DE1906816C3 - Controllable semiconductor rectifier - Google Patents
Controllable semiconductor rectifierInfo
- Publication number
- DE1906816C3 DE1906816C3 DE1906816A DE1906816A DE1906816C3 DE 1906816 C3 DE1906816 C3 DE 1906816C3 DE 1906816 A DE1906816 A DE 1906816A DE 1906816 A DE1906816 A DE 1906816A DE 1906816 C3 DE1906816 C3 DE 1906816C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- auxiliary
- main
- control electrode
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N NPNP Chemical compound NPNP VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L23/00—Flanged joints
- F16L23/02—Flanged joints the flanges being connected by members tensioned axially
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L25/00—Construction or details of pipe joints not provided for in, or of interest apart from, groups F16L13/00 - F16L23/00
- F16L25/02—Construction or details of pipe joints not provided for in, or of interest apart from, groups F16L13/00 - F16L23/00 specially adapted for electrically insulating the two pipe ends of the joint from each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter mit einem Halbleiter-Schichtkörper mit mindestens vier aufeinanderfolgenden Zonen alternierenden Leitungstyps, dessen äußere Zonen mit Elektroden ausgestattet sind, deren eine in eine Haupt- und eine Hilfselektrode unterteilt ist, und dessen an die die Haupt- und die Hilfselektrode aufweisenden Zone angrenzende Basiszone mit einer Haupt- und einer Hilfssteuerelektrode versehen ist, wobei die Hilfselektrode mit der Hilfssteuerelektrode.elektrisch verbunden ist, wobei die Hauptsteuerelektrode der Hilfselektrode unmittelbar benachbart ist, und wobei die Hilfssteuerelektrode mit Abstand von der Hauptsteuerelektrode der Hauptelektrode benachbart ist. The invention relates to a controllable semiconductor rectifier with a semiconductor layer body with at least four successive zones of alternating conductivity type, the outer zones of which are equipped with electrodes, one of which is divided into a main and an auxiliary electrode, and of which the main and the A base zone adjoining the auxiliary electrode is provided with a main and an auxiliary control electrode, the auxiliary electrode being electrically connected to the auxiliary control electrode, the main control electrode being immediately adjacent to the auxiliary electrode, and the auxiliary control electrode being at a distance from the main control electrode adjacent to the main electrode.
Aus der NL-OS 67 04 952 ist eine derartige steuerbare Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung bekannt, bei der eine Hauptelektrode, eine g-etrennte Hilfselektrode, eine Steuerhauptelektrode und eineSuch a controllable semiconductor rectifier device is known from NL-OS 67 04 952, in which a main electrode, a g-separated auxiliary electrode, a control main electrode and a
ίο getrennte Steuerhilfselektrode angeordnet sind, die mit der Hilfselektrode elektrisch verbunden ist. Dabei wird die Steuerhilfselektrode zwischen der Hauptelektrode und der Hilfselektrode zugeordnet Damit ist die Halbleiterzone, auf der die Hauptelektrode und die Hilfselektrode ausgebildet sind, nicht durchgehend ausgeführt, sondern wie die zugehörigen Elektroden selbst unterteilt Dieser Aufbau bedingt aufgrund der Unterbindung zweier paralleler, jeweils mit Elektroden versehener Halbleiterzonen große Abmessungen desίο separate auxiliary control electrodes are arranged, which are connected to the auxiliary electrode is electrically connected. The auxiliary control electrode is placed between the main electrode and associated with the auxiliary electrode. The semiconductor zone on which the main electrode and the Auxiliary electrode are formed, not carried out continuously, but like the associated electrodes self subdivided This structure is due to the interconnection of two parallel, each with electrodes provided semiconductor zones large dimensions of the
ίο Halbleiterbauelementes und erschwert damit den HersteliungsprozeB. Beim praktischen Einsatz dieses Halbleiter-Gleichrichters ergibt sich, daß zur Zündung mittels der Steuerhauptelektrode zunächst ein Zündstrom zwischen der Hilfselektrode und der Steuerhauptelektrode und einer zweiten als Anode dienenden Hauptelektrode bewirkt wird. Dieser Strom wird der Steuerhilfselektrode übermittelt, die ihrerseits die Zündung zwischen der Hauptelektrode und der als Anode dienenden zweiten Hauptelektrode auslöst.ίο semiconductor component and thus complicates the Manufacturing process B. When this semiconductor rectifier is used in practice, it follows that for ignition by means of the main control electrode initially an ignition current between the auxiliary electrode and the main control electrode and a second main electrode serving as an anode. This stream becomes the The auxiliary control electrode is transmitted, which in turn controls the ignition between the main electrode and the as Anode serving second main electrode triggers.
Praktisch bedeutet das, daß in Verbindung mit der als Anode dienenden zweiten Hauptelektrode aus der Hilfselektrode und der Steuerhauptelektrode ein erster steuerbarer Halbleiter-Gleichrichter gebildet wird, der seinerseits benutzt wird, um einen nachgeordneten, zweiten steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter anzusteuern, der aus der Hauptelektrode und der Steuerhilfselektrode aufgebaut ist. Der tatsächliche Zündeinsatz wird daher außerordentlich verzögert, denn zunächst ist der vorgeordnete Steuergleichrichter zu zünden, der erst nach seiner Zündung die Steuerhilfselektrode des folgenden steuerbaren Halbleiter-Gleichrichters erregt und damit dessen Zündung einleitet.In practice this means that in connection with the second main electrode serving as an anode from the Auxiliary electrode and the main control electrode, a first controllable semiconductor rectifier is formed which is in turn used to control a downstream, second controllable semiconductor rectifier, which is made up of the main electrode and the auxiliary control electrode. The actual ignition start will be therefore extremely delayed, because first the upstream control rectifier has to be ignited after its ignition, the auxiliary control electrode of the following controllable semiconductor rectifier is excited and thus initiates its ignition.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter gemäß dem bekannten Vorschlag dahingehend zu verbessern, daß bei geringeren Anforderungen an die steuernde Zündspannungsquelle eine höhere Zündgeschwindigkeit erzielt wird. Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Hauptelektrode und die Hilfselektrode auf der ihnen gemeinsamen äußeren Zone unmittelbar benachbart vorgesehen sind.The invention is based on the object of a controllable semiconductor rectifier according to the known Proposal to improve so that with lower demands on the controlling ignition voltage source a higher ignition speed is achieved. The object is achieved in that the The main electrode and the auxiliary electrode are immediately adjacent on the outer zone common to them are provided.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß während der Zündung, in der die Haupt- und Hilfselektrode unterfassenden Zone ein Spannungsabfall auftritt und eine relativ hohe Spannung der Hilfssteuerelektrode zugeführt wird, die die Einleitung des Zündungsvorganges weiter unterstützt. Hierdurch wird der Stromanstieg di/dt wesentlich erhöht und damit der Zündungsvorgang starkThe advantages achieved with the invention are particularly to be seen in the fact that a voltage drop occurs during ignition, in the zone below which the main and auxiliary electrodes are encompassed, and a relatively high voltage is supplied to the auxiliary control electrode, which further supports the initiation of the ignition process. As a result, the current rise di / dt is significantly increased and thus the ignition process is strong
to beschleunigt, wodurch besondere Zündspannungsquellen hinfällig sind.to accelerated, whereby special ignition voltage sources are unnecessary.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in der nachstehenden Beschreibung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigtEmbodiments of the invention are described in the following description with reference to the drawings explained in more detail. It shows
Fig. 1 eine teilweise durchbrochen dargestellte Seitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung,Fig. 1 is a partially broken side view of a first embodiment according to the invention,
Fig. 2 einen Teil des in Fig. 1 gezeigten Ausfüh-Fig. 2 shows a part of the embodiment shown in Fig. 1
rungsbeispiels nach der Erfindung in perspektivischer Darstellung,approximately example according to the invention in perspective Depiction,
F i g. 3 einen in perspektivischer Darstellung wiedergegebenen Schnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel nach der Erfindung,F i g. 3 shows a section through a second exemplary embodiment, shown in perspective according to the invention,
F i g. 4 eine Draufsicht eines dritten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung.F i g. 4 is a plan view of a third embodiment according to the invention.
F i g. 5 eine teilweise durchbrochen wiedergegebene Seitenansicht eines vierten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung;F i g. 5 shows a partially broken side view of a fourth exemplary embodiment the invention;
F i g. 6 einen Teil eines noch fünften Ausführungsbeispiehs nach der Erfindung in perspektivischer Darstellung. F i g. 6 shows part of a fifth embodiment according to the invention in a perspective view.
In F i g. 1 und 2 ist ein aus vier Schichten (PNPN) bestehender säulenartiger Schichtkörper (10) schema- [5 tisch dargestellt. Zu diesem Halbleiter-Schichtkörper gehören P-leitende Diffusionsschichten, welche dadurch entstanden sind, daß ein Gleitendes Halbleiterplättchen (11) auf beiden Seiten einen gewöhnlichen Eindiffundierungsverfahren unterworfen wurde. Zur Eindiffundierung werden dabei Gaüiurnstoffe als Fremdstoff verwenden. Zu diesem Halbleiter-Schichtkorper gehören weiterhin eine /V-Ieitende äußere Zone 14. welche in der /Meitenden Basiszone 13, mit Ausnahme von deren peripheren Teil, unter Anwendung des Gold-Antimon-Legierungsverfahrens eingearbeitet worden ist. Der Haibleiter-Schichtkörper 10 läßt sich auch unter Verwendung anderer als der hier beschriebenen Methoden herstellen, beispielsweise dadurch, daß die äußere Zone 14 unter Anwendung der Diffusionsmethode oder epitaxialen Methode gebildet wird. Der Halbleiter-Schichtkörper 10 kann bei Verwendung eines P-leitenden Halbleiterplättchens auch in der Anordnung NPNP hergestellt werden. Auf der äußeren Zone 14 ist eine erste Hauptelektrode 16 und eine Hilfselektrode 17 aufgebracht, die beide eine erste Elektroden-Vorrichtung bilden, auf der P-Ieitenden Anodenschicht 12 ist eine zweite Hauptelektrode, die Anodenelektrode 15 montiert. Auf der Basiszone 13 sind eine Haup.steuerelektrode 18 und eine Hilfssteuerelektrode 19 angeordnet, die eine Steuerelektroden-Vorrichtung bilden.In Fig. 1 and 2, a columnar layer body (10) consisting of four layers (PNPN ) is shown schematically [5]. This laminated semiconductor body includes P-type diffusion layers, which are formed by subjecting a sliding semiconductor wafer (11) to an ordinary diffusion process on both sides. Gaüiurnstoffe are used as foreign matter for diffusion. This semiconductor laminated body also includes a / V-conductive outer zone 14, which has been incorporated in the / V-conductive base zone 13, with the exception of its peripheral part, using the gold-antimony alloy process. The semiconductor laminated body 10 can also be produced using methods other than those described here, for example in that the outer zone 14 is formed using the diffusion method or epitaxial method. The semiconductor laminated body 10 can also be produced in the arrangement NPNP when using a P-conductive semiconductor chip. A first main electrode 16 and an auxiliary electrode 17, both of which form a first electrode device, are applied to the outer zone 14, and a second main electrode, the anode electrode 15, is mounted on the P-conductive anode layer 12. A main control electrode 18 and an auxiliary control electrode 19, which form a control electrode device, are arranged on the base zone 13.
Die Anodenelektrode 15 wird unter Anwendung des Aufdampfverfahrens oder des Legierungsverfahrens hergestellt. Die Hauptelektrode 16 sowie die Hilfselektrode 17 werden derart gefertigt, daß nach Herstellung der gemeinsamen äußeren Zone 14 unter Anwendung des Gold-Antimon-Legierungsverfahrens eine auf der vorerwähnten äußeren Zone zurückbleibende kreisförmige Metallschicht durcii einen geraden Schlitz in einen größeren und einen kleineren Teil unterteilt, wobei diese Teiie dann in entsprechender Weise als Hauptelektrode 16 und als Hilfselektrode 17 benutzt werden. Die Hauptsteuerelektrode 18 wird unter Anwendung des Ultraschallverfahrens oder unter Anwendung von Hitze und Druck auf der Basiszone 13 mit Hilfe eines Aluminiumdrahtes an einer Stelle montiert, welche sich nahe der Hilfselektrode 17 befindet. Auch die Hilfssteuerelektrode 19 wird unter Anwendung der im Zusammenhang mit der Hauptsteuerelektrode 18 beschriebenen Verfahren auf der Basiszone 13 aufgebracht, und zwar an einer Stelle, welche von der Hauptsteuerelektrode 18 sehr weit entfernt ist, nämlich an einer Stelle jenseits der ersten Elektroden-Vorrichtung. The anode electrode 15 is formed using the vapor deposition method or the alloy method manufactured. The main electrode 16 and the auxiliary electrode 17 are manufactured in such a way that after manufacture of the common outer zone 14 using the gold-antimony alloy process one on the The circular metal layer remaining in the aforementioned outer zone by a straight slot in a larger and a smaller part divided, this part then in a corresponding manner as the main electrode 16 and used as auxiliary electrode 17. The main control electrode 18 is used the ultrasonic method or with the application of heat and pressure on the base zone 13 with the aid of a Aluminum wire mounted at a point which is near the auxiliary electrode 17. Also the Auxiliary control electrode 19 is made using the method used in connection with main control electrode 18 described method applied to the base zone 13, at a location which is of the Main control electrode 18 is very far away, namely at a point beyond the first electrode device.
Die Hilfselektrode 17 und die Hilfssteuerelektrode 19 werden mit Hilfe eine.· Leitung 20 elektrisch miteinander verbunden. Zwischen die vorerwähnten beiden Elektroden kann ein Widerstand 21 geschaltet werden.The auxiliary electrode 17 and the auxiliary control electrode 19 are electrically connected to one another with the aid of a line 20 tied together. A resistor 21 can be connected between the aforementioned two electrodes.
Nachstehend soll nun der steuerbare Halbleieer-Gleichrichter gemäß F i g. 1 und 2, welcher in der vorerwähnten Weise konstruiert ist, in seiner Arbeitsweise beschrieben werden. Wird zwischen der Hauptelektrode 16 und der Anodenelektrode 15 eine vorbestimmte Spannung und an der Hauptsteuerelektrode 18 ein für das Durchschalten in den Durchlaßzustand bestimmte Auslöseimpuls angelegt, dann beginnt der Zündvorgang zuerst in einer Zone 22 des der Hauptsteuerelektrode benachbarten Bereiches. Dieser Zündvorgang dehnt sich bis auf einen Teil genau unter der Hilfselektrode 17 aus und verläuft dann weiter nach unten bis in den Schichtbereich genau unter der Hauptelektrode, und zwar so lange, bis daß die ganze Halbleitervorrichtung gezündet und in den Durchlaßzustand gebracht worden ist. Wenn sich der Zündvorgang bis auf einen Teil genau unter der Hilfselektrode ausgedehnt hat, dann steigt das Potential dieser bereits erwähnten Hilfselektrode gegenü^r dem der Hauptelektrode um einige Volt an und verusa^hi, daß auch die mit ihr verbundene Hilfssteuerelektrode 19 gegenüber der Hauptelektrode ein höheres Potential hat, was dann dazu führt, daß er auch zu einer Zündung vun dem Hauptelektrodenbereich aus kommt, welcher der bereits genannten Hilfssteuerelektrode benachbart ist.The following is the controllable semiconductor rectifier according to FIG. 1 and 2, which is constructed in the aforementioned manner, in its operation to be discribed. Is between the main electrode 16 and the anode electrode 15 a predetermined voltage and at the main control electrode 18 for switching through to the on state specific trigger pulse applied, then the ignition process begins first in a zone 22 of the Main control electrode adjacent area. This ignition process expands to just one part the auxiliary electrode 17 and then continues down to the layer area just below the Main electrode until the entire semiconductor device is ignited and in the on state has been brought. If the ignition process is down to a part exactly under the auxiliary electrode has expanded, then the potential of this auxiliary electrode already mentioned increases compared to that of the main electrode by a few volts and verusa ^ hi that also the auxiliary control electrode 19 connected to it has a higher potential than the main electrode, which then leads to the fact that it also comes to an ignition from the main electrode area, which the already mentioned auxiliary control electrode is adjacent.
Bei dem steuerbaren Halbleitergleichrichter gemäß Fig. 1 und 2 ist die Zündung folglich nicht auf einen einzigen Punkt konzentriert, so da" während dieses beginnenden Leitzustandes das kritische Verhältnis di'dt wesentlich erhöht wird. Darüber hinaus braucht bei diesem Gleichrichter eine gesondere Stromquelle zur Erregung der Hilfssteuerelektrode nicht mehr vorgesehen zu werden. Weiterhin braucht die Hauptelektrode auch nicht in der Abmessung verkleinert zu werden.In the controllable semiconductor rectifier according to FIGS. 1 and 2, the ignition is consequently not concentrated on a single point, so that the critical ratio di'dt is significantly increased during this incipient conduction state Furthermore, the main electrode does not need to be reduced in size.
Nachstehend soll nun das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 beschrieben werden. Die scheibenförmige Zonenschicht 30 des /vTWP-Schichtkörpers 10 ist mit zehn Vorsprüngen versehen, welche in einem bestimmten Abstand angeordnet sind und sich radial zur Peripherie des Schichtkörpers erstrecken. Auf der Basiszone 13 ist in der Nähe von einem der vorerwähnten Vorsprünge der Zonenschicht die Hauptsteuerelektrode 18 unter Anwendung eines bekannten Verfahrens eingesetzt. Auf dem Vorsprung, welcher der Hauptsteuerelcktrode 18 am nächsten liegt, ist eine Hilfselektrode 32 montiert. Hilfssteuerelektroden 33 sind an jenen Teilen der Basiszone vorgesehen, welche an die anderen Vorsprünge angrenzen. Die Hilfselektrode 32 und die Hilfssteuerelektroden 33 sind mittels eines Drahtes 34 elektrisch miteinander verbunden.The exemplary embodiment according to FIG. 3 will now be described below. The disc-shaped Zone layer 30 of / vTWP composite 10 is with ten projections provided, which are arranged at a certain distance and radially to Extend the periphery of the laminate. On the base zone 13 is near one of the the aforementioned projections of the zone layer, the main control electrode 18 using a known one Procedure used. On the protrusion closest to the main control electrode 18 is one Auxiliary electrode 32 mounted. Auxiliary control electrodes 33 are provided on those parts of the base region which adjoin the other protrusions. The auxiliary electrode 32 and the auxiliary control electrodes 33 are by means of a Wire 34 electrically connected to one another.
Die nachstehend gegebene Beschreibung befaßt sich mit Bezug auf F i g. 4 mit einem weiteren Ausführungsbeispiel der A/WP-Schichtkörper 10 besitzt eine als kreisförmige Scheibe ausgeführte Zonsnschicht 14. A>:f dieser Scheibe ist eine Hauptelektrode 41 aufgebracht. Diese Hauptelektrode ist in Form einer kreisförmigen Scheibe ausgeführt, bei der ein Teil geradlinig abgeschnitten ist. Auf der Zonenschicht und auf der Basiszone 13 ist eine gemeinsame Elektrode 42 aufgesetzt, welche sowohl als Hilfselektrode als auch als Hilfssteuerelektrode dient. Diese gemeinsame Elektrode 42 hat die Form eines Ringes mit einem linearen Abschnitt und ist v. ic die kreisförmige Scheibe der zuvor erwähnten Hauptelektrode 41 geformt, von der ein Teil, wie bereits zuvor erwähnt, geradlinig abgeschnitten ist. Der geradlinige Teil der gemeinsamen Elektrode 42The description given below deals with FIG. 4 with a further embodiment of the A / WP laminated body 10 has an as circular disc executed zone layer 14. A>: f A main electrode 41 is applied to this disk. This main electrode is in the shape of a circular one Executed disc in which a part is cut off in a straight line. On the zone layer and on the Base zone 13 has a common electrode 42 placed thereon, which serves both as an auxiliary electrode and as Serves auxiliary control electrode. This common electrode 42 has the shape of a ring with a linear one Section and is v. ic the circular disc from before mentioned main electrode 41, of which a part, as already mentioned, is cut off in a straight line. The straight part of the common electrode 42
liegt in einem vorgegebenen bestimmten Abstand dem geradlinig abgeschnittenen Teil der Hauptelektrode 41 parallel gegenüber. Auf diese Weise ist der kleinere Teil der vorerwähnten ringförmigen Elektrode in einem vorgeschriebenen bestimmten Abstand von der ersten Hauptelektrode 41 auf der Zonenschicht angeordnet, während der größere Teil derart auf der Basiszone angeordnet ist, daß er die Hauptelektrode 41 umgibt. An einer sich dicht bei dem geradlinigen Teil der ringförmigen Elektrode 42 befindenden Stelle ist die Hauptsteuerelektrode 18 an der Basiszone 13 vorgesehen. Bei dem Gleichrichter nach F i g. 4 verursacht das der Hauptsteuerelektrode 18 zugeführte Auslösesignal, daß der geradlinige Teil der gemeinsamen Elektrode 42 auf der Zonenschicht 40 sowie der kreisförmig ausgeführte Teil auf der Basiszone 13 zur gleichen Zeit geschallet werden. Das aber bedeutet, daß die Zündung n!ö'.H!lch VOP de Pcrinherie Her Hauptelektrode 41 vor sich geht.is parallel to the rectilinearly cut part of the main electrode 41 at a predetermined certain distance. In this way, the smaller part of the aforementioned annular electrode is arranged at a prescribed certain distance from the first main electrode 41 on the zone layer, while the larger part is arranged on the base zone so as to surround the main electrode 41. The main control electrode 18 is provided on the base zone 13 at a location close to the rectilinear part of the annular electrode 42. In the rectifier according to FIG. 4 causes the trigger signal fed to the main control electrode 18 to cause the rectilinear part of the common electrode 42 on the zone layer 40 and the circular part on the base zone 13 to be sounded at the same time. This means, however, that the ignition n ! Ö'.H! Lch V OP de Pcrinherie Her main electrode 41 is taking place.
Der in Fig. 5 wiedergegebene Halbleitergleichrichter ist ein weiteres Ausführungsbeispiel. Er besitzt eine ringförmige äußrre Zone 14. Auf der Basiszone 13 ist im Zentrum der vorerwähnten äußeren Zone 14 eine Hilfssteuerelektrodc 19 angebracht. Ansonsten hat das Ausführungsbeispicl nach F i g. 5 die gleiche Konstruktion wie das nach Fig. 1. so daß deren Beschreibung weggelassen werden kann. Die Gleichnchtervorrich- !ung nach Γ i p. 5 is! eine modifizierte oder geänderte Konstruktion der bekannten Gleichrichterausführung mit zentraler Steuerelektrode.The semiconductor rectifier shown in FIG is another embodiment. It has an annular outer zone 14. On the base zone 13 is in An auxiliary control electrode 19 is attached to the center of the aforementioned outer zone 14. Otherwise it has Execution example according to FIG. 5 has the same construction as that of FIG. 1. so that the description thereof can be omitted. The equivalence device according to Γ i p. 5 is! a modified or changed Construction of the well-known rectifier version with a central control electrode.
F.in weiteres Alisführungsbeispiel wird in F i g. 6 wiedergegeben. Hier sind zwei Hilfselcktroden 17 und 17' vorgesehen, welche jeweils mit zwei Hilfssteuerelektroden 19 und 19' verbunden sind. Die Hauptstcuerelektroden 18 und 18' sind auf der Basiszone 13 montiert und elektrisch miteinander verbunden. Die Hilfsstcuerelektroden 19 und 19' sind in einer Linie angeordnet, welche im rechten Winkel zu der liegt, welche die Hauptsteuerelektroden 18 und 18' miteinander verbindet. Eine auf der äußeren Zone 14 befindliche Metallschicht ist mittels dreier gerader Schlitze in drei Teile unterteilt welche eine Hauptelektrode 16 und jeweils die bereits erwähnten Hilfselektroden 17 und 17' bilden. Die Hilfselcktroden 17 und 17' sind jeweils mit der Hilfsstcuerelektroden 19 und 19' elektrisch verbunden Diese Anordnung der Vorrichtung ermöglicht die Steigerung des kritischen Verhältnisses di/dt. F. In a further example, FIG. 6 reproduced. Here two auxiliary electrodes 17 and 17 'are provided, which are each connected to two auxiliary control electrodes 19 and 19'. The main control electrodes 18 and 18 'are mounted on the base zone 13 and are electrically connected to one another. The auxiliary control electrodes 19 and 19 'are arranged in a line which is at right angles to that which connects the main control electrodes 18 and 18'. A metal layer located on the outer zone 14 is divided into three parts by means of three straight slots which form a main electrode 16 and the already mentioned auxiliary electrodes 17 and 17 '. The auxiliary leak electrodes 17 and 17 'are each electrically connected to the auxiliary control electrodes 19 and 19'. This arrangement of the device enables the critical ratio di / dt to be increased.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
Claims (6)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1968009710U JPS473536Y1 (en) | 1968-02-13 | 1968-02-13 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1906816A1 DE1906816A1 (en) | 1969-09-18 |
| DE1906816B2 DE1906816B2 (en) | 1977-08-11 |
| DE1906816C3 true DE1906816C3 (en) | 1978-04-06 |
Family
ID=11727790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1906816A Expired DE1906816C3 (en) | 1968-02-13 | 1969-02-12 | Controllable semiconductor rectifier |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS473536Y1 (en) |
| DE (1) | DE1906816C3 (en) |
| FR (1) | FR2001834A1 (en) |
| NL (1) | NL6902237A (en) |
| SE (1) | SE354744B (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4092703A (en) * | 1977-03-15 | 1978-05-30 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Gate controlled semiconductor device |
| FR3107556B1 (en) | 2020-02-25 | 2023-03-03 | Psa Automobiles Sa | EXHAUST GAS DEPOLLUTION SYSTEM FOR A PETROL ENGINE |
-
1968
- 1968-02-13 JP JP1968009710U patent/JPS473536Y1/ja not_active Expired
-
1969
- 1969-02-12 SE SE01900/69A patent/SE354744B/xx unknown
- 1969-02-12 DE DE1906816A patent/DE1906816C3/en not_active Expired
- 1969-02-13 FR FR6903484A patent/FR2001834A1/en active Pending
- 1969-02-13 NL NL6902237A patent/NL6902237A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS473536Y1 (en) | 1972-02-07 |
| SE354744B (en) | 1973-03-19 |
| DE1906816A1 (en) | 1969-09-18 |
| FR2001834A1 (en) | 1969-10-03 |
| DE1906816B2 (en) | 1977-08-11 |
| NL6902237A (en) | 1969-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1639019B2 (en) | CONTROLLED SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER | |
| DE68915885T2 (en) | Connecting device between an integrated circuit and an electrical circuit and manufacturing method thereof. | |
| DE1208411B (en) | Breakdown-insensitive semiconductor rectifier with a zone of higher specific resistance | |
| DE2747668A1 (en) | THYRISTOR COMPONENT | |
| DE1906816C3 (en) | Controllable semiconductor rectifier | |
| DE1926776A1 (en) | Method for producing an annular locking washer and locking washer produced by the method | |
| DE2939157A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A CORELESS ANCHOR | |
| DE2340128C3 (en) | Semiconductor component with high blocking capability | |
| WO2001024274A1 (en) | Thyristor with recovery time voltage surge resistance | |
| DE3031273A1 (en) | ELECTROMAGNETIC DEVICE. | |
| DE2805813C3 (en) | l.PT 02/23/84 semiconductor arrangement SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Electronics mbH, 8500 Nuremberg, DE | |
| DE2261819C2 (en) | Bidirectional thyristor | |
| DE2520134C3 (en) | Thyristor with a rectangular semiconductor element | |
| DE2422748C3 (en) | Thyristor | |
| DE2346256C3 (en) | Thyristor | |
| EP0032264B1 (en) | Thyristor with shorted emitter having a short time current flow | |
| EP0039875B1 (en) | Thyristor | |
| DE2237086C3 (en) | Controllable semiconductor rectifier component | |
| DE1439954C3 (en) | Semiconductor component for semiconductor rectifiers and method of manufacturing | |
| DE2436408A1 (en) | CONTROLLED SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER | |
| DE1614991A1 (en) | Semiconductor element | |
| DE1934866A1 (en) | Semiconductor component | |
| DE9319945U1 (en) | Solder ring for vacuum electronic components | |
| DE653528C (en) | Process for the production of ring-shaped locking washers with overlapping lobes | |
| DE1489087C (en) | Semiconductor component with improved frequency behavior and method for manufacturing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |