DE4105118C1 - Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin mass - Google Patents
Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin massInfo
- Publication number
- DE4105118C1 DE4105118C1 DE19914105118 DE4105118A DE4105118C1 DE 4105118 C1 DE4105118 C1 DE 4105118C1 DE 19914105118 DE19914105118 DE 19914105118 DE 4105118 A DE4105118 A DE 4105118A DE 4105118 C1 DE4105118 C1 DE 4105118C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sensor
- pump
- fluid
- semiconductor device
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 12
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04F—PUMPING OF FLUID BY DIRECT CONTACT OF ANOTHER FLUID OR BY USING INERTIA OF FLUID TO BE PUMPED; SIPHONS
- F04F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B17/00—Pumps characterised by combination with, or adaptation to, specific driving engines or motors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/56—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects
- G01F1/64—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using electric or magnetic effects by measuring electrical currents passing through the fluid flow; measuring electrical potential generated by the fluid flow, e.g. by electrochemical, contact or friction effects
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N11/00—Generators or motors not provided for elsewhere; Alleged perpetua mobilia obtained by electric or magnetic means
- H02N11/006—Motors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her
stellung einer Baueinheit mit einer durch ätztechnische Ver
fahren aus einem Halbleiterwerkstoff gebildeten miniaturi
sierten, elektrostatisch betriebenen Pumpe oder einem derarti
gen Sensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 und eine
solche Baueinheit gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 5.
In jüngster Zeit sind derartige neuartige, mikrominiaturi
sierte, durch ätztechnische Verfahren aus einem Halbleiter
werkstoff gebildete elektrostatisch betriebene Pumpen oder
Sensoren zur Bestimmung der Strömungsgeschwindigkeit eines
Fluids, nachfolgend kurz Aktoren oder Sensoren genannt, ent
wickelt worden, die einen von einem Fluid durchströmbaren,
sich im wesentlichen quer zur Strömungsrichtung des Fluids
erstreckenden Durchströmungsbereich aufweisen. Derartige
Aktoren sind beispielsweise in der DE 39 25 749 C1 der An
melderin und derartige Sensoren sind in der deutschen Pa
tentanmeldung P 40 27 704.6-52 beschrieben. Bislang fehlt es
an einem geeigneten Gehäuse für einen derartigen hochem
pfindlichen, mikrominiaturisierten, durch ätztechnische Ver
fahren aus einem Halbleiterwerkstoff gebildeten Aktor oder
Sensor, der einen von einem Fluid durchströmbaren, sich im
wesentlichen quer zur Strömungsrichtung des Fluids er
streckenden Durchströmungsbereich aufweist.
Aus der US 32 67 859 ist ein Gehäuse für eine dielektrische
Flüssigkeitspumpe bekannt, welches aus einem nichtleitenden
Material, wie zum Beispiel Glas oder Kunststoff, hergestellt
ist. Dieses Gehäuse ist zylindrisch ausgebildet und in ihm
befinden sich die Elektroden für die dielektrische Flüssig
keitspumpe. Der Durchströmungsbereich dieser Elektroden er
streckt sich im wesentlichen bis zur Innenwandung des Ge
häuses. Anschlußverbindungen in Form von Drähten sind abge
dichtet durch die Gehäusewand nach außen geführt. Das Gehäu
se weist einander gegenüberliegende Fluiddurchlaßöffnungen
auf, an die sich nach außen erstreckende Rohrabschnitte zur
Verbindung mit einer Fluidleitung anschließen. Für einen
hochempfindlichen, mikrominiaturisierten, durch ätztechni
sche Verfahren aus einem Halbleiterwerkstoff gebildeten
elektrohydrodynamischen Aktor oder Sensor, der einen von
einem Fluid durchströmbaren, sich im wesentlichen quer zur
Strömungsrichtung des Fluids erstreckenden Durchströmungsbe
reich aufweist, eignet sich das bekannte Gehäuse jedoch
nicht.
Aus der GB-PS 8 23 783 ist ein Herstellungsverfahren für eine
dynamoelektrische Maschine oder einen Elektromotor bekannt,
bei dem der Stator zusammen mit weiteren Teilen des Motors
bzw. der Maschine, die nicht drehbeweglich sein sollen, in
einem Gehäuse mit einer Vergußmasse eingegossen wird.
Aus der DE-AS 24 58 719 ist ein Ionisations-Durchflußmeßgerät
bekannt, das in einem Gehäuse zwei voneinander beabstandete
Metallgitterstrukuren aufweist, zwischen denen eine
Injektionselektrode in Form eines Elektrodendrahtes
angeordnet ist. Aus der Laufzeit injizierter Elektronen von
dem Elektrodendraht zu den hierzu beabstandeten
Elektrodenstrukuren kann auf die Strömungsgeschwindigkeit
eines Fluids senkrecht zu der Elektrodenstruktur geschlossen
werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Baueinheit mit einem mikrominiaturisierten, durch ätztechni
sche Verfahren aus einem Halbleiterwerkstoff gebildeten
Aktor oder Sensor zu schaffen, der einen Körper mit einem
quer zur Fluidströmungsrichtung ausgerichteten aktiven
Bereich aufweist, die eine Gehäusefunktion erfüllt.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit gemäß dem Oberbe
griff des Anspruches 1 durch die im Kennzeichen des Anspru
ches 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Diese Aufgabe wird ferner bei einer Baueinheit gemäß dem
Oberbegriff des Anspruches 5 durch die im Kennzeichen des
Anspruches 5 angegebenen Merkmale gelöst.
Bei der Baueinheit mit miniaturisiertem, vorteilhafterweise
mikrominiaturisiertem Aktor bzw. Sensor nach der Erfindung
ist der unmittelbar von einem Fluid durchströmte, d. h.
aktive und mit Elektroden versehene Bereich des Körpers des
Aktors bzw. Sensors gegenüber dem übrigen Bereich des
Körpers des Aktors oder Sensors abgedichtet. Dadurch können
in dem an den Körper angrenzenden, gegenüber einem Fluid
abgetrennten Bereich beispielsweise Kontakte, elektrische
Anschlüsse oder auch Schaltungsbauteile vorgesehen sein,
ohne daß diese Elemente mit dem Fluid in Berührung kommen
oder einer Gefährdung ihrer Funktionstüchtigkeit ausgesetzt
sind.
Diese Abgrenzung gegenüber dem durch den aktiven Bereich
strömenden Fluid erfolgt dadurch, daß der Körper des Aktors
oder Sensors in eine Vergußmasse eingegossen wird, wobei
der aktive Bereich beim Vergießen vor einem Eindringen der
Vergußmasse geschützt wird, so daß nach der Verfestigung der
Vergußmasse bei der Verwendung der Baueinheit das Fluid
durch den aktiven Bereich strömen kann.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes sind
in den Unteransprüchen angegeben.
In vorteilhafter Weise kann im Rahmen der Erfindung die Bau
einheit auch mehr als einen Aktor oder Sensor enthalten. Von
Vorteil ist es, wenn wenigstens ein Anschlußflansch an der
Baueinheit zur Verbindung mit einer Fluidleitung vorgesehen
ist, der gleichzeitig mit dem Vergießen einstückig ausgebil
det bzw. mitgegossen wird.
Der Erfindungsgegenstand wird im folgenden anhand eines Aus
führungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen in einer Form zum Vergießen mit einer
Vergußmasse angeordneten Aktor oder Sensor;
und
Fig. 2 eine Baueinheit nach der Erfindung.
In der Fig. 1 ist ein elektrohydrodynamischer Aktor 1 oder
Sensor mit einem durch ätztechnische Verfahren aus einem
Halbleiterwerkstoff gebildeten Körper 2 dargestellt, der in
einer aus zwei Formteilen 6 und 7 gebildeten Gießform ange
ordnet ist. Zwischen den Formteilen 6 und 7 und dem Äußeren
des Körpers 2 besteht ein freier Raum 5, der mit einer
Vergußmasse gefüllt wird. Im folgenden wird nur auf einen
Aktor Bezug genommen, obgleich die Ausführungen in gleicher
Weise auf einen Sensor zutreffen.
Der in der Gießform 6, 7 angeordnete Aktor 1 weist einen
Körper 2 und einen aktiven Bereich 3 auf. In diesem aktiven
Bereich 3 sind Elektroden 4 angeordnet, die hier nur schema
tisch angedeutet dargestellt sind. Durch den aktiven Bereich
3 strömt beim Einsatz des Aktors 1 ein Fluid, welches durch
geeignete Beaufschlagung der Elektroden 4 mit einem elek
trischen Potential gepumpt wird. Nicht dargestellte An
schlußverbindungen verlaufen innerhalb des Körpers 2 zu
äußeren ebenfalls nicht dargestellten Anschlußkontakten.
Elektrische Bauteile oder auch integrierte Schaltungen mit
den erforderlichen Leitungsverbindungen können in dem Körper
2 vorgesehen sein.
Für den praktischen Einsatz ist es wichtig, daß der Aktor 1
möglichst gut gegenüber Beschädigungen, mechanischen Ein
flüssen und/oder Umwelteinflüssen geschützt ist.
Im Rahmen der Erfindung ist vorgesehen, den Aktor zumindest
teilweise, vorzugsweise ganz, mit einer geeigneten Vergußmas
se zu vergießen, so daß er gleichsam in einem Schutzgehäuse
eingeschlossen ist. Diese Art der Umschließung des Aktors 1
gewährleistet eine weitgehend von mechanischen Spannungen
frei Aufnahme und Abdichtung des hochempfindlichen, durch
ätztechnische Verfahren aus einem Halbleiterwerkstoff gebil
deten Körpers 2.
Damit die Funktionsweise des Aktors 1 nicht beeinträchtigt
wird, muß der aktive Bereich 2 des Aktors 1 von der Verguß
masse freigehalten bleiben. Die beiden Formteile 6 und 7
sind deshalb in formmäßiger Abstimmung auf die Form des
Aktors mit jeweils einem inneren Vorsprung 8 bzw. 9 ausge
bildet. Diese beiden Vorsprünge 8 und 9 kommen bei geschlos
sener Form so zu liegen, daß sie den aktiven Bereich 3 ver
schließen, durch den beim Betriebseinsatz ein Fluid strömt.
Die Querschnittsfläche der beiden Vorsprünge 8 und 9 ist an
die Querschnittsfläche des aktiven Bereiches 3 des Aktors 1
derart angepaßt, daß beim Vergießen keine Vergußmasse in den
aktiven Bereich 3 eindringen kann.
Einer der Vorsprünge 8 und 9 oder auch beide können so aus
gebildet werden, daß sich eine Verbindung mit an den Aktor 1
anzuschließenden Fluidleitungen ergibt. So können die Vor
sprünge 8 und 9 mit einer Stufe derart ausgebildet sein, daß
bei vergossenem Aktor 1 von dessen äußerer Oberfläche her
gesehen im Bereich für den Fluiddurchtritt ein Abschnitt mit
einem größeren Durchmesser als der aktive Bereich vorliegt,
d. h. es ergibt sich eine Ringschulter. Dieser Abschnitt kann
einen Endabschnitt einer zu verbindenden Fluidleitung auf
nehmen.
Zum Vergießen wird der Aktor 1 in der in Fig. 1 gezeigten
Weise zwischen den beiden Formteilen 6 und 7 angeordnet. Der
Formteil 7 ist mit einer Eingußöffnung 10 ausgebildet, durch
die eine Vergußmasse 11, z. B. ein geeignetes Gießharz ein
gebracht wird.
Fig. 2 zeigt eine hydrodynamische Baueinheit der Erfindung
mit dem schematisch dargestellten Aktor 1 und der ihn gehäu
seförmig umgebenden Vergußmasse 11. Es ist zu erkennen, daß
der aktive Bereich 3 freigelassen ist.
Als Verfahren zum Vergießen eignet sich das Spritzgußver
fahren. Bei der in Fig. 1 gezeigten Form sind die beiden
Formteile 6 und 7 wiederverwendbar. Bei geeigneter Ausbil
dung der Form bzw. der entsprechenden Formteile läßt sich
auch gleichzeitig mindestens ein Anschlußstutzen für eine
Fluidleitung mitformen. Wird für den Fluidzutritt und für
den Fluidaustritt gleichzeitig je ein Anschlußstutzen mitge
gossen, so erhält man insgesamt eine sehr kompakte und gut
handhabbare Baueinheit.
Es ist aber auch möglich, Abdeckungs- oder Sperrelemente
statt der Vorsprünge vorzusehen, die nur einmal verwendbar
sind, da sie z. B. bei ihrem Entfernen zerstört werden.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit mit einer
durch ätztechnische Verfahren aus einem Halbleiterwerk
stoff gebildeten miniaturisierten, elektrostatisch be
triebenen Pumpe oder einem derartigen Sensor zur Bestim
mung der Strömungsgeschwindigkeit eines Fluids, mit einem
Körper (2) mit einem quer zur Fluidströmungsrichtung aus
gerichteten aktiven Bereich (3), dadurch gekennzeichnet,
daß der aktive Bereich (3) des Körpers (2) der Pumpe oder des Sensors gegenüber dem Eindringen einer Vergußmasse (11) mit Sperrelementen (8, 9) abgedeckt wird,
daß der Körper (2) der Pumpe oder des Sensors mit einer Vergußmasse (11) zumindest teilweise überdeckt wird,
daß die Sperrelemente (8, 9) entfernt werden, um den aktiven Bereich (3) freizulegen, und
daß mindestens ein Anschlußstutzen zur Verbindung der Baueinheit mit einer Fluidleitung gleichzeitig mit dem Vergießen mit der Vergußmasse (11) ausgebildet wird.
daß der aktive Bereich (3) des Körpers (2) der Pumpe oder des Sensors gegenüber dem Eindringen einer Vergußmasse (11) mit Sperrelementen (8, 9) abgedeckt wird,
daß der Körper (2) der Pumpe oder des Sensors mit einer Vergußmasse (11) zumindest teilweise überdeckt wird,
daß die Sperrelemente (8, 9) entfernt werden, um den aktiven Bereich (3) freizulegen, und
daß mindestens ein Anschlußstutzen zur Verbindung der Baueinheit mit einer Fluidleitung gleichzeitig mit dem Vergießen mit der Vergußmasse (11) ausgebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein elektrisches mit der Pumpe oder dem
Sensor elektrisch verbundenes Bauelement gemeinsam mit
dem Körper (2) vergossen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß mehr als eine Pumpe oder ein Sensor in einer Bauein
heit vorgesehen und vergossen wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet,
daß als Sperrelemente nach innen weisende Vorsprünge (8,
9) einer Gießform (6, 7) verwendet werden, in der der
Körper (2) der Pumpe oder des Sensors zum Vergießen an
geordnet wird.
5. Baueinheit mit einer durch ätztechnische Verfahren aus
einer Halbleiterwerkstoff gebildeten miniaturisierten,
elektrostatisch betriebenen Pumpe oder einem derartigen
Sensor, der einen Körper (2) mit einem quer zur Fluid
strömungsrichtung ausgerichteten aktiven Bereich (3) auf
weist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Körper (2) der Pumpe oder des Sensors mit Aus nahme des aktiven Bereiches (3) zumindest teilweise von einer Vergußmasse (11) umgeben ist, und
daß die Baueinheit mindestens einen beim Vergießen mit der Vergußmasse (11) gegossenen Anschlußstutzen zur Ver bindung der Baueinheit mit einer Fluidleitung aufweist.
daß der Körper (2) der Pumpe oder des Sensors mit Aus nahme des aktiven Bereiches (3) zumindest teilweise von einer Vergußmasse (11) umgeben ist, und
daß die Baueinheit mindestens einen beim Vergießen mit der Vergußmasse (11) gegossenen Anschlußstutzen zur Ver bindung der Baueinheit mit einer Fluidleitung aufweist.
6. Baueinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein elektrisches mit der Pumpe oder dem
Sensor elektrisch verbundenes Bauelement vorgesehen und
von der Vergußmasse (11) eingeschlossen ist.
7. Baueinheit nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeich
net,
daß mehr als eine Pumpe oder ein Sensor in einer Bauein
heit vorgesehen und vergossen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914105118 DE4105118C1 (en) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin mass |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914105118 DE4105118C1 (en) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin mass |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4105118C1 true DE4105118C1 (en) | 1992-04-30 |
Family
ID=6425377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914105118 Expired - Lifetime DE4105118C1 (en) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin mass |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4105118C1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB823781A (en) * | 1955-03-23 | 1959-11-18 | Gen Electric | Improvements in and relating to resin casting for the manufacture of dynamoelectric machine housing parts |
DE2458719B2 (de) * | 1973-12-11 | 1980-09-25 | Societe Nationale Elf Aquitaine, Courbevoie (Frankreich) | Ionisations-Durchflußmesser |
DE3925749C1 (de) * | 1989-08-03 | 1990-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De |
-
1991
- 1991-02-19 DE DE19914105118 patent/DE4105118C1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB823781A (en) * | 1955-03-23 | 1959-11-18 | Gen Electric | Improvements in and relating to resin casting for the manufacture of dynamoelectric machine housing parts |
DE2458719B2 (de) * | 1973-12-11 | 1980-09-25 | Societe Nationale Elf Aquitaine, Courbevoie (Frankreich) | Ionisations-Durchflußmesser |
DE3925749C1 (de) * | 1989-08-03 | 1990-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0889774A1 (de) | Kunststoffsensor und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69737248T2 (de) | Verfahren zum Einkapseln einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE3834673C2 (de) | ||
DE10049356B4 (de) | Halbleitersensor | |
EP2021809B1 (de) | Induktiver sensor | |
DE69717934T2 (de) | Hydraulische Steuereinheit | |
WO1999032855A1 (de) | Messwertaufnehmer und ein verfahren zu dessen herstellung | |
DE69701389T2 (de) | Verfahren zum einbetten von kabeln und damit hergestelltes produkt | |
DE4219923C2 (de) | Magnet-Sensor | |
EP2936074B1 (de) | Sensor zum ausgeben eines elektrischen signals basierend auf einer erfassten physikalischen grösse | |
DE10039588B4 (de) | Gebereinrichtung | |
WO2018019500A1 (de) | Leiterplattenanordnung | |
DE4105118C1 (en) | Miniature electrostatic pump or flow velocity sensor - has active zone protected while remainder of semiconductor device is embedded in resin mass | |
DE3835484C2 (de) | ||
EP0032726B1 (de) | Magnetschranke | |
EP0032727B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Magnetschranke | |
EP0990876A1 (de) | Durchflussmessaufnehmer, insbesondere induktiver Durchflussmessaufnehmer sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3925744C2 (de) | Beschleunigungsdetektor | |
DE3623927C1 (en) | Method for fitting a coupling element to the end of an electrical cable (line, lead) | |
WO1996008731A1 (de) | Näherungsschalter und ein verfahren zu dessen herstellung | |
DE3841654A1 (de) | Drehzahlfuehler fuer den einbau in ein radlager | |
EP3459325B1 (de) | Verfahren zum ummanteln einer elektrischen einheit und elektrisches bauelement | |
DE102020212878A1 (de) | Vorrichtung, insbesondere Sensorvorrichtung | |
DE102016207664A1 (de) | Sensorelement für ein kraftfahrzeug | |
DE19806722A1 (de) | Sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |