DE112007002082T5 - Eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen - Google Patents
Eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen Download PDFInfo
- Publication number
- DE112007002082T5 DE112007002082T5 DE112007002082T DE112007002082T DE112007002082T5 DE 112007002082 T5 DE112007002082 T5 DE 112007002082T5 DE 112007002082 T DE112007002082 T DE 112007002082T DE 112007002082 T DE112007002082 T DE 112007002082T DE 112007002082 T5 DE112007002082 T5 DE 112007002082T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- tin
- nanostructures
- carbon
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title description 25
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims abstract description 68
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 45
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 22
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 19
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 15
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- -1 ethanol or acetone Chemical compound 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QWJYDTCSUDMGSU-UHFFFAOYSA-N [Sn].[C] Chemical compound [Sn].[C] QWJYDTCSUDMGSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 7
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002717 carbon nanostructure Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000024 high-resolution transmission electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
- C01G1/02—Oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/043—Titanium sub-oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/17—Nanostrips, nanoribbons or nanobelts, i.e. solid nanofibres with two significantly differing dimensions between 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/2918—Rod, strand, filament or fiber including free carbon or carbide or therewith [not as steel]
- Y10T428/292—In coating or impregnation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Erhitzen des/der Metall(e) in einer Reaktionskammer auf eine Oxidationstemperatur, während über das Metall ein Inertgas geströmt wird und während Sauerstoff in das strömende Inertgas in einer ausreichenden Menge eingebracht wird, um mit dem Metall zu reagieren und um ein Sauerstoff enthaltendes Metallmaterial auszubilden, sowie
Abkühlen der Reaktionskammer, um auf einem Metallpulver oder auf einem getrennten Substrat das Sauerstoff enthaltende Metallmaterial als eindimensionale Nanostrukturen zu sammeln.
Description
- Die vorliegende Patentanmeldung beansprucht die Priorität der provisorischen Patentanmeldung 60/824,910 mit dem Titel „Eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen", welche am 8. September 2006 eingereicht worden ist und welche hiermit als Referenz eingeführt wird.
- TECHNISCHES GEBIET
- Die vorliegende Offenbarung betrifft eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen (beispielsweise Strukturen aus Zinn, aus Zinnoxid, aus Titanoxid und aus Wolframoxid) mit verschiedenen Zusammensetzungen und mit verschiedenen Morphologien. Die vorliegende Offenbarung betrifft auch Verfahren zum Herstellen und zum Dotieren von Nanostrukturen in Formen, wie beispielsweise Drähten, Stäben, Nadeln und Blumen.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Nanostrukturierte Materialien (d. h. Strukturen mit wenigstens einer Ausdehnung in einem Bereich zwischen 1 und 100 nm) haben aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften und möglichen Anwendungen komplementär zu dreidimensionalen Massenmaterialien stetig wachsendes Interesse erfahren. Die Dimensionalität spielt eine entscheidende Rolle beim Bestimmen der Eigenschaften von Materialien aufgrund von beispielsweise den verschiedenen Arten, auf welche Elektronen in dreidimensionalen (3D), in zweidimensionalen (2D), in eindimensionalen (1D) und in nulldimensionalen (0D) Strukturen Wechselwirken. Verglichen mit 0D-Nanostrukturen (sogenannte Quantenpunkte oder Nanopartikel) und mit 2D-Nanostrukturen (dünne Filme), sind 1D-Nanostrukturen (einschließlich Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT'e) und -Nanodrähte (NW'e)) als Modellsysteme zum Untersuchen der Abhängigkeit von Elektronentransport, von optischen und von mechanischen Eigenschaften von der Größenbeschränkung und von der Dimensionalität sowie für verschiedene potentielle Anwendungen, einschließlich Verbundstoffmaterialien, Elektrodenmaterialien, Feldemittern, Nanoelektroniken und Sensoren im Nanomaßstab, ideal.
- Nanodrähte sind eine Klasse von neueren eindimensionalen Nanomaterialien mit einem hohen Aspektverhältnis (Länge zu Durchmesser üblicherweise größer als 10). Diese sind gesondert von Kohlenstoff-Nanoröhrchen von Interesse. Nanodrähte können aus verschiedenen Materialzusammensetzungen zusätzlich zu Kohlenstoff hergestellt werden. Ês ist gezeigt worden, dass Nanodrähte überlegene elektrische, optische, mechanische und thermische Eigenschaften aufweisen. Beispielsweise ist kürzlich die ultrahohe Festigkeit von Gold-Nanodrähten nachgewiesen worden. Die beträchtliche Erhöhung der Festigkeit ist auf verringerte Defekte in der Kristallstruktur und auf eine kleinere Anzahl von Körnern, welche den Durchmesser der Nanodrähte kreuzen, zurückzuführen. Die breite Auswahl von verschiedenen kristallinen Materialien und Dotierungsverfahren macht es möglich, die Eigenschaften (beispielsweise die elektrischen Eigenschaften) von Nanodrähten mit einem hohen Freiheitsgrad und mit hoher Präzision einzustellen.
- Nanodrähte bestehen aus einer Vielzahl von anorganischen Materialien, einschließlich elementaren Halbleitern (Si, Ge und B), Gruppe III-V- Halbleitern (GaN, GaAs, GaP, InP, InAs), Gruppe II-VI-Halbleitern (ZnS, ZnSe, CdS, CdSe) und Metalloxiden (ZnO, MgO, SiO2, Al2O3, SnO2, WO3, TiO2). Von diesen haben Metalloxid-Nanodrähte aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, wie beispielsweise einer starken chemischen Wechselwirkung mit Metallkomponenten, offensichtliche Vorteile für einige spezifische Anwendungen. Dieses Phänomen wird manchmal als starke Metall-Träger-Wechselwirkung erklärt. Es ist bei der Verwendung von Metalloxid-Nanodrähten und -Nanogürteln als Sensoren und in anderen elektronischen Anwendungen ein beträchtlicher Fortschritt berichtet worden.
- Im Wesentlichen eindimensionale Nanostrukturen (wie beispielsweise Nanodrähte, Nanostäbe und Nanogürtel mit einer viel größeren Länge als Dicke) sind eine neue Klasse von Nanomaterialien. Syntheseverfahren für solche Nanostrukturen fallen üblicherweise in zwei Kategorien: Dampfphasenabscheidung oder auf Lösung basiertes Kristallwachstum. Während die auf Lösung basierten Synthesen im Allgemeinen eine bessere Steuerung der Prozessbedingungen bieten und einfach eine höhere Produktivität erreichen, führt eine Dampfabscheidung aufgrund der höheren Wachstumstemperaturen oftmals zu höheren Aspektverhältnissen (beispielsweise Länge zu Breite oder Länge zu Durchmesser Verhältnissen) und zu einer exzellenten Kristallinität. Allerdings ist eine der herausragenden derzeitigen Herausforderungen die Steuerung der Synthese von Metalloxid-Nanostrukturen auf eine solche Weise, dass eine Variation in ihrer Morphologie ermöglicht wird. Diese würde das Ausbeuten von unterschiedlichen potentiellen Materialanwendungen für die Nanostrukturen erlauben, wenn ihre Größen geändert werden.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Metalle und Metalloxide werden in im Wesentlichen eindimensionalen Nanostrukturen mit einer Vielzahl von Formen, wie beispielsweise Drähten, Stäben, Nadeln, Gürtel und Blumen (Drähte oder Stäbe, welche am Zentrum verbunden sind und sich wie strahlende Blütenblätter erstrecken), ausgebildet. Nanodrähte und -stäbe weisen einen gleichmäßigen Durchmesser von einem Ende zu dem anderen Ende auf, während Nanonadeln scharfe Spitzen aufweisen. Diese Nanostrukturen weisen ein hohes Aspektverhältnis (beispielsweise Verhältnis von Länge zu Durchmesser oder zu Dicke von 10 oder größer) auf, wobei die kleinere Abmessung in einem Bereich von einem bis einhundert Nanometern liegt. Beispiele für Metalle, welche durch die in der vorliegenden Beschreibung offenbarten Verfahren verarbeitet werden können, schließen Zinn, Titan und Wolfram ein.
- In einer ersten Ausführungsform wird ein Pulver des Metalls in einem Strom eines Inertgases, wie beispielsweise Argon, erhitzt. Geeignete Temperaturen liegen oftmals in einem Bereich zwischen ungefähr 700°C und ungefähr 1.000°C. Das Metallpulver wird auf eine geeignete Temperatur erhitzt, bei welcher dieses eine Menge an Dampf (beispielsweise Zinn) bildet, und das Inertgas enthält eine geringe Menge an Sauerstoffmolekülen (beispielsweise im Bereich Teile pro Million). Sauerstoff reagiert mit dem heißen Metalldampf, um oxidiertes Metall zu bilden, welches bei der Reaktionstemperatur fest ist und sich auf einem benachbarten Substrat als eindimensionale Nanostrukturen abscheiden. Wenn das Metall (beispielsweise Titan und Wolfram) bei der Temperatur der Kammer wenig Dampf erzeugt, können die eindimensionalen Nanostrukturen direkt auf dem Metallpulver wachsen.
- Der Sauerstoffgehalt des Inertgasstromes kann niedrig genug sein, so dass nicht stöchiometrische Metalloxide gebildet werden. Beispielsweise können Sauerstoff enthaltende Metallzusammensetzungen, wie beispielsweise SnOx, TiOx und WOx, gebildet werden, wobei "x" nicht eine ganze Zahl, welche ein herkömmliches Oxid, wie beispielsweise SnO, SnO2, TiO2, WO3 etc., widerspiegelt, ist.
- Sauerstoff für die Oxidation der Metallpulverpartikel wird aus einer oder mehreren verschiedenen Quellen erhalten, einschließlich: Sauerstoff, welcher anfänglich auf dem Metallausgangsmaterial absorbiert ist; die gesteuerte Zugabe von Sauerstoff in das strömende Inertgas; Ausströmen von Luft in das Inertgas und/oder Befeuchtung des Inertgases, um Wassermoleküle zuzugeben, von denen einige in dem heißen Reaktionsmedium zu Sauerstoff und Wasserstoff dissoziieren.
- Die Metalloxid-Nanostrukturen können durch Zugabe eines Dotierungselements zu dem Inertgasstrom, welcher über das Dampf erzeugende Metallpulver strömt, mit Schwefel, Kohlenstoff oder dergleichen dotiert werden. Schwefel kann in dem Inertgasstrom stromaufwärts des Metallpulvers verdampft werden. Ein Kohlenwasserstoffgas, wie beispielsweise Methan, Ethylen oder Acetylen, kann stromaufwärts des Metallpulvers zu dem Inertgas zugegeben werden.
- Ein röhrenförmiger Strömungsreaktor, welcher durch einen darin befindlichen elektrischen Ofen erhitzt wird, kann ein geeignetes Reaktionssystem liefern. Bei dieser Ausführungsform wird ein Behälter für das Pulver in den erhitzten Bereich des röhrenförmigen Reaktors platziert und es wird ein geeignetes Substrat für das Nanostruktur-Wachstum an einer geeigneten Stelle nahe dem Metallpulver vorgesehen. Es ist herausgefunden worden, dass die eindimensionale Nanostrukturform, welche durch das Kon densieren des Sauerstoff enthaltenden Metalls angenommen wird, von den Parametern des Reaktionssystems, einschließlich der Stelle des Substratmaterials und der Natur des Dotierungsmaterials, wenn dieses eingesetzt wird, abhängt.
- In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden Verbundstoffe aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen, welche Zinn-Nanodrähte enthalten, ausgebildet, wenn ein Argonstrom, welcher beispielsweise ungefähr 2% Ethylen enthält, in einem Reaktionsgefäß bei 900°C über Zinnpulver geführt wird. Der Verbundstoff aus eindimensionalen Nanostrukturen kann auf einem Substrat, wie beispielsweise Kohlenstofffaserpapier, ausgebildet werden. In dieser Ausführungsform wird niedrigschmelzender Zinndampf als Flüssigkeitstropfen auf dem Kohlenstofffasersubstrat abgeschieden. Die dünnen Tröpfchen katalysieren die Zersetzung von Ethylen und die Ausbildung von Kohlenstoff-Nanoröhrchen. Beim Abkühlen des Reaktors verfestigen sich die flüssigen Zinntröpfchen und schrumpfen in den Kohlenstoff-Nanoröhrchen zu eindimensionalen Zinn-Nanodrähten zusammen.
- Die resultieren eindimensionalen Metall-Kohlenstoff-Verbundstoff-Nanostrukturen und die eindimensionalen Metall-Sauerstoff-Nanostrukturen sind beispielsweise in elektrischen/elektronischen Anwendungen und als Katalysatorträger geeignet.
- Andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus den Beschreibungen der bevorzugten Ausführungsformen, welche in der nachfolgenden Beschreibung präsentiert werden, offensichtlich werden.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die
1A ist eine schematische Darstellung einer chemischen Dampfabscheidungs-(CVD-)Reaktorvorrichtung, um Nanostrukturen aus nicht dotiertem Metall oder aus Metalloxid in einem strömenden Sauerstoff enthaltendem Argonstrom zu wachsen. - Die
1B ist, wie die1A , eine schematische Darstellung zum Wachsen von Nanostrukturen aus mit Schwefel dotiertem Metall oder Metalloxid durch Verdampfen von Schwefelpulver. - Die
1C ist, wie die1A , eine schematische Darstellung zum Wachsen von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem Metall oder Metalloxid durch Einführen von Ethylengas. - Die
2A ist ein Rasterelektronenmikroskop-(SEM-)Bild eines blanken Kohlenstoffpapiersubstrats. - Die
2B ist ein SEM-Bild von SnOx-Nanodrähten, welche auf Kohlenstofffasern eines Kohlenstoffpapiersubstrats gewachsen sind. - Die
2C ist ein SEM-Bild von SnOx-Nadeln, welche auf einem Kohlenstoffpapiersubstrat gewachsen worden sind. - Die
2D ist ein SEM-Bild von zwei Generationen von SnOx-Nanostrukturen, welche auf einem Kohlenstoffpapiersubstrat gewachsen sind. - Die
2E ist ein SEM-Bild von SnOx-Nanogürteln in einem keramischen Schalensubstrat. - Die
3A ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welche auf Kohlenstoffpapiersubstraten unter Bedingungen von 900°C, 200 sccm Argongas mit 0,5 sccm Ethylengas (C2H4) für 2 bis 4 Stunden gewachsen sind. - Die
3B ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotierem SnOx, welche wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 1 sccm gewachsen sind. - Die
3C ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welche wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 2 sccm gewachsen sind. - Die
3D ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welche wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 5 sccm gewachsen sind. - Die
3E ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welche wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 7 sccm gewachsen sind. - Die
3F ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welche wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 10 sccm gewachsen sind. - Die
3G ist ein SEM-Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff dotiertem SnOx, welches wie die Probe in der3A mit einer Ethylengasströmungsgeschwindigkeit von 12 sccm gewachsen sind. - Die
4A ist ein Rasterelektronenmikroskop-(SEM-)Bild von Nanostrukturen aus mit Kohlenstoff beschichtetem Zinn auf einer Kohlenstofffaser. Die Nanostrukturen in den4A bis4F wurden durch die Reaktion von Zinnpulver mit 900°C, 200 sccm Ar-Gas und 2 sccm Ethylengas für 2 Stunden ausgebildet. - Die
4B ist ein SEM-Bild einer Nanoblumenstruktur aus mit Kohlenstoff beschichtetem Zinn auf einer Kohlenstofffaser. - Die
4C ist ein SEM-Bild von Spitzen von Nanodrähten aus mit Kohlenstoff beschichtetem Zinn. - Die
4D ist ein Transmissionselektronenmikroskopbild (TEM) der Drähte der4C , welches einen Teil der Röhrchen nahe der Spitzen der Drähte zeigt. - Die
4E ist ein TEM-Bild eines einzelnen Zinn-Nanodrahts, welches die Kohlenstoff-Nanorohrform nahe der Spitze des Drahtes zeigt. Die in der4E eingefügte Graphik ist eine EDX-Darstellung, welche die Existenz eines Zinn-Nanodrahtes eher als die eines SnOx-Nanodrahtes anzeigt. - Die
4F ist ein TEM-Bild eines einzelnen Zinn-Nanodrahtes, welches das Rohr auf der Spitze zeigt. - Die
5A und5B sind SEM-Bilder von Nanodrähten aus undotiertem WOx bei 4.000-facher (A) bzw. bei 12.000-facher (B) Vergrößerung. - Die
5C und5D sind SEM-Bilder von Nanodrähten aus mit Schwefel dotiertem WOx bei 10.000-facher (C) bzw. bei 20.000-facher (D) Vergrößerung. - Die
5E und5F sind SEM-Bilder von Nanodrähten aus mit Kohlenstoff dotiertem WOx, jeweils bei 10.000-facher Vergrößerung. - Die
6 ist ein hochauflösendes TEM-Bild eines Nanodrahtes aus mit Kohlenstoff dotiertem WOx, welches amorphen Kohlenstoff auf der Oberfläche des Nanodrahtes zeigt. - Die
7A ist ein SEM-Bild (5000x) von ursprünglichem Titanpulver vor dem Wachsen von TiOx-Nanostrukturen. - Die
7B ist ein SEM-Bild (2000x) einiger TiOx-Nanostrukturen, welche in Argon auf Titanpulverpartikeln gewachsen sind. Die Strukturen wurden durch CVD bei 800 bis 900°C für 1 bis 4 Stunden gewachsen. - Die
7C und7D sind SEM-Bilder bei 1.000-facher (C) bzw. 5.000-facher (D) Vergrößerung von TiOx-Nanonadeln, welche durch CVD unter Argon mit Wasser gewachsen sind. - Die
7E und7F sind SEM-Bilder bei 5.000-facher (E) und 10.000-facher (F) Vergrößerung von TiOx-Nanowandstrukturen, welche durch CVD unter Argon mit Wasser und 20 Volumenprozent Aceton gewachsen sind. - BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Bei der Herstellung von eindimensionalen Nanostrukturen aus den Oxiden von Zinn (SnOx), Titan (TiO2) bzw. Wolfram (WOx) wurden ausgehend von kommerziellen Pulvern aus Zinn, Titan und Wolfram, wie sie von Aldrich Chemical Company erhalten wurden, die nachfolgenden experimentellen Verfahren durchgeführt.
- Nanostrukturen, Nanodrähte, Nanostäbe, Nanogürtel und Nanonadeln aus Metalloxid SnOx, WOx und TiOx wurden durch ein chemisches Dampfabscheideverfahren synthetisiert. Die Werte x sind hier, abhängig von dem Oxidationszustand des Metalls, üblicherweise größer als 0 und betragen beispielsweise bis zu drei oder mehr. Die Werte sind nicht notwendigerweise ganze Zahlen und geben nicht notwendigerweise stöchiometrische Verbindungen wieder. In einigen Fällen wurden Nanostrukturen des Metalls erhalten.
- Der experimentelle Aufbau (siehe
1A bis1C ) umfasste einen horizontalen Rohrofen mit einer elektrischen, Widerstand erhitzten Zone mit ungefähr 30 cm Länge. Ein Quarzrohr, 60 cm lang, wurde entlang seiner Achse zentriert und in dem Ofen eingeschlossen. Es wurde Vorsorge für einen gesteuerten Strom von Argongas in ein Ende des Rohres hinein (rechte Seite in den1A ,1B und1C ) und durch das Quarzrohr hindurch getroffen, um eine Atmosphäre mit einem relativ niedrigen Sauerstoffgehalt für die Ausbildung und für das Wachstum von Nanostrukturen aus Sauerstoff enthaltendem Metall zu schaffen. - In einem typischen Verfahren wurde das Metallpulver (Sn-, Ti- oder W-Pulver) in einer Aluminiumschale (in der
1A entsprechend gekennzeichnet) platziert und an dem Mittelpunkt des Quarzrohres und des Rohrofens lokalisiert. Hochreines Argon (99,999%) wurde für 15 Minuten durch das Quarzrohr mit einer Geschwindigkeit von 50 sccm (Standard Kubikzentimeter pro Minute) geströmt, um O2 und andere Gase aus der Quarzrohrkammer zu entfernen. Das Argon, welches sich anfänglich bei Umgebungstemperatur befand, wurde in dem heißen Rohrofen schnell erhitzt und in dem Quarzrohr teilweise eingeschlossen. Die Dampfabscheidekammer, welche in dem Quarzrohr so ausgebildet wurde, und das Argongas, welches durch diese strömte, wurden von Raumtemperatur auf relativ hohe Temperaturen (700 bis 1000°C) erhitzt. Zinn ist bei diesen Temperaturen flüssig, wohingegen Titan und Wolfram fest sind. - Es wurde eine kleine Menge Sauerstoff benötigt, um mit dem Metallpulver oder mit dem Dampf aus dem heißen Metall zu reagieren und die entsprechenden partikelförmigen Metalloxidmaterialien, welche nicht notwendigerweise stöchiometrische Verbindungen waren, langsam herzustellen. Die Metallpartikel (typischerweise ungefähr 99,8 Gew.-% des entsprechenden Metalls) enthielten anfänglich inhärent eine dünne adsorbierte Beschichtung aus Sauerstoffmolekülen. Es wurde zusätzlicher Sauerstoff erhalten, um die Metalloxid-Nanostrukturen aus dem sehr geringen Sauerstoffgehalt des Argons und einer sehr kleinen Rate von Sauerstoffleckage aus den Enden des Quarzrohres zu wachsen. Diese kleinen Sauerstoffquellen waren ausreichend, um die Metallpartikel langsam zu oxidieren, und es wurden Sauerstoff enthaltende Metallnanostrukturen ausgebildet. Diese bildeten sich typischerweise auf Pulverpartikeln (beispielsweise Ti und W) in der Keramikschale, auf den Seiten der Keramikschale oder eines anderen nahen Substrates, das für das Partikelwachstum im Nanomaßstab (beispielsweise in dem Fall des flüssigen Zinns) bereitgestellt wurde.
- Nach dem Wachsen der Metall- oder Metalloxid-Nanostrukturen für eine Zeitspanne (beispielsweise 1 bis 4 Stunden) wurde der Ofen auf Raumtemperatur abgekühlt, während der Argonstrom fortgesetzt wurde.
- Es wurde Kohlenstoffpapier als ein Substrat für das Wachstum von SnOx-Nanostrukturen eingesetzt. Das kommerziell eingesetzte Kohlenstoffpapier ist eine Klasse von Elektrodenmaterialien für verschiedene Anwendungen, wie beispielsweise für Brennstoffzellen und Sensoren. Es wurde ein Stück des Kohlenstoffpapiers auf der Keramikschale, welche in der
1A dargestellt ist, platziert. - Es konnten WOx- und TiOx-Nanostrukturen in der Form von freistehendem Pulver direkt von und auf ihrem Pulver als ein Ergebnis ihrer relativen hohen Schmelzpunkte und ihrem relativ hohen Dampfdruck bei Reaktionsbedingungen hergestellt werden.
- Wasser als eine Sauerstoffquelle
- Um die Menge von Sauerstoff während der Synthese zu erhöhen und weiter zu steuern, wurde mit dem Argongas während einiger der Metalloxidsyntheseexperimente Wasser eingeführt. In den durch Wasser unterstützten Oxidationsreaktionen wurde der Argonstrom aus seinem Speichertank durch ein heißes Wasserbad (80°C) geperlt und dann in das Quarzrohr eingeströmt, so dass der Wasserdampf kontinuierlich in die Reaktionszone geführt wurde. Das Wasser dissoziierte (teilweise) in dem heißen Rohr, um zusätzlichen Sauerstoff für die Synthese der eindimensionalen Nanostrukturen zu liefern. Die Steuerung der Wassermenge wurde durch die Temperatur des Wassers und/oder die Strömungsgeschwindigkeit und die Dispersion des durchgeperlten Inertgases erreicht. Die durch Wasser unter stützte Oxidationsreaktion ist für das Wachstum von WOx- und TiOx-Nanostrukturen aus ihren Metallpulvern sehr wirksam.
- In situ Dotierung der Metalloxid-Nanostrukturen mit Schwefel
- In einigen Experimenten wurden die Nanostrukturen mit Schwefel dotiert, um die elektrischen Eigenschaften der Nanostrukturen und/oder die Wechselwirkung der Metalloxid-Nanopartikeln mit nachfolgend abgeschiedenen Katalysatorpartikeln zu verändern. Die in situ Schwefeldotierung wurde durch Platzieren eines Behälters mit Schwefelpulver stromaufwärts des Metallpulvers (bezogen auf die Richtung des Inertgasstromes), wie in der
1B dargestellt, durchgeführt. Der Schwefel verdampfte in dem erhitzten Quarzreaktor leicht und wurde in dem strömenden Argon in Kontakt mit den oxidierten (und oxidierenden) Metallpartikeln geführt. Der Schwefeldampf diffundierte als ein Dotierungselement in die Metalloxid-Nanostrukturen. - Mit Schwefel dotierte WOx-Nanostrukturen wurden typischerweise durch ein CVD-Verfahren in dem Ofen bei 760°C und mit einem Aronstrom (Strömungsgeschwindigkeit 100 sccm, anfänglich durch heißes Wasser bei 80°C durchgeperlt), welches durch das erhitzte Quarzrohr für 1 bis 4 Stunden durchgeführt wurde, erhalten. Das Verhältnis von Schwefel zu WOx (molares Verhältnis W/S) betrug ungefähr 3:1.
- In situ Dotieren von Kohlenstoff in Nanostrukturen
- Es besteht ebenfalls Interesse für das Dotieren von kleinen Metalloxidpartikeln mit Kohlenstoff mit dem Ziel, deren Eigenschaften, beispielsweise deren elektrischen und Antikorrosionseigenschaften, zu verändern. Kohlenstoffdotieren wurde hier auf drei unterschiedlichen Wegen durchge führt: (i) ein Kohlenwasserstoffgas (beispielsweise C2H4, CH4, C2H2) wurde, wie in der
1C dargestellt, mit Argon vermischt; (ii) eine Kohlenstoff enthaltende Flüssigkeit (beispielsweise Aceton, Methanol und Ethanol) wurde mit dem Argonstrom durch ein Blasdüsenrohr (ein ähnliches Verfahren zu Wasser) vermischt und (iii) ein Feststoff (beispielsweise Graphit und Kohlenstoff-Nanoröhrchen) wurden mit Metallpulver vermischt. - Beispielsweise wurde durch Einführen von Ethylengas (C2H4) in Argonstrom (200 sccm) für 2 bis 4 Stunden in dem Ofen bei 900°C mit Kohlenstoff dotiertes SnO2 hergestellt. Mit Kohlenstoff dotiertes WO3 wurde aus 100 sccm Ar mit 2 sccm C2H4 bei 760°C für 1 bis 4 Stunden erhalten. Das Argon wurde durch Wasser bei 80°C geperlt. Mit Kohlenstoff dotiertes TiOx wurde durch Einführen sowohl von Wasser als auch von 30 Volumen-% Aceton als eine Kohlenstoffquelle mit 100 bis 200 sccm Ar bei 800 bis 900°C für 2 bis 4 Stunden hergestellt.
- Charakterisierung von Nanostrukturen
- Die Metalloxid-Nanostrukturen, welche hergestellt wurden, wurden unter Verwendung von Transmissionselektronenmikroskop (TEM), hochauflösendem TEM (HRTEM), mit Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS), mit energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDX) sowie mit einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) und mit einem Feldemissionsraserelektronenmikroskop (FE-SEM) mit EDX charakterisiert.
- Ergebnisse:
- Durch die zuvor beschriebenen Dampfabscheideverfahren wurden eindimensionale Nanostrukturen aus drei Arten von Metalloxiden (SnO, SnO2, WO3 und TiOx), nicht dotiert und dotiert, synthetisiert. Die detaillierten Ergebnisse werden gemäß der nachfolgenden Reihenfolge (i) SnOx, (ii) WOx und (iii) TiOx wiedergegeben.
- Es wurden Zinnoxid-Nanostrukturen mit verschiedenen Mengen von Sauerstoff hergestellt. Diese Materialien wurden als SnO und SnO2 identifiziert.
- (1) SnO- und SnO2-Nanostrukturen wurden auf Kohlenstoffpapier und auf Al2O3-Keramiksubstraten gewachsen. Die
2A ist ein SEM-Bild von kommerziell verwendeten und blanken Kohlenstoffpapiersubstraten. Das Kohlenstoffpapier wird weithin als ein Elektrodenmaterial für elektrochemische Anwendungen, wie beispielsweise für Brennstoffzellenbrennen und Sensoren, eingesetzt. Das Kohlenstoffpapier besteht aus kleinen Kohlenstofffasern mit 5 bis 10 μm im Durchmesser und es wurde ein kleines Stück des Papiers auf der Keramik-(Aluminiumoxid-)Schale über dem Zinnpulver in der Schale platziert. SnO- und SnO2-Nanostrukturen wurden zuerst auf Kohlenstofffasern des Kohlenstoffpapiersubstrats bei 900°C unter einem Strom aus Sauerstoff enthaltendem Argongas bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 200 sccm für 2 Stunden synthetisiert. - Die
2B stellt SnO-, SnO2-Nanodrähte, welche auf Kohlenstofffasern von Kohlenstoffpapiersubstrat gewachsen wurden, dar. Das SEM-Bild zeigt eine hohe Dichte der Zinn-Sauerstoff-Nanodrähte, welche die gesamte Oberfläche der Kohlenstofffasern bedecken. Das in einer Ecke der2B eingefügte TEM-Bild zeigt drahtartige Partikel aus Zinnoxidpartikeln im Nanomaßstab. Offensichtlich wird eine solche Nanostruktur eine wünschenswerte und geeignete spezifische Oberfläche aufweisen. - Die Morphologie der Nanostrukturen kann durch Verändern der Entfernung von Probensubstraten aus Pulver oder geschmolzenen Metallquellen gesteuert werden. Im Allgemeinen wuchsen die meisten Wachstumsflächen nahe der geschmolzenen Sn-Quelle zu drahtartigen Nanostrukturen. Allerdings erzeugten einige Gebiete, welche entfernter von der Sn-Flüssigkeit lagen, nadelartige Nanostrukturen (mit spitzen Enden) auf Kohlenstoffpapier, wie dies in der
2C gezeigt ist. In einigen Gebieten wurde eine zweite Generation von Nanonadeln beobachtet, welche auf der ersten Generation der Nanodrähte in einem Einschrittsyntheseverfahren gewachsen wurde (2D ). Ferner wurden spezielle Orientierungen zwischen der ersten und der zweiten Generation von Nanodrähten beobachtet. Die Strukturen der nadelartigen und zweiten Generation sollten mit der Rolle von Kohlenstoff aus Kohlestoffpapier und mit einer relativ höheren Wachstumstemperatur verbunden sein. - Wenn die Keramikschale allein den Träger für das oxidierte Zinn lieferte, wurde gefunden, dass sich die Sauerstoff enthaltenden Nanopartikel, wie in der
2E dargestellt, als Nanogürtel – sehr dünn und 10 μm breit – ausbildeten. - (2) Mit Kohlenstoff dotiertes Zinn und Kohlenstoff-Verbundstoff-Nanostrukturen
- Um die elektrischen Eigenschaften und die Korrosionsbeständigkeit von SnOx-Nanostrukturen zu verbessern, und, um die Rolle von Kohlenstoff während des Wachstums von Nanostrukturen zu verstehen, wurde ein Experiment durchgeführt, um durch das Einführen von Ethylengas (C2H4) in den Argonstrom in situ mit Kohlenstoff dotierte SnOx-Strukturen herzustellen. Allerdings wurden Verbundstoffe von Zinn-Nanodrähten in Kohlenstoff-Nanoröhrchen erhalten. Dies ist eine neue Entdeckung.
- Während die gleichen, wie in dem vorstehenden Abschnitt (1) beschrieben Dampfabscheidebedingungen, 900°C und 200 sccm Argonströmungsgeschwindigkeit, aufrecht erhalten wurden, wurden in den Argongasstrom verschiedene Mengen (0,5 sccm bis 12 sccm) Kohlenstoff eingeführt. Die Ergebnisse zeigten, dass die verschiedenen Mengen von Kohlenstoff, wie in den
3A bis3E gezeigt, zu unterschiedlichen Morphologien und zu einer Struktur von Zinn- und Kohlenstoffnanostrukturen auf Kohlenstoffpapier führten. - Die
3 (A bis G) zeigen SEM-Bilder von mit Kohlenstoff dotierten Zinn-Nanostrukturen auf Kohlenstoffpapier, welche bei 900°C, 200 sccm Ar und Kohlenstoffmengen (0,5 bis 12 sccm) synthetisiert wurden. In dem Fall von 0,5 sccm Ethylen (3A ) waren die auf einer Kohlenstofffaser gewachsenen Zinn- und Kohlenstoffnanostrukturen nicht sehr dicht und wiesen eine Länge von ungefähr 15 μm auf. Mit der Erhöhung der Kohlenstoffmengen (1 bis 5 sccm) in dem Argon erhöhte sich die Dichte von Zinn- und Kohlenstoff-Nanostrukturen beträchtlich und diese bedeckten die Kohlenstofffasern vollständig (3B bis3D ). Aber die Länge beträgt immer noch ungefähr 15 μm. Wenn die Strömungsgeschwindigkeiten der Kohlenstoffverbindung in dem Argongas 7 und 10 sccm erreichten, wurden sehr kurze Nanopartikel (1 bis 5 μm) erhalten (3E und3F ). Für eine Strömungsgeschwindigkeit der Kohlenstoffverbindung von 12 sccm wurde keine beträchtliche Veränderung in der Struktur der Partikel erhalten; es wurden lediglich kugelförmigere Nanostrukturen beobachtet (3G ). - Eine Veränderung der Nanostrukturmorphologien ist mit strukturellen Merkmalen und einer Zusammensetzung von mit Kohlenstoff dotiertem SnOx verbunden. Die detaillierte Analyse wird in den
4A bis4F dargestellt. Grundsätzlich wurden Kohlenstoff graphitierte Schichten auf der Oberfläche der beabsichtigen SnOx-Nanostrukturen ausgebildet und es wurden metallische Sn-Nanostrukturen erhalten. Wenn eine ausreichende Menge Kohlenstoff in den Argonstrom eingeführt wurde, wurde das Wachstum einer Sn-Nanostruktur gefördert. Wenn die Menge an Kohlenstoff zu hoch ist (12 sccm), beschränkt der Kohlenstoff das Wachstum der Nanostrukturen. Aus diesen Ergebnissen wurde erkannt, dass eine neue Nanostruktur erhalten wurde, wenn die Kohlenstoffmengen in einem Bereich von 2 bis 5 sccm liegen. Die Einzelheiten dieser Zinn- und Kohlenstoff-Verbundstoffstrukturen wird in einer weiteren Beschreibung der4A bis4F , welche in dem nachfolgenden Abschnitt dieser Beschreibung präsentiert wird, präsentiert. - (3) Einzelne kristalline Zinn-Nanodrähte, welche durch auf einem Substrat aus Kohlenstofffasern gewachsene Kohlenstoff-Nanoröhrchen eingekapselt sind
- Wie zuvor erwähnt, wurden Nanostruktur-Drähte mit hoher Dichte auf einem Kohlenstofffasersubstrat erhalten, wenn Ethylen mit Strömungsgeschwindigkeiten von 2 bis 5 sccm in den Argonstrom eingeführt wurde. Die SEM-Bilder der
4A und4B zeigen ihre Morphologien. In der4A werden einzelne Zinnfasern gesehen, während die Zinnfasern in einigen lokalen Gebieten, wie in der4B dargestellt, wie Blütenblätter einer Blume gebündelt sind. Allerdings zeigten nahe Beobachtungen aus SEM und HRTEM (4C und4D ), dass die Nanostruktur an der Spitze und am Boden der Strukturen tatsächlich aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen (ungefähr 30 nm dick) besteht, mit dünnen Nanodrähten in der Mitte der faserartigen Mikrostrukturen. Die TEM-Bilder in den4E und4F gaben detailliertere Informationen. In einigen Fällen erscheint ein Kohlenstoff-Nanorohr-Teilstück (in der4E als C-Nanorohr mar kierter weißer Bereich) zwischen Nanodraht-Teilstücken, welche als Sn-Nanodraht markiert sind. In anderen Fällen wurden hohle Nanoröhrchen lediglich in der Spitze der Nanostrukturen gefunden (4F ). Die Analyse der Zusammensetzung durch EDX (eingefügte Graphik in der4E ) zeigte, dass der dunklere Bereich des Nanodrahtes aus Zinn, welches mit Kohlenstoffschichten bedeckt ist, zusammengesetzt ist. Das röhrenförmige Teilstück der Faser ist größtenteils aus Kohlenstoff zusammengesetzt. - 2. Synthese von WO3-Nanostrukturen
- Wie in dem Abschnitt 4 (unten) erörtert, sind die Wachstumsmechanismen von WO3-Nanostrukturen von den Mechanismen für SnO- und SnO2-Nanostrukturen verschieden. Das Wachstum von SnOx-Nanostrukturen folgt der Verdampfung von Sn-Pulver gefolgt von der Oxidation des Zinns und der Kondensation des nicht-stöchiometrischen Oxids auf einem Substrat, wie beispielsweise Kohlenstoffpapier. Der Mechanismus ist ein Dampf-zu-Feststoff(VS)-Mechanismus. Im Gegensatz dazu, scheinen WO3- (und TiOx)-Nanostrukturen direkt auf W- (oder Ti-)Pulvern zu wachsen. Ein Unterschied bei der Synthese von WOx-Nanostruktur ist, dass das Wasser unterstützte Oxidationsverfahren eingesetzt wurde. In diesem Fall wurde der Argonstrom vor dem Eintreten in die Kammer durch ein heißes Wasserbad (80°C) geperlt, so dass H2O-Dampf kontinuierlich in die Reaktionszone überführt wurde. Die Einführung von Wasser diente dazu, während der Reaktion mehr Sauerstoff (vielleicht auch H2) zu erzeugen. Die Steuerung der Wassermenge wurde durch Wasserdurchperlen durchgeführt. Das Wasser unterstützte Verfahren ist für das Wachstum von WOx- und von TiOx-Nanostrukturen sehr wirksam. Die
5A bis5F zeigen SEM-Bilder von WOx, von mit Schwefel dotiertem WOx und von mit Kohlenstoff dotierten WOx-Nanostrukturen. - Die
5A (4.000x) und5B (12.000x) zeigen Cluster aus WO3-Monofilamenten oder Nanoröhrchen mit hoher Dichte, welche auf darunter liegendem Wolframpulver ausgebildet wurden und das darunter liegende Wolframpulver bedeckten. Die WO3-Nanostrukturen sind ungefähr 3 bis 50 Mikrometer lang und weisen einen Durchmesser von ungefähr 100 nm auf. Wenn eine kleine Menge Schwefel (molares Verhältnis von W/S 3:1) in der Form von Pulver stromaufwärts der Wolframpulverschale (wie in der1B dargestellt) eingeführt wurde, ist, wie in den SEM-Bildern der5C und5D dargestellt, eine beträchtliche Erhöhung der Dichte und Gleichmäßigkeit erhalten worden. Für die Dotierung mit Kohlenstoff wurde eine kleine Menge Ethylen (2 sccm) mit nassem Ar eingeführt. Die mit Kohlenstoff dotierten WOx-Nanostrukturen wiesen, wie in den5E und5F dargestellt, ähnliche Morphologien wie WO3 und mit Schwefel dotiertes WO3 auf. Allerdings zeigten die HRTEM-Bilder, wie in der6 dargestellt, dass die mit Kohlenstoff dotierten WOx-Nanostrukturen mit einer Schicht aus amorphem Kohlenstoff bedeckt waren. - 3. Synthese von TiOx-Nanostrukturen
- Es wurden TiOx-Nanostrukturen auf Ti-Pulver durch chemische Dampfabscheidung unter Bedingungen von 800 bis 900°C und einem Ar-Strom von 100 bis 200 sccm synthetisiert. Die Ergebnisse sind in den SEM-Bildern der
7A bis7F dargestellt. - Die
7A zeigt die Morphologie des ursprünglichen Ti-Pulvers, welches aus relativ großen, im Allgemeinen kugelförmigen Partikeln (welche einen Durchmesser von 10 bis 15 Mikrometern aufweisen) besteht. Die7B ist ein SEM-Bild von TiOx-Nanostrukturen, welche auf den Titanpulverpartikeln unter einem Sauerstoff enthaltenden Argonstrom synthetisiert und gewachsen wurden. Es kann gesehen werden, dass diese Oberflächen der Titanpartikel grob sind, und, dass die zu vielen polykristallinen Körner oxidiert wurden. Sowohl Mikrodraht- als auch Mikrogürtel-Strukturen wurden gefunden, obwohl beide von diesen sehr selten sind. - Das Verfahren zum Ausbilden von TiOx-Partikeln auf Titanpulver wurde unter Verwendung von befeuchtetem Argon wiederholt. Ein Argonstrom wurde durch eine Wassersäule mit einer Geschwindigkeit von 30 bis 80 Blasen pro Minute durchgeperlt. Der befeuchtete Argonstrom wurde dann unter den zuvor spezifizierten Bedingungen in das Quarzrohr eingeführt. Wie in den SEM-Bildern der
7C (bei 1.000x) und7D (5.000x) dargestellt, wurden sehr dichte Nanonadeln erhalten. Die TiOx-Nanonadeln wiesen scharfe und lange Spitzen auf (7D ). - Wenn der Argonstrom Acetylen enthielt, erschienen, wie in den
7E und7F dargestellt, TiOx-Nanostrukturen mit einem neuen Merkmal (Nanowand genannt). Die Nanowand-Strukturen wurden durch Einführen von sowohl Wasser als auch 30 Vol.-% Aceton als eine Kohlenstoffquelle bei 800 bis 900°C für 2 bis 4 Stunden in dem Argonstrom erhalten. - 4. Allgemeine Erörterung der Nanostruktur-Wachstumsmechanismen
- Die Wachstumsmechanismen von SnOx-Nanostrukturen sind von dem Mechanismus für WOx- und TiOx-Nanostrukturen verschieden.
- Das SnOx-Nanostrukturwachstum wird durch den Dampf-Feststoff(VS)-Mechanismus gesteuert. Während des Erhitzens wird aus dem geschmolzenen Sn Sn-Dampf erzeugt, welcher mit Sauerstoff kombiniert, welcher aus drei Quellen kommt: restlicher Sauerstoff in der Reaktionskammer, Sauerstoff "verunreinigung" in dem Ar-Gas und Oberflächensauerstoff schichten auf Metallpulvern. Als ein erster Schritt bilden Sn-Dampf und Sauerstoff SnO-Dampf. Es ist gut bekannt, dass SnO metastbil ist und sich zu SnO2 und zu Sn zersetzen wird. Die Zersetzung von SnO wird zu der Präzipitation von SnO2-Nanopartikeln führen, welche durch das strömende Ar-Gas geführt werden und an den Wänden der Aluminiumoxidschale oder des Kohlenstoffpapiers abgeschieden werden. Die Nanopartikel wirken dann als Nukleierungsstellen und initiieren das Wachstum von SnO2-Nanostrukturen über den VS-Mechanismus. Wenn SnO2 auf Kohlenstoffpapier gebildet wurde, ist der Mechanismus aufgrund der Anwesenheit von Kohlenstoff auf der Papieroberfläche komplizierter. Die Reaktion von Kohlenstoff mit Sauerstoff in der heißen Umgebung kann die Sauerstoffzuführung verringern und eventuell Sn oder SnO erzeugen.
- Die Wachstumsmechanismen für WOx und TiOx, welche auf ihren Pulvern gewachsen sind, werden nicht ganz klar verstanden. Derzeit wird es angenommen, dass die Gegenwart von Wasser in dem Inertgasstrom notwendig ist, um entweder WOx- oder TiOx-Nanostrukturen zu erhalten. Die Titan- und Wolfram-Pulver weisen höhere Schmelzpunkte als Zinn auf und die Titan- und Wolfram-Pulver erzeugen bei den Betriebstemperaturen (700°C bis 1.000°C) des Reaktors weniger Dampf. Die beschränkte Dampfproduktion kann die Bildung ihrer entsprechenden Oxid-Nanostrukturen direkt auf ihren Pulvern bedingen.
- Das Wachstum der Verbundstoffe aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und Zinn-Nanodrähten wird wie folgt verstanden. Wenn auf 900°C unter Argongasstrom erhitzt, erzeugt das flüssige Zinn (Smp. 232°C, Sdp. 2.270°C) Dampf, welcher durch das Argon stromabwärts transportiert wird und auf dem graphitierten Fasersubstrat in Form wachsender Flüssigkeitströpfchen abgeschieden wird. Bei den Substrat getragenen Zinntröpfchen treten zwei verschiedene Nanostrukturwachstumsmechanismen gleichzeitig auf. Ethylendampf zersetzt sich auf den Zinntröpfchen und bildet Kohlenstoff-Nanoröhrchen, während die fortgesetzte Kondensation von Zinn die letztgenannte Bildung von Zinn-Nanodrähten gewährleistet. Wenn der Reaktor abgekühlt wird, verfestigt sich das Zinn in den Kohlenstoff-Nanoröhrchen und schrumpft, um die Zielnanostrukturen aus Kohlenstoff- und Zinn-Verbundstoff zu bilden.
- Die Praxis gemäß der vorliegenden Erfindung ist durch verschiedene spezifische Beispiele illustriert worden, aber der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung ist durch solche Illustrationen nicht beschränkt.
- Zusammenfassung
- Metallpulver (wie beispielsweise Zinn-, Titan- oder Wolframpulver) wird in einem strömenden Inertgasstrom, wie beispielsweise Argon, welcher einen geringen Überschuss an Sauerstoff enthält, auf eine Temperatur erhitzt, um Metalldampf zu erzeugen. Das Metall reagiert mit dem Sauerstoff, um (in dem Fall von Ti und W) auf dem Metallpulver oder in dem Fall des niedriger schmelzenden Zinns auf einem benachbarten, geeigneten Substrat eindimensionale Nanostrukturen aus einem Sauerstoff enthaltenden Metall auszubilden und abzuscheiden. Die Metalloxide sind nicht notwendigerweise stöchiometrische Verbindungen. In den Inertgasstrom kann Wasser eingebracht werden, um den Sauerstoffgehalt zu erhöhen oder zu steuern. Es kann Schwefeldampf oder eine Kohlenstoffquelle eingebracht werden, um die Nanostrukturen mit Schwefel oder mit Kohlenstoff zu dotieren. Die Reaktionsbedingungen können verändert werden, um die Formen der eindimensionalen Nanostrukturen zu variieren.
Claims (19)
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen aus Sauerstoff enthaltendem Metall mit einem gewünschten Sauerstoffgehalt, wobei das Metall wenigstens ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zinn, Titan und Wolfram ist, wobei das Verfahren umfasst: Erhitzen des/der Metall(e) in einer Reaktionskammer auf eine Oxidationstemperatur, während über das Metall ein Inertgas geströmt wird und während Sauerstoff in das strömende Inertgas in einer ausreichenden Menge eingebracht wird, um mit dem Metall zu reagieren und um ein Sauerstoff enthaltendes Metallmaterial auszubilden, sowie Abkühlen der Reaktionskammer, um auf einem Metallpulver oder auf einem getrennten Substrat das Sauerstoff enthaltende Metallmaterial als eindimensionale Nanostrukturen zu sammeln.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen aus Sauerstoff enthaltendem Metall nach Anspruch 1, wobei das Verfahren des Weiteren umfasst: Platzieren eines Pulvers des/der Metall(e) an einer Stelle eines röhrenförmigen Durchströmreaktors, welcher einen Einlass und einen Auslass aufweist, Erhitzen des Metalls auf eine zum Ausbilden von Metalldampf ausreichende Temperatur, Strömen eines Inertgases durch den röhrenförmigen Reaktor über das Dampf erzeugende Metallpulver, während in das strömende Inertgas Sauerstoff in einer ausreichenden Menge eingebracht wird, um mit dem Metalldampf zu reagieren und um das Sauerstoff enthaltende Metallmaterial auszubilden, wobei das Sauerstoff enthaltende Metallmaterial bei der Temperatur als feste Nanostrukturen kondensierbar ist, sowie Bereitstellen einer Substratfläche zum Kondensieren von Sauerstoff enthaltenden Metallpartikeln als eindimensionale Nanostrukturen, wobei die Substratfläche an der Stelle des Metallpulvers oder, bezogen auf den Strom des Inertgases, stromabwärts der Stelle vorgesehen wird, wobei die Stelle des Substrats vorher für die Ausbildung einer gewünschten Struktur der eindimensionalen Nanostrukturen festgelegt wird.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem das Inertgas Argon ist.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem ein Metallpulver in einem röhrenförmigen Durchströmreaktor erhitzt wird, das Inertgas über und hinter dem Pulver geströmt wird und die eindimensionalen Nanostrukturen auf dem Metallpulver gesammelt werden.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem das Inertgas, bevor das Gas über das Metall geströmt wird, befeuchtet wird, um dessen Oxidationspotential zu erhöhen.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem das Metall auf eine Temperatur in einem Bereich von ungefähr 700°C bis ungefähr 1.000°C erhitzt wird.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem dem strömenden Inertgas Schwefeldampf zuge geben wird, um in die eindimensionalen Nanostrukturen Schwefel einzuführen.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem dem strömenden Inertgas eine Kohlenstoffquelle zugegeben wird, um in die Sauerstoff enthaltenden Metallpartikel Kohlenstoff einzuführen.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem dem strömenden Inertgas eine Kohlenstoffquelle zugegeben wird, um in die Sauerstoff enthaltenden Metallpartikel Kohlenstoff einzuführen, wobei die Kohlenstoffquelle ein Kohlenwasserstoffgas, wie Ethylen oder Methan, ein Feststoff, wie Graphit, oder eine Flüssigkeit, wie Ethanol oder Aceton, ist.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem das Metallpulver als ein Substrat für die Kondensation der eindimensionalen Nanostrukturen eingesetzt wird.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem Kohlenstofffasern als ein Substrat für die Kondensation der eindimensionalen Nanostrukturen eingesetzt wird.
- Verfahren zum Herstellen eines Verbundstoffes aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und Zinn-Nanodrähten umfassend: Erhitzen von Zinnpulver in einer Kammer auf eine zum Ausbilden von Zinndampf ausreichende Temperatur und Kondensieren von Zinndampf als eine Flüssigkeit auf einem Substrat, während eine Mischung aus einem Inertgas und einem Kohlenstoff enthaltenden Gas in Kontakt mit dem flüssigen Zinn geströmt wird, um in dem flüssigen Zinn Kohlenstoff-Nanoröhrchen auszubilden, und nach einer vorbestimmten Zeit Abkühlen der Kammer, um die Zinnflüssigkeit als Zinn-Nanoröhrchen unter den Kohlenstoff-Nanoröhrchen zu verfestigen.
- Verfahren zum Herstellen eines Verbundstoffes aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und Zinn-Nanodrähten nach Anspruch 12, bei dem das Substrat Kohlenstofffasern umfasst.
- Verfahren zum Herstellen eines Verbundstoffes aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und aus Zinn-Nanodrähten nach Anspruch 12, bei dem sich die Zinnflüssigkeit als Zinntröpfchen auf dem Substrat ausbilden.
- Verfahren zum Herstellen eines Verbundstoffes aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und aus Zinn-Nanodrähten nach Anspruch 12, bei dem die Temperatur in der Kammer in einem Bereich zwischen ungefähr 700°C und ungefähr 1.000°C liegt.
- Verbundstoff aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen und aus Zinn-Nanodrähten, welcher durch ein Verfahren nach Anspruch 12 hergestellt worden ist.
- Verbundstoff aus eindimensionalen Nanostrukturen enthaltend Zinn-Nanodrähte, welche wenigstens teilweise in den Kohlenstoff-Nanoröhrchen enthalten sind.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem die eindimensionalen Nanostrukturen SnO, SnO2 oder WO3 enthalten.
- Verfahren zum Herstellen von eindimensionalen Nanostrukturen nach Anspruch 1, bei dem die Nanostrukturen Durchmesser in einem Bereich zwischen ungefähr 10 nm und ungefähr 300 nm aufweisen und Längen in einem Bereich zwischen ungefähr 1 Mikrometeer und ungefähr einem Millimeter aufweisen.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82491006P | 2006-09-08 | 2006-09-08 | |
US60/824,910 | 2006-09-08 | ||
PCT/US2007/077836 WO2008031005A2 (en) | 2006-09-08 | 2007-09-07 | One-dimensional metal and metal oxide nanostructures |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112007002082T5 true DE112007002082T5 (de) | 2009-08-20 |
Family
ID=39158079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112007002082T Withdrawn DE112007002082T5 (de) | 2006-09-08 | 2007-09-07 | Eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8034408B2 (de) |
CN (1) | CN101553895A (de) |
DE (1) | DE112007002082T5 (de) |
WO (1) | WO2008031005A2 (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7709054B2 (en) * | 2005-07-19 | 2010-05-04 | Wayne State University | Particle-rod nano structures and method of forming same by spin coating |
KR100802182B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2008-02-12 | 한국전자통신연구원 | 나노선 필터, 그 제조방법 및 흡착물 제거방법, 이를구비한 필터링 장치 |
US8435676B2 (en) * | 2008-01-09 | 2013-05-07 | Nanotek Instruments, Inc. | Mixed nano-filament electrode materials for lithium ion batteries |
JP5561514B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2014-07-30 | 日産自動車株式会社 | 蓄電デバイス用電極及びその製造方法 |
JP5746143B2 (ja) | 2009-04-09 | 2015-07-08 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | ナノスケールアーキテクチャーを有する3次元色素増感太陽電池 |
CN102459085B (zh) | 2009-05-21 | 2015-06-03 | 康奈尔大学 | 导电的金属氧化物和金属氮化物纳米颗粒 |
CN101962806B (zh) * | 2010-09-30 | 2013-09-04 | 华中科技大学 | 一种柔性冷阴极材料的制备方法 |
US20140335415A1 (en) * | 2011-01-31 | 2014-11-13 | Ryo Tamaki | Battery electrode having elongated particles embedded in active medium |
US11724310B2 (en) * | 2011-06-17 | 2023-08-15 | Consolidated Nuclear Security, LLC | Titanium-group nano-whiskers and method of production |
KR101298128B1 (ko) | 2011-10-28 | 2013-08-21 | 한국표준과학연구원 | 리튬이차전지 음극용 주석-주석산화물 하이브리드 나노구조물과 그의 제조방법 |
KR101334057B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2013-11-29 | 한국에너지기술연구원 | 동시기화법을 이용한 다중성분 금속-하이브리드 나노 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다중성분 금속-하이브리드 나노 복합체 |
TWI495612B (zh) * | 2013-01-04 | 2015-08-11 | Univ Nat Chiao Tung | 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法 |
CN103194734B (zh) * | 2013-04-15 | 2015-05-13 | 西北工业大学 | 一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法 |
CN103708535B (zh) * | 2013-12-26 | 2015-01-28 | 鲁东大学 | 一种碳掺杂二氧化锡纳米线锂电池负极材料的制备方法 |
KR101595309B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2016-02-19 | (주)알에프트론 | 주석 금속 타겟을 이용한 주석산화물층의 형성 방법 |
CN110079787B (zh) * | 2019-05-15 | 2021-08-13 | 山东大学 | 一种表面活性剂辅助气相生长iii-v族半导体纳米线的方法 |
CN110112060A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-08-09 | 山东大学 | 一种利用气固固生长模式控制高性能ⅲ-ⅴ族半导体纳米线生长方向的方法 |
CN110333271B (zh) * | 2019-07-12 | 2021-12-14 | 上海交通大学 | 一种花状三氧化钨多级纳米材料的制备方法及其三乙胺气体传感器和用途 |
CN111715209B (zh) * | 2020-05-18 | 2023-04-07 | 浙江工业大学 | 一种三氧化钨/石墨毡复合材料的气相制备方法 |
WO2022076343A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | F9 Llc | Antimicrobial metal powders and related materials |
CN114763269B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-12-19 | 本田技研工业株式会社 | 过渡金属二硫属化物的原子层带和纳米带的水分控制生长方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5897945A (en) * | 1996-02-26 | 1999-04-27 | President And Fellows Of Harvard College | Metal oxide nanorods |
US7112315B2 (en) * | 1999-04-14 | 2006-09-26 | The Regents Of The University Of California | Molecular nanowires from single walled carbon nanotubes |
US6913075B1 (en) * | 1999-06-14 | 2005-07-05 | Energy Science Laboratories, Inc. | Dendritic fiber material |
US6940086B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-09-06 | Georgia Tech Research Corporation | Tin oxide nanostructures |
US7419601B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-09-02 | Seldon Technologies, Llc | Nanomesh article and method of using the same for purifying fluids |
US7241479B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-07-10 | Clemson University | Thermal CVD synthesis of nanostructures |
US7754183B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-07-13 | Clemson University Research Foundation | Process for preparing carbon nanostructures with tailored properties and products utilizing same |
US20070087470A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sunkara Mahendra K | Vapor phase synthesis of metal and metal oxide nanowires |
-
2007
- 2007-09-06 US US11/850,860 patent/US8034408B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-07 WO PCT/US2007/077836 patent/WO2008031005A2/en active Application Filing
- 2007-09-07 CN CNA200780032938XA patent/CN101553895A/zh active Pending
- 2007-09-07 DE DE112007002082T patent/DE112007002082T5/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-19 US US12/859,352 patent/US8263180B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-13 US US13/572,820 patent/US8709602B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008031005A2 (en) | 2008-03-13 |
US8709602B2 (en) | 2014-04-29 |
US8263180B2 (en) | 2012-09-11 |
US20120308818A1 (en) | 2012-12-06 |
CN101553895A (zh) | 2009-10-07 |
US20080292789A1 (en) | 2008-11-27 |
WO2008031005A3 (en) | 2008-05-02 |
US20100316873A1 (en) | 2010-12-16 |
WO2008031005A8 (en) | 2008-06-19 |
US8034408B2 (en) | 2011-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112007002082T5 (de) | Eindimensionale Metall- und Metalloxid-Nanostrukturen | |
DE60226266T2 (de) | Verfahren zum katalytischen wachsenlassen von nanoröhrchen oder nanofasern mit einer diffusionsbarriere aus nisi-legierung | |
DE60036613T2 (de) | Massenfertigung von langen nanoröhrchen aus übergangsmetallchalcogeniden | |
DE3688209T2 (de) | Verfahren zur herstellung von kohlenstoffilamenten und durch dieses verfahren erhaltene kohlenstoffilamente. | |
DE60111413T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von anorganischen fullerenähnlichen nanopartikeln | |
Liang et al. | Catalytic growth of semiconducting In2O3 nanofibers | |
US7445671B2 (en) | Formation of metal oxide nanowire networks (nanowebs) of low-melting metals | |
DE60319508T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von kohlenstoffnanostrukturen | |
DE69628425T2 (de) | Carbid-nanofibrillen und verfahren zum herstellen derselben | |
EP1901995A2 (de) | Kohlenstoff-nanopartikel, deren herstellung und deren verwendung | |
DE10330818A1 (de) | Siliziumkarbidfasern, im wesentlichen frei von Whiskern, und Herstellungsverfahren hierfür | |
CN101062765A (zh) | 一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法 | |
Merchan-Merchan et al. | Electron beam induced formation of tungsten sub-oxide nanorods from flame-formed fragments | |
Vallés et al. | Towards helical and Y-shaped carbon nanotubes: the role of sulfur in CVD processes | |
EP1960309B1 (de) | Verfahren zur herstellung von nanostrukturen auf einem substrat | |
Anderson et al. | Production of Ultrafine Single‐Crystal Copper Wires through Electron Beam Irradiation of Cu‐containing Zeolite X | |
DE102009052905A1 (de) | Zwillingsfreier Einkristall-Edelmetall-Nanodraht und Herstellungsverfahren eines zwillingsfreien Einkristall-Edelmetall-Nanodrahtes | |
Rao et al. | Nanotubes and nanowires | |
Jian et al. | Necktie-like ZnO nanobelts grown by a self-catalytic VLS process | |
Zheng et al. | Facile synthesis and phase control of copper chalcogenides with different morphologies | |
KR101386901B1 (ko) | 용액합성법을 이용한 테이퍼 모양의 황화주석 나노라드의 제조방법 | |
Zhang et al. | Controlled growth of semiconducting oxides hierarchical nanostructures | |
Wu et al. | Two types of ZnO-tubular nanostructures fabricated by stepped gas-phase reaction | |
KR20120120648A (ko) | 나노 스케일의 금속간화합물을 함유하는 나노와이어의 선택적 합성방법 및 이에 의하여 합성된 나노와이어 | |
Hayashi et al. | Microstructure analyses of metal-filled carbon nanotubes synthesized by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: B82B 3/00 AFI20090525BHDE |
|
8180 | Miscellaneous part 1 |
Free format text: PFANDRECHT |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, LONDON, ONT, CA Owner name: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC , ( N. D. , US |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC (N. D. GES, US Free format text: FORMER OWNERS: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC., DETROIT, MICH., US; THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, LONDON, ONTARIO, CA Effective date: 20110321 Owner name: THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, LONDON, CA Free format text: FORMER OWNERS: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC., DETROIT, MICH., US; THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, LONDON, ONTARIO, CA Effective date: 20110321 Owner name: THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, CA Free format text: FORMER OWNER: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTAR, , CA Effective date: 20110321 Owner name: THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO, LONDON, CA Free format text: FORMER OWNER: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTAR, , CA Effective date: 20110321 Owner name: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC (N. D. GES, US Free format text: FORMER OWNER: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, THE UNIVERSITY OF WESTERN ONTAR, , CA Effective date: 20110321 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20120403 |