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EP3019915A1 - Method for the perpendicular orientation of nanodomains of block copolymers, using statistical or gradient copolymers, the monomers of which differ at least in part from those present in each of the blocks of the block copolymer - Google Patents

Method for the perpendicular orientation of nanodomains of block copolymers, using statistical or gradient copolymers, the monomers of which differ at least in part from those present in each of the blocks of the block copolymer

Info

Publication number
EP3019915A1
EP3019915A1 EP14747091.8A EP14747091A EP3019915A1 EP 3019915 A1 EP3019915 A1 EP 3019915A1 EP 14747091 A EP14747091 A EP 14747091A EP 3019915 A1 EP3019915 A1 EP 3019915A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
block
copolymer
random
copolymers
monomers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP14747091.8A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Christophe Navarro
Chrystilla REBOUL
Guillaume FLEURY
Gilles PECASTAINGS
Georges Hadziioannou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Arkema France SA
Universite de Bordeaux
Institut Polytechnique de Bordeaux
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Arkema France SA
Universite de Bordeaux
Institut Polytechnique de Bordeaux
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS, Arkema France SA, Universite de Bordeaux, Institut Polytechnique de Bordeaux filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of EP3019915A1 publication Critical patent/EP3019915A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Definitions

  • the present invention relates to a method of perpendicular orientation of nano-domains of block copolymers on a substrate by the use of a sub-layer of random or gradient copolymers whose monomers are at least partly different from those present respectively in each of the blocks of the block copolymer
  • This method is advantageously used in lithography.
  • ⁇ is equal to 0.04 for the PS / PMMA pair, to 393K, while for PS / PDMS (poly (dimethylsiloxane)) it is 0.191, for PS / P2VP (poly (2 vinyl pyridine)) it is 0.178, for PS / PEO (polyethylene oxide) it is 0.077 and for PDMS / PLA (poly (lactic acid)) it is 1.1 .
  • This parameter associated with the strong contrast during the etching between PLA and PDMS, allows a better definition of the domains and thus to go to sizes of domains lower than 22 nm.
  • PLA Another block of interest that can be advantageously associated with the PDMS is PLA.
  • Poly lactic acid is distinguished by its degradability which makes it easy to degrade by chemical or plasma during the step of creating the copolymer mask (it is twice as sensitive to etching as the PS, this which means that it can be degraded much more easily). It is easier to synthesize and inexpensive.
  • the invention relates to a method for controlling the orientation of a block copolymer mesostructure by means of a random or gradient copolymer whose constituent monomers are at least partly different from those respectively present in each of the blocks of the copolymer. blocks, comprising the following steps:
  • the statistical or gradient copolymers used in the invention may be of any type provided that their constituent monomers are at least partly different. those present respectively in each block of the block copolymer used in the invention.
  • one of the constituent monomers of the random copolymers of the invention is once polymerized miscible in one of the block copolymer blocks used in the invention.
  • the random copolymers may be obtained by any route including polycondensation, ring-opening polymerization, anionic, cationic or radical polymerization, the latter being controllable or not.
  • the polymers are prepared by radical polymerization or telomerization, this can be controlled by any known technique such as NMP ("Nitroxide Mediated Polymerization"), RAFT ("Reversible Addition and Fragmentation Transfer”), ATRP ("Atom Transfer Radical Polymerization”). "), INIFERTER (" Initiator-Transfer-
  • ITP Iodine Transfer Polymerization
  • the polymers are preferably prepared by radical polymerization, and more particularly by controlled radical polymerization, more particularly by controlled nitroxide polymerization.
  • nitroxides derived from alkoxyamines derived from the stable free radical (1) are preferred.
  • the radical R 1 has a molar mass greater than 15.034 g / mol.
  • the radical R 1 can be a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a linear, branched or cyclic, saturated or unsaturated hydrocarbon-based group such as an alkyl or phenyl radical, or an ester - COOR or an alkoxyl group -OR, or a phosphonate group -PO (OR) 2 > as long as it has a molar mass greater than 15.0342.
  • the monovalent radical R- ⁇ is said in position ⁇ with respect to the nitrogen atom of the nitroxide radical.
  • the remaining valences of the carbon atom and the nitrogen atom in the formula (1) can be linked to various radicals such as a hydrogen atom, a hydrocarbon radical such as an alkyl, aryl or aryl radical. -alkyl, comprising from 1 to 10 carbon atoms. It is not excluded that the carbon atom and the nitrogen atom in the formula (1) are connected to each other via a divalent radical, so as to form a ring. Preferably, however, the remaining valencies of the carbon atom and the nitrogen atom of the formula (1) are attached to monovalent radicals.
  • the radical R 1 has a molar mass greater than 30 g / mol.
  • the radical R 1 may, for example, have a molar mass of between 40 and 450 g / mol.
  • the radical R 1 may be a radical comprising a phosphoryl group, said radical R 1 may be represented by the formula: R ⁇
  • R and R which may be the same or different, may be selected from alkyl, cycloalkyl, alkoxyl, aryloxyl, aryl, aralkyloxy, perfluoroalkyl, aralkyl, and may include from 1 to 20 carbon atoms.
  • R 1 and / or R 1 may also be a halogen atom such as a chlorine or bromine or fluorine or iodine atom.
  • the radical R 1 may also comprise at least one aromatic ring as for the phenyl radical or the naphthyl radical, the latter may be substituted, for example by an alkyl radical comprising from 1 to 4 carbon atoms.
  • alkoxyamines derived from the following stable radicals are preferred:
  • alkoxyamines used in controlled radical polymerization must allow good control of the sequence of monomers. Thus they do not all allow good control of certain monomers.
  • the alkoxyamines derived from TEMPO only make it possible to control a limited number of monomers, the same goes for the alkoxyamines derived from 2,2,5-tri-methyl-4-phenyl-3-azahexane-3-nitroxide. (TIPNO).
  • alkoxyamines derived from nitroxides corresponding to formula (1) particularly those derived from nitroxides corresponding to formula (2) and even more particularly those derived from N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2, 2-dimethylpropyl. nitroxide allow to expand to a large number of monomer controlled radical polymerization of these monomers.
  • alkoxyamines also influences the economic factor. The use of low temperatures will be preferred to minimize industrial difficulties.
  • Alkoxyamines derived from nitroxides corresponding to formula (1), particularly those derived from nitroxides corresponding to formula (2) and even more particularly those derived from N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2, 2-dimethylpropyl nitroxide, will thus be preferred.
  • the constituent monomers of the random copolymers will be chosen from vinyl, vinylidene, diene, olefinic, allylic or (meth) acrylic monomers. These monomers are chosen more particularly from vinylaromatic monomers such as styrene or substituted styrenes, in particular Alpha-methylstyrene, acrylic monomers such as acrylic acid or its salts, alkyl acrylates, cycloalkyl acrylates or aryl acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, ethylhexyl acrylate or phenyl, hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate, alkyl ether acrylates such as 2-methoxyethyl acrylate, alkoxy- or aryloxy-polyalkylene glycol acrylates such as methoxypolyethylene glycol acrylates, ethoxypolyethylene glycol acrylates,
  • the constituent monomers of the random copolymers will be chosen from styrene or (meth) acrylic monomers, and more particularly styrene and methyl methacrylate.
  • the number-average molecular mass of the random copolymers used in the invention may be between 500 g / mol and 100 000 g / mol and preferably between 1000 g / mol and 20 000 g / mol, and even more particularly between 2000 g / mol and 10000 g / mol with a dispersity index of 1.00 to 10 and preferably from 1.05 to 3, more particularly between 1.05 and 2.
  • the block copolymers used in the invention may be of any type (diblock, triblock, multiblock, gradient, star) provided that their constituent monomers are of a different chemical nature from those present in the copolymers. statistics used in the invention.
  • the block copolymers used in the invention may be prepared by any synthetic route such as anionic polymerization, polycondensation of oligomers, ring opening polymerization, or controlled radical polymerization.
  • PLA polytrimethyl carbonate
  • PCL polycaprolactone
  • the block copolymers used in the invention will be chosen from the following: PLA-PDMS, PLA-PDMS-PLA, PTMC-PDMS-PTMC, PCL-PDMS-PCL, PTMC-PCL, PTMC-PCL-PTMC, PCL -PTMC PCL. And more particularly PLA-PDMS-PLA, PTMC-PDMS-PTMC.
  • block copolymers one of whose blocks contains styrene and at least one X comonomer, the other block containing methyl methacrylate and at least one Y comonomer
  • X being chosen from among the entities hydrogenated or partially hydrogenated styrene, cyclohexadiene, cyclohexene, cyclohexane, styrene substituted with one or more fluorinated alkyl groups, or mixtures thereof in a mass proportion of X ranging from 1 to 99% and preferably from 10 to 80% relative to block containing styrene
  • Y being selected from the following: fluorinated alkyl (meth) acrylate, particularly trifluoroethyl methacrylate, dimethyl aminoethyl (meth) acrylate, globular (meth) acrylates such as isobornyl (meth) acrylates, halogenated isobornyl, halogenated
  • naphthyl (meth) acrylate polyhedral oligomeric silsesquioxane (meth) acrylate which may contain a fluorinated group, or mixtures thereof, in mass proportions of Y ranging from 1 to 99% and preferably from 10 to 80% relative to the block containing methyl methacrylate.
  • the number-average molecular weight of the block copolymers used in the invention measured by SEC with polystyrene standards, it may be between 2000 g / mol and 80 000 g / mol and preferably between 4000 g / mol and 20 000 g / mol, and even more particularly between 6000 g / mol and 15000 g / mol with a dispersity index of 1.00 to 2 and preferably 1.05 and 1.4.
  • the different mesostructures of the block copolymers depend on the volume fractions of the blocks.
  • block copolymers having high values of x will have a strong phase separation of the blocks. Indeed, this parameter is relative to the interactions between the strings of each of the blocks.
  • a high value of ⁇ means that the blocks move as far apart as possible, which will result in a good resolution of the blocks, and therefore a low line roughness.
  • Flory-Huggins parameter block copolymer systems that are high (that is to say greater than 0.1 to 298 K) and more particularly polymer blocks containing heteroatoms (atoms other than C and H) will thus be favored. , and even more particularly Si atoms.
  • Treatments adapted to the phase segregation inherent to self-assembly of block copolymers may be thermal annealing, typically above the glass transition temperature (Tg) of the blocks, ranging from 10 to 150 ° C above the highest Tg, exposure to solvent vapors, or combination of these two treatments.
  • Tg glass transition temperature
  • it is a heat treatment whose temperature will be a function of the chosen blocks. If appropriate, for example when the blocks are judiciously chosen, a simple evaporation of the solvent will suffice, at room temperature, to promote the self-assembly of the block copolymer.
  • the process of the invention is applicable to the following substrates: silicon, silicon having a native or thermal oxide layer, hydrogenated or halogenated silicon, germanium, hydrogenated or halogenated germanium, platinum and platinum oxides, tungsten and tungsten oxides, gold, titanium nitrides, graphenes.
  • the surface is mineral and more preferably silicon. Even more preferably, the surface is silicon having a native or thermal oxide layer.
  • the process of the invention used to control the orientation of a block copolymer mesostructure by means of a random copolymer consists in depositing preferably the randomly dissolved or dispersed statistical copolymers in a suitable solvent according to techniques known to the art. skilled in the art such as the so-called “spin coating” technique, “Doctor Blade””knifeSystem”,”slot die System” but any other technique can be used such as a dry deposit, that is to say without going through a prior dissolution.
  • the method of the invention will aim to form a random copolymer layer typically less than 10 nm and preferably less than 5 nm.
  • the block copolymer used in the process of the invention will then be deposited according to a similar technique, then subjected to the treatment allowing the segregation of the phases inherent to the self-assembly of the block copolymers.
  • the block copolymers deposited on the surfaces treated by the process of the invention are preferably di-block copolymers or linear or star-shaped triblock copolymers.
  • the surfaces treated by the process of the invention will be used in lithography, membrane preparation applications.
  • toluene In a stainless steel reactor equipped with a mechanical stirrer and a jacket are introduced toluene, as well as monomers such as styrene (S), methyl methacrylate (MMA), and hydroxy functionalized alkoxyamine .
  • S styrene
  • MMA methyl methacrylate
  • Table 1 The mass ratios between the various styrene (S) and methyl methacrylate (MMA) monomers are described in Table 1.
  • the mass load of toluene is set at 30% relative to the reaction medium.
  • the reaction mixture is stirred and degassed by bubbling nitrogen at room temperature for 30 minutes.
  • the temperature of the reaction medium is then raised to 115 ° C.
  • the temperature is maintained at 115 ° C. throughout the polymerization until reaching a monomer conversion of about 70%. Samples are taken at regular intervals to determine the kinetics of gravimetric polymerization (measurement of dry extract).
  • the reaction medium When the 70% conversion is reached, the reaction medium is cooled to 60 ° C and the solvent and residual monomers are evaporated under vacuum. After evaporation, the methyl ethyl ketone is added to the reaction medium in an amount such that a polymer solution of the order of 25 ⁇ 6 mass is produced.
  • This polymer solution is then introduced dropwise into a beaker containing a non-solvent (heptane), so as to precipitate the polymer.
  • a non-solvent heptane
  • the precipitated polymer is recovered as a white powder after filtration and drying.
  • EXAMPLE 3 Synthesis of the PLA-PDMS-PLA Triblock Copolymer
  • the products used for this synthesis are an HO-PDMS-OH initiator and homopolymer marketed by Sigma-Aldrich, a racemic lactic acid, in order to avoid any problem related to crystallization. , an organic catalyst to avoid metal contamination problems, triazabicyclodecene (TBD) and toluene.
  • TBD triazabicyclodecene
  • the volume fractions of the blocks were determined to obtain PLA cylinders in a PDMS matrix, i.e., about 70% PDMS and 30% PLA.
  • Example 4 Self-assembly of a triblock copolymer PLA-b-PDMS-b-PLA
  • the block copolymer described in this study was chosen according to the needs of the lithography, that is to say the cylinders in a matrix, used as masks for the creation of cylindrical holes in a substrate after etching and degradation. .
  • the desired morphology is therefore PLA cylinders in a PDMS matrix.
  • 1st step Grafting a layer of random copolymer.
  • a random copolymer brush prepared according to Example 2 is first deposited on the substrate in order to modify the surface energy, and therefore the preferential interactions between the blocks and the interfaces.
  • the random copolymer is solubilized in a suitable solvent, PGMEA (Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate).
  • PGMEA Polypropylene Glycol Monomethyl Ether Acetate
  • the concentration of the solution can vary from 0.5 to 5%, and more precisely from 1 to 3%.
  • the chain attached density is limited by the length of the chains of the random copolymer, by its molecular weight and by its radius of gyration; thus having a concentration higher than 5% is not necessary.
  • the solution is filtered through 0.2 ⁇ m filters.
  • the substrate is cut and cleaned with the same solvent, PGMEA, and then dried with compressed air. Then, the substrate is deposited on the spin, and 100yL of solution are deposited on the substrate. The spin is finally started. After the deposition is complete, and the solvent evaporated, the film is placed in a vacuum oven for 48 hours at 170 ° C. so that the grafting proceeds.
  • the film is rinsed with PGMEA so removing the excess of random copolymer not grafted to the substrate, and then dried with compressed air.
  • the block copolymer in Example 3 is solubilized in PGMEA.
  • the concentration of the solution is between 0.5 and 10%, and more precisely between 1 and 4%.
  • the thickness of the film depends on the concentration of the solution, the higher the concentration and the thicker the film. So the concentration is the parameter to vary according to the desired film thickness.
  • the solution is filtered through 0.2 ⁇ m filters.
  • the grafted substrate is deposited on the spin, and then 100 ⁇ L of solution containing the block copolymer of Example 3 are deposited on the substrate.
  • the spin is started.
  • a thermal annealing of one and a half hours at 180 ° C is then used to help the self-organization of the meso structure.
  • Example 2 on the self-organization of the block copolymer of Example 3.
  • Example 2 on the self-organization of the block copolymer of Example 3.

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Abstract

A method for the perpendicular orientation of nanodomains of block copolymers, using statistical or gradient copolymers the monomers of which differ at least in part from the monomers present in each of the blocks of the block copolymer. The present invention relates to a method for the perpendicular orientation of nanodomains of block copolymers on a substrate, using an underlayer of statistical or gradient copolymers, the monomers of which differ at least in part from those present in each of the blocks of the block copolymers.

Description

Procédé d' orientation perpendiculaire de nanodomaines de copolymères à blocs par l'utilisation de copolymères statistiques ou à gradient dont les monomères sont au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs.  Process for perpendicular orientation of nanodomains of block copolymers by the use of statistical or gradient copolymers whose monomers are at least partly different from those respectively present in each block of the block copolymer.
La présente invention concerne un procédé d' orientation perpendiculaire de nano-domaines de copolymères à blocs sur un substrat par l'utilisation d'une sous couche de copolymères statistiques ou à gradient dont les monomères sont au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs The present invention relates to a method of perpendicular orientation of nano-domains of block copolymers on a substrate by the use of a sub-layer of random or gradient copolymers whose monomers are at least partly different from those present respectively in each of the blocks of the block copolymer
Ce procédé est avantageusement utilisé en lithographie. This method is advantageously used in lithography.
Beaucoup de procédés de lithographie avancée basés sur l'auto-assemblage des copolymères à blocs (BC) font intervenir des masques de PS-j -PMMA ( (polystyrène- bloc- poly (méthacrylate de méthyle) ) . Cependant, le PS est un mauvais masque pour la gravure, car il a une faible résistance aux plasmas inhérents à l'étape de gravure. Par conséquent ce système ne permet pas un transfert optimal des motifs au substrat. De plus, la séparation de phases limitée entre le PS et le PMMA due au faible paramètre de Flory Huggins χ de ce système ne permet pas d' obtenir des tailles de domaines inférieures à la vingtaine de nanomètres limitant de par ce fait la résolution finale du masque. Pour palier à ces défauts, dans « Polylactide- Poly (dimethylsiloxane) -Polylactide Triblock Copolymers as Multifunctional Materials for NanolithographicMany advanced lithography processes based on self-assembly of block copolymers (BC) involve masks of PS-J-PMMA ((polystyrene-block-poly (methyl methacrylate)). poor mask for etching, because it has a low resistance to plasmas inherent to the etching step.Therefore this system does not allow optimal transfer of the patterns to the substrate.In addition, the limited phase separation between the PS and the PMMA due to the low Flory Huggins parameter χ of this system does not make it possible to obtain domain sizes of less than 20 nanometers, thereby limiting the final resolution of the mask.To overcome these defects, in "Polylactide- Poly (Dimethylsiloxane) -Polylactide Triblock Copolymers as Multifunctional Materials for Nanolithographic
Applications». ACS Nano . 4(2): p. 725-732 , Rodwogin, M.D., et al. décrivent des groupes contenant des atomes de Si ou de Fe, tels que le PDMS, le polyhedral oligomeric silesquioxane (POSS) , ou encore le poly (ferrocenylsilane) (PFS) introduits dans les copolymères à blocs servant de masques. Ces copolymères peuvent former des domaines bien séparés similaires à ceux des PS-j -PMMA, mais contrairement à eux, l'oxydation des blocs inorganiques lors des traitements de gravure forme une couche d' oxyde qui est bien plus résistante à la gravure, ce qui permet de garder intact le motif du polymère constituant le masque de lithographie . Applications. " ACS Nano. 4 (2): p. 725-732, Rodwogin, MD, et al. describe groups containing Si or Fe atoms, such as PDMS, polyhedral oligomeric silesquioxane (POSS), or poly (ferrocenylsilane) (PFS) introduced into block copolymers serving as masks. These copolymers can form well-separated domains similar to those of PS-D-PMMA, but, contrary to them, the oxidation of inorganic blocks during etching treatments forms an oxide layer which is much more resistant to etching. which makes it possible to keep intact the pattern of the polymer constituting the lithography mask.
Dans l'article "Orientation-Controlled Self-Assembled Nanolithography Using a Polystyrene-Polydimethylsiloxane Block Copolymer". Nano Letters, 2007. 7(7): p. 2046-2050, Jung et Ross suggèrent que le masque idéal de copolymère à blocs doit avoir une forte valeur de χ, et qu'un des blocs doit être fortement résistant à la gravure. Une forte valeur de χ entre les blocs favorise la formation des domaines purs et bien définis sur tout le substrat comme cela est expliqué par Bang, J. et al., dans « Defect-Free Nanoporous Thin Films from ABC Triblock Copolymers ». J. Am. Chem. Soc, 2006. 128: p. 7622, c'est-à-dire une diminution de la rugosité de ligne, χ est égal à 0.04 pour le couple PS/PMMA, à 393K, tandis que pour PS/PDMS (poly (diméthyl siloxane) ) il est de 0.191, pour PS/P2VP (poly (2 vinyle pyridine) ) il est de 0.178, pour PS/PEO (poly (oxyde d'éthylène)) il est de 0.077 et pour PDMS/PLA (poly (acide lactique)) il est de 1.1. Ce paramètre, associé au fort contraste lors de la gravure entre PLA et PDMS, permettent une meilleure définition des domaines et donc d'aller vers des tailles de domaines inférieures à 22 nm. Tous ces systèmes ont montré une bonne organisation avec des domaines ayant une taille limite inférieure à lOnm, selon certaines conditions. Cependant, beaucoup de systèmes ayant une forte valeur de χ sont organisés grâce à un recuit par vapeur de solvant, car de trop hautes températures seraient requises pour un recuit thermique, et l'intégrité chimique des blocs ne serait pas conservée. Parmi les blocs constitutifs des copolymères à blocs qui présentent un intérêt, on peut citer le PDMS car il a déjà été utilisé en lithographie douce, c'est-à-dire non basée sur des interactions avec la lumière, plus précisément en tant que moule ou tampon encreur. Le PDMS possède une des plus faibles températures de transition vitreuse Tg des matériaux polymères. Il a une grande stabilité thermique, une faible absorption aux rayons UV et des chaînes hautement flexibles. De plus, les atomes de Silicium du PDMS lui confèrent une bonne résistance à la gravure ionique réactive (RIE : Reactive Ion Etching) , permettant ainsi de correctement transférer le motif formé par les domaines à la couche de substrat. In the article "Orientation-Controlled Self-Assembled Nanolithography Using a Polystyrene-Polydimethylsiloxane Block Copolymer". Nano Letters, 2007. 7 (7): p. 2046-2050, Jung and Ross suggest that the ideal block copolymer mask must have a high value of χ, and that one of the blocks must be highly resistant to etching. A high value of χ between the blocks promotes the formation of pure and well-defined domains on the entire substrate as explained by Bang, J. et al., In Defect-Free Nanoporous Thin Films from ABC Triblock Copolymers. J. Am. Chem. Soc., 2006. 128: p. 7622, ie a decrease of the line roughness, χ is equal to 0.04 for the PS / PMMA pair, to 393K, while for PS / PDMS (poly (dimethylsiloxane)) it is 0.191, for PS / P2VP (poly (2 vinyl pyridine)) it is 0.178, for PS / PEO (polyethylene oxide) it is 0.077 and for PDMS / PLA (poly (lactic acid)) it is 1.1 . This parameter, associated with the strong contrast during the etching between PLA and PDMS, allows a better definition of the domains and thus to go to sizes of domains lower than 22 nm. All these systems have shown good organization with domains having a size limit of less than 10 nm, according to certain conditions. However, many systems with a high de value are organized by solvent vapor annealing because too high temperatures would be required for thermal annealing, and the chemical integrity of the blocks would not be retained. Among the constituent blocks of block copolymers which are of interest, mention may be made of PDMS since it has already been used in soft lithography, that is to say not based on interactions with light, more specifically as a mold. or ink pad. PDMS has one of the lowest glass transition temperatures Tg of polymeric materials. It has high thermal stability, low UV absorption and highly flexible chains. In addition, the silicon atoms of the PDMS give it good resistance to Reactive Ion Etching (RIE), thus allowing the pattern formed by the domains to be correctly transferred to the substrate layer.
Un autre bloc présentant un intérêt que l'on peut avantageusement associer au PDMS est PLA.  Another block of interest that can be advantageously associated with the PDMS is PLA.
Le poly acide lactique (PLA) se distingue par sa dégradabilité ce qui permet de facilement le dégrader par voie chimique ou plasma lors de l'étape de création du masque de copolymère (il est deux fois plus sensible à la gravure que le PS, ce qui signifie qu'il peut être dégradé bien plus facilement) . Il est de plus facile à synthétiser et peu onéreux.  Poly lactic acid (PLA) is distinguished by its degradability which makes it easy to degrade by chemical or plasma during the step of creating the copolymer mask (it is twice as sensitive to etching as the PS, this which means that it can be degraded much more easily). It is easier to synthesize and inexpensive.
Il a été démontré à plusieurs reprises que l'utilisation d'une brosse de copolymère statistique de PS-s-PMMA permettait de contrôler l'énergie de surface du substrat comme on peut le lire chez les auteurs suivants: Mansky, P., et al . , « Controlling polymer-surface interactions with random copolymer brushes ». Science, 1997. 275: p. 1458- 1460, Han, E., et al., "Effect of Composition of Substrate- Modifying Random Copolymers on the Orientation of Symmetric and Asymmetric Diblock Copolymer Domains". Macromolecules , 2008. 41(23): p. 9090-9097, Ryu, D.Y., et al., "Cylindrical Microdomain Orientation of PS-b-PMMA on the Balanced Interfacial Interactions: Composition Effect of Block Copolymers. Macromolecules, 2009". 42(13): p. 4902-4906, In, I., et al., "Side-Chain-Grafted Random Copolymer Brushes as Neutral Surfaces for Controlling the Orientation of Block Copolymer Microdomains in Thin Films". Langmuir, 2006. 22(18): p. 7855-7860, Han, E., et al., "Perpendicular Orientation of Domains in Cylinder-Forming Block Copolymer Thick Films by Controlled Interfacial Interactions. Macromolecules, 2009". 42(13): p. 4896-4901 ; afin d'obtenir des morphologies normalement instables, telles que des cylindres perpendiculaires au substrat dans une configuration de film mince pour un copolymère à blocs de PS-j -PMMA. L'énergie de surface du substrat modifié est contrôlée en faisant varier les fractions volumiques des blocs du copolymère statistique. Cette technique est utilisée car elle est simple, rapide et permet de faire varier facilement les énergies de surface afin d'équilibrer les interactions préférentielles entre les blocs et le substrat . It has been repeatedly demonstrated that the use of a PS-s-PMMA random copolymer brush controls the surface energy of the substrate as can be read in the following authors: Mansky, P., and al. "Controlling polymer-surface interactions with random copolymer brushes". Science, 1997. 275: p. 1458- 1460, Han, E., et al., "Effect of Composition of Substrate-Modifying Random Copolymers on the Orientation of Symmetric and Asymmetric Diblock Copolymer Domains". Macromolecules, 2008. 41 (23): p. 9090-9097, Ryu, DY, et al., "Cylindrical Microdomain Orientation of PS-b-PMMA on the Balanced Interfacial Interactions: Composition Effect of Block Copolymers, Macromolecules, 2009". 42 (13): p. 4902-4906, In, I., et al., "Side-Chain-Grafted Random Copolymer Brushes as Neutral Surfaces for Controlling the Orientation of Copolymer Block Microdomains in Thin Films". Langmuir, 2006. 22 (18): p. 7855-7860, Han, E., et al., "Perpendicular Orientation of Domains in Cylinder-Forming Block Copolymer Thick Films by Controlled Interfacial Interactions, Macromolecules, 2009". 42 (13): p. 4896-4901; in order to obtain normally unstable morphologies, such as cylinders perpendicular to the substrate in a thin film configuration for a PS-j-PMMA block copolymer. The surface energy of the modified substrate is controlled by varying the volume fractions of the blocks of the random copolymer. This technique is used because it is simple, fast and makes it possible to easily vary the surface energies in order to balance the preferential interactions between the blocks and the substrate.
La plupart des travaux où une brosse de copolymère statistique est utilisée afin de minimiser les énergies de surface, montrent l'utilisation d'une brosse de PS-s-PMMA (copolymère statistique PS/PMMA) pour le contrôle de l'organisation d'un PS-b-PMMA. Ji et al. dans "Generalization of the Use of Random Copolymers To Control the Wetting Behavior of Block Copolymer Films. Macromolecules, 2008". 41(23): p. 9098-9103. ont démontré l'utilisation d'un copolymère statistique de PS-S-P2VP afin de contrôler l'orientation d'un PS-jb-P2VP, méthodologie semblable à celle utilisée dans le cas du système PS/PMMA. Most of the work where a statistical copolymer brush is used to minimize surface energies, show the use of a PS-s-PMMA brush (statistical copolymer PS / PMMA) for the control of the organization of a PS-b-PMMA. Ji et al. in "Generalization of the Use of Random Copolymers To Control the Wetting Behavior of Block Copolymer Films." Macromolecules, 2008 ". 41 (23): p. 9098-9103. demonstrated the use of a statistical copolymer of PS-S-P2VP so to control the orientation of a PS-jb-P2VP, a methodology similar to that used in the case of the PS / PMMA system.
Peu de travaux font état du contrôle de l'orientation des domaines par l'utilisation de copolymères statistiques ou à gradient dont les monomères constitutifs sont différents au moins en partie de ceux présents dans le copolymère à blocs et ceci reste valable pour des systèmes autres que le PS-b- PMMA. Few studies report the control of the orientation of the domains by the use of statistical or gradient copolymers whose constituent monomers are different at least in part from those present in the block copolymer and this remains valid for systems other than PS-b-PMMA.
Keen et al. dans "Control of the Orientation of Symmetric Poly (styrène) -block-poly (d, 1-lactide) Block Copolymers Using Statistical Copolymers of Dissimilar Composition. Langmuir, 2012" ont démontré l'utilisation d'un copolymère statistique de PS-s-PMMA pour contrôler l'orientation d'un PS-j -PLA. Cependant il est important de noter qu'ici un des constituants du copolymère statistique est identique chimiquement à un des constituants du copolymère à blocs. D'autre part, le PS-fc-PLA n'est pas le copolymère à bloc le mieux adapté à l'établissement des domaines nanostructurés les plus petits.  Keen et al. in "Control of the Orientation of Symmetric Poly (styrene) -block-poly (d, 1-lactide) Block Copolymers Using Statistical Copolymers of Dissimilar Composition, Langmuir, 2012" demonstrated the use of a PS-s random copolymer -PMMA to control the orientation of a PS-j -PLA. However, it is important to note that here one of the constituents of the random copolymer is chemically identical to one of the constituents of the block copolymer. On the other hand, PS-fc-PLA is not the block copolymer best suited to establishing the smallest nanostructured domains.
Néanmoins pour certains systèmes tels que le PDMS/PLA, la synthèse de copolymères statistiques à partir des monomères respectifs, permettant d'appliquer l'approche décrite ci- dessus, n'est pas réalisable. Ainsi il apparaît très intéressant de contourner ce problème en réalisant le contrôle des énergies de surfaces entre le substrat et le copolymère à blocs par un matériau de nature chimique différente mais apportant la même finalité en termes de fonctionnalité. Nevertheless for certain systems such as PDMS / PLA, the synthesis of random copolymers from the respective monomers, making it possible to apply the approach described above, is not feasible. Thus it appears very interesting to circumvent this problem by performing the control of the surface energies between the substrate and the block copolymer by a material of different chemical nature but with the same purpose in terms of functionality.
La demanderesse a découvert que l'utilisation de copolymères statistiques ou à gradient dont les monomères sont au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs déposé permet de résoudre efficacement le problème exposé ci-dessus et notamment de contrôler l'orientation de la mésostructure formée par l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs par un copolymère statistique ne présentant pas de parenté chimique avec le copolymère à blocs. The applicant has discovered that the use of random or gradient copolymers whose monomers are at least partly different from those present respectively in each of the blocks of the deposited block copolymer makes it possible to effectively solve the problem set out above and in particular to control the orientation of the mesostructure formed by the self-assembly of a block copolymer by a random copolymer not exhibiting of chemical relationship with the block copolymer.
Résumé de l'invention : Summary of the invention
L' invention concerne un procédé pour contrôler l'orientation d'une méso-structure de copolymère à blocs grâce à un copolymère statistique ou à gradient dont les monomères constitutifs sont au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : The invention relates to a method for controlling the orientation of a block copolymer mesostructure by means of a random or gradient copolymer whose constituent monomers are at least partly different from those respectively present in each of the blocks of the copolymer. blocks, comprising the following steps:
-Dépôt d'une solution d'un copolymère statistique ou à gradient sur un substrat. -Deposit of a solution of a random or gradient copolymer on a substrate.
-Recuit entraînant le greffage d'une monocouche des chaînes du copolymère statistique ou à gradient sur le substrat, puis un rinçage facultatif afin d'éliminer les chaînes non greffées .  -Recuit resulting in the grafting of a monolayer of the chains of the random or gradient copolymer on the substrate, then an optional rinsing in order to eliminate ungrafted chains.
-Dépôt d'une solution du copolymère à bloc .  -Deposit of a solution of the block copolymer.
-Ségrégation de phases inhérente à l'auto-assemblage des copolymères à blocs par un traitement adapté.  Phase segregation inherent in the self-assembly of block copolymers by a suitable treatment.
Description détaillée detailed description
Les copolymères statistiques ou à gradient utilisés dans l'invention peuvent être de tout type à condition que leurs monomères constitutifs soient au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs utilisés dans l'invention. The statistical or gradient copolymers used in the invention may be of any type provided that their constituent monomers are at least partly different. those present respectively in each block of the block copolymer used in the invention.
Selon une variante, tout en étant au moins en partie de nature chimique différente, un des monomères constitutifs des copolymères statistiques de l'invention est une fois polymérisé miscible dans un des blocs des copolymères à blocs utilisés dans l'invention. According to one variant, while at least partly of different chemical nature, one of the constituent monomers of the random copolymers of the invention is once polymerized miscible in one of the block copolymer blocks used in the invention.
Les copolymères statistiques peuvent être obtenu par n' importe quelle voie parmi lesquelles on peut citer la polycondensation, la polymérisation par ouverture de cycle, la polymérisation anionique, cationique ou radicalaire cette dernière pouvant être contrôlée ou non. Lorsque les polymères sont préparés par polymérisation ou télomérisation radicalaire, celle-ci peut être contrôlée par toute technique connue telle que NMP ("Nitroxide Mediated Polymerization") , RAFT ("Réversible Addition and Fragmentation Transfer") , ATRP ("Atom Transfer Radical Polymerization") , INIFERTER ("Initiator-Transfer-The random copolymers may be obtained by any route including polycondensation, ring-opening polymerization, anionic, cationic or radical polymerization, the latter being controllable or not. When the polymers are prepared by radical polymerization or telomerization, this can be controlled by any known technique such as NMP ("Nitroxide Mediated Polymerization"), RAFT ("Reversible Addition and Fragmentation Transfer"), ATRP ("Atom Transfer Radical Polymerization"). "), INIFERTER (" Initiator-Transfer-
Termination") , RITP ("Reverse Iodine TransferTermination "), RITP (" Reverse Iodine Transfer
Polymerization") , ITP ("Iodine Transfer Polymerization) . Polymerization "), ITP (" Iodine Transfer Polymerization).
On privilégiera les procédés de polymérisation ne faisant pas intervenir de métaux. De préférence les polymères sont préparés par polymérisation radicalaire, et plus particulièrement par polymérisation radicalaire contrôlée, encore plus particulièrement par polymérisation contrôlée par les nitroxydes. Preference will be given to non-metal polymerization processes. The polymers are preferably prepared by radical polymerization, and more particularly by controlled radical polymerization, more particularly by controlled nitroxide polymerization.
Plus particulièrement les nitroxides issus des alcoxyamines dérivées du radical libre stable (1) sont préférées. C— N— Ο· (1 ) More particularly, the nitroxides derived from alkoxyamines derived from the stable free radical (1) are preferred. C- N- Ο · (1)
Dans laquelle le radical R-^ présente une masse molaire supérieure à 15, 0342 g/mole. Le radical R-^ peut être un atome d'halogène tel que le chlore, le brome ou l'iode, un groupement hydrocarboné linéaire, ramifié ou cyclique, saturé ou insaturé tel qu'un radical alkyle ou phényle, ou un groupement ester -COOR ou un groupement alcoxyle -OR, ou un groupement phosphonate -PO (OR) 2 > dès lors qu'il présente une masse molaire supérieure à 15, 0342. Le radical R-^, monovalent, est dit en position β par rapport à l'atome d'azote du radical nitroxyde. Les valences restantes de l'atome de carbone et de l'atome d'azote dans la formule (1) peuvent être liées à des radicaux divers tels qu'un atome d'hydrogène, un radical hydrocarboné comme un radical alkyle, aryle ou aryle-alkyle, comprenant de 1 à 10 atomes de carbone. Il n'est pas exclu que l'atome de carbone et l'atome d'azote dans la formule (1) soient reliés entre eux par l'intermédiaire d'un radical bivalent, de façon à former un cycle. De préférence cependant, les valences restantes de l'atome de carbone et de l'atome d'azote de la formule (1) sont liées à des radicaux monovalents. De préférence, le radical R-^ présente une masse molaire supérieure à 30 g/mole. Le radical R-^ peut par exemple avoir une masse molaire comprise entre 40 et 450 g/mole. A titre d'exemple, le radical R-^ peut être un radical comprenant un groupement phosphoryle, ledit radical R-^ pouvant être représenté par la formule : R~ Wherein the radical R 1 has a molar mass greater than 15.034 g / mol. The radical R 1 can be a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, a linear, branched or cyclic, saturated or unsaturated hydrocarbon-based group such as an alkyl or phenyl radical, or an ester - COOR or an alkoxyl group -OR, or a phosphonate group -PO (OR) 2 > as long as it has a molar mass greater than 15.0342. The monovalent radical R- ^ is said in position β with respect to the nitrogen atom of the nitroxide radical. The remaining valences of the carbon atom and the nitrogen atom in the formula (1) can be linked to various radicals such as a hydrogen atom, a hydrocarbon radical such as an alkyl, aryl or aryl radical. -alkyl, comprising from 1 to 10 carbon atoms. It is not excluded that the carbon atom and the nitrogen atom in the formula (1) are connected to each other via a divalent radical, so as to form a ring. Preferably, however, the remaining valencies of the carbon atom and the nitrogen atom of the formula (1) are attached to monovalent radicals. Preferably, the radical R 1 has a molar mass greater than 30 g / mol. The radical R 1 may, for example, have a molar mass of between 40 and 450 g / mol. By way of example, the radical R 1 may be a radical comprising a phosphoryl group, said radical R 1 may be represented by the formula: R ~
R (2) R (2)
dans laquelle R et R , pouvant être identiques ou différents, peuvent être choisis parmi les radicaux alkyle, cycloalkyle, alkoxyle, aryloxyle, aryle, aralkyloxyle, perfluoroalkyle, aralkyle, et peuvent comprendre de 1 à 20 atomes de carbone. R^ et/ou R^ peuvent également être un atome d'halogène comme un atome de chlore ou de brome ou de fluor ou d'iode. Le radical R-^ peut également comprendre au moins un cycle aromatique comme pour le radical phényle ou le radical naphtyle, ce dernier pouvant être substitué, par exemple par un radical alkyle comprenant de 1 à 4 atomes de carbone . wherein R and R, which may be the same or different, may be selected from alkyl, cycloalkyl, alkoxyl, aryloxyl, aryl, aralkyloxy, perfluoroalkyl, aralkyl, and may include from 1 to 20 carbon atoms. R 1 and / or R 1 may also be a halogen atom such as a chlorine or bromine or fluorine or iodine atom. The radical R 1 may also comprise at least one aromatic ring as for the phenyl radical or the naphthyl radical, the latter may be substituted, for example by an alkyl radical comprising from 1 to 4 carbon atoms.
Plus particulièrement les alcoxyamines dérivées des radicaux stables suivants sont préférées : More particularly alkoxyamines derived from the following stable radicals are preferred:
- N-tertiobutyl-l-phényl-2 méthyl propyl nitroxyde, N-tert-butyl-1-phenyl-2-methylpropyl nitroxide,
N-tertiobutyl-1- (2-naphtyl) -2-méthyl propyl nitroxyde , N-tert-butyl-1- (2-naphthyl) -2-methylpropyl nitroxide,
N-tertiobutyl-l-diéthylphosphono-2 , 2-diméthyl propyl nitroxyde,  N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2,2-dimethylpropyl nitroxide,
N-tertiobutyl-l-dibenzylphosphono-2 , 2-diméthyl propyl nitroxyde,  N-tert-butyl-1-dibenzylphosphono-2,2-dimethylpropyl nitroxide,
N-phényl-l-diéthyl phosphono-2 , 2-diméthyl propyl nitroxyde ,  N-phenyl-1-diethylphosphono-2,2-dimethylpropyl nitroxide,
N-phényl-l-diéthyl phosphono-l-méthyl éthyl nitroxyde ,  N-phenyl-1-diethyl phosphono-1-methyl ethyl nitroxide,
- N-(l-phényl 2-méthyl propyl) -1-diéthylphosphono-l- méthyl éthyl nitroxyde,  N- (1-phenyl-2-methylpropyl) -1-diethylphosphono-1-methylethyl nitroxide,
- 4-oxo-2, 2, 6, 6-tétraméthyl-l-piperidinyloxy,  4-oxo-2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy
- 2 , 4 , 6-tri-tert-butylphenoxy . Les alkoxyamines utilisées en polymérisation radicalaire contrôlée doivent permettre un bon contrôle de l'enchaînement des monomères. Ainsi elles ne permettent pas toutes un bon contrôle de certains monomères. Par exemples les alcoxyamines dérivées du TEMPO ne permettent de contrôler qu'un nombre limité de monomères, il en va de même pour les alcoxyamines dérivées du 2, 2, 5-tri-methyl-4- phenyl-3-azahexane-3-nitroxyde (TIPNO) . En revanche d'autres alcoxyamines dérivées des nitroxydes répondant à la formule (1), particulièrement celles dérivées des nitroxydes répondant à la formule (2) et encore plus particulièrement celles dérivées du N-tertiobutyl-1- diéthylphosphono-2 , 2-diméthyl propyl nitroxyde permettent d'élargir à un grand nombre de monomère la polymérisation radicalaire contrôlée de ces monomères. 2,4,6-tri-tert-butylphenoxy. The alkoxyamines used in controlled radical polymerization must allow good control of the sequence of monomers. Thus they do not all allow good control of certain monomers. For example, the alkoxyamines derived from TEMPO only make it possible to control a limited number of monomers, the same goes for the alkoxyamines derived from 2,2,5-tri-methyl-4-phenyl-3-azahexane-3-nitroxide. (TIPNO). On the other hand, other alkoxyamines derived from nitroxides corresponding to formula (1), particularly those derived from nitroxides corresponding to formula (2) and even more particularly those derived from N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2, 2-dimethylpropyl. nitroxide allow to expand to a large number of monomer controlled radical polymerization of these monomers.
En outre la température d' ouverture des alcoxyamines influe également sur le facteur économique. L'utilisation de basses températures sera préférée pour minimiser les difficultés industrielles. On préférera donc les alkoxyamines dérivées des nitroxydes répondant à la formule (1), particulièrement celles dérivées des nitroxydes répondant à la formule (2) et encore plus particulièrement celles dérivées du N-tertiobutyl-l-diéthylphosphono-2 , 2- diméthyl propyl nitroxyde à celles dérivées du TEMPO ou 2 , 2 , 5-tri-methyl-4-phenyl-3-azahexane-3-nitroxyde (TIPNO) .  In addition, the opening temperature of the alkoxyamines also influences the economic factor. The use of low temperatures will be preferred to minimize industrial difficulties. Alkoxyamines derived from nitroxides corresponding to formula (1), particularly those derived from nitroxides corresponding to formula (2) and even more particularly those derived from N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2, 2-dimethylpropyl nitroxide, will thus be preferred. those derived from TEMPO or 2,2,5-tri-methyl-4-phenyl-3-azahexane-3-nitroxide (TIPNO).
Les monomères constitutifs des copolymères statistiques (au nombre de deux au minimum) seront choisis parmi les monomères vinylique, vinylidénique, diénique, oléfinique, allylique ou (méth) acrylique . Ces monomères sont choisis plus particulièrement parmi les monomères vinylaromatiques tels que le styrène ou les styrènes substitués notamment 1' alpha-méthylstyrène, les monomères acryliques tels que l'acide acrylique ou ses sels, les acrylates d'alkyle, de cycloalkyle ou d' aryle tels que l'acrylate de méthyle, d'éthyle, de butyle, d' éthylhexyle ou de phényle, les acrylates d' hydroxyalkyle tels que l'acrylate de 2- hydroxyéthyle, les acrylates d' étheralkyle tels que l'acrylate de 2-méthoxyéthyle, les acrylates d' alcoxy- ou aryloxy-polyalkylèneglycol tels que les acrylates de méthoxypolyéthylèneglycol , les acrylates d' éthoxypolyéthylèneglycol , les acrylates de méthoxypolypropylèneglycol , les acrylates de méthoxy- polyéthylèneglycol-polypropylèneglycol ou leurs mélanges, les acrylates d' aminoalkyle tels que l'acrylate de 2- (diméthylamino) éthyle (ADAME) , les acrylates fluorés, les acrylates silylés, les acrylates phosphorés tels que les acrylates de phosphate d' alkylèneglycol , les acrylates de glycidyle, de dicyclopentenyloxyethyle, les monomères méthacryliques comme l'acide méthacrylique ou ses sels, les méthacrylates d'alkyle, de cycloalkyle, d' alcényle ou d' aryle tels que le méthacrylate de méthyle (MAM) , de lauryle, de cyclohexyle, d'allyle, de phényle ou de naphtyle, les méthacrylates d' hydroxyalkyle tels que le méthacrylate de 2-hydroxyéthyle ou le méthacrylate de 2- hydroxypropyle, les méthacrylates d' étheralkyle tels que le méthacrylate de 2-éthoxyéthyle, les méthacrylates d' alcoxy- ou aryloxy-polyalkylèneglycol tels que les méthacrylates de méthoxypolyéthylèneglycol, les méthacrylates d' éthoxypolyéthylèneglycol , les méthacrylates de méthoxypolypropylèneglycol, les méthacrylates de méthoxy- polyéthylèneglycol-polypropylèneglycol ou leurs mélanges, les méthacrylates d' aminoalkyle tels que le méthacrylate de 2- (diméthylamino) éthyle (MADAME), les méthacrylates fluorés tels que le méthacrylate de 2 , 2 , 2-trifluoroéthyle, les méthacrylates silylés tels que le 3- méthacryloylpropyltriméthylsilane, les méthacrylates phosphorés tels que les méthacrylates de phosphate d' alkylèneglycol , le méthacrylate d'hydroxy- éthylimidazolidone, le méthacrylate d'hydroxy- éthylimidazolidinone, le méthacrylate de 2- (2-oxo-l- imidazolidinyl) éthyle, 1 ' acrylonitrile, l'acrylamide ou les acrylamides substitués, la 4-acryloylmorpholine, le N- méthylolacrylamide, le méthacrylamide ou les méthacrylamides substitués, le N-méthylolméthacrylamide, le chlorure de méthacrylamido-propyltriméthyle ammonium (MAPTAC) , les méthacrylates de glycidyle, de dicyclopentenyloxyethyle, l'acide itaconique, l'acide maléique ou ses sels, l'anhydride maléique, les maléates ou hémimaléates d'alkyle ou d'alcoxy- ou aryloxy- polyalkylèneglycol , la vinylpyridine, la vinylpyrrolidinone, les (alcoxy) poly (alkylène glycol) vinyl éther ou divinyl éther, tels que le méthoxy poly (éthylène glycol) vinyl éther, le poly (éthylène glycol) divinyl éther, les monomères oléfiniques, parmi lesquels on peut citer l'éthylène, le butène, l'hexène et le 1-octène, les monomères dièniques dont le butadiène, l'isoprène ainsi que les monomères oléfiniques fluorés, et les monomères vinylidénique, parmi lesquels on peut citer le fluorure de vinylidène . The constituent monomers of the random copolymers (at least two in number) will be chosen from vinyl, vinylidene, diene, olefinic, allylic or (meth) acrylic monomers. These monomers are chosen more particularly from vinylaromatic monomers such as styrene or substituted styrenes, in particular Alpha-methylstyrene, acrylic monomers such as acrylic acid or its salts, alkyl acrylates, cycloalkyl acrylates or aryl acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, ethylhexyl acrylate or phenyl, hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate, alkyl ether acrylates such as 2-methoxyethyl acrylate, alkoxy- or aryloxy-polyalkylene glycol acrylates such as methoxypolyethylene glycol acrylates, ethoxypolyethylene glycol acrylates, methoxypolypropylene glycol acrylates, methoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol acrylates or mixtures thereof, aminoalkyl acrylates such as 2- (dimethylamino) ethyl acrylate (ADAME), fluorinated acrylates, acrylates silylated, phosphorus acrylates such as alkylene glycol phosphate acrylates, glycidyl, dicyclopentenyloxyethyl acrylates, methacrylic monomers such as meth acrylic or its salts, alkyl, cycloalkyl, alkenyl or aryl methacrylates such as methyl methacrylate (MMA), lauryl, cyclohexyl, allyl, phenyl or naphthyl, methacrylates of hydroxyalkyl such as 2-hydroxyethyl methacrylate or 2-hydroxypropyl methacrylate, ether alkyl methacrylates such as 2-ethoxyethyl methacrylate, alkoxy- or aryloxy-polyalkylene glycol methacrylates such as methoxypolyethylene glycol methacrylates, methacrylates of ethoxypolyethylene glycol, methoxypolypropylene glycol methacrylates, methoxypolyethylene glycol - polypropylene glycol methacrylates or mixtures thereof, aminoalkyl methacrylates such as 2- (dimethylamino) ethyl methacrylate (MADAME), fluorinated methacrylates such as methacrylate of 2, 2, 2-trifluoroethyl, the silylated methacrylates such as 3-methacryloylpropyltrimethylsilane, phosphorus methacrylates such as alkylene glycol phosphate methacrylates, hydroxyethylimidazolidone methacrylate, hydroxyethylimidazolidinone methacrylate, 2- (2-oxo-1-yl) methacrylate; imidazolidinyl) ethyl, acrylonitrile, acrylamide or substituted acrylamides, 4-acryloylmorpholine, N-methylolacrylamide, methacrylamide or substituted methacrylamides, N-methylolmethacrylamide, methacrylamido-propyltrimethyl ammonium chloride (MAPTAC), glycidyl, dicyclopentenyloxyethyl methacrylates, itaconic acid, maleic acid or its salts, maleic anhydride, alkyl or alkoxy- or aryloxypolyalkyleneglycol maleates or hemimaleate, vinylpyridine, vinylpyrrolidinone, alkoxy) poly (alkylene glycol) vinyl ether or divinyl ether, such as methoxy poly (ethylene glycol) vinyl ether, poly (ethylene glycol) divinyl ether, olefinic monomers, among which mention may be made of ethylene, butene, hexene and 1-octene, diene monomers including butadiene, isoprene and fluorinated olefinic monomers, and vinylidene monomers, among which mention may be made of vinylidene fluoride.
De préférence les monomères constitutifs des copolymères statistiques seront choisis parmi les monomères styrèniques ou (meth) acryliques , et plus particulièrement , le styrène et le méthacrylate de méthyle Preferably, the constituent monomers of the random copolymers will be chosen from styrene or (meth) acrylic monomers, and more particularly styrene and methyl methacrylate.
Concernant la masse moléculaire en nombre des copolymères statistiques utilisés dans l'invention, elle peut être comprise entre 500g/mol et 100 OOOg/mol et de préférence entre lOOOg/mol et 20 OOOg/mol, et encore plus particulièrement entre de 2000g/mol et 10000g/mol avec un indice de dispersité de 1.00 à 10 et de préférence de 1.05 à 3 en en plus particulièrement entre 1.05 et 2. As regards the number-average molecular mass of the random copolymers used in the invention, it may be between 500 g / mol and 100 000 g / mol and preferably between 1000 g / mol and 20 000 g / mol, and even more particularly between 2000 g / mol and 10000 g / mol with a dispersity index of 1.00 to 10 and preferably from 1.05 to 3, more particularly between 1.05 and 2.
Les copolymères à blocs utilisés dans l'invention peuvent être de tout type (di-blocs, tri-blocs, multi-blocs, à gradient, en étoile) à condition que leurs monomères constitutifs soient de nature chimique différente de ceux présents dans les copolymères statistiques utilisés dans 1 ' invention . The block copolymers used in the invention may be of any type (diblock, triblock, multiblock, gradient, star) provided that their constituent monomers are of a different chemical nature from those present in the copolymers. statistics used in the invention.
Les copolymères à blocs utilisés dans l'invention peuvent être préparés par toute voie de synthèse telle que la polymérisation anionique, la polycondensation d' oligomères , la polymérisation par ouverture de cycle, ou encore la polymérisation radicalaire contrôlée. The block copolymers used in the invention may be prepared by any synthetic route such as anionic polymerization, polycondensation of oligomers, ring opening polymerization, or controlled radical polymerization.
Les blocs constitutifs seront choisis parmi les blocs suivant : The building blocks will be chosen from the following blocks:
PLA, PDMS, polytriméthyle carbonate (PTMC) , polycaprolactone (PCL) . PLA, PDMS, polytrimethyl carbonate (PTMC), polycaprolactone (PCL).
De préférence les copolymères à blocs utilisés dans l'invention seront choisis parmi les suivants : PLA-PDMS, PLA-PDMS-PLA, PTMC-PDMS-PTMC, PCL-PDMS-PCL, PTMC-PCL, PTMC- PCL-PTMC, PCL-PTMC-PCL. Et plus particulièrement PLA-PDMS- PLA, PTMC-PDMS-PTMC. Preferably, the block copolymers used in the invention will be chosen from the following: PLA-PDMS, PLA-PDMS-PLA, PTMC-PDMS-PTMC, PCL-PDMS-PCL, PTMC-PCL, PTMC-PCL-PTMC, PCL -PTMC PCL. And more particularly PLA-PDMS-PLA, PTMC-PDMS-PTMC.
On pourra également considérer des copolymères à blocs dont un des blocs contient du styrène et au moins un comonomère X, l'autre bloc contenant du méthacrylate de méthyle et au moins un comonomère Y, X étant choisi parmi les entités suivantes : styrène hydrogéné ou partiellement hydrogéné, cyclohexadiène, cyclohexène, cyclohexane, styrène substitué par un ou plusieurs groupements akyle fluoré, ou leur mélanges dans des proportion massique de X allant de 1 à 99 % et de préférence de 10 à 80 % par rapport au bloc contenant du styrène; Y étant choisi parmi les entités suivantes : (méth) acrylate d'alkyle fluoré, particulièrement le méthacrylate de trifluoro éthyle, (méth) acrylate de diméthyle amino éthyle, les (meth) acrylates globulaires tels que les (méth) acrylates d' isoborrnyle, isobornyle halogénés, (méth) acrylate d'alkyle halogénés,It is also possible to consider block copolymers one of whose blocks contains styrene and at least one X comonomer, the other block containing methyl methacrylate and at least one Y comonomer, X being chosen from among the entities hydrogenated or partially hydrogenated styrene, cyclohexadiene, cyclohexene, cyclohexane, styrene substituted with one or more fluorinated alkyl groups, or mixtures thereof in a mass proportion of X ranging from 1 to 99% and preferably from 10 to 80% relative to block containing styrene; Y being selected from the following: fluorinated alkyl (meth) acrylate, particularly trifluoroethyl methacrylate, dimethyl aminoethyl (meth) acrylate, globular (meth) acrylates such as isobornyl (meth) acrylates, halogenated isobornyl, halogenated alkyl (meth) acrylate,
(méth) acrylate de naphtyle, (meth) acrylate de silsesquioxane oligomérique polyhédral pouvant contenir un groupement fluoré, ou leur mélanges, dans des proportions massiques de Y allant de 1 à 99 % et de préférence de 10 à 80 % par rapport au bloc contenant du méthacrylate de méthyle . naphthyl (meth) acrylate, polyhedral oligomeric silsesquioxane (meth) acrylate which may contain a fluorinated group, or mixtures thereof, in mass proportions of Y ranging from 1 to 99% and preferably from 10 to 80% relative to the block containing methyl methacrylate.
Concernant la masse moléculaire en nombre des copolymères à blocs utilisés dans l'invention, mesurée par SEC avec des étalons polystyrène, elle peut être comprise entre 2000g/mol et 80 OOOg/mol et de préférence entre 4000g/mol et 20 000g/mol, et encore plus particulièrement entre 6000g/mol et 15000g/mol avec un indice de dispersité de 1.00 à 2 et de préférence 1.05 et 1.4. As regards the number-average molecular weight of the block copolymers used in the invention, measured by SEC with polystyrene standards, it may be between 2000 g / mol and 80 000 g / mol and preferably between 4000 g / mol and 20 000 g / mol, and even more particularly between 6000 g / mol and 15000 g / mol with a dispersity index of 1.00 to 2 and preferably 1.05 and 1.4.
Les ratios entre les blocs constitutifs seront choisis de la manière suivante : The ratios between the building blocks will be chosen as follows:
Les différentes mesostructures des copolymères à blocs dépendent des fractions volumiques des blocs. Des études théoriques menées par Masten et al. dans « Equilibrium behavior of symmetric ABA triblock copolymers melts. The Journal of chemical physics, 1999 ». 111(15) : 7139-7146., montrent qu'en faisant varier les fractions volumiques des blocs, les mésostructures peuvent être sphérique, cylindrique, lamellaire, gyroide etc.. Par exemple, une mesostructure montrant un empilement de type hexagonal- compact pourra être obtenue avec des fractions volumiques de -70% pour un bloc et -30% pour l'autre bloc. The different mesostructures of the block copolymers depend on the volume fractions of the blocks. Theoretical studies conducted by Masten et al. in "Equilibrium behavior of symmetric ABA triblock copolymers melts. The Journal of Chemical Physics, 1999 ". 111 (15): 7139-7146., show that by varying the volume fractions of the blocks, the mesostructures can be spherical, cylindrical, lamellar, gyroid etc. For example, a mesostructure showing a hexagonal-compact type stack can be obtained with volume fractions of -70% for one block and -30% for the other block.
Ainsi, pour obtenir des lignes, nous utiliserons un copolymère à blocs linéaire ou non de type AB, ABA, ABC présentant une mesostructure lamellaire. Pour obtenir des plots nous pourrons utiliser le même type de copolymères à blocs mais présentant des mesostructures sphériques ou cylindriques et en dégradant le domaine matrice. Pour obtenir des trous nous pourrons utiliser le même type de copolymères à blocs présentant des mesostructures sphériques ou cylindriques et en dégradant les cylindres ou les sphères de la phase minoritaire. Thus, to obtain lines, we will use a linear block copolymer or not of type AB, ABA, ABC having a lamellar mesostructure. To obtain pads we can use the same type of block copolymers but with spherical or cylindrical mesostructures and degrading the matrix domain. To obtain holes we can use the same type of block copolymers with spherical or cylindrical mesostructures and degrading the cylinders or spheres of the minority phase.
De plus, les copolymères à blocs ayant des fortes valeurs de x, paramètre de Flory-Huggins , auront une forte séparation de phase des blocs. En effet, ce paramètre est relatif aux interactions entre les chaînes de chacun des blocs. Une forte valeur de χ signifie que les blocs s'éloignent le plus possible les uns des autres, ce qui aura pour conséquence une bonne résolution des blocs, et donc une faible rugosité de ligne.  In addition, block copolymers having high values of x, Flory-Huggins parameter, will have a strong phase separation of the blocks. Indeed, this parameter is relative to the interactions between the strings of each of the blocks. A high value of χ means that the blocks move as far apart as possible, which will result in a good resolution of the blocks, and therefore a low line roughness.
On privilégiera ainsi des systèmes de copolymères à blocs à paramètre de Flory-Huggins élevé (c'est-à-dire supérieur à 0,1 à 298 K) et plus particulièrement des blocs polymériques contenant des hétéroatomes (atomes autres que C et H), et encore plus particulièrement des atomes de Si.  Flory-Huggins parameter block copolymer systems that are high (that is to say greater than 0.1 to 298 K) and more particularly polymer blocks containing heteroatoms (atoms other than C and H) will thus be favored. , and even more particularly Si atoms.
Les traitements adaptés à la ségrégation de phases inhérente à l'auto-assemblage des copolymères à blocs peuvent être un recuit thermique, typiquement au-dessus des températures de transition vitreuse (Tg) des blocs, pouvant varier de 10 à 150°C au-dessus de la Tg la plus haute, une exposition à des vapeurs de solvant, ou encore une combinaison de ces deux traitements. De façon préférée il s'agit d'un traitement thermique dont la température sera fonction des blocs choisis. Le cas échéant, par exemple lorsque les blocs seront judicieusement choisis, une simple évaporation du solvant suffira, à température ambiante, à promouvoir 1 ' autoassemblage du copolymère à bloc. Treatments adapted to the phase segregation inherent to self-assembly of block copolymers may be thermal annealing, typically above the glass transition temperature (Tg) of the blocks, ranging from 10 to 150 ° C above the highest Tg, exposure to solvent vapors, or combination of these two treatments. Preferably, it is a heat treatment whose temperature will be a function of the chosen blocks. If appropriate, for example when the blocks are judiciously chosen, a simple evaporation of the solvent will suffice, at room temperature, to promote the self-assembly of the block copolymer.
Le procédé de l'invention est applicable sur les substrats suivants : le silicium, le silicium présentant une couche d'oxyde natif ou thermique, le silicium hydrogéné ou halogéné, le germanium, le germanium hydrogéné ou halogéné, le platine et oxydes de platine, le tungstène et oxydes de tungstène, l'or, les nitrures de titane, les graphènes. De préférence la surface est minérale et plus préférentiellement du silicium. De manière encore plus préférentielle, la surface est du silicium présentant une couche d'oxyde natif ou thermique. The process of the invention is applicable to the following substrates: silicon, silicon having a native or thermal oxide layer, hydrogenated or halogenated silicon, germanium, hydrogenated or halogenated germanium, platinum and platinum oxides, tungsten and tungsten oxides, gold, titanium nitrides, graphenes. Preferably the surface is mineral and more preferably silicon. Even more preferably, the surface is silicon having a native or thermal oxide layer.
Le procédé de l'invention utilisé pour contrôler l'orientation d'une méso-structure de copolymère à blocs grâce à un copolymère statistique consiste à déposer de préférence les copolymères statistiques préalablement dissouts ou dispersés dans un solvant adéquat selon des techniques connues de l'homme de métier comme par exemple la technique dite « spin coating », « docteur Blade » « knife System », « slot die System » mais tout autre technique peut être utilisée telle qu'un dépôt à sec, c'est-à-dire sans passer par une dissolution préalable. Le procédé de l'invention visera à former une couche de copolymère statistique typiquement inférieure à 10 nm et de préférence inférieure à 5 nm. The process of the invention used to control the orientation of a block copolymer mesostructure by means of a random copolymer consists in depositing preferably the randomly dissolved or dispersed statistical copolymers in a suitable solvent according to techniques known to the art. skilled in the art such as the so-called "spin coating" technique, "Doctor Blade""knifeSystem","slot die System" but any other technique can be used such as a dry deposit, that is to say without going through a prior dissolution. The method of the invention will aim to form a random copolymer layer typically less than 10 nm and preferably less than 5 nm.
Le copolymère à bloc utilisé dans le procédé de l'invention sera ensuite déposé selon une technique similaire, puis soumis au traitement permettant la ségrégation des phases inhérente à l'auto-assemblage des copolymères à blocs.  The block copolymer used in the process of the invention will then be deposited according to a similar technique, then subjected to the treatment allowing the segregation of the phases inherent to the self-assembly of the block copolymers.
Selon une forme préférée de l'invention, les copolymères à blocs déposés sur les surfaces traitées par le procédé de l'invention sont de préférence des copolymères di-blocs ou des copolymères tri-blocs linéaires ou en étoile. According to a preferred form of the invention, the block copolymers deposited on the surfaces treated by the process of the invention are preferably di-block copolymers or linear or star-shaped triblock copolymers.
Les surfaces traitées par le procédé de l'invention seront utilisées dans les applications de lithographie, de préparation de membranes. The surfaces treated by the process of the invention will be used in lithography, membrane preparation applications.
Exemples : Examples:
Exemple 1 : préparation d'une alcoxyamine fonctionnalisée hydroxy à partir de 1 ' alcoxyamine commerciale BlocBuilder®MA : Example 1 Preparation of a hydroxy functionalized alkoxyamine from one commercial alkoxyamine BlocBuilder ® MA:
Dans un ballon de IL purgé à l'azote, on introduit :  In an IL flask purged with nitrogen, the following are introduced:
- 226,17 g de BlocBuilder®MA (1 équivalent) - 226.17 g of BlocBuilder ® MA (1 equivalent)
68,9 g d' acrylate de 2-hydroxyethyle (1 équivalent) 68.9 g of 2-hydroxyethyl acrylate (1 equivalent)
548 g d' isopropanol 548 g of isopropanol
Le mélange réactionnel est chauffé à reflux (80°C) pendant 4h puis 1 ' isopropanol est évaporé sous vide. On obtient 297 g d' alcoxyamine fonctionnalisée hydroxy sous la forme d'une huile jaune très visqueuse. Exemple 2 : The reaction mixture is refluxed (80 ° C.) for 4 h and then the isopropanol is evaporated in vacuo. 297 g of hydroxy-functionalized alkoxyamine are obtained in the form of a very viscous yellow oil. Example 2
Protocole expérimental de préparation de polymères Polystyrène / Polyméthacrylate de méthyle, à partir de 1 ' alcoxyamine fonctionnalisée hydroxy préparée selon 1 ' exemple 1.  Experimental Protocol for the Preparation of Polystyrene / Polymethylmethacrylate Polymers from the Hydroxy-functional Alkoxyamine Prepared According to Example 1
Dans un réacteur en acier inoxydable équipé d'un agitateur mécanique et d'une double enveloppe, sont introduits le toluène, ainsi que les monomères tels que le styrène (S) , le méthacrylate de méthyle (MMA) , et 1 ' alcoxyamine fonctionnalisée hydroxy. Les ratios massiques entre les différents monomères styrène (S) et méthacrylate de méthyle (MMA), sont décrits dans le tableau 1. La charge massique de toluène est fixée à 30% par rapport au milieu réactionnel. Le mélange réactionnel est agité et dégazé par un bullage d'azote à température ambiante pendant 30 minutes . In a stainless steel reactor equipped with a mechanical stirrer and a jacket are introduced toluene, as well as monomers such as styrene (S), methyl methacrylate (MMA), and hydroxy functionalized alkoxyamine . The mass ratios between the various styrene (S) and methyl methacrylate (MMA) monomers are described in Table 1. The mass load of toluene is set at 30% relative to the reaction medium. The reaction mixture is stirred and degassed by bubbling nitrogen at room temperature for 30 minutes.
La température du milieu réactionnel est alors portée à 115°C. Le temps t=0 est déclenché à température ambiante. La température est maintenue à 115°C tout le long de la polymérisation jusqu'à atteindre une conversion des monomères de l'ordre de 70%. Des prélèvements sont réalisés à intervalles réguliers afin de déterminer la cinétique de polymérisation par gravimétrie (mesure d'extrait sec).  The temperature of the reaction medium is then raised to 115 ° C. The time t = 0 is triggered at room temperature. The temperature is maintained at 115 ° C. throughout the polymerization until reaching a monomer conversion of about 70%. Samples are taken at regular intervals to determine the kinetics of gravimetric polymerization (measurement of dry extract).
Lorsque la conversion de 70% est atteinte, le milieu réactionnel est refroidi à 60 °C et le solvant et monomères résiduels sont évaporés sous vide. Après évaporation, la méthyléthylcétone est additionnée au milieu réactionnel en quantité telle que l'on réalise une solution de polymère de 1' ordre de 25~6 massique . When the 70% conversion is reached, the reaction medium is cooled to 60 ° C and the solvent and residual monomers are evaporated under vacuum. After evaporation, the methyl ethyl ketone is added to the reaction medium in an amount such that a polymer solution of the order of 25 ~ 6 mass is produced.
Cette solution de polymère est alors introduite goutte à goutte dans un bêcher contenant un non-solvant (l'heptane), de manière à faire précipiter le polymère. Le ratio massique entre solvant et non-solvantThis polymer solution is then introduced dropwise into a beaker containing a non-solvent (heptane), so as to precipitate the polymer. The ratio mass between solvent and non-solvent
(méthyléthylcétone/heptane) est de l'ordre de 1/10. Le polymère précipité est récupéré sous la forme d'une poudre blanche après filtration et séchage. (methyl ethyl ketone / heptane) is of the order of 1/10. The precipitated polymer is recovered as a white powder after filtration and drying.
Tableau 1  Table 1
(a) Déterminés par chromatographie d'exclusion stérique. Les polymères sont solubilisés à lg/1 dans du THF stabilisé au BHT . L'étalonnage est effectué grâce à des étalons de polystyrène mono-disperses . La double détection par indice de réfraction et UV à 254nm permet de déterminer le pourcentage de polystyrène dans le polymère. (a) Determined by size exclusion chromatography. The polymers are solubilized at 1 g / l in THF stabilized with BHT. Calibration is performed using mono-dispersed polystyrene standards. Double detection by refractive index and UV at 254 nm makes it possible to determine the percentage of polystyrene in the polymer.
Exemple 3 : Synthèse du copolymère triblocs PLA-PDMS-PLA : Les produits utilisés pour cette synthèse sont un amorceur et homopolymère HO-PDMS-OH commercialisé par Sigma-Aldrich, un acide lactique racémique, afin d'éviter tout problème lié à la cristallisation, un catalyseur organique pour éviter les problèmes de contamination des métaux, le triazabicyclodécène (TBD) et du toluène. EXAMPLE 3 Synthesis of the PLA-PDMS-PLA Triblock Copolymer The products used for this synthesis are an HO-PDMS-OH initiator and homopolymer marketed by Sigma-Aldrich, a racemic lactic acid, in order to avoid any problem related to crystallization. , an organic catalyst to avoid metal contamination problems, triazabicyclodecene (TBD) and toluene.
Les fractions volumiques des blocs ont été déterminés pour obtenir des cylindres de PLA dans une matrice de PDMS, c'est-à-dire environ 70% de PDMS et 30% de PLA.  The volume fractions of the blocks were determined to obtain PLA cylinders in a PDMS matrix, i.e., about 70% PDMS and 30% PLA.
Exemple 4 : Auto-assemblage d'un copolymère tribloc PLA-b- PDMS-b-PLA Le copolymère à blocs décrit dans cette étude a été choisi en fonction des besoins de la lithographie, c'est-à-dire des cylindres dans une matrice, utilisés en tant que masques pour la création de trous cylindriques dans un substrat après gravure et dégradation. La morphologie souhaitée est donc des cylindres de PLA dans une matrice de PDMS . Example 4: Self-assembly of a triblock copolymer PLA-b-PDMS-b-PLA The block copolymer described in this study was chosen according to the needs of the lithography, that is to say the cylinders in a matrix, used as masks for the creation of cylindrical holes in a substrate after etching and degradation. . The desired morphology is therefore PLA cylinders in a PDMS matrix.
1ère étape : Greffage d'une couche de copolymère statistique .  1st step: Grafting a layer of random copolymer.
Une brosse de copolymère statistique préparé selon l'exemple 2 est tout d'abord déposée sur le substrat afin de modifier l'énergie de surface, et donc les interactions préférentielles entre les blocs et les interfaces.  A random copolymer brush prepared according to Example 2 is first deposited on the substrate in order to modify the surface energy, and therefore the preferential interactions between the blocks and the interfaces.
Pour cela, le copolymère statistique est solubilisé dans un solvant adéquat, le PGMEA (Propylène Glycol Monométhyl Éther Acétate) . La concentration de la solution peut varier de 0.5 à 5%, et plus précisément de 1 à 3%. La densité d'accroché des chaînes est limitée par la longueur des chaînes du copolymère statistique, par sa masse moléculaire et par son rayon de giration; ainsi avoir une concentration plus forte que 5% n'est pas nécessaire. Après solubilisation complète du copolymère statistique, la solution est filtrée sur des filtres de 0.2ym. For this purpose, the random copolymer is solubilized in a suitable solvent, PGMEA (Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate). The concentration of the solution can vary from 0.5 to 5%, and more precisely from 1 to 3%. The chain attached density is limited by the length of the chains of the random copolymer, by its molecular weight and by its radius of gyration; thus having a concentration higher than 5% is not necessary. After complete solubilization of the random copolymer, the solution is filtered through 0.2 μm filters.
Le substrat est découpé et nettoyé avec le même solvant, le PGMEA, puis séché à l'air comprimé. Ensuite, le substrat est déposé sur la tournette, et 100yL de solution sont déposés sur le substrat. La tournette est enfin mise en route. Une fois le dépôt terminé, et le solvant évaporé, le film est placé dans une étuve sous vide durant 48h à 170°C afin que le greffage procède. The substrate is cut and cleaned with the same solvent, PGMEA, and then dried with compressed air. Then, the substrate is deposited on the spin, and 100yL of solution are deposited on the substrate. The spin is finally started. After the deposition is complete, and the solvent evaporated, the film is placed in a vacuum oven for 48 hours at 170 ° C. so that the grafting proceeds.
Après les 48h de recuit, et une fois l' étuve revenue à température ambiante, le film est rincé avec du PGMEA afin d'enlever l'excédant de copolymère statistique non greffé au substrat, puis séché à l'air comprimé. After the 48 hours of annealing, and once the oven has returned to room temperature, the film is rinsed with PGMEA so removing the excess of random copolymer not grafted to the substrate, and then dried with compressed air.
2ème étape : Auto-assemblage du copolymère à blocs. 2nd step: Self-assembly of the block copolymer.
Le copolymère à blocs dans l'exemple 3 est solubilisé dans du PGMEA. La concentration de la solution est comprise entre 0.5 et 10%, et plus précisément entre 1 et 4%. L'épaisseur du film dépend de la concentration de la solution, plus la concentration est élevée et plus le film est épais. Donc la concentration est le paramètre à varier selon l'épaisseur de film désirée. Après solubilisation complète du copolymère à blocs, la solution est filtrée sur des filtres de 0.2ym. The block copolymer in Example 3 is solubilized in PGMEA. The concentration of the solution is between 0.5 and 10%, and more precisely between 1 and 4%. The thickness of the film depends on the concentration of the solution, the higher the concentration and the thicker the film. So the concentration is the parameter to vary according to the desired film thickness. After complete solubilization of the block copolymer, the solution is filtered through 0.2 μm filters.
Le substrat greffé est déposé sur la tournette, puis 100yL de solution contenant le copolymère à blocs de l'exemple 3 sont déposés sur le substrat. La tournette est démarrée. Un recuit thermique d'une heure et demi à 180°C est ensuite utilisé afin d'aider à l'auto-organisation de la méso structure . The grafted substrate is deposited on the spin, and then 100 μL of solution containing the block copolymer of Example 3 are deposited on the substrate. The spin is started. A thermal annealing of one and a half hours at 180 ° C is then used to help the self-organization of the meso structure.
On peut voir dans les figures 1 et 2 l'effet du copolymèreFigures 1 and 2 show the effect of the copolymer
1 de l'exemple 2 sur l'auto organisation du copolymère à blocs de l'exemple 3. 1 of Example 2 on the self-organization of the block copolymer of Example 3.
On peut voir dans les figures 3 et 4 l'effet du copolymère Figures 3 and 4 show the effect of the copolymer
2 de l'exemple 2 sur l'auto organisation du copolymère à blocs de l'exemple 3. 2 of Example 2 on the self-organization of the block copolymer of Example 3.

Claims

Revendications  claims
1 Procédé pour contrôler l'orientation d'une mésostructure de copolymère à blocs grâce à un copolymère statistique ou à gradient dont les monomères sont au moins en partie différents de ceux présents respectivement dans chacun des blocs du copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : A method for controlling the orientation of a block copolymer mesostructure by means of a random or gradient copolymer whose monomers are at least partly different from those respectively present in each block of the block copolymer, comprising the following steps:
-Dépôt d'une solution d'un copolymère statistique ou à gradient sur un substrat.  -Deposit of a solution of a random or gradient copolymer on a substrate.
-Recuit entraînant le greffage d'une monocouche des chaînes du copolymère statistique ou à gradient sur le substrat, puis un rinçage facultatif afin d'éliminer les chaînes non greffées .  -Recuit resulting in the grafting of a monolayer of the chains of the random or gradient copolymer on the substrate, then an optional rinsing in order to eliminate ungrafted chains.
-Dépôt d'une solution du copolymère à blocs.  -Deposit of a solution of the block copolymer.
-Ségrégation de phases inhérente à l'auto-assemblage des copolymères à blocs par un traitement adapté.  Phase segregation inherent in the self-assembly of block copolymers by a suitable treatment.
2 Procédé selon la revendication 1 dans lequel un des monomères constitutif du copolymère statistique ou à gradient est miscible une fois polymérisé dans un des blocs du copolymère à blocs. Process according to claim 1 wherein one of the constituent monomers of the random or gradient copolymer is miscible once polymerized in one of the blocks of the block copolymer.
3 Procédé selon la revendication 1 dans lequel le copolymère statistique ou à gradient est préparé par polymérisation radicalaire. The process of claim 1 wherein the random or gradient copolymer is prepared by radical polymerization.
4 Procédé selon la revendication 1 dans lequel le copolymère statistique ou à gradient est préparé par polymérisation radicalaire contrôlée. 5 Procédé selon la revendication 1 dans lequel le copolymère statistique ou à gradient est préparé par polymérisation radicalaire contrôlée par les nitroxides. The process of claim 1 wherein the random or gradient copolymer is prepared by controlled radical polymerization. The process of claim 1 wherein the random or gradient copolymer is prepared by nitroxide-controlled radical polymerization.
6 Procédé selon la revendication 5 dans lequel le nitroxide est le nitroxide de N-tertiobutyl-1- diéthylphosphono-2 , 2-diméthyl propyl . The process according to claim 5 wherein the nitroxide is N-tert-butyl-1-diethylphosphono-2,2-dimethylpropyl nitroxide.
7 Procédé selon la revendication 1 dans laquelle le copolymère à bloc comprends au moins un bloc PLA et au moins un bloc PDMS . The method of claim 1 wherein the block copolymer comprises at least one PLA block and at least one PDMS block.
8 Procédé selon la revendication 1 dans laquelle le copolymère à bloc comprends au moins un bloc PTMC et au moins un bloc PDMS. The method of claim 1 wherein the block copolymer comprises at least one PTMC block and at least one PDMS block.
9 Procédé selon la revendication 6 dans lequel le copolymère statistique ou à gradient comprend du méthacrylate de méthyle et du styrène. The method of claim 6 wherein the random or gradient copolymer comprises methyl methacrylate and styrene.
10 Utilisation du procédé selon l'une des revendications 1 à 9 dans les applications de lithographie. Use of the process according to one of claims 1 to 9 in lithography applications.
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