DE1277907C2 - Transistorschaltungsanordnung zur umwandlung einer rechteckschwingung in eine sinusschwingung - Google Patents
Transistorschaltungsanordnung zur umwandlung einer rechteckschwingung in eine sinusschwingungInfo
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Description
55
60
Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltungsanordnung zur Umwandlung einer Rechteckschwingung
in eine Sinusschwingung, bei welcher die über die Signaleingangselektrode zugeführte Rechteckschwingu
->g einen mit einer anderen Elektrode des Transistors verbundenen Resonanzkreis anstößt.
Eine bekannte Schaltungsanordnung diener Art
besteht aus einer Kollektorschaltung, bei der eine Resonanzkreisanordnung an den Emitter des Transistors
angeschlossen ist. Nachteilig wirkt sich aber hierbei au.;, daß die Resonanzanordnung, da der
gesteuerte Strom zwangläufig hierüber fließen muß. lastabhängig bedampft wird; r'.. h., Frequenz und
Oberwellengehalt sind bei dieser bekannten Schaltungsanordnung schon aus diesem Grund nicht unabhängig
vom angeschlossenen Außen widerstand.
Um eine vollständige Periode einer Sinusschwingung zu erhalten, muL die Resonanzanordnung bei
d»r bekannten Ausführungsform aus der Kombination eines Serienresonanzkreises mit einem Parallelresonanzkreises
bestehen, da die Dämpfung des Serien· resonanzkreises durch den leitenden Transistor sehr
groß ist und andererseits der Parallelresonanzkreis bei leitendem Transistor ohne nennenswerte Wirkung
bleiben müßte. So ergibt sich, daß die Serien resonanzkreise nicht je für sich allein bei der obenerwähnten
Kollektorschaltung betrieben werden können.
Da dem Emitter die Betriebsspannung zugeführt werden muß, ist es schließlich erforderlich, zwei Induktivitäten
für die notwendige Resonanzkreisanordnung zu verwenden. Hieraus ergibt sich einmal, daß
die Güte des Resonanzkreises nicht in erster Linie durch die Wahl des Induktivitätswerts, der im übrigen
für beide Induktivitäten möglichst gleich sein muß; festgelegt werden kann, da eine Kompromißlösurg
in dieser Hinsicht nicht zu umgehen ist, und zun. anderen es immerhin einen gewissen Aufwand erfordert,
zwei genau gleiche Induktionsspulen in einem Schaltungsaufbau bereitzustellen. Die zwangläufige
Kompromißlösung für die Wahl des Induktivitätswerts ergibt sich daraus, daß bei einem Parallelresonanzkreis
die Güte umgekehrt proportional der Induktivität und bei einem Serienresonanzkreis proportional
der Induktivität ist.
Beides aber, sowohl genau gleicher Induktivitiätswert als auch n_öglichst hoher Induktivitätswert sind
für eine möglichst getreue Sinusform der abgegebenen Schwingung eine unabdingbare Voraussetzung.
Darüber hinaus bleiben auch Exemplarstreuungen der verwendeten Transistoren auf das Betriebsverha'ten
nicht ohne Einfluß.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, unter Vermeiden der oben aufgeführten Nachteile
eine Schaltungsanordnung der eingangs beschriebenen Art bereitzustellen, die bei Leistungsverstärkung eine
möglichst getreue Sinusform der Ausgangsschwingung erreicht und zudem noch eine Phasenverschiebung
der Ausgangsschwingung ohne nennenswerte Frequenzänderung und unter Beibehalten der getreuen
Sinusform gestattet.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß ein in Basisschaltung betriebener Transistor
vorgesehen ist, dessen Emitter mit der Signalquelle für die eingangsseitigen Rechteckschwingungen und
dessen Kollektor mit dem Schaltungsausgang verbunden ist, daß der Transistor in seinem Basiskreis
einen Serienresonanzkreis hoher Güte enthält, der für Signale im Bereich der Grundfrequenz der Rechteckschwingung
einen im Vergleich zu Signalanteilen von Harmonischen höherer Ordnung niedrigen Impedanzwert
aufweist, daß parallel zum Serienresonanzkreis ein relativ hochohmiger Widerstand eingeschaltet
ist und daß durch entsprechende Wahl sowohl des Widerstandes als auch der Vorspannung der S^naleingaiiüselektrode
der Arbeitspunkt des Transistors in dessen Leitrahigkeusbereich liegt.
Zum Erreichen der erforderlichen hohen Güte läßt sich einmal ein Basiswidtrstand hohen Wertes
wählen, so daß sowohl die Dämpfung des Resonanzkreises ausreichend gering gehalten als auch der für
den Betrieb des Transistors notwendige Basisruhestrom bereitgestellt wird, und zum anderen ein möglichst
hoher Wert für die Induktivität festsetzen.
Dies bringt den weiteren Vorteil, daß durch Änderung des Kapazitätswertes des Serienresonanzkreiskondensators
die Phasenlage der Ausgangsschwingung ohne nennenswerte Frequenzabweichung verschoben
werden kann.
Es hat sich außerdem als vorteilhaft erwiesen, wenn die Werte der Schaltelemente des Serienresoiv.mzkrei.ses
so gewählt sind, daß sich eine Abstimmung auf ein Drittel der Grundfrequenz der Rechteckschwingung
ergibt. Bei dieser Bemessung sind die besten Ergebnisse erzielt worden.
Gemäß einem weiteren Erfindungsgedanken wird bei Zuführung von Rechteckimpulsen mit äußerst
steilen Anstiegsflanken der Signaleingangselektrode ein Tiefpaßfilter vorgeschaltet. Gegenüber bekannten
Vorrichtungen braucht aber in diesem Fall dieses Tiefpaßfilter nur aus einem Längswiderstand und
einer Querkapazität zu bestehen, denn dieses hat sich als vollkommen ausreichend erwiesen. Zweckmäßigerweise
sind dabei die beiden passiven Schaltelemente dieses Tiefpaßfilters regelbar ausgeführt.
In vielen Fällen der praktischen Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltung ist es von Vorteil, wenn
die Eingangsimpedanz gleich der Ausgangsimpedanz ist. Hierzu dient ein am Ausgang der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung angeschlossenes Hochpaßfilter, das gleichzeitig eine geringe Ausgangsimpedanz
biet 't. Die Bemessung dieses Hochpaßfilters ist dabei natürlich so gewählt, daß die entstandene Sinusschwingung
ohne Verzerrung auf den Ausgang übertragen werden kann.
Es hat sich gezeigt, daß die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung nur eine vernachlässigbare
Dämpfung auf die Rechteckschwingungsquelle ausübt. Außerdem hat sich ergeben, daß die Phasenlage
der Ausgangsschwingung, wenn nicht absichtlich eine Phasenverschiebung herbeigeführt worden ist, nur zu
einem vernachlässigbaren Anteil von der der Eingangsrechtcckschwingung
abweicht.
Auch bei Einschaltung eines Tiefpaßfilters in den Emitterkreis des Transistors ergeben sich bezüglich
des Frequenzverhaltens keinerlei Instabilitäten.
Die Erfindung wird nun an Hand eines nachfolgenden Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigt
F i g 1 die Schaltung des Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung,
F i g. 2 eine graphische Darstellung in der der Widerstand des Basisschaltkreises in Abhängigkeit
von der Frequenzabweichung gegenüber der Resonanzfrequenz dargestellt ist.
In der Schaltung nach F i g. 1 speist ein Rechteckgenerator 1 bekannter Bauart über einen Widerstand
3 und einen Kondensator 5 den Emitter eines Transistors 7. Als Widerstand 3 wird vorzugsweise
ein Drehwiderstand verwendet. Zur Dämpfung höherer Ordnungen der Harmonischen der Rechteckwelle
dient ein RC-Netzwerk im Emitterkreis des Transistors 7, in dem ein Drehkondensator 9 am Verbindungspunkt
zwischen Drehwiderstand 3 und Kondensator 5 einerseits und an der anderen Klemme des
Rechteckgenerator 1 angeschlossen ist. Das RC-Netzwerk wird so abgestimmt, daß die ungewünschten
Harmonischen höherer Ordnung der Rcchieckwelle wirksam gedämpft werden. Es versteht siel·, von
selbst, daß das 7?C-Netzwerk überflüssig ist. wenn die Anstiegs- und Abfallzeiten der Rechteckwell·:
ίο nicht äußerst kurz sind. So hat sich herausgestellt,
daß ein Filter dann überflüssig ist. wenn die Anstiegszeit der Rcchteckwi Ό nicht wesentlich kurzer als
0,05 Mikrosekundcn ist.
Die Rechteckweile wird also auf den Emitter 11 des Transistors 7 übertragen. Der Transistor 7 wird
in Basisschaltung betrieben und ist vom NPN-Leitfähigkeitstyp. Die einzige Anforderung, die an den
Transistor 7 gestellt ist, ist die, daß er auf Frequenzen anspricht, die höher sind, als es der Grundwelle des
zugeführten Rechtecks entspricht. Zur Zuführung der Emittervorspannuni: dient f ■■<. Widerstand 17 in Serie
mit einer Spannungsquelle lV, leren anderer Pol an Erde liegt. Die Vorspannung ist dabei so eingestellt,
daß der Transistor normalerweise leitend ist, d. h.
der Arbeitspunkt liegt im Arbeitsbereich. Während des Betriebs wird dann dieser Arbeitsbereich nicht
verlassen. Es \ ersteht sich von selbst, daß ohne weiteres auch ein PNP-Transistor verwendet werden
kann, wenn die Betriebsspannungen entsprechend ein anderes Vorzeichen erhalten.
Zur selektiven Verstärkung der Grundfrequenzsignale bzw. der jeweiligen Harmonischen niedriger
Ordnung dient ein frequenzabhängiges Glied zwischen der Basiselektrode 13 des Transistors und
Erde. Hierzu wird ein Widerstand 21 in Parallelschaltung zu einer Hintereinanderschaltung einer
Spule 23 und eines veränderbaren Kondensators 25 verwendet. Ein solcher LCR-Kreis wird, wie noch
weiter unten beschrieben, so abgestimmt, daß die Transistorstufe, die Grundfrequenz und eine
Harmonische niedriger Ordnung der Eingangsrechteckwelle
selektiv verstärkt. Diese selektive Verstärkung hat zum Ergebnis, daß alle Harmonischen
höherer Ordnung erheblich gedämpft werden, so dan.
eine möglichst getreue Sinusschwingung an der Kollektorelektrode 15 des Transistors 7 entsteht. Wenn eine
Phasenverschiebung der Ausgangssinusschwingung gegenüber dem Eingangsrechtecksignal erforderlich ist,
dann muß das Verhältnis der Induktivität der Spule 23 zur Kapazität des Kondensators 25 groß sein. Ist dieses
Verhältnis hinreichend groß, dann kann diese
Phasenverschiebung der Ausgangssinusschwingung durch Änderung der Kapazität des Kondensators 25
bis auf einen Wert von 90° eingestellt werden.
Um der Bedingung zu genügen, daß die Ausgangsimpedanz der Schaltungsanordnung auf die Eingangsimpedanz angepaßt ist. sind im Koliektorkreis des
Transistors 7 Anpassungsmittel vorgesehen; es ergibt sich so eine Ausgangsimpedanz, die gleich der Eingangsimpedanz
der erfindungsgcmßen Schaltungsanordnung
ist. Ist darüber hinaus die Eingangsimpedanz ucr erf.ndungsgemäßen Schaltung art eine
hieran anzuschließende weitere Schaltungsano. -.iung
angepaßt, dann ergibt sich bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltung keine Verzerrung oder
sonstige ungewollte Störung. Um dies zu erreichen, liegt zwischen Kollektor 15 und Erde eine Spule 27
und parallel zur Spule 27 die Scrienschaltung eines
Kondensators 29 mit einem Widerstand 31. Die Ausgangssinusschwingung wird dann am Verbindungspunkt des Kondensators 29 mit dem Widerstand 31
und an Erde abgegriffen. Die Werte der zuletzt genannten Schaltelemente sind dabei so gewählt, daß
die obenerwähnte Anpassung erzielt wird, d. h., die Werte hängen im einzelnen von der Impedanz des
nmittcrkrciscs und vom Grad der zu erzielenden Anpassung
ab. Es ist dabei zweckmüßig, die durch die
Spule 27 und den Kondensator 29 bedingte Zeitkonstante hinreichend groß gegenüber der Periode der
Grundwelle zu machen, um so eine Verzerrung der Ausgangssinusschwingung am Kollektor 15 des
Transistors 7 zu vermeiden.
Während oben die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung als solche beschrieben worden ist, seil
nunmehr dargelegt werden, nach welchen Gesichtspunkten die Werte der einzelnen Schaltelemente /u
bestimmen sind. Zur Erläuterung sei angenommen, daß eine Rechtecksignalquelle benutzt wird, deren
Frequenz 2 Megahertz beträgt und deren Ausgangsimpulsc eine Anstiegszeit von 0,001 Mikrosekunden
aufweisen. Da somit aber die Anstiegszeiten relativ kurz sind, dürfte es zweckmäßig sein, zunächst die
Harmonischen höherer Ordnung cingangsseitig auszufiltern. Dies ist im Einklang mit der oben angegebenen
Maßangabe, nämlich der, daß ein solcher Filter dann vorzusehen ist, wenn die Anstiegszeit
eines Rechtcckimpulses weniger als 0,05 Mikro-Sekunden
mit Bezug auf die Grundfrequenz beträgt. Ist nun aber die Impedanz des Rechtecksignalgenerators
bekannt und hat sich außerdem ergeben, daß die Harmonischen höherer Ordnung ausgefiltert
werden müssen, dann ergeben sich die Werte für den Widerstand 3 und den Kondensator 9 des
ÄC-Tiefpaßfilters aus der dadurch gegebenen Anpassungsbedingung
und den gewünschten Filtereigenschaften. Die Werte der übrigen Schaltelemente,
d. h. die zur Bereitstellung der Vorspannung dienenden und die frequenzabhängigen Schaltelemente im
Basiskreis können in bekannter Weise festgelegt werden. Auf die Schaltelemente im Basiskreis wird
im übrigen weiter unten noch näher eingegangen werden. Es se: hier nur so viel gesagt, daß der Wert
der Reaktanz der Spule 23 sehr viel größer ist als der Wert djr Reaktanz des Kondensators 25. Auf
diese Weise wird erreicht, daß der Basiskreis gegenüber Reaktanzänderungen des Kondensators 25, die
sich ergeben, wenn die Phasenbeziehungen zwischen ;>° den Eingangs- und Ausgangssignalen geändert werden,
relativ unempfindlich ist. Sind die obengenannten Werte einmal festgelegt, dann ergeben sich die
Werte der die Vorspannungen bereitstellenden Bauelemente untti Berücksichtigung, daß der Transistor 7
fm Leitfähigkeitsbereich betrieben wird. Die jeweiligen
Werte der Kondensatoren 5 und 29 sind entsprechend den Filterbedingungen gewählt. Für die
Wahl des Transistors 7 ist maßgebend, daß er auf Frequenzen ansprechen muß, die wesentlich größer ßo
sind als die Grundfrequenz der Rechteckschwingung.
Nachstehend aufgeführte Werte beziehen sich auf eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung, die auf
Rechteckschwingungen mit einer Frequenz von 2 Megahertz ansprirhi, wobei die Impulsänstiegszeiten
0,001 Mikrosekunden betragen. Femer soll der Verstärkungsfaktor mit Bezug auf die Spitzenamplituden
1 sein:
R,f = eingestellt auf 100U.
C- = 0.01 μ F,
Cn' -= eingestellt auf 470OpF,
T. = 2 N 914.
Rx.= 100 Ω.
F1;= 6 V,
/?„, = 82 000 Ll.
L~„n = 1 inH,
C'„. = 25 bis 70 pF,
L~,7 = 1 mH,
C,n = 0,01 „F.
Rlx= 82 Ω.
Die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltung läßt sich am bosten an Hand der graphischen
Darstellung nadi F i g. 2 erläutern. Hierin ist die Impedanz des Basiskreises in Abhängigkeit von der
Frequenzänderung relativ zur Resonanzfrequenz aufgetragen. Aus der Diskussion der Kurve Qx ergibl
sich, daß es ohne weiteres möglich ist, einen Basiskreis mit einer hohen Güte Q auf eine Subharmonische
" der Grundfrequenz /„ abzustimmen, so
daß der Basiskreis der Grundfrequenz eine geringere Impedanz bietet als Harmonischen höherer Ordnung.
Die Verstärkung des Transistorverstärkers in Basisschaltung, wie hier gezeigt, ist für die Signale unterschiedlicher
Frequenz umgekehrt proportional der Impedanz des Basiskreises für die entsprechenden
Frequenzen. Wenn also der Basiskreis, wie hier gezeigt, auf die Frequenz ' abgestimmt ist, dann werden
Signale mit einer Frequenz, die der Frequenz ''
benachbart sind, in viel größerem Ausmaß verstärkt, als die Harmonischen höheier Ordnung, und zwar
einfach aus dem Grund, weil der Basiskreis Harmonischen höherer Ordnung eine sehr viel höhere Impedanz
bietet. Darüber hinaus haben Versuche ergeben, daU bei einer erfindungsgernäßen Schaltung
die mit Rechtecksignalen einer Folgefrequenz von 2 Megahertz und einer Anstiegszeit von 0,001 Mikrosekunden
betrieben wird, der Basiskreis vorzugsweise ai'f § Megahertz abgestimmt werden soll. Bei
einer solchen Abstimmung und vorausgesetzt, daG die Güte Q des Basiskreises ausreichend hoch ist,
ergibt sich eine befriedigende selektive Verstärkung der Grundfrequenz, so daß eine im wesentlichen reine
Sinusschwingung am Kollektor 15 ohne Harmonische höherer Ordnung entsteht.
Wird dagegen die Güte Q herabgesetzt, z. B. von Q1 auf Q2 (Fig. 2), dann wird die Impedanz des
Basiskreises gegenüber den Harmonischen höherei Ordnung ebenfalls herabgesetzt, so daß bei dieser
Frequenzen ebenfalls eine höherer Verstärkung wirksam ist. Das hat zur Folge, daß das Ausgangssignal
einen mehr oder weniger großen Anteil an Harmonischen enthält und eine dementsprechende Abweichung
von einer Sinusschwingung besitzt. Da; zeigt aber, daß es vorteilhaft ist, einen Basiskreis
zu verwenden, der eine relativ hohe Güte β besitzt. Da bei der Bemessung der Bauelemente berücksichtigt
werden muß, daß ein ausreichender Basisstrom bereitgestellt werden muß, um den Transistor? zn
betreiben, ergibt sich für den Wert des Widerstandes 21, daß er sowohl den Vorspannungsbedingunger
genügt, als auch den Bedingungen für die Güte Q.
Zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltungs-
anordnung nach F i g. 1 sei also angenommen, daß
die Frequenz der Rcchteckschwingung zwei Megahertz bc.rägt. daß die Güte des Basiskreises (Fig. 2)
den Verlauf der Kurve Q1 besitzt, und daß der
Basiskreis auf die Frequenz ' abgestimmt ist. Hierbei werden dann die Harmonischen höherer Ordnung
im Emittereinpangskrcis durch das bereits erwähiiic
/\C-Filier ausgesiebt. Darüber hinaus verhindert der Kopplungskondensator 5 die Übertragung
einer Gleichstromkomponente. Das sich daraus ergebende Signal, das frei von Harmonischen höherer
Ordnung ist und außerdem keine Gleichstromkomponente aufweist, wird nun der Emitterelektroden
zugeführt. Die Folge der Wirkung des auf die Fre-
quenz ' abgestimmten Basiskreises und des hohen ß-Wcrtes wird die Grundfrequenz /0 in einem sehr
viel höherem Ausmaß als andere Frequenzanteile ' verstärkt, die der Emitterelektrode zugefürir^ werden. «°
Es hat sich gezeigt, daß das an der Kollektorelektrode 15 auftretende Signal im wesentlichen frei von Harmonischen ist, so daß am Ausgang eine mindestens
nahezu reine Sinusschwingung mit der Frequenz /0
entsteht. Diese Sinusschwingung wird nun über das Ausgangsfilter, bestehend aus der Spule 27, dem
Kondensator 29 und dem Widerstand 31, den Ausgangsklemmen zugeführt. Wie oben bereits erwähnt,
ist die LC-Zeitkonstante des Ausgangsfilters so gewählt,
daß sie relativ groß zur Periode der Sinusschwingung ist, so daß hierdurch keine Verzerrung
eingeführt wird.
Soll die Phasenlage der Ausgangssinusschwingung in bezug auf die Phasenlage der Eingangsrechteckschwingung geändert werden, dann muß die Kapazität des Kondensators 25 entsprechend geändert werden. Wird hierbei berücksichtigt, daß der induktive
Widerstand der Spule 23 sehr viel größer ist als der kapazitive Widerstand des Kondensators 25, dann
haben Änderungen des kapazitiven Widerstandes Jes Kondensators 25 einen wesentlichen Einfluß auf die
Phasenlage der Ausgangssinusschwingung. Der Bereich des Drehkondensators C25 gestattet so eine
Phasenänderung von ± 45°.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 309 647/47
Claims (5)
1. Transistorschaltungsanordnung zur Umwandlung
einer Rechteckschwingung in eine Sinusschwingung,
bei welcher die über die Signaleingangselektrode zugeführte Rechteckschwingung einen mit einer anderen Elektrode des Transistors
verbundenen Resonanzkreis anstößt, dadurch
gekennzeichnet, daß ein in Basisschaltung
betriebener Transistor vorgesehen ist, dessen Emitter mit der Signalquelle für die eingangsseitigen
Rechteckschwingungen und dessen Kollektor mit dem Schaltungsausgang verbunden ist. daß der
Transistor in seinem Basiskreis einen Serienresonanzkreis hoher Güte enthält, der für Signale im
Bereich der Grundfrequenz der Rechteckschwii.-gung einen im Vergleich zu Signalanteilen von
Harmonischen höherer Ordnung niedrigen Impedanzwert aufweist, daß parallel zum Serienresonanzkreis
ein relativ hochohmiger Widerstand eingeschaltet ist und daß durch entsprechende
Wahl sowohl des Widerstandes als auch der Vorspannung der Signaleingangselekirode der Arbeitspunkt des Transistors in dessen Leitfähigkeitsbereich liegt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Zuführung von
Rechteckimpulsen äußerst steiler Anstiegsflanke der Emitterelektrode als Signaieingang ein Tiefpaßfilter
vorgeschaltet ist.
3. Schaltungsanordnung nach «jispruch 1 oder
1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Re- > aktanz der Schwingkreisspule (23) im Verhältnis
zur veränderbar ausgebildeten Reaktanz des Schwingkreiskondensators (25) groß ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch' gekennzeichnet, daß die Werte der
Schaltelemente des Serienresonanzkreises (23, 25) so gewählt sind, daß sich eine Abstimmung auf
ein Drittel der Grundfrequenz der Rechteckschwingung ergibt.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
dem Kollektor (15) des Transistors (7) und dem Ausgang ein Hochpaßfilter (27, 29, 31) zur Anpassung
des Ausgangswiderstandes auf den Eingangswiderstand eingeschaltet ist, dessen LC-Zeitkonstante
relativ groß zur Periode der Sinusschwingung ist.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C2 | Grant after previous publication (2nd publication) |