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Ausgangspunkt
der Erfindung
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Gebiet der Erfindung:
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Werkstückträger zum
Halten eines Werkstücks gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 und auf eine Poliervorrichtung gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 11.
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Ein
Beispiel eines solchen Trägers
und einer solchen Vorrichtung ist in der
JP 6 196 456 A gezeigt.
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Beschreibung verwandter
Technik:
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Der
jüngere
rasche Fortschritt bei der Halbleiterbauelementeintegration erfordert
kleinere und kleinere Verdrahtungsmuster oder Zwischenverbindungen
und auch kleinere Freiräume
zwischen Zwischenverbindungen, welche aktive Bereiche miteinander
verbinden. Eines der Verfahren, das zur Ausbildung solcher Zwischenverbindungen
verfügbar
ist ist die Photolithographie. Obwohl das Photolithographievertahren
Zwischenverbindungen ausbilden kann, die höchstens 0,5 μm breit sind,
erfordert es, dass die Oberflächen,
auf denen Musterbilder durch einen Stepper fokussiert werden so
flach wie möglich sind,
da die Tiefenschärfe
des optischen Systems relativ klein ist.
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Es
ist daher notwendig die Oberflächen
der Halbleiterwafer für
die Photolithographie flach zu machen. Ein üblicher Weg zum Abflachen bzw.
Flachmachen der Oberflächen
von Halbleiterwafern ist das Polieren derselben mit einer Poliervorrichtung.
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Üblicherweise
besitzt eine Poliervorrichtung einen Drehtisch mit einem darauf
befestigten Poliertuch bzw. Polierelement und einen Topring zum
Anlegen eines konstanten Drucks auf den Drehtisch. Ein zu polierender
Halbleiterwafer wird auf das Poliertuch platziert und zwischen den
Topring und den Drehtisch geklemmt und die Oberfläche des
Halbleiterwafers auf dem die Schaltungen ausgebildet werden sollen
wird chemisch und mechanisch poliert, während eine Polierflüssigkeit
auf das Poliertuch geliefert wird. Dieser Prozess wird als chemisch-mechanisches Polieren
(CMP) bezeichnet.
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Die
Poliervorrichtung muss eine solche Leistung besitzen, dass die Oberflächen der
Halbleiterwafer eine sehr akkurate Flachheit besitzen. Daher wird
angenommen, dass die Halteoberfläche,
d.h. die untere Endoberfläche
des Toprings, welche einen Halbleiterwafer hält, und die Oberseite des Poliertuchs,
die in Kontakt mit dem Halbleiterwafer gehalten wird, und somit
die Oberfläche
des Drehtischs an dem das Poliertuch befestigt ist vorzugsweise
eine sehr genaue Flachheit besitzen und dass die Halteoberfläche und
die Oberfläche
des Drehtischs, die eine sehr akkurate Flachheit besitzen verwendet werden.
Es wird auch angenommen, dass die Unterseite des Toprings und die
Oberseite des Drehtischs vorzugsweise parallel zueinander sind und
dass solche parallelen Oberflächen
verwendet wurden.
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Die
zu polierenden Halbleiterwafer mit ihren darauf ausgebildeten Schaltungen
bzw. Schaltkreisen besitzen keine gleichförmige Dicke über ihre
gesamte Oberfläche
hinweg. Es wurde ein Versuch unternommen ein elastisches Pad bzw.
Flächenelement
aus Polyurethan oder ähnlichem
an der Halteoberfläche
des Toprings zu befestigen zum Halten eines Halbleiterwafers, um
dadurch eine Andrückkraft, die
von dem Topring an dem zu polierenden Halbleiterwafer angelegt wird über die
gesamte Oberfläche des
Halbleiterwafers hinweg gleichförmig
zu machen. Wenn die an den Halbleiterwafer angelegte Druckkraft
durch das elastische Pad vergleichmäßigt wird, wird verhindert,
dass der Halbleiterwafer in einem lokalisierten Bereich poliert
wird, um dadurch die Flachheit der polierten Oberfläche des
Halbleiterwafers zu verbessern.
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Das
Verfahren zum Vergleichmäßigen der Druckkraft,
die an den Halbleiterwafer angelegt wird durch die Elastizität des elastischen
Pads erfüllt
jedoch nicht die schärferen
Anforderungen für
eine erhöhte
Flachheit polierter Halbleiterwafer.
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Es
wurden auch Versuche unternommen eine Membran aus einem elastischen
Material wie beispielsweise Gummi als die Halteoberfläche des Toprings
zum Halten eines Halbleiterwafers zu verwenden und einen Fluiddruck
wie beispielsweise Luftdruck an die Rückseite der Membran anzulegen, um
die Andruckkraft, die an den Halbleiterwafer über dessen gesamte Oberfläche angelegt
wird zu vergleichmäßigen. Der
Topring mit der verwendeten Membran als seine Halteoberfläche umfasst
einen Führungsring
oder Haltering, der an der Außenumfangskante
der Membran angeordnet ist zum Halten eines Halbleiterwafers. Der
Außenumfangsteil
der Membran entspricht dem Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers und die Außenumfangskante
der Membran muss an dem Topring oder dem Führungsring fixiert werden.
Daher wird, selbst wenn ein Fluiddruck, wie beispielsweise ein Luftdruck
an die Rückseite
der Membran angelegt wird der Außenumfangsteil der Membran
weniger stark elastisch verformt als der andere Bereich der Membran
und neigt daher dazu ein Wendepunkt zu werden zu bilden. Daher ist
der Polierdruck, der an den Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers angelegt wird kleiner als der Polierdruck,
der an den anderen Bereich des Halbleiterwafers wie beispielsweise
dessen Mittelbereich angelegt wird, wodurch sich ein Problem dahingehend
ergibt, dass der Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers zu einem kleineren Maße poliert wird als der andere
Bereich des Halbleiterwafers.
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Daher
können
die obigen herkömmlichen Vorschläge der Verwendung
des elastischen Pads bzw. Kissens und der Membran als die Halteoberfläche keine
gleichförmige
Druckkraft an die gesamte Oberfläche
des zu polierenden Halbleiterwafers anlegen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung einen Werkstückträger vorzusehen,
der in der Lage ist eine gleichförmige
Andruckkraft an die gesamte Oberfläche eines Werkstücks, wie
beispielsweise eines Halbleiterwafers anzulegen, um dadurch die
Oberfläche
des Werkstücks
gleichmäßig zu polieren
und es ist auch Ziel der Erfindung eine Poliervorrichtung vorzusehen,
welche einen solchen Werkstückträger beinhaltet.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Werkstückträger zum Halten eines zu polierenden
Werkstücks
und zum Drücken
des Werkstücks
gegen eine Polieroberfläche
auf einem Poliertisch mit den Merkmalen des Anspruchs 1 vorgesehen.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auch eine Poliervorrichtung zum
Polieren eines Werkstücks
mit den Merkmalen des Anspruchs 11 vorgesehen.
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Bei
der obigen Anordnung legt das Fluid in der Fluidkammer eine Druckkraft
an die Andruckglieder an und die Druckglieder drücken das Werkstück gegen
die Polieroberfläche
an dem Poliertisch durch die elastische Membran. Da die Andruckglieder
einen Druck mit einer kontinuierlichen und gleichförmigen Druckverteilung
anlegen wird der Polierdruck gleichförmig an die gesamte Oberfläche des
Werkstücks angelegt,
um dadurch die gesamte Oberfläche
des Werkstücks
gleichförmig
zu polieren.
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Die
obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden sich aus der folgenden Beschreibung in Verbindung
mit den Zeichnungen ergeben, welche bevorzugte Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung anhand von Beispielen darstellen.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnung
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In
den Zeichnungen zeigt:
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1 eine
vertikale Querschnittsansicht eines Werkstückträgers gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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2 eine
Draufsicht auf ein Führungsglied des
Werkstückträgers gemäß 1;
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3 eine
vertikale Querschnittsansicht eines Werkstückträgers gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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4 einen
vertikale Querschnittsansicht eines Werkstückträgers gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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5 eine
schematische vertikale Querschnittsansicht eines Werkstückträgers gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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6 eine
Ansicht von unten auf den Werkstückträger gemäß 5;
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7A und 7B teilweise
geschnittene vordere Aufrissansichten einer Poliervorrichtung, welche
den Werkstückträger gemäß den 1 und 2 beinhalten;
und
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8A, 8B und 8C teilweise
geschnittene vordere Aufrissansichten einer weiteren Poliervorrichtung,
welche den Werkstückträger gemäß den 1 und 2 beinhalten.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
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Ein
Werkstückträger und
eine Poliervorrichtung mit einem solchen Werkstückträger gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden
Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 beschrieben. Ähnliche oder entsprechende
Teile werden mit ähnlichen
oder entsprechenden Bezugszeichen über die Ansichten hinweg bezeichnet.
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1 zeigt
einen Werkstückträger gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und 2 zeigt
ein Führungsglied,
das in 1 gezeigt ist. Der Werkstückträger wird verwendet zum Halten
eines Substrats, wie beispielsweise eines Halbleiterwafers, der
ein zu polierendes Werkstück
ist, und zum Drücken
des Substrats gegen eine Polieroberfläche auf einem Poliertisch.
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Wie
in den 1 und 2 gezeigt ist, bildet ein oberer
Ring bzw. Topring 1 einen Werkstückträger gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Der Topring 1 weist einen hohlen
Topringkörper 2 mit
einem unteren offenen Ende, ein Ringglied 3, das an einer
unteren Umfangskante des unteren offenen Endes des Topringkörpers 2 befestigt
ist und einen elastische Membran 4 auf, die zwischen die
untere Umfangskante des Topringkörpers 2 und
das Ringglied 3 geklemmt ist. Der Topring 1 weist
ferner eine Anzahl von Druckstiften 5A mit kleinem Durchmesser
auf, die an der elastischen Membran 4 befestigt sind, vier
Druckstifte 5B mit großem
Durchmesser, die an der elastischen Membran 4 befestigt
sind zum Anziehen eines Halbleiterwafers W, einen ringförmigen Haltering 6,
der an der elastischen Membran 4 befestigt ist, und ein scheibenförmiges Führungsglied 7,
das an dem unteren Ende des ringförmigen Gliedes 3 befestigt
ist zum Führen
der Druckstifte 5A, 5B und des Halterings 6 für eine Vertikalbewegung.
Die Druckstifte 5A und der Haltering 6 könnten auch
nicht an der elastischen Membran 4 fixiert sind, sondern
könnten
frei bewegbar sein bezüglich
der elastischen Membran 4.
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Der
Topringkörper 2 und
die elastische Membran 4 definieren gemeinsam eine hermetisch
abgedichtete Fluidkammer 8 darin. Die elastische Membran 4 ist
aus einem elastischen Material in der Form eines Gummiflächenelementes
wie beispielsweise Polyurethangummi oder Silikongummi hergestellt. Die
Fluidkammer 8 wird mit einem Druckfluid wie beispielsweise
Druckluft über
einen Fluiddurchlass 10 versorgt, der ein Rohr bzw. Schlauch 10a und
Verbinder 10b aufweist. Der Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8 geliefert
wird, kann durch einen Regler bzw. Regulator oder ähnliches
variiert werden. Jeder der Druckstifte 5B besitzt ein Verbindungsloch 5a darin
definiert, dass an seinem unteren Ende offen ist. Das Verbindungsloch 5a ist
mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden über einen
Vakuumdurchlass 11, der ein Rohr 11a und einen
Verbinder 11b aufweist.
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Wie
in 2 dargestellt ist, besitzt das Führungsglied 7 eine
Anzahl erster Führungslöcher 7a mit
einem geringen Durchmesser darin definiert und welche die jeweiligen
Druckstifte 5A zur Führung
darin für
eine Vertikalbewegung aufnehmen und vier zweite Führungslöcher 7b mit
einem großen
Durchmesser darin definiert und welche jeweilige Druckstifte 5B aufnehmen
zur Führung
derselben für
eine Vertikalbewegung. Die ersten Führungslöcher 7a sind gleichmäßig über das
Führungsglied 7 hinweg
angeordnet, sodass die Druckstifte 5A gleichmäßig in Kontakt
mit der gesamten Oberfläche
des Halbleiterwafers gehalten werden. Ferner besitzt das Führungsglied 7 eine
Vielzahl von Halterringlöchern 7c, die
in einem kreisförmigen
Muster eines vorbestimmten Durchmessers zur Führung des Halterings 6 zur Vertikalbewegung
angeordnet sind. Der Haltering 6 besitzt ein kontinuierliches
ringförmiges
unteres Ende und eine Vielzahl von zylindrischen Stangen erstreckt
sich nach oben von dem kontinuierlichen ringförmigen unteren Ende und diese
sind vertikal bewegbar in den jeweiligen Halterringlöchern 7c des Führungsgliedes 7 eingepasst.
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Der
Topringkörper 2 weist
eine scheibenförmige
obere Platte 2A und eine kreisförmige Umfangswand 2B auf,
die sich von einer Außenumfangskante
der oberen Platte 2A nach unten erstreckt. Eine Topringantriebswelle 12,
die vertikal oberhalb der oberen Platte 2A angeordnet ist,
ist betriebsmäßig mit
dem Topringkörper 2 über ein
Universalgelenk bzw. eine Gelenkkupplung 14 gekoppelt.
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Das
Universalgelenk 14 kann eine Drehbewegung von der Topringantriebswelle 12 zu
dem Topringkörper 2 ermöglichen,
während
sie erlaubt, dass sich die Topringantriebswelle 12 und
der Topringkörper 2 relativ
zueinander verkippen. Das Universalgelenk 14 weist einen
kugelförmigen
Lagermechanismus 15 auf, um zu erlauben, dass sich die
Topringantriebswelle 12 und der Topringkörper 2 relativ
zueinander verkippen, und einen Drehbewegungsübertragungsmechanismus 20 zum Übertragen
einer Drehbewegung von der Topringantriebswelle 12 zu dem Topringkörper 2.
Der sphärische
Lagermechanismus 15 weist eine halbkugelförmige Ausnehmung 16a auf,
die mittig innerhalb einer Unterseite eines Antriebsflansches 16 definiert
ist, der an dem unteren Ende der Topringantriebswelle 12 befestigt,
eine halbkugelförmige
Ausnehmung 2a, die mittig in einer Oberseite der oberen
Platte 2A definiert ist, und eine Lagerkugel 17 aus
einem sehr harten Material, wie beispielsweise Keramik, die in den
halbkugelförmigen
Ausnehmungen 16a, 2a aufgenommen ist.
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Der
Drehbewegungsübertragungsmechanismus 20 weist
Antriebsstifte (nicht gezeigt) auf, die an dem Antriebsflansch 16 fixiert
sind und angetriebene Stifte 21, die an der oberen Platte 2A fixiert
sind. Der Antriebsstift und der angetriebenen Stift 21 kommen miteinander
in Eingriff während
sie relativ zueinander in Vertikalrichtung bewegbar sind. Daher
werden der Antriebsstift und der angetriebenen Stift 21 in
Eingriff miteinander gehalten über
einen Punktkontakt, der verschiebbar ist, da sich der Antriebsstift
und der angetriebene Stift 21 bezüglich einander in der Vertikalrichtung
bewegen. Daher sind der Antriebsstift und der angetriebene Stift 21 in
der Lage verlässlich
das Drehmoment von der Topringantriebswelle 12 auf den
Topringkörper 2 zu übertragen.
Eine Vielzahl von Bolzen bzw. Schrauben 23 ist in die obere
Platte 2A des Topringkörpers 2 entlang
eines kreisförmigen Musters
mit einem vorbestimmten Durchmesser geschraubt. Kompressionsschraubenfedern 24 sind
um die jeweiligen Bolzen bzw. Schrauben 26 zwischen Köpfen 23a der
Schrauben 23 und dem Antriebsflansch 16 angeordnet.
Die Kompressionsschraubenfedern 24 dienen dazu den Topring 1 in
einer im wesentlichen horizontalen Ebene zu tragen, wenn die Topringantriebswelle 12 angehoben
wird.
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Der
Betrieb des Toprings 1 mit der obigen Struktur wird nachfolgend
beschrieben. Der Topring 1 wird als Ganzes in einer Position
platziert, an die der Halbleiterwafer W geliefert wird. Die Verbindungslöcher 5a in
den Druckstiften 5B sind mit der Vakuumquelle über den
Vakuumdurchlass 11 verbunden, um den Halbleiterwafer W
an die Unterseite der Druckstifte 5B unter Vakuum anzuziehen.
Dann wird der Topring 1 bewegt zu einer Position über einen
Drehtisch (nicht gezeigt) mit einer Polieroberfläche, die ein Poliertuch darauf
angebracht aufweist, und dann wird der Topring abgesenkt, um den
Halbleiterwafer W gegen die Polieroberfläche zu drücken. Zu diesem Zeitpunkt wird
eine Polierflüssigkeit
auf die Polieroberfläche
geliefert und der Topring 1 und der Drehtisch werden um
ihre jeweiligen Achsen gedreht und die Polieroberfläche auf
dem Drehtisch wird in Gleitkontakt mit dem Halbleiterwafer W gebracht,
um dadurch den Halbleiterwafer W zu polieren. Der Halbleiterwafer
W wird an seiner Außenumfangskante
in Position gehalten durch den Haltering 6 zum Schutz gegen unbeabsichtigtes
Lösen von
dem Topring 1.
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Der
Halbleiterwafer W kann auf zwei Arten gegen die Polieroberfläche gedrückt werden.
Gemäß einem
ersten Verfahren wird das Druckfluid mit einem vorgegebenen Druck
an die Fluidkammer 8 geliefert und ein Luftzylinder (nicht
gezeigt) der mit der Topringantriebswelle 12 verbunden
ist wird betätigt,
um den gesamten Topring 1 gegen die Polieroberfläche auf dem
Drehtisch zu drücken,
und zwar mit einem vorbestimmten Druck. Bei diesem Verfahren wird
der Polierdruck, der an den Halbleiterwafer W angelegt wird eingestellt
auf einen gewünschten
Wert durch Regulieren des Luftdrucks, der an die Luftzylinder angelegt
wird ohne Veränderung
des Drucks des Fluids, das an die Fluidkammer 8 geliefert
wird.
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Gemäß einem
zweiten Verfahren wird der Luftzylinder, der mit der Topringantriebswelle 12 verbunden
ist betätigt
zum Versetzen des Toprings 1 zu dem Drehtisch, um den Halbleiterwafer
W nahe an die Polieroberfläche
zu bringen und dann wird das Druckfluid an die Fluidkammer 8 geliefert,
um den Halbleiterwafer W gegen die Polieroberfläche zu drücken. Bei diesem Verfahren
wird der an den Halbleiterwafer W angelegte Polierdruck eingestellt
auf einen gewünschten
Wert durch Regulieren des Drucks des Druckfluids, das an die Fluidkammer 8 geliefert wird
ohne Verändern
des Luftdrucks, der an die Luftzylinder geliefert wird.
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Gemäß entweder
dem ersten oder dem zweiten Verfahren wird der Polierdruck, der
an den Halbleiterwafer W angelegt wird durch die Druckstifte 5A, 5B ausgeübt, die
an der elastischen Membran 4 befestigt und in Kontakt mit
der Oberseite des Halbleiterwafers W gehalten werden. Die Druckstifte 5A, 5B dienen
als Druckglieder zum Anlegen einer Druckkraft (Druck pro Flächeneinheit,
z.B. Pa) an den Halbleiterwafer W. Da die Druckkraft von dem Druckfluid
in der Fluidkammer 8 als eine gleichförmig verteilte Last auf den
Halbleiterwafer W durch die Druckstifte 5A, 5B angelegt
wird, ist der Polierdruck gleichmäßig über die gesamte Oberfläche des
Halbleiterwafers W angelegt, und zwar ausgehend von dem Mittelbereich zu
der Außenumfangskante
davon und zwar unabhängig
von einer Dickenvariation des Halbleiterwafers. Derselbe Druck wie
der Polierdruck, der an den Halbleiterwafer W angelegt wird, wird
durch die elastische Membran 4 auf den Haltering 6 übertragen.
Daher wird der Bereich der Polieroberfläche, die ein Poliertuch aufweist,
der um den Halbleiterwafer W herum angeordnet ist mit demselben
Druck wie dem Polierdruck, der an dem Halbleiterwafer W angelegt
wird gedrückt.
Infolgedessen gibt es eine kontinuierliche und gleichförmige Druckverteilung
von dem mittleren Teil zu der Außenumfangskante des Halbleiterwafers
W und auch bis zur Außenumfangskante
des Halterings 6 der radial außerhalb des Halbleiterwafers
W positioniert ist. Demgemäß wird verhindert,
dass der Außenumfangsteil des
Halbleiterwafers W übermäßig oder
unzureichend poliert wird.
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3 zeigt
einen Werkstückträger gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Gemäß diesem
zweiten Ausführungsbeispiel
besitzt der hohle Topringkörper 2 seinen
Innenraum in einen mittleren kreisförmigen Raum und einen äußeren Umfangsringraum
aufgeteilt, der radial außerhalb
des mittleren Kreisraums liegt, und zwar durch eine ringförmige Trennwand 2C.
Eine kreisförmige
elastische Membran 4A und eine ringförmige elastische Membran 4B die
radial außerhalb
der kreisförmigen
elastischen Membran 4A liegt sind an dem unteren Ende des
Topringkörpers 2 befestigt. Die
kreisförmige
elastische Membran 4A besitzt eine Außenumfangskante, die an der
Trennwand 2C befestigt ist durch eine Halteplatte 31,
die eine ringförmige
dünne Platte
aufweist und die elastische Membran 4B besitzt eine Innenumfangskante,
die an der Trennwand 2C durch die Halteplatte 31 befestigt
ist. Die elastischen Membranen 4A, 4B können als
eine einzelne einheitliche elastische Membran aufgebaut sein. In
einem solchen Fall kann auch die Halteplatte 31 verwendet
werden zum Partitionieren einer inneren Kammer und einer äußeren Kammer.
Die elastische Membran 4B besitzt eine Außenumfangskante, die
an der ringförmigen
Umfangswand 2B des Topringkörpers 2 befestigt
ist durch das Ringglied 3.
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Der
Topringkörper 2 und
die kreisförmige elastische
Membran 4A definieren gemeinsam eine hermetisch abgedichtete
kreisförmige
Fluidkammer 8A darin und der Topringkörper 2 und die ringförmige elastische
Membran 4B definieren gemeinsam eine hermetisch abgedichtete
ringförmige
Fluidkammer 8B darin. Die Fluidkammer 8A wird
mit einem Druckfluid beliefert, wie beispielsweise Druckluft über einen
Fluiddurchlass 40, der ein Rohr 40a und einen Verbinder 40b aufweist.
Die Fluidkammer 8B wird mit einem Druckfluid beliefert,
wie beispielsweise Druckluft über
einen Fluiddurchlass 45, der ein Rohr 45a und
einen Verbinder 45b aufweist. Der Druck des Druckfluids,
das an die Fluidkammer 8A geliefert wird und der Druck
des Druckfluids, das an die Fluidkammer 8B geliefert wird
kann unabhängig
voneinander durch jeweilige Regler bzw. Regulatoren oder Ähnliches
variiert werden. Jeder der Druckstifte 5B besitzt ein Verbindungsloch 5a darin
definiert, das an seinem unteren Ende offen ist. Das Verbindungsloch 5a ist
mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) über einen Vakuumdurchlass 11 verbunden,
der ein Rohr 11a und einen Verbinder 11b aufweist.
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Eine
Anzahl von Druckstiften 5A und die vier Druckstifte 5B sind
an der elastischen Membran 4A befestigt. Der Haltering 6 ist
an der elastischen Membran 4B befestigt. Strukturelle Einzelheiten
des Halterings 6 und des Führungsgliedes 7 sowie
andere strukturelle Einzelheiten sind mit denen des Werkstückträgers gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
das in den 1 und 2 gezeigt
ist, identisch. Die Druckstifte 5A und der Haltering 6 könnten nicht
an den elastischen Membranen 4A und 4B befestigt
sein sondern könnten
frei bewegbar sein bezüglich
der elastischen Membranen 4A und 4B.
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Der
Betrieb des Toprings 1 des Werkstückträgers gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel wird
nachfolgend beschrieben.
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Der
Topring 1 zieht den Halbleiterwafer unter Vakuum in derselben
Art und Weise an, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel. Der Polierdruck,
der an den Halbleiterwafer W angelegt wird und die Druckkraft, die
an den Haltering 6 angelegt wird können unabhängig voneinander kontrolliert
werden. Insbesondere kann der Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8B geliefert
wird eingestellt werden in Abhängigkeit
von dem Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8A geliefert
wird zur Einstellung des Polierdrucks, der an den Halbleiterwafer
W geliefert wird und der Druckkraft, die an den Haltering 6 geliefert wird,
und zwar auf ein optimale Beziehung zueinander. Infolgedessen wird
eine kontinuierliche und gleichförmige
Druckverteilung vom Mittelbereich zur Außenumfangskante des Halbleiterwafers
W und ferner zu der Außenumfangskante
des Halterings 6 entwickelt, die radial außerhalb
des Halbleiterwafers W positioniert ist. Demgemäß wird verhindert, dass der Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W übermäßig oder
ungenügend
poliert wird. Wenn der Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W zu einem größeren oder kleineren Maße als der
radial innere Bereich des Halbleiterwafers W poliert werden muss,
dann wird die Druckkraft, die an dem Haltering 6 angelegt wird
erhöht
oder verringert basierend auf dem Polierdruck, der an den Halbleiterwafer
W angelegt wird. Demgemäß kann die
Materialmenge, die von dem Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W entfernt wird gewollt erhöht oder verringert werden.
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4 zeigt
einen Werkstückträger gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel besitzt
der hohle Topringkörper 2 seinen
Innenraum in einem mittigen Kreisraum, einen Zwischenringraum, der
radial außerhalb
des mittleren Kreisraums liegt, und einen äußeren Umfangsringraum unterteilt,
der radial außerhalb
des Zwischen-Ring-Raums
liegt, und zwar durch eine erste ringförmige Trennwand 2C1 und
eine zweite ringförmige
Trennwand 2C2. Eine kreisförmige elastische Membran 4A1,
eine ringförmige
elastische Membran 4A2, die radial außerhalb der kreisförmigen elastischen
Membran 4A1 liegt und eine kreisförmige elastische Membran 4B,
die radial außerhalb
der kreisförmigen
elastischen Membran 4A2 liegt, sind an dem unteren Ende
des Topringkörpers 2 befestigt.
Die elastische Membran 4A1 besitzt eine Außenumfangskante,
die an der ersten ringförmigen
Trennwand 2C1 befestigt ist über eine Halteplatte 31A,
die eine ringförmige
dünne Platte
aufweist und die elastische Membran 4A2 besitzt eine Innenumfangskante,
die an der Trennwand 2C1 durch die Halteplatte 31A befestigt
ist. Die elastische Membran 4A2 besitzt eine Außenumfangskante,
die an der zweiten ringförmigen
Trennwand 2C2 befestigt ist durch eine Halteplatte 31B,
die eine ringförmige
dünne Platte
aufweist, und die elastische Membran 4B besitzt eine Innenumfangskante,
die an der zweiten ringförmigen Trennwand 2C2 befestigt
ist durch die Halteplatte 31B. Die elastischen Membranen 4A1, 4A2 und 4B können als
eine einzelne einheitliche elastische Membran aufgebaut sein. Die
elastische Membran 4B besitzt eine Außenumfangskante, die an der
ringförmigen
Umfangswand 2B des Topringskörpers 2 befestigt
ist durch das Ringglied 3.
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Der
Topringkörper 2 und
die kreisförmige elastische
Membran 4A1 definieren gemeinsam eine hermetisch abgedichtete
kreisförmige
Fluidkammer 8A1 darin und der Topringkörper 2 und die ringförmige elastische
Membran 4A2 definieren gemeinsam eine hermetisch abgedichtete
ringförmige
zweite Fluidkammer 8A2 darin. Der Topringkörper 2 und
die elastische Membran 4B definieren gemeinsam eine hermetisch
abgedichtete ringförmige
Fluidkammer 8B darin. Die erste Fluidkammer 8A1 wird
mit einem Druckfluid, wie beispielsweise Druckluft über einen Fluiddurchlass 40 beliefert,
der ein Rohr 40a und einen Verbinder 40b aufweist.
Die zweite Fluidkammer 8A2 wird mit einem Druckfluid, wie
beispielsweise Druckluft, über
einen Fluiddurchlass 50 beliefert, der ein Rohr 50a und
einen Verbinder 50b aufweist. Die Fluidkammer 8B wird
mit einem Druckfluid wie beispielsweise Druckluft über einen
Fluiddurchlass 45 beliefert, der ein Rohr 45a und
einen Verbinder 45b aufweist. Der Druck des Fluids, der
an die erste Fluidkammer 8A1 geliefert wird, der Druck
des Fluids, das an die zweite Fluidkammer 8A2 geliefert
wird und der Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8B geliefert
wird können
unabhängig
voneinander durch jeweilige Regler, Regulatoren oder Ähnliches
variiert werden. Jeder der Druckstifte 5B besitzt ein Verbindungsloch 5a darin
definiert, das an seinem unteren Ende offen ist. Das Verbindungsloch 5a ist
mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden über einen Vakuumdurchlass 11,
der ein Rohr 11a und einen Verbinder 11b aufweist.
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Einige
der Druckstifte 5A sind an der kreisförmigen elastischen Membran 4A1 befestigt
und die verbleibenden Druckstifte 5A und die vier Druckstifte 5B sind
an der ringförmigen
elastischen Membran 4A2 befestigt. Der Haltering 6 ist
an der elastischen Membran 4B befestigt. Strukturelle Einzelheiten
des Halterings 6 und des Führungsgliedes 7 und
andere strukturelle Einzelheiten sind identisch zu denen des Werkstückträgers gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel,
das in den 1 und 2 gezeigt
ist. Die Druckstifte 5A und der Haltering 6 könnten nicht
an den elastischen Membranen 4A1, 4A2 und 4B befestigt
sein, sondern könnten
frei bewegbar sein bezüglich
der elastischen Membranen 4A1, 4A2 und 4B.
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Der
Betrieb des Toprings 1 des Werkstückträgers gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel
wird nachfolgend beschrieben.
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Der
Topring 1 zieht den Halbleiterwafer W unter Vakuum in der
selben Art und Weise an wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel. Der Polierdruck, der
an einen mittleren Kreisbereich des Halbleiterwafers W angelegt
wird, der Polierdruck, der an einem radial äußeren Ringbereich des Halbleiterwafers
W angelegt wird und die Druckkraft, die an den Haltering 6 angelegt
wird, können
unabhängig
voneinander kontrolliert bzw. gesteuert werden. Insbesondere werden
der Druck des Fluids, das an die erste Fluidkammer 8A1 geliefert
wird und der Druck des Fluids, das an die zweite Fluidkammer 8A2 geliefert
wird auf jeweilige gewünschte
Werte eingestellt, um die Polierdrücke zu verändern, die an dem mittleren
Kreisbereich bzw. dem radial äußeren Ringbereich
des Halbleiterwafers W wirken. Wenn daher der radial äußere Ringbereich
des Halbleiterwafers W dazu neigt stärker poliert zu werden als
der mittlere Kreisbereich des Halbleiterwafers W, dann wird der
Polierdruck an dem radial äußeren Ringbereich
des Halbleiterwafers W höher
eingestellt als der Polierdruck an dem mittleren Kreisbereich des
Halbleiterwafers W zum Kompensieren für ein unzureichendes Polieren
an dem radial äußeren Ringbereich
des Halbleiterwafers W, um dadurch die gesamte Oberfläche des Halbleiterwafers
W gleichförmig
zu polieren.
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Der
Druck des an die Fluidkammer 8B gelieferten Fluids wird
eingestellt in Abhängigkeit
von dem Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8A1 geliefert
wird und/oder den Druck des Fluids, das an die Fluidkammer 8A2 geliefert
wird zum Einstellen des Polierdrucks, der an den Halbleiterwafer
W geliefert wird und der Druckkraft, die an den Haltering 6 geliefert
wird auf eine optimale Beziehung zueinander. Infolgedessen wird
eine kontinuierliche und gleichförmige
Druckverteilung vom Mittelbereich zur Außenumfangskante des Halbleiterwafers
W und ferner zur Außenumfangskante
des Halterings 6, der radial außerhalb des Halbleiterwafers
W positioniert ist entwickelt. Demgemäß wird verhindert, dass der
Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W übermäßig oder ungenügend poliert
wird. Wenn der Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W zu einem stärkeren oder geringeren Maß poliert
werden muss als der radial innere Bereich des Halbleiterwafers W
dann wird die Druckkraft, die an den Haltering 6 angelegt
wird erhöht
oder verringert basierend auf dem Polierdruck, der an den Halbleiterwafer
W angelegt wird. Demgemäß kann die
Materialmenge, die von dem Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W entfernt wird gewollt erhöht oder verringert werden.
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Die 5 und 6 zeigen
einen Werkstückträger gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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Wie
in 5 dargestellt ist, bildet ein Topring 1 den
Werkstückträger gemäß dem vierten
Ausführungsbeispiel.
Der Topring 1 weist einen hohlen Topringkörper 2 mit
einem unteren offenen Ende, eine Fluiddrucktasche 60, die
in dem hohlen Topringkörper 2 aufgenommen
ist und mit Druckfluid, wie beispielsweise Druckluft beliefert wird,
und eine Vielzahl von Druckstiften 61 auf, die in Kontakt
mit der Fluiddrucktasche 60 gehalten werden. Der Topring 1 weist ferner
einen Haltering 62 auf, der in Kontakt mit der Fluiddrucktasche 60 gehalten
wird, ein scheibenförmiges
Führungsglied 63 zum
Führen
der Druckstifte 61 zur Vertikalbewegung, und ein ringförmiges Führungsglied 64 zum
Führen
des Halterings 62 zur Vertikalbewegung.
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Die
Fluiddrucktasche 60 weist eine taschenförmige elastische Membran auf
und definiert eine hermetisch abgedichtete Fluidkammer 65 darin.
Die Fluidkammer 65 wird mit einem Druckfluid, wie beispielsweise
Druckluft über
einen Fluiddurchlass (nicht gezeigt) beliefert, der ein Rohr und
einen Verbinder aufweist. Die Druckstifte 61 umfassen jeweilige
Taschenkontaktenden 61a, die eine vorbestimmte Fläche besitzen,
die in Kontakt mit der Fluiddrucktasche 60 gehalten werden
und jeweilige Waferkontaktenden 61b mit einer vorbestimmten
Fläche,
die in Kontakt mit dem Halbleiterwafer W gehalten werden. Der Haltering 62 weist
einen ersten Haltering 62A auf, der in einem radial inneren
Ringbereich angeordnet ist und einen zweiten Haltering 62B der
in einem radial äußeren Ringbereich
angeordnet ist. Das Verhältnis
der vorbestimmten Fläche
des Taschenkontaktendes 61a zu der vorbestimmten Fläche des
Waferkontaktendes 61b kann von Stift zu Stift verändert werden
zum positionsmäßigen Steuern
des Polierdrucks, der an den Halbleiterwafer W angelegt wird.
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6 zeigt
untere Enden der Waferkontaktenden 61b der Druckstifte 61 und
des Halterings 62. Wie in 6 gezeigt
ist, besitzt jedes der Waferkontaktenden 61b eine im Wesentlichen
rechteckige Form. Die Druckstifte 61 sind so angeordnet,
dass die Waferkontaktenden 61b im Wesentlichen die gesamte
Oberfläche
des Halbleiterwafers W abdecken. Die ersten und zweiten Halteringe 62A, 62B besitzen jeweilige
ringförmige
untere Enden 62a, 62b, die jeweils eine vorbestimmte
Fläche
besitzen und eine Oberfläche
vorsehen zum Kontaktieren der Polieroberfläche, wie beispielsweise eines
Poliertuchs auf dem Drehtisch. Eine Topringantriebswelle (in 5 nicht
gezeigt) die ähnlich
ist zu der Topringantriebswelle 12 gemäß 1 ist mit
dem Topringkörper 2 verbunden.
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Der
Werkstückträger gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel
arbeitet wie folgt: Der Topring 1 mit der Polieroberfläche, die
ein Poliertuch oder Ähnliches
aufweist, wird positioniert und dann abgesenkt zum Drücken des
Halbleiterwafers W gegen die Polieroberfläche. Zu diesem Zeitpunkt wird
Polierflüssigkeit
auf die Polieroberfläche
geliefert und der Topring 1 und der Drehtisch werden um
ihre jeweiligen Achsen gedreht und die Polieroberfläche auf
dem Drehtisch wird in Gleitkontakt mit dem Halbleiterwafer W gebracht
um dadurch den Halbleiterwafer W zu polieren. Die Außenumfangskante
des Halbleiterwafers W wird in Position gehalten durch den Haltering 62 zum
Schutz gegen ungewolltes Lösen
von dem Topring 1.
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Der
Halbleiterwafer W kann auf zwei Arten gegen die Polieroberfläche gedrückt werden.
Gemäß einem
ersten Verfahren wird Druckfluid mit einem vorgegebenen Druck an
die Fluidkammer 65 in der Fluiddrucktasche 60 geliefert
und ein Luftzylinder (nicht gezeigt) der mit der Topringantriebswelle
(nicht gezeigt) verbunden ist wird betätigt um den gesamten Topring 1 gegen
die Polieroberfläche
auf dem Drehtisch zu drücken,
und zwar mit einem vorbestimmten Druck. Bei diesem Verfahren wird
der Polierdruck, der an den Halbleiterwafer W angelegt wird auf
einen gewünschten
Wert eingestellt durch Regulieren des Luftdrucks, der an den Luftzylinder
geliefert wird ohne Verändern
des Drucks des Druckfluids, das an die Fluidkammer 65 geliefert
wird.
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Gemäß einem
zweiten Verfahren wird der Luftzylinder, der mit der Topringantriebswelle
verbunden ist betätigt,
um den Topring 1 zu dem Drehtisch zu versetzen, um den
Halbleiterwafer W nahe zur Polieroberfläche zu bringen und dann wird
Druckfluid an die Fluidkammer 65 geliefert, um den Halbleiterwafer W
gegen die Polieroberfläche
zu drücken.
Bei diesem Verfahren wird der Polierdruck, der an den Halbleiterwafer
W angelegt wird eingestellt auf einen gewünschten Wert durch Regulieren
bzw. Regeln des Drucks des Druckfluids, das an die Fluidkammer 65 geliefert
wird ohne Verändern
des Luftdrucks, der an den Luftzylinder geliefert wird.
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Gemäß entweder
dem ersten oder dem zweiten Prozess wird der Polierdruck, der an
den Halbleiterwafer W angelegt wird durch die Druckstifte 61 ausgeübt, die
in Kontakt mit der Fluiddrucktasche 60 und der Oberseite
des Halbleiterwafers W gehalten werden. Da die Druckstifte 61,
die durch das Fluid in der Fluiddrucktasche 65 gedrückt werden
eine gleichförmig
verteilte Last an den Halbleiterwafer W anlegen, wird der Polierdruck
gleichförmig
auf die gesamte Oberfläche
des Halbleiterwafers W von dem Mittelbereich zu der Außenumfangskante
davon angelegt, und zwar unabhängig
von Dickenvariationen des Halbleiterwafers. Daher kann die gesamte
Oberfläche
des Halbleiterwafers W gleichförmig
poliert werden. Die gleiche Druckkraft wie die Polierkraft, die an
den Halbleiterwafer W angelegt wird, wird durch die Fluiddrucktasche 60 auf
den Haltering 62 übertragen.
Daher kann der Teil der Polieroberfläche, der um den Halbleiterwafer
W herum angeordnet ist mit demselben Druck wie dem Polierdruck,
der an dem Halbleiterwafer W angelegt wird, angedrückt werden.
Infolgedessen wird eine kontinuierliche und gleichförmige Druckverteilung
von dem Mittelbereich zu der Außenumfangskante
des Halbleiterwafers W und auch zu der Außenumfangskante des Halterings 62 entwickelt,
die radial außerhalb
des Halbleiterwafers W positioniert ist. Demgemäß kann verhindert werden, dass
der Außenumfangsteil
des Halbleiterwafers W übermäßig oder
ungenügend
poliert wird.
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Die
Fluiddrucktasche kann eine Vielzahl von radial unterteilten Taschen
einschließlich
einer kreisförmigen
Tasche und wenigstens einer ringförmigen Tasche, die radial außerhalb
der kreisförmigen
Tasche liegt, aufweisen. Der Werkstückträger mit unterteilten Drucktaschen
kann dieselben Vorteile bieten wie die des Werkstückträgers gemäß dem zweiten und
dritten Ausführungsbeispiel,
die in 3 und 4 dargestellt sind.
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Die 7A und 7B zeigen
in teilweise geschnittener Frontaufrissansicht eine Poliervorrichtung,
welche den Werkstückträger gemäß den 1 und 2 beinhaltet.
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Wie
in den 7A und 7B gezeigt
ist, weist die Poliervorrichtung einen Drehtisch 101 mit einem
Poliertuch 102 auf dessen Oberfläche angebracht auf, und einen
Topring 1 zum Drücken
eines Halbleiterwafers W gegen das Poliertuch 102. Der Topring 1 besitzt
eine Fluiddruckkammer 8 darin definiert. Der Topring 1 ist
mit dem unteren Ende einer Topringantriebswelle 12 gekoppelt,
die betriebsmäßig mit einem
Topringluftzylinder 104 verbunden ist, der fest an einem
Topringkopf 103 angebracht ist und ist auch betriebsmäßig mit
einem Motor 105 verbunden zum Drehen der Topringantriebswelle 12 um
ihre eigene Achse.
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Wie
in 7A gezeigt ist, zieht der Topring 1,
während
die Fluiddruckkammer 8 mit einem Druckfluid mit einem vorgegebenen
Druck geliefert wird, einen Halbleiterwafer W mit einem negativen
Druck bzw. Unterdruck an, d.h. einem Druck der unter dem des atmosphärischen
Druckes liegt, wobei der Unterdruck über die Druckstifte 5B wirkt
und so wird der Halbleiterwafer W zu einer Position oberhalb des Drehtischs 101 bewegt.
Dann wird wie in 7B gezeigt ist, der Topringluftzylinder 104,
der mit der Topringantriebswelle 12 gekoppelt ist betätigt, um
den Topring 1 als Ganzes gegen das Poliertuch 102 auf dem
Drehtisch 101 zu drücken,
und zwar mit einer vorbestimmten Druckkraft. Der Polierdruck, der
an den Halbleiterwafer W angelegt wird, wird auf einen gewünschten
Wert eingestellt durch Regulierung bzw. Regeln des Drucks, der an
den Luftzylinder 104 angelegt wird ohne Verändern des
Drucks des Fluids, das an die Fluidkammer 8 angelegt wird.
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Die 8A, 8B und 8C zeigen
in teilweise geschnittener Frontaufrissansicht eine weitere Poliervorrichtung,
welche den Werkstückträger gemäß den 1 und 2 beinhaltet.
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Die
Poliervorrichtung gemäß den 8A, 8B und 8C ist
im Wesentlichen identisch zu der Poliervorrichtung gemäß den 7A und 7B,
aber unterscheidet sich davon dahingehend, dass ein Anschlag 106 an
der Oberseite des Topringkopfes 103 angebracht ist.
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Wie
in 8A gezeigt ist, zieht der Topring 1 einen
Halbleiterwafer W mit einem Unterdruck an, d.h. einem Druck, der
niedriger ist als der Umgebungsdruck bzw. atmosphärische Druck,
wobei der Unterdruck durch die Druckstifte 5B wirkt und
der Topring überträgt den Halbleiterwafer
W zu einer Position oberhalb des Drehtischs 101, dann wird
wie in 8B gezeigt ist, der Topringluftzylinder 104 der
mit der Topringantriebswelle 12 gekoppelt ist betätigt zum
Absenken des Toprings 1, bis die nach unten gerichtete
Bewegung des Toprings 1 durch den Anschlag 106 begrenzt
wird, woraufhin der Topring 1 gestoppt wird gerade bevor
der Halbleiterwafer W das Poliertuch 102 kontaktiert. Die
Last oder der Druck, die bzw. der durch den Topringluftzylinder 104 erzeugt
wird ist gleich oder größer als
die Last oder der Druck, die bzw. der an den Halbleiterwafer W und den
Haltering 6 angelegt wird, wenn der Halbleiterwafer W poliert
wird.
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Als
nächstes
wird die Fluiddruckkammer 8 mit Druckfluid beliefert mit
einem vorgegebenen Druck, um dadurch die elastische Membran 4 nach unten
auszudehnen zum Absenken der Druckstifte 5A, 5B und
des Halterings 6 und zum Drücken des Halbleiterwafers W
gegen das Poliertuch 102. Der Halbleiterwafer W beginnt
nun unter dem vorgegebenen Polierdruck poliert zu werden, während der
Drehtisch 101 und der Topring 1 um ihre eigenen
Achsen gedreht werden. Der Polierdruck, der an den Halbleiterwafer
W angelegt wird, wird auf einen gewünschten Wert eingestellt, durch
Regulieren bzw. Regeln des Drucks des Fluids, das an die Fluidkammer 8 geliefert
wird.
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Die
Polieroberfläche
auf dem Drehtisch kann ausgebildet werden durch das Poliertuch (Polierkissen
bzw. -pad) oder ein befestigtes Polier- bzw. Schleifmittel. Beispiele
eines im Handel erhältlichen Poliertuchs
sind SUBA 800, IC-1000, IC-1000/SUBA 400 (doppellagiges Tuch) hergestellt
durch Rodel Products Corporation und Surfin xxx-5, und Surfin 000
hergestellt durch Fujimi Inc. Das Poliertuch das unter dem Markennamen
SUBA 800, Surfin xxx-5, und Surfin 000 verkauft wird ist aus nichtgewebtem Stoff
hergestellt, der aus Fasern aufgebaut ist, die durch Urethanharz
miteinander verbunden sind und das Poliertuch, das unter dem Markennamen IC-1000
verkauft wird ist aus einer harten Polyurethanform (einschichtig)
hergestellt, die porös
ist und kleine Ausnehmungen oder Mikroporen in ihrer Oberfläche besitzt.
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Das
befestigte Polier- oder Schleifmittel ist in eine Plattenform geformt
durch Fixieren bzw. Befestigen von abrasiven bzw. abreibenden Partikeln
in einem Bindemittel. Der Poliervorgang wird durch abrasive Partikel
durchgeführt,
die selbst auf der Oberfläche
des befestigten Polier- oder Schleifmittels erzeugt werden. Das
befestigte Polier- oder Schleifmittel ist aus abrasiven Partikeln,
Bindemittel und Mikroporen aufgebaut. Z.B. sind die abrasiven Partikel,
die in dem befestigten Polier- oder Schleifmittel verwendet werden
Ceroxid (CeO2) mit einer durchschnittlichen
Partikelgröße von nicht
größer als
0,5 μm und Epoxidharz
wird als Bindemittel verwendet. Das befestigte Polier- oder Schleifmittel
bildet eine harte Polieroberfläche.
Das befestigte Polier- oder
Schleifmittel umfasst nicht nur ein befestigtes Polier- oder Schleifmittel
des Plattentyps sondern auch ein doppellagiges Pad oder Kissen mit
befestigtem Polier- oder Schleifmittel, das ein befestigtes Polier-
oder Schleifmittel und ein Polierpad bzw. -kissen aufweist mit einer
Elastizität,
an dem das befestigte Polier- oder Schleifmittel anhaftet. Eine
weitere harte Polieroberfläche
kann durch das oben genannte IC-1000 vorgesehen werden.
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Der
in der vorliegenden Erfindung verwendete Poliertisch ist nicht auf
den Drehtisch eines Typs beschränkt,
der sich um dessen Mittelachse dreht und umfasst auch einen Tisch
des Roll- bzw. Scrolltyps, bei dem jeder Punkt auf dem Tisch eine
kreisförmige
Translationsbewegung durchführt.
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Das
Fluid in der Fluidkammer legt eine Druckkraft an die Druckglieder
an und die Druckglieder drücken
das Werkstück
gegen die Polieroberfläche an
den Poliertisch. Da die Druckglieder einen Druck in einer kontinuierlichen
und gleichförmigen Druckverteilung
anlegen wird der Polierdruck gleichförmig an die gesamte Oberfläche des
Werkstücks angelegt,
um dadurch die gesamte Oberfläche
des Werkstücks
gleichförmig
zu polieren.
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Obwohl
bestimmte bevorzugte Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung gezeigt und im Detail beschrieben wurden
sei bemerkt, dass unterschiedliche Änderungen und Modifikationen
daran innerhalb des Umfangs der folgenden Ansprüche durchgeführt werden
können.
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