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DE2022548A1 - Triggerable monostable circuit - Google Patents

Triggerable monostable circuit

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Publication number
DE2022548A1
DE2022548A1 DE19702022548 DE2022548A DE2022548A1 DE 2022548 A1 DE2022548 A1 DE 2022548A1 DE 19702022548 DE19702022548 DE 19702022548 DE 2022548 A DE2022548 A DE 2022548A DE 2022548 A1 DE2022548 A1 DE 2022548A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
base
resistor
collector
monostable circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702022548
Other languages
German (de)
Inventor
Paterson John Pullar
Rignall Michael William
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BAE Systems Electronics Ltd
Original Assignee
Marconi Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Marconi Co Ltd filed Critical Marconi Co Ltd
Publication of DE2022548A1 publication Critical patent/DE2022548A1/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/284Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator monostable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

MTENTANMMLTlMTENTANMMLTl

DnMOLLeFt-BORE-DRMANiTZ-DR-DEUFEL DIPL-INaFiNSTERWALD-DIPL-INQ1QRAMKOWDnMOLLeFt-BORE-DRMANiTZ-DR-DEUFEL DIPL-INaFiNSTERWALD-DIPL-INQ 1 QRAMKOW

• UONCHEN 22, ROBERT-KOCH-ara 1 TELEFON 226110• UONCHEN 22, ROBERT-KOCH-ara 1 TELEPHONE 226110

München, den 8. Mai 1970Munich, May 8, 1970

THE MARGOBJ ΟΟΜΡΑΙΓΓ LIMITKDTHE MARGOBJ ΟΟΜΡΑΙΓΓ LIMITKD

Bush House, Aldwych, London W.C.2,Bush House, Aldwych, London W.C. 2,

EnglandEngland

Triggerbare, monostabile SchaltungTriggerable, monostable circuit

Die Erfindung betrifft eine triggerbare monostabile Schaltung und insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, eine briggerbare monostabile Schaltung, die für die Verwendung in Form einer integrierten Sohaltung geeignet ist.The invention relates to a triggerable monostable circuit and particularly, but not exclusively, a triggerable monostable circuit suitable for use is suitable in the form of an integrated maintenance.

Sine bekannte triggerbare monoetabile Schaltung ist in Pig.1 der Zeichnung gezeigt.A well-known triggerable monostable circuit is in Pig.1 shown in the drawing.

TIg. 1 zeigt eine Schaltung, bei der die Biitter&ektrodea zweier Transistoren T. und T^ mit einem geerdeten Versorgungsspannungsanschluß und die Kollektorelektroden dieser Transistoren über Viderstände H^ bzw. Rp mit eine» positiven Versorgungsspannungsanschluß +V verbunden sind. BLn· Singangalclemme 1 ist über einen Kondensator C mit der Kollektorelektrode des Transistors T^ und der Basiselektrode dee Transistors T^ verbunden. Die Basiselektrode des Xransietors T1 liegt über einen Widerstand H^ an der positi¥«n Tereorgunapepannung und ferner über einen Kondensator Gg «ι der Kollektorelektrode dee Transistors T2* £Lne Diode H TIg. 1 shows a circuit in which the bit & ektrodea of two transistors T. and T ^ are connected to a grounded supply voltage connection and the collector electrodes of these transistors are connected to a positive supply voltage connection + V via V resistors H ^ and Rp, respectively. BLn · Singangalclemme 1 is connected via a capacitor C to the collector electrode of the transistor T ^ and the base electrode of the transistor T ^. The base electrode of the transistor T 1 is connected to the positive tereorgunap voltage via a resistor H ^ and also to the collector electrode of the transistor T 2 * Lne diode H via a capacitor Gg

00335 2/189800335 2/1898

ist zwischen die Basis- und Emitterelektroden des Translators To geschaltet, wobei der Katnodenanschluß an der Baaieelektrode dieses Transistors anliegt. Sin Auegangeanechluß 2 1st mit der Kollektorelektrode des Transistors Tg verbunden.is connected between the base and emitter electrodes of the translator To, the cathode connection to the base electrode this transistor is present. Sin exit connection 2 1st with connected to the collector electrode of the transistor Tg.

Im Betrieb sind der Transistor T. normalerweise leitend und der Transistor Tg nicht leitend. Die Schaltung wird getriggert, wenn ein Impuls mit positiver Vorderflanke an den Eingang 1 angelegt wird. Dieser Impuls wird durch den Kondensator C und den Widerstand R,. differenziert, damit ein positiver "Spike" (Nadelimpuls) erzeugt wird, der der positiven Vorderflanke des Eingangsimpulaes entspricht und dazu dient, den Transistor T2 leitend zu machen, wodurch das Potential des Ausganges 2 der Schaltung von +V auf das Erdpotential abgesenkt wird. Der vom Differenzieren des negativen Teiles des Triggerimpulses herrührende negative Spike wird durch die Diode Ό abgeschnitten. Dieses Abfallen der Spannung wird über den Kondensator C^ auf die Basis des Transistors T^ übertragen, wodurch dieser Transistor nioht-leitend wird und das Potential des Kollektors des Transistors deshalb auf +V ansteigt. Da der Kollektor von T^ mit der Basis von Tg verbunden ist, wird der leitende Zustand von Tg aufrechterhalten.During operation, the transistor T. is normally conductive and the transistor Tg is not conductive. The circuit is triggered when a pulse with a positive leading edge is applied to input 1. This pulse is passed through the capacitor C and the resistor R ,. differentiated so that a positive "spike" (needle pulse) is generated, which corresponds to the positive leading edge of the input pulse and serves to make the transistor T 2 conductive, whereby the potential of the output 2 of the circuit is lowered from + V to the ground potential. The negative spike resulting from the differentiation of the negative part of the trigger pulse is cut off by the diode Ό. This drop in voltage is transmitted via the capacitor C ^ to the base of the transistor T ^, as a result of which this transistor becomes non-conductive and the potential of the collector of the transistor therefore rises to + V. Since the collector of T ^ is connected to the base of Tg, the conductive state of Tg is maintained.

Der Kondensator Cm wird über den Widerstand Bm durch die positive Versorgungsspannung +V aufgeladen, wobei die Ladezeit durch den Wert des Kondensators C„ und des Widerstandes Rrp bestimmt ist. Erreicht der Kondensat or Cj ein Potential, das gleich dem von V^ des Transistors T^ let, wird der Transistor T,, leitend, und das Potential des Kollektors des Transietore 1S^ und folglich auch das der Basis des Transistors Tg fällt auf das Erdpotential ab, wodurch der Transistor 1S0 gesperrt wird. Baß Potential derThe capacitor C m is charged via the resistor Bm by the positive supply voltage + V, the charging time being determined by the value of the capacitor C n and the resistor Rrp. If the capacitor or Cj reaches a potential which is equal to that of V ^ of the transistor T ^ let, the transistor T ,, becomes conductive, and the potential of the collector of the transistor gate 1 S ^ and consequently also that of the base of the transistor Tg falls on the Ground potential, whereby the transistor 1 S 0 is blocked. Bass potential of the

ORIGINAL INSPECTEDORIGINAL INSPECTED

Ausgangsklerase 2 steigt deshalb auf +V an. Ale folge der Differentiation des Eingangsiapuleea durch den Kondensator C und den Wideretand R* ist der einsige Paktor, der die Sauer des Ausgangsinpulees an der Kleasae 2 steuert, die Ladezeit dee Kondensators C51, die bekanntlich durch den Vert dee Kondensators und des Widerstandes R^ beetiimt ist.Starting clerase 2 therefore rises to + V. As a result of the differentiation of the input iapuleea by the capacitor C and the resistor R *, the only factor that controls the acidity of the output pulse at Kleasae 2, the charging time of the capacitor C 51 , which is known to be due to the vert dee capacitor and the resistor R ^ beetiimt is.

Die Schaltung liefert deshalb einen Ausgangsimpuls konstanter Länge, auch wenn.der Eingangsimpuls langer als der erwünschte Ausgangsimpuls ist.The circuit therefore delivers an output pulse of constant length, even if the input pulse is longer than the desired output pulse.

In sogenannten integrierten oder aikroelektronisohen Schaltungen ist es erwünscht, die Anzahl der Kapazitäten auf ein Minimum zu reduzieren, da Kapaeitätaelemente Bit beliebigen signifikanten Verten verhältnismäßig große Sereiche dee integrierten Schaltungs-"Chips" einnehmen, falle aie saf diesem hergestellt werden sollen. Sollen sie nicht auf den "Chip" erzeugt werden, so Bussen aie getrennt ale diskrete Elemente vorgesehen werden, und deshalb ma& für ihre Verbindung in der Schaltung Voreorg« getroffen werden. Da es inaer erwünscht ist, die Anzahl der notwendigen externen Verbindungen zu reduzieren, ist es auch in diesen EaIl nachteilig, mehrere Kondensatoren zu benötigen. Aufgabe der Erfindung ist es, eine triggerbare oonostabile Schaltung zu schaffen, die ebenfalls mit Eingangsiiapuleen arbeitet, deren Dauer großer als die des erwünschten Ausgangslmpulses ist, die jedoch keinen Differenzierkondensator benötigt.In so-called integrated or microelectronic circuits, it is desirable to reduce the number of capacitances to a minimum, since capacitance elements, bits of any significant vertices, occupy relatively large areas of the integrated circuit "chips", if they are to be produced. Should not be created on the "chip" them, so buses aie separated ale discrete elements are provided, and therefore ma and are taken for their connection in the circuit Voreorg ". Since it is also desirable to reduce the number of external connections required, it is also disadvantageous in these cases to require a plurality of capacitors. The object of the invention is to create a triggerable monostable circuit which also works with input pulses whose duration is greater than that of the desired output pulse, but which does not require a differentiating capacitor.

GeaäS der Erfindung kennzeichnet sich eine triggerbareAccording to the invention, a triggerable one is characterized

cLurcn ^3 cLurcn ^ 3

■onostabile Bchaltung/erste und zweite Transistoren alt gleicher Leitfähigkeit und vom selben Leitungstjp, deren Kollektoren und deren Saitter miteinander verbunden sind,■ onostable circuit / first and second transistors old of the same conductivity and of the same line type, whose Collectors and their strings are connected to each other,

00985-2/188600985-2 / 1886

BADBATH

durch einen dritten Transistor, der ebenfalls vom selben Leitungetyp ist, durch eine Einrichtung zum Führen de· Eingangssignalee auf die Basis des ersten Transistors, durch einen Kondensator, der zwischen die Kollektoren des ersten und zweiten Traneistore und die Basis des dritten Transistors geschaltet ist, durch einen ersten Versorgungsspannungsanschluß, der mit den Knittern der drei Transistoren verbunden ist, durch einen zweiten Spanrnrngsversorgungsanschluß, durch einen ersten Widerstand, der zwischen die Kollektoren des ersten und zweiten Transistors und den zweiten Versorgungsspannungsan-Schluß geschaltet ist, durch einen zweiten Widerstand, der zwischen den Kollektor des dritten Transistors und den zweiten VersorgungespannungsanechluB geschaltet ist, und durch einen dritten Widerstand, der zwischen der Basis des dritten Transistors und dem zweiten Yersorgungsspannungsanschlu£ liegt.through a third transistor, also from the same Line type is through a device for guiding the Input signals to the base of the first transistor, through a capacitor placed between the collectors of the first and second transistor gates and the base of the third transistor is connected by a first Supply voltage connection that is connected to the wrinkles of the three transistors are connected, through a second voltage supply connection, through a first resistor, between the collectors of the first and second transistor and the second supply voltage terminal is connected by a second resistor connected between the collector of the third transistor and the second supply voltage connection is connected, and by a third resistor connected between the base of the third transistor and the second supply voltage terminal lies.

Vorzugsweise ist ein vierter Transistor vorgesehen, dessen Mngangselektrody» iiit der Basis des dritten Transistors verbunden irt,ALtr vierte transistor sun Schaffen eines jkusgangasigaatlt· ait swei Pegelwerten mis Schalttranaistor arbeiten «oll»A fourth transistor is preferably provided, its Input electrode with the base of the third transistor connected irt, ALtr fourth transistor sun create one jkusgangasigaatltait s two level values mis switching transistor work «oll»

Per vierte trannietei1 aufi vom gleichen Leitungstyp wie die anderen drei Iraeisiatosen eeiau Seine Basiselektrode ist alt der Baals des dritten Transistors verbunden, und seine Kollektor-BBittor-Strecke ist in Serie mit einem vierten Widerstand »wischen die ersten und zweiten Vereorgungskleauen geschalt«*, wobei das Ausgangesignal vom Yerbindungepunkt dea vierten Sransistore und des vierten Widerstand·» abgenonEsn wird« Per fourth trannietei 1 aufi of the same conductivity type as the other three iraeisiatoses eeiau Its base electrode is old connected to the Baals of the third transistor, and its collector-BBittor path is connected in series with a fourth resistor "between the first and second supply levels" *, whereby the output signal from the connection point of the fourth transistor gate and the fourth resistor is »abgenonEsn«

008862/1896008862/1896

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Vorzugsweise wird die Schaltung ale integrierte Schaltung auf einem einseinen "Chip" aufgebaut, und die genannten ersten und zweiten Transistoren besitzen eine gemeinsame Kollektorregion.Preferably the circuit becomes an integrated circuit built on a single "chip", and those mentioned first and second transistors have a common one Collector region.

Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise fnhffwrt der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt:The invention is described below by way of example Drawing described; in this shows:

Fig. 2 ein Schaltbild einer monostabilen Schaltung gemäß der Erfindung undFig. 2 is a circuit diagram of a monostable circuit according to of the invention and

Pig, 3 und Pig. 4 graphische Darstellungen zur Erläuterung,Pig, 3 and Pig. 4 graphic representations for explanation,

Die in Pig. 2 dargestellte »onostabile Schaltung besitzt eine Eingangsklemme 1, die mit der Basis des Transistors T11 verbunden ist, dessen Kollektor und Ealtter entsprechend mit dem Kollektor und Emitter eines zweiten Transistors verbunden sind. Die Bnitteren der Transistoren T^ und sind mit einer auf Erdpotential liegenden Versorgungsleitung 3 verschaltet, und die Kollektoren der Transistoren T11 und liegen über einen Widerstand U^ an einer zweiten Versorgungsleitung 4 mit dem Potential +V. Die monostabil© Schaltung weist einen dritten Transistor T^, auf, dessen Slitter ebenfalls mit der Versorgungsleitung 3 und dessen Kollektor über einen Widerstand H^2 ei* der Versorgungsleitung 4 verbunden sind. Der Verbindungspunkt A des Transistors T^* und des Widerstandes R^ ist mit der Basis des !transistors T^g verschaltet. Ein Kondensator Cj Ssgt zwischen den Kollektoren der Transistoren T11 und T12 und der Basis des* Transistors T1,, und ein Widerstand R^ ist zwischen die Basis des Transistors T1, und die Versorgungsleitung 4 geschaltet. Die Basis eines vierten Transistors T14- liegt an der Basis des Transistors T1,, sein Emitter an der Versorgungs-The one in Pig. 2 shown »onostable circuit has an input terminal 1, which is connected to the base of the transistor T 11 , whose collector and Ealtter are correspondingly connected to the collector and emitter of a second transistor. The bitter of the transistors T ^ and are connected to a supply line 3 at ground potential, and the collectors of the transistors T 11 and are connected to a second supply line 4 with the potential + V via a resistor U ^. The monostable © circuit has a third transistor T ^, whose slitter is also connected to the supply line 3 and whose collector is connected to the supply line 4 via a resistor H ^ 2 ei *. The connection point A of the transistor T ^ * and the resistor R ^ is connected to the base of the transistor T ^ g. A capacitor Cj Ssgt between the collectors of the transistors T 11 and T 12 and the base of the * transistor T 1 ,, and a resistor R ^ is connected between the base of the transistor T 1 and the supply line 4. The base of a fourth transistor T 14- is at the base of the transistor T 1 , its emitter at the supply

009852/1896009852/1896

leitung 5 und sein Kollektor Über einen Widerstand H-, an der Versorgungsleitung 4. Der Verbindungspunkt des Transistors T^ und des Widerstandes H^, ist auf eine Auegangsklemme 2 geführt.line 5 and its collector via a resistor H-, on the supply line 4. The connection point of the transistor T ^ and the resistor H ^, is on a Output terminal 2 out.

Die Schaltung ist so hergestellt, daß die Transistoren T1, und T^ und die Transistoren T^14 und ΤΛ9 paarweiseThe circuit is made so that the transistors T 1 and T ^ and the transistors T ^ 14 and Τ Λ9 in pairs so ahnlich wie möglich sind. Sie Transistoren T^, T^» T^z und T^ aollen, wie gezeigt, vom selben Leitungstyp sein. Die Widerstände R-2 und E-, sind ebenfalls mit gleichen Wideretandewerten hergestellt.are as similar as possible. The transistors T ^, T ^ »T ^ z and T ^ are, as shown, of the same conductivity type. The resistors R-2 and E- are also made with the same resistance values.

Zwei Betriebsarten der Schaltung werden im folgenden beschrieben.Two modes of operation of the circuit are described below.

Fig. 3 zeigt graphisch die Wellenformen, die an verschiedenen Teilen der Schaltung auftreten. Dabei wird betont, daß die Wellenformen nicht maßstabsgerecht sind.Figure 3 graphically shows the waveforms appearing at various parts of the circuit. It will emphasizes that the waveforms are not to scale.

Die Wellenform (i) zeigt einen Eingangeimpuls der Dauer tin, der auf die Eingangsklemme 1 geführt wird. Die Vorderflanke dieses Impulses schaltet den Transistor T^ ein, und demzufolge fällt das Potential am Kollektor dieses Transistors, wie es durch die Wellenform (ii) dargestellt ist. Dieser Potentialverlauf gibt ebenfalls das Potential an, das der Zeichnung nach auf der linken Seite des Kondensators G1J, besteht. Das Potential auf der rechten Seite des Kondensators C3,, das vorher auf einem Wert gleich dem Potential V136 des Transistors T^, gehalten wurde, fällt ebenfalls, wie es durch die Wellenform (iii) dargestellt ist. Damit fällt das der Basis des Transistors T^* zugeführte Potential, und dieser Transistor wird nicht-leitend undWaveform (i) shows an input pulse of duration t in , which is fed to input terminal 1. The leading edge of this pulse turns on transistor T ^ and consequently the potential at the collector of that transistor drops as shown by waveform (ii). This potential profile also indicates the potential which, according to the drawing , exists on the left side of the capacitor G 1 J. The potential on the right side of capacitor C 3 ,, which was of the transistor T ^ previously maintained at a value equal to the potential V 136 also falls as shown by the waveform (iii). This drops the potential supplied to the base of the transistor T ^ *, and this transistor becomes non-conductive and

009952/1896009952/1896

veranlaßt daa Potential des Punktes 1, von eines Potential gleich den V06 eat dee Transistors T,. χ auf ein Potential gleich den V^6 des Transietor· T^2 ansusttigen, wie ob durch die Wellenform (iv) veranschaulicht let, Dies hat zur Folge, daß der Transistor T^ leitend wird und dadurch die linke Seite des Kondensator« Cj auf niedriges Potential hält.causes the potential of point 1, of a potential equal to V 06 eat dee transistor T ,. χ to a potential equal to the V ^ 6 of the Transietor · T ^ 2 , as illustrated by waveform (iv) let. This has the consequence that the transistor T ^ becomes conductive and thereby the left side of the capacitor «Cj holds low potential.

Da dae Potential der rechten Seite des Kondensators Cg niedriger ale dae von +V ist, fließt ein Strom durch den Wideret and Βφ und lädt den Kondensator auf. Erreicht dme Potential auf der rechten Seite des Kondensators Oy wieder ein Potential gleich V^0 de« Transietore T1, (in der Willenform (iii) mit der Zeitdauer % gezeigt), wirft der Transistor T1X wieder leitend* Sas Potential des ftmktes A fällt dann auf YQe des Transistors T15 (Wellenform (Iv))Since the potential of the right side of the capacitor Cg is lower than + V, a current flows through the resistor and Β φ and charges the capacitor. If the potential on the right side of the capacitor Oy again reaches a potential equal to V ^ 0 de «Transietore T 1 , (shown in the will form (iii) with the duration%), the transistor T 1 X becomes conductive again * Sas potential of the ftmktes A then falls on Y Qe of transistor T 15 (waveform (Iv)) ab und der Transistor T^ wird nicht-leitend·off and the transistor T ^ becomes non-conductive

An Punkt A kann ein Ausgangseign&l abgsnoHwn werden» aber es ist ersichtlich, daB der %«Qa.nageh«relQh an äi«eoa Bmkt nur gering let, so dafi, wie gtts«ljgt$ «in ¥«fstirk«ftä<er flohslt transistor in form 4SS-IrSnSlStOZ1S T^ Vorsueehea ist. Da* der Baals des Transistors T^ sugefuhrtii Potential hat die Wellenform (iii), so daß der Transistor am Beginn ?oß tift nicht-leitend gemacht wird und das Potential der Äusgsngsklemme 2 ansteigt, wie es durch die Vellenform (v) veranschaulicht 1st· Wird der Transistor T^4. aur seihen ZeitAt point A an output signal can be canceled "but it can be seen that the%" Qa.nageh "relQh an ai" eoa Bmkt only slightly, so that, like gtts "ljgt $ " in ¥ "fsty", it flies transistor in the form of 4SS-IrSnSlStOZ 1 S T ^ Vorsueehea is. Da * the Baal of the transistor T ^ sugefuhrtii potential has the waveform (iii), so that the transistor at the beginning OSS? T ift becomes nonconductive made and the potential of Äusgsngsklemme 2 rises, as shown by the Vellenform (v) illustrates 1st · If the transistor T ^ 4 . only in time leitend gemacht wie der Transistor T^χt so fällt das Potential an der Ausgangsklemme «uf TQe diesas Transistors ab, wobei die Abfallseit des liisgangeeignsles von dey Wechselgesohwindigkeit von \% von '2^ und der Terst&rlcung des Transistors T1^ abhängt. Obwohl der Tranalstor T-2 nioht-1eitend gemacht wird, steigt das Potential an sein·» Kollek-made conductive as the transistor T ^ χ t so the potential at the output terminal "uf T Qe diesas transistor decreases, the Abfallseit of liisgangeeignsles of dey Wechselgesohwindigkeit of \% '2 ^ and the Terst & rlcung of the transistor T depends on 1 ^. Although the Tranalstor T- 2 is made non-conductive, the potential increases its · »Collective

003352/1886003352/1886

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

tor, das mit der Wellenform (ii) veranschaulicht ist, nicht auf +V an, solange der Transistor T^ nicht mit Beendigung dee Eingangsimpulses sperrt. Die Sauer des Ausgangsimpulses ist, wie man an den Wellenformen sehen kann, nicht von der Länge der Eingangswellenform abhängig.gate illustrated with waveform (ii) does not turn on to + V unless transistor T ^ is terminated the input pulse blocks. As you can see from the waveforms, the sourness of the output pulse is not of that Length of the input waveform dependent.

Dies ist die Arbeitsweise der Schaltung, wenn t._ größor als tp ist. Im folgenden wird die Arbeitsweise beschrieben, wenn tp größer als t. ist.This is how the circuit works when t._ is greater than as is tp. The following describes the operation when tp is greater than t. is.

Fig. 4- zeigt Wellenformen, die denen der FLg. 3 für verschiedene Teile der Schaltung entsprechen« Wieder sind die Wellenformen nicht maßstabsgerecht. Die Arbeiteweise ist ähnlich der des vorherigen Beispiels, aber es wird ersichtlich, daß für den Fall, daß das Eingangssignal am · Ende der Periode tp nicht mehr fortdauert, der Transistor T11 am Ende dieser Zeit nicht-leitend ist. Wie im vorigen Beispiel wird der Transistor T^g am Ende der Periode tp nicht-leitend gemacht, so daß zu diesem Zeitpunkt beide Transistoren T11 und T12 nicht-leitend sind und dadurch das Potential auf der linken Seite des Kondensators C3, ansteigt, wie es durch die Wellenform (ii) veranschaulicht ist. Als Folge davon ergibt sich eine verminderbe Abfallzeit der Ausgangswellenform (v).Fig. 4- shows waveforms similar to those of the FLg. 3 correspond to different parts of the circuit «Again, the waveforms are not to scale. The mode of operation is similar to that of the previous example, but it can be seen that in the event that the input signal no longer continues at the end of the period tp, the transistor T 11 is non-conductive at the end of this time. As in the previous example, the transistor T ^ g is made non-conductive at the end of the period tp, so that at this point in time both transistors T 11 and T 12 are non-conductive and the potential on the left side of the capacitor C 3 rises as a result as illustrated by waveform (ii). As a result, the fall time of the output waveform (v) is reduced.

Es ist ersichtlich, daß die Dauer tp des Ausgangsimpulses allein von der durch die Werte vonC« und IL, festgelegten Ladezeit des Kondensators C™ und nicht von der Dauer des Eingangsimpulses abhängt.It can be seen that the duration tp of the output pulse depends solely on that determined by the values of C i and IL Charging time of the capacitor C ™ and not the duration of the Input pulse depends.

Wird die Schaltung gemäß der Erfindung als integriert· Schaltung ausgeführt, kann für die Transistoren T^ und T^2 vorteilhafterweise ein gemeinsamer Kollektorbereich verwendet werden.If the circuit according to the invention is integrated as Circuit executed, can for the transistors T ^ and T ^ 2 advantageously a common collector area be used.

- Patentansprüche -009852/1896- Claims -009852/1896

BAD ORiQfNALBAD ORiQfNAL

Claims (1)

20225A820225A8 - 9 -■■..' Patentansprüche - 9 - ■■ .. ' claims Triggerbare monostabile Schaltung, gekennzeichnet durch einen ersten und zweiten Traneistor mit ähnlicher leitfähigkeit und vom selben Leitungstyp, deren Kollektoren und Emitter paarweise miteinander verbunden sind, durch einen dritten Transistor, der ebenfalls vom selben Leitungstyp ist, durch eine Einrichtung zum Anlegen des Eingangssignalee an die Basis des ersten Transistors, durch einen Kondensator, der zwischen die Kollektoren des ersten und zweiten Transistors und die Basis des dritten Tranaistore geschaltet ist, durch einen ersten Spannungaver sorgungsanschluß , der mit dem Emitter des dritten Transistors verbunden ist, durch einen zweiten Spannungsversorgungsanschluß, einen ersten Widerstand, der zwischen die Kollektoren des ersten und zweiten Transistors und den zweiten SpannungsversorgungeanschluB geschaltet ist, einen zweiten Transistor, der zwischen dem Kollektor des dritten Transistors und de» zweiten SpannungeVersorgungsanschluß liegt und durch einen dritten Widerstand, der zwischen; die Basis des dritten Transistors und den aweiten Spannungsversorgungaanschluß geschaltet ist.Triggerable monostable circuit, characterized by a first and second transistor with similar conductivity and of the same conductivity type, their Collectors and emitters connected to one another in pairs are, through a third transistor, which is also of the same conductivity type, through a means for applying of the input signal to the base of the first transistor, through a capacitor connected between the collectors of the first and second transistor and the base of the third Tranaistore is connected through a first voltage supply terminal connected to the emitter of the third Transistor is connected, through a second power supply terminal, a first resistor which is connected between the Collectors of the first and second transistor and the second voltage supply connection is connected, a second transistor which is connected between the collector of the third transistor and the second voltage supply connection and by a third resistor between; the base of the third transistor and the wide voltage supply connection is connected. 2. Monostabile Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekeanze i c hn θ t, daß sie ferner einen vierten Transistor vom selben Leitungetyp wie die anderen drei aufweist, und ■ daß ihre Eingangselektrode mit der Basis des dritten Transistors verbunden ist, wobei der vierte Transistor dazu dient, als Schalttransistor zum Vorsehen eines Auegangasignales mit zwei Fege!werten zu arbeiten.2. Monostable circuit according to claim 1, characterized in that it also includes a fourth transistor of the same line type as the other three, and ■ that its input electrode connects to the base of the third Transistor is connected, the fourth transistor serves to work as a switching transistor to provide an output gas signal with two sweep values. 009852/1896009852/1896 - ίο -- ίο - 3* Monostabile Schaltung nach Anspruch 3» dadurch g ek s η η -zeichnet, daß die Basiselektrode des vierten Transistors mit der Basis des dritten Transistors und dass die Kollektor-Emitter-Streke des vierten Transistors in Serie mit einem vierten Widerstand zwischen den ersten und den zweiten Spannungs ersorgungsanschluß geschaltet ist, wobei das Ausgangssignal vom Verbindungspunkt des vierten Transistors und des vierten Widerstandes abgenommen wird.3 * monostable circuit according to claim 3 »characterized in that the base electrode of the fourth transistor with the base of the third transistor and that the collector-emitter path of the fourth transistor in series with a fourth resistor is connected between the first and the second voltage supply terminal, the output signal from the connection point of the fourth transistor and the fourth resistance is removed. 4. Monostabile Schaltung nach eines der vorhergehenden Ansprüche, und als integrierte Schaltung auf einem einzelnen "Chip" ausgeführt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor ein gemeinsames Kollektorgebiet besitzen.4. Monostable circuit according to one of the preceding claims, and implemented as an integrated circuit on a single "chip", characterized in that the first and second transistors have a common collector area. 009852/1896009852/1896
DE19702022548 1969-05-08 1970-05-08 Triggerable monostable circuit Pending DE2022548A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

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GB2355769 1969-05-08

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DE2022548A1 true DE2022548A1 (en) 1970-12-23

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ID=10197594

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DE19702022548 Pending DE2022548A1 (en) 1969-05-08 1970-05-08 Triggerable monostable circuit

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DE (1) DE2022548A1 (en)
FR (1) FR2042473A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0086334A1 (en) * 1982-01-28 1983-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Pulse duty conversion circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0086334A1 (en) * 1982-01-28 1983-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Pulse duty conversion circuit

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FR2042473A1 (en) 1971-02-12

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