DE69308242T2 - Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und insbesondere eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix umfassend Mittel zum Anlegen von Gatepulsen an Transistoren, welche mit Bildelementen oder Pixeln verbunden sind, die aus einem Flüssigkristall zusammengesetzt sind.
• Aus der EP-A-0 196 889 ist eine matrixadressierte Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung bekannt, in welcher die über die Flüssigkristallschicht angelegte Spannung als ein reines AC-Signal mit keiner DC-Komponente gesteuert wird.
• Aus der EP-A-0 487 137 ist eine Anzeigevorrichtung bekannt, in welcher die durch eine veränderte Steuerspannung oder variierende Kapazitäten in Treibertransistoren verursachten kapazitiven Veränderungen oder Schwankungen in der Flüssiglrristallmixtur im voraus in Betracht gezogen werden, um die Responserate der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zu steigern.
• Der generelle Aufbau einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach dem Stand der Technik wird unter Bezugnahme auf Fig.5 kurz beschrieben. Fig.5 ist ein typisches äquivalentes Schaltkreisdiagramm zur Darstellung eines Bereichs umfassend ein Pixel. Jedes Pixel ist an einem Schnittpunkt zwischen einer Gateleitung X und einer Signalleitung Y vorgesehen. Das aus einem Flüssigkristall zusammengesetzte Pixel ist bei einem Flüssigkristallkondensator CLC äquivalent angedeutet. Im allgemeinen ist der Flüssigkristallkondensator zu einem Hilfskondensator CS parallelgeschaltet Bei dem Flüssigkristallkondensator CLC ist ein Ende mit einem Treibertransistor Tr und das andere Ende mit einer entgegengesetzten Elektrode verbunden, von der eine spezifizierte Referenzspannung Vcom angelegt wird. Der Transistor Tr umfaßt einen MISFET-Typ- Schichttransistor. Eine Drainelektrode D des Transistors Tr ist mit einer Signalleitung Y verbunden, um Videosignale Vsig zu empfangen. Eine Sourceelektrode 5 ist mit einem Ende des Flüssigkristallkondensators CLC, d.h. der Pixelelektrode, verbunden. Eine Gateelektrode G ist mit der Gateleitung X verbunden und wird mit Gatepulsen beaufschlagt, die eine spezifizierte Gatespannung Vgate aufweisen. Ein Koppelkondensator CGS ist zwischen dem Flüssigkristallkondensator CLC und die Gateelektrode G gebildet. Der Koppelkondensator CGS ist eine Kombination einer floatenden Kapazitätskomponente zwischen der Pixelelektrode und der Gateleitung X und einer parasitären Kapazitätskomponente zwischen dem Sourcebereich und einem Gatebereich innerhalb des Transistors Tr. In dem Koppelkondensator CGS ist die letztgenannte parasitäre Kapazitätskomponente vorherrschend und diese neigt dazu, abhängig von jedem Transistor zu variieren.
• Als nächstes wird das durch die vorliegende Erfindung zu lösende Problem unter Bezugnahme auf die Fig.6 kurz beschrieben. Wenn ein Gatepuls mit einer Gatespannung Vgate an eine Gateelektrode G in einer ausgewählten Zeitperiode angelegt wird, wird der Transistor Tr in den EIN-Zustand gebracht. Zu dieser Zeit werden von der Signalleitung Y gelieferte Videosignale Vsig in das aus einem Flüssigkristall gefertigte Pixel geschrieben, d.h. das sogenannte Sampling oder Abtasten wird durchgeführt. Dann wird während einer nicht-ausgewählten Zeitperiode das Anlegen von Gatepulsen gestoppt und die eingeschriebenen Videosignale werden in dem Flüssigkristallkondensator CLC gehalten. Bei einem Übergang von der ausgewählten Zeitperiode zu der nicht-ausgewählten Zeitperiode wird der rechteckförmige Gatepuls als ein rapider Abfall von einem hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel geformt. Zu dieser Zeit wird die in dem Flüssigkristallkondensator CLC durch die Kopplung mit dem vorstehend beschriebenen Koppelkondensator CGS gespeicherte Ladung augenblicklich entladen und bewirkt somit eine Spannungsverschiebung ΔV in den in das Pixel eingeschriebenen Videosignalen Vsig. Da der Koppelkondensator CGS abhängig von jedem Pixel variiert, variiert auch die Spannungsverschiebung ΔV. Dies hat den Nachteil, daß ein sogenanntes rauhes Erscheinungsbild auf dem Anzeigenschirm erzeugt wird, welches in einer bedeutsamen Verschlechterung der Anzeigequalität resultiert.
• In jedes Pixel, welches aus einem Flüssigkristall zusammengesetzt ist, werden Videosignale in einer ausgewählten Zeitperiode eingeschrieben, und die Videosignale werden in der darauffolgenden nicht-ausgewählten Zeitperiode gehalten, um somit ein Feld zu bilden. Die Durchlässigkeit eines Pixeis in einem Feld ist abhängig von der an dem Flüssigkristall in dem einen Feld angelegten effektiven Spannung. Der Treibertransistor wird benötigt, um den EIN-Strom festzulegen, um das Einschreiben innerhalb der ausgewählten Zeitperiode zu vervollständigen. Ebenso wird der Leckstrom in der nicht- ausgewählten Zeitperiode, d.h. der Zeitperiode des Haltens so weit wie möglich reduziert, um eine ausreichende Spannung zu erhalten, um das Pixel zum Leuchten anzuregen. Die effektive Spannung wird größtenteils in der nicht-ausgewählten Zeitperiode beeinflußt, welche wesentlich länger als die ausgewählte Zeitperiode ist. Demgemäß wird die oben beschriebene, in dem EIN-Zustand nach dem Laden des Flüssigkristallkondensators CLC erzeugte Spannungsverschiebung ΔV größtenteils durch die an den Flüssigkristall angelegte effektive Spannung beeinflußt, wodurch die Anzeigequalität beeinträchtigt wird.
• Zur Unterdrückung des absoluten Betrages und der Variation der Spannungsverschiebung ΔV wurde konventionellerweise eine Methode vorgeschlagen, bei der ein zu dem Flüssigkristallkondensator CLC parallelgeschalteter Hilfskondensator CS entsprechend größer ausgelegt wurde. Mit dieser Methode wurde nämlich beabsichtigt, eine Ladung vorab zu speichern, die ausreichend ist, um die durch den Koppelkondensator CGS in dem Hilfskondensator CS entladene Ladungsmenge zu ersetzen. Da jedoch der Hilfskondensator CS in dem Pixelbereich gebildet ist, ergibt sich der Nachteil, daß dessen Ausmaße nur auf Kosten des Öfthungsverhältnisses des Pixeis vergrößert werden können, wodurch es unmöglich wird, einen ausreichenden Anzeigekontrast zu erzielen. Es ist demgemäß eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die durch den Koppelkondensator zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode verursachte Spannungsverschiebung zu unterdrücken, ohne das Aperturverhältnis des Pixels zu opfern. Diese Aufgabe wird durch Verbesserung des Anlegens der Gatepulse gelöst.
• Gemäß der vorliegenden Erfindung sind Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix nach den Ansprüchen 1 oder 3 angegeben.
• Die vorstehenden Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nun folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen deutlich.
• Es zeigen:
• Fig. 1 eine typische Ansicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung;
• Fig.2 ein Schaltkreisdiagramm zur Darstellung eines Konstruutionsbeispiels zur Durchführung des Steuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
• Fig.3 ein Schaltkreisdiagramm zur Darstellung eines anderen Konstruktionsbeispiels zur Durchführung des Steuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
• Fig.4 eine Zeittafel zur Erläuterung der Arbeitsweise des in Fig.3 dargestellten Schaltkreises;
• Fig.5 ein äquivalentes Schaltkreisdiagramm zur Darstellung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach dem Stand der Technik;
• Fig.6 eine typische Ansicht zur Erläuterung des Problems des Verfahrens zur Ansteuerung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung nach dem Stand der Technik.
• Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Nachfolgend werden die obigen Mittel unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben. Zur Lösung ein- und derselben Aufgabe werden zwei Mittel angegeben. Ein erstes, in der Fig. 1A dargestelltes Mittel ist wie folgt aufgebaut: Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrich tung mit aktiver Matrix ist bereitgestellt, welche Pixel aufweist, die zusammengesetzt aus Flüssigkristallen sind, die in einer Matrix angeordnet sind, und Transistoren zum Ansteuern der Pixel, wobei Gatepulse GP an eine Gateelektrode jedes Transistors während einer ausgewählten Zeitperiode angelegt werden, um Videosignale Vsig in jedes Pixel einzuschreiben, und das Anlegen der Gatepulse GP wird in einer nicht-ausgewählten Zeitperiode gestoppt, um die eingeschriebenen Videosignale Vsig zu halten und somit die Videoanzeige durchzuführen. In der obigen Vorrichtung wird eine Spannungsverschiebung ΔV der eingeschriebenen Videosignale Vsig unterdrückt, indem ein Abfall der Gatepulse GP in einem Ubergang von der ausgewählten Zeitperiode zu der nicht-ausgewählten Zeitperiode geglättet oder sanft verlaufend geformt wird.
• In der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix wird AC-Ansteuerung zum Invertieren der Polarität der Videosignale Vsig für jedes Feld durchgeführt, um die Lebensdauer des Flüssigkristalls zu verlängern. In Fig. 1 werden in einem ersten Feld die Videosignale Vsig mit der positiven Polarität in das Pixel für eine, an die entgegengesetzte Elektrode angelegte spezifizierte Referenzspannung Vcom eingeschrieben. Auf der anderen Seite werden in einem zweiten Feld die Videosignale Vsig mit der negativen Polarität eingeschrieben. Bei einer bestimmten Gateleitung werden in einem ersten Feld die Gatepulse GP mit einer spezifizierten Gatespannung Vgate an die Gateelektrode des Transistors in der ausgewählten Zeitperiode angelegt. Der Abfall der Gatepulse GP wird geglättet oder sanft verlaufend geformt. Demgemäß wird im Vergleich mit der konventionellen Art, bei der ein rapider Abfall der Gatepulse GP geformt wird, die Spannungsverschiebung Δ V kleiner gemacht, wodurch es möglich wird, sie auf einem spezifizierten Pegel in der nicht-ausgewählten Zeitperiode zu halten. In dem zweiten Feld wird in ähnlicher Weise der Abfall der Gatepulse GP geglättet oder sanft verlaufend geformt, so daß es möglich ist, die Spannungsverschiebung Δ V zu unterdrükken. Zusätzlich wird, auch wenn ein rapider Anstieg der Gatepulse GP geformt wird, im Unterschied zu dem Abfall der Gatepulse GP die Videoqualität durch den rapiden Anstieg der Gatepulse GP nicht beeinträchtigt.
• Bei dem in Fig. 1B dargestellten Mittel wird die Spannungsverschiebung ΔV der eingeschriebenen Videosignale Vsig unterdrtlckt, indem der Abfall der Gatepulse geformt wird durch Absenken der Gatepulse nach dem Erniedrigen des Spannungspegels Vgatel der Gatepulse GP auf den Wert Vgate2 unmittelbar und einmal vor dem Ubergang von der ausgewählten Zeitperiode zu der nicht-ausgewählten Zeitperiode. Zusätzlich wird die Zeitgebung zur Erniedrigung des Spannungspegels der Gatepulse GP derart gesetzt, um keinen Effekt auf den Einschreibevorgang in das Pixel in der ausgewählten Zeitperiode auszuüben. Zu dem Zeitpunkt, bei dem das Einschreiben vervollständigt wurde, wird nämlich die Gatespannung Vgate 1 auf den Wert Vgate2 erniedrigt. Das zweite Mittel ist insbesondere effektiv, um das Schreiben und Halten der Videosignale mit der negativen Polarität durchzuführen. Zum Beispiel wird in dem zweiten Feld eine große Potentialdifferenz zwischen der Gatespannung Vgate 1 und den Videosignalen Vsig erzeugt. Durch Absenken der Gatepulse nach dem einmaligen Erniedrigen der Gatespannung Vgatel auf den Wert Vgate2 ist es möglich, die Potentialdifferenz zwischen der Gateleitung und der Sourceelektrode bei dem Übergang von der ausgewählten Zeitperiode zu der nicht-ausgewählten Zeitperiode auf einen niedrigen Wert zu bringen. Dies macht es möglich, die Spannungsverschiebung ΔV effektiv zu unterdrücken.
• Die Funktionsweise der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend beschrieben.
• Wie vorstehend unter Bezugnahme auf Fig.5 beschrieben, wird die Spannungsverschiebung ΔV der Videosignale größer in Proportion zu dem Koppelkondensator CGS zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode. Auf der anderen Seite wird die Spannungsverschiebung ΔV kleiner, so wie der Flüssigkristallkondensator CLC und der Hilfskondensator Cs größer werden. Weiterhin wird sie größer in Proportion zu der Potentialdifferenz VGS zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode. Die Potentialdifferenz VGS entspricht der Potentialdifferenz zwischen der Gatespannung Vgate und den eingeschriebenen Videosignalen Vsig bei dem Übergang von der ausgewählten Zeitperiode zu der nicht-ausgewählten Zeitperiode. Die vorstehend beschriebenen Verhältnisse werden durch die folgende Gleichung ausgedrückt.
• ΔV CGS/(CLC + CGS + CS) x VGS
• Im übrigen ist die Impedanz des Koppelkondensators CGS abhängig von der Frequenz und neigt dazu, höhere Frequenzkomponenten leichter durchzulassen.
• Folglich werden bei dem in Fig 1A dargestellten ersten Mittel die höheren Frequenzkomponenten durch Glätten oder sanftes Verformen des Abfalls der Gatepulse eliminiert, wodurch die durch die Kopplung durch den Koppelkondensator verursachte Spannungsverschiebung unterdrückt wird.
• Wie aus der obigen Gleichung ersichtlich wird, ist es möglich die Spannungsverschiebung ΔV durch Reduzieren der Potentialdifferenz VGS zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode zu unterdrücken. Demgemäß wird in dem in Fig. 1B dargestellten zweiten Mittel die Spannungsverschiebung ΔV unterdrückt durch Verformen des Abfalls der Gatepulse durch Absenken der Gatepulse unmittelbar nachdem die Gatespannung einmal zur Reduzierung von VGS erniedrigt worden ist.
• Fig.2 ist ein Konstruktionsbeispiel eines Schaltkreises zur Durchführung eines ersten Ansteuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden Ertindung. Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix weist eine Anzeigesektion mit Pixeln auf, die aus Flüssigkristallen zusammengesetzt und in einer Matrix angeordnet sind, und Transistoren Tr zur Ansteuerung der Pixel. In dieser Figur sind die Pixel in einer Reihe dargestellt. Ein vertikaler Abrasterschaltkreis 1 ist mit Gateelektroden G entsprechender Transistoren Tr durch Gateleitungen X1, X2, X3, ... verbunden. Gatepulse werden in einer linearen Reihenfolge zur Durchftuung der Selektion der Transistoren Tr angelegt. Ein horizontaler Treiberschaltkreis 2 ist mit Drainelektroden entsprechender Transistoren Tr durch eine Signalleitung Ym verbunden, um Videosignale Vsig in jedes Pixel LP durch den ausgewählten Transistor Tr einzuschreiben.
• Der vertikale Abrasterschaltkreis 1 wird von einem Schieberegister 3 gebildet. Das Schieberegister 3 weist eine Struirtur auf, in welcher D-Typ-Flip-Flops 4 miteinander in Vielfachstufen verbunden sind. Jedes der D-Typ-Flip-Flops 4 wird von einem Paar von Invertern 5 und 6 gebildet, welche einen gemeinsamen Ausgangsanschluß haben. Jeder Inverter ist mit einer Seite einer Leistungsversorgung VVDD durch einen p-Typ-Treibertransistor 7 verbunden und ist mit der Seite des Masseanschlusses durch einen n- Typ-Treibertransistor 8 verbunden. Die gepaarten Treibertransistoren 7 und 8 gelangen als Reaktion auf Schiebetaktpulse Vck1 und Vck2 und deren Inversionspulse zum Ansteuern der Inverter in den EIN-Zustand. Die derart angesteuerten Inverter 5 und 6 werden als Taktinverter bezeichnet. Ein Eingangsanschluß eines dritten Inverters 9 ist mit dem Ausgangsanschluß verbunden, mit dem die gepaarten Inverter 5 und 6 gemeinsam verbunden sind. Der Ausgangspuls des D-Typ-Flip-Flop in jeder Stufe wird zu dem Ausgangsanschluß des dritten Inverters 9 übertragen. Der Ausgangspuls wird als die Eingangsgröße des Flip-Flop in der nächsten Stufe verwendet. Durch Eingeben eines Startsignals VST zu dem D-Typ-Flip-Flop der ersten Stufe gibt das Schieberegister 3 einen Ausgangspuls aus, in welchem die Phase sequentiell um eine halbe Periode für jede Stufe verschoben ist. Dieser Ausgangspuls in der vorliegenden Stufe und der Ausgangspuls in der vorhergehenden Stufe werden einer logischen Operation durch ein UND-Gatterelement 10 unterzogen und dann durch den Inverter 11 invertiert, um so einen Gatepuls GP zu erhalten.
• In dieser Ausführungsform besitzt der Ausgangsinverter 11 eine asymmetrische Struktur. In dem Ausgangsinverter 11 ist nämlich ein n-Typ-Transistor 12 kleiner ausgelegt als ein p-Typ-Transistor 13 in dem Verhältnis W/L zwischen der Kanalbreite W und der Kanallänge L. Mit anderen Worten ist die Stromkapazität des n-Typ-Transistors 12 kleiner als die des p-Typ-Transistors 13. In einem Anstieg der Gatepulse GP von einem unteren Pegel zu einem oberen Pegel gelangt der p-Typ-Transistor 13 in den EIN-Zustand, so daß der Anstieg der Gatepulse GP als rapider Anstieg geformt wird. Auf der anderen Seite gelangt der n-Typ-Transistor 12 in dem Abfall der Gatepulse GP in den EIN-Zustand; da jedoch dessen Stromkapazität kleiner ist, wird der Abfall der Gatepulse geglättet oder sanft verlaufend geformt. Demgemäß umfaßt der vertikale Abrasterschaltkreis 1 Mittel zum Unterdrücken der Spannungsverschiebung der in das Pixel LP eingeschriebenen Videosignale Vsig durch Glätten oder sanftes Verformen des Abfalls der Gatepulse GP.
• Fig.3 ist eine Schaltkreiskonstruktion zur Durchführung eines zweiten Ansteuerungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, welche der oben beschriebenen Schaltkreiskonstruktion wie dargestellt in Fig.2 ähnlich ist. Die den in Fig.2 entsprechenden Teile sind mit denselben Bezugsziffern bezeichnet. Der Unterschied liegt darin, daß ein p-Typ-Treibertransistor 7 von jedem D-Typ-Flip-Flop 4 nicht direkt mit einer Leistungsversorgung VVDD verbunden ist, sondern mit einem zentralen Punkt zwischen einem Paar von potential- oder spannungsteilenden Widerständen R1 und R2 verbunden ist, die in Reihe zueinander geschaltet sind. In den potentialteilenden Widerständen R1 und R2 ist ein Ende mit der Leistungsversorgung VVDD und das andere Ende mit der anderen Seite des Masseanschlusses durch einen Schalttransistor 14 verbunden. Eine Gateelektrode des Schalttransistors 14 wird periodisch mit einer Steuerspannung VCKX beaufschlagt. Wenn der Schalttransistor 14 sich in dem AUS-Zustand befindet, wird die Versorgungsspannung so wie sie ist einem Schieberegister 3 zugeftrhrt, und der Spannungspegel von jedem Gatepuls GP ist der Versorgungsspannung gleich. Auf der anderen Seite, wenn der Schalttransistor 14 sich in dem EIN-Zustand befindet, wird die im Verhältnis R1/R2 geteilte Spannung dem Schieberegister 3 zugeführt, und somit wird der Spannungspegel der Gatepulse GP reduziert.
• Gemäß dieser Ausführungsform wird in der gesamten Konstruktion eines vertikalen Abrasterschaltkreises 1 ein Abschnitt einer Gatesteuerung umfassend ein Schieberegister 3, UND-Gatterschaltkreise und Inverter 11 innerhalb eines Substrats der Flüssigkristall Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix geformt. Auf der anderen Seite sind der Leistungsversorgungsschaltkreis für das Zuführen der Versorgungsspannung zu dem Schieberegister 3 und ein Taktgeber für das Zuführen von Taktpulsen Vck1 und Vck2 und dergleichen außerhalb des Substrats der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix angeordhet. Zusätzlich sind der Schalttransistor 14 zum Schalten der Versorgungsspannung und die potentialteilenden Widerstände R1 und R2 innerhalb des Substrats gebildet. Die vorliegende Effindung ist jedoch nicht auf die obige Konstruktion beschrännt. Die Versorgungsspannung von dem mit der Außenseite verbundenen Leistungsversorgungsschaltkreis kann periodisch geschaltet werden.
• Als nächstes wird die Arbeitsweise des in Fig.4 dargestellten Schaltkreises unter Bezugnahme auf Fig.4 im einzelnen beschrieben. Eine an eine Gateelektrode eines Schalttransistors 14 angelegte Steuerspannung VCKX wird in ihrem Pegel verändert, so daß sie als Reaktion auf ein horizontal synchronisiertes Signal gepulst ist. In dieser Ausführungsform wird die horizontale Periode auf 63.5 µs gesetzt, welches äquivalent ist zu der ausgewählten Zeitperiode für eine Gateleitung. Die Steuerspannung VCKX wird während dem Endabschnitt jeder horizontalen Periode, d.h. von 6 µs bis 8 µs, in einen hohen Pegel geändert. Diese Zeitperiode wird gesetzt, um keinen Einfluß auf den Einschreibevorgang der Videosignale in der ausgewählten Zeitperiode auszuüben. Die Steuerspannung VCKX wird nämlich zu dem Zeitpunkt auf einen hohen Pegel gesetzt, wenn die Videosignale in eine Punktsequenz auf dem ausgewählten Pixel der Gateleitung eingeschrieben werden. Wenn die Steuerspannung VCKX den hohen Pegel annimmt, ist der Schalttransistor 14 in dem EIN-Zustand, so daß der Pegel der dem Schieberegister 3 zugeführten Versorgungsspannung reduziert wird, zum Beispiel von der bei 13.5 V gesetzten VVDD zu etwa 8.5 V. Das Ausmaß der Reduktion wird durch geeignete Einstellung des Verhältnisses der gepaarten potentialteilenden Widerstände R1 und R2 bestimmt.
• Gemäß einer Variation in der Versorgungsspannung wird zum Beispiel der n.te Gatepuls GP (n) in seinem Pegel stufenweise von 13.5V auf 8.5V innerhalb einer horizontalen Periode geändert. Der Gatepuls GP (n+1) entsprechend der (n+1). Gateleitung wird innerhalb der nächsten horizontalen Periode erzeugt und in seinem Pegel stufenweise geändert. Während dieser Zeitperiode wird die Polarität der Videosignale Vsig alternierend invertiert für das Potential Vcom der entgegengesetzten Elektrode für jede horizontale Periode. Die sogenannte [H-Inversionsansteuerung wird durchgeführt. Durch eine solche Aktion kann der vertikale Abrasterschaltkreis die Spannungsverschiebung der in jedes Pixel eingeschriebenen Videosignale Vsig unterdrücken, indem der Abfall der Gatepulse GP durch Absenken der Gatepulse nach dem einmaligen Erniedrigen des Spannungspegels der Gatepulse GP unmittelbar vor dem Stoppen des Anlegens der Gatepulse GP geformt wird.
• Wie oben beschrieben, ist es möglich, die Spannungsverschiebung der Videosignale durch sanftes oder stufenweises Verformen der Gatepulse zu unterdrücken. Das Formen der Gatepulse kann durch Anordnen der Konstruktion des vertikalen Abrasterschaltkreises erreicht werden. In diesem Fall kann die Modifikation zu dem innerhalb des Substrats der Flussigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix geformten Schaltkreisabschnitt hinzugefügt werden oder der Abschnitt des externen Schaltkreises kann eingestellt oder angepaßt werden. In dem Fall, daß die Formung der Gatepulse in dem Abschnitt des externen Schaltkreises durchgeführt wird, ist die sanfte Formung des Abfalls der Gatepulse stärker vereinfacht im Sinne des Schaltkreises und bevorzugt in der Steuerbarkeit verglichen mit der stufenweisen Formung.
• Die vorliegende Erfindung hat die folgenden Wirkungen: es ist möglich, die Spannungsverschiebung der Videosignale durch Formen der Gatepulse zu unterdrücken und somit das rauhe Erscheinungsbild auf dem Anzeigeschirm zu reduzieren, resultierend in der Verbesserung der Anzeigequalitat. In dem Fall, daß das Formen der Gatepulse in dem externen Schaltkreis durchgeführt wird, ist es möglich, die Notwendigkeit zu eliminieren, schadhaftes aus dem rauhen Erscheinungsbild als dem Ergebnis der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix auszuselektieren, und somit die Produktionsausbeute signifikant zu verbessern. Weiterhin ist es möglich, da die Spannungsverschiebung durch das Formen der Gatepulse unterdrückt wird, die Notwendigkeit zu eliminieren, den Hilfskondensator größer auszulegen, wodurch es möglich wird, den Anzeigekontrast zu verbessern, ohne das Aperturverhältnis jedes Pixels zu opfern.

Claims (6)

1. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix enthaltend:

eine Mehrzahl von in einer Matrix angeordneten Anzeigeelementen, von denen jedes Anzeigeelement ein Bildelement aufweist, welches gegenüberliegende Elektroden mit einem dazwischen befindlichen elektrooptischen Material und einen Transistor mit einer Gateelektrode zur Ansteuerung des Bildelements aufweist;

Mittel zum Liefern von Gatepulsen in aufeinanderfolgender Weise an die Gateelektrode während einer ausgewählten Zeitperiode, um an jedes Bildelement Videosignale anzulegen;

Mittel zum Beenden des Anlegens der Gatepulse während einer nicht-ausgewählten Zeitperiode, um die angelegten Videosignale zu halten; und

Mittel zum Unterdrücken einer Spannungsverschiebung der angelegten Videosignale, dadurch gekennzeichnet, daß

die Unterdrückungsmittel Mittel zur Glättung oder sanft verlaufenden Formung des Abfalls der Gatepulse aufweisen.

2. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, bei welcher der Gatepuls an seiner abfallenden Kante eine Rundung aufweist.

3. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix enthaltend:

eine Mehrzahl von in einer Matrix angeordneten Anzeigeelementen, von denen jedes Anzeigeelement ein Bildelement aufweist, welches gegenüberliegende Elektroden mit einem dazwischen befindlichen elektrooptischen Material und einen Transistor mit einer Gateelektrode zur Ansteuerung des Bildelements aufweist;

Mittel zum Liefern von Gatepulsen in aufeinanderfolgender Weise an die Gateelektrode während einer ausgewählten Zeitperiode, um an jedes Bildelement Videosignale anzulegen;

Mittel zum Beenden des Anlegens der Gatepulse während einer nicht-ausgewählten Zeitperiode, um die angelegten Videosignale zu halten, und

Mittel zum Unterdrücken einer Spannungsverschiebung der angelegten Videosignale, dadurch gekennzeichnet, daß

die Unterdrückungsmittel Mittel zur Formung des Abfalls der Gatepulse in eine stufenweise Form aufweisen.

4. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 3, bei der die stufenweise Form geformt wird durch Absenken der Gatepulse, nachdem der Spannungspegel der Pulse erniedrigt worden ist, kurz bevor ein Transistor von der ausgewählten Periode in die nicht-ausgewählte Periode übergeht.

5. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 3, bei der das elektrooptische Material einen Flüssigkristall aufweist.

6. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 3, bei der das Bildelement einen Hilfskondensator aufweist, der zu der Kondensatorkapazität des elektrooptischen Materials parallel geschaltet ist.