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DE4238279A1 - Kunststoffgegenstand mit einer transparenten Oberflächenschicht - Google Patents

Kunststoffgegenstand mit einer transparenten Oberflächenschicht

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DE4238279A1
DE4238279A1 DE19924238279 DE4238279A DE4238279A1 DE 4238279 A1 DE4238279 A1 DE 4238279A1 DE 19924238279 DE19924238279 DE 19924238279 DE 4238279 A DE4238279 A DE 4238279A DE 4238279 A1 DE4238279 A1 DE 4238279A1
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atom
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Klaus Dr Harth
Hartmut Dr Hibst
Juergen Dr Dembowski
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BASF SE
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12Chemical modification
    • C08J7/123Treatment by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides

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Description

Die Erfindung betrifft einen Kunststoffgegenstand mit einer transparenten Oberflächenschicht, welche mindestens die Elemente Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff enthält und aus mindestens drei Tiefenbereichen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung besteht.
Kunststoffe haben aufgrund ihrer spezifischen Eigenschaften, wie geringes Gewicht, gute chemische Beständigkeit, hohe mechanische Stabilität, eine zunehmende Bedeutung als Werkstoff. Die hervor­ ragende Verarbeitbarkeit thermoplastischer Kunststoffe durch Spritzguß, Gießen, Blasformen, Extrusion etc. ermöglicht zudem die Herstellung von Kunststoffgegenständen und -formteilen mit beliebiger Geometrie, wobei auch komplizierte Werkstücke einfach und mit hoher Präzision herstellbar sind.
Für transparente thermoplastische Kunststoffe eröffnen sich eine Reihe von Anwendungsbereichen, beispielsweise Kfz-Seitenscheiben, Kfz-Scheinwerfer-Streuscheiben, Kfz-Sonnendächer, Flugzeug- und Caravanscheiben, Gebäudeverglasungen, Terrassen- und Gewächshaus­ überdachungen, Lichtwerbungsabdeckungen, Sicherheitsverglasungen, Gebrauchsgegenstände mit besonderer dekorativer Wirkung, Linsen für Korrektur- und Sonnenbrillen, Visiere, transparente Bauteile für optische Geräte und Projektionssysteme, Kontrastscheiben für Monitore und Fernsehbildschirme, optische Fasern oder Solar­ zellen. Die Substitution von Glas und anderen Werkstoffen schei­ tert jedoch in vielen Fällen an den intrinsischen Nachteilen von Kunststoffen. So kann die geringe Oberflächenhärte von Kunst­ stoffen bei einer mechanischen Beanspruchung zu einer Verkratzung der Oberfläche und damit zu einer Beeinträchtigung des optischen Erscheinungsbildes des Kunststoffes führen. Bei einer Reihe von Kunststoffen führt eine langanhaltende Bestrahlung mit UV-Licht zu einer Degradation der mechanischen oder optischen Eigen­ schaften. Dem Einsatz solcher Kunststoffe in Außenanwendungen ohne zusätzliche UV-Schutzmaßnahmen sind daher Grenzen gesetzt. Schließlich zeigen viele thermoplastische Kunststoffe eine mehr oder weniger stark ausgeprägte Wasseraufnahme, welches ihr Eigen­ schaftsspektrum in unerwünschter Weise beeinflussen kann. Ins­ besondere bei hochpräzisen optischen Bauteilen führt eine starke Wasseraufnahme des Kunststoffes zu einer nicht tolerierbaren Änderung der räumlichen Abmessungen bzw. der optischen, mecha­ nischen oder elektrischen Eigenschaften.
Wie aus EP-B 29 929 oder EP-B 92 609 bekannt, kann die Ober­ flächenhärte von Kunststoffen durch duroplastische Beschich­ tungen, beispielsweise auf der Basis von thermisch oder mit Strahlung aushärtbaren Polyacryl-, Polysiloxan-, Epoxid- oder Polyurethanlacken, verbessert werden. Die durch eine Lackierung erreichbare Kratzfestigkeit ist jedoch begrenzt und erreicht nicht die Werte von Mineralgläsern. Die üblichen Lackierverfahren wie Tauchlackierung, Flutlackierung oder Spin-Coating sind zudem nicht geeignet für eine gleichmäßige Lackierung von Bauteilen mit komplizierter Geometrie. Schließlich erfordert die großtechnische Lackierung von Kunststoffteilen einen hohen Umweltschutzaufwand zur Kontrolle der Lösungsmittelemission und zur Entsorgung der anfallenden Lackschlämme.
Es ist weiterhin bekannt, daß die Oberflächenhärte von Kunst­ stoffen durch eine PVD- (physical vapor deposition) Beschichtung mit transparenten Oxidschichten, wie beispielsweise SiO2, verbessert werden kann. So beschreiben DE-A 15 21 249 und US-A 3 522 080 reaktive Aufdampfverfahren zur Abscheidung von SiO2-Schichten auf Polycarbonat. Neben dem Aufdampfverfahren haben sich die Kathodenzerstäubung und das Ionenplattierverfahren als bekannte PVD-Verfahren zur Herstellung von Oxidschichten etabliert. Als nachteilig für die praktische Verwendung von anorganischen Oxidschichten erweisen sich jedoch ihre schlechte Haftfestigkeit auf Kunststoffen, ihre hohe Sprödigkeit sowie ihre von thermoplastischen Kunststoffen stark unterschiedlichen ther­ mischen Ausdehnungskoeffizienten, die bei einer Temperatur­ belastung des Schichtverbundes sehr leicht zur Rißbildung in der Schicht führen. Darüber hinaus wurde festgestellt, daß eine deut­ liche Steigerung der Kratzfestigkeit erst bei PVD-Schichtdicken von mehreren µm erzielt wird. Die Tragfähigkeit dünnerer Schichten ist nicht ausreichend, um bei einer mechanischen Beanspruchung des Verbundes eine irreversible plastische Verformung des Poly­ mersubstrats mit einem gleichzeitigen Durchdrücken der Beschich­ tung zu vermeiden. Anorganische Schichten mit Schichtdicken im µm-Bereich zeigen jedoch eine verstärkte Neigung zur Enthaftung und zur Rißbildung.
Zur Verbesserung der Haftfestigkeit wurde die Verwendung von Zwischenschichten vorgeschlagen. So beschreibt die US-A 3 713 869 einen zweistufigen Abscheideprozeß, bei dem ein PMMA- oder PC-Substrat in einem ersten Schritt mittels einer Glimmentladung mit einer Polymerisationsschicht und anschließend durch eine Elektronenstrahlverdampfung mit einer anorganischen, glasartigen Deckschicht versehen wird. Die so erzeugte Schichtstruktur zeigt eine gute Haftfestigkeit zum Kunststoffsubstrat bei gleichzeitig hoher Härte. Die Verwendung einer härtbaren Polyacrylzwischen­ schicht, die ebenfalls zu einer verbesserten Haftfestigkeit führt, ist aus der US-A 4 200 681 bekannt. Der Nachteil dieser Zwischenschichten liegt in dem erhöhten apparativen Aufwand für deren Herstellung.
Ein weiterer genereller Nachteil von PVD-Verfahren ist die schwierige Beschichtbarkeit von dreidimensionalen Bauteilen. Hier bieten CVD- (chemical vapor deposition) Verfahren, bei welchen die Abscheidung aus der Gasphase erfolgt, Vorteile. Die Beschich­ tung von transparenten, thermoplastischen Kunststoffsubstraten durch plasmaunterstützte CVD-Abscheidung von Si-organischen Mono­ meren ist bereits mehrfach beschrieben, wie z. B. DE-A 26 50 048, EP-A 177 517, EP-A 252 870, EP-A 289 402, EP-A 345 107, DD 2 16 736 oder DD 2 38 630. Als Si-organisches Monomer werden üblicherweise Silane, Siloxane oder Silazane verwendet, wobei dem Reaktionsgas weitere Komponenten wie Edelgase, O2 oder N2 zuge­ geben werden können. Die Herstellung der Schichten durch Glimm-, RF- oder Mikrowellenpolymerisation führt zu Schichten mit hoher Transparenz im sichtbaren Spektralbereich. Die Zugabe von O2 zum Reaktionsgemisch kann dabei die Kratzfestigkeit der Beschichtung deutlich steigern. Es ist bisher jedoch nicht bekannt, in welchem Maße mit solchen Beschichtungen die UV-Stabilität bzw. die Wasseraufnahme von Kunststoffen verbessert werden kann.
In der EP-A 267 679 und EP-A 317 134 wird die Erzeugung einer abriebfesten Beschichtung mit partieller UV-Absorption auf Poly­ carbonat-Substraten beschrieben. Die Beschichtung erfolgt durch Mikrowellenplasmapolymerisation eines Silan-Kohlenwasserstoff- Gemisches. Die Transparenz der Schichten im sichtbaren Spektral­ bereich ist zwar hoch (89%), die Zugabe von Kohlenwasserstoffen zur Plasmaatmosphäre führt jedoch nach allen Erfahrungen zu einer bräunlichen Färbung der Schicht und damit zu einer starken Beein­ trächtigung des optischen Erscheinungsbildes des Kunststoffgegen­ standes. Die Methode ist daher für eine Vielzahl praktischer Anwendungen nicht geeignet.
Es ist bekannt, daß das Eigenschaftsprofil von CVD-Schichten durch geeignete Zwischenschichten oder durch einen Gradienten der chemischen Zusammensetzung in der Schichttiefe verbessert werden kann. So wird gemäß der EP-A 285 870 eine abriebfeste Beschich­ tung auf Polycarbonat in der Weise erzeugt, daß zuerst eine haft­ vermittelnde harzartige Zwischenschicht und anschließend eine ab­ riebfeste Deckschicht mit einem plasmaunterstützten CVD-Verfahren aufgebracht wird. Demgegenüber beschreibt die EP-A 177 517 die Kratzfestbeschichtung von Kunststoffoberflächen mittels einer Glimm-Plasmapolymerisation. Die Zerkratzungsbeständigkeit der aufgebrachten Schicht, gemessen am Streulichtverhalten der Schicht, wird dabei verbessert, wenn der O2-Fluß während der Beschichtung in definierter Weise erhöht wird.
Aufgabe der Erfindung war es somit, Kunststoffgegenstände mit einer transparenten Oberflächenschicht bereitzustellen, welche sich insbesondere durch eine hohe Transparenz im sichtbaren Spek­ tralbereich ohne merkliche Braunfärbung, eine hohe Kratzfestig­ keit, eine hohe Haftfestigkeit der Schicht, einen gegenüber dem Kunststoffgegenstand wirkenden UV-Schutz, eine hohe Permeations­ sperrwirkung für Wasser und eine ausgezeichnete Chemikalien­ schutzwirkung auszeichnet. Außerdem war es Aufgabe der Erfindung, ein entsprechendes Verfahren zu finden, das zudem einen einfachen Prozeßablauf ermöglicht und auch für Kunststoffgegenstände be­ liebiger Geometrie anwendbar ist.
Es wurde nun gefunden, daß Kunststoffgegenstände mit einer trans­ parenten Oberflächenschicht, welche mindestens die Elemente Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff enthält und aus mindestens drei Tiefenbereichen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung besteht, die gestellte Aufgabe lösen, wenn die Oberflächenschicht mindestens den
  • 1) Tiefenbereich (A), welcher sich unmittelbar an die Oberfläche des Kunststoffgegenstands anschließt, eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 500 nm, einen Si-Gehalt Bereich von 1 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 1 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 40 bis 98 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p-Photoelektronen zwischen 98,0 und 102,0 eV, der C-Photoelektronen zwischen 284,0 bis 286,0 eV und der O-1s-Photoelektronen zwischen 531,0 bis 533,0 eV beträgt,
  • 2) den Tiefenbereich (B), welcher oberhalb des Tiefenbe­ reichs (A) angeordnet ist, eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 2000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 10 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 10 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 20 bis 60 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p-Photoelektronen zwischen 101,0 und 103,0 eV, der C-Photoelektronen zwischen 283, 0 und 285,0 eV und der O-1s- Photoelektronen zwischen 531,0 und 533,0 eV beträgt, und den
  • 3) Tiefenbereich (C), welcher sich an den Tiefenbereich (B) anschließt, eine Dicke im Bereich von 500 nm bis 10000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 20 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 30 bis 79 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 1 bis 40 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p- Photoelektronen zwischen 102,0 und 104,0 eV, der C-1s-Photo­ elektronen zwischen 282,0 und 284,0 eV und der O-1s-Photo­ elektronen zwischen 532,0 und 534,0 eV beträgt, umfaßt.
Wesentliche Kennzeichen des erfindungsgemäßen Kunststoffgegen­ stands ist eine Unterteilung der Oberflächenbeschichtung in mindestens drei Tiefenbereiche unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung mit spezifischen funktionalen Eigenschaften, wobei
  • - der Tiefenbereich (A) eine sehr hohe Haftfestigkeit sowie eine Anpassung der Stoffeigenschaften, z. B. des thermischen Ausdeh­ onungskoeffizienten, zwischen Substrat und Deckschicht gewähr­ leistet,
  • - der Tiefenbereich (B) eine sehr hohe Diffusionssperrwirkung für Wasser und/oder eine hohe Absorption für UV-Strahlung bietet und
  • - der Tiefenbereich C) eine sehr hohe Kratzfestigkeit des Gesamt­ verbundes gewährleistet.
Die spezifischen funktionalen Eigenschaften in dem jeweiligen Tiefenbereich werden durch eine geeignete Wahl der chemischen Zusammensetzung und der Dicke des Tiefenbereiches gewährleistet. Als wichtige Einflußgröße bei der chemischen Zusammensetzung er­ weisen sich dabei neben dem relativen Gehalt der Elemente Si, O und C die chemischen Bindungszustände dieser atomaren Spezies. Diese Bindungszustände lassen sich mit Hilfe der Photoelektronen­ spektroskopie erfassen. Die Analyse der von der Probenoberfläche emittierten Photoelektronen liefert dabei die Information über den Bindungszustand der Elemente in einer oberflächennahen Zone mit einer Tiefenauflösung von wenigen Nanometern. Üblicherweise werden die gemessenen Bindungsenergien dabei auf die C1s-Energie in CHx-Bindungen (= 284,6 eV) bezogen. Durch die Kombination mit einem Sputterabtrag des Probenmaterials mit Edelgasionen ist auch die Messung des Tiefenverlauf s der relativen Elementgehalte und der Bindungszustände möglich.
Hauptfunktion des substratnahen Tiefenbereichs (A) ist die Ver­ mittlung einer hohen Haftfestigkeit sowie eine nach Möglichkeit kontinuierliche Anpassung wichtiger Stoffeigenschaften, wie z. B. thermischer Ausdehnungskoeffizient und Elastizitätsmodul, zwi­ schen Polymersubstrat und Deckschicht. Als wesentlich für das Erreichen dieser Funktion erweist sich der Verlauf des C-Gehaltes und des C-Bindungszustandes. Je besser der Bindungszustand von Substrat und Beschichtung am Interface Substrat/Beschichtung übereinstimmt und je stetiger der Übergang vom Substrat in die Beschichtung erfolgt, desto haftfester und weniger anfällig auf Rißbildung erweist sich der Verbund Substrat/Beschichtung. Neben C ist ein gewisser Mindestgehalt an Si und O notwendig, um eine hohe Transparenz über den ganzen Verlauf des Tiefen­ bereichs (A) sicherzustellen. Die vorteilhaften Eigenschaften werden dann erzielt, wenn der Tiefenbereich (A) eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 500 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 1 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 1 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 40 bis 98 At.-% aufweist, wobei die Bindungs­ energie der Si-2p-Photoelektronen im Bereich von 98,0 und 102 eV, der C-1s-Photoelektronen im Bereich von 284,0 und 286,0 eV und der O-1s-Photoelektronen im Bereich von 531,0 und 533,0 eV liegt.
Hauptfunktion des Tiefenbereichs (B) ist die Gewährleistung einer hohen Permeationssperrwirkung insbesondere für Wasser sowie einer hohen UV-Absorption zur Vermeidung einer durch UV-Strahlung be­ dingten Degradation der Kunststoffeigenschaften. Es hat sich her­ ausgestellt, daß mit CVD-Kratzfestbeschichtungen nach dem Stand der Technik diese Funktionen nicht erreicht werden können, wenn gleichzeitig eine Beeinträchtigung des optischen Erscheinungs­ bildes des Kunststoffgegenstandes vermieden werden soll. Eine vorteilhafte Sperrwirkung bzw. eine hohe UV-Absorption wird dann erzielt, wenn der Tiefenbereich (B) eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 2000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 10 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 10 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 20 bis 60 At.-% aufweist, wobei die Bindungs­ energie der Si-2p-Photoelektronen im Bereich zwischen 101,0 und 103,0 eV, der C-1s-Photoelektronen im Bereich zwischen 283,0 und 285,0 eV und der O-1s-Photoelektronen im Bereich zwischen 531,0 und 533,0 eV liegt.
Der substratferne Tiefenbereich (C) soll hauptsächlich die gewünschte hohe Kratzfestigkeit des Kunststoffgegenstandes sicherstellen. Dies wird durch einen hohen O-Gehalt erreicht, wobei besonders vorteilhafte Ergebnisse erzielt werden, wenn der Tiefenbereich (C) eine Dicke im Bereich von 500 nm bis 10000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 20 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 30 bis 79 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 1 bis 40 At.-% aufweist, wobei die Bindungsenergie der Si-2p-Photoelektronen im Bereich zwischen 102,0 und 104,0 eV, der C-1s-Photoelektronen im Bereich zwischen 282,0 und 284,0 eV und der O-1s-Photoelektronen im Bereich zwischen 532,0 und 534,0 eV liegt.
Durch die Kombination der verschiedenen Tiefenbereiche des Schichtverbundes werden die erfindungsgemäßen Kunststoffgegen­ stände mit einem deutlich über dem Stand der Technik liegenden Eigenschaftsspektrum erhalten. Kunststoffverbunde nach den genannten Merkmalen zeigen eine hervorragende Kratzfestigkeit, eine hohe UV-Stabilität und eine geringe Wasseraufnahme bei gleichzeitig hoher Transparenz und Farbneutralität.
Zur Herstellung des erfindungsgemäßen, mit der spezifischen Oberflächenschicht versehenen Kunststoffgegenstandes sind die an sich bekannten Verfahren der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung, wie sie u. a. in der EP-A 254 205 oder der EP-A 279 895 beschrieben sind, geeignet, wobei das eingesetzte Gasgemisch zumindest eine Si-organische Verbindung, vorzugsweise aus der Reihe der Silane, Siloxane oder Silazane enthalten muß. Das Si-organische Monomer besteht in vorteilhafter Weise aus Tetramethylsilan, Trimethylmethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Trimethylmethoxysilan, Tetramethoxysilan, Ethoxytrimethylsilan, Diethoxydimethylsilan, Triethoxymethylsilan, Tetraethoxysilan, Vinyltrimethylsilan, Vinyltromethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Tetravinylsilan, Hexamethyldisiloxan oder Tetramethyldiethoxydi­ siloxan. Dem Si-organischen Monomer können weitere Gase, wie z. B. O2, N2 oder Edelgase beigemischt werden. Zur Anregung des Plasmas kann eine DC-Quelle, eine RF-Quelle oder eine Mikrowellenquelle benutzt werden.
Es hat sich überraschenderweise gezeigt, daß die Oberflächen­ schichtzusammensetzung des erfindungsgemäßen Kunststoffgegen­ stands mit dem vorteilhaften Eigenschaftsprofil durch eine Anpassung der Beschichtungsparameter der Plasma-CVD-Abscheidung in einfacher Weise und ohne Unterbrechung oder Wechsel des Beschichtungsprozesses erreicht werden kann. Beispielsweise kann der erfindungsgemäße Schichtaufbau durch eine Regelung des Gas­ flußverhältnisses zwischen einem Si-organischen Monomeren, wie z. B. Hexamethyldisiloxan, und O2 erreicht werden. Der erfindungs­ gemäße Kunststoffgegenstand ist daher in einem einfachen Prozeß­ ablauf herstellbar.

Claims (3)

1. Kunststoffgegenstand mit einer transparenten Oberflächen­ schicht, welche mindestens die Elemente Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff enthält und aus mindestens drei Tiefenbe­ reichen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht mindestens den
  • 1) Tiefenbereich (A), welcher sich unmittelbar an die Ober­ fläche des Kunststoffgegenstands anschließt, eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 500 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 1 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 1 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 40 bis 98 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p- Photoelektronen zwischen 98, 0 und 102,0 eV, der C-1s-Pho­ toelektronen zwischen 284,0 bis 286,0 eV und der O-1s- Photoelektronen zwischen 531,0 bis 533,0 eV beträgt,
  • 2) den Tiefenbereich (B), welcher oberhalb des Tiefenbe­ reichs (A) angeordnet ist, eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 2000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 10 bis 40 At.-% (bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 10 bis 30 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 20 bis 60 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p-Photoelektronen zwischen 101,0 und 103,0 eV, der C-1s-Photoelektronen zwischen 283,0 und 285,0 eV und der O-1s-Photoelektronen zwischen 531,0 und 533,0 eV beträgt, und den
  • 3) Tiefenbereich (C), welcher sich an den Tiefenbereich (B) anschließt, eine Dicke im Bereich von 500 nm bis 10000 nm, einen Si-Gehalt im Bereich von 20 bis 40 At.-% bezogen auf die Summe der Gehalte an Si, O und C), einen O-Gehalt im Bereich von 30 bis 79 At.-% und einen C-Gehalt im Bereich von 1 bis 40 At.-% aufweist und die Bindungsenergie der Si-2p-Photoelektronen zwischen 102,0 und 104,0 eV, der C-1s-Photoelektronen zwischen 282,0 und 284,0 eV und der O-1s-Photoelektronen zwischen 532,0 und 534,0 eV beträgt, umfaßt.
2. Kunststoffgegenstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoffgegenstand aus Polymethylmethacrylat, Poly­ carbonat, Diethylen-Glykol-Diallyl-Carbonat (CR 39), Poly­ ethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polystyrol, Styrol/Butadien- Copolymer, Acrylnitril/Butadien/Styrol-Polymer, Polyethylenterephthalat, Polybutylenterephthalat, Polyoxy­ methylen, Polyamid, Polysulfon, Polyethersulfon, Poly(aryl)­ etherketon, Polyimid oder Polyurethan besteht.
3. Verfahren zur Herstellung des Kunststoffgegenstands gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung mittels plasmaunterstützter chemischer Abscheidung eines Gas­ gemisches hergestellt wird, wobei das Gasgemisch mindestens ein Si-organisches Monomer aus der Reihe der Silane, Siloxane oder Silazane enthält.
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