DE3818733A1 - Konstanttemperatur-hygrometer - Google Patents
Konstanttemperatur-hygrometerInfo
- Publication number
- DE3818733A1 DE3818733A1 DE3818733A DE3818733A DE3818733A1 DE 3818733 A1 DE3818733 A1 DE 3818733A1 DE 3818733 A DE3818733 A DE 3818733A DE 3818733 A DE3818733 A DE 3818733A DE 3818733 A1 DE3818733 A1 DE 3818733A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- resistance
- hygrometer
- hygrometer according
- resistance conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 69
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxol-2-one Chemical compound O=C1OC=CO1 VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M aluminum;oxygen(2-);hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[Al+3] VXAUWWUXCIMFIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 208000003688 cystic lymphangioma Diseases 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 208000002173 dizziness Diseases 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052613 tourmaline Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011032 tourmaline Substances 0.000 description 1
- 229940070527 tourmaline Drugs 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 230000004584 weight gain Effects 0.000 description 1
- 235000019786 weight gain Nutrition 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/02—Analysing fluids
- G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/025—Change of phase or condition
- G01N2291/0256—Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/02845—Humidity, wetness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein verbessertes Hygrometer zum
Messen des Wasserdampfgehaltes der Atmosphäre. Insbesondere
betrifft die Erfindung eine Hygrometermeßwandler-Konstant
temperaturbetriebseinrichtung und eine Sorptionshygrometer-
Meßwandlereinrichtung, die eine hohe Empfindlichkeit und
ein stabiles Arbeitsverhalten aufweisen, und die einfach
und mit geringem Aufwand herstellbar sind. Weiter umfaßt
die Erfindung den Konstanttemperaturbetrieb von Feuchtig
keitsmeßwandlern mit Keramiksubstratträgerkondensatoren
und -widerständen, von Oberflächen-Akustikwellen-Feuchtig
keitsmeßwandlern sowie von Substrat getragenen Meßwandlern
im allgemeinen.
Das Gebiet der elektrischen Hygrometrie ist sehr weit
entwickelt. Es wurden bereits hygroskopische Materialien
eingesetzt als Sorptionsdetektoren auf Kristall-Mikrowaa
gen, als Dielektrika in Kondensatoren und als Beschich
tungen über Elektroden, welche zusammen als variable Wider
stände arbeiten. Unter den empfindlicheren Hygrometern
findet man piezoelektrische Quarzkristall-Sorptionshygrome
ter, deren Arbeitsprinzip auf der Adsorption von Wasser
dampf an einer hygroskopischen Beschichtung auf einem
Schwingquarzkristall beruht. Die sich ergebende Gewichts
erhöhung verändert die Schwingungsfrequenz um einen Betrag,
welcher der Gewichtszunahme proportional ist, und das
Instrument wirkt als eine sehr empfindliche Mikrowaage.
Verschiedene Beispiele eines Mikrowaagenmechanismus, welche
als geschichtete piezoelektrische Analysierungseinrichtung
verwendet wurden, sind in der US-PS 31 64 004 beschrieben,
aus welcher verschiedene Materialien bekannt sind, die
als empfindliche Beschichtungen verwendet werden können
und daraus sind auch verschiedene Einzelheiten über die
Technik der Mikrowaagen bekannt. Es sei auch auf die Auf
sätze "Using Quartz Crystals as Sorption Detectors" in
"Research/Development", April 1969, Seiten 28 bis 34 und
Mai 1969 Seiten 28 bis 33 verwiesen. Mit der Technik der
Mikrowaagen ist auch die US-PS 32 53 219 befaßt, welche
die Messung von Korrosionsgeschwindigkeiten unter der
Verwendung der Technik der Kristall-Mikrowaagen beschreibt.
Aus der US-PS 45 62 725 ist eine Gruppe von feuchtigkeits
empfindlichen Filmbeschichtungen bekannt, die ebenso an
Mikrowaagen-Kristallen als auch bei Widerstandsmeßwand
lern verwendet werden können.
Die Verwendung von Metalloxiden bei der Feuchtigkeitsmes
sung, insbesondere von Aluminiumoxid, ist aus der US-PS
22 37 006 bekannt, welche einen Kapazitätsfeuchtigkeitsfüh
ler beschreibt, welcher Aluminiumoxid als hygroskopische
Schicht zwischen Kondensatorplatten verwendet. In der
US-PS 30 75 385 wird ein Lösungsweg weiterentwickelt,
bei dem Aluminiumoxid als ein Dielektrikum in einem Kapa
zitätshygrometer für Radiosonden verwendet wird. Die
US-PSen 35 23 244 und 41 43 177 beschreiben ebenfalls
Kapazitätshygrometer, bei welchen Aluminiumoxid als feuch
tigkeitsempfindliches Element zwischen Kondensatorplatten
verwendet wird, und aus der letztgenannten Patentschrift
ist auch die Verwendung von Aluminiumoxid und Silizium
dioxid als feuchtigkeitsempfindliche Elemente in Halbleiter
einrichtungen bekannt. Weiterhin ist aus dieser die Verwen
dung von getrennten Heizwiderständen und Temperaturfühl
widerständen oder -halbleitern bekannt, welche in Verbin
dung mit den beschriebenen Kapazitätshygrometern mit Oxid
dielektrikum verwendet werden.
Polymerfilme haben als feuchtigkeitsempfindliche Elemente
weite Verwendung gefunden, die US-PS 41 64 868 lehrt die
Verwendung von hygroskopischen Polymerfilmen als Dielek
trika in kapazitiven Feuchtigkeitsmeßwandlern. Weitere
hygroskopische Filme in Kapazitätsfeuchtigkeitsmeßwandlern
sind aus den US-PSen 33 50 941, 35 82 728 und 38 02 268
bekannt.
Die bekannten Hygrometerfühler werden im allgemeinen bei
Umgebungstemperatur betrieben und werden leicht mit Feuch
tigkeit beladen, was deren Ansprechempfindlichkeit begrenzt.
Aluminiumoxid-Feuchtigkeitssensoren zeigen oft eine geringe
Kalibrierungsstabilität aufgrund des Betriebs bei Umgebungs
temperatur. Die Reaktion von Aluminiumoxid mit Wasser,
wie bei dem Aluminium-Oxid - Hydroxid - Reaktionsablauf,
manifestiert sich selbst als Instabilität für die Kali
brierung, zusätzlich tritt dazu oft eine Hysterese auf.
Viele dieser gleichen Nachteile treten bei kapazitiven
Hygrometermeßwandlern auf, bei denen hygroskopische Film
materialien als Dielektrikum verwendet werden. Insbesondere
wenn derartige Meßwandler naß werden oder in Sättigung
gehen, muß eine außerordentlich lange Zeit vergehen bis
diese trocken und wieder empfindlich für atmosphärische
Feuchtigkeitsänderungen werden. Die Leistungsfähigkeit
von bestimmten Kapazitätshygrometerfühlern ist teilweise
begrenzt oder beschränkt durch das Vorhandensein einer
notwendigen Metallelektrode auf beiden Oberflächen der
hygroskopischen Schicht.
Durch die vorliegende Erfindung werden viele der Probleme,
wie sie bei den bekannten Hygrometerfühlern auftreten,
überwunden und eine erhebliche Verbesserung der Leistungs
fähigkeit von Hygrometermeßwandlern und der Ansprechge
schwindigkeit bewirkt, indem ein geregelter Konstanttempe
raturbetrieb des aktiven Meßwandlerelements angewendet
wird. Durch diese Maßnahme wird ein Effekt erreicht, als
wenn sich die gesamte Umgebung um den Meßwandler auf der
geregelten Temperatur befände. Der Hygrometermeßwandler
wird periodisch oder bei Bedarf desorbiert oder getrock
net. Es wird ein bei konstanter Temperatur arbeitender
Meßwandler nach dem Prinzip des Mikrowaagen-Sorptionshygro
meters beschrieben, und ebenso die Anwendung dieser Verbes
serung auf andere Hygrometermeßwandler mit Substratträgern
des Kapazitäts-, Widerstands- und Oberflächenwellentyps.
Das Konstanttemperaturhygrometer gemäß der vorliegenden
Erfindung enthält ein isolierendes Substrat, welches einen
Widerstandsleiter mit positivem Temperaturkoeffizienten,
wie Platinmetall, trägt, eine Sorptionsbeschichtung auf
dem Leiter, eine elektrische rückkopplungsgeregelte Schal
tung, um den Widerstandsleiter bei konstanter Temperatur
(konstantem Widerstand) betreiben, und eine elektrische
Schaltung, welche notwendig ist, um die Menge des sorbier
ten Wasserdampfes zu messen oder abzulesen. Bei einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die aktive Sorptionsbe
schichtung Aluminiumoxid, welches aus auf dem Platinwider
stand niedergeschlagenes Aluminiummetall anodisiert ist.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das isolie
rende Substrat ein piezoelektrisches Kristall, wie Quarz,
welcher auch eine zweite HF-Elektrode trägt. Wenn das
Kristallelektrodenpaar, die HF-Elektrode und der Wider
standsleiter, zur Erregung des Kristalls in eine HF-Oszilla
torschaltung geschaltet sind, wirkt die Kombination des
von dem Kristall getragenen Meßwandler und der HF-Oszilla
torschaltung als eine empfindliche Kristall-Mikrowaage
zusammen. Wenn der Widerstandsleiter in eine rückkopplungs
geregelte Wheatstone-Brücke geschaltet ist, welche zur
Steuerung des Betriebs des Widerstandsleiters bei einer
vorgegebenen konstanten Temperatur über der Umgebungstempe
ratur verwendet wird, wird die Kombination zu einem Kon
stanttemperatur-Mikrowaagen-Sorptionshygrometer.
Es werden Ausführungsbeispiele beschrieben, bei denen die
Sorptionsbeschichtung auf beide Elektroden aufgebracht
ist und ebenso auf die gesamte Meßwandlereinrichtung.
Es wird ein Ausführungsbeispiel beschrieben, bei dem eine
zweite HF-Elektrode mit dem Widerstandsleiter fingerartig
versetzt angeordnet ist, um die Isolation der Konstanttempe
raturregelung und der HF-Oszillatorschaltung voneinander
zu erleichtern. Weitere Ausführungsbeispiele beschreiben
andere Sorptionsbeschichtungen und ebenso hygroskopische
Beschichtungen. Bei weiteren Ausführungsbeispielen wird
die Verwendung des Konstanttemperaturbetriebs zusammen
mit der Anwendung eines Widerstandsleiters mit einem
Temperaturkoeffizienten auf von einem Substrat getragene
Kapazitäts-, Widerstands- und Oberflächenakustikwellen-
Feuchtigkeitsmeßwandler beschrieben. Im allgemeinen erfolgt
die Beschreibung der Anwendung des Konstanttemperaturbe
triebs auf Meßwandler, bei denen ein Widerstand mit einem
Temperaturkoeffizienten in der Meßwandlerstruktur vorge
sehen ist.
Durch die vorliegende Erfindung werden viele der mit den
bekannten Hygrometerfühlern verbundenen Probleme in Bezug
auf die Feuchtigkeitsbeladung und die Instabilität überwun
den, da bei der vorliegenden Erfindung die Hygrometerfühler
unter optimalen Konstanttemperaturbedingungen betrieben
und bei Bedarf desorbiert werden. Die Empfindlichkeit
von mikroporösen Metalloxiden kann in maximaler Weise
ausgenutzt werden, indem diese bei der beschriebenen Meß
wandlerstruktur verwendet werden, ohne daß sie teilweise
mit einer Metallelektrode bedeckt zu werden brauchen.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein vereinfachtes elektrisches Schaltschema eines
bevorzugten Ausführungsbeispiels einer Konstanttempe
raturrückkopplungsregelung für einen Feuchtigkeits
meßfühler gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 1a einen Ausschnitt aus dem in Fig. 1 gezeigten Schalt
schema, welches eine Anordnung zur Auswahl einer
anderen konstanten Betriebstemperatur des Feuchtig
keitsmeßfühlers zeigt;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines bevorzugten
Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Feuch
tigkeitsmeßfühlers;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Rückseite des
in Fig. 2 gezeigten Feuchtigkeitsmeßfühlers;
Fig. 4 eine Schnittansicht des in den Fig. 2 und 3
gezeigten Feuchtigkeitsmeßfühlers;
Fig. 5 ein vereinfachtes elektrisches Schaltschema einer
Kristalloszillatorschaltung zur Anregung eines
piezoelektrischen Kristalls, der als Teil eines
erfindungsgemäßen Feuchtigkeitsmeßfühlers mit drei
Anschlüssen verwendet wird;
Fig. 6 eine Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbei
spiels des Feuchtigkeitsmeßfühlers, ähnlich dem
in Fig. 4 gezeigten;
Fig. 7 eine Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbei
spiels des Feuchtigkeitsmeßfühlers, ähnlich dem
in Fig. 4 gezeigten;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht eines weiteren Ausfüh
rungsbeispiels des Feuchtigkeitsmeßfühlers nach
Fig. 2; und
Fig. 9 ein vereinfachtes elektrisches Schaltschema eines
speziellen Ausführungsbeispiels einer Kristalloszil
latorschaltung zur Anregung eines piezoelektrischen
Kristalls, der als Teil eines Feuchtigkeitsmeßfüh
lers mit vier Anschlüssen, wie er in Fig. 8 darge
stellt ist, verwendet wird.
Ein wichtiges Merkmal der Erfindung besteht darin, daß
ein Feuchtigkeitsmeßfühlerelement bei einer automatisch
geregelten konstanten Temperatur betrieben wird, wobei
eine einheitliche Empfindlichkeit für Wasserdampf wiederhol
bar hergestellt wird und das Fühlerelement selbst bei
Bedarf leicht von Feuchtigkeit befreit werden kann, ohne
daß die Ansprechgeschwindigkeit beeinträchtigt wird. Ein
bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig.
1 gezeigt, in der ein Konstanttemperatur-Mikrowaagen-Sorp
tionshygrometer dargestellt ist. In einem Mikrowaagenmecha
nismus (10) wird ein piezoelektrisches Substrat (11) be
nutzt, das auf seinen beiden Oberflächen eine leitende
Beschichtung (12) und (15) aufweist. Die leitende Beschich
tung (12) hat die Form eines Widerstandsleitermusters,
welches zwei Anschlüsse (13 a) und (13 b) für elektrische
Verbindungen aufweist. Die aufgebrachte leitende Beschich
tung (12) ist ein Widerstandsmetall mit hohem Temperatur
koeffizienten, wie Platin, so daß derselbe Widerstand
(12) als Heizelement verwendet und gleichzeitig seinen
eigenen Widerstand detektieren kann, wenn er in einer
rückkopplungsgeregelten Wheatstone-Brückenschaltung (12,
21, 22, 23) betrieben wird, in der ein Differenzverstär
ker (24) dazu verwendet wird, die Rückkopplungsregelschlei
fe zu schließen und eine Erregung der Brücke zu bewirken.
Das Widerstandsleitermuster (12) ist mit einer dünnen
Schicht aus Aluminiummetall bedeckt, die anodisiert ist,
um die Aluminiummetallschicht in eine dünne, mikroporöse
Aluminiumoxidbeschichtung (16) (Fig. 2) zu verwandeln,
welche zur Adsorption von Wasserdampfmolekülen in der
Lage ist. Im allgemeinen haben Festkörperoberflächen und
Metalloxide das Bestreben, Gas zu absorbieren, um ihre
Oberflächenenergie abzusenken. Es ist die Aluminiumoxidbe
schichtung (16), welche auf Änderungen der Umgebungsfeuch
tigkeit oder des atmosphärischen Wasserdampfgehaltes an
spricht. Aluminiumoxid-Sorptionshygrometer sind bekannt
für die ihnen eigene schnelle Ansprache aufgrund der Dünnig
keit der Aluminiumoxidbeschichtung in Verbindung mit einem
hohen Adsorptionswirkungsgrad. Man erhält einige
7,7×1010 Poren pro Quadratzentimeter mit einem Durchmes
ser von 100 bis 300 A mit einer effektiven Adsorptionsflä
che von bis zu 0,2 m2 pro cm2 der Aluminiumbeschichtung
(16). Die Feuchtigkeitsmessung erfolgt durch buchstäbliches
Wiegen der Menge des Wasserdampfes, welche in die Aluminium
oxidschicht (16) auf dem Leiter (12) sorbiert ist. Wenn
die sorbierte Feuchtigkeit zunimmt, wird der Kristall
(11) mit Masse beladen und die Frequenz seiner Hochfrequenz
(HF)-Schwingung wird gesenkt, wodurch an einem Ausgang
(28) des Oszillators (5) ein Maß für die Feuchtigkeit
geliefert wird. Aluminiumoxid-Sorptionshygrometer sprechen
über einen sehr weiten Bereich von Dampfdrücken auf den
Wasserdampfdruck an. In der Regel ist die sorbierte Menge
proportional zum Wasserdampfpartialdruck und umgedreht
proportional zur absoluten Temperatur. Die starke Affinität
von Wasser für Aluminiumoxid macht diese Einrichtungen
in hohem Maße selektiv für Wasser. Sie sprechen nicht
auf die meisten anderen verbreiteten Gase an, ebensowenig
auf viele organische Gase und Flüssigkeiten. Eine dicke
Aluminiumschicht, bis zu 1 µm, zeigt vor allem eine Charak
teristik für die relative Feuchtigkeit, während bei einer
dünnen Aluminiumoxidschicht unterhalb von 0,3 µm eine
Charakteristik für die absolute Feuchtigkeit vorherrscht.
Wegen seiner Stabilität, den elektrischen Eigenschaften
und der Beständigkeit gegen Oxidbildung ist Platin das
bevorzugte Material für die Leiterbeschichtung (12). Nickel
kann ebenfalls für die Leiterbeschichtung (12) verwendet
werden, obwohl die maximalen Betriebstemperaturen wesent
lich niedriger sind als diese für Platin, um den Curie-
Punkt für Nickel bei 358°C zu vermeiden, oberhalb welchem
Nickel der Oxidation unterliegt. Da die nützliche Oxid
schicht die Aluminiumoxidschicht (16) ist, kann eine
Streuoxidation von anderen in der Konstruktion des Meßwand
lers benutzten Metallen die Leistungsfähigkeit des Hygrome
ters verschlechtern. Die Verarbeitungsmethoden für Platin
und Nickel unterscheiden sich und können bei der Auswahl
und Herstellung des Materials für den Meßwandler eine
Rolle spielen. Wenn Nickel als Widerstandsleiter (12)
verwendet wird, kann die Vakuumaufbringung von Nickel
und entweder die elektrochemische oder Vakuumaufbringung
der Aluminiummetallschicht (16) hohe Verarbeitungstempe
raturen vermeiden.
Die Leiterschicht (15) (Fig. 3) auf der gegenüberliegenden
Oberfläche des Kristallsubstrats (11) kann auch aus Platin
hergestellt sein und wird als Kondensatorplatte oder HF-
Elektrode des Kristalloszillator-Meßwandlerelements (10)
verwendet. Die Hochfrequenzelektrode (15) wird mit der
Oszillatorschaltung (5) durch eine Leitungsverbindung
(17) verbunden. Das Kristallsubstrat (11) ist das Dielektri
kum des Kondensators. Wenn bei konstanter Temperatur in
der örtlichen Umgebung der erhitzten Kristalloberfläche
oberhalb der Taupunkttemperatur sorbierter Wasserdampf
detektiert wird, erhält man wiederholbare und unzweideutige
Betriebsbedingungen, so daß unter Verwendung eines einzigen
Kristalloszillators eine brauchbare Feuchtigkeitsmessung
erfolgen kann. Die Frequenzdrift des temperaturgeregel
ten Kristalloszillators wird vernachlässigbar klein vergli
chen mit den durch die Wasserdampfsorption in der Oxid
schicht bewirkten Änderungen der Oszillatorfrequenz. Von
Zeit zu Zeit oder wenn der Meßwandler zufällig mit Wasser
vollgesogen ist, kann die aktive Aluminiumoxidschicht
(16) desorbiert oder getrocknet werden, indem die Tempera
tur des Widerstandsleitermusters (12) auf über den Siede
punkt des Wassers erhitzt wird. Das schnelle Ansprechen
des Hygrometers wird verbessert durch die konstante erhöhte
Betriebstemperatur der Adsorptionsschicht (16) oberhalb
der erwarteten maximalen Taupunktstemperatur, so daß sie
niemals mit Wasserdampf gesättigt wird. Eine primäre Funk
tion der Widerstandsleiterbeschichtung (12) besteht darin,
die Aluminiumoxidschicht (16) zu erhitzen, welche sich
in extrem engem Kontakt befindet, und eine zweite Funktion
der Erhitzung des Leiters (12) besteht darin, das Substrat
(11) des Kristalloszillators auf der gleichen konstanten
Temperatur oder in einem engen Temperaturbereich zu hal
ten. Die andere Seite des die Elektrode (15) tragenden
Kristalls (11) wird sich auf einer geringfügig niedrigeren
Temperatur befinden aufgrund des thermischen Nachhinkens
des Temperaturstromes von der Leiterbeschichtung (12)
durch das Kristalldielektrikum (11) und auch aufgrund
von lokalen Konvektionskühlungsverlusten. Das sich ergeben
de Feuchtigkeitsmeßfühlerelement ist eine elektrische
Einrichtung mit drei Anschlüssen, die aus einem oxidbe
schichteten Widerstand und einem Kondensator mit einem
piezoelektrischen Dielektrikum besteht, wobei beide Schal
tungselemente sich einen elektrischen Anschluß und ein
gemeinsames Substrat teilen. Das Meßwandlerelement wirkt
als ein Konstanttemperatur-Mikrowaagen-Sorptionshygrome
ter, wenn das Widerstandselement als ein Arm in einer
rückkopplungsgeregelten Wheatstone-Brücke mit einem Treiber
verstärker enthalten ist und das Kondensatorelement von
einer Hochfrequenzoszillatorschaltung erregt wird, wodurch
eine Einrichtung zur Ausgabe eines die Feuchtigkeitsmessung
repräsentierenden Signals geschaffen wird, welche durch
eine Frequenzabweichung angezeigt wird.
Obwohl das bevorzugte Ausführungsbeispiel eine die Wider
standsheizelektrode bedeckende Aluminiumoxidschicht be
schreibt, sollte festgestellt werden, daß die Empfindlich
keit des Hygrometers des Wandlers durch Aufbringen der
Sorptionsschicht auf beide Oberflächen des Kristallsub
strats erhöht werden kann, wobei die beiden Flächen des
Widerstandsleiters (12) und der HF-Elektrode (15) bedeckt
werden. Im Extremfall kann das Kristallsubstrat (11)
mit den Leitern (12) und (15) vollständig mit Aluminiumme
tall bedeckt werden, welches dann anodisiert wird, um
über dem gesamten Meßwandler (10) eine Aluminiumoxidschicht
zu bilden, obwohl dafür eine extreme Sorgfalt notwendig
ist, um die gesamte Aluminiumschicht in ihre oxidierte
Form umzuwandeln. Wenn das Meßwandlerelement (10) für
Hochtemperaturanwendungen bestimmt ist, wird die Aluminium
beschichtung vorzugsweise nur auf den Schichtflächen (12)
und (15) des Platinleiters aufgebracht, weil es notwendig
ist, jedes bißchen der Aluminiummetallschicht vollständig
in Aluminiumoxid zu oxidieren, um die Temperaturstabilität
sicherzustellen.
Wiederum unter Bezugnahme auf Fig. 1, bildet der Wider
standsleiter (12) mit dem Serienleistungswiderstand (21)
die hochstromigen Arme einer vierarmigen Wheatstone-Brücke,
die durch Widerstände (22) und (23) vervollständigt wird,
welche die Bezugsarme der Brücke bilden. Da der Widerstands
leiter (12) ein Platinwiderstand ist, welcher einen hohen
positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstands hat,
wird jeder Stromfluß eine Selbsterhitzung zusammen mit
einer Zunahme des Widerstands des Leiters (12) bewirken.
Die Widerstände (21, 22) und (23) haben alle einen nahezu
verschwindenden oder niedrigen Temperaturkoeffizienten
des Widerstands und eine Selbsterhitzung aufgrund des
Stromflusses bewirkt eine vernachlässigbare Widerstands
änderung. Wenn die Widerstandsverhältnisse der Widerstände
23 zu 22 und 21 zu 12 dieselben sind, wird zwischen den
Punkten (25) und (26) kein Fehlersignal erzeugt, und es
wird der Spitze der Brücke am Punkt (27) kein Strom zuge
führt durch den Differenzverstärker (24), dessen Eingänge
der Brücke an den Punkten (25) und (26) parallelgeschaltet
sind. Die Rückführung (20) der Brücke ist mit Masse (19)
verbunden. Am Ausgang des Verstärkers (24) muß eine kleine
Offset-Spannung vorliegen, wenn die Schaltung am Anfang
angeschaltet wird, und der Widerstandsleiter (12) sich
auf Umgebungstemperatur befindet, so daß ein kleiner auf
grund der Offset-Spannung fließender Brückenstrom
ausreicht, um ein kleines Fehlersignal zwischen den Punkten
(25) und (26) zu erzeugen, so daß es der Schaltung ermög
licht wird, sich selbst in einen Betriebszustand zu bringen.
Der Widerstandswert des Widerstandes (22) wird so gewählt,
daß der Abgleich der Brücke am Betriebspunkt für den Wider
standsleiter (12) bei der gewünschten erhöhten konstanten
Temperatur erreicht wird, und die Rückkopplungsschleife
derart arbeitet, daß der Strom durch die Brücke automatisch
eingestellt wird, bis der Widerstand des Widerstandsleiters
(12) ansteigt und den Widerstandswert erreicht, bei welchem
die Brücke abgeglichen wird. Die oben beschriebene Betriebs
weise ist eine Betriebsweise bei konstanter Temperatur
(konstant am Widerstand), welche auf dem Gebiet der ther
mischen Anemometrie wohlbekannt ist.
Eine detaillierte Diskussion der Konstanttemperatur-Anemo
meterschaltung kann auf den Seiten 59 bis 64 eines
Buches "Hot-wire Anemometry", A.E. Perry, 1982, Oxford
University Press, Oxford, England, ISBN 0-19-8 56 327-2,
das auch von Oxford University Press, New York, USA, veröf
fentlicht ist, gefunden werden.
Bei einer typischen Brückenschaltung kann der Widerstand
des Leiters (12) beispielsweise 5 Ohm bei einer Raumtempera
tur von 18°C betragen. Der Leistungswiderstand (21) kann
einen Wert von 2 Ohm haben und einen niedrigen Temperatur
koeffizienten des Widerstands sowie angemessene körperliche
Ausmaße, so daß die Selbsterhitzung keine nennenswerte
Änderung seines nominalen Widerstandswertes bei sich verän
dernden Betriebsstromwerten bewirkt, da er den gesamten
Heizstrom für den Widerstandsleiter (12) führen muß. Mit
einem nominalen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes
von 3800 ppm/°C wird der Widerstandsleiter (12) bei einer
Temperatur von 50°C einen Widerstandswert von ungefähr
5,608 Ohm annehmen. Wenn der Widerstand (23) 499 Ohm hat,
beträgt der Wert des Widerstandes (22), der notwendig ist,
um die Brücke abzugleichen, 1399,2 Ohm für eine Selbster
hitzungstemperatur des Widerstandsleiters von 50°C. Der
Siedepunkt des Wassers, nämlich 100°C, kann mit einem
Wert von 1636,2 Ohm für den Widerstand (22) erreicht werden.
Fig. 1a zeigt einen Ausschnitt aus der Wheatstone-Brücke
von Fig. 1, wobei ein Widerstand (29) mit dem Widerstand
(22) in demselben Arm der Brücke in Serie geschaltet ist,
zusammen mit einem Schalter (30), der dem Widerstand (29)
parallelgeschaltet ist, welcher in einer geschlossenen,
den Widerstand (29) kurzschließenden Stellung dargestellt
ist. Wenn der Schalter (30) geschlossen ist, sind die
Schaltungen der Fig. 1 und 1a elektrisch gesehen iden
tisch. Wenn der Widerstand (29) 237 Ohm beträgt, wird
sich beim Öffnen des Schalters (30) der Gesamtwiderstand
der Widerstände (22) und (29) auf 1636,2 Ohm erhöhen und
bewirken, daß sich die geregelte Temperatur des Widerstands
leiters (12) auf 100°C erhöht. Ein Widerstandswert für
den Widerstand (29) von 355,5 Ohm wird die geregelte Tempe
ratur für den Widerstandsleiter (12) auf 125°C erhöhen,
was hoch genug ist, um die Aluminiumoxidschicht (16) effek
tiv zu desorbieren, indem der gesamte sorbierte Wasserdampf
verdampft wird. Der normale Betrieb des Meßwandlers (10)
als Sorptionshygrometer wird wieder mit dem Schließen
des Schalters (30) aufgenommen. Der Schalter (30) kann
als Kippschalter, als fernsteuerbarer Halbleiterschalter,
als Digitalschalter oder als irgendein vergleichbarer
Lokal- oder aus der Ferne betätigbarer Schalter vorgesehen
sein. Das Zusammenschalten mit dem ausgewählten Bezugs
widerstand ergibt ein Verfahren zum wahlfreien nicht-perio
dischen oder programmierten zyklischen Sorptions/Desorp
tions-Betrieb des Meßwandlers (10). Obwohl für die Wahl
des Bezugswiderstandes eine Serienwiderstandsschaltung
gezeigt worden ist, sind Parallelwiderstandskombinationen
ebenso wie mehrere ausgewählte Kombinationen zusammen
mit der Wahl des Schalters gleichermaßen erfolgreich.
Fig. 2 ist eine perspektivische Darstellung eines bevorzug
ten Ausführungsbeispiels eines Feuchtigkeitsmeßfühlers
(10) gemäß der vorliegenden Erfindung. Elektrisch ist
er unter Bezug auf die Fig. 1 beschrieben worden. Der
Meßwandler (10) ist auf einem Substrat (11) vorgesehen,
welches ein piezoelektrisches Dielektrikum ist, wie ein
Quarzkristall, der zu einem Betrieb als HF-Oszillator
im Bereich 1 bis 20 MHz vorgesehen ist. Ein typischer
Kristallrohling hat einen Durchmesser von ungefähr 1 cm
und eine Dicke von 0,016 cm und ein fertiggestellter und
beschichteter Kristall schwingt bei Verbindung mit einer
elektrischen Oszillatorschaltung bei einer natürlichen
Resonanzfrequenz von ungefähr 9 MHz. Im allgemeinen wird
ein standardisierter AT-geschnittener 10 MHz-Dicken
scherungsschwingungs- Quarzkristallrohling im Grund
schwingungsmodus verwendet, da dieser einen weiten
Temperaturbereich, in welchem die Frequenz nahezu konstant
ist, aufweist und die Oberflächenbewegung bei einem sauber
geschnittenen Kristall vernachlässigbar ist. Piezo
elektrische Materialien, wie Turmalin, Rochellesalz, Barium
titanat, Ammoniumdihydrogenphosphat und andere können
ebenso verwendet werden, obwohl Quarzkristallrohlinge
bei mäßigen Kosten am weitesten verbreitet sind. Quarz
kristallrohlinge sind beispielsweise von der Bliley Electric
Co., CTS Corp., Valpey-Fisher Corp. und vielen anderen
erhältlich.
Das Widerstandsleitermuster (12) wird in einem Serpentinen-
oder Zick-Zack-Muster aufgebracht, um seinen Widerstand
zu erhöhen und eine gleichförmige Bedeckung und Widerstands
verteilung entlang der Länge des Widerstandsweges aufrecht
zuerhalten. Andererseits kann es über die gesamte Fläche
des Substrats (11) aufgebracht und dann abgeschnitten
oder abgetragen werden, um einen längs ausgedehnten und
in der elektrischen Weglänge einförmigen Widerstand zu
bilden. Das Schneiden oder Formgeben des Widerstandsmusters
kann durch Laserabtragungstechniken oder durch eine Gasab
tragungsvorrichtung erfolgen. Platinmetall ist das bevorzug
te Material für den Widerstandsleiter (12) und kann leicht
erhalten werden, durch die "Paint and Fire"- oder "Paint
and Bake"-Technik. Eine Platinpaste wird buchstäblich
auf das Substrat (11) aufgedruckt unter Verwendung von
Methoden, wie sie bei der Mikroschaltungs-Dickfilmtechnik
verwendet werden. Ein Beispiel für die Platinpaste, welche
im Handel als "Platintinte" bezeichnet wird, ist Engelhard
Industries #6082 oder #6926, welche so verwendet wird,
als wäre es Druckerfarbe. Das Widerstandsmuster kann durch
Siebdruck aufgetragen werden oder durch Rollenübertragung,
wobei die abgerakelte Paste von einer Glasplatte oder
einer polierten Metallplatte mittels einer weichen Gummi
rolle auf das Kristallsubstrat übertragen wird. Die Aufbrin
gung durch Siebdruck ist insoweit vorteilhaft, als daß
leicht einförmige Filme aufgebracht und ein definiertes
Widerstandsmuster bei niedrigen Kosten von Einheit zu
Einheit fertig reproduziert werden kann. Nach dem Trocknen
wird das gedruckte Substrat (11) in einem elektrischen
Brennofen oder einem Bandofen in Luft auf 800 bis 850°C
erhitzt. Reduzierende Atmosphären sind dabei zu vermeiden.
Nach dem Brennen des Platinwiderstandsleiters (12) und
dem Zurechtschneiden oder Trimmen, falls notwendig, wird
über den Widerstandsleiter (12) eine Schicht (16) aus
Aluminiummetall aufgebracht, wobei Flächen (14 a) und (14 b)
von Aluminiummetall frei bleiben, so daß später Leiterdräh
te (13 a) und (13 b) angebracht werden können. Die Aluminium
schicht kann unter Verwendung von Aluminiumtinte, Elektro
niederschlagungs- oder Vakuumverdampfungs-Techniken aufge
bracht werden. Die Verwendung von Aluminiumtinte ist am
wenigsten kostspielig und benötigt keine exotische oder
komplizierte Fabrikationsausrüstung. Beispiele für Alumi
niumtinten sind Engelhard Industries #A-3113 und #A-3484.
Aluminiumtinten werden ebenso in Luft und auf Temperaturen
im Bereich von 550 bis 675°C erhitzt. Unter bestimmten
Bedingungen könnten Erhitzungstemperaturen auf 900°C für
die Tinte #A-3113 notwendig sein, wenn eine molekulare
Bindung auf das Substrat selbst beabsichtigt ist. Die
niedrigere Temperatur kann verwendet werden, wenn das
Aluminium direkt über dem Platinmetalleiter aufgebracht
wird, welcher nach dem Trennen eine leicht mattierte Ober
fläche aufweist. Die höhere Temperatur ist angezeigt,
wenn die gesamte Fläche des Kristalls mit Aluminiummetall
bedeckt werden soll.
Nach dem Brennen wird die Oberflächenschicht (16) aus
Aluminium oxidiert, um eine mikroporöse Aluminiumoxidschicht
zu bilden, welche in Fig. 2 ebenso mit (16) bezeichnet ist,
da eine vollständige Umwandlung des Materials stattfindet.
Typischerweise kann das Oxid durch einen anodisierenden
Prozeß gebildet werden, bei dem ein Wechselstrom durch
eine erhitzte Schwefelsäurelösung geführt wird, in welche
der Meßwandler (10) gehängt ist, wobei mit einer Klemme
eine elektrische Verbindung mit der Fläche (14 a) oder
(14 b) des Widerstandsleiters (12), die nicht mit Aluminium
beschichtet ist, hergestellt wird. Die Säurelösung kann
20 bis 70 Vol.% Schwefelsäure enthalten und wird von außen
durch eine geeignete Heizvorrichtung auf eine Temperatur
von ungefähr 21°C bis 38°C erwärmt. Ein Wechselstrom von
54 bis 270 Ampere pro m2 der anodisierenden Oberfläche
fließt durch die Lösung während der Meßwandler in diese
gehängt ist. Die Zeitdauer reicht von 10 bis 80 Minuten,
je nach dem Prozentsatz der Säure in der Lösung, der Lö
sungstemperatur, der Stromdichte und der gewünschten Tiefe
der Anodisierung. In früheren Patenten und in Betriebsanwei
sungen ist berichtet worden, daß zufriedenstellende Anodi
sierungsbeschichtungen erhalten werden bei Verwendung
einer 50%-igen Schwefelsäurelösung mit einem spezifischen
Gewicht von 1,4 bei einer Temperatur von 32,2°C (90°F)
mit einem Wechselstrom von 129 Ampere pro m2 (12 Ampere
pro Quadratfuß) der anodisierenden Oberfläche während
einer Anodisierung über eine Zeit von 25 bis 30 Minuten.
Nach der Anodisierung kann es notwendig sein, die Aluminium
oxidbeschichtung (Al2O3) zu stabilisieren, um eine Verände
rung der Feuchtigkeitsadsorptionseigenschaften in Abhängig
keit von der Zeit und der Exposition zu verhindern. Dies
kann erfolgen, indem der Maßwandler (10) in destilliertem
Wasser für eine Zeit von 30 bis 45 Minuten gekocht wird,
wonach die Oberfläche mit einer Bürste geschrubbt wird,
um die deutlich abgelöste Schicht von Aluminiumoxidpulver,
welche sich während der Alterung im kochenden Wasser gebil
det hat, zu entfernen. Diese ergibt die harte stabile
Form von hydriertem Aluminiumoxid, von dem die unhydrierte
oder kristalline Modifikation als Boehmit
(γ-Al2O3×H2O) bezeichnet wird.
Wenn beide Seiten des Substrats in geeigneter Weise be
schichtet sind, werden die Leitungsdrähte (13 a) und (13 b)
an den freien Platinflächen (14 a) und (14 b) befestigt,
entweder unter Verwendung von federähnlichen Klammern,
durch Mikroschweißen oder durch Weichlöten, um elektrische
Verbindungen mit dem Leiter (12) herzustellen. Die Leitungs
drähte (13 a) und (13 b) können verzinntes Kupfer, Nickel,
plattierter Stahl oder ein anderes geeignetes Material
sein. Bei der Verwendung von Lot muß auf die Verwendung
von für Platin geeigneten Lot geachtet werden, wenn das
Leitermuster (12) aus Platin hergestellt ist, da die Verwen
dung von üblichem Zinn-Blei-Weichlot eine möglicherweise
fehlerhafte Lötstelle wirken kann infolge eines instabilen
Amalgams mit dem Platinmetall.
Der vollständig fertiggestellte Hygrometermeßwandler (10)
kann einem letzten Alterungsschritt unterzogen werden,
der analog dem Lösungsglühen ist, um Verunreinigungen
oder hygroskopische Materialien, die während der Herstel
lung aufgenommen worden sind, auszutreiben, die "Korn"-Größe
des Aluminiumoxids zu stabilisieren und die Anzahl von
vorhandenen Rissen und Sprüngen zu vermindern. Dies kann
erfolgen durch Ausbacken der Meßwandlerbaugruppe bei einer
Temperatur von 200°C bis 350°C für eine Zeitdauer zwischen
30 und 90 Minuten.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht der Rückseite
des in Fig. 2 dargestellten Feuchtigkeitsmeßwandlers (10).
Eine einzige HF-Elektrode (15) ist als einfache Scheibe,
welche den größten Teil der Fläche des Kristallsubstrats
(11) bedeckt, dargestellt und sie wirkt als eine Kondensa
torplatte eines Hygrometermeßwandlers (10) mit drei An
schlüssen. Die Elektrode (15) kann ebenso aus Platinmetall
hergestellt sein, welches in derselben Weise aufgebracht
wird, wie das zu der Herstellung des Widerstandsschicht
musters (12) verwendete. Ein einziger Anschlußdraht (17)
ist mit einer Fläche (18) in der gleichen Weise verbunden
wie die Leitungsdrähte (13 a) und (13 b) an dem Leiter (12)
angemacht sind. Um eine übermäßige Massenbelastung der
Oberfläche des Substratkristalls (11) zu vermeiden, ist
es vorteilhaft, alle Leitungsbefestigungen, nämlich (14 a,
14 b) und (18) an der äußeren Kante oder Peripherie des
Substrats (11) anzubringen, wo die Schwingungsscherspan
nungen am wenigsten ausgeprägt sind.
Fig. 4 ist eine Schnittansicht der in Fig. 2 dargestellten
Struktur des Feuchtigkeitsmeßfühlers (10) entlang der
dort gezeigten Linie 4-4 mit Blickrichtung in Richtung
der Pfeile. Das dargestellte piezoelektrische Kristallsub
strat (11) trägt den Widerstandsleiter (12) und die
HF-Elektrode (15) auf gegenüberliegenden Flächen. Wie
gezeigt, bedeckt die Aluminiumoxidbeschichtung (16) den
Widerstandsleiter (12). Aus dieser Schnittansicht ist
ersichtlich, daß der Widerstandsleiter (12) auch als eine
zweite Kondensatorplatte der unter Bezugnahme auf die
Fig. 1 als Meßwandler (10) beschriebenen elektrischen
Einrichtung mit drei Anschlüssen verwendet werden kann.
Fig. 5 ist ein spezielles Ausführungsbeispiel einer HF-
Kristalloszillatorschaltung, welche gemäß der folgenden
Erfindung verwendet werden kann, um einen piezoelektrischen
Kristall der hier beschriebenen Art, welcher Bestandteil
des Hygrometermeßwandlers (10) ist, im Grundschwingungs-Mo
dus zu erregen. Es ist eine Colpitts-Oszillatorschaltung
dargestellt, obwohl viele andere Oszillatorschaltungen
verwendet werden können, beispielsweise der Pierce-Oszilla
tor, der Hartley-Oszillator und seine Abwandlungen, der
Schmitt-Trigger-Oszillator, der TTL-Oszillator und viele
Arten von anderen rückgekoppelten Oszillatoren, wie sie
dem Fachmann wohlbekannt sind. Der dargestellte Colpitt-Os
zillator ist dafür ausgelegt, mit Grundschwingungs-Moden-
Kristallen im Bereich von 1 MHz bis 20 MHz zu arbeiten.
Typischerweise wird dem Punkt (31) eine Kollektorversor
gungsspannung von +12 Volt zugeführt und die Radiofrequenz
mit einem Kondensator (32), der 0,01 Mikrofarad betragen
kann, auf Masse abgeleitet. Der Transistor (33) kann ein
Typ 2N 2222, 2N 4124 oder ein ähnlicher Allzweck-Silizium
transistor sein. Die Rückkopplung wird durch einen Kondensa
torspannungsteiler 34/35 mit Werten von typischerweise
82 Picofarad bzw. 0,001 Mikrofarad geregelt. Die HF-Span
nung an einem Emitterwiderstand (36) mit 1000 Ohm liefert
das Basisrückkopplungssignal, das zum Unterhalten der
Schaltungsschwingung notwendig ist. Ein Vorspannungswider
stand (37) kann 220 000 Ohm betragen. Ein einstellbarer
Trimmkondensator (38) kann bis zu 50 Mikrofarad betragen
und ist in Serie geschaltet mit dem Anschluß (17) der
HF-Elektrode (15) des Meßwandlers (10). Die zweite Kondensa
torelektrode des Meßwandlers (10), die durch die Verbindung
der Seite niedrigeren Potentials des Widerstandsleiters
(12) gegeben ist, wird mit dem Massepotential über den
Leitungsdraht (13 a) verbunden, wodurch die Oszillatorschal
tung vervollständigt wird. Das HF-Ausgangssignal (28)
der Oszillatorschaltung wird von dem Emitter des Transistors
(33) über einen Kopplungskondensator (39) mit 0,001 Mikro
farad abgenommen. Die Abweichungen des Oszillatorausgangs
signals für Feuchtigkeitsänderungen von null, also Trocken
heit, bis zur Sättigung reichen von -102 bis -104 Hz für
einen typischen Feuchtigkeitsmeßwandler (10) nach der
vorliegenden Beschreibung. Das Vorhandensein von 1 Mikron
(1/1000 mm Quecksilbersäule) Wasserdampf bei 50°C kann
eine Signalverschiebung von -10 bis -20 Hz oder besser
ergeben. Bei niedrigeren Betriebstemperaturen erhöht sich
die Empfindlichkeit während sich die Ansprechzeit des
Meßwandlers verlängert. Ein typischer 15 MHz-Kristall
mit Elektroden mit 5 mm Durchmesser hat beispielsweise
eine vorgegebene Massenbeladungsempfindlichkeit von un
gefähr 2600 Hz pro Mikrogramm. Ähnlich hat ein typischer
10 MHz-Kristall mit Elektroden mit 7 mm Durchmesser eine
vorgegebene Massenbeladungsempfindlichkeit von ungefähr
600 Hz pro Mikrogramm. Die Detektionsgrenze wird auf unge
fähr 10-12 Gramm abgeschätzt bei der Verwendung der
Kristallmikrowaagentechnik.
Fig. 6 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel des Feuchtig
keitsmeßfühlers (10) alternativ zu dem in Fig. 4 gezeigten
Schnitt, in welchem die Aluminiumoxid-Sorptionsschicht
(16), wie gezeigt, auf beiden Flächen des Meßwandlers
(10) die HF-Elektrode (15) ebenso wie den Widerstandsleiter
(12) bedeckt. Die Beschichtung beider Flächen des Feuchtig
keitsmeßwandlers (10) kann die Oberfläche der den Wasser
dampf sorbierenden Beschichtung (16) aus Aluminiumoxid
effektiv verdoppeln, was zu einer wesentlichen Zunahme
der Meßwandlerempfindlichkeit führt, ohne daß das piezoelek
trische Kristallsubstrat (11) besonders stark belastet
wird.
Fig. 7 zeigt wie Fig. 4 einen Schnitt, der ein weiteres
Ausführungsbeispiel des Feuchtigkeitsmeßwandlers nach
Fig. 2 darstellt, wobei der gesamte Meßwandler (10) mit
einer sorbierenden Beschichtung (16 a) bedeckt ist. Die
Beschichtung (16 a) kann Aluminiumoxid sein, ein hygrosko
pisches Polymer oder Copolymer, zerfließende Salze oder
ein ähnliches feuchtigkeitsempfindliches Material. Im
allgemeinen ist Aluminiumoxid eine bevorzugte wirksame
empfindliche Beschichtung langer Lebensdauer, jedoch wenn
niedrigste Kosten ein wesentlicher Faktor sind, wird die
Verwendung von durch Tauchen aufgebrachten hygroskopischen
Beschichtungsmaterialien attraktiv. Viele getauchte Be
schichtungen sind problematisch in der Anwendung, wenn
die Atmosphäre gesättigt ist oder die Beschichtungen naß
werden, und sie zeigen oft eine Instabilität und Hysterese.
Der Hygrometerbetrieb bei konstanter Temperatur gemäß
der vorliegenden Erfindung vermindert viele dieser Nach
teile und bei bestimmten Anwendungen kann ein Desorptions/
Sorptions-Zyklus unmittelbar vor der Anwendung die Funktion
des Hygrometers weiter verbessern, wie im Falle von Niedrig
preis-Einweg-Ballonsonden. Typische hygroskopische Polymere
enthalten Hydroxyl-Ethyl-Zellulose, Carboxyl-Methyl-Zellu
lose und Zelluloseester. Beispiele von hygroskopischen
Copolymeren sind Vinylencarbonat und Vinylacetat neben
anderen. Diese Materialien können lösungsmittelgelöst
sein, und sie können durch einfaches Eintauchen des Meßwand
lers (10) in das flüssige Material aufgebracht werden,
dann in der Luft oder im Ofen getrocknet werden, gefolgt
von einer Hydrolisierung der Beschichtung durch Eintauchen
des beschichteten Meßwandlers (10) in ein saures oder
alkalisches Bad für eine bestimmte Zeitdauer. Die Verwen
dung solcher Materialien und Verarbeitungsverfahren sind
in den US-PSen 33 50 941, 35 82 728 und 38 02 268 beschrie
ben, welche die Anwendung von Polymer- und Copolymerfilmen
für Kapazitätsfeuchtigkeitsmeßwandler angeben, und in
der US-PS 45 62 725, in der auf piezoelektrische Feuchtig
keitsfühler aufgebrachte Feuchtigkeitsfühler aufgebrachte
feuchtigkeitsempfindliche Polymere und Copolymere beschrie
ben sind.
Arnold Wexler "Electric Hygrometers", 3. September 1957,
National Bureau of Standards Circular 586, U.S. Government
Printing Office, Washington, gibt weitere nützliche Sorp
tionsbeschichtungen an, einschließlich Metalloxidfilmen,
Salzfilmen und Polymerharzen, die auf den Meßwandler (10)
zur Verwendung als feuchtigkeitsempfindliche Beschichtung
(16 a) aufgebracht werden können.
Fig. 8 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren
Ausführungsbeispiels des Meßwandlers (10) der Fig. 2,
in der eine zusätzliche zweite HF-Elektrode (40) darge
stellt ist, die mit dem Widerstandsleitermuster (12) ver
schachtelt oder fingerartig versetzt angeordnet ist. Ein
Leitungsdraht (42) ist mit der HF-Elektrode (40) am Punkt
(41) verbunden. Eine zweite vorgesehene HF-Elektrode (40)
erleichtert die vollständige elektrische Isolation der
Konstanttemperaturregelschaltung der Fig. 1 und der HF-
Oszillatorschaltung (5). Die Isolation dieser Schaltungen
kann vorteilhaft sein, wenn es die gewählte Oszillatorschal
tung notwendig macht, daß die HF-Elektrode (15) und (40)
frei gegen das elektrische Massepotential betrieben werden.
In diesem Ausführungsbeispiel wird der Feuchtigkeitsmeß
wandler (10) nun zu einer elektrischen Einrichtung mit
vier Anschlüssen, wobei zwei Anschlüsse mit einem Kondensa
torelement und zwei Anschlüsse mit einem Widerstandselement
verbunden sind. Die Sorptionsbeschichtung (16) ist sowohl
auf dem Widerstandsleitermuster (12) als auch auf der
HF-Elektrode (40) aufgebracht. Die Rückseite des Meßwand
lers (10) kann so, wie in Fig. 3 dargestellt, beschaffen
sein.
Fig. 9 ist eine schematische Darstellung einer JFET Pierce-
Kristalloszillatorschaltung, welche eine der einfachsten
Kristalloszillatorschaltungen ist unter dem Gesichts
punkt von einfachem Entwurf und geringer Teilezahl. Es
sollte bemerkt werden, daß die HF-Elektroden (15) und
(40) beide auf einem HF-Potential liegen. Daher sollten
die Kondensatorabschnitte (15) und (40) des Meßwandlers
(10) von dem Widerstandsleiterabschnitt (12) des Meßwand
lers getrennt sein, wie bei der in Fig. 8 dargestellten
Konfiguration des Meßwandlers (10) mit vier Anschlüssen.
Der JFET-Kristalloszillator erlaubt einen weiten Frequenz
bereich der verwendeten Kristalle ohne Abänderung der
Schaltung. Da der Gate-Anschluß des JFET den Kristall
nicht belastet, erhält man einen guten Q-Faktor, wodurch
eine hohe Frequenzstabilität sichergestellt wird. Typischer
weise kann der JFET (43) ein N-Kanal-Allzweck-Sperrschicht
feldeffekttransistor vom Typ 2N 5485 sein, der für HF-Ver
stärkungszwecke geeignet ist. Eine positive Versorgungs
spannung im Bereich von 5 bis 15 Volt am Punkt 44 ist
über eine HF-Drossel (45) mit dem Drain-Anschluß des JFET
43 verbunden, dessen Source-Anschluß auf Masse gelegt
ist. Der Gate-Anschluß des JFET 43 ist mit der Verbindung
eines 10-Megohm-Widerstandes (47) und dem Leitungsdrahtan
schluß (42) der Elektrode (40) des Meßwandlers (10) verbun
den. Die HF-Elektrode (15) des Meßwandlers (10) ist über
einen Leitungsdraht (17) mit einem 0,001-Mikrofarad-Konden
sator (46) verbunden, der ebenfalls mit dem JFET 43 verbun
den ist und ein HF-Ausgangssignal am Anschluß (28) liefert.
Die Anschlüsse (17) und (42) des Meßwandlers (10) können
vertauscht werden, ohne daß dessen Leistungsfähigkeit
beeinträchtigt wird. Die Anschlüsse (13 a) und (13 b) des
Meßwandlers (10), welche von dem Widerstandsleitermuster
(12) kommen, sind mit der in Fig. 1 dargestellten Konstant-
Temperaturrückkopplungsregelschaltung, wie sie vorstehend
beschrieben worden ist, verbunden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ergibt
sich durch die Anwendung eines Widerstandsleiters mit
von Null verschiedenen Temperaturkoeffizienten auf andere Ar
ten von Hygrometer-Meßwandlern mit Substratträgern und
auf Meßwandler mit Substratträgern im allgemeinen, welche
im Fachgebiet bekannt sind, wobei diese Meßwandler bei
einer rückkopplungsgeregelten konstanten Temperatur, wie
hier beschrieben, betrieben werden. Der besagte Widerstands
leiter kann direkt auf ein Substrat aufgebracht werden,
wenn es sich bei dem Substrat um ein elektrisch isolieren
des Material handelt, oder im Falle eines elektrisch leiten
den Substrats oder eines Nicht-Isolators kann der Wider
standsleiter über einer isolierenden Barrierenschicht
aufgebracht werden. Abhängig von der Konstruktion des
Meßwandlers kann auch eine isolierende Schicht oder eine
Barrierenschicht über dem Widerstandsleiter aufgebracht
werden, wobei die Meßwandlerstruktur als nächstes auf
und über diesen Schichten hergestellt wird. Typische isolie
rende Barrierenmaterialien finden sich unter den dielek
trischen Gläsern und Schutzschichten, wie sie in der Halb
leiterindustrie und in der Dickfilm- und Dünnfilm-Schal
tungsindustrie verwendet werden. Beispiele dafür sind
Engelhard Industries #A-3820, #A-3025 und #HD2008,
neben vielen anderen fertig verfügbaren Materialien. Sili
ziumoxid, Siliziumdioxid und Quarz sind ebenso eine Gruppe
von verwendbaren Isolationsmaterialien, welche durch Vakuum
bedampfungstechniken aufgebracht werden können. Der Stand
der Technik kennt viele Veröffentlichungen über verschiede
ne Arten von Meßwandlern, bei denen durch die Anwendung
der Lehre der vorliegenden Erfindung Nutzen gezogen werden
kann. Die US-PS 41 43 177 zeigt Beispiele von Feuchtigkeits
fühlern nach dem Kondensatorprinzip, bei denen ein poröses
Metalloxid verwendet wird. Diese Fühler können zusammen
mit einer Verbesserung ihrer Leistungsfähigkeit durch
Einbeziehung einer geregelten Konstanttemperatur-Wider
standsleitereinrichtung anstelle von getrennten Widerstands
heizelementen und Widerstandstemperaturdetektoren oder
Halbleitertemperatursensoren vereinfacht werden. Die Lei
stungsfähigkeit des aus der US-PS 35 23 244 bekannten
Aluminiumoxid-Feuchtigkeitssensors nach dem Kondensator
prinzip ebenso wie des aus der US-PS 41 64 868 bekannten
kapazitiven Feuchtigkeitsmeßwandlers können verbessert
und vergrößert werden, durch die Anwendung der Lehren
der vorliegenden Erfindung in Bezug auf den Betrieb mit
geregelter Temperatur. Ein weiteres Beispiel einer Gruppe
von Meßwandlern, welche aus der Anwendung der vorliegenden
Erfindung Vorteile ziehen können, sind Oberflächenakustik
welleneinrichtungen, die als gasdetektierende und chemi
kaliendetektierende Filme und Beschichtungen tragende
Substrate verwendet werden.
Claims (20)
1. Hygrometer, gekennzeichnet durch
ein piezoelektrisches Substrat (11) mit einem daran angebrachten sorbierenden Material (16);
eine Heizeinrichtung, die geeignet ist, das Substrat (11) auf einer konstanten Temperatur zu halten;
Elektroden (12, 15), die auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats (11) angebracht sind; und
eine Oszillatorschaltung (15), welche mit den Elektro den (12, 15) verbunden ist, um das Substrat (11) in Schwin gung zu versetzen und ein Signal proportional zur Schwin gungsfrequenz zu erzeugen, wobei die Schwingungsfrequenz in einer Beziehung zur Menge des sorbierten Wassers steht.
ein piezoelektrisches Substrat (11) mit einem daran angebrachten sorbierenden Material (16);
eine Heizeinrichtung, die geeignet ist, das Substrat (11) auf einer konstanten Temperatur zu halten;
Elektroden (12, 15), die auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats (11) angebracht sind; und
eine Oszillatorschaltung (15), welche mit den Elektro den (12, 15) verbunden ist, um das Substrat (11) in Schwin gung zu versetzen und ein Signal proportional zur Schwin gungsfrequenz zu erzeugen, wobei die Schwingungsfrequenz in einer Beziehung zur Menge des sorbierten Wassers steht.
2. Hygrometer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Heizeinrichtung einen Widerstandsleiter (12) mit
einem Temperaturkoeffizienten enthält, der an einer Oberflä
che des Substrats (11) angebracht ist, und eine elektrische
rückkopplungsgeregelte Schaltung (21, 22, 23, 24), die
geeignet ist, den Widerstandsleiter (12) bei einem konstan
ten Widerstand zu halten.
3. Hygrometer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß sich das sorbierende Material (16) auf dem Widerstands
leiter (12) befindet.
4. Hygrometer nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Widerstandsleiter (12) ein Serpentinenmuster auf
dem Substrat (11) bildet.
5. Hygrometer nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß auf der zweiten Seite des Substrats
(11) sorbierendes Material (16 a) enthalten ist.
6. Hygrometer nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das sorbierende Material (16 a)
das Substrat (11) und die Elektroden (12, 15) umgibt.
7. Hygrometer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Widerstandsleiter (12) eine der Elektroden auf
den gegenüberliegenden Seiten des Substrats (11) ist.
8. Hygrometer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Widerstandsleiter (12) und die Elektroden (40)
getrennt sind und fingerförmig verschachtelt auf einer
Oberfläche des Substrats (11) angeordnet sind.
9. Hygrometer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Widerstandsleiter (12) ein Arm einer Wheatstone-
Brücke (21, 22, 23, 12) ist, und durch einen Differenzver
stärker (24), welcher Strom durch den Widerstandsleiter
(12) schickt, um dessen Widerstand und Temperatur konstant
zu halten.
10. Hygrometer nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Arm (22) der Wheatstone-Brücke (21, 22, 23, 12)
eine Schalteinrichtung (29, 30) enthält, um den Widerstand
dieses Armes (22) so zu variieren, daß der konstante Wider
stand und die Temperatur des Widerstandsleiters (12) geän
dert wird.
11. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oszillatorschaltung (5)
ein Colpitts-Oszillator ist.
12. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator (5) ein Sperr
schichtfeldeffekttransistor (JFET)-Pierce-Kristalloszillator
ist.
13. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11) Quarz ist.
14. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11) ein Metall
ist, und durch eine nichtleitende Barriere zwischen dem
Metallsubstrat (11) und den Elektroden.
15. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das sorbierende Material
(16; 16 a) Aluminiumoxid ist.
16. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden Platin sind.
17. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das sorbierende Material (16;
16 a) ein hygroskopisches Polymer ist.
18. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das sorbierende Material (16;
16 a) ein hygroskopisches Copolymer ist.
19. Hygrometer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das sorbierende Material (16;
16 a) ein zerfließendes Salz ist.
20. Hygrometer, gekennzeichnet durch
ein Quarzsubstrat (11),
einen Widerstandsleiter (12) mit einem Temperaturkoef fizienten, der auf einer ersten Oberfläche des Quarzsub strats (11) aufgebracht ist;
eine Aluminiumoxidbeschichtung (16), die auf dem Widerstandsleiter (12) aufgebracht ist;
eine Elektrode (15), die auf einer zweiten Oberfläche des Quarzsubstrats (11) aufgebracht ist;
eine elektrische rückkopplungsgeregelte Schaltung (21, 22, 23, 24), die geeignet ist, den Widerstandsleiter (12) auf einem konstanten Widerstand zu halten; und
eine Oszillatorschaltung (5), die mit der Elektrode (15) und dem Widerstandsleiter (12) verbunden ist, um das Quarzsubstrat (11) in Schwingung zu versetzen und ein Signal proportional zur Schwingungsfrequenz zu erzeu gen, wobei die Schwingungsfrequenz in einer Beziehung steht zur Menge des von dem Aluminiumoxidmaterial (16) sorbierten Wassers.
ein Quarzsubstrat (11),
einen Widerstandsleiter (12) mit einem Temperaturkoef fizienten, der auf einer ersten Oberfläche des Quarzsub strats (11) aufgebracht ist;
eine Aluminiumoxidbeschichtung (16), die auf dem Widerstandsleiter (12) aufgebracht ist;
eine Elektrode (15), die auf einer zweiten Oberfläche des Quarzsubstrats (11) aufgebracht ist;
eine elektrische rückkopplungsgeregelte Schaltung (21, 22, 23, 24), die geeignet ist, den Widerstandsleiter (12) auf einem konstanten Widerstand zu halten; und
eine Oszillatorschaltung (5), die mit der Elektrode (15) und dem Widerstandsleiter (12) verbunden ist, um das Quarzsubstrat (11) in Schwingung zu versetzen und ein Signal proportional zur Schwingungsfrequenz zu erzeu gen, wobei die Schwingungsfrequenz in einer Beziehung steht zur Menge des von dem Aluminiumoxidmaterial (16) sorbierten Wassers.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/057,034 US4793182A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Constant temperature hygrometer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3818733A1 true DE3818733A1 (de) | 1988-12-22 |
Family
ID=22008090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3818733A Ceased DE3818733A1 (de) | 1987-06-02 | 1988-06-01 | Konstanttemperatur-hygrometer |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4793182A (de) |
JP (1) | JPS6453130A (de) |
CA (1) | CA1322468C (de) |
CH (1) | CH675633A5 (de) |
DE (1) | DE3818733A1 (de) |
FI (1) | FI96547C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999017108A1 (en) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Millipore Corporation | Method and apparatus for measuring moisture content in a gas |
JPWO2021241628A1 (de) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737940B2 (ja) * | 1989-08-21 | 1995-04-26 | 工業技術院長 | 検出器 |
US4965698A (en) * | 1989-09-27 | 1990-10-23 | Johnson Service Company | Capacitance humidity sensor |
JP3302074B2 (ja) * | 1992-04-23 | 2002-07-15 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡装置 |
US5365784A (en) * | 1992-04-30 | 1994-11-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Humidity sensing apparatus and method |
US5343747A (en) * | 1992-06-08 | 1994-09-06 | Jay Rosen | Normalized relative humidity calibration |
JP3098858B2 (ja) * | 1992-06-08 | 2000-10-16 | オリンパス光学工業株式会社 | 超音波モータ |
US5369995A (en) * | 1993-04-21 | 1994-12-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Humidity sensor |
JP3067010B2 (ja) * | 1994-02-09 | 2000-07-17 | ティーディーケイ株式会社 | 絶対湿度センサ |
FI99164C (fi) * | 1994-04-15 | 1997-10-10 | Vaisala Oy | Menetelmä kastepisteen tai kaasupitoisuuden mittaamiseksi sekä laitteisto jäätymisen ennakoimista varten |
DE4439717C2 (de) * | 1994-11-09 | 1998-04-09 | Mannesmann Vdo Ag | Verfahren und Anordnung zum Betrieb eines resistiven Feuchtesensors |
US5533393A (en) * | 1995-01-13 | 1996-07-09 | Honeywell Inc. | Determination of dew point or absolute humidity |
US5739416A (en) * | 1996-09-18 | 1998-04-14 | California Instiute Of Technology | Fast, high sensitivity dewpoint hygrometer |
ES2123452B1 (es) * | 1997-03-18 | 1999-09-16 | Univ Madrid Complutense | Aparato para la determinacion de masa y densidad. |
ES2155739B1 (es) * | 1997-03-18 | 2001-12-01 | Univ Madrid Complutense | Aparato para la determinacion de masa y densidad. |
US6012675A (en) * | 1997-12-05 | 2000-01-11 | Cocatre-Zilgien; Jan Henri | Aircraft system monitoring air humidity to locate updrafts |
US6724612B2 (en) | 2002-07-09 | 2004-04-20 | Honeywell International Inc. | Relative humidity sensor with integrated signal conditioning |
US7168298B1 (en) * | 2003-05-12 | 2007-01-30 | Sandia Corporation | Mass-sensitive chemical preconcentrator |
US6865940B2 (en) * | 2003-06-25 | 2005-03-15 | General Electric Company | Aluminum oxide moisture sensor and related method |
US6991367B2 (en) * | 2003-11-04 | 2006-01-31 | Raytheon Company | Integrated thermal sensor for microwave transistors |
US7030600B2 (en) * | 2003-11-04 | 2006-04-18 | Raytheon Company | Broadband microwave power sensor |
US20060201247A1 (en) * | 2004-05-06 | 2006-09-14 | Honeywell International, Inc. | Relative humidity sensor enclosed with formed heating element |
US7134319B2 (en) * | 2004-08-12 | 2006-11-14 | Honeywell International Inc. | Acoustic wave sensor with reduced condensation and recovery time |
ITMI20042017A1 (it) * | 2004-10-22 | 2005-01-22 | Getters Spa | Sensore di gas a onde acustiche superficiali e procedimento per la sua fabbricazione |
JP2006250579A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Denso Corp | 湿度センサの検査装置及び特性調整方法 |
TWI279536B (en) * | 2006-02-24 | 2007-04-21 | Ind Tech Res Inst | Cantilever resistive humidity detection structure and method for manufacturing the same |
DE102007046907B4 (de) * | 2007-09-28 | 2015-02-26 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Schichtwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR100926461B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2009-11-13 | 한국표준과학연구원 | 수정미소저울 노점센서를 이용한 저온에서의 상점과 이슬점구별 측정 방법 |
JP6894397B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2021-06-30 | 日本電波工業株式会社 | 感知装置 |
AU2020256373B2 (en) * | 2020-01-07 | 2021-05-06 | Nantong University | Humidity sensor chip having three-electrode structure |
CN111239208A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-06-05 | 中国电建集团贵阳勘测设计研究院有限公司 | 一种高性能湿度检测器件用恒温结构及制备方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2237006A (en) * | 1938-04-21 | 1941-04-01 | Gen Electric | Electric hygrometer |
US3075385A (en) * | 1960-12-15 | 1963-01-29 | Clifford M Stover | Hygrometer |
US3164004A (en) * | 1961-05-15 | 1965-01-05 | Exxon Research Engineering Co | Coated piezoelectric analyzers |
US3253219A (en) * | 1961-06-01 | 1966-05-24 | Union Oil Co | Method using change of piezoelectric crystal frequency to determine corrosion rate and apparatus therefor |
US3350941A (en) * | 1965-05-20 | 1967-11-07 | Johnson Service Co | Humidity sensing element |
US3523244A (en) * | 1967-11-01 | 1970-08-04 | Panametrics | Device for measurement of absolute humidity |
US3582728A (en) * | 1969-03-06 | 1971-06-01 | Johnson Service Co | Capacitance humidity sensing element |
US3802268A (en) * | 1971-05-06 | 1974-04-09 | Johnson Service Co | Capacitance humidity sensing element |
DE1798335B2 (de) * | 1967-09-27 | 1976-04-29 | Johnson Service Co., Milwaukee, Wis. (V.St.A.) | Synthetisches feuchtigkeitsmesselement |
US4143177A (en) * | 1977-01-31 | 1979-03-06 | Panametrics, Inc. | Absolute humidity sensors and methods of manufacturing humidity sensors |
US4146868A (en) * | 1978-02-28 | 1979-03-27 | Mosebach Manufacturing Company | Resistance unit structure |
DE3327159A1 (de) * | 1983-07-28 | 1985-02-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Sensor zur messung einer dampfkonzentration |
DE3011525C2 (de) * | 1979-03-29 | 1985-03-28 | Vaisala Oy, Helsinki | Regelvorrichtung für einen Feuchtegeber |
US4562725A (en) * | 1982-07-31 | 1986-01-07 | Shimadzu Corporation | Moisture sensor and a process for the production thereof |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1855774A (en) * | 1924-03-04 | 1932-04-26 | Brown Instr Co | Humidity measuring |
US4164868A (en) * | 1972-10-12 | 1979-08-21 | Vaisala Oy | Capacitive humidity transducer |
JPS57119249A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Humidity sensor control circuit |
JPS5814031A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-26 | Akihiro Hayashi | 水蒸気量センサ− |
CA1180914A (en) * | 1981-08-17 | 1985-01-15 | James M. O'connor | Micromechanical chemical sensor |
US4662220A (en) * | 1985-06-20 | 1987-05-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Water-absorbing capacitor system for measuring relative humidity |
-
1987
- 1987-06-02 US US07/057,034 patent/US4793182A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-31 CH CH2065/88A patent/CH675633A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1988-06-01 DE DE3818733A patent/DE3818733A1/de not_active Ceased
- 1988-06-01 FI FI882576A patent/FI96547C/fi not_active IP Right Cessation
- 1988-06-01 CA CA000568304A patent/CA1322468C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-02 JP JP63136618A patent/JPS6453130A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2237006A (en) * | 1938-04-21 | 1941-04-01 | Gen Electric | Electric hygrometer |
US3075385A (en) * | 1960-12-15 | 1963-01-29 | Clifford M Stover | Hygrometer |
US3164004A (en) * | 1961-05-15 | 1965-01-05 | Exxon Research Engineering Co | Coated piezoelectric analyzers |
US3253219A (en) * | 1961-06-01 | 1966-05-24 | Union Oil Co | Method using change of piezoelectric crystal frequency to determine corrosion rate and apparatus therefor |
US3350941A (en) * | 1965-05-20 | 1967-11-07 | Johnson Service Co | Humidity sensing element |
DE1798335B2 (de) * | 1967-09-27 | 1976-04-29 | Johnson Service Co., Milwaukee, Wis. (V.St.A.) | Synthetisches feuchtigkeitsmesselement |
US3523244A (en) * | 1967-11-01 | 1970-08-04 | Panametrics | Device for measurement of absolute humidity |
US3582728A (en) * | 1969-03-06 | 1971-06-01 | Johnson Service Co | Capacitance humidity sensing element |
US3802268A (en) * | 1971-05-06 | 1974-04-09 | Johnson Service Co | Capacitance humidity sensing element |
US4143177A (en) * | 1977-01-31 | 1979-03-06 | Panametrics, Inc. | Absolute humidity sensors and methods of manufacturing humidity sensors |
US4146868A (en) * | 1978-02-28 | 1979-03-27 | Mosebach Manufacturing Company | Resistance unit structure |
DE3011525C2 (de) * | 1979-03-29 | 1985-03-28 | Vaisala Oy, Helsinki | Regelvorrichtung für einen Feuchtegeber |
US4562725A (en) * | 1982-07-31 | 1986-01-07 | Shimadzu Corporation | Moisture sensor and a process for the production thereof |
DE3327159A1 (de) * | 1983-07-28 | 1985-02-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Sensor zur messung einer dampfkonzentration |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
GB-Fachbuch "Hot-wire Anemometry" von A.E. Perry, 1982 Oxford, England S. 59-64 * |
US-Fachbuch "Electric Hygrometers" National Bureau of Standards Circular 586 US Goverment Printing Office, Washington vom 3.9.57 * |
US-Z.: "Research/Development" April 69 S. 28-34 und Mai 69 S. 28-33 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999017108A1 (en) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Millipore Corporation | Method and apparatus for measuring moisture content in a gas |
JPWO2021241628A1 (de) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4793182A (en) | 1988-12-27 |
CH675633A5 (de) | 1990-10-15 |
FI882576A (fi) | 1988-12-03 |
FI96547B (fi) | 1996-03-29 |
FI96547C (fi) | 1996-07-10 |
FI882576A0 (fi) | 1988-06-01 |
CA1322468C (en) | 1993-09-28 |
JPS6453130A (en) | 1989-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3818733A1 (de) | Konstanttemperatur-hygrometer | |
DE3818736C2 (de) | ||
DE10011562C2 (de) | Gassensor | |
DE69221475T2 (de) | Auf nanostrukturierten,zusammengestellten Filmen fundierte Sensoren | |
DE3919864C2 (de) | ||
EP0781409B1 (de) | Chemischer sensor | |
DE1598401C3 (de) | Gerät zur Anzeige der Konzentration eines Anteils eines Gasgemisches, beruhend auf der Eigenschwingungsänderung eines piezoelektrischen Kristalls | |
CH465275A (de) | Verfahren und vorrichtung zur qualitativen oder quantitativen Bestimmung einer Mischungskomponente eines Gasgemisches | |
DE3011525C2 (de) | Regelvorrichtung für einen Feuchtegeber | |
DE2411212A1 (de) | Druckmesseinrichtung | |
DE19753642C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands | |
DE2365826C3 (de) | Kapazitiver Feuchtigkeitsfühler | |
DE2824609C2 (de) | Vorrichtung zur Feuchtigkeitsmessung durch elektrostatische Kapazitätsänderung | |
EP1642121B1 (de) | Driftkompensation für einen impedimetrischen abgassensor durch anlegen einer einstellbaren vorspannung | |
US4632879A (en) | Moisture sensor | |
DE19644290C2 (de) | Sensorelement zur gleichzeitigen Messung von zwei verschiedenen Eigenschaften einer chemisch sensitiven Substanz in einem Fluid | |
DE10031976A1 (de) | Hochtemperaturstoffsensor | |
DE3139617A1 (de) | Gassensor und verfahren zu seiner hertellung | |
DE2820858C2 (de) | Gas-Meßfühler | |
DE69422878T2 (de) | Nachweis von reaktiven Gasen | |
Dausch et al. | PLZT-based multilayer composite thin films, part II: Modeling of the dielectric and hysteresis properties | |
RU2096777C1 (ru) | Датчик влажности | |
Gu et al. | A gas-humidity sensor fabricated with phthalocyanine Langmuir-Blodgett film | |
DE4035952C1 (en) | Method of measuring temperature of electrical conductors - has electrode forming condenser with capacitance compared to calibration graph | |
WO2000025120A1 (de) | Kapazitiver feuchtigkeitssensor sowie verfahren zu dessen herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |