DE10392637B4 - Backlit photodiode array and method of making the same - Google Patents
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Abstract
Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays, das folgende Schritte umfasst: (a) Ausbilden von Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf einer ersten Fläche eines Halbleitersubstrats, wobei die erste Fläche eine Lichteinfallsfläche des hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays ist, (b) Befestigen einer Stützplatte an der ersten Fläche des Halbleitersubstrats, (c) Reduzieren des Halbleitersubstrats durch das Polieren einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats, wobei die zweite Fläche der ersten Fläche entgegengesetzt ist, (d) Ausbilden von Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen und einer Vielzahl von Photodioden auf der zweiten Fläche des Halbleitersubstrats, (e) Ausbilden von Löchern, die sich von den Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der zweiten Fläche des Halbleitersubstrats zu den Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der ersten Fläche des Halbleiersubstrats erstrecken, (f) elektrisches Verbinden der Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der ersten Fläche und auf der zweiten Fläche über die Löcher, und (g) Entfernen der Stützplatte nach dem Schritt (f).A method of manufacturing a backlit photodiode array comprising the steps of: (a) forming regions with a high concentration of foreign matter on a first surface of a semiconductor substrate, the first surface being a light incident surface of the backlit photodiode array, (b) attaching a backing plate on the first surface of the semiconductor substrate, (c) reducing the semiconductor substrate by polishing a second surface of the semiconductor substrate, the second surface being opposite to the first surface, (d) forming regions with a high concentration of foreign matter and a plurality of Photodiodes on the second surface of the semiconductor substrate, (e) forming holes extending from the areas with a high concentration of foreign matter on the second surface of the semiconductor substrate to the areas with a high concentration of foreign matter on the first surface of the semiconductor substrate, (f) electrically connecting the areas with a high concentration of foreign matter on the first surface and on the second surface via the holes, and (g) removing the backing plate after step (f).
Description
Technisches GebietTechnical area
Die vorliegende Erfindung betrifft ein hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.The present invention relates to a back-lit photodiode array and a method of manufacturing the same.
Stand der TechnikState of the art
Es wurden verschiedene dreidimensionale Packungstechnologien entwickelt. Gewöhnlich wird bei einem dreidimensionalen Packen ein Loch ausgebildet, das sich durch die obere und untere Fläche eines Substrats erstreckt, wobei dann eine Elektrode auf einer Fläche durch dieses Loch zu der anderen Fläche gezogen wird.Various three-dimensional packaging technologies have been developed. Usually, in a three-dimensional packing, a hole is formed which extends through the upper and lower surfaces of a substrate, and then an electrode on one surface is drawn through this hole to the other surface.
Die
Beschreibung der ErfindungDescription of the invention
Für das Ausbilden des Durchgangslochs in der dreidimensionalen Packung wird gewöhnlich ein ICP-Plasma-Ätzen verwendet. Die Dicke eines Wafers beträgt gewöhnlich zwischen ungefähr 300 und 400 μm, sodass eine beträchtliche Zeitdauer für das Ausbilden des Durchgangslochs erforderlich ist. Der Ätzprozess unter Verwendung einer ICP-Plasma-Ätzvorrichtung muss separat pro Wafer durchgeführt werden, sodass nicht mehrere Wafer gleichzeitig verarbeitet werden können. Es ist also eine lange Zeitdauer zur Ausbildung von Durchgangslöchern erforderlich, um ein Durchgangsloch in einem Wafer auszubilden. Mit dieser Ätztechnologie kann also bei jedem Ätzvorgang nur eine kleine Anzahl von Produkten erzeugt werden, sodass ein großflächiges Photodioden-Array nicht industriell in Masse erzeugt werden kann. Das Herstellen von mehreren großflächigen Photodioden-Arrays ist aber kommerziell nicht praktikabel, wenn mehrere Stunden pro Wafer für das Ausbilden des Durchgangslochs benötigt werden.For forming the through-hole in the three-dimensional package, ICP plasma etching is usually used. The thickness of a wafer is usually between about 300 and 400 μm, so that a considerable time is required for the formation of the through-hole. The etching process using an ICP plasma etching apparatus must be performed separately per wafer, so that multiple wafers can not be processed simultaneously. Thus, it takes a long time to form through-holes to form a through-hole in a wafer. With this etching technology, therefore, only a small number of products can be produced with each etching process, so that a large-area photodiode array can not be mass-produced industrially. However, the fabrication of multiple large area photodiode arrays is not commercially viable if several hours per wafer are needed to form the via.
Die vorliegende Erfindung nimmt auf die oben genannten Probleme Bezug. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein in Masse produzierbares hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben anzugeben.The present invention addresses the above problems. It is an object of the present invention to provide a mass producible backlit photodiode array and a method of making the same.
Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, ist ein Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays gemäß der vorliegenden Erfindung durch die folgenden Schritte gekennzeichnet: (a) Ausbilden von Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf einer Fläche eines Halbleitersubstrats; (b) Befestigen einer Stützplatte an der einen Fläche des Halbleitersubstrats; (c) Reduzieren des Halbleitersubstrats durch das Polieren der anderen Fläche des Halbleitersubstrats; (d) Ausbilden von Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen und einer Vielzahl von Photodioden auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats; (e) Ausbilden von Löchern, die sich von den Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats zu den Bereichen mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der einen Fläche des Halbleiersubstrats erstrecken; (f) elektrisches Verbinden der Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf der einen Fläche und auf der anderen Fläche über die Löcher; und (g) Entfernen der Stützplatte nach dem Schritt (f). Eine Anode oder eine Kathode der Photodiode ist auf der einen Fläche des Halbleitersubstrats positioniert, während entsprechend eine Kathode oder eine Anode der Photodiode auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats positioniert ist.In order to solve the above-described problems, a method of manufacturing a backlighted photodiode array according to the present invention is characterized by the following steps: (a) forming regions having a high concentration of impurities on a surface of a semiconductor substrate; (b) attaching a backing plate to the one surface of the semiconductor substrate; (c) reducing the semiconductor substrate by polishing the other surface of the semiconductor substrate; (d) forming regions having a high concentration of impurities and a plurality of photodiodes on the other surface of the semiconductor substrate; (e) forming holes extending from the regions of high concentration of impurities on the other surface of the semiconductor substrate to the regions of high concentration of impurities on the one surface of the semiconductor substrate; (f) electrically connecting the regions of high concentration of impurities on one surface and on the other surface via the holes; and (g) removing the backing plate after step (f). An anode or a cathode of the photodiode is positioned on one face of the semiconductor substrate, while a cathode or an anode of the photodiode is positioned on the other face of the semiconductor substrate.
Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren wird das Photodioden-Array in dem Polierschritt dünner gemacht, wodurch die zum Ausbilden des Lochs erforderliche Zeitdauer verkürzt wird. Weiterhin werden die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf beiden Flächen des Halbleitersubstrats über dieses Loch miteinander verbunden, sodass die Anode und die Kathode der Photodiode elektrisch zu derselben (der anderen) Fläche des Halbleitersubstrats geführt werden können. Um ein Brechen des Wafers aufgrund der durch das Reduzieren verminderten Substratstärke zu verhindern, ist die Stützplatte auf der einen Fläche des Halbleitersubstrats bei der Herstellung des Wafers vorgesehen, wodurch der Wafer verstärkt wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Photodioden-Array mit einer Vielzahl von Photodioden erstmalig industriell in Masse produziert werden. Dieses Photodioden-Array ist hintergrundbeleuchtet und kann deshalb in einem Photodetektor mit einem hohen Signal/Rauschen-Verhältnis und einer hohen Genauigkeit verwendet werden.According to the method described above, the photodiode array is thinned in the polishing step, thereby shortening the time required for forming the hole. Furthermore, the regions having a high concentration of impurities on both surfaces of the semiconductor substrate are connected to each other via this hole, so that the anode and the cathode of the photodiode can be electrically guided to the same (other) surface of the semiconductor substrate. In order to prevent breakage of the wafer due to the reduced substrate thickness by reducing, the support plate is provided on the one surface of the semiconductor substrate in the production of the wafer, whereby the wafer is reinforced. According to the present invention, the photodiode array having a plurality of photodiodes can be industrially mass-produced for the first time. This photodiode array is backlit and therefore can be used in a photodetector having a high signal-to-noise ratio and a high accuracy.
Dabei kann der folgende Aufbau vorgesehen werden. Insbesondere weisen das Halbleitersubstrat und die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen einen ersten Leitungstyp (n-Typ) auf, während die Vielzahl von Photodioden eine Vielzahl von Fremdstoff-Bereichen eines zweiten Leitungstyps (p-Typ) und ein Halbleitersubstrat umfassen. Die Anode oder die Kathode an der einen Fläche der Photodioden ist elektrisch zu der anderen Fläche geführt.In this case, the following structure can be provided. Specifically, the semiconductor substrate and the high impurity concentration regions have a first conductivity type (n-type) while the plurality of photodiodes comprise a plurality of second conductivity type impurity regions (p-type) and a semiconductor substrate. The anode or cathode on one surface of the photodiodes is electrically guided to the other surface.
Wenn das Herstellungsverfahren einen Schritt zum Ausbilden einer allgemeinen Fremdstoff-Diffusionsschicht des ersten Leitungstyps, die dünner als die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen ist, in dem gesamten Bereich der einen Fläche des Halbleitersubstrats aufweist, funktioniert diese allgemeine Fremdstoff-Diffusionsschicht als Akkumulationsschicht.When the manufacturing method has a step of forming a general impurity diffusion layer of the first conductivity type thinner than the high concentration impurity regions in the entire area of the one surface of the semiconductor substrate, This general impurity diffusion layer functions as an accumulation layer.
Wenn ein Schritt zum Ausbilden eines Oxidfilms auf der einen Fläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist, kann dieser Oxidfilm als Schutzfilm dienen.When a step of forming an oxide film is provided on the one surface of the semiconductor substrate, this oxide film may serve as a protective film.
Weiterhin umfasst das Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays gemäß der vorliegenden Erfindung weiterhin einen Schritt zum Einfüllen von Harz in das Loch. Durch das Einfüllen von Harz in das Loch kann die Stärke des Halbleitersubstrats verbessert werden.Further, the method of manufacturing a backlighted photodiode array according to the present invention further comprises a step of filling resin into the hole. By filling resin in the hole, the thickness of the semiconductor substrate can be improved.
Vorzugsweise weist das in den Löchern eingefüllte Harz eine Lichtempfindlichkeit auf, wobei das Verfahren weiterhin die folgenden Schritte umfasst: Auftragen eines Photoresists, das zu dem Harz wird, in dem gesamten Bereich der anderen Fläche des Halbleitersubstrats; Entfernen des Photoresists nur in den Bereichen, in denen die Elektroden auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats auszubilden sind; und Ausbilden der Elektroden in den Bereichen, in denen das Photoresist entfernt wurde. In diesem Fall kann das Harz mittels eines normalen Photolithographie-Prozesses unter Verwendung eines Photoresists eingefüllt werden, wobei das Freilegen der Elektrode unter Verwendung des Photoresists vorgenommen werden kann.Preferably, the resin filled in the holes has photosensitivity, the method further comprising the steps of: applying a photoresist that becomes the resin in the entire area of the other surface of the semiconductor substrate; Removing the photoresist only in the areas where the electrodes are to be formed on the other surface of the semiconductor substrate; and forming the electrodes in the areas where the photoresist has been removed. In this case, the resin can be filled by means of a normal photolithography process using a photoresist, wherein the exposure of the electrode can be performed by using the photoresist.
Hinsichtlich des dreidimensionalen Packens umfasst das oben beschriebene Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays vorzugsweise weiterhin einen Schritt zum Befestigen der anderen Fläche des Halbleitersubstrats an einer Leiterplatte, wobei dazwischen Kontakthöcker vorgesehen sind, sodass die Anoden und Kathoden der Photodioden elektrisch mit der Leiterplatte verbunden sind. In diesem Fall können die Verbindungsverdrahtungen der Anoden und Kathoden der Photodioden, die über die Kontakthöcker elektrisch mit der Leiterplatte verbunden sind, in der Richtung zu der Leiterplatte, d. h. in der Dickenrichtung des Halbleitersubstrats verlängert werden. Dadurch kann die Packungsfläche reduziert werden. Insbesondere wird der tote Raum in der Flächenrichtung reduziert, sodass eine Vielzahl von hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays in einer lateralen Richtung des Halbleitersubstrats (zweidimensional) angeordnet werden können. Dementsprechend kann ein Bildscanner mit einer viel größeren Fläche vorgesehen werden. Es ist zu beachten, dass ein derartiges großflächiges hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array für einen Computertomographie-Scanner (CT-Scanner) oder einen Positronemissions-Tomographie-Scanner (PET-Scanner) in Kombination mit einem Szintillator, der die Röntgenstrahlen und Gammastrahlen zu sichtbarem Licht wandelt, angewendet werden kann.With regard to the three-dimensional packaging, the above-described method of manufacturing a backlighted photodiode array preferably further comprises a step of attaching the other surface of the semiconductor substrate to a printed circuit board with bumps therebetween so that the anodes and cathodes of the photodiodes are electrically connected to the printed circuit board , In this case, the connection wirings of the anodes and cathodes of the photodiodes, which are electrically connected to the circuit board through the bumps, may be in the direction toward the circuit board, i. H. be extended in the thickness direction of the semiconductor substrate. This can reduce the packing area. In particular, the dead space in the area direction is reduced, so that a plurality of back-lighted photodiode arrays can be arranged (two-dimensionally) in a lateral direction of the semiconductor substrate. Accordingly, an image scanner having a much larger area can be provided. It should be noted that such a large-area back-lighted photodiode array for a computed tomography scanner (CT scanner) or a positron emission tomography scanner (PET scanner) in combination with a scintillator converts the X-rays and gamma rays into visible light , can be applied.
Insbesondere ist das hintergrundbeleuchtete Photodioden-Array dadurch gekennzeichnet, dass es durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt werden kann, wobei die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen auf beiden Flächen des Halbleitersubstrats ausgebildet werden. Bei den hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays, in denen die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen wahlweise mit den Anoden oder Kathoden der Photodioden auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats verbunden sind, sind die Bereiche mit einer hohen Konzentration von Fremdstoffen elektrisch miteinander über die Löcher verbunden, die sich in der Dickenrichtung durch das Halbleitersubstrat erstrecken, wobei das Harz in den Löchern eingefüllt ist.In particular, the backlighted photodiode array is characterized in that it can be manufactured by the method described above, wherein the regions having a high concentration of impurities are formed on both surfaces of the semiconductor substrate. In the backlighted photodiode arrays in which the regions of high concentration of impurities are selectively connected to the anodes or cathodes of the photodiodes on the other surface of the semiconductor substrate, the regions of high concentration of impurities are electrically connected to each other through the holes. which extend in the thickness direction through the semiconductor substrate, wherein the resin is filled in the holes.
Das oben beschriebene hintergrundbeleuchtete Photodioden-Array weist Vorteile hinsichtlich des dreidimensionalen Packens und des Herstellungsverfahrens auf, wobei außerdem das Harz in den Löchern eine Verminderung der Substratstärke der hintergrundbeleuchteten Photodioden verhindern kann.The above-described backlighted photodiode array has advantages in three-dimensional packaging and the manufacturing process, and in addition, the resin in the holes can prevent a reduction in the substrate thickness of the backlighted photodiodes.
Vorzugsweise weisen das Halbleitersubstrat und die Bereiche mit einer hohen Konzentration von Fremdstoffen einen ersten Leitungstyp auf, während die Photodioden auf der anderen Fläche des Halbleitersubstrats einen Fremdstoffbereich eines zweiten Leitungstyps aufweisen, wobei eine allgemeine Fremdstoff-Diffusionsschicht des ersten Leitungstyps, die dünner ist als die Bereiche mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen, in dem gesamten Bereich der einen Fläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist.Preferably, the semiconductor substrate and the regions of high concentration of impurities have a first conductivity type, while the photodiodes on the other surface of the semiconductor substrate have a second conductivity type impurity region, wherein a general impurity diffusion layer of the first conductivity type is thinner than the regions with a high concentration of impurities, is provided in the entire area of the one surface of the semiconductor substrate.
In diesem Fall kann die allgemeine Fremdstoff-Diffusionsschicht als eine Akkumulationsschicht dienen, sodass eine Hochleistungs-Erfassung durchgeführt werden kann.In this case, the general impurity diffusion layer may serve as an accumulation layer so that high-performance detection may be performed.
Kurzbeschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings
Bevorzugte Ausführungsformen der ErfindungPreferred embodiments of the invention
Im Folgenden wird ein hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array gemäß einer Ausführungsform beschrieben. Es ist zu beachten, dass in den verschiedenen Figuren identische Komponenten stets durch gleiche Bezugszeichen angegeben werden, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Komponenten verzichtet wird.Hereinafter, a backlighted photodiode array according to an embodiment will be described. It should be noted that in the various figures, identical components are always given the same reference numerals, and a repeated description of these components will be omitted.
In diesem Herstellungsverfahren werden nacheinander die folgenden Schritte (1) bis (10) ausgeführt.In this manufacturing method, the following steps (1) to (10) are successively performed.
Schritt (1)Step 1)
Zuerst wird ein Halbleitersubstrat (Wafer)
Schritt (2)Step 2)
Dann wird eine dünne allgemeine Fremdstoff-Halbleiterschicht
Schritt (3)Step 3)
Dann wird ein Oxidfilm
Schritt (4)Step (4)
Weiterhin ist eine Stützplatte
Schritt (5)Step (5)
Danach wird das Halbleitersubstrat von der vorderen Fläche (von der Fläche gegenüber der hinteren Fläche, d. h. von der anderen Fläche) her poliert und auf eine vorbestimmte Dicke reduziert (
Schritt (6)Step (6)
Dann werden auf der vorderen Fläche des Halbleitersubstrats
Schritt (7)Step (7)
Dann werden Löcher H ausgebildet, die sich von der vorderen Fläche des Halbleitersubstrats
Unter Verwendung des oben beschriebenen Ätzverfahrens ist ein Ätzen mit einer relativ hohen Produktivität möglich, wobei die Löcher H zu konusförmigen Löchern, d. h. zu sich verjüngenden Löchern ausgebildet werden können. Dadurch wird die Schrittdeckung beim Ausbilden der Elektroden in einer folgenden Stufe verbessert. Die Innenflächen der Löchern H umfassen freiliegende Flächen der Bereiche
Weiterhin werden n-Typ-Fremdstoffe von den Seiten der Löcher H zu dem Halbleitersubstrat hinzugefügt, wobei die Bereiche
Schritt (9) Step (9)
Um dann den Reihenwiderstand zu reduzieren, werden Metall-Elektrodenfilme h2 aus Aluminium auf den Innenflächen der Löcher H ausgebildet. Diese Metall-Elektrodenfilme bilden Kathoden-Elektroden und erstrecken sich zu der vorderen Fläche des Halbleitersubstrats
Dann wird durch das Zerschneiden des Wafers zu Chips mit einer vorbestimmten Größe ein hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array fertiggestellt, bei dem die Elektroden nur auf der vorderen Fläche (der anderen Fläche) des Halbleitersubstrats vorgesehen sind (
Schritt (10)Step (10)
Der Photodioden-Array-Chip wird umgedreht (auf den Kopf gestellt), sodass die vordere Fläche des Halbleitersubstrats
Wie oben beschrieben, umfasst das Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays die folgenden Schritte: (a) Ausbilden der Bereiche
Gemäß dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren wird das Photodioden-Array, d. h. das Halbleitersubstrat
Weiterhin umfasst das oben beschriebene Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays weiterhin einen Schritt zum Einfüllen des Harzes R in die Löcher H. Durch das Einfüllen des Harzes in die Löcher H kann die Stärke des Halbleitersubstrats
Das in den Löchern H eingefüllte Harz weist eine Lichtempfindlichkeit auf. Das oben beschriebene Herstellungsverfahren umfasst weiterhin die folgenden Schritte: Auftragen eines Photoresists, das zu dem Harz wird, auf der gesamten Fläche des anderen Fläche (der vorderen Fläche) des Halbleitersubstrats
Weiterhin sind das Halbleitersubstrat
Weiterhin umfasst das oben beschriebene Herstellungsverfahren den Schritt zum Ausbilden der allgemeinen Fremdstoff-Halbleiterschicht
Weiterhin umfasst das oben beschriebene Herstellungsverfahren den Schritt zum Ausbilden des Oxidfilms
Hinsichtlich des dreidimensionalen Packens umfasst das oben beschriebene Verfahren zum Herstellen eines hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays weiterhin den Schritt zum Befestigen der vorderen Fläche des Halbleitersubstrats
Weiterhin sind bei dem oben beschriebenen hintergrundbeleuchteten Photodioden-Array die Bereiche
Das hintergrundbeleuchtete Photodioden-Array weist Vorteile hinsichtlich des dreidimensionalen Packens und des Herstellungsverfahrens auf, wobei außerdem das Harz in den Löchern eine Verminderung der Substratstärke der hintergrundbeleuchteten Photodioden verhindern kann.The backlighted photodiode array has advantages in terms of three-dimensional packaging and the manufacturing process, and in addition, the resin in the holes can prevent a decrease in the substrate thickness of the backlighted photodiodes.
Weiterhin sind gemäß des Aufbaus des oben genannten hintergrundbeleuchteten Photodioden-Arrays das Halbleitersubstrat
Dabei ist zu beachten, dass ein großflächiges hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array für einen Computer-Transversalachsen-Tomographie(CT)-Scanner, insbesondere für einen paneelförmigen CT-Scanner mit mehreren Röntgenstrahlen, und für einen Positronemissions-Tomographie(PET)-Scanner verwendet werden kann. Bei diesen Scannern ist ein zweidimensional geteilter Szintillator (BGO, CSO, CWO und ähnliches) auf einer Lichteinfallsfläche vorgesehen.It should be noted that a large area backlit photodiode array can be used for a computer transverse axis tomography (CT) scanner, particularly a panel-shaped multi-X-ray CT scanner, and for a positron emission tomography (PET) scanner , In these scanners, a two-dimensionally divided scintillator (BGO, CSO, CWO, and the like) is provided on a light incident surface.
Es ist zu beachten, dass bei dem oben beschriebenen Polierschritt ein chemisches Polieren anstelle eines mechanischen Polierens verwendet werden kann, wobei die freiliegende Fläche des Halbleitersubstrats
Weiterhin kann bei dem oben beschriebenen hintergrundbeleuchteten Photodioden-Array die als Akkumulationsschicht dienende allgemeine Fremdstoff-Halbleiterschicht dünn ausgebildet werden, wodurch eine Verbesserung der Empfindlichkeit für ultraviolette Strahlen. ermöglicht wird.Further, in the backlighted photodiode array described above, the general impurity semiconductor layer serving as the accumulation layer can be made thin, thereby improving the sensitivity to ultraviolet rays. is possible.
Weiterhin wird in dem Schritt von dem Entfernen der Stützplatte
In dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren können alle Schritte bis zum Ende der Zerteilung durchgeführt werden, da der Wafer dick bleibt. Das Verfahren ist also ein innovatives System zum Erzeugen eine einseitigen Elektroden-Photodiode, wobei das Verfahren eine hohe Produktivität aufweist und den Ertrag verbessern kann. Außerdem kann eine Vorspannung über die Kontakthöcker B angelegt werden. Es kann also nicht nur eine Nullvorspannungs-Photodiode, sondern auch ein Sensor mit hoher Geschwindigkeit und geringem Rauschen (eine PIN-Photodiode und eine Lawinenphotodiode) realisiert werden.In the manufacturing method described above, all steps can be performed until the end of the dicing because the wafer remains thick. Thus, the method is an innovative system for producing a single-sided electrode photodiode, which method has high productivity and can improve yield. In addition, a bias voltage can be applied via the contact bumps B. Thus, not only a zero-bias photodiode but also a high-speed, low-noise sensor (a PIN photodiode and an avalanche photodiode) can be realized.
Mit dem hintergrundbeleuchteten Photodioden-Array der vorliegenden Erfindung und dem entsprechenden Herstellungsverfahren ist eine Massenproduktion möglich.With the back-lit photodiode array of the present invention and the corresponding manufacturing method, mass production is possible.
Industrielle AnwendbarkeitIndustrial applicability
Die vorliegende Erfindung kann auf ein hintergrundbeleuchtetes Photodioden-Array und ein entsprechendes Herstellungsverfahren angewendet werden.The present invention can be applied to a backlighted photodiode array and a corresponding manufacturing method.
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