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DE2227344B2 - Verfahren zum aetzen von oeffnungen in eine schicht aus organischem material - Google Patents

Verfahren zum aetzen von oeffnungen in eine schicht aus organischem material

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DE2227344B2
DE2227344B2 DE19722227344 DE2227344A DE2227344B2 DE 2227344 B2 DE2227344 B2 DE 2227344B2 DE 19722227344 DE19722227344 DE 19722227344 DE 2227344 A DE2227344 A DE 2227344A DE 2227344 B2 DE2227344 B2 DE 2227344B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Öffnungen in eine auf der Oberfläche eines Substrats aufgebrachten Deckschicht aus einem organischen Material, bei dem auf der Schicht eine Maskierungsschicht aus Photolack in einem den zu ätzenden Öffnungen entsprechenden Muster aufgebracht wird.
An sich ist es bekannt, organische Schichten, die Metalloberflächen zum Schutz überziehen, an bestimmten Stellen zu ätzen. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise in der US-Patentschrift 33 31718 beschrieben. Bei diesem Verfahren wird eine aus Polyimid bestehende Schutzschicht, die aus Aluminium bestehende elektrische Kabel umgibt, an gewünschten Stellen durch Ätzen mit einer wäßrigen Alkalihydroxidlösung entfernt. Das Verfahren ist in diesem Fall anwendbar, trotzdem auch die Aluminiumleiter des Kabels von der Ätzlösung angegriffen werden, da das Alkalihydroxid das Polyimid viel schneller ätzt als das Aluminium.
Auch bei der Herstellung von integrierten Schaltungen wird die Verwendung von Schutzschichten dieser Art seit langem angestrebt. So wird z. B. in der französischen Patentschrift 15 80 665 ein Verfahren zum Herstellen von Schutzschichten aus Polyimid auf Halbleiterbauelementen beschrieben, wobei Öffnungen in die halb gehärteten Polyimidschichten mittels organischer bzw. — wie oben beschrieben — mittels anorganischer Basen geätzt werden. Bisher konnten dabei jedoch keine befriedigenden Ergebnisse erzielt werden, da die auf der Oberfläche eines Halbleiterbauelementes aufgebrachten Leiterzüge, die gewöhnlich aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen bestehen, nur eine Dicke von etwa 10 000 A haben, was zur Folge hat, daß schon durch einen geringen Angriff des Ätzmittels zuviel Material des Leiters abgetragen wird. Außerdem besteht die Gefahr, daß an den die Halbleiteroberflächen bedeckenden Oxidschichten, die mit dem Ätzmittel in Berührung kommen, Metallionen
ίο adsorbiert oder wenigstens Ladungen in diese Oxidschichten injiziert werden, was sich vor allem dann ungünstig auswirkt, wenn die Halbleiteranordnungen Feldeffekttransistoren enthalten. Ein weiterer Nachteil der basischen Ätzung besteht darin, daß voll ausgehärtetes Polyimid sich damit nicht mehr ätzen läßt Es ist deshalb notwendig, die Polyimidschichten vor dem Ätzen nicht oder nur teilweise auszuhärten und den Aushärtevorgang nach dem Ätzen in einem zusätzlichen Prozeßschritt vorzunehmen bzw. zu vollenden.
Es ist auch bekannt, polymerisierten Photolack als Material für Schutzschichten beispielsweise auf Halbleitermaterial zu verwenden. Werden diese Photolackschichten aber zum Ätzen von öffnungen in konventioneller Weise mit den bekannten flüssigen Entwicklern behandelt, so tritt auch das Problem auf, daß die darunterliegende Oberfläche geschädigt wird. Dies tritt pich* nur ein beim Entwickeln von Schichten aus positivem Photolack, von denen die bekanntesten aus Novolaken bestehen und mit einer wäßrigen Alkalihydroxidlösup.g geätzt werden und wobei dann genau die gleichen Probleme auftreten, wie oben beim Polyimid beschrieben worden ist, sondern auch — wenn auch weniger gravierend — bei negativen Photolacken, die normalerweise mit einem Gemisch aus organischen Lösungsmitteln entwickelt werden, die nicht so rein hergestellt werden können, wie es für kritische Prozeßstufen in der Halbleitertechnik notwendig ist.
Obwohl also die Ätztechnik schon weit entwickelt ist, fehlt bisher noch ein Ätzprozeß, mit dem insbesondere chemisch resistente, organische Deckschichten selektiv entfernt werden können, ohne dabei darunterliegende Schichten aus anorganischen Materialien, wie z. B.
Metallen oder Oxiden, zu schädigen.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, mit dem in möglichst wenig Prozeßschritten eine Schicht aus einem organischen Material selektiv geätzt werden kann und bei dem das darunterliegende Substrat nicht angegriffen wird.
Die Aufgabe wird mit einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, das als Ätzmittel Ozon verwendet wird und damit die nicht markierten Gebiete der Deckschicht und die Photolackschicht gleichzeitig entfernt werden. Dieses Verfahren liefert immer dann ausgezeichnete Ergebnisse, wenn die Schicht aus dem organischen Material auf einem Substrat aufgebracht ist, das von Ozon nicht angegriffen wird. Diese Eigenschaft haben sehr viele technisch wertvolle anorganische Materialien, wie z. B. Metalle und Oxide. Das erfindungsgemäße Verfahren hat deshalb ein breites Anwendungsgebiet. Ozon wird aus Sauerstoff, der kommerziell in höchster Reinheit erhältlich ist, in einfacher Weise mittels einer elektrischen Ladung erzeugt. Es ist deshalb nicht zu befürchten, daß das Substrat bei dem Ätzvorgang verunreinigt wird.
Aus einer Veröffentlichung im IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 10, Nr. 8 (Januar 1968) Seite 1260, ist es zwar bekannt, Photolack mit Hilfe von Ozon von Halbleiterplättchen zu entfernen. Gerade aber
diese Verwendung hätte den Fachmann davon abbringen müssen, Ozon als Mittel zum selektiven Ätzen in Gegenwart einer Maske aus Photolack zu verwenden.
Dadurch, daß die maskierende Photolackschicht während des Ätzens der Schicht entfernt wird, wird j außerdem der normalerweise notwendige zusätzliche Prozeßschritt des Photolackablösens eingespart
Allerdings ist aus der US-Patentschrift 34 79 237 ein Verfahren bekannt, bei dem eine Photolackmarke während eines Ätzschrirts entfernt wird. Jedoch besteht dabei gegenüber dem erfindungsgemäßen Verfahren der wesentliche Unterschied, daß bei diesem Ätzschritt die Photolackmaske nicht als Ätzmaske dient, sondern lediglich noch als überflüssiges Material vorhanden ist. In der genannten US-Patentschrift dient die Photolackmaske als Ätzmaske bei der Herstellung einer selektiv geätzten SiO2-Schicht, weiche als Ätzmaske beim Ätzen einer Siliciumnitridschicht dient, wobei, d. h. bei diesem zweiten Ätzvorgang, die Photoladjnaske gleichzeitig entfernt wird. Auf keinen FaU legt das in der US-Patentschrift offenbarte Verfahren den Gedanken nahe, die Ätzmaske während des Ätzschrittes zu entfernen.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigen sich besonders, wenn als Substrat eine Halbleiteranordnung und die Deckschicht aus dem organischen Material als Schutzschicht verwendet wird. Die Oberflächen von Halbleiteranordnungen sind nämlich besonders empfindlich gegenüber Beschädigungen und Verunreinigungen während des Herstellung.-prozesses. Schutzschichten erfüllen ihren Zweck, nämlich beispielsweise, das darunterliegende Material vor Korrosion zu schützen, wenn sie aus einem chemisch relativ resistenten organischen Material bestehen. Gerade aber solche Materialien lassen sich mit Ozon — im Gegensatz zu vielen anderen Ätzmitteln — ätzen.
In vorteilhafter Weise läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren dann anwenden, wenn die Oberfläche der Halbleiteranordnung in den Bereichen, der in die Deckschicht zu ätzenden öffnungen aus einem mit Ozon nicht reagierenden Material, vorzugsweise Aluminium oder Siliciumdioxid, hergestellt wird, da gerade diese Materialien in der Halbleitertechnik eine sehr verbreitete Anwendung finden.
Um die Ätzung in einer für ein Fabrikationsverfahren brauchbaren Zeit durchzuführen, ist es vorteilhaft, wenn die Ätzbeliandlung mit Ozon bei erhöhter Temperatur, vorzugsweise bei etwa 1000C durchgeführt wird.
Es ist vorteilhaft, das erfindungsgemäße Verfahren auf Deckschichten aus Polyimid anzuwenden. Polyimid ist chemisch relativ resistent und hat günstige mechanische Eigenschaften. Deshalb ist seine Anwendung beispielsweise in der Halbleitertechnik als Material für vor Korrosion und mechanisch schützende Schutzschichten sehr wünschenswert. Das erfindungsgemäße Verfahren eliminiert Schwierigkeiten, die bisher bei der Verwendung von Polyimid im Herstellungsverfahren aufgetreten sind. Mit Ozon läßt sich Polyimid sowohl im vollständig ausgehärteten Zustand, was gegenüber der Anwendung anderer bekannter Ätzmittel für Polyimid die Einsparung eines Prozeßschrittes ermöglicht, als auch in nicht oder in teilweise gehärtetem Zustand ätzen.
In vorteilhafter Weise läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren auch auf Deckschichten aus Photolack anwenden.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben, die durch Zeichnungen erläutert werden.
Die F i g. 1 -4 zeigen im Querschnitt einen Ausschnitt aus einem Siliciumplättchen in verschiedenen Stufen des Herstellungsprozesses.
Die F i g. 1 zeigt ein Siliciumplättchen 10 mit einem Muster von Leiterzügen, die aus einer aufgedampften Aluminiumschicht 12 von etwa 10 000 A Dicke hergestellt worden sind. Eine Passivierungsschicht 14 aus Polyimid mit einer Schichtdicke von etwa 10 000 A bedeckt die Aluminiumschichl 12 und die freiliegende Oberfläche des Siliciumplättchens 10. Die Polyimidschicht 14 kann nach wohlbekannten Methoden, z. B. Aufspinnen oder Siebdruck, aufgebracht werden. Diese Schicht darf voll ausgehärtet werden, da das Verfahren in der Lage ist, voll ausgehärtetes Polyimid zu ätzen. Durch die Polyimidschicht 14 sollen Kontaktlöcher zu der aus Aluminium bestehenden Verbindung 12 hergestellt werden. Es wird davon ausgegangen, daß das Siliciumplättchen integrierte Schaltkreise mit den entsprechenden Transistoren, Dioden und Widerständen enthält Die zugehörigen Diffusionsgebiete sind in der Zeichnung nicht gezeigt
Um die Kontaktlöcher, die normalerweise einen Durchmesser von etwa 70 μ haben, in der Polyimidschirht 14 herzustellen, wird eine Photolackschicht 16 ungefähr 10 000 A dick auf die Polyimidschicht 14 aufgeschleudert Wie in F i g. 2 gezeigt ist, wird nun in der Photolackschicht 16 mit den üblichen photolithographischen Methoden durch Belichten und Entwickeln das Muster der gewünschten Kontaktlöcher 18 hergestellt. Dann ist das Siliciumplättchen, wie es Fig.2 zeigt, vorbereitet, der Einwirkung des Ozons ausgesetzt zu werden.
Die F i g. 3 und 4 zeigen die Ergebnisse des Ozonangriffs, der am besten bei einer Temperatur von 1000C erfolgt. Das Ozon kann erzeugt werden, indem ein Sauerstoffstrom von etwa 5 cm3 pro Minute durch einen im Handel erhältlichen Ozonisator strömt. Das Ozon greift die Polyimidschicht 14 an den nicht von Photolack beschichteten Stellen, entsprechend den Kontaktlöchern 18, an. Gleichzeitig mit dem Ätzen der Konfiktlöcher in die Polyimidschicht 14 wird auch, wie die F i g. 3 zeigt, die Photolackschicht 16 durch das Ozon angegriffen.
Wenn wie die Fig.4 zeigt, die Kontaktlöcher 18 fertiggeätzt sind, läßt man das Ozon noch so lange einwirken, bis der Photolack vollständig entfernt ist. Normalerweise ist die Entfernung des Photolacks gleichzeitig mit dem Ätzen der Kontaktlöcher 18 beendet. Da das Ozon die verbliebene Polyimidschicht 14 angreifen wird, wenn der Photolack entfernt ist und die Polyimidschicht zur Passivierung benötigt wird, sollte in der Praxis die Photolackschicht 16 so dick aufgetragen werden, daß eine Polyimidschicht 14 genügender Dicke übriggeblieben ist, wenn die Kontaktlöcher 18 offen sind. Ein bequemer Weg, um dieses Ergebnis mit Sicherheit zu erzielen, ist es die Polyimidschicht 14 von vornherein etwas dicker zu machen als für die Passivierung des integrierten Schaltkreises notwendig ist. Dann tritt kein Problem auf, wenn nach der Entfernung der Photolackschicht 16 noch etwas von der Polyimidschicht 14 abgetragen wird.
Sind die Kontaktlöcher 18 bis zum Aluminiumleiterzug 12 durchgeätzt, so ist Überätzen unkritisch, da Ozon das Aluminium nicht angreift. Die einzige Wirkung, die das Ozon auf das Aluminium hat, ist eine sehr dünne Aluminiumoxidschicht auf seiner Oberfläche zu bilden. Diese Aluminiumoxidschicht ist unkritisch, da sie bei den
nachfolgenden Metallisierungsschritten abgetragen wird.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung genauer erläutern.
5 Beispiel 1
Ein Muster soll in eine Polyimidschicht von ungefähr 10 000 A Dicke, die sich auf einer aufgedampften Aluminiumschicht von ungefähr 10 000 A Dicke befindet, geätzt werden. Eine im Handel erhältliche Polyimidlösung wird verdünnt im Verhältnis 3 Gewichtsteile Polyimidlösung zu 1 Teil N-Methyl-2-pyrrolidon. Die so verdünnte Polyimidlösung wird bei 2000 UpM innerhalb von 6 Minuten aufgeschleudert. Die erhaltene Polyimidschicht wird durch '/2Stündiges Erhitzen bei 4000C vollständig gehärtet. Eine Photolackschicht verdünnt im Verhältnis 3 Gewichtsteile Photolack zu 4 Teilen Xylol wird auf die Polyimidschicht bei 3600 UpM innerhalb 1 Minute aufgeschleudert. Der Photolack wird bei 95°C 20 Minuten lang vorgeheizt. Ein Muster von Löchern in einem Durchmesser von 10 μ wird mit den üblichen photolithographischen Methoden in der Photolackschicht erzeugt. Anschließend wird bei 170°C eine Stunde lang nachgeheizt. Das Halbleiterplättchen wird dann in einen Ozonisator gestellt und 80 Sekunden lang geätzt, indem bei 1000 Watt 5 cm3 Sauerstoff pro Minute, die einen Druck von 5 bis 10 Torr erzeugen, eingeleitet werden.
Eine nachfolgende Inspektion zeigt, daß der Photolack vollständig entfernt worden ist, die Polyimidschicht bis zum Aluminium durchgeätzt worden ist und die Löcher die vorgegebene Dimension haben. Die stehengebliebene Polyimidschicht ist unversehrt und bei 400facher Vergrößerung ist kein Angriff der 10 000 A dicken Aluminiumschicht feststellbar. Das Beispiel zeigt daß das Verfahren dazu verwendet werden kann, Kontaktlöcher in Passivierungsschichten für integrierte Schaltkreise aus Polyirnid zu ätzen, da man mit dem Prozeß Löcher mit 10 μ Durchmesser geätzt werden können, während die üblichen Kontaktlöcher einen Durchmesser von 60 μ haben.
Beispiel 2
Das im ersten Beispiel beschriebene Verfahren wird wiederholt, jedoch wird in diesem Fall ein positiver Photolack sowohl für die organische Schutzschicht als auch zum Maskieren dieser Schutzschicht verwendet. Photolack wird auf ein Halbleiterplättchen bei 3400 UpM innerhalb 1 Minute aufgeschleudert, dann wird 1 Stunde geheizt bei 1600C, um die Schutzschicht herzustellen, die in diesem Fall auf einer 10 000 A dicken, ein Siliciumplättchen bedeckenden SiCVSchicht aufgebracht wird. Nun wird eine zweite Schicht Photolack aufgeschleudert, 15 Minuten bei 85° C geheizt, durch eine Maske mit einem Lochmuster mit Löchern von 10 μ Durchmesser belichtet, entwickelt, und schließlich 30 Minuten lang bei 135°C nachgeheizt. Das Siliciumplättchen wird dann dem Ozon, wie im Beispiel 1 beschrieben, ausgesetzt
Die nachfolgende Prüfung zeigt daß das Muster mit den im Durchmesser 10 μ messenden Löchern in die erste Photolackschicht bis zum S1O2 durchgeätzt, die zweite Photolackschicht entfernt und das S1O2 nicht angegriffen wurde. Das Beispiel zeigt daß die Erfindung auch anwendbar ist für von Polyimid verschiedene Kunststoffe, daß sowohl Positiv- als auch Negativphotolack verwendet werden kann und daß das Substrat nicht Aluminium sein muß. Werden andere organische Materialien zum Abdecken, andere Maskierungsschichten, und andere Substrate, wie oben beschrieben, eingesetzt so erhält man ähnlich vorteilhafte Resultate.
Zusammengefaßt läßt sich sagen, daß mit dem vorgeschlagenen Verfahren hochtemperaturbeständige und chemisch widerstandsfähige organische Isoliermaterialien wie Polyimid, die einen z. B. aus Aluminium bestehenden Metallfilm abdecken, geätzt werden können. Wird ein organisches Material, wie z. B. Photolack, zum Maskieren benutzt so kann die Maskierungsschicht gleichzeitig mit dem Ätzvorgang entfernt werden. Dadurch wird ein zusätzlicher Verfahrensschritt zur Entfernung des Photolacks gespart Das Verfahren ist besonders geeignet für die Herstellung integrierter Schaltkreise.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Ätzen von öffnungen in eine auf der Oberfläche eines Substrats aufgebrachten Deckschicht aus einem organischen Material, bei dem auf der Deckschicht eine Maskierungsschicht aus Photolack in einem den zu ätzenden öffnungen entsprechenden Muster aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß als Ätzmittel Ozon verwendet wird und damit die nicht maskierten Gebiete der Deckschicht (14) und die Photolackschicht (16) gleichzeitig entfernt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat eine Halbleiteranordnung (10) verwendet wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzbehandlung mit Ozon bei erhöhter Temperatur, vorzugsweise bei etwa 1000C durchgeführt wird.
4. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 bei einem Substrat, das aus einer Halbleiteranordnung (10) besteht, dessen oberste Schicht in den Bereichen der in der Deckschicht (14) zu ätzenden öffnungen (18) aus einem mit Ozon nicht reagierenden Material, vorzugsweise Aluminium oder Siliciumdioxid gebildet ist.
5. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 bei einer Deckschicht (14) aus Polyimid.
6. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 5 bei einer Deckschicht (14) aus nicht oder nur teilweise ausgehärtetem Polyimid.
7. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4 bei einer Deckschicht (14) aus Photolack.
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DE2227344A1 DE2227344A1 (de) 1973-01-11
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IT (1) IT960607B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2754396A1 (de) * 1976-12-30 1978-07-13 Ibm Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern
DE3027941A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890176A (en) * 1972-08-18 1975-06-17 Gen Electric Method for removing photoresist from substrate
US3871930A (en) * 1973-12-19 1975-03-18 Texas Instruments Inc Method of etching films made of polyimide based polymers
NL7607298A (nl) * 1976-07-02 1978-01-04 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
US4292384A (en) * 1977-09-30 1981-09-29 Horizons Research Incorporated Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation
US4208242A (en) * 1978-10-16 1980-06-17 Gte Laboratories Incorporated Method for color television picture tube aperture mask production employing PVA and removing the PVA by partial carmelizing and washing
US4209356A (en) * 1978-10-18 1980-06-24 General Electric Company Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas
DE3175488D1 (en) * 1981-02-07 1986-11-20 Ibm Deutschland Process for the formation and the filling of holes in a layer applied to a substrate
US4411735A (en) * 1982-05-06 1983-10-25 National Semiconductor Corporation Polymeric insulation layer etching process and composition
JPH03156233A (ja) * 1989-11-14 1991-07-04 Matsushita Seiko Co Ltd レンジフード
US6858526B2 (en) * 1998-07-14 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Methods of forming materials between conductive electrical components, and insulating materials
US6333556B1 (en) * 1997-10-09 2001-12-25 Micron Technology, Inc. Insulating materials
TW473759B (en) * 2000-02-18 2002-01-21 Acer Display Tech Inc Fabrication method for ribs of plasma display panel
JP2002118049A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US20050279453A1 (en) 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2443373A (en) * 1943-08-20 1948-06-15 Victor N Borsoff Method of removing carbon and carbonaceous matter
US3705055A (en) * 1970-09-18 1972-12-05 Western Electric Co Method of descumming photoresist patterns

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2754396A1 (de) * 1976-12-30 1978-07-13 Ibm Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern
DE3027941A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird

Also Published As

Publication number Publication date
IT960607B (it) 1973-11-30
DE2227344A1 (de) 1973-01-11
CA955508A (en) 1974-10-01
JPS5144065B1 (de) 1976-11-26
GB1327718A (en) 1973-08-22
US3767490A (en) 1973-10-23
FR2144291A5 (de) 1973-02-09

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