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DE1541443A1 - Rauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Rauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung

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Publication number
DE1541443A1
DE1541443A1 DE19661541443 DE1541443A DE1541443A1 DE 1541443 A1 DE1541443 A1 DE 1541443A1 DE 19661541443 DE19661541443 DE 19661541443 DE 1541443 A DE1541443 A DE 1541443A DE 1541443 A1 DE1541443 A1 DE 1541443A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor diode
noise generator
forming
word
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661541443
Other languages
English (en)
Inventor
Hubert Kloecker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fried Krupp AG
Original Assignee
Fried Krupp AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fried Krupp AG filed Critical Fried Krupp AG
Publication of DE1541443A1 publication Critical patent/DE1541443A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B29/00Generation of noise currents and voltages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)

Description

  • Pauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung Die ErfIndung betrifft einen Rauechgenerator-und, ein Verfahren zu seiner lneratellung.
  • Bisher hat aan zu-r Zrzeugung einer Rauschspannung Glimm,-lampen und gaegefUllte Röhrendioden verwendete Diese haben dea Nachteil, daß sie eine hohe Betriebaspannung benötigen und deshalb fUr transistorisierte 23-chaltungen ungeeignet eindo Der ]Erfindung liegt die Aufgabe zugrundeg einen rator zu schaffeng der nur eine niedrige Spannung benötigt und daher insbesondere auch für tranaistorisierte Schaltungen geeignet Ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemüß dadurch gelöstg daß zur Perstellung eines Rauschgeneratord eine ilalbleitordiode durch Strommstöße von einer Stärke, welche den fUr sie maxtmal zu- lässigen Wert überschreitetg formiert wird, Durch eine derartige Behandlung der HalbleiterdiOde kann Ihr Rauschpegol um 20 bis '40 d3 ('-,lezibel) erhöht werden* Dabei hat das Geräusch..des no erzeugten Rausehgenera4%"ors in Tonfrequenzbereich und noch woitii-, darüber hinaus ein weitigehend lineares Pr9q7a-enzopektrum, und an 4:ät-boatändig in-seiner Amplitudes, InfolgedEsssen ißt eiU solcher Rauschgenerator auch bei hohen Aneprüchen verwendbar, etwa als Rauschgenerator für die Wegen seiner Einfachheit eignet sich der Rauschgenerator ferner fUr die Fehlersuche in Verstärkern.
  • Das Formieren der Halbleiterdiode erfolgt zwocia.-.äßig in der Weinei daß während der Stromstoßbehandlung der Halbleiterdiode der Sperrwiderbtand der 21ode beobachtet und das Formieren solange fortgesetzt wird# bis der Sperzwiderstand einen vorgegebenen Ilert erreicht hat* Die Zwichnung dient zur Veranachaulichung der Erfindung, Pige 1 zdLigt die Schaltung zum Formieren einar Halbleiterdiode nach der Erfindung und Fig. 2 das Prinzipbild der Anwendung einar nach Fig. 1 formierten Halbleiterdiode alß Rauschgenerator. Die zu formierende Halbleiterdiode 1 wird durch eine Taste 2 von Zeit zu Zeit an einen Kondennator 3 gelegt, der über einem Widerstand 4 an einer Ladegleichspannungsquelle 5 liegt. Es wird z9B9 eine Valyo-Diode Oj'.85 wiederholt unmittelbar an einen Kondeneator von 2,2 P gelegt, der auf 15 Volgt aufgeladen wird.
  • Die Taste 2 ist als Umschalter ausgebildetg welcher nach der Ehtladung das'Kondensators 3 über die Diode 1 diese in der Schalteerahestellung mit einem Oh=eter 6 verbindet..durch das der Widerstand der Halbleiterdiode 1 in Sperrrichtung gemessen wird. Die Tante 2 wird mehruals betätigt# bis der.gewUns&te Widerstand erreicht worden lett der ein Xaßetab für die zu erwartende Rausohspannung ist. Dieser Wideretandswert ist nicht krititch. Er kann z.B. zwischen 10 und 100 kJ-25 liegen* Zur Verwendung als Rauechgenerator wird die wie oben beschrie-ben behandelte Halbleiterdiode 1 ähnlich geaehaltet wie eine Glimmlampe als Rauschgenerator. In Pig. 2 ist eine derartige Schaltung dargeotellt. Die Diode 1 liegt mit einem Widerstand 7 in Reihe an einer Gleichspannungbquelle 8* An dor Diode wird Uber einen Kondensator 9 j--die Paiz£)chßpannung aungekoppelt.
  • la Rahmen der Erfindung sind noch mancherlei Abünderungen und andere Aufiführungen möglich. Insbesondere karin die Schaltung züm Formieren der Halbleiterdiodo auch anders atiegef Uhrt seine So könnte während des Formierenn auch die Enuschspannung selbst ,eiaecaen und das Formieren bis zum der gewUnschten Höhe dieser Rauschapannung fortgesetZt werden*

Claims (2)

  1. P a t e n t a n a p r U c h e l* Verfahren zur Vorstellung einco RauschZeneratorop dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiterdiode (1) durch Strom etöße Tou einer Stromstärke@ welche den fUr vio mzximal zulänsigen Wort Überechreitet? formiert wird.
  2. 2. Verfahren noch Anspruch 1, daäurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (3) wiederholt aufgeladen und durch Parallelschaltung Uber dio Halbleiterdiode (1) otoßartig entladen wird« 3. Verfahren nach Ansprach 1 uh 2, dadurch gckennzeichnat, daß bei dem Formieren der Halbleiterdiode 1 durhh Stro2ctöße der Widerstand In Sperrichtung der Mode beobachtet und daß das Formieren so lange fortlcuotzt wird, bis der Widerotand in Sperrichtung einen vorge2ebenen Wort erreicht hat* Hauschgenerator, insbecondere für Signalverfolger und Audiometer, dadurch gekennzeichnetl daß er aus einer Halbleiterdiode (1) bestehtg die durch Stromstöße formiert worden ist, deren Stromstärke den für sie maximal zulässigen Wort wesentlich übernteigte
DE19661541443 1966-11-12 1966-11-12 Rauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1541443A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEB0089802 1966-11-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1541443A1 true DE1541443A1 (de) 1970-01-29

Family

ID=6984950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661541443 Pending DE1541443A1 (de) 1966-11-12 1966-11-12 Rauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH470823A (de)
DE (1) DE1541443A1 (de)
DK (1) DK117442B (de)
NL (1) NL6715028A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007008021A1 (de) * 2007-02-15 2008-08-21 Tecdata Ag Verfahren zur Messung von Informationen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007008021A1 (de) * 2007-02-15 2008-08-21 Tecdata Ag Verfahren zur Messung von Informationen

Also Published As

Publication number Publication date
CH470823A (de) 1969-03-31
DK117442B (da) 1970-04-27
NL6715028A (de) 1968-05-13

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