DE3447002A1

DE3447002A1 - Konstantstromgeneratorschaltkreis

Info

Publication number: DE3447002A1
Application number: DE19843447002
Authority: DE
Inventors: Kohji Kawanishi Hyogo Shinomiya
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1983-12-29
Filing date: 1984-12-21
Publication date: 1985-07-11
Also published as: DE3447002C2; NL193545C; US4603290A; NL8403872A; NL193545B

Description

TER MEER-MULLER-STEINMEiSTER

PATENTANWÄLTE - EUROPEAN PATF=NV ATTORWCYS

Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl.-Ing. H. Steinmeister

Dipl.-Ing. F. E. Müller Artur-Ladebeck-Strasse 51

Triftstrasse 4,

D-8OOO MÜNCHEN 22 D-48OO BIELEFELD 1

Case F-3419-02

Mü/tM/Ha/b 21. Dezember 1984

Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha

2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku,

Tokyo, Japan

Konstantstromgeneratorschaltkreis

Priorität: 29. Dezember 1983, Japan, No. 58-250243 (P)
16. März 1984, Japan, No. 59-51865 (P)

Erfi ndungsgebi et

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Konstantstromgeneratorschaltkreis zur Erzeugung eines konstanten Stromes unabhängig von Schwankungen der Spannungsquelle und abhängig von der thermischen Charakteristik der Spannung zwischen der Basis und dem Emitter eines Transi stors.

Stand der Technik

Herkömmliche Konstantstromgeneratorschaltreise sind i.

d. R. so ausgebildet, daß sie den Stromwert gegen Änderungen in der Spannungsquelle stabilisieren und eine thermische Kompensation erfahren, um den Konstantstromwert unabhängig von Änderungen der Umgebungstemperatur zu halten. Die bekannten Schaltkreise benutzen einen extrapolierten Spannungswert einer Energiebandlücke in

. 19-

Silicium und stellen damit sicher, daß sie eine konstante Spannung oder einen konstanten Strom unabhängig von Temperaturen liefern. Wie auch immer, es muß ein Strom erzeugt werden, der von Temperaturkoeffizienten der Spannung zwischen Basis und Emitter (nachfolgend als "Basis-Emitter-Spannung" bezeichnet) eines Transistors abhängt.

Um einen solchen Strom zu erzeugen, wird herkömmlicherweise ein Schaltkreis verwendet, wie er in Figur 1 dargestellt ist. Der Schaltkreis ist so ausgelegt, daß er den Strom unabhängig von Schwankungen der Quellenspannung stabilisiert und einen Strom erzeugt, welcher von der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors gegen die Umgebungstemperaturen abhängt. Mit anderen Worten gesagt ist der Schaltkreis so ausgelegt, daß er einen Strom erzeugt, der einen negativen Temperaturkoeffizienten abhängig vom Koeffizienten der Basis-Emitter-Spannung "VBE" eines Transistors hat.

In Figur 1 sind ein erster Transistor Q 1 und ein zweiter Transistor Q 2 NPN-Typen, wohingegen ein dritter und ein vierter Transistor Q 3 und Q 4 PNP-Typen sind. Die Basis des ersten Transistors Q 1 und der Emitter des zweiten Transistors Q 2 sind gemeinsam mit einem der Anschlüsse eines ersten Widerstandes R 1 verbunden, der Kollektor des ersten Transistors ist mit der Basis des zweiten Transistors Q 2 und einem der Anschlüsse eines Widerstandes R 0 verschaltet. Der Kollektor des zweiten Transistors Q 2 ist mit dem Kollektor und der Basis des dritten Transistors Q 3 sowie mit der Basis des fünften Transistors Q 5 verbunden. Der Emitter des ersten Transistors Q 1 ist ferner mit dem anderen Anschluß des ersten Widerstandes R 1 verschaltet, die

gemeinsame Verbindung ist auf einen Erdungsanschluß GND gelegt, welcher einen ersten Potentialpunkt darstellt. Der andere Anschluß des Widerstandes R 0 ist gemeinsam mit den Emittern des dritten Transistors Q 3 und des fünften Transistors Q 5 verbunden, die Verbindung ist zu einem einen zweiten Potentialpunkt darstellenden Quellenanschluß VCC gelegt. Eine Spannungsquelle ist zwischen dem Erdungsanschluß GND und dem Quellenanschluß VCC vorgesehen, um den Schaltkreis zu betreiben. Der Kollektor des fünften Transistors Q 5 ist mit einer Ausgangsklemme "Output" verbunden, eine Last "L" ist zwisthen dem Ausgangsanschluß "Output" und dem Erdungsanschluß GND angeschlossen. Die Last "L" wird mit Strom versorgt.

Der Schaltkreis arbeitet wie nachfolgend beschrieben: Wenn die Spannungsquelle eingeschaltet ist, fließt ein Strom durch die Basis des zweiten Transistors Q 2 über den Widerstand R 0 und weiter durch den Emitter. Der Strom fließt weiter durch den ersten Widerstand R 1 und die Basis des Transistors Q 1 und erreicht ggf. den Erdungsanschluß GND. Auf diesem Wege beginnt der Schaltkreis zu arbeiten. Als ein Ergebnis wird eine negative Rückkopplung durch den ersten und zweiten Transistor Q 1 und Q 2 sowie den ersten Widerstand R 1 ausgelöst. Dabei wird der Divident der Basis-Emitter-Spannung VBE (Q 1) des ersten Transistors Q 1 durch den Widerstandswert des ersten Widerstandes R 1 als Kollektorstrom des zweiten Transistors Q 2 erhalten.

A4- .

Ic (Q 2) = VBE (Q 1)/ R 1 (.. .1)

wobei Ic (Q 2) den Kollektorstrom des zweiten Transistors Q 2 darstellt, wohingegen der Basisstrom eines jeden Transistors unter der Annahme vernachlässigt ist, daß der DC-Stromverstärkungsfaktor hFE des ersten, zweiten, dritten und fünften Transistors Q 1, Q 2, Q 3 und Q 5 hoch ist.

Der Kollektorstrom des zweiten Transistors Q 2 wird einem Stromspiegelschaltkreis zugeführt, der durch den dritten und den fünften Transistors Q 3 und Q 5 gebildet wird. Dabei wird der Kollektorstrom Ic (Q 5) am Ausgang ("Output") erhalten, dessen Character!stik durch die Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors beeinflußt wird. Mit anderen Worten wird der Kollektorstrom des dritten Transistors Q 3 gleich dem des fünften Transistors Q 5, wenn die Verbindungsumgebung des dritten Transistors Q 3 gleich der des fünften Transistors Q 5 gestaltet ist.

Ic (Q 5) = Ic (Q 2) ...(2)

Ic (Q 5) = VBE (Q 1) / R 1 ...(3)

Eine herkömmlicher Konstantstromgeneratorschaltkreis ist in vorbeschriebener Weise ausgebildet. Der Kollektorstrom des ersten Transistors Q 1 wird durch die Summe der Basis-Emitter-Spannungen des ersten Transistors und des zweiten Transistors beeinflußt. Bei diesem System hängt eine Spannung, die über beide Klemmen des Widerstandes R 0 angelegt wird, wahrscheinlich von der Veränderung der Quellenspannung ab. Infolge davon schwankt der Strom, der durch den Widerstand R 0

ϊ- 3Α47002

fließt, was den Kollektorstrom des ersten Transistors veranlaßt, sich zu verändern. Als ein Ergebnis davon schwankt die Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors. Als Endresultat ist es wahrscheinlich, daß der Strom, der durch den ersten Widerstand und die Last "L" fließt, sich abhängig von den Schwankungen der Quellenspannung verändert. Hierin wird ein großer Nachteil der herkömmlichen Konstantstromgeneratorschaltkreise gesehen .

Aufgabe und Zusammenfassung der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Konstantstromgeneratorschaltkreis derart zu verbessern, daß er die Abgabe eines konstanten Stromes unabhängig von Schwankungen der Quellenspannung ermöglicht und ferner die wirkliche Temperaturcharakteristik der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors als ihre Ausgangsstromcharakteristik aufweist.

Es ist weiterhin Erfindungsaufgabe, einen verbesserten Konstantstromgeneratorschaltkreis zu schaffen, der bei relativ kleinen Quellenspannungen arbeitet und geeignet ist, einen möglichen Fehler bei der Stromversorgung der Last zu minimieren, auch wenn der Gleichstromverstärkungsfaktor des Laststromtransistors klein ist.

Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind in der nachfolgenden detailierten Beschreibung enthalten; es soll klargestellt sein, daß die detailierte Beschreibung und die speziellen Ausführungsformen lediglich zur Verdeutlichung dienen und verschiedene Abweichungen und Modifikationen innerhalb

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des Gedankens und des Bereiches der Erfindung dem Durchschnittsfachmann durch die detailierte Beschreibung verdeutlicht werden.

Betreffend einen Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft diese einen Konstantstromgeneratorschaltkreis, bei der die Basis-Emitter-Spannung eines ersten Transistors mit hoher Präzision in einen Strom umgesetzt wird, der als Stromquelle Verwendung findet.

Im Hinblick auf einen anderen Erfindungsaspekt wird ein Konstantstromgeneratorschaltkreis geschaffen, bei dem der Emitter eines zweiten Transistors, der in Kombination mit einem ersten Transistor zur Erzeugung einer konstanten Spannung eine negative Rückkopplungsschaltung bildet, direkt oder über einen Widerstand zum Erdungsanschluß verbunden ist sowie der Kollektorstrom eines dritten Transistors, der einen Stromspiegel in Kombination mit einem fünften Ladungsstromtransistor bildet, durch den negativen Rückkopplungsschaltkreis gesteuert.

Kurzbeschreibung der Zeichnungsfiguren

Die Erfindung ist anhand von vorteilhaften Ausführungsbeispielen in den Zeichnungsfiguren näher erläutert. Diese zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild eines Konstantstromgenerator-Schaltkreises nach dem Stand der Technik,

Fig. 2 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 3 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 5 ein Schaltbild eines Kompensationsschaltkreises, der zur Unterdrückung des Temperaturkoeffizienten des ersten Widerstandes vorgesehen ist, der in der Spannungs-Stromwandlerstufe der Schaltkreise gemäß Fig. 1 - 3 auf-'tritt,

Fig. 6 ein Schaltbild einer fünften Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 7 ein Schaltbild einer sechsten Ausbildungsform der Erfindung,

Fig. 8 ein Schaltbild einer siebenten Ausführungsform der Erfindung.

Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele

Unter Bezugnahme auf Figur 2 soll klargestellt sein, daß der Widerstand R 0 in Figur 1 durch einen PNP-leitenden Transistor Q 4 ersetzt ist, dessen Basis mit der des dritten Transistors Q 3 und dessen Kollektor mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist. Der Emitter des vierten Transistors Q 4 ist an die Spannungsklemme VCC gelegt. Dieser vierte Transistor Q 4 bildet in Kombination mit dem dritten Transistor Q 3 einen Stromspiegelschaltkreis .

Unter der Annahme, daß dieser Schaltkreis wirksam arbeitet, wird der Kollektorstrom Ic (Q 2) des zweiten Transistors Q 2 als der Divident der Basis-Emitter-Spannung VBE (Q 1) des ersten Transistors durch den Widerstandswert des ersten Widerstandes R 1 festgelegt:

Ic (Q 2) = VBE (Q 1) / R 1 ...(4)

Diese Gleichung ist dieselbe wie Gleichung 1. In diesem Zustand sind die Basen des dritten, des vierten und des fünften Transistors Q 3, Q 4 und Q 5 mit ihren entsprechenden Emittern verbunden und bilden dabei einen Stromspiegelschaltkreis, der den Kollektorstrom des dritten Transistors Q 3 als Referenzstrom hat. Als Ergebnis davon fließen die Kollektorströme Ic (Q 4), Ic (Q 5) des vierten und fünften Transistors Q 4, Q 5 abhängig vom Kollektorstrom Ic (Q 3). Dabei werden die Kollektorströme des vierten und fünften Transistors Q 4 und Q 5 gleich dem des dritten Transistors Q 3, wenn die Basis-Emitter-Beschaltungen des vierten Transistors Q 4 und des fünften Transistors Q 5 der des dritten Transistors Q 3 angepaßt sind. Dies kann durch die folgende Gleichungen ausgedrückt werden:

Ic (Q 2) = Ic (Q 2) ...(5)

Ic (Q 4) = Ic (Q 3) ... (6)

Ic (Q 5) = Ic (Q 3) .. .(7)

Da der Kollektor des fünften Transistors Q 5 mit dem Ausgangsanschluß ("Output") verbunden ist, kann der Kollektorstrom Ic (Q 5) auf Basis der Gleichungen (5), (6) und (7) durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Ic (Q 5) = VBE (Q 1)/ R 1 ...(8)

Diese ist dieselbe wie Gleichung (3). Der Kollektorstrom Ic (Q 1) des ersten Transistors Q 1 wird ebenso wie der des vierten Transistors Q 4 abgegeben, weswegen auf Basis der Gleichungen (4), (5) und (7) die folgende Gleichung gilt:

Ic (Q 1) = VBE (Q 1) / R 1 ...(9)

Der bekannte Schaltkreis gemäß Fig. 1 hat einen Nachteil insofern, als die VBE des ersten Transistors so schwankt, wie sein Kollektorstrom abhängig von den Schwankungen der Spannungsquellen schwankt. Wie dem auch sei, im Schaltkreis dieser Ausführungsform gemäß Fig. 2 wird der Kollektorstrom des ersten Transistors Q 1 nicht durch Schwankungen der Quellenspannung beeinflußt, was aus Gleichung (9) deutlich hervorgeht. Dies bedeutet, daß die Character!stik verbessert ist.

Figur 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung, in welcher ein Starterschaltkreis, bestehend aus einem sechsten NPN-1 eitenden Transistors Q 6 und einem fünften Widerstand R 5 seriell zum Schaltkreis

gemäß Fig. 2 hinzugefügt ist. Die Basis des sechsten Transistors Q 6 ist mit der des dritten Transistors Q 3 verbunden, sein Kollektor ist an den Quellenanschluß VCC gelegt. Ferner ist der Emitter des sechsten Transistors Q 6 mit einer der Klemmen des fünften Widerstandes R 5 verbunden, dessen andere Klemme am Erdungsanschluß angeschlossen ist. In Figur 3 ist der aus dem sechsten Transistors Q 6 und dem fünften Widerstand R 5 gebildete Schaltkreis (S) als Starterschaltkreis für einen Konstantstromgeneratorschaltkreis nach der Erfindung hinzugefügt. Dies ist jedoch lediglich ein Ausführungsbeispiel, andere Bauteile können zum Starten des Schaltkreises Verwendung finden.

Bei dem in Fig. 3 gezeigten Beispiel fließen, wenn das Gerät eingeschaltet wird, elektrische Ströme durch die Emitter des dritten, des vierten und des fünften Transistors Q 3, Q 4 und Q 5 zu deren Basen und davon weg zur Basis des sechsten Transistors Q 6, von welcher der Strom weiter durch den Emitter über den fünften Widerstand R 5 zum Erdungsanschluß GND fließt. Die Tatsache, daß Basisströme des dritten, des vierten und des fünften Transistors Q 3, Q 4 und Q 5 fließen, sorgt dafür, daß auch Kollektorströme durch jeden dieser Transistoren fließen, von welchen der Kollektorstrom des vierten Transistors Q 4 durch die Basis des zweiten Transistors Q 2 zu dessen Emitter fließt und dabei den Betrieb des Schaltkreises gemäß Fig. 3 startet. Der nachfolgende Betrieb ist derselbe wie beim ersten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2.

Figur 4 zeigt eine dritte Ausführungsform. Diese dritte Ausführungsform ist insofern von der gemäß Fig. 3 unterschiedlich, als ein zweiter, ein dritter und ein

vierter Widerstand R 2, R 3 und R 4 zwischen jedem der Emitter des dritten, vierten und fünften Transistors Q 3, Q 4 und Q 5 und jeweils dem Quellenanschluß VCC vorgesehen sind und damit einen Spannungsabfall in jedem Widerstand verursachen. Auf diese Weise wird die Genauigkeit des Stromspiegelschaltkreises verbessert. Zusätzlich ist ein PNP-leitender neunter Transistor Q 9 vorgesehen, dessen Emitter und Basis zur Basis bzw. zum Kollektor des dritten Transistors verbunden sind.

Der Kollektor des neunten Transistors Q 9 ist geerdet. Aufgrund der Maßnahme mit dem zusätzlichen Transistor Q 9 wird eine mögliche Abweichung des Ausgangsstromwertes minimiert, welcher abhängig vom Basisstrom eines jeden Transistors des Stromspiegels auftritt. Dadurch wird die Präzision des Schaltkreises weiter verbessert. Ansonsten arbeitet dieser Schaltkreis entsprechend der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 3.

Figur 5 zeigt einen Schaltkreis, der zum Anschluß der Last in dem Konstantstromgeneratorschaltkreis gemäß der Erfindung vorgesehen ist. Dieser Schaltkreis ist ein Kompensationsschaltkreis, der darauf abzielt, die thermische Characteristik des ersten Widerstandes unwirksam zu machen, die dann vermutlich entsteht, wenn ein Strom erzeugt wird, der von der thermischen Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors abhängt. Wie vorstehend beschrieben ist es Zweck der vorliegenden Erfindung, einen Strom zu erzeugen, der von der thermischen Charakteristik der VEB eines Transistors abhängt; der in Fig. 5 dargestellte Kompensationsschaltkreis spielt eine wesentliche Rolle bei der Ausführung der Erfindung.

QQ.

In Figur 5 sind NPN-leitende siebte und achte Transistoren Q 7 und Q 8 sowie ein sechster Widerstand R 6 vorgesehen, der von derselben Art wie der erste Widerstand R 1 ist. Der Kollektor des siebten Transistors Q 7 ist mit einem Anschluß A verbunden, mit welchem auch der Kollektor des fünften Transistors Q 5 verbunden ist, der Emitter des Transistors Q 7 ist über den Widerstand R 6 zum Anschluß B gelegt, d. h. zum Erdungsanschluß GND. Die Basis und der Kollektor des siebten Transistors Q 7 stehen miteinander in Diodenverbindung. Der Kollektor des achten Transistors Q 8 ist mit einem Anschluß C verbunden, d. h. einem Ausgangsanschluß und der Emitter des Transistors Q 8 ist mit dem Anschluß B verbunden. Die Basis des Transistors Q 8 steht mit der des Transistors Q 7 in unmittelbarer Verbindung.

Unter Bezugnahme auf Gleichung (8) kann der Spannungsabfall, der durch einen Stromfluß durch den sechsten Widerstand verursacht wird, durch die Gleichung ausgedrückt werden:

VR 6 = Ic (Q 5) · R 6 ...(10),

wobei VR 6 den Spannunsabfall am sechsten Widerstand R 6 darstellt und R 6 den Widerstandswert des sechsten Widerstandes. Durch Kombination der Gleichungen (8) und (10) wird die folgende Gleichung erhalten:

VR 6 - (VBE (Q 1) / R 1) * R 6 . ..(11 )

Der sechste Widerstand R 6 ist von derselben Art wie der erste Widerstand R 1, insbesondere sind ihre Temperaturkoeffizienten dieselben. Wie aus Gleichung (11) klar wird, wird der Temperaturkoeffizient des ersten

.30-

Widerstandes R 1 durch den des sechsten Widerstandes R 6 unwirksam gemacht. Als Ergebnis davon wird der Spannungsabfall VR 6 am sechsten Widerstand als eine Spannung erhalten, die den Temperaturkoeffizienten der VBE (Q 1) hat. Demzufolge wird, wenn der Anschluß C in Fig. 5 als Ausgangsanschluß benutzt wird, ein Strom Ic (Q 8) erhalten, der die wirkliche Temperaturcharakteristik der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors aufweist.

Wie vorstehend beschrieben, wird bei der ersten, der zweiten und der dritten Ausführungsform die Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors Q 1 auf exakte Weise in einen Strom konvertiert, der als Stromquelle benutzt wird. Als Ergebnis davon kann der Ausgangsstrom unabhängig von Schwankungen in der Spannungsquelle stabilisiert werden. Zusätzlich können diese Ausführungsformen als ein einen konstanten Strom erzeugender Konstantstromgeneratorschaltkreis verwendet werden, die dieselbe Temperaturcharakteristik hat wie die Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors Q 1.

Figur 6 zeigt eine vierte Ausführungsform. Der erste und der zweite Transistor Q 1 und Q 2 sind NPN-leitend, der dritte Transistor Q 3 und die fünften Transistoren Q 5,, Q 5_?, ..., Q 5 sind PNP-leitende Transistortypen. Die Basis des ersten Transistors Q 1 ist mit dem Erdungsanschluß über einen ersten Widerstand R 1 verbunden, der Kollektor dieses Transistors steht über einen Widerstand R 0 mit dem Spannungsquellenanschluß VCC in Verbindung. Der Emitter dieses Transistors ist zum Erdungsanschluß gelegt. Der erste Transistor Q 1 ermittelt einen Spannungsabfall am ersten Widerstand R 1. Der Emitter des zweiten Transistors Q 2 ist direkt mit dem Erdungsanschluß GND verbunden, sein

Kollektor ist mit den Basen des dritten Transistors Q 3 und einer Gruppe von fünften Transistoren Q 5,, Q 5p, ..., Q 5 verbunden. Seine Basis steht mit dem Kollektor des ersten Transistors Q 1 in Verbindung. Der zweite Transistors Q 2 steuert das .Basispotential des dritten Transistors Q 3. Der Kollektor des dritten Transistors Q 3, der den Quellenstrom zum ersten Widerstand R 1 liefert, ist mit der Verbindung der Basis des ersten Transistors Q 1 und dem ersten Widerstand R 1 verbunden. Sein Emitter steht mit dem Quellenanschluß VCC in Verbindung. Der dritte Transistor Q 3 bildet einen negativen RUckkopplungsschaltkreis in Verbindung mit den Transistoren Q 1 und Q 2. Jede der Basen der fünften Transistoren Q 5,, ..., Q 5 steht unmittelbar mit der Basis des dritten Transistors Q 3 in Verbindung. Jeder der Emitter der fünften Transistoren ist mit dem Anschluß VCC verbunden. Die Gruppe der fünften Transistoren Q 5-,, ..., Q 5 bildet einen Stromspiegelschaltkreis in Verbindung mit dem dritten Transistors Q 3, jeder Kollektor der Transistorgruppe 5 ist zu einem Ausgangsanschluß 0 1, 0 2, ..., 0 η gelegt. Jeweils eine Last RL 1, RL 2, ..., RL η ist zwischen jedem Ausgangsanschluß 0 1, 0 2, ..., 0 η und dem Erdungsanschluß GND eingeschaltet, wodurch ein Strom zu jeder dieser Last-Bauteile geführt wird.

Die Arbeitsweise dieses Schaltkreises wird nachfolgend beschrieben:

Wenn das Gerät eingeschaltet wird, fließt ein Strom durch Widerstand R 0, die Basis und den Emitter des zweiten Transistors Q 2, um den Schaltkreis zu starten. Danach wird ein Strom vom dritten Transistor Q 3 zum ersten Widerstand R 1 und der Basis des ersten Tran-

sistors Q 1 geführt. Ein Spannungsabfall am ersten Widerstand R 1 wird durch den ersten Transistor Q 1 ermittelt. Das ermittelte Ausgangssignal, d. h. das Kollektorpotential des ersten Transistors Q 1 wird zu der Basis des zweiten Transistors Q 2 übermittelt, der das Signal verstärkt und dabei das Basispotential des dritten Transistors Q 3 und demzufolge dessen Kollektorstrom steuert.

Auf diese Weise wird eine negative Rückkopplungsschlei fe durch den ersten, den zweiten und den dritten Transistor Ql, Q 2 und Q 3 gebildet, ein Strom, der durch Teilung der Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors Q 1, d. h. VBE (Q 1), durch den Widerstand R 1 erhalten wird, stellt den Kollektorstrom des dritten Transistors Q 3 dar. Die Basis und der Emitter des dritten Transistors Q 3 sind jeweils mit den Basen und Emittern der Gruppe der fünften Transistoren Q 5,, Q 5₂5 ···» Q 5 verbunden, so daß der dritte Transistor Q 3 einen Stromspiegelschaltkreis in Verbindung mit der Gruppe der fünften Transistoren Q 5^, Q 5₂> .·., Q 5_n bildet. Als Ergebnis davon wird ein Strom zu den Verbrauchern RL 1, RL 2, ... RL η geliefert, die jeweils mit den Kollektoren der fünften Transistoren Q 5,, Q 5_?, ..., Q 5 verbunden sind, wobei der Strom von der Basis-Emitter-Spannung VBE (Q 1) abhängt.

Ic (Q 3) = VBE (Q 1)/ R 1 (12),

wobei der Term Ic (Q 3) den Kollektorstrom des dritten Transistors Q 3 darstellt und - unter der Annahme, daß die Stromverstärkungsfaktoren hFEs des ersten, des zweiten und des dritten Transistors Q 1 - Q 3, sowie

der fünften Transistoren Q 5, , Q 5«, ..., Q 5 hoch sind, der Basisstrom eines jeden Transistors vernachlässigt werden kann.

Der Kollektorstrom des dritten Transistors Q 3 wird zu jedem der fünften Tranistoren Q 5,, Q 5«» ···> Q 5
geführt, die mit dem dritten Transistor den Stromspiegel bilden, und damit wird an jedem Ausgangsanschluß 0 1, 0 2, ..., 0 η ein Strom als Kollektorstrom Ic (Q 5, ) , Ic (Q 5„), ..., Ic (Q 5 ) eines jeden der fünften Transistoren Q 5,, ..., Q 5 erhalten, wobei die Charakteristik des Stroms durch die Basis-Emitter-Spannung des ersten Transistors Q 1 vorgegeben wird. Dies kann durch folgende Gleichungen ausgedrückt werden:

Ic (Q S₁) = Ic (Q 5₂) = ...
= Ic (Q 5_n) = Ic (Q 3) (13)

VBE (Q 1)/ R 1 = I c (Q O₁)= Ic (Q 5₂)

= ... = Ic (Q 5_n) (14)

Wie vorstehend beschrieben, weist der Schaltkreis nach der vierten Ausführungsform den zweiten Transistor Q 2 auf, dessen Emitter direkt an den Erdungsanschluß GND angeschlossen ist, weswegen das Kollektorpotential des ersten Transistors Q 1 nahezu gleich mit 1 VBE wird. Dies bedeutet, daß der Schaltkreis mit einer 1,5 V-Zelle (dry cell) betrieben werden kann. Der dritte Transistor Q 3 ist in der negativen Rückkopplungsschleife angeordnet und stellt damit sicher, daß sein Kollektorstrom konstantgehalten wird. Als Ergebnis davon kann, wenn der Stromspiegelschaltkreis durch laterale PNP-Transi stören mit relativ kleinem d.c-Gleichstromverstärkungsfaktor hFE gebildet wird, der

Einfluß des Basisstromes vernach1äßigt werden und somit ein hochpräziser Konstantstrom zu jedem Verbraucher abgegeben werden.

Figur 7 zeigt eine fünfte Ausführungsform, die insofern von der vierten Ausführungsform gemäß Figur 6 abweicht, als der Widerstand R 0 durch einen Konstantstromgeneratorschaltkreis IB ersetzt ist. Die verbleibende Anordnung ist ansonsten dieselbe. Die Arbeitsweise und der Effekt der fünften Ausführungsform sind dieselben wie die bei der vierten Ausführungsform.

Figur 8 zeigte eine sechste Ausführungsform der Erfindung. Dieser Schaltkreis enthält einen siebten Widerstand R 7, der zwischen dem Emitter des zweiten Transistors Q 2 und dem Erdungsanschluß GND in dem Schaltkreis gemäß Figur 7 hinzugefügt ist. Weiterhin ist ein Kondensator (C) zwischen der Basis und dem Kollektor des zweiten Transistors Q 2 eingeschaltet sowie ein zehnter Transistor Q 10 zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors Q 2 und dem Spannungsquellenanschluß VCC vorgesehen, wobei der zehnte Transistor Q 10 in Kombination mit dem dritten Transistor Q 3 einen Stromspiegelschaltkreis bildet. Zusätzlich sind der zweite und der achte Widerstand sowie eine Gruppe von vierten Widerständen, R 2, R 8 und R 4-,, R 4„, ·.·, R 4 zwischen jeweils dem Emitter des dritten, des zehnten und der fünften Transistoren Q 3, Q 10 und Q 5,, Q 5„, ..., Q 5_n und dem Spannungsquellenanschluß VCC vorgesehen. Die wesentliche Arbeitsweise dieses Schaltkreises ist dieselbe der fünften Ausführungsform gemäß Fig. 6 und der sechsten Ausführungsform gemäß

.35"-

Fig. 7. Die Wirkungen sind ebenfalls dieselben wie bei der fünften Ausführungsform. Nebenbei können jedoch folgende vorteilhafte Wirkungen erhalten werden:

1. Durch die Wirkung des Kondensators (C), den Widerstand R 7 und den Transistor Q 10 wird eine Eigenschwingung unterdrückt und die negative Rückkopplungsschleife stabilisiert;

2. da der Widestand mit dem Emitter eines jeden Transistors verbunden ist, wird die Offsetspannung zwischen der Basis und dem Emitter eines jeden Transistors kompensiert.

Unter Bezugnahme auf das fünfte - siebte Ausführungsbeispiel ist der Emitter des zweiten Transistors, der in Kombination mit dem ersten Transistor zur Erzeugung einer Konstantspannung eine negative Rückkopplungsschleife bildet, direkt oder über einen Widerstand mit dem Erdungsanschluß verbunden. Zusätzlich wird der Kollektorstrom des dritten Transistors durch eine negative Rückkopplungsschleife gesteuert, welcher Transistor in Kombination mit dem fünften Transistor einen Stromspiegel bildet, um einen Strom an den Verbraucher abzugeben. Als Ergebnis davon kann der gesamte Schaltkreis mit relativ niedriger Spannung betrieben werden und ein Strom hochgenauer Abhängigkeit von den Basis-Emitter-Spannung eines Transistors abgegeben werden.

Claims

Case F-3419-02 Ha Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan Konstantstromgeneratorschaltkreis

1. ) Konstantstromgeneratorschaltkreis

gekennzeichnet durch:

einen ersten Transistor (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die erste Elektrode (E) mit einem ersten Potentialpunkt (GND) und die Basiselektrode mit dem ersten Potentialpunkt (GND) über einen ersten Widerstand (R 1) verbunden ist;

einen zweiten Transistor (Q 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die erste Elektrode (E) mit der Basiselektrode des ersten Tran-

sistors (Q 1) verbunden ist und die Basiselektrode mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) in Verbindung steht;

- einen dritten Transistor (Q 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die Basiselektrode und die zweite Elektrode (C) miteinander in Verbindung stehen und ferner mit der zweiten

Elektrode (C) des zweiten Transistors (Q 2) verbunden sind und die erste Elektrode (E) mit einem zweiten Potentialpunkt (VCC) verbunden ist;

- einen vierten Transistor (Q 4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die Basiselektrode mit der Basiselektrode des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist, die erste Elektrode (E)

mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht und dabei in Kombination mit besagtem dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet und die zweite Elektrode

(C) mit besagter zweiter Elektrode (C) des

ersten Transistors (Q 1) verbunden ist;

einen fünften Transistor (Q 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei diese Basiselektrode

mit der des dritten Transistors (Q 3) ver-

bunden ist, die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht, dabei in Kombination mit besagtem dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet und die zweite Elektrode (C) mit

einem Ausgangsanschluß (Output) verbunden ist.

2. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet,

daß jeweils die erste Elektrode (E) des dritten (Q 3), vierten (Q 4) und fünften Transistors (Q 5) mit dem zweiten Potenti al punkt (VCC) über einen zweiten (R 2) bzw. einen dritten (R 3) bzw. einen vierten (R 4) Widerstand verbunden ist.

3. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet,

daß sie mit einem Starterschaltkreis (S) versehen ist, der einen sechsten Transistor (Q 6) und einen fünften Widerstand (R 5) aufweist, wobei der sechste Transistor (Q 6) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, die Basiselektrode mit der Basiselektrode des dritten Transistors (Q 3) und die zweite Elektrode (C) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCO verbunden ist und der

fünfte Widerstand (R 5) zwischen die erste Elektrode (E) und den ersten Potentialpunkt geschaltet i st.

4. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet,

daß sie einen Kompensationsschaltkreis aufweist, der einen siebten (Q 7) und einen achten Transistor (Q 8) des'ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) sowie einen sechsten Widerstand (R 6) aufweist, wobei der siebte Transistor (Q 7) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, die Basiselektrode und die zweite Elektrode (C) miteinander in Verbindung stehen und mit der zweiten Elektrode (C) des fünften Transistors (Q 5) verbunden sind, der achte Transistor (Q 8) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, die Basiselektrode mit der des siebten Transistors (Q 7) verbunden ist, die erste Elektrode (E) zum ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist und die zweite Elektrode (C) mit dem Ausgangsanschluß in Verbindung steht sowie der sechste Widerstand (R 6) zwischen die erste Elektrode (E) des siebten Transistors (Q 7) und den ersten Potentialpunkt (GND) geschaltet ist.

5. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 4,

dadurch gekennzeichnet,

daß der sechste Transistor (R 6) dieselbe Bauweise wie der erste Transistor (Q 1) aufweist.

6. Konstantstromgeneratorschaltkreis
gekennzeichnet durch:

einen ersten Transistor (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode und einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) zum ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist

und die Basiselektrode (C) über einen ersten Widerstand (R 1) mit diesem ersten Potentialpunkt (GND) in Verbindung steht;

einen zweiten Transistor (Q 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN), der eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die erste Elektrode (E) mit der Basiselektrode des ersten Transistors (Q 1) und die Basiselektrode mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors

(Q 1) verbunden i st;

einen dritten Transistor (Q 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode und

die zweite Elektrode (C) gemeinsam mit der zweiten Elektrode (C) des zweiten Tran-

sistors (Q 2) verbunden sind und die erste Elektrode (E) mit einem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht;

einen vierten Transistor (Q 4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten

und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist, die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht

und dabei in Kombination mit dem dritten Transistor einen Strom spiegel bildet sowie die zweite Elektrode (C) mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) in Verbindung steht;

einen fünften Transistor (Q 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden

ist, die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt in Verbindung steht und dabei in Verbindung mit dem dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet;

- einen Starterschaltkreis mit einem sechsten Transistor (Q 6) und einem fünften Widerstand (R 5), wobei der sechste Transistor (Q 6) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, die Basiselektrode mit der des dritten Tran

sistor (Q 3) in Verbindung steht, die zweite

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Elektrode (C) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) verbunden ist und der fünfte Widerstand (R 5) zwischen die erste Elektrode (E) des sechsten Transistors (Q 6) und den ersten Potentialpunkt (GND) verschaltet ist,

sowie

einen Kompensationsschaltkreis mit einem siebten (Q 7) und einem achten Transistor (Q 8) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) sowie einem sechsten Widerstand (R 6), wobei

der siebte Transistor (Q 7) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, diese Basiselektrode und die zweite Elektrode (C) gemeinsam mit der zweiten Elektrode (C) des fünften Transistors (Q

5) verbunden sind, der sechste Widerstand (R

6) zwischen die erste Elektrode (E) des siebten Transistors (Q 7) und den ersten Potentialpunkt (GND) verschaltet ist und der achte Transistor (Q 8) eine erste und eine

zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, die Basiselektrode mit der des siebten Transistors (Q 7) verbunden ist, die erste Elektrode mit dem ersten Potentialpunkt (GND) und die zweite Elektrode (C) mit

einem Ausgangsanschluß in Verbindung steht.

7. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 6,

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dadurch gekennzeichnet,

daß jede erste Elektrode (E) des dritten (Q 3), vierten (Q 4) und fünften Transistors (Q 5) über einen zweiten (R 2) bzw. einen dritten (R 3) bzw. einen vierten Widerstand (R 4) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht.

8. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 6,

dadurch gekennzeichnet,

daß der sechste Widerstand (R 6) dieselbe Bauweise wie der erste Widerstand (R 1) aufweist.

9. Konstantstromgeneratorschaltkreis,

gekennzeichnet durch:

- einen ersten Transistor (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) mit dem ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist und die Basiselektrode über

einen ersten Widerstand (R 1) ebenfalls mit dem ersten Potentialpunkt (GND) in Verbindung steht;

einen zweiten Transistor (Q 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten

und einer zweiten Elektrode sowie einer

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Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) mit der Basiselektrode des ersten Transistors (Q 1) verschaltet ist und die Basiselektrode mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) in Verbindung

steht;

einen dritten Transistor (Q 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die zweite Elektrode

(C) mit der zweiten Elektrode (C) des zweiten Transistors (Q 2) in Verbindung steht und die erste Elektrode (E) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist;

- einen neunten Transistor (Q 9) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste (E) und die Basiselektrode jeweils mit der Basiseiektrode bzw. der zweiten Elektrode (C) des drit

ten Transistors (Q 3) verbunden sind und die zweite Elektrode (C) an den ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist;

einen vierten Transistor (Q 4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) in Verbindung steht, die erste Elektrode (E) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist

und dabei in Kombination mit dem dritten

Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet und die zweite Elektrode (C) mit der (C) des ersten Transistors (Q 1) verbunden ist;

einen fünften Transistör.(Q 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist, die erste Elektrode (E) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist und dabei in

Kombination mit dem dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet und die zweite Elektrode (C) mit einem Ausgangsanschluß (Output) in Verbindung steht.

10. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 9,

dadurch gekennzeichnet,

daß jeweils die erste Elektrode (E) des dritten (Q 3), vierten (Q 4) und fünften Transistors (Q 5) über einen zweiten (R 2) bzw. dritten (R 3) bzw. vierten Widerstand (R 4) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist.

11. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 9,

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dadurch gekennzeichnet,

daß sie mit einem Starterschaltkreis versehen ist, der einen sechsten Transistor (Q 6) und einen fünften Widerstand (R 5) aufweist, wobei der sechste Transistor (Q 6) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode hat, die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist und die zweite Elektrode (C) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) geführt ist, sowie der fünfte Widerstand (R 5) zwischen die erste Elektrode (E) des sechsten Transistors (Q 6) und den ersten Potentialpunkt (GNO) geschaltet ist.

12. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 9,

dadurch gekennzeichnet,

daß sie mit einem Kompensationsschaltkreis mit einem siebten (Q 7) und einem achten Transistor (Q 8) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN), sowie einem sechsten Widerstand (R 6) versehen ist, wobei der siebte Transistor (Q 7) eine erste und eine zweite Elektrode sowie eine Basiselektrode hat, die Basiselektrode und die zweite Elektrode (C) gemeinsam mit der zweiten Elektrode (C) besagten fünften Transistors (Q 5) in Verbindung stehen, der sechste Widerstand (R 6) zwischen die erste Elektrode (E) des siebten Transistors (Q 7) und den ersten Potentialpunkt (GND) geschaltet ist und der achte Transistor (Q 8) eine erste und eine zweite

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Elektrode sowie eine Basiselektrode aufweist, wobei die Basiselektrode mit der des siebten Transistors (Q 7) in Verbindung steht, die erste Elektrode (E) an den ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist und die zweite Elektrode (C) mit einem Ausgangsanschluß in Verbindung steht.

13. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 12,

dadurch gekennzeichnet,

daß der sechste Widerstand (R 6) dieselbe Bauart wie der erste Widerstand (R 1) aufweist.

14. Konstantstromgeneratorschaltkreis,

gekennzeichnet durch:

- einen ersten Transistor (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) mit einem ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist und die zweite Elektrode (C)

über eine Last mit einem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht sowie die Basiselektrode über einen ersten Widerstand (R 1) auf den ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist und dabei den Spannungsabfall an

diesem ersten Widerstand (R 1) erfaßt;

einen dritten Transistor (Q 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC)

verbunden ist und die zweite Elektrode (C) über den ersten Widerstand (R 1) an den ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist;

einen zweiten Transistor (Q 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) in Verbindung steht, die erste Elektrode (E) mit dem ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist sowie die zweite Elektrode (C) mit der Basiselektrode des dritten Transistors (Q 3) in Verbindung steht und dabei das Potential an der Basiselektrode des dritten Transistors (Q 3) abhängig vom

Potential an der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) regelt; sowie

einen fünften Transistor (Q 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP), mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer

Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors in Verbindung steht, die erste Elektrode (E) an den zweiten Potentialpunkt (VCC)

gelegt ist und dabei in Kombination mit dem

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dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet und die zweite Elektrode (C) mit einem Ausgangsanschluß in Verbindung steht.

15. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 14,

dadurch gekennzeichnet,
daß die Last als Widerstand ausgebildet ist.

16. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 14,

dadurch gekennzeichnet,

daß die Last eine Konstantstromquelle ist.

17. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 14,

dadurch gekennzeichnet,

daß jeweils die erste Elektrode (E) des dritten (Q 3) und fünften Transistors (Q 5) über einen zweiten (R 2) bzw. einen vierten Widerstand (R 4) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist.

18. Konstantstromgeneratorschaltkrei s

gekennzeichnet durch:

einen ersten Transistor (Q 1) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) zu einem ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist, die zweite Elektrode (C) über eine Last mit einem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht und die Basiselek

trode über einen ersten Widerstand (R 1) mit dem ersten Potentialpunkt (GND) verbunden ist und dabei den Spannungsabfall an dem ersten Widerstand erfaßt;

- einen dritten Transistor (Q 3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht und die zweite

Elektrode (C) über den ersten Widerstand (R 1) an den ersten Potentialpunkt (GND) angeschlossen i st;

einen zweiten Transistor (Q 2) eines ersten Leitfähigkeitstyps (NPN) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Q 1) verbunden ist, die erste Elektrode (E) über einen siebten Widerstand (R

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7) an den ersten Potentialpunkt (GND) gelegt ist, die zweite Elektrode (C) mit der Basiselektrode des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist und dabei das Potential an der Basiselektrode abhängig vom Potential der

zweiten Elektrode (C) des ersten Transistors (Ql) regelt;

einen fünften Transistor (Q 5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer

Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist und die erste Elektrode (E) mit dem zweiten Potentialpunkt (VCC) in Verbindung steht und dabei in Kombination mit dem drit

ten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet sowie die zweite Elektrode (C) an einen Ausgangsanschluß angeschlossen ist;

einen zehnten Transistor (Q 10) eines zweiten Leitfähigkeitstyps (PNP) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode sowie einer Basiselektrode, wobei die Basiselektrode mit der des dritten Transistors (Q 3) verbunden ist, die erste Elektrode (E) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist und dabei in Kombination mit dem dritten Transistor (Q 3) einen Stromspiegel bildet sowie die zweite Elektrode (C) mit der des zweiten Transistors (Q 2) verbunden ist und ein Kondensator zwischen die zweite Elektro

de (C) und Basiselektrode des zweiten Transistors (Q 2) geschaltet ist.

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19. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 18,

dadurch gekennzeichnet,
daß die Last als Widerstand ausgebildet ist.

20. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 18,

dadurch gekennzeichnet,

daß die Last als Konstantstromquelle ausgebildet ist.

21. Konstantstromgeneratorschaltkreis nach Anspruch 18,

dadurch gekennzeichnet,

daß jeweils die erste Elektrode (E) des dritten (Q 3), fünften (Q 5) und zehnten Transistors (Q 10) über einen zweiten (R 2) bzw. vierten (R 4) bzw. achten Widerstand (R 8) an den zweiten Potentialpunkt (VCC) gelegt ist.