DE1286098B

DE1286098B - Elektronische Relaisschaltung

Info

Publication number: DE1286098B
Application number: DEN31566A
Authority: DE
Inventors: Aagaard Einar Andreas
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1966-11-30
Filing date: 1967-11-08
Publication date: 1969-01-02
Also published as: SE326730B; NL6616834A; CH496369A; DK119413B; BE707216A; AT284250B; US3564291A; GB1213636A; JPS4828468B1

Description

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Die Erfindung betrifft eine elektronische Relais- verschiedene Eingangsschaltungen angeschlossen sind, schaltung, die aus Halbleiter-Bauteilen zusammen- Dies ist in der Figur durch ein zwischen dem Steuergesetzt ist und bezweckt, eine neue Ausbildung einer eingang 108 und dem Ausgang 105 angegebenes solchen elektronischen Relaisschaltung zu schaffen, Mehrfachzeichen m angedeutet. Dieser Mehrfachdie optimale Kontakt- und Übertragungseigenschaften 5 anschluß ermöglicht, eine logische Funktion, die hat und sich in einfacher Weise in einem Halbleiter- sogenannte NOR-Funktion zu verwirklichen. Die körper integrieren läßt. Ausgangsschaltung 109 hat z. B. drei Eingänge 110, Die elektronische Relaisschaltung nach der Er- Ul, 112 und einen Ausgang 113. Eine Ausgangsfindung wird durch die Kombination eines in eine schaltung kann auch einen Eingang und mehr als Ausgangsschaltung eingefügten Vierschichtentransi- io einen Ausgang haben. Bei einseitig leitenden Ausstors und eines in eine Steuerschaltung eingefügten gangsschaltungen muß mit Rücksicht auf die Strom-Vierschichtentransistors gekennzeichnet, wobei jeder richtung zwischen den Eingängen und den Ausgängen Vierschichtentransistor aus vier aufeinanderfolgenden unterschieden werden. Dieser Unterschied kommt bei Schichten halbleitenden Materials abwechselnd vom zweiseitig leitenden Ausgangsschaltungen in Wegfall, p- und n-Leitf ähigkeitstyp besteht, die untereinander 15 Der Ausgangsschaltung 109 ist eine Leckstromdrei pn-Übergänge bilden, eine äußere Schicht des in schaltung 115 fest zugeordnet, deren Ausgang 114 an die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichten- den Steuereingang 108 angeschlossen ist.
transistors an einen Punkt konstanten Potentials Die Ausgangsschaltung 109 kann durch die Einangeschlossen ist und die andere äußere Schicht mit gangsschalrung 100 mittels der Steuerschaltung 103 einer inneren Schicht des gleichen Leitfähigkeitstyps ao in zwei verschiedene Lagen gebracht werden. In des in die Ausgangsschaltung aufgenommenen Vier- einem Zustand, weiterhin der Kurzschlußzustand Schichtentransistors verbunden ist und zwischen der genannt, sind die Eingänge 110, 111 und 112, der an den Punkt konstanten Potentials angeschlossenen Ausgang 113 und der Steuereingang 108 unteräußeren Schicht des in die Steuerschaltung auf- einander nahezu kurzgeschlossen. In dem anderen genommenen Vierschichtentransistors und der an- 25 Zustand, weiterhin der Isolationszustand genannt, grenzenden inneren Schicht ein Steuerstromkreis mit sind die Eingänge, der Ausgang und der Steuerzwei Schaltzuständen geschaltet ist, welcher in dem eingang untereinander isoliert. Die Leckstromschaleinen Schaltzustand der inneren Schicht einen Ein- tung 115 dient dazu, wenn die Ausgangsschaltung im schaltestrom zuführt und welcher in dem anderen Kurzschlußzustand ist, diesen Zustand für beliebig Schaltzustand der inneren Schicht ein den pn-Über- 30 geringe Ströme beizubehalten. Zu diesem Zweck gang zwischen der inneren und der äußeren Schicht entnimmt die Leckstromschaltung der Ausgangsin dem Bereich mit hohem Widerstandswert aus- schaltung einen bestimmten Leckstrom. Die Lecksteuernden Ausschaltestrom zuführt. Stromschaltung wird vorzugsweise durch eine Strom-Die Erfindung und ihre Vorteile werden an Hand quellenschaltung mit einem sehr hohen Differentialder Figuren näher erläutert. Es zeigt 35 widerstand gebildet. In dem Kurzschlußzustand der Fig. 1 eine elektronische Relaisschaltung in ihren Ausgangsschaltung 109 ist der Ausgang 105 der Hauptbestandteilen, Steuerschaltung 103 innerhalb der Steuerschaltung Fig. 2 eine Ausführungsform einer bestimmten gegen jeden Punkt konstanten Potentials isoliert, elektronischen Relaisschaltung des Typs nach F ig. 1, während die Ausgänge 104, 105, 106 und 107 auch

F i g. 3 eine Abart der elektronischen Relaisschal- 40 gegeneinander isoliert sind.

tung nach F i g. 2, Jeder Ausgang ist dann frei, das gleiche Potential Fig. 4 eine elektronische Relaisschaltung mit zwei wie das der zugehörenden Ausgangsschaltung anzu-Typen von Ausgangsschaltungen in ihren Haupt- nehmen, wenn letztere im Kurzschlußzustand ist. In bestandteilen, dem Kurzschlußzustand der Ausgangsschaltung ist Fig. 5 eine Ausführungsform einer bestimmten 45 die Impedanz zwischen einem Eingang und einem elektronischen Relaisschaltung des Typs nach F i g. 4, Ausgang nahezu gleich der Impedanz eines pn-Über-F i g. 6 eine Steuerschaltung und eine äquivalente ganges, und elektrische Signale können zwischen den Kristallschaltung und Eingängen und dem Ausgang übertragen werden. Fig. 7 eine Ausgangsschaltung und eine äqui- Diese können z. B. Gleichstromsignale, Wechselvalente Kristallschaltung. 50 Stromsignale oder auf einem Gleichstromträger Fig. 1 zeigt die Hauptbestandteile einer elektro- liegende Gesprächssignale sein. Beim Übertragen von nischen Relaisschaltung. Diese dient im allgemeinen Gesprächssignalen tritt nahezu keine Gesprächszum Beeinflussen (Öffnen bzw. Schließen) von Strom- dämpfung auf, da der Steuereingang 108 innerhalb kreisen unter der Steuerung einer Eingangsschaltung der Steuerschaltung 103 gegen jeden Punkt konstan-100. Der Ausgang 101 der Eingangsschaltung 100 ist 55 ten Potentials isoliert ist und da die Leckstroman den Eingang 102 einer Steuerschaltung 103 ange- schaltung 115 einen sehr hohen Differentialwiderschlossen. Die Eingangsschaltung kann im allge- stand hat. Für den Übertrag von Gleichstromsignalen meinen an η Steuerschaltungen angeschlossen werden. positiver oder negativer Polarität oder von Wechsel-Dies ist in der Figur durch ein zwischen dem Aus- Stromsignalen werden zweiseitig leitende Ausgangsgang 101 und dem Eingang 102 angegebenes Mehr- 60 schaltungen benutzt. Dabei ist in dem Kurzschlußfachzeichen η angedeutet. Die Steuerschaltung hat zustand die Impedanz zwischen einem Eingang und z. B. vier Ausgänge 104,105,106 und 107. Der Aus- dem Ausgang nahezu gleich der Impedanz von zwei gang 105 ist an den Steuereingang 108 einer Aus- antiparallelgeschalteten pn-Übergängen. Bei der gangsschaltung 109 angeschlossen. In ähnlicher Weise Übertragung von Wechselstromsignalen hoher Amkönnen die anderen Ausgänge an je eine Ausgangs- 65 plitude tritt dann nahezu keine Verzerrung auf, da schaltung angeschlossen werden. Der Steuereingang die Leckstromschaltung dafür sorgt, daß der Kurzeiner Ausgangsschaltung kann im allgemeinen an schlußzustand für beliebig geringe Stromwerte bei- m Steuerschaltungen angeschlossen werden, die an behalten wird, und auch dafür sorgt, daß nach Strom-

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umkehr der Kurzschlußzustand bei beliebig geringen steht aus vier aufeinanderfolgenden Schichten halb-

Spannungsunterschieden wieder eintritt. leitenden Materials abwechselnd vom p- und n-Leit-

Wenn die Ausgangsschaltung im gesperrten Zu- fähigkeitstyp, welche drei pn-Übergänge bilden. Die stand ist, ist der Ausgang 105 innerhalb der Steuer- Basis des Transistors 214 ist an den Steuereingang schaltung 103 an einen Punkt konstanten Potentials 5 206 angeschlossen. Die Steuerschaltung 203 enthält angeschlossen. Die anderen Ausgänge 104, 106 und zwei pnpn-Transistoren 215 und 216, deren Emitter 107 sind auch an den Punkt konstanten Potentials an den positiven Speisepunkt angeschlossen sind. Der angeschlossen. Der Kurzschluß zwischen dem Aus- Kollektor des Transistors 215 ist an den Ausgang 204 gang 105 und dem Punkt konstanten Potentials dient und der Kollektor des Transistors 216 ist an den dafür, die Ausgangsschaltung im isolierten Zustand io Ausgang 205 angeschlossen. Die Basis des Tratizu halten. In diesem Zustand sind die Eingänge, der sistors 215 und die Basis des Transistors 216 sind Ausgang und der Steuereingang der Ausgangsschal- gemeinsam über die Reihenschaltung einer Zenertung gegeneinander isoliert, so daß die Eingänge und diode 217 und eines Widerstandes 218 an den Einder Ausgang frei sind, ein von dem Steuereingang gang 202 angeschlossen. Weiterhin ist ein Widerstand unabhängiges Potential anzunehmen. Im isolierten 15 219 gemeinsam zwischen dem Emitter und der Basis Zustand der Ausgangsschaltung fließt ein bestimmter des Transistors 216 und dem Emitter und der Basis Leckstrom von dem Steuereingang zur Ausgangs- des Transistors 215 angeschlossen. Die Leckstromschaltung. Der Kurzschluß zwischen dem Punkt kon- schaltung 211 enthält einen hochohmigen Widerstand stanten Potentials innerhalb der Steuerschaltung 103 220, der zwischen dem Ausgang 210 und einem nega- und dem Ausgang 105 führt die Summe des Leck- ao tiven Speisepunkt eingeschaltet ist.
Stroms der Ausgangsschaltung 109 und des Leck- Zur Erörterung der Wirkungsweise der elektrostroms der Leckstromschaltung 115. Die Eingänge nischen Relaisschaltung wird angenommen, daß die und der Ausgang der Ausgangsschaltung haben im Ausgangsschaltung 207 in einen äußeren Stromkreis isolierten Zustand je eine Streukapazität in bezug auf aufgenommen ist und daß die Spannungen des Stromden Steuereingang 108. Die gegenseitigen Streu- 25 kreises innerhalb des Wirkbereichs der Ausgangskapazitäten sind vernachlässigbar. Im isolierten Zu- schaltung liegen. In der vorliegenden Relaisschaltung stand liegt der Steuereingang an einem Punkt kon- haben die pnpn-Transistoren zwei stationäre Zustanten Potentials, wodurch die Streukapazitäten der stände. In einem Zustand ist die Impedanz zwischen Eingänge vollständig von dem Ausgang entkoppelt dem Emitter und den Kollektor sehr gering. Dieser werden. 30 Zustand wird weiter unten der Kurzschlußzustand

Wenn z. B. an einem der Anschlüsse 110 bis 113 genannt. In dem anderen Zustand ist die Impedanz

ein Gesprächssignal vorhanden ist, so kann dieses zwischen dem Emitter und dem Kollektor sehr hoch.

Signal nicht über die Streukapazitäten, auf die ande- Dieser Zustand wird weiter unten der Sperrzustand

ren Anschlüsse übersprechen. genannt. Ein pnpn-Transistor, der in dem Kurz-

F i g. 2 zeigt eine Ausführungsform einer bestimm- 35 schlußzustand ist, bleibt in diesem Zustand, wenn ten elektronischen Relaisschaltung der in Fig. 1 dar- zwischen dem Emitter und den Kollektor ein verhältgestellten Art. F i g. 2 zeigt eine Eingangsschaltung nismäßig geringer Haltestrom aufrechterhalten wird. 200, deren Ausgang 201 an den Eingang 202 einer Die pnpn-Transistoren, die hier benutzt werden, Steuerschaltung 203 angeschlossen ist. Diese Schal- haben einen Haltestrom, der Null ist oder Null getung besitzt die Ausgänge 204 und 205, von denen 40 macht werden kann, indem ein sehr geringer Strom 205 an den Steuereingang 206 einer Ausgangsschal- von z. B. 1 μΑ der Basis entzogen wird. Solche tung207 angeschlossen ist. Der Ausgang 204 kann pnpn-Transistoren können durch die Planardiffusionsähnlich wie der Ausgang 205 an eine Ausgangs- technik hergestellt werden. Die pnpn-Transistoren schaltung angeschlossen sein. Die Ausgangsschaltung können in den Sperrzustand geführt werden, indem 207 hat einen Eingang 208 und einen Ausgang 209. 45 der durch den pn-übergang zwischen Emitter und An den Steuereingang 206 ist ferner noch der Aus- Basis fließende Strom um diesen pn-übergang herumgang 210 einer Leckstromschaltung 211 angeschlos- geführt wird. Bei niedrigen Stromwerten kann dies sen. In der Eingangsschaltung 200 und in der Leck- dadurch erzielt werden, daß der Emitter über einen stromschaltung 211 sind durch Minuszeichen Punkte Widerstand mit der Basis verbunden wird. Durch konstanten, negativen Potentials angedeutet, die 50 passende Wahl des Widerstandes kann die Durchweiterhin negative Speisepunkte genannt werden, und Schlagspannung zwischen Emitter und Kollektor auf in der Steuerschaltung 203 ist ein durch ein Plus- die Durchschlagspannung erhöht werden, die zwizeichen bezeichneter Punkt konstanten, positiven sehen Basis und Kollektor bei unterbrochnem Emitter Potentials angegeben, der weiterhin positiver Speise- vorhanden ist. Es sei angenommen, daß letztere punkt genannt wird. Beispielsweise kann in dieser 55 Durchschlagspannung höher als 80 V ist.
und in den weiteren Ausführungsformen die Span- Die Transistoren 215 und 216 sind bei geöffnetem nung der negativen Speisepunkte auf —74 V und die Schalter 212 in dem Sperrzustand. Wenn der Schalter Spannung des positiven Speisepunktes auf +6 V ge- 212 in der Eingangsschaltung 200 geschlossen wird, stellt werden. Für die Ausgangsschaltungen wird ein schlägt die Zenerdiode 217, die in der Sperrichtung Wirkbereich von 0 bis —74 V angenommen. 60 geschaltet ist, in dieser Richtung durch, wobei der

Die Eingangsschaltung 200 wird hier durch die Transistor 216 ähnlich wie der Transistor 215 einen Reihenschaltung eines Schalters 212 und eines Wider- gewissen Basisstrom führen. Dieser Basisstrom Standes 213 dargestellt, welche Reihenschaltung zwi- braucht nur einen sehr geringen Wert zu haben, um sehen dem Ausgang 201 und einem negativen Speise- den Transistor 216 durchschlagen zu lassen. Der punkt eingeschaltet ist. Die Ausgangsschaltung 207 65 Transistor 216 bildet nach Durchschlag nahezu einen enthält einen pnpn-Transistor 214, dessen Emitter an Kurzschluß zwischen dem Ausgang 205 und dem den Eingang 208 und dessen Kollektor an den Aus- positiven Speisepunkt. Das Potential des Steuergang 209 angeschlossen ist. Der pnpn-Transistor be- einganges 206 der Ausgangsschaltung 207 nimmt

infolgedessen unmittelbar bis zu +6V zu, wodurch Kollektor des Transistors 216 beträgt 80 V. Dies ist der pn-übergang zwischen dem Emitter und der der Fall, wenn der Ausgang 209 der Ausgangsschal-Basis des Transistors 214 gesperrt wird. Die Span- tung 207 direkt mit einem negativen Speisepunkt vernung, durch welche dieser pn-übergang gesperrt bunden ist. Die maximale Spannung liegt somit unterwird, beträgt minimal 6 V. Dies ist der Fall, wenn der 5 halb der Durchschlagspannung, so daß der Transistor Eingang 208 direkt an einem Speisepunkt von OV 216 gesperrt bleibt.

liegt. Nach dem Durchschlag führt der Transistor 216 Die pnpn-Transistoren werden weiter in den

anfangs einen Strom, der gleich dem Kollektorstrom Sättigungszustand gesteuert, je größer der Strom wird, des Transistors 214 oder größer als dieser ist zu dem so daß sie kurzzeitig schwer überlastet werden kön-Zeitpunkt des Schließens des Schalters 212. Der den io nen, ohne daß Überhitzung erfolgt. Dies ermöglicht, Transistor 216 durchfließende Strom wird jedenfalls die Ausgangsschaltung in einen Stromkreis einzudurch den inneren Basiswiderstand des Transistors fügen, in dem Stromscheitel auftreten können, z. B. 214 begrenzt. Dieser Strom, der infolge einer im Fall von Leitungsstromkreisen, die an Fernsprech-Ladungsspeicherung in dem pnpn-Transistor 214 auf- leitungen angeschlossen sind.

tritt, nimmt selbsttätig ab in dem Maße, wie der 15 Die Zenerdiode 217 in der Steuerschaltung 203 Transistor 214 dem endgültigen Sperrzustand näher liefert einen konstanten Spannungsfall gleich der kommt. Dazu kommt, daß der verhältnismäßig hohe Durchschlagspannung, wenn der Schalter 212 in der Strom, den der Transistor 216 nach Durchschlag Eingangsschaltung 200 geschlossen ist. Diese Durchliefera muß, unabhängig von der Größe des Basis- Schlagspannung wird gleich der Spannung des posistroms geliefert werden kann. In dem endgültigen 20 tiven Speisepunktes gewählt und beträgt hier somit Sperrzustand werden die beiden pn-Übergänge 6 V. Die Eingangsschaltung 200 hat dann an jedem .beiderseits der Basis des Transistors 214 durch das Punkt eine Spannung, die in dem Bereich von 0 bis + 6-V-Potential des Steuereinganges 206 gesperrt. In —74 V liegt. Dieser Spannungsbereich entspricht diesem Zustand führt der Steuereingang 206 die dem Wirkgebiet der Ausgangsschaltungen. Der Schal-Summe der Leckströme der beiden gesperrten 25 ter 212 kann dann durch die Ausgangsschaltung einer pn-Übergänge. Bei dem Transistor 216 setzt sich der ähnlichen elektronischen Relaisschaltung, wie vor-Leckstrom der Leckstromschaltung 211 zu. Der den stehend beschrieben, oder durch eine Kombinations-Transistor 216 durchfließende Gesamtstrom ist je- schaltung von Ausgangsschaltungen ersetzt werden, doch äußerst gering. Der Basisstrom, der durch die F i g. 3 zeigt eine Abart der elektronischen Relais-

Eingangsschaltung 200 dem Transistor216 entnom- 30 schaltung nach Fig. 2, deren Steuerschaltung die men wird, sorgt dafür, daß der Transistor 216 nach umgekehrte Wirkung hat. In den Fig. 3 und 2 sind wie vor einen Kurzschluß für die Leckströme der soweit wie möglich die gleichen Bezugsziffern zum Ausgangsschaltung und der Leckstromschaltung bil- Bezeichnen entsprechender Einzelteile angewandt. In det. Die gesperrten pn-Übergänge beiderseits der der nachfolgenden Beschreibung der F i g. 3 werden Basis des Transistors 214 bilden je eine Sperrschicht- 35 lediglich die Unterschiede mit der Schaltung nach kapazität. Die beiden Sperrschichtkapazitäten liegen Fig.2 erläutert. Die Basis des Transistors215 und mit einer Seite an dem positiven Speisepunkt, so daß die Basis des Transistors 216 sind gemeinsam an den der Eingang und der Ausgang der Ausgangsschaltung Kollektor eines pnp-Transistors 300 angeschlossen, vollständig entkuppelt sind. Wenn z. B. am Eingang dessen Emitter mit dem positiven Speisepunkt ver-508 ein Gesprächssignal vorhanden ist, so: kann 40 bunden ist. Die Basis des Transistors 300 ist über die dieses Signal nicht auf den Ausgang 209 über- Reihenschaltung einer Zenerdiode 301 und eines sprechen. Widerstandes 302 an den Eingang 202 angeschlossen.

Wenn der Schalter 212 geöffnet, wird, wird der den Weiterhin ist die Basis des Transistors 300 über einen Transistor 216 durchfließende Strom zu einem erheb- Widerstand 303 an den Emitter angeschlossen. Die liehen Teil um den pn-übergang zwischen Emitter 45 Basis der Transistoren 215 und 216 sind ferner und Basis herumgeführt durch den Widerstand 219. gemeinsam an den Emitter eines Feldeffekt-Tran-Der den Transistor 216 durchfließende Strom ist sehr sistors 304 angeschlossen, der eine isolierte Steuergering. Bei diesem geringen Strom hat der ph-Über- elektrode 305 besitzt. Die Steuerelektrode 305 und gang zwischen Emitter und Basis einen verhältnis- der Kollektor des Transistors 304 sind an einen negamäßig hohen Widerstand. Der Widerstand 219 50 tiven Speisepunkt angeschlossen. Der auf diese Weise braucht dann keinen besonders niedrigen Wert zu "geschaltete Feldeffekt-Transistor 304 weist zwischen haben, um einen Umweg um den pn-übergang zu dem Emitter und dem Kollektor einen hohen Widerbilden. Der Widerstand 219 wird derart bestimmt, standswert auf. Wenn der Schalter 212 in der Eindaß der Transistor gesperrt wird. Infolgedessen wird gangsschaltung 200 geöffnet ist, entzieht der Trander Ausgang 205 gegen den positiven Speisepunkt 55 sistor 304 einen gewissen Basisstrom dem Transistor isoliert. In diesem Zustand entzieht die Leckstrom- 216. Der Haltestrom des Transistors 216 ist dann schaltung 211 einen gewissen Basisstrom dem Tran- nahezu gleich Null. Der Transistor 216 kann dann für sistor 214, so daß die Emitter-Basis-Kapazität umge- beliebig niedrige Ströme einen Kurzschluß bilden, laden wird, bis der pn-übergang zwischen Emitter Der Widerstand 303 für den Leckstrom des gesperr- und Basis in den Durchlaßzustand gelangt, und der 60 ten pn-Überganges zwischen dem Kollektor und der Haltestrom auf Null herabgesetzt wird. Der Tran- Basis des Transistors 300 um einen Teil um den sistor 214 bildet dann einen Kurzschluß für beliebig pn-übergang zwischen dem Emitter und der Basis geringe Spannungsunterschiede zwischen demEmitter herum. Auf diese Weise wird erreicht, daß der von und dem Kollektor und für beliebig geringe Strom- dem Kollektor des Transistors 300 zum Emitter des werte. Die Durchschlagspannung des Transistors 216 65 Transistors 304 fließende Leckstrom äußerst gering bei geöffnetem Schalter 212 ist infolge der Unter- ist. Der Widerstand 303 braucht keinen niedrigen brechung des Emitterstroms höher als 80 V. Die Wert zu haben, um den angestrebten Zweck zu ermaximale Spannung zwischen dem Emitter und dem reichen, da der pn-übergang zwischen Emitter und

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Basis für niedrige Ströme einen verhältnismäßig Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform der zwei Steuerhohen Widerstandswert hat. Der Widerstand 303 schaltungen einer bestimmten elektronischen Relaiskann vollständig weggelassen werden, wenn der schaltung der in Fig. 4 dargestellten Art. Fig. 5 Kollektorleckstrom des Transistors 300 in dem Maße zeigt eine Eingangsschaltung 500, deren Ausgang 501 den Emitterstrom des Transistors 304 unterschreitet, 5 an den Eingang 502 einer Steuerschaltung 503 mit daß noch ein hinreichender Basisstrom dem Tran- dem Ausgang 504 angeschlossen ist. Die Steuersistor 216 entzogen wird, um diesen für beliebig schaltung 503 hat einen zusätzlichen Steuerausgang geringe Stromwerte in dem Kurzschlußzustand zu 505, der an den Eingang 506 einer Steuerschaltung halten. Wenn der Schalter 212 geschlossen ist, wird 507 mit dem Ausgang 508 angeschlossen ist. Die ein bestimmter Basisstrom dem Transistor 300 ent- io Steuerschaltung 503 enthält einen pnpn-Transistor zogen. Infolgedessen führt der Transistor 300 einen 509, dessen Emitter an den positiven Speisepunkt bestimmten Kollektorstrom. Dieser Kollektorstrom und dessen Kollektor an den Ausgang 504 angewird zum Teil der Basis des Transistors 216 züge- schlossen sind. Die Basis ist über die Reihenschaltung führt. Zum anderen Teil fließt der Kollektorstrom einer Zenerdiode 510 und eines Widerstandes 511 an dem Emitter des Transistors 304 zu. Der der Basis 15 den Eingang 502 angeschlossen. Ein Widerstand 512 des Transistors 216 zufließende Teil des Kollektor- ist parallel zwischen Emitter und Basis des Transtroms verringert den Stromdurchgang durch den sistors 509 geschaltet. Die Steuerschaltung 503 entpn-Übergang zwischen dem Emitter und der Basis hält weiter einen pnp-Transistor 514, dessen Emitter des Transistors 216. Der Kollektorstrom wird derart an den positiven Speisepunkt und dessen Kollektor erniedrigt, daß der Transistor 216 in den Sperr- ao an den Steuerausgang 505 angeschlossen sind. Die zustand übergeht. Die Wirkungsweise der Anordnung Basis ist mit der Basis des Transistors 509 verbunden, beim Umschalten des Transistors 216 von dem Kurz- Ferner enthält die Steuerschaltung 503 einen FeIdschlußzustand in den Sperrzustand und umgekehrt ist effekt-Transistor 515 mit einer isolierten Steuerweiterhin gleich der Anordnung nach Fig. 2. Die elektrode. Der Emitter ist an den Ausgang505 und Leckstromschaltung 211 in Fig. 3 enthält einen 25 der Kollektor und die Steuerelektrode sind an einen Feldeffekt-Transistor 306 mit einer isolierten Steuer- negativen Speisepunkt angeschlossen. Die Steuerelektrode 307, wobei der Emitter an den Ausgang schaltung 507 enthält einen pnpn-Transistor 517, 210 und die Steuerelektrode und der Kollektor an dessen Emitter an einen positiven Speisepunkt und einen negativen Speisepunkt angeschlossen sind. Der dessen Kollektor an den Ausgang 508 angeschlossen Vorteil dieser Ausführungsform der Leckstrom- 30 sind. Die Basis ist direkt mit dem Eingang 506 verschaltung ist der, daß im Vergleich zu einem Wider- bunden.

stand ein bedeutend geringerer Teil der Oberfläche Wenn der Schalter 513 geschlossen wird, wird soeiner Kristallschaltung beansprucht wird. wohl dem Transistor 509 als auch dem Transistor F i g. 4 zeigt die Hauptbestandteile einer elektro- 514 ein bestimmter Basisstrom entzogen. Infolgenischen Relaisschaltung mit zwei verschiedenen 35 dessen schlägt der Transistor 509 durch und führt Typen von Ausgangsschaltungen, die ein mecha- der Transistor 514 einen bestimmten Kollektorstrom, nisches Relais mit Arbeits- und Ruhekontakten er- Ein Teil dieses Kollektorstroms gelangt an den setzen kann. Fig. 4 zeigt eine Eingangsschaltung Emitter des Transistors 515, und der andere Teil 400, deren Ausgang 401 an den Eingang 402 einer fließt der Basis des Transistors 517 zu. Infolgedessen Steuerschaltung 403 angeschlossen ist. Diese Schal- 40 wird der Transistor 517 gesperrt. Wenn der Schalter tung hat die Ausgänge 404 bis 407, von denen der 513 geöffnet wird, wird ein Teil des Stroms durch Ausgang 405 an den Steuereingang 408 einer Aus- die Transistoren 509 und 514 durch den Widerstand gangsschaltung 409 mit den Eingängen 410, 411 und 512 um die pn-Ubergänge zwischen Emitter und 412 und dem Ausgang 413 angeschlossen ist. An den Basis herumgeführt. Der Widerstand 512 wird derart Steuereingang 408 ist ferner der Ausgang 414 einer 45 bemessen, daß die Transistoren 509 und 514 gesperrt Leckstromschaltung 415 angeschlossen. Die Steuer- werden. Von der Basis des Transistors 517 in der schaltung 403 hat weiterhin einen zusätzlichen Aus- Steuerschaltung 507 fließt dann ein bestimmter Basisgang 416, der an den Eingang 417 einer Steuerschal- strom zum Emitter des Transistors 515. Dieser Basistung 418 angeschlossen ist. Diese Schaltung hat die strom bewirkt einen Durchschlag des Transistors 517. Ausgänge 419 bis 422, von denen der Ausgang 420 50 Wenn der Schalter 513 geöffnet ist, ist der Ausgang an den Steuereingang 423 einer Ausgangsschaltung 504 der Steuerschaltung 503 gegen den positiven 424 mit den Eingängen 425, 426 und 427 und dem Speisepunkt isoliert, während der Ausgang 508 der Ausgang 428 angeschlossen ist. An den Steuereingang Steuerschaltung 507 in bezug auf den positiven 423 ist ferner der Ausgang 429 einer Leckstrom- Speisepunkt kurzgeschlossen ist. Wenn der Schalter schaltung 430 angeschlossen. Die Mehrfachzeichen in 55 513 geschlossen ist, ist das Umgekehrte der Fall.
Fig. 4 haben die gleiche Bedeutung wie in Fig. 1. Fig. 5 zeigt eine weitere AusführungsformlderLeck-Die Steuerschaltungen 403 und 418 werden gleich- Stromschaltung. Die Figur zeigt eine Ausgangsschalzeitig durch die Eingangsschaltung 400 beeinflußt, tung 518 mit einem Eingang 519, einem Ausgang 520 und die Beeinflussung der Steuerschaltung 418 erfolgt und einem Steuereingang 521. Der Steuereingang ist über die Steuerschaltung 403. Die Wirkungsweise der 60 an den Ausgang 504 der Steuerschaltung 503 und an Steuerschaltung 418 ist die umgekehrte der Steuer- den Ausgang 522 der Leckstromschaltung 523 angeschaltung 403. Wenn die Ausgangsschaltung 409 schlossen. Diese Schaltung enthält einen npn-Trandurch die Steuerschaltung 403 in den Kurzschluß- sistor 524, dessen Emitter an einen negativen Speisezustand getrieben wird, bringt die Steuerschaltung punkt und dessen Kollektor an den Ausgang 522 418 die Ausgangsschaltung 424 in den Isolierzustand, 65 angeschlossen sind. Die Basis ist an den Kollektor und umgekehrt. Die Ausgänge der Steuerschaltung und die Steuerelektrode 525 eines Feldeffekt-Tran-403 sind daher stets in einem anderen Zustand als sistors 526 angeschlossen, dessen Emitter mit einem die Ausgänge der Steuerschaltung 418. positiven Speisepunkt verbunden ist. Der Feldeffekt-

Transistor 526 liefert einen bestimmten, niedrigen befindet sich in der Nähe der Basiszone des Basisstrom für den Transistor 524, der infolgedessen pnpn-Gebildes, das aus den Schichten P₁, 2V₀, P₂ einen bestimmten Kollektorstrom dem Ausgang 522 und 2V₁ besteht. Dieses Gebilde bildet den pnpn-Tranentzieht. Dieser Kollektorstrom ist als Leckstrom für sistor 609. Der Emitteranschluß besteht aus der die Ausgangsschaltung 518 wirksam. Auf diese Weise 5 Metallschicht 602, die durch das Kontaktfenster 617 ergibt sich ein Leckstrom, der weniger von der Span- mit der Schicht P₁ in Verbindung steht. Der Kolleknung des Ausgangs 522 abhängig ist als bei den Aus- toranschluß besteht aus der Metallschicht 601, die führungsformen nach den Fig. 2 und 3. Zwischen durch das Kontaktfenster 614 mit der SchichtN₁ verdem Emitter des Transistors 526 und dem positiven bunden ist. Die Verbindung zwischen der Schicht 2V₂ Speisepunkt kann gewünschtenfalls ein pnpn- oder io und der Schicht N₀ befindet sich in der Nähe der ein pnp-Schalttransistor eingeschaltet werden, der Basiszone des pnpn-Transistors 609. Diese Nähe erdie Leckstromschaltung 523 nötigenfalls einschaltet. möglicht eine direkte Beeinflussung der Basiszone Dieser Schalttransistor läßt sich mit dem pnpn-Tran- des pnpn-Transistors über die Zenerdiode. Der sistor 517 der Steuerschaltung 507 kombinieren, ahn- schmale, langgestreckte Teil der Schicht P₁ bildet den lieh wie der pnp-Transistor 514 der Steuerschaltung 15 Widerstand 606. Dieser Teil steht am Ende durch ein 503 mit dem pnpn-Transistor 509 kombiniert ist. Kontaktfenster 613 mit der Metallschicht 605 in Dieser Schalttransistor schaltet die Leckstromschal- Verbindung. Das Kontaktfenster 613 liegt teilweise tung 523 in dem richtigen Augenblick ein, d. h., wenn über der Schicht 2V₀. Die Metallschicht 605 steht der Schalter 513 sich öffnet. Das Abschalten der durch diesen Teil des Kontaktfensters mit der Leckstromschaltungen hat den Vorteil, daß in dem 30 Schicht JV₀ in Verbindung. Um eine gute Verbindung Ruhezustand die Verlustleistung herabgemindert mit der hochohmigen Schicht 2V₀ herzustellen, wird wird. Dies ist wichtig, wenn viele elektronische diese Verbindung über eine η+-leitende Schicht Relaisschaltungen in dem gleichen Halbleiterkörper hergestellt, die unter dem Kontaktfenster auf der integriert sind. Schicht 2V₀ angebracht ist. Diese Schicht ist in den

F i g. 6, α zeigt eine Steuerschaltung, und die 35 Figuren weiter nicht dargestellt. Die Verbindung der F i g. 6, b und c zeigen ein Beispiel einer äquivalen- Metallschicht 605 mit der Schicht 2V₀ ermöglicht eine ten Kristallschaltung in einer Draufsicht bzw. einem Beeinflussung der Basiszone des pnpn-Transistors Querschnitt. Die Steuerschaltung nach Fig. 6, α ist 609 über den Widerstand 606. Die SchichtenP₁, 2V₀ ähnlich der Steuerschaltung 503 nach F i g. 5 und und P₃ bilden den pnp-Transistor 610. Der Emitterbraucht keine weitere Erörterung. Fi g. 6, α zeigt die 30 anschluß ist derselbe wie dem des pnpn-Transistors Halbleiterschichten mit numerischer Bezeichnung, so 609. Der Kollektoranschluß besteht aus der Metalldaß auf jede Halbleiterschicht durch Angabe des schicht 604, die durch das Kontaktfenster 615 mit Buchstaben P oder 2V zur Andeutung des Leitfähig- der Schicht P₃ verbunden ist. Der breite Teil der keitstyps und der betreffenden Nummer bezug ge- Schicht P₁ ist dabei auf der rechten Seite als Emitter nommen werden kann. In der Kristallschaltung sind 35 für den pnpn-Transistor 609 und auf der linken Seite Halbleiterschichten enthalten, die durch Zusammen- als Emitter für den pnp-Transistor 610 wirksam. Die Ziehung verschiedener Halbleiterschichten der Schal- gut leitende Unterlage 618 sorgt dafür, daß die Basistung nach F i g. 6, α entstanden sind. Halbleiter- zonen des pnpn-Transistors 609 und des pnp-Transchichten, die durch Zusammenziehen zu einer ein- sistors 610 nahezu gleiches Potential haben, so daß zigen Halbleiterschicht vereint sind, sind in Fig. 6, a 40 sie in gleichem Maße durch die Zenerdiode beeindurch die gleiche Nummer bezeichnet. Ferner sind in flußt werden können.

den F i g. 6, a, b und c, wenn möglich, die gleichen Der Feldeffekt-Transistor 611 wird durch die

Bezugszeichen zur Bezeichnung der gleichen Einzel- Schichten P₃,2V₀ und P₄ und die Metallelektrode 603 teile angewandt, um die Einzelteile der Schaltungs- gebildet. Der Emitteranschluß ist derselbe wie der anordnung nach F i g. 6, α in einfacher Weise in der 45 Kollektoranschluß des pnp-Transistors 610. Der KoI-Kristallschaltung identifizieren zu können. lektoranschluß besteht aus der Metallschicht 603, die

Die Kristallschaltung besteht aus einer Unterlage durch das Kontaktfenster 616 mit der ScMcMP₄ ver-618 aus n+-leitendem Si, auf der eine Schicht 2V₀ bunden ist. Die Metallschicht erstreckt sich über den aus hochohmigen Si angebracht ist. Auf der Teil der Schicht 2V₀, der zwischen den Schichten P₃ Schicht 2V₀ sind durch Diffusionen die p-leitenden 50 und P₄ liegt, und überlappt die Schicht P₃. Die Metall-Schichten P₁ bis P₅ angebracht. Ferner ist auf der schicht ist als Steuerelektrode des Feldeffekt-Tran-Schicht P₂ durch Diffusion eine η+-leitende sistors wirksam.

Schicht 2V₁ und auf der Schicht P₅ durch Diffusion F i g. 7, a zeigt eine zweiseitig leitende Ausgangseine η+-leitende Schicht 2V₂ angebracht. Letztere schaltung, und die F i g. 7, b, c, und d zeigen ein BeiSchicht befindet sich an einem Ende der Schicht P₅ 55 spiel einer äquivalenten Kristallschaltung in einer und überlappt die Schicht 2V₀. Anschlüsse an die Draufsicht bzw. in zwei Querschnitten. Die Ausgangs-Halbleiterschichten werden durch Metallschichten schaltung nach F i g. 7, α hat einen Eingang 700 und gebildet, die durch Öffnungen in der Oxydschicht zwei Ausgänge 701 und 702 und einen Steuereingang 619, weiter Kontaktfenster genannt, mit den be- 703. Der Eingang 700 ist an die Emitter der pnpntreffenden Halbleiterschichten in Verbindung stehen. 60 Transistoren 706 und 707 angeschlossen, deren KoI-Die Metallschicht 600 ist durch das Kontaktfenster lektoren an die Ausgänge 701 und 702 angeschlossen 612 mit der langgestreckten p-leitenden Schicht P₅ sind. Die Ausgänge 701 und 702 sind ferner je für verbunden. Der Widerstand dieser Schicht bildet den sich an die Emitter der pnpn-Transistoren 708 und Widerstand 607. Der pn-übergang zwischen der 709 angeschlossen, deren Kollektoren an den Eingang Schicht P₅ und der n+-leitenden Schicht 2V₂ bildet 65 700 angeschlossen sind. Die Basen der vier pnpndie Zenerdiode 608. Der Teil der Schicht 2V₂, der Transistoren sind alle mit dem Steuereingang 703 verüber der Schicht 2V₀ liegt, stellt die Verbindung der bunden. Zwischen dem Eingang und jedem Ausgang Zenerdiode mit der Schicht 2V₀ her. Diese Verbindung befindet sich somit die Antiparallelschaltung der

Hauptstromstrecke von zwei pnpn-Transistoren. Welche der zwei pnpn-Transistoren leitend wird, wenn der Steuereingang 703 gegen den positiven Speisepunkt isoliert wird, hängt von dem Vorzeichen des Spannungsunterschieds zwischen Eingang und Ausgang ab. In dem Isolierzustand der Ausgangsschaltung sind alle pnpn-Transistoren gesperrt. Der Steuereingang 703 ist an den Kollektor eines als Leckstromschaltung wirksamen npn-Transistors 710 angeschlossen, dessen Basis- und Emitteranschlüsse durch 704 und 705 bezeichnet sind. Die Basis kann dabei auf die an Hand der F i g. 5 angedeutete Weise gesteuert werden.

Die Kristallschaltung besteht aus einer η+-leitenden Unterlage 721, auf der eine η-leitende Schicht N₀ angebracht ist. Auf der Schicht N₀ sind die p-leitenden Schichten P₁ bis P₇ und die η+-leitende Schicht N- angebracht. Ferner sind auf den Schichten P₂, P₃, P₆ und P₇ die η+-leitende Schichten N₁, N₂, N₃ bzw. N₄ angebracht. Der Steuereingang wird durch die Metallschicht 703 gebildet, die durch das Kontaktfenster 717 mit der Schicht N₅ verbunden ist. Die Schichten P₁, N₀, P₂ und N₁ bilden den pnpn-Transistor 706, und die Schichten P₁, N₀, P₃ und N₂ bilden den pnpn-Transistor 707. Die Schicht P₁ ist auf der linken Seite als Emitter für den Transistor 706 und auf der rechten Seite als Emitter für den Transistor 707 wirksam. Die Emitteranschlüsse werden durch die Metallschicht 700 gebildet, die durch das Kontaktfenster 715 mit der Schicht P₁ verbunden ist. Die Kollektoranschlüsse werden durch die Metallschichten 701 und 702 gebildet, die durch die Kontaktfenster 711 und 712 mit den Schichten N₁ und N₂ in Verbindung stehen. Die Schichten P₄, N₀, P₆, Nl bilden den pnpn-Transistor 708 und die Schichten P₅, N₀, P₆ und N₃ bilden den pnpn-Transistor 709. Die Schichten P₆ und N₃ sind dabei auf der rechten Seite als Kollektor für den Transistor 708 und auf der linken Seite als Kollektor für den Transistor 709 wirksam. Die Kollektoranschlüsse werden durch die Metallschicht 700 gebildet, die durch das Kontaktfenster 716 mit der Schicht N₃ in Verbindung steht. Die Metallschicht 700 ist außerdem als leitende Verbindung zwischen dem gemeinsamen Kollektor der Transistoren 708 und 709 und dem gemeinsamen Emitter der Transistoren 706 und 707 wirksam. Die Metallschicht 700 ist der Eingang der Ausgangsschaltung. Die Emitteranschlüsse der Transistoren 708 und 709 werden durch die Metallschichten 701 und 702 gebildet, die durch die Kontaktfenster 713 und 714 mit den Schichten P₄ und P₅ in Verbindung stehen. Die Metallschicht 701 ist außerdem als leidende Verbindung zwischen dem Kollektor des Transistors 706 und dem Emitter des Transistors 707 wirksam und bildet einen Ausgang der Ausgangsschaltung. In ähnlicher Weise bildet die Metallschicht 702 ein leitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Transistors 707 und dem Emitter des Transistors 709, und ähnlich wie die Metallschicht 701 ist diese Metallschicht ein Ausgang der Ausgangsschaltung.

Der npn-Transistor 710 wird durch die Schichten N₄, P₇ und N₀ gebildet. Der Emitteranschluß wird durch die Metallschicht 705 gebildet die durch das Kontaktfenster 718 mit der Schicht N₄ in Verbindung steht. Der Basisanschluß wird durch die Metallschicht 704 gebildet, die durch das Kontaktfenster 719 mit der Schicht P₇ verbunden ist. Der seitliche Abstand des npn-Transistors 710 von den pnpn-Transistoren ist derart, daß die Schicht P₇ keine durch den Emitter eines pnpn-Transistors in der Schicht N₀ emittierten Minderheitsladungsträger sammeln kann.

Claims

Patentansprüche:

1. Elektronische Relaisschaltung, gekennzeichnet durch die Kombination eines in eine Ausgangsschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors und eines in eine Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors, wobei jeder Vierschichtentransistor aus vier aufeinanderfolgenden Schichten aus halbleitendem Material abwechselnd des p- und n-Leitfähigkeitstyps besteht, die untereinander drei pn-Übergänge bilden, eine äußere Schicht des in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors an einen Punkt konstanten Potentials angeschlossen ist und die andere äußere Schicht mit einer inneren Schicht des gleichen Leitfähigkeitstyps des in die Ausgangsschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors verbunden ist und zwischen der an den Punkt konstanten Potentials angeschlossenen äußeren Schicht des in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors und der angrenzenden inneren Schicht ein Steuerstromkreis mit zwei Schaltzuständen geschaltet ist, welcher in dem einen Schaltzustand der inneren Schicht einen Einschaltestrom zuführte und welcher in dem anderen Schaltzustand der inneren Schicht ein den pn-übergang zwischen der inneren und der äußeren Schicht in dem Bereich mit hohem Widerstandswert aussteuernden Ausschaltestrom zuführt.

2. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Schicht des in die Ausgangsschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistor (214) mit einer Leckstromquelle (211) verbunden ist.

3. Elektronische Relaisschaltung nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der an den Punkt konstanten Potentials angeschlossenen äußeren Schicht des in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors (216) und der angrenzenden inneren Schicht ein Widerstand (219) geschaltet ist.

4. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Schicht über eine in der Sperrichtung geschaltete Zenerdiode (217) und einen Widerstand (218) in Reihe mit einem Eingang der Steuerschaltung verbunden ist.

5. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung einen Dreischichtentransistor (300) enthält, dessen sich zwischender äußeren erstreckende Hauptstromstrecke zwischen der an den Punkt konstanten Potentials angeschlossenen äußeren Schicht des in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors (216) und der angrenzenden inneren Schicht eingeschaltet ist, wobei die äußeren Schichten des Dreischichtentransistors (300) einem an anderen Leitfähigkeitstyp sind als die zuletzt genannte innere Schicht.

6. Elektronische Relaisschaltung nach An-

spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zuletzt genannte innere Schicht mit einer Leckstromquelle (304) verbunden ist.

7. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Schicht des Dreischichtentransistors (300) über eine in der Sperrichtung geschaltete Zenerdiode (301) und einen Widerstand (302) in Reihe mit einem Eingang (202) der Steuerschaltung verbunden ist. ίο

8. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (303) zwischen dem Punkt konstanten Potentials und der inneren Schicht des Dreischichtentransistors (300) eingeschaltet ist.

9. Elektronische Relaisschaltung nach Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Schicht des in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors (509) die an der an den Punkt konstanten Potentials angeschlossenen äußeren Schicht angrenzt, mit der inneren Schicht des gleichen Leitfähigkeitstyps eines Dreischichtentransistors (514) verbunden ist, dessen zwischen den äußeren Schichten liegende Hauptstromstrecke zwischen dem Punkt konstanten Potentials und einem Ausgang der Steuerschaltung (505) eingeschaltet ist.

10. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der zuletzt genannte Ausgang (505) der Steuerschaltung mit einer LeckstromqueUe (315) verbunden ist.

11. Elektronische Relaisschaltung nach Ansprüchen 2, 6 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Leckstromquelle (305) durch einen Feldeffekt-Transistor gebildet wird.

12. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leckstromquelle durch einen Dreischichtentransistor (524) gebildet wird, dessen äußere Schichten vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die zuletzt genannte innere Schicht des in die Ausgangsschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistors (518) sind, wobei ein Steuerstromkreis zum Steuern der inneren Schicht des Dreischichtentransistors (524) vorgesehen ist.

13. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der zuletzt genannte Steuerstromkreis einen Feldeffekt-Transistors (526) enthält.

14. Elektronische Relaisschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsschaltung einen zweiten Vierschichtentransistor enthält, dessen zwischen den äußeren Schichten verlaufende Hauptstromstrecke antiparallel zur Hauptstromstrecke des ersten Vierschichtentransistors geschaltet ist und daß die innere Schicht diesen Vierschichtentransistor, die mit dem in die Steuerschaltung aufgenommenen Vierschichtentransistor verbunden ist, mit der inneren Schicht des gleichen Leitfähigkeitstyps des zweiten Vierschichtentransistors verbunden ist.

15. Elektronische Relaisschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Einzelteile der Schaltung in einem Halbleiterkörper integriert sind.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen