DE3216863A1

DE3216863A1 - Magnetic recording material

Info

Publication number: DE3216863A1
Application number: DE19823216863
Authority: DE
Inventors: Makoto Nagao; Akira Nahara; Yasuo Odawara Kanagawa Tamai
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1981-05-07
Filing date: 1982-05-05
Publication date: 1982-11-25
Also published as: JPS57183004A

Abstract

A magnetic recording material having excellent magnetic properties and excellent abrasion resistance is proposed. The material consists of a non-magnetic medium having a thin ferromagnetic metal film formed thereon as a magnetic recording layer by means of a vacuum deposition or ion plating process. The thin ferromagnetic metal film contains Co as the main component and 0.1 to 5.0 atom % of at least one of the elements Mo, Ta and/or W.

Description

Maghetisches AufzeichnungsmaterialMagical recording material

Die Erfindung betrifft ein magnetisches Aufzeichnungematerial mit einer ferromagnetischen Isetallschicht als magnetischer Aufzeichnungsschicht, insbesondere ein magnetisches Aufzeichnungamaterial mit ausgezeichneten magnetischen Ejgenschaften und ausgezeichneter Abriebsbesandigkeit. The invention relates to a magnetic recording material with a ferromagnetic metal layer as a magnetic recording layer, in particular a magnetic recording medium excellent in magnetic properties and excellent abrasion resistance.

Es werden bereits magnetische Aufzeichnungsmaterialien vom Überzugstyp überwiegend verwendet. Magnetische Materialien dieser Art werden durch Überzieben eines nichttnognetischen Trägers mit einer magnetischen Überzugsmasse erhalten, welche durch Dispergierung eines pulverförmigen magnetischen IIaterials, wie z.B. magnetischen Pulvern von Oxiden wie y-Fe203, mit Co-dotiertem «-e203, Fe3O4, mit Codotiertem Be304, mit t-2e203 und Fe3O4 gebildeten Berthollidverbindungen, Cr02 und dergleichem, Pulvern von ferromagnetischen Legierungen wie Co-Fe-Cr-Pulvern und dergleichen, in organischen Bindern wie Vinylchlorid-Vinylacetatcopolymeren, Styrol-Butadiencopolymeren, Epoxyharzen, Polyuretienharzen oder dergleichen; hergestellt wurden. Die aufgezo gene Masse wird dann getrocknet und bildet die magnetische Aufzeichnungsschicht In den letzten Jahren stieg der Bedarf für die Aufzeichnung eines großen Betrages an Information innerhalb einer kleinen Fläche des Aufzeichnungsmaterisis stark an, wobei diese Aufzeichnung mit den Ausdruck "Aufzeichnung hoher Dichte" nachfolgend bezeichnet wird. Coating type magnetic recording materials are already being used mostly used. Magnetic materials of this type are made by coating obtained a non-magnetic carrier with a magnetic coating mass, obtained by dispersing a powdery magnetic material, e.g. magnetic powders of oxides such as y-Fe203, with Co-doped «-e203, Fe3O4, with Codoped Be304, berthollide compounds formed with t-2e203 and Fe3O4, Cr02 and the like, powders of ferromagnetic alloys such as Co-Fe-Cr powders and the like, in organic binders such as vinyl chloride-vinyl acetate copolymers, Styrene-butadiene copolymers, epoxy resins, polyurethane resins, or the like; manufactured became. The applied mass is then dried and forms the magnetic recording layer In recent years, the need for recording a large amount has increased of information within a small area of the recording material, this recording being referred to as "high density recording" hereinafter referred to as.

Im Hinblick auf dieses Erfordernis zogen die sogenannten magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Nichtbindertyp, welche keine organischen Binder in den magnetischen Aufzeichnungsschichten enthalten, die Aufmerksamkeit der Fachwelt auf sich. Die magnetischen Aufzeichnungsschichten dieser Materialien sind Dünnfilme aus ferromagnetischen Metallen, die durch Vakuumabscheidungsverfahren unter Einschluß des Vakummabscheidungsverfahrens, des Zerstäubungsverfahrens, des Ionenplattierungsverfahrens, des CV3-Ver- fahrens (chemisches Dampfphasenentwicklungsverfahren) ausgebildet werden. Alternativ können die Schichten durch Metallplattierungsverfahren unter Einschluß des Elektroplattierungsverfahrens, des stromfreien Plattierungsverfahrens und ähnlicher Verfahren ausgebildet werden. Verschiedene Bemühungen, um diese Materialien für den praktischen Gebrauch zu gewinnen, wurde. unternommen.In view of this requirement, the so-called magnetic Non-binder type recording materials which do not contain organic binders in the magnetic recording layers contain the attention of those skilled in the art on yourself. The magnetic recording layers of these materials are thin films made of ferromagnetic metals encapsulated by vacuum deposition processes the vacuum deposition process, the sputtering process, the ion plating process, of the CV3 fahrens (chemical vapor phase development process) be formed. Alternatively, the layers can be formed by metal plating processes including the electroplating method, the electroless plating method and the like. Various efforts to get these materials for practical use was made. undertaken.

Im allgemeinen kann eine Aufzeichnung von hoher Dichte durch Verringerung der Dicke der magnetischen Aufzeichnungsschicht erzielt werden. Jedoch wurden in den üblichen magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Uberzugstyp grundsätzlich als magnetische Materialien Metalloxide mit einer niedrigeren Sättigungsmagnetisierung verwendet. Deshalb erreicht die Verringerung der Stärke ihre Grenze, da sie durch die Erniedrigung des Output der wiedergegebenen Signale bestimmt wird. Diese Materialien sind auch insofern nachteilig, da sie nach komplizierten Verfahren hergestellt çzerden müssen, und es notwendig ist, eine große zusätzliche Ausrüstung anzuwenden, um die bei den Herstellungsverfahren verwendeten Lösungsmittel zurückzugewinnen und eine Umgebungsverschmutzung zu verhindern. Jedoch enthalten die magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Nichtbindertyp ferromagnetische Metalle, die eine größere Sättigungsmagnetisierung als die vorstehend beschriebenen Metallowide besitzen. Diese Itaterialien liegen in Form eines ohr Einverleibung irgendwelcher nichtmagnetischer Substanze wie organischer Binder ausgebildeten Dünnfilmes vor. Infolgedessen sind diese Materialien vorteilhaft, da ihre Mignetfilme leicht sehr dünn gemacht werden können, so daß eine magnetische Aufzeichnung von hoher Dichte erhalten wird. Außerdem sind die Herstelligsverfahren einfach im Vergleich zu denjenigen für die Xerstell«-ng von magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Überzugstyp. In general, high density recording can be achieved by reducing the thickness of the magnetic recording layer can be achieved. However, in the conventional coating type magnetic recording materials basically as magnetic materials, metal oxides with a lower saturation magnetization used. Therefore the reduction in strength reaches its limit as it goes through the lowering of the output of the reproduced signals is determined. These materials are also disadvantageous in that they are produced by complicated processes need, and it is necessary to apply a large amount of additional equipment to the to recover solvents used in manufacturing processes and a Prevent environmental pollution. However, the magnetic recording materials contain of the non-binder type ferromagnetic metals, which have a greater saturation magnetization than the metallowides described above. These materials lie in the form of an ear incorporation of any non-magnetic substance such as organic Binder formed thin film. As a result, these materials are advantageous since their mignet films can easily be made very thin, so that a magnetic one High density recording is obtained. In addition, the manufacturing processes simple in comparison with those for the creation of magnetic recording materials of the coating type.

Die Anwendung der Vakuumabscheidung oder des Ionenplattierungsverfahrens für die Ausbildung von ferromagtischen Filmen wurde untersucht, da sie große Vorteile insofern besitzen, als es nicht notwendig ist, Maßnahmen zur Beseitigung von Abfallösungen vorzunehmen. Der Grund liegt darin, daß das Verfahren von den Netallplattierungsverfahren insofern unterschiedlich ist, als hierbei keinerlei Lösungsmittel verwendet werden. Ferner Bonn das Verfahren zur Herstellung der magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vereinfacht werden, und die Abscheidungsgeschwindigkeit desNetallfilmes kann erhöht werden. Es gibt bekannte Verfahren zur Erzielung von Metallfilmen, die zur Erreichung der günstigen Xoerzitivkraft und des Rechteckverhältnisses für die magnetischen Aufzeichnungsmaterialien fähig sind, indem vorteilhaft das Vakuumabacheidungsverfahren angewandt wird. Im folgenden werden Beispiele für derartige Verfahren gebracht: (1) Ein Verfahren umfaßt die Steuerung des husmaSes des Vakuums oder der Abscheidungsgeschwindigkeit (wozu auf A.V. Davices und Mitarbeiter, IEEE Trans. Magnetico, i3d. IZG-1, Nr. 4, S. 344 (1965) und die US-PS 3 787 237 verwiesen wird), (2) ein weiteres Verfahren umfaßt die Abscheidung des ferromagnetischen Metalls in einer Einschlagarichtung schräg zu der Ebene des Trägers, das sogenannte "geneigte Vakuumabscheidungsverfahren" (wozu auf W.J. Schule, J. Appl. Phys. The use of vacuum deposition or the ion plating process for the formation of ferromagnetic films has been investigated as they have great advantages in so far as it is not necessary to have measures for the disposal of waste solutions to undertake. The reason is that the process is different from the metal plating process is different in that no solvents are used here. Furthermore Bonn the process for the production of the magnetic recording materials can be simplified, and the deposition speed of the general film can be increased will. There are known methods of achieving metal films that are used to achieve the favorable xocitive force and the square ratio for the magnetic Recording materials are capable of taking advantage of the vacuum deposition process is applied. Examples of such procedures are given below: (1) One method involves controlling the degree of vacuum or the rate of deposition (See A.V. Davices and colleagues, IEEE Trans.Magnetico, i3d.IZG-1, No. 4, P. 344 (1965) and U.S. Patent 3,787,237), (2) another method involves depositing the ferromagnetic metal in a tuck direction oblique to the plane of the support, the so-called "inclined vacuum deposition process" (See W.J. Schule, J. Appl. Phys.

Bd. 35, S. 2558 (1964) und die US-PS 3 342 632 und 3 342 63 verwiesen wird), (3) ein weiteres Verfahren umfaßt die Abscheidung eines ferromagnetischen Metalls auf einem Kupfer als Hauptkomponente enthaltenden Träger unter Erhitzen des Trägers (wozu auf die US-PS 4 226 681 verwiesen wird).Vol. 35, p. 2558 (1964) and U.S. Patents 3,342,632 and 3,342,63 (3) another method involves the deposition of a ferromagnetic Metal on a carrier containing copper as a main component with heating of the carrier (see U.S. Patent 4,226,681).

Jedoch sind diese Verfahren nicht günstig, da zufriedenstellende magnetische Eigenschaften nicht erhalten werden können, die Verdampfungastufen kompliziert sind oder die als Träger verwendbaren Haterialien auf speziell geeignete beschränkt sind.However, these methods are not favorable because they are satisfactory magnetic ones Properties cannot be obtained, the evaporation stages are complicated or the materials which can be used as supports on specially suitable ones limited are.

Andererseits kann das Ionenplattierungsverfahren lediglich magnetische Aufzeichnungsmaterialien mit einem unzureichenden Gebrauchswert bilden. Das heißt, wenn ein Gas unter hohem Druck unter Anwendung der Ionenplattierung eingeführt wird, wi eine unzureichende Haffungskraft zwischen dem erhaltenen Magnetfilm und dem Träger erzeugt, obwohl ein I>gnetfilm von hoher Koerzitivkraft erhalten werden kann. Falls das Gas mit niedrigem Druck eingeführt wird, werden die magnetischen Eigenschaften des erhaltenen Magnetfilmes geschädigt, obwohl die Haftung des 1gnetfilmea an dem Träger verbessert wird. On the other hand, the ion plating method can only be magnetic Form recording materials with insufficient utility value. This means, when a gas is introduced under high pressure using ion plating, wi insufficient adhesion force between the obtained magnetic film and the support is generated although a magnetic film of high coercive force can be obtained. If the gas is introduced at low pressure, the magnetic properties become of the magnetic film obtained, although the adhesion of the magnetic film to the Carrier is improved.

Die magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Nichtbindertyp unter Anwendung von ferromagnetischen Dünnfilmen haben ernsthafte-Nachteile hinsichtlich der Verursachung von Abrieb und Bruch aufgrund des fortgesetzten Kontaktes mit dem ignetkopf. Um die Abriebsbeständigkeit der magnetischen Aufzeichnungsmaterialien vom Nichtbindertyp zu verbessern, wurden Verfahren zur Ausbildung verschiedener Arten von Schutzschichten vorgeschlagen. Die Schutzschicht kann aus Ph, Cr, Cr-Oxid, Si-Oxid und dergleichen gebildet sein. Andere Verfahren zur Lösung dieser Probleme umfassen Verfahren zur Ausbildung von Gleitschichten und Verfahren zur Ausbildung von Schutzschichten, die aus Oxide gefertigt sind, indem die Oberflächen der Magnetschichten ccidiert werden. Falls jedoch die Schutzschicht abgenützt ist, wird die magnetische Aufzeichnungsechicht praktisch zerstört. The non-binder type magnetic recording materials among Applications of ferromagnetic thin films have serious drawbacks causing abrasion and breakage due to continued contact with the ignet head. About the abrasion resistance of magnetic recording materials of the non-binder type, methods of forming various have become Types of protective layers proposed. The protective layer can be made of Ph, Cr, Cr oxide, Si oxide and the like may be formed. Other methods of solving these problems include methods of forming sliding layers and methods of forming of protective layers that are made of oxides by covering the surfaces of the magnetic layers be ccidated. However, if the protective layer is worn out, the magnetic one becomes Recording layer practically destroyed.

Außerdem wird der Output bei der Wiedergabe der Signale aufgrund des zwischen der magnetischen Aufzeichnungaschicht und dem Magnetkopf durch die Ausbildung einer Schutzschicht auf der magnetischen Aufzeichnungsschicht gebildeten Raumes verringert. Infolgedessen ist es günstig, die Abriebsbeständigkeit der magnetischen Aufzeichnungsschicht selbst zu ver- bessern.In addition, when the signals are played back, the output is generated due to the between the magnetic recording layer and the magnetic head by the formation a protective layer formed on the magnetic recording layer decreased. As a result, it is favorable to the abrasion resistance of the magnetic Recording layer itself improve.

Infolgedessen besteht eine Aufgabe der Erfindung in der Ausbildung eines neuen magnetischen Auzeichnungsmterials mit einem dünnen ferromagnetischen lIetallfilm als magnetischer Aufzeichnungsschicht. Accordingly, it is an object of the invention to provide training of a new magnetic recording material with a thin ferromagnetic one l Metallic film as a magnetic recording layer.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in einem neuen magnetischen Aufzeichnungsmaterial vom Nichtbindertyp, das sowohl hinsichtlich der magnetischen Eigenschaften als auch der Abriebsbeständigkeit ausgezeichnet ist. Another object of the invention is a new magnetic Recording material of the non-binder type, both in terms of magnetic Properties and abrasion resistance is excellent.

Infolge ausgedehnter Untersuchungen magnetischer Aufzeichnungsmaterialien, welche durch Vakuumabs che idung und Ionenplattierung hergestellt wurden, wurde nun gefunden, daß die magnetischen Eigenschaften und die Abriebsbeständigkeit verbessern werden können, wenn mindestens ein Element aus der Gruppe von Mo, Da und W in einer enge von 0,1 bis 5,0 Atom-% in einen ferromagnetischen Metallfilm einverleibt wird, welcher Co als Hauptkomponente enthält. As a result of extensive studies of magnetic recording materials, which were made by vacuum deposition and ion plating now found that the magnetic properties and the abrasion resistance improve can be if at least one element from the group of Mo, Da and W in one close to 0.1 to 5.0 atomic% is incorporated into a ferromagnetic metal film, which contains Co as a main component.

Aufgrund der vorliegenden Erfindung. ergibt sich somit ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial mit einem nichtmagnetischen Träger mit einem darauf durch Vakuumabscheidung oder Ionenplattierung ausgebildeten dünnen ferromagnetischen Hetallfilm, wobei der dünne ferromagnetische Metallfilm Co als Hauptkomponente enthält und mindestens ein Element aus der Gruppe von Mo, Ta und W in einer Nenge von 0,1 bis 5,0 Atom-, bezogen auf die gesamten Elementbestandteile, enthält. Because of the present invention. the result is a magnetic one Recording material having a non-magnetic carrier with a through thereon Vacuum deposition or ion plating formed thin ferromagnetic metal film, wherein the ferromagnetic metal thin film contains Co as a main component and at least an element from the group of Mo, Ta and W in an amount of 0.1 to 5.0 atomic, based on the total element components.

Im Rahmen der Beschreibung der Erfindung im einzelnen kann die Vakuumabscheidungsstufe gemäß der Erfindung in üblicher Weise unter Anwendung bekannter Vakuumabscheidungsapparaturen durcbgeführt werden. Im einzelnen ist das Vakuumabscheidungsverfahren beispielsweise in L.H. Holland, Vacuum Deposition of Thin Films, Chapman & Hall Ltd., (1956) und IJ.I. Maissel & R. Glang, Handbook of Thin Film Technology, McGrav-Hill Co., (1970) beschrieben. Der bevorzugte Druck innerhalb des Vakuumabscheidungssystemes beträgt 5 x 10-4 Torr oder niedriger, und die geeignete Abscheidungageschwindigkeit beträgt 0,06 bis 60/um/Minute. In the context of the description of the invention in detail, the vacuum deposition stage according to the invention in the usual manner using known vacuum deposition equipment be carried out. In detail, the vacuum deposition method is for example in L.H. Holland, Vacuum Deposition of Thin Films, Chapman & Hall Ltd., (1956) and IJ.I. Maissel & R. Glang, Handbook of Thin Film Technology, McGrav-Hill Co., (1970). The preferred pressure within the vacuum deposition system is 5 x 10-4 Torr or lower, and the appropriate deposition rate is 0.06 to 60 µm / minute.

Der magnetische Dünnfilm gemäß der Erfindung kann vorzugsweise nach dem geneigten Vakuumabscheidungsverfahren entsprechend der US-PS 3 342 632 hergestellt werden, auf die hier ausdrücklich Bezug genommen wird. Ein derartiger Fjlm ergibt ein verbessertes magnetisches Aufzeichnungsmaterial mit ausgezeichneten magnetischen Eigenschaften. The magnetic thin film according to the invention can preferably be according to prepared by the inclined vacuum deposition method according to US Pat. No. 3,342,632 which are expressly referred to here. Such a figure gives an improved magnetic recording medium having excellent magnetic Properties.

Andererseits kann die Ionenplattierungsstufe gemäß der Erfindung entsprechend den Verfahren der japanischen Patentveröffentlichung6328/69 und der US-PS 3 529 601, auf die hier ausdrücklich Bezug genommen wird, hergestellt werden. On the other hand, the ion plating step according to the invention according to the methods of Japanese Patent Publication 6328/69 and US Pat U.S. Patent 3,529,601, incorporated herein by reference, can be prepared.

Der Druck innerhalb des Gerätes, welches ein Inertgas oder Inertgase enthält, beträgt allgemein 10-3 3 bis 1 dort, und vorzugsweise 5 x 10-3 3 bis 5 x 10-2 Torr. Die angelegte Gleichstromspannung beträgt allgemein 0,1 bis 7 KV und vorzugsweise 0,2 bis 5,0 KV. Beispiele für die beim Ionenplattierungsverfahren verwendbaren Gase umfassen Stickstoff, Sauerstoff, Helium, Neon, Argon, Krypton, Xenon, Redox und dergleichen, wobei Argon, Stickstoff und Sauerstoff bevorzugt werden. Diese Gase können einzeln oder als Gemische verwendet werden. Außer dem Gleichstrom-Ionenplattierungsverfahren kann ein durch Hochfrequenzwellen angeregtes Ionenplattierungsverfahren, wie es in der japanischen Patentveröffentlichung 113733/74 beschrieben ist, gleichfalls gemäß der Erfindung eingesetzt werden. Dieses Verfahren umfaßt die Anordnung einer npiralf-migen Elektrode zwischen einer Verdampfungaquelle, deren Polarität positiv gehalten wird, und einem Träger, dessen Polarität negativ gehalten wird, die Zufuhr einer elektrischen Hochfrequenzspannung an die Spirale unter einer Gasatmosphäre von 10 4 bis 10 3 Torr zur Er zeugung eines Hochfrequenzentladungsbereiches, innerhalb dessen die verdampften Teilchen ionisiert werden. Ferner ist es-möglich, das Traubenionensystem des Ionenplattierungsverfahrens, wie es in der japanischen Patentveröffentlichung 33890/74 angegeben ist, und das Ionenplattierungsverfahren, wie es in den japanischen Patentveröffentlichungen 11525/68 und 47910/74 und 34483/74 angegeben ist, anzuwenden, welches die Durchführung von Strömen der verdampften Substanzen durch Elektronenstrahlen umfaßt, um diese zu ionisieren und die Oberfläche eines Trägers mit den ionisierten Strömungen zu besprühen.The pressure inside the device, which is an inert gas or gases contains is generally 10-3 3 to 1 there, and preferably 5 x 10-3 3 to 5 x 10-2 torr. The DC voltage applied is generally 0.1 to 7 KV and preferably 0.2 to 5.0 KV. Examples of those usable in the ion plating method Gases include nitrogen, oxygen, helium, neon, argon, krypton, xenon, redox and the like, with argon, nitrogen and oxygen being preferred. These Gases can be used individually or as mixtures. Except for the DC ion plating method can use a high frequency wave excited ion plating process such as in Japanese Patent Publication 113733/74, too are used according to the invention. This method involves arranging a npiral-shaped electrode between an evaporation source, the polarity of which is positive is held, and a carrier whose polarity is held negative, the supply an electrical high frequency voltage to the spiral under one Gas atmosphere of 10 4 to 10 3 Torr to generate a high frequency discharge area, within which the vaporized particles are ionized. It is also possible the grape ion system of the ion plating process as used in Japanese Patent publication 33890/74 and the ion plating process, as in Japanese Patent Publications 11525/68 and 47910/74 and 34483/74 indicated is to apply which the implementation of streams of vaporized Substances covered by electron beams to ionize them and the surface spraying a carrier with the ionized currents.

Die Elemente Co und Mo, Ta und/oder W sind die Rohmaterialien, die als Verdampfungsmaterialien zur Erzielung des ferromagnetischen Netallfilmes gemäß der Erfindung angewandt werden. Elemente wie Fe, Ni, I, Si, V, Y, La, Ce, Pr, Sm, Gd, Mn, Cu, Cr, Al, Ti, Tb, Dy, Ho, Er, Be, Zr, Rh, Au und Pt, vorzugsweise Ni, Fe, Cr, Mn, V, Ti, Cu, Gd, IgIg, Si und Al, stärker bevorzugt Ni, Fe, Cr, Mg, Si und Al können gleichfalls zugesetzt werden. Diese Elemente können einzeln oder als Gemische oder feste Lösungen oder Legierungen von zwei oder mehr dieser Elemente eingesetzt werden. The elements Co and Mo, Ta and / or W are the raw materials that as evaporation materials to achieve the ferromagnetic metal film according to of the invention can be applied. Elements like Fe, Ni, I, Si, V, Y, La, Ce, Pr, Sm, Gd, Mn, Cu, Cr, Al, Ti, Tb, Dy, Ho, Er, Be, Zr, Rh, Au and Pt, preferably Ni, Fe, Cr, Mn, V, Ti, Cu, Gd, IgIg, Si and Al, more preferably Ni, Fe, Cr, Mg, Si and Al can also be added. These elements can be used individually or as a Mixtures or solid solutions or alloys of two or more of these elements can be used.

Zusätzlich können Nichtmetallelemente wie z.3. B, N, O, P und C, vorzugsweise 0, N und P, stärker bevorzugt 0, in den ferromagnetischen Netallfilm gemäß der Erfindung in geringer Menge einverleibt sein.In addition, non-metal elements such as 3. B, N, O, P and C, preferably 0, N and P, more preferably 0, in the metallic ferromagnetic film according to the invention be incorporated in a small amount.

Die Nichtmetallelemente wie N, O, P und C können vorhergehend in die Verdampfungsquelle einverleibt werden oder können in Form eines Gases zugeführt werden. The non-metal elements such as N, O, P and C can previously be used in the evaporation source can be incorporated or can be supplied in the form of a gas will.

Die als Träger gemäß der Erfindung verwendbaren Viatenahen umfassen Kunstatoffniaterialien wie Polyäthylenterephthalat, Polyimid, Polyäthylennaphthslat, Polyvinylchlorid, Cellulosetriacetat und Polycarbonat, nichtagnetisehe Metalle wie Aluminium, Kupfer, Messing und rostfreien Stahl und anorganische Substanzen wie Glas und Keramiken. Hiervon erden Polyäthylenterephthalat und Polyimide bevorzugt eingesetzt. Der trager kann in jeder Form vorliegen, beispielsweise als Band, Bogen, Karte, Scheibe, Trommel und dergleichen. Die Stärke und Form des Trägers wird in geeigneter Weise ent @ echend dem Zweck des Sndgebrauches des magnetischen Aufzeichnungsmaterials bestimmt. The Viatenahen usable as a carrier according to the invention include Kunstatoffniaterialien such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthslate, Polyvinyl chloride, cellulose triacetate and polycarbonate, non-magnetic metals how Aluminum, copper, brass and stainless steel and inorganic substances such as Glass and ceramics. Of these, polyethylene terephthalate and polyimides are preferred used. The carrier can be in any form, for example as a ribbon, bow, Card, disc, drum and the like. The strength and shape of the wearer is in appropriately according to the purpose of end use of the magnetic recording material certainly.

Der hier im Rahmen der Erfindung verwendete Ausdruck Co als Hauptkomponente enthaltend" bezeichnet für den ferromagnetischen Metallfilm die Angabe, daß das Co in einem Anteil von 70 Atom-So oder mehr enthalten ist. Der ferromagnetische Metallfilm enthält also 70 Atom- oder mehr an Co und 0,1 bis 5,0 Atom- mindestens eines Elementes aus der Gruppe von Mo, Da und W, wobei der Rest aus Be, Ni, Mg, Si, V, Y, La, Ce, Pr, Sm, Gd, Mn, Cu, Cr, Al, Ti, b, Dy, Ho, Er, Be, Zr, Rh, Au, Pt und so weiter, oder einem Gemisch aus zwei oder mehr Materialien hieraus bestehen kann. The term Co used here in the context of the invention as the main component containing "denotes for the ferromagnetic metal film the statement that the Co is contained in an amount of 70 atomic So or more. The ferromagnetic Thus, the metal film contains 70 atoms or more of Co and 0.1 to 5.0 atoms at least an element from the group of Mo, Da and W, the remainder being from Be, Ni, Mg, Si, V, Y, La, Ce, Pr, Sm, Gd, Mn, Cu, Cr, Al, Ti, b, Dy, Ho, Er, Be, Zr, Rh, Au, Pt and so on, or a mixture of two or more materials thereof can.

Der. ferromagnetische Metallfilm kann weiterhin eine geringe Menge einer Nichtmetallkomponente wie 3, N, O, P, C und dergleichen enthalten. Die Zusammensetzung des Restes wird in Abhängigkeit von dem Gebrauchszweck des magnetischen Aufzeichnungsmaterials bestimmt. Die Starke des ferromagnetischen Metallfilmes beträgt etwa 0,02 bis 5/um, vorzugsweise 0,05 bis 2/um.Of the. ferromagnetic metal film can still be a small amount a non-metal component such as 3, N, O, P, C and the like. The composition the remainder will depend on the purpose of use of the magnetic recording material certainly. The thickness of the ferromagnetic metal film is about 0.02 to 5 / µm, preferably 0.05 to 2 µm.

Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung im einzelnen, ohne daß die Erfindung hierauf begrenzt ist. The following examples explain the invention in detail, without the invention being limited thereto.

Beispiel 1 Ein 23/um dicker bandförmiger Polyäthylenberephthalatfilm wurde in dem Grundplattenhalter einer üblichen Vakuumabscheidungsapparatur befestigt und Co wurde in die Verdampfungsquelle eines durch einen Elektronenstrahl induzierten Heizsystemes eingebracht. Außerdem wurde als Mo-Verdampfungsquelle eine Mo-Platte in der Nachbarschaft der Co-Verdampfungsquelle angeordnet. Die Vorrichtung wurde zur Entfernung von Luft evakuiert, wobei der Druck innerhalb auf 5 x 10-5 5 Torr gebracht wurde. Die Vakuumabscheidung wurde bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 50 i/sec durchgeführt, bis die Stärke des abgeschiedenen Filmes 15/um betrug. Hierbei wurde ein Co-Mo-Legierungsfilm mit der gewünschten Zusammensetzung durch Steuerung sowohl der Abgabe des Elektronenstrahles zum Erhitzen der Co-Verdampfungsquelle als auch des zu der No-Platte gesandten Stromes gesteuert. Die Beziehung zwischen dem No-Gehalt in dem Magnetfilm und der Koerzitivkraft des Nagnetfilmes und die Beziehung zwischen dem Mo-Gehalt und der Abriebsbeatändigkeit des Magnetfilmes sind aus Tabelle I ersichtlich. Die Abriebsbeständigkeit wurde durch fortgesetztes Reiben des gleichen Teiles des Nagnetfilmes mit einem Drehkopf des Videodecks eines VHS-Systemes und Messung desjenigen Zeitraumes, bei dem ein Kratzer in dem geriebenen Teil erzeugt wurde, ermittelt. Example 1 A 23 µm thick tape-shaped polyethylene terephthalate film was fixed in the base holder of a conventional vacuum deposition apparatus and Co was induced in the evaporation source of an electron beam Heating system introduced. In addition, a Mo plate was used as a Mo evaporation source placed in the vicinity of the co-evaporation source. The device was evacuated to remove air, the pressure within 5 x 10-5 5 torr was brought. The vacuum deposition was carried out at a deposition rate of 50 i / sec until the thickness of the deposited film became 15 / µm. Here, a Co-Mo alloy film having the desired composition was passed through Control both the delivery of the electron beam for heating the Co-evaporation source as well as the current sent to the No-plate. The relationship between the No content in the magnetic film and the coercive force of the magnetic film and the Relationship between the Mo content and the abrasion resistance of the magnetic film can be seen from Table I. The abrasion resistance was improved by continued rubbing of the same part of the magnetic film with a rotary head of the video deck of a VHS system and measuring the period of time at which a scratch is created in the rubbed part was determined.

Tabelle 1 Mo-Gehalt im It£netilm Koerzitivkraft Abriebsbeständigkeit (Atom-%) (Oe) (Sekunde) 0 95 10 0,02 90 13 0,09 210 52 0,52 240 92 1,4 - 260 144 2,6 305 183 3,3 310 205 5,2 280 230 8,8 105 235 Wie aus Tabelle I ersichtlich, hat, falls der No-Gehalt auf 0,09 Atom-% erhöht wird, das Band eine für sämtliche praktischen Anwendungen ausreichende Koerzitivkraft, während, falls der Mo-Gehalt 8,8 Atom-% beträgt, einerseits die Koerzitivkraft geschädigt wird, obwohl die Abriebabeständigkeit erhöht wird. Infolgedessen wird ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial sowohl mit ausgezeichneten magnetischen Eigenschaften, als auch mit ausgezeichneter Abriebsbeständigkeit erhalten, wenn es als magnetische Äufzeichnungsschicht einen Co-abgeschiedenen Magetfilm aufweist, in den Mo in einem Anteil von 0,1 bis 5,0 Atom-Ó einverleibt ist.Table 1 Mo content in It £ netilm coercive force Abrasion resistance (Atom%) (Oe) (second) 0 95 10 0.02 90 13 0.09 210 52 0.52 240 92 1.4 - 260 144 2.6 305 183 3.3 310 205 5.2 280 230 8.8 105 235 As can be seen from Table I, if the No content is increased to 0.09 atomic%, the tape has sufficient coercive force for all practical applications, while if the Mo content is 8.8 atomic%, on the one hand, the tape has Coercive force is damaged although the abrasion resistance is increased. As a result, a magnetic recording material having excellent magnetic properties as well as excellent abrasion resistance can be obtained when it has, as the magnetic recording layer, a Co-deposited magnetic film in which Mo is incorporated in an amount of 0.1 to 5.0 atomic Ó.

Be Beispiel 2 Ein 0,20/um dicker magnetischer Co-Ni-W-Legierungsdünnfilm wurde auf einem 15/um dicken bandförmigen Polyäthylenterephthalatfilm in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 zur Herstellung einer Bandprobe ausgebildet. Der Co-Ni-W-Dünnfilm wurde durch Anordnung von zwei Verdampfungsquellen eines mit Elektronenstrahl induzierten Heizsystemes in einer Vakuumverdampfungsapparatur und Ausfüllung einer Codepositionsstufe ausgebildet. Hierzu wurde eine Co-Ni-Legierung (Ni-Gehalt 10 Atom-) in einer Verdampfungsquelle eingebracht, und W wurde in die andere Verdampfungaquelle eingebracht. Die beabsichtigte Legierungszusammensetzung wurde durch Steuerung der Abgabe der zu den beiden Verdampfungaquellen gelieferten Elektronenstrahlen erhalten. Hierbei wurde das Neigungsvakuumsabscheidungsverfahren mit einem Auftreffwinkel von 560 angewandt, wobei der Druck bei der Verdampfung auf 2 x 10 5 Torr eingestellt wurde und die Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 i/sec gesteuert wurde. Die Beziehung zwischen dem W-Gehalt des 1gnetfilmes und der Koerzitivkraft und die Beziehung zwischen dem W-Gehalt und der Abriebsbeständigkeit wurden untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle II enthalten. Die Abriebsbeständigkeit wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 bestimmt. Be Example 2 A 0.20 / µm thick Co-Ni-W magnetic alloy thin film was on a 15 µm thick tape-shaped polyethylene terephthalate film in the same Manner designed as in Example 1 for the preparation of a tape sample. Of the Co-Ni-W thin film was induced by arranging two evaporation sources one with an electron beam Heating system in a vacuum evaporation apparatus and filling in a code position step educated. For this purpose, a Co-Ni alloy (Ni content 10 atoms) was placed in an evaporation source and W was introduced into the other evaporation source. The intended Alloy composition was determined by controlling the output of the two evaporation sources obtained electron beams. Here, the slope vacuum deposition method was used applied at an angle of incidence of 560, the pressure being the evaporation was set to 2 x 10 5 Torr and the deposition rate of 20 l / sec was controlled. The relationship between the W content of the magnetic film and the coercive force and the relationship between the W content and the abrasion resistance were examined. The results are given in Table II. The abrasion resistance was after determined by the same procedure as in Example 1.

Tabelle II W-Gehalt des Magnetfilms Koerzitivkraft Abriebsbestän- (Atom-%) (Oe) digkeit (Sekunden) 0 580 5 0,02 575 8 0,08 760 35 0,45 785 63 0,95 810 80 2,3 820 96 3,1 750 106 5,3 720 124 8,2 450 120 Hierbei wurde das Co/Ni-Verhältnis in jeder Probe auf einen konstanten Wert von etwa 90/10 (Atomverhältnis) eingestellt. Wie aus Tabelle II ersichtlich ist, hat, falls der W-Gehalt auf 0,08 Atom- erhöht wird, das Band eine für zahlreiche praktische Anwendungen brauchbare und ausreichende Äbriebsbeständigkeit, während, falls der W-Gehalt 8,2 Ato-% beträgt, die Koerzitivkraft sich schädigt, obwohl die Abriebsbeständigkeit hoch ist. Infolgedessen wird ein magnetisches Aufzeichnungsmaterial, das sowohl hinsichtlich der magnetischen Eigenschaften als auch der Abriebsbeständigkeit ausgezeichnet ist, erhalten, wenn die I>gnetschicht einen abgeschiedenen Co-NiAgnetfilm besitzt, worin W in einem Anteil von 0,1 bis 5,0 Atom-% einverleibt ist.Table II W content of the magnetic film Coercive force Abrasion resistance (Atom-%) (Oe) dity (seconds) 0 580 5 0.02 575 8 0.08 760 35 0.45 785 63 0.95 810 80 2.3 820 96 3.1 750 106 5.3 720 124 8.2 450 120 At this time, the Co / Ni ratio in each sample was set to a constant value of about 90/10 (atomic ratio). As can be seen from Table II, if the W content is increased to 0.08 atomic percent, the tape has sufficient and useful abrasion resistance for numerous practical applications, while if the W content is 8.2 atomic percent, the coercive force is damaged although the abrasion resistance is high. As a result, a magnetic recording medium excellent in both magnetic properties and abrasion resistance is obtained when the magnetic layer has a deposited Co-Ni magnetic film in which W is incorporated in an amount of 0.1 to 5.0 atomic% is.

; Beispiel 3 Ein 0,50/um dicker magnetischer Co-Cr-Mo-Legierungsdünnfilm wurde auf einem 15/um dicken bandförmigen Polyamidfilm in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 zu der Herstellung einer Bandprobe ausgebildet. Der Druck bei der Verdampfung betrug 1 x 10 6 Torr, und die Abscheidungsgeschwindigkeit betrug 100 i/sec. Die Abriebsbeständigkeit wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 bestimmt. Die Beziehung zwischen dem No-Gehalt und der Koerzitivkraft und die Beziehung zwischen dem Mo-Gehal und der Abriebsbeständigkeit sind aus Tabelle III ersichclich. ; Example 3 A Co-Cr-Mo magnetic alloy thin film 0.50 / µm thick was applied to a 15 µm thick polyamide tape-shaped film in the same manner as formed in Example 2 to produce a tape sample. The pressure at the Evaporation was 1 x 10 6 Torr and the deposition rate was 100 i / sec. The abrasion resistance was determined by the same procedure as in Example 1 determined. The relationship between the no content and the coercive force and the Relationship between the Mo content and the abrasion resistance are from Table III evident.

Tabelle III Mo-Gehalt des Magnetfilmes Koerzitivkraft Abriebsbestän- (Atom-%) (Oe) digkeit (Sekunden) . @ 1050 20 0,02 1030 35 0,09 1220 98 0,83 1280 145 2,2 1330 234 5,2 1305 260 8,6 820 250 Hierbei wurde das Co/Cr-Verhältnis in jeder Bandprobe auf einen konstanten Wert von 84/16 (Atomverhältnis) eingestellt. Wie aus Tabelle III ersichtlich ist, hatte ein magnetisches Aufzeichnungamaterial mit einem abgeschiedenen Co-Cr-Legierungsfilm, worin 0,1 bis 5,0 Atom-% No einverleibt waren, ausgezeichnete magnetische Eigenschaften und eine ausgezeichnete Abriebsbeständigkeit.Table III Mo content of the magnetic film Coercive force Abrasion resistance (Atom-%) (Oe) dity (seconds) . @ 1050 20 0.02 1030 35 0.09 1220 98 0.83 1280 145 2.2 1330 234 5.2 1305 260 8.6 820 250 At this time, the Co / Cr ratio in each tape sample was set to a constant value of 84/16 (atomic ratio). As can be seen from Table III, a magnetic recording medium having a deposited Co-Cr alloy film in which 0.1 to 5.0 atomic% of No was incorporated had excellent magnetic properties and excellent abrasion resistance.

Beispiel 4 Ein 25/um dicker Polyimidftlm wurde auf der Kathodenplatte einer üblichen Ionenplattierungsapparatur befestigt, und als Abdampfungsquelle auf der Anodenseite wurden in ähnlicher Weise wie in Beispiel 2 zwei Verdampfungaquellen für die gemeinsame Abscheidung angebracht, in die Co bzw. Example 4 A 25 µm thick polyimide film was placed on the cathode plate attached to a conventional ion plating apparatus, and as an evaporation source on the anode side, in a manner similar to Example 2, two sources of evaporation were established attached for the common separation, in the Co resp.

eine W-Ta-Legierung eingebracht wurden. Das Gerät wurde zunächst zur Entfernung von Luft evakuiert, und der Innendruck wurde auf 5 x 10 6 Torr erniedrigt. Argongas wurde zur Steigerung des Innendrucks auf 1 Torr und dergleichen eingeleitet, und anschließend wurde das Gas erneut evakuiert.a W-Ta alloy were introduced. The device was initially used for Removal of air was evacuated, and the internal pressure was decreased to 5 x 10 6 Torr. Argon gas was introduced to increase the internal pressure to 1 Torr and the like, and then the gas was evacuated again.

Dabei wurde der Druck im Inneren des Gerätes auf 5 x 10 Torr erniedrigt.The pressure inside the device was set to 5 × 10 Torr humiliated.

Dann wurde der Druck innerhalb des Gerätes bei 2 x 10-2 Torr durch Einführung von Argongas in das Gerät aus einem TJadelventil aufrecht erhalten und gleichzeitig wurde das Gas in entsprechender Geschwindigkeit evakuiert. Eine Hochspannung von 2,2 Kv wurde zwischen der Kathode und Anode angelegt, um eine Glimmentladung zu erzeugen. Gleichzeitig wurde die Legierung aus den Verdampfungaquellen zur Durchführung der Ionenplattierung abgedampft. Die dabei erhaltenen bandförmigen Proben hatten die in Tabelle IV aufgeführten Koerzitivkräfte und Abriebsbeständigkeiten. Then the pressure inside the device was increased to 2 x 10-2 torr Introduction of argon gas into the device from a needle valve and maintained at the same time the gas was evacuated at the appropriate speed. A high tension of 2.2 Kv was applied between the cathode and anode to create a glow discharge to create. At the same time, the alloy from the evaporation sources became the implementation the ion plating evaporated. The tape-shaped samples obtained thereby had the coercive forces and abrasion resistances listed in Table IV.

Die Abriebsbeständigkeit wurde nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 ermittelt. The abrasion resistance was determined by the same method as in Example 1 determined.

Tabelle IV W-Gehalt im Magnetfilm Ta-Gehalt im Koerzitivkraft Abriebs- (Atom-%) Magnetfilm (Oe) beständig- (Atom-%> keit (sec) 0 0 @ 260 45 0 0,03 255 47 0,04 0 @ 250 63 0,07 0,03 420 152 0,11 0,10 455 195 0,4 0,2 480 215 0,8 0,5 470 260 1,2 1,2 460 305 1,5 2,1 420 345 2,7 2,5 370 390 4,1 4,3 235 430 Hierbei betrug die Dicke des Magnetfilmes 0,12/um Es ergibt sich aus diesen Beispielen, daß ein magnetisches Aufzeichnungsinaterial mit einem Magnetfilm, welcher unter Anwendung des Vakuumabscheidungsverfahrfahrens oder des Ionenplattierungsverfahrens ausgebildet wurde, und welcher Co als Ilauptkomponente und weiterhin 0,1 bis 5,0 Aton-% mindestens eines Elementes aus der Gruppe von Mo, Ta und W enthält, sowohl ausgezeichnete magnetische Eigenschaften, als auch eine ausgezeichnete Abriebsbeständigkeit besitzt.Table IV W content in the magnetic film Ta content in the coercive force Abrasion (Atom%) magnetic film (Oe) resistant- (Atom%> speed (sec) 0 0 @ 260 45 0 0.03 255 47 0.04 0 @ 250 63 0.07 0.03 420 152 0.11 0.10 455 195 0.4 0.2 480 215 0.8 0.5 470 260 1.2 1.2 460 305 1.5 2.1 420 345 2.7 2.5 370 390 4.1 4.3 235 430 Here, the thickness of the magnetic film was 0.12 µm. It is found from these examples that a magnetic recording material comprising a magnetic film which was formed using the vacuum deposition method or the ion plating method and which contained Co as the main component and further 0.1 to 5, 0 atom% contains at least one element selected from the group of Mo, Ta and W, has both excellent magnetic properties and excellent abrasion resistance.

Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Susführungsformen beschrieben, ohne daß die Erfindung hierauf begrenzt ist. The invention has been described above on the basis of preferred suspension forms described without the invention being limited thereto.

Claims

PS tent claims 1. Magnetic recording material, consisting of a non-magnetic carrier and one on the carrier using one Thin ferromagnetic metal film formed by vacuum deposition process, characterized in that the ferromagnetic metal thin film Co as a main component contains and additionally 0.1 to 5.0 atomic% of at least one of the elements Mo, Da and / or W contains.

2. Magnetic recording material consisting of a non-magnetic one Carrier and one on the carrier using a clay plating process formed thin ferromagic metal film, characterized in that the thin magnetic metal film contains Co as a main component and further contains 0.1 at least one of the elements Mo, Ta and / or W contains up to 5.0 atom%.

3. Magnetic recording material according to claim 1 or 2, characterized characterized in that the thin ferromagnetic metal film is an additional element from the group of Be, Ni, Mg, Si, V, Y, La, Ce, Pr, Sm, Gd, Iqn, Cu, Or, Al, Includes Ti, Tb, Dy, Ho, Er, 3e, Zr, Rh, Au, and Pt.

4. Magnetic recording material according to claim ,, characterized in that that the ferromagnetic metal thin film is further selected from B, X, O, P and C. Does not contain metal element.

5. Magnetic recording material according to claim 1 to 4, characterized characterized in that the ferromagnetic metal film has a thickness of 0.02 to 5 µm owns.

6. Magnetic recording material according to claim 5, characterized characterized in that the thickness of the ferromagnetic metal film is 0.05 to 2 µm amounts to.