply by increasing the anode voltage. These manipulations have the effect of further splitting the ions that are emitted by the barrel 1.

La couche amorphe déposée a d'abord été inspectée à l'oeil nu: elle est transparente.  The amorphous layer deposited was first inspected with the naked eye: it is transparent.

On a également constaté un indice de réfraction très bas, de l'ordre de 1, 39 à 600 nm pour ce genre de couche.  A very low refractive index, on the order of 1.3 to 600 nm, has also been found for this type of layer.

De plus, on a obtenu un angle de contact pour l'eau supérieur à 90 .  In addition, a contact angle for water greater than 90 has been obtained.

Aucune trace d'abrasion n'a été constatée lors des tests de frottement avec un tissu souple, dans des conditions habituelles de nettoyage de lentilles ophtalmiques.  No trace of abrasion was found during friction tests with a flexible fabric, in usual conditions of cleaning ophthalmic lenses.

8 2859486 L'adhésion à la couche sous-jacente est tout à fait satisfaisante et en tout cas meilleure que l'adhésion d'une couche obtenue par évaporation sous vide.  The adhesion to the underlying layer is quite satisfactory and in any case better than the adhesion of a layer obtained by vacuum evaporation.

Il est donc avéré que le procédé de l'invention permet d'obtenir des empilements anti-reflets ayant des couches minces très denses et présentant des caractéristiques très satisfaisantes du point de vue de l'adhérence et de la résistance aux rayures.  It has therefore been found that the process of the invention makes it possible to obtain antireflection stacks having very dense thin layers and having very satisfactory characteristics from the point of view of adhesion and scratch resistance.

Les empilements obtenus conviennent donc parfaitement pour une utilisation sur des lentilles ophtalmiques.  The stacks obtained are therefore perfectly suitable for use on ophthalmic lenses.

Bien entendu, la présente invention ne se limite pas à la forme de 10 réalisation décrite et représentée, mais englobe toute variante d'exécution.  Of course, the present invention is not limited to the embodiment described and shown, but encompasses any alternative embodiment.

9 28594869 2859486

Claims (16)

REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt sous vide d'une couche fluorée amorphe sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape de dépôt de cette couche au moyen d'un canon à ions propre à éjecter des ions fluorés sous forme d'un faisceau d'ions accélérés créé à partir d'au moins un composé fluoré sous forme gazeuse ou de vapeur saturante alimentant le canon à ions.  1. Process for the vacuum deposition of an amorphous fluorinated layer on a substrate, characterized in that it comprises the step of depositing this layer by means of an ion gun capable of ejecting fluorinated ions in the form of an accelerated ion beam created from at least one gaseous fluorinated compound or saturated vapor supplying the ion gun. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche fluorée est la couche extérieure bas indice d'un empilement anti-reflets déposé sur 10 le substrat.  2. Method according to claim 1, characterized in that the fluorinated layer is the low outer layer indicative of an antireflection stack deposited on the substrate. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le canon à ions est alimenté par au moins un composé fluoré, en mélange avec de l'oxygène, ou au moins un gaz rare.  3. Method according to any one of claims 1 and 2, characterized in that the ion gun is fed with at least one fluorinated compound in a mixture with oxygen, or at least one rare gas. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le canon à ions est alimenté par au moins un composé fluorocarboné aliphatique ou cyclique, au moins un hydrocarbure fluoré aliphatique ou cyclique, ou un mélange de ceux-ci.  4. Method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the ion gun is fed with at least one aliphatic or cyclic fluorocarbon compound, at least one aliphatic or cyclic fluorohydrocarbon, or a mixture thereof . 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le canon à ions est alimenté par du perfluorocyclobutane (c-C4F8) ou un mélange de ce composé avec au moins un autre composé fluorocarboné, notamment du tétrafluorométhane (CF4) ou de l'hexafluorométhane (C2F6), ou au moins un gaz rare.  5. Method according to claim 4, characterized in that the ion gun is fed with perfluorocyclobutane (c-C4F8) or a mixture of this compound with at least one other fluorocarbon compound, especially tetrafluoromethane (CF4) or the hexafluoromethane (C2F6), or at least one rare gas. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat est un substrat en matière plastique.  6. Method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the substrate is a plastic substrate. 7. Procédé selon la revendication 2 et l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérisé en ce qu'il consiste à fabriquer un empilement antireflets par les étapes successives - de dépôt physique en phase gazeuse (PVD) sous vide de trois couches ayant respectivement, depuis l'intérieur vers l'extérieur, un haut indice de 30 réfraction/ un bas indice de réfraction / un haut indice de réfraction, de préférence du type ZrO2/SiO2/ZrO2; - dépôt de la couche extérieure fluorée amorphe à l'aide d'un canon à ions propre à éjecter des ions fluorés.  7. Method according to claim 2 and any one of claims 3 to 6, characterized in that it consists in producing an antireflection stack by the successive steps - physical vapor phase (PVD) vacuum of three layers having respectively, from the inside to the outside, a high refractive index / a low refractive index / a high refractive index, preferably of the ZrO 2 / SiO 2 / ZrO 2 type; depositing the amorphous fluorinated outer layer with the aid of an ion gun capable of ejecting fluorinated ions. 2859486  2859486 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que chaque étape de dépôt physique en phase gazeuse sous vide comprend l'évaporation du matériau à déposer par bombardement électronique.8. Process according to claim 7, characterized in that each physical vapor deposition step in vacuum comprises the evaporation of the material to be deposited by electron bombardment. 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que chaque étape de dépôt est effectuée à une pression inférieure ou égale à 10-2 Pa.  9. The method of claim 7 or 8, characterized in that each deposition step is performed at a pressure less than or equal to 10-2 Pa. 10. Utilisation du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 pour améliorer l'adhérence d'une couche extérieure à bas indice de réfraction sur la couche sous-jacente d'un empilement anti-reflets.  10. Use of the method according to any one of claims 1 to 9 for improving the adhesion of a low refractive index outer layer on the underlying layer of an antireflection stack. 11. Dispositif convenant à la mise en oeuvre du procédé selon l'une 10 quelconque des revendications 1 à 9 et comportant: - un canon à ions (1) ; - des moyens d'alimentation (7) du canon à ions en composé fluoré ; et un porte-substrat (3) au-dessus du canon à ions.  11. A device suitable for carrying out the method according to any one of claims 1 to 9 and comprising: an ion gun (1); - Supply means (7) of the fluorinated compound ion gun; and a substrate holder (3) above the ion gun. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le canon à 15 ions comporte une anode annulaire (4), un filament servant de cathode (5) et s'étendant diamétralement au-dessus de l'anode annulaire et un aimant (6) disposé en dessous de l'anode annulaire.  12. Device according to claim 11, characterized in that the ion gun comprises an annular anode (4), a filament serving as a cathode (5) and extending diametrically above the annular anode and a magnet ( 6) disposed below the annular anode. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le canon à ions (1) comporte un distributeur de gaz (2) entre l'anode annulaire et l'aimant.  13. Device according to claim 12, characterized in that the ion gun (1) comprises a gas distributor (2) between the annular anode and the magnet. 14. Dispositif selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre (8) à la faveur de laquelle sont logés le canon à ions (1) et le porte-substrat (3), et un système de pompage (11) pour faire le vide dans la chambre.  14. Device according to claim 12 or 13, characterized in that it comprises a chamber (8) in favor of which are housed the ion gun (1) and the substrate holder (3), and a pumping system. (11) to empty the room. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte 25 un piège à froid propre à augmenter la vitesse de pompage de l'eau.  15. Device according to claim 14, characterized in that it comprises a cold trap capable of increasing the pumping speed of the water. 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé en ce qu'il comporte un canon à électrons (12) pour l'évaporation par bombardement électronique des matériaux à déposer.  16. Device according to any one of claims 11 to 15, characterized in that it comprises an electron gun (12) for evaporation by electron bombardment of the materials to be deposited.
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