DE10301735B4

DE10301735B4 - Method and device for metering microscale particles

Info

Publication number: DE10301735B4
Application number: DE2003101735
Authority: DE
Inventors: Florian Arztmann
Original assignee: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV
Current assignee: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV
Priority date: 2003-01-18
Filing date: 2003-01-18
Publication date: 2007-01-18
Anticipated expiration: 2023-01-19
Also published as: DE10301735A1

Abstract

Verfahren zur Dosierung mikroskaliger Partikel, wobei eine Oberfläche aus einem Vorrat in einer definierten Flächenbeladungsdichte mit den Partikeln beladen wird, wobei die mit den Partikeln beladenen Oberfläche von dem Vorrat entfernt wird und wobei die Partikel von einer schnellen Gasströmung von der Oberfläche abgenommen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (5) vor ihrer Beladung elektrostatisch aufgeladen und vor der Abnahme der Partikel (11) wieder entladen wird, und dass die schnelle Gasströmung parallel zu der Oberfläche (5) an der Oberfläche (5) vorbeiführt.method for dosing microscale particles, wherein a surface of a stock in a defined surface density with the Particles is loaded, wherein the particle-laden surface of the stock is removed and the particles are from a fast gas flow from the surface be removed, characterized in that the surface (5) electrostatically charged before loading and before removal the particle (11) is discharged again, and that the fast gas flow is parallel to the surface (5) on the surface (5) passes.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dosierung mikroskaliger Partikel mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1. Weiterhin betrifft die Erfindung eine entsprechende Vorrichtung mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 6.The The invention relates to a method for metering microscale particles with the features of the preamble of claim 1. Furthermore the invention a corresponding device with the features of Preamble of claim 6.

Ein Verfahren mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 6 sind aus der DE 38 18 643 A1 bekannt. Hier ist der bewegliche Dosierkörper eine um ihre Hauptachse drehantreibbare kreisrunde Scheibe, deren Oberfläche Vertiefungen aufweist. Bei der Rotation der Scheiben durchläuft die Oberfläche den Bereich eines Vorratsbehälters, der durch die Scheibe nach unten verschlossen wird. So gelangen mikroskalige Partikel aus dem Vorratsbehälter auf die Scheibe und in die Vertiefungen deren Oberfläche. Beim Verdrehen der Scheibe wird ihre so beladene Oberfläche von dem Vorratsbehälter entfernt, wobei die mikroskaligen Partikel, soweit sie sich nicht in den Vertiefungen der Oberfläche befinden, in dem Vorratsbehälter zurückgehalten werden. Die mikroskaligen Partikel in den Vertiefungen der Oberfläche gelangen in den Bereich einer schnellen Gasströmung, die die mikroskaligen Partikel aus den Vertiefungen aufnimmt. Die schnelle Gasströmung bläst die Vertiefungen der Oberfläche aus und die dabei auftretenden Verwirbelungen verteilen die mikroskaligen Partikel in der Gasströmung. Die bekannte Vorrichtung und das bekannte Verfahren sind insbesondere zum Impfen von Gasströmungen mit mikroskaligen Partikeln zur Durchführung von PIV-Verfahren vorgesehen.A method having the features of the preamble of claim 1 and a device having the features of the preamble of claim 6 are known from DE 38 18 643 A1 known. Here, the movable dosing body is a circular disk rotatable about its main axis, the surface of which has depressions. As the discs rotate, the surface passes through the area of a reservoir, which is closed by the disc down. So get microscale particles from the reservoir on the disc and in the wells whose surface. As the disk is rotated, its surface so laden is removed from the reservoir, with the microscale particles, unless they are in the recesses of the surface, being retained in the reservoir. The microscale particles in the recesses of the surface reach the area of a rapid gas flow, which receives the microscale particles from the recesses. The fast gas flow blows out the depressions of the surface and the swirling occurring distributes the microscale particles in the gas flow. The known device and the known method are provided in particular for seeding gas flows with microscale particles for carrying out PIV processes.

Nachteilig bei dem bekannten Verfahren der bekannten Vorrichtung ist, dass die Gasströmung, die die mikroskaligen Partikel übernimmt, durch den Übernahmevorgang stark verwirbelt wird, was keinesfalls erwünscht ist, wenn eine geradlinige Gasströmung benötigt wird. Darüber hinaus ist die Dosiergenauigkeit begrenzt, insbesondere wenn die Dosierung unter unterschiedlichen statischen Drücken erfolgt. So sind das bekannte Verfahren und die bekannte Vorrichtung beispielsweise nicht geeignet, um mikroskalige Partikel für einen kontinuierlichen und reproduzierbaren Pulverstrom bereitzustellen, wie er zur Durchführung thermischer Spritzverfahren benötigt wird.adversely in the known method of the known device is that the gas flow, the takes over the microscale particles, through the acquisition process is strongly swirled, which is not desirable if a straight line gas flow needed becomes. About that In addition, the dosing accuracy is limited, especially if the dosage takes place under different static pressures. So are the well-known Methods and the known device, for example, not suitable to microscale particles for to provide a continuous and reproducible powder flow, such as he to carry thermal spraying process needed becomes.

Aus der DE 696 16 324 T2 sind ein Verfahren mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1 und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 6 bekannt, bei denen die zu dosierenden Partikel elektrostatisch aufgeladen werden, so dass sie elektrostatisch an einer auf Nullpotential gehaltenen Dosiertrommel anhaften. Auf der sich drehenden Dosiertrommel gelangt die anhaftenden Partikel in den Bereich eines elektrischen Felds, das gegenüber der Dosiertrommel mit einer auf hoher Spannung liegender Elektrode aufgebaut wird. Hierdurch werden die Partikel von der Dosiertrommel weg zu der Elektrode hin beschleunigt. Auf diese Weise gelangen sie in den Bereich einer Gasströmung, die parallel zu der Oberfläche mit Abstand zu dieser verläuft und die Substanz mitnimmt. Um die von der Gasströmung mitgenommene Substanz zu deionisieren, ist eine zusätzliche Deionisierungseinrichtung vorgesehen.From the DE 696 16 324 T2 are a method having the features of the preamble of claim 1 and a device having the features of the preamble of claim 6, in which the particles to be dosed are electrostatically charged so that they adhere electrostatically to a dosing drum held at zero potential. On the rotating dosing drum, the adhering particles reach the area of an electric field which is built up with respect to the dosing drum with a high-voltage electrode. As a result, the particles are accelerated away from the metering drum towards the electrode. In this way, they reach the region of a gas flow which runs parallel to the surface at a distance from this and entrains the substance. In order to deionize the entrained by the gas flow substance, an additional Deionisierungseinrichtung is provided.

Aus der US 3,133,833 , sind ein Verfahren mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 6 bekannt, bei denen sich Partikel einer ausgewählten Polarität unter Einwirkung elektrischer und magnetischer Felder an die Oberfläche eines endlosen Bands anlegen, das durch einen Vorratsbehälter für die Partikel läuft. Mit dem endlosen Band gelangen die Partikel in den Bereich einer auf die Oberfläche gerichteten schnellen Gasströmung, die die Partikel von der Oberfläche des endlosen Bands abbläst, so dass sie in die Gasströmung verwirbelt werden.From the US 3,133,833 , a method having the features of the preamble of claim 1 and a device having the features of the preamble of claim 6 are known in which particles of a selected polarity, under the action of electric and magnetic fields, bear against the surface of an endless belt passing through a reservoir for the particles is running. With the endless belt, the particles pass into the area of a rapid gas flow directed at the surface, which blows the particles from the surface of the endless belt so that they are entangled in the gas flow.

AUFGABE DER ERFINDUNGTASK OF THE INVENTION

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art aufzuzeigen, die sich durch eine reproduzierbare kontinuierliche Förderrate und durch Druckresistenz auszeichnen.Of the Invention is based on the object, a method and an apparatus to show the type described above, which is characterized by a reproducible continuous flow rate and pressure resistance distinguished.

LÖSUNGSOLUTION

Die Aufgabe der Erfindung wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 6 gelöst.The The object of the invention is achieved by a method with the Features of claim 1 and by a device with the Characteristics of claim 6 solved.

Vorteilhafte Ausführungsformen des Verfahrens und der Vorrichtung sind in den Unteransprüchen 2 bis 5 bzw. 8 bis 10 beschrieben.advantageous embodiments of the method and the device are in the dependent claims 2 to 5 and 8 to 10 described.

BESCHREIBUNG DER ERFINDUNGDESCRIPTION THE INVENTION

Die Erfindung nutzt zur Dosierung der mikroskaligen Partikel deren Anhaftung an der zuvor elektrostatisch aufgeladenen Oberfläche aus. Durch die Höhe der elektrostatischen Aufladung und die aufgeladene Fläche der Oberfläche sind neben der Bewegungsgeschwindigkeit der Oberfläche zusätzliche Dosierungsparameter verfügbar. Die von der Oberfläche aufgenommenen Partikel werden durch Entladung der Oberfläche, d.h. durch Abbau der elektrostatischen Aufladung der Oberfläche freigegeben und können so an die Gasströmung übergeben werden, ohne dass die Gasströmung gegen die Oberfläche angestellt werden muss. Dabei ist das Einwirken eines Gasnebenstroms auf die an der elektrostatisch aufgeladenen Oberfläche anhaftenden mikroskaligen Partikel relativ unkritisch, weil die mikroskaligen Partikel durch die elektrostatisch aufgeladene Oberfläche festgehalten werden. Es ein solcher Gasnebenstrom kann sogar gezielt genutzt werden, um nicht direkt an der Oberfläche anhaftende Partikel zwecks Erhöhung der Dosiergenauigkeit abzunehmen und in den Vorrat zurückzuführen, falls sie nicht an anderer Stelle von einem noch nicht mit Partikeln bedeckten Bereich der elektrostatisch aufgeladenen Oberfläche aufgenommen und festgehalten werden. Das neue Verfahren und die neue Vorrichtung sind damit nicht nur druckresistent, sie sind auch in der Lage, bei einem Druckunterschied zwischen dem Bereich der Gasströmung und dem Vorrat für die mikroskaligen Partikel störungsfrei zu arbeiten. Die Gasströmung, die die mikroskaligen Partikel von der wieder entladenen Oberfläche abnimmt, verläuft parallel zu der Oberfläche, um bei der Übernahme der Partikel von der Oberfläche möglichst wenig gestört zu werden.The invention uses for the dosage of microscale particles their adhesion to the previously electrostatically charged surface. The amount of electrostatic charge and the charged area of the surface provide additional dose parameters in addition to the speed of movement of the surface. The particles absorbed by the surface are transmitted through Discharge of the surface, that is released by reducing the electrostatic charge of the surface and can be passed to the gas flow, without the gas flow must be made against the surface. In this case, the action of a gas secondary flow on the adhering to the electrostatically charged surface microscale particles is relatively uncritical, because the microscale particles are held by the electrostatically charged surface. Such a gas by-pass can even be used selectively to remove particles not adhering directly to the surface to increase dosing accuracy and to return them to the supply if they are not taken up and held elsewhere by an area of the electrostatically charged surface which has not yet been covered with particles become. The new method and apparatus are thus not only pressure resistant, they are also able to operate without interference at a pressure difference between the region of the gas flow and the supply for the microscale particles. The gas flow, which decreases the microscale particles from the re-discharged surface, runs parallel to the surface, so as to be disturbed as little as possible when taking over the particles from the surface.

Um die elektrostatisch aufladbare und wieder entladbare Oberfläche bereitzustellen, kann die Oberfläche aus einen lichtsensitiven Halbleiter auf einem elektrisch leitfähigen Substrat ausgebildet werden, wobei die Oberfläche im Dunkeln mit einer Aufladeelektrode aufgeladen wird, wobei die Oberfläche im Dunkeln beladen wird und wobei die Oberfläche vor oder bei dem Übergeben der Partikel an die Gasströmung durch Beleuchtung wieder entladen wird. Ein dafür geeigneter Halbleiter ist beispielsweise Selen.Around to provide the electrostatically chargeable and rechargeable surface, can the surface from a light-sensitive semiconductor on an electrically conductive substrate be formed, the surface in the dark with a charging electrode charging, with the surface being loaded in the dark and where the surface is in front or when passing the particle to the gas flow is discharged by lighting again. A suitable semiconductor is for example selenium.

Die Oberfläche kann scheibenförmig sein und um ihre Scheibenachse rotiert werden. Bevorzugt ist es aber, wenn die Oberfläche zylindermantelförmig ist und um ihre Zylinderachse rotiert wird. Der Aufbau zur Durchführung des neuen Verfahrens und die neue Vorrichtung entsprechend dann Teilen eines Aufbaus bzw. einer Vorrichtung zur Durchführung des sogenannten Xerographischen Verfahrens, welches in Fotokopierern und Laserdruckern zur Anwendung kommt und bei dem eine Walze mit einer Oberfläche aus Selen, die bereichsweise elektrostatisch aufgeladen wird, zur Übertragung von Toner auf das zu bedruckende Papier verwendet wird (vgl. z. B. die DE 29 20 464 C2 , die DE 36 32 441 A1 und die EP 784 243 A1 ).The surface may be disc-shaped and rotated about its disc axis. However, it is preferred if the surface is cylindrical-shell-shaped and is rotated about its cylinder axis. The structure for carrying out the new method and the new device according to then parts of a structure or a device for performing the so-called Xerographischen method, which is used in photocopiers and laser printers for the application and in which a roller with a surface of selenium, the partially electrostatically charged is used to transfer toner to the paper to be printed (see, for example, the DE 29 20 464 C2 , the DE 36 32 441 A1 and the EP 784 243 A1 ).

An der Oberfläche kann beim Abnehmen der Partikel mit der Gasströmung problemlos ein statischer Überdruck eingestellt werden, wie er in einer Gasströmung für ein thermisches Spritzverfahren in der Regel vorliegen wird.At the surface When removing the particles with the gas flow can easily a static overpressure be set, as in a gas flow for a thermal spray process usually will be present.

Die elektrostatische Aufladung der Oberfläche erfolgt mit einer Aufladeelektrode, die insbesondere zum ganzflächigen elektrostatischen Aufladen der Oberfläche geeignet ist. Um einzelne Bereiche der Oberflächen noch vor der Beladung mit den mikroskaligen Partikeln wieder zu entladen, um die Beladung der Oberfläche mit mikroskaligen Partikeln auf bestimmte Bereiche zu begrenzen, ist noch zwischen der Aufladeelektrode und dem Vorrat für die mikroskaligen Partikel eine Entladevorrichtung vorzusehen, die bei der Ausbildung der Oberfläche aus einem lichtempfindlichen Halbleiter eine Lichtquelle aufweisen wird.The electrostatic charging of the surface takes place with a charging electrode, especially for the whole area electrostatic charging of the surface is suitable. To individual Areas of the surfaces even before loading with the microscale particles again unload to load the surface with microscale particles To limit certain areas is still between the charging electrode and the stock for the microscale particles to provide a discharge device, the in the formation of the surface from a photosensitive semiconductor having a light source becomes.

Zur Freigabe der auf der elektrostatisch aufgeladenen Oberfläche anhaftenden Partikel ist diese insgesamt zu entladen. Bei einer Ausbildung der Oberfläche aus einem lichtempfindlichen Halbleiter kann sie hierzu insgesamt beleuchtet werden. Hierzu ist eine Lichtquelle auf dem Weg der Oberfläche vor dem Bereich der Gaspassage vorzusehen. Die Lichtquelle kann beispielsweise in Form von Leuchtdioden ausgebildet sein.to Release of adhering to the electrostatically charged surface Particles is to discharge these altogether. At a training of the surface a photosensitive semiconductor, it can be illuminated overall become. For this purpose, a light source is on the way to the surface in front of Area of the gas passage. The light source can be, for example be formed in the form of light emitting diodes.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENSUMMARY THE FIGURES

Im Folgenden wird die Erfindung anhand eines in der Figur dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels weiter erläutert und beschrieben.in the The invention will be described below with reference to one of the figures preferred embodiment further explained and described.

1 zeigt den prinzipiellen Aufbau der neuen Vorrichtung zur Durchführung des neuen Verfahrens. 1 shows the basic structure of the new device for carrying out the new method.

FIGURENBESCHREIBUNGDESCRIPTION OF THE FIGURES

1 zeigt nur die wesentlichen Bestandteile der neuen Vorrichtung zur Dosierung mikroskaliger Partikel, wie sie für das Verständnis dieser Vorrichtung und des neuen Verfahrens erforderlich sind. Zentrales Bauteil der Vorrichtung 1 ist ein zylinderabschnittförmiger Dosierkörper 2, der um eine Zylinderachse 3 in Richtung eines Drehpfeils 4 durch einen hier nicht dargestellten Antrieb drehantreibbar gelagert ist. Während die Oberfläche 5 des Dosierkörpers 2 aus Selen, d.h. einem lichtempfindlichen Halbleiter besteht, besteht der Kern 6 des Dosierkörpers 2 aus elektrisch leitfähigem Aluminium. Der Dosierkörper 3 wird von einem Gehäuse 7 im Bereich der Oberfläche 5 bis auf zwei Bereiche 8 und 9 eingefasst. In dem Bereich 8 bildet eine Öffnung 10 in dem Gehäuse 7 den unteren Austrittspunkt eines Vorratsbehälters für mikroskalige Partikel 11 aus. Durch die Öffnung 10 gelangen die mikroskaligen Partikel 11 aus dem hier nicht weiter dargestellten Vorratsbehälter auf die Oberfläche 5 des Dosierkörpers 2. Sie haften auf der Oberfläche 5 aus Selen an, weil diese zuvor, d.h. in Drehrichtung des Drehpfeils 4 vor der Öffnung 10 mit einer Aufladeelektrode 12 elektrostatisch aufgeladen wurde. Durch diese elektrostatische Aufladung wird eine definierte Menge an mikroskaligen Partikeln an der Oberfläche 5 festgehalten und von dem rotierenden Dosierkörper 2 aus dem Bereich des Vorratsbehälters mitgenommen. Damit die elektrostatische Aufladung auf dem Weg der Oberfläche im Anschluss an die Aufladeelektrode 12 erhalten bleibt, muss die Oberfläche 5 aus Selen auf diesem Weg abgedunkelt werden, d.h. auch im Bereich der Öffnung 10. Kurz bevor die Oberfläche 5 in den Bereich 9 gelangt, oder auch nur in dem Bereich 9 selbst, wird die Oberfläche 5 aus Selen belichtet. Hierfür ist eine Lichtquelle 13 beispielsweise in Form einer oder mehrerer Leuchtdioden vorgesehen. Durch die Beleuchtung des Selens an der Oberfläche 5 wird dieses leitfähig und seine elektrostatische Aufladung wird über den elektrisch leitfähigen Kern 6 aus Aluminium abgebaut. Hierdurch werden die mikroskaligen Partikel 11 von der Oberfläche 5 freigegeben. Die mikroskaligen Partikel 11 werden in dem Bereich 9 von einer Gasströmung 14 übernommen, für die in der Vorrichtung 1 eine durch den Bereich 9 führende Gaspassage 15 vorgesehen ist. Bei der Gasströmung 14 handelt es sich hier speziell um eine Druckluftströmung. Die Gasströmung 14 verläuft in dem Bereich 9 im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche 5. Das heißt, die Gasströmung 14 wird durch den Übernahmevorgang der Partikel 11 nicht gestört, insbesondere nicht durch die Oberfläche 5 abgelenkt. Die Gasströmung 14 kann im Bereich der Gaspassage 15 unter einem statischen Überdruck stehen. Dann ist es sinnvoll, wenn der statische Überdruck zumindest im Wesentlichen auch im Bereich des Vorratsbehälters, d.h. der Öffnung 10 herrscht. Ein gewisser Druckunterschied zwischen den Bereichen 9 und 8 kann aber auch dazu genutzt werden, einen Gasnebenstrom von dem Bereich 9 in den Bereich 8 hervorzurufen, der dazu führt, dass nur solche Partikel mit der Oberfläche 5 aus dem Bereich 8 in den Bereich 9 gelangen, die aufgrund deren statischen Aufladung fest an der Oberfläche 5 anhaften. 1 shows only the essential components of the new device for metering microscale particles, as they are required for the understanding of this device and the new method. Central component of the device 1 is a cylinder-section-shaped metering body 2 that is around a cylinder axis 3 in the direction of a rotary arrow 4 is mounted rotatably drivable by a drive, not shown here. While the surface 5 of the dosing 2 made of selenium, ie a photosensitive semiconductor, is the core 6 of the dosing 2 Made of electrically conductive aluminum. The dosing body 3 is from a housing 7 in the area of the surface 5 except for two areas 8th and 9 edged. In that area 8th forms an opening 10 in the case 7 the lower exit point of a storage container for microscale particles 11 out. Through the opening 10 get the microscale particles 11 from the reservoir not shown here on the surface 5 of the dosing 2 , They adhere to the surface 5 Selenium, because these previously, ie in the direction of rotation of the rotary arrow 4 in front of the opening 10 With a charging electrode 12 was electrostatically charged. This electrostatic charge causes a defined amount of microscale particles on the surface 5 held and by the rotating dosing 2 taken from the area of the reservoir. Thus the electrostatic charge on the way of the surface following the charging electrode 12 the surface must be preserved 5 Selenium can be darkened in this way, ie in the area of the opening 10 , Just before the surface 5 in the area 9 arrives, or even in the area 9 itself, the surface becomes 5 exposed from selenium. This is a source of light 13 provided for example in the form of one or more light-emitting diodes. By the illumination of selenium on the surface 5 This becomes conductive and its electrostatic charge gets over the electrically conductive core 6 made of aluminum. This will cause the microscale particles 11 from the surface 5 Approved. The microscale particles 11 be in the field 9 from a gas flow 14 taken for in the device 1 one through the area 9 leading gas passage 15 is provided. At the gas flow 14 this is specifically a compressed air flow. The gas flow 14 runs in the area 9 essentially parallel to the surface 5 , That is, the gas flow 14 is through the acquisition process of the particles 11 not disturbed, especially not by the surface 5 distracted. The gas flow 14 Can in the field of gas passage 15 be under a static overpressure. Then it makes sense if the static pressure at least substantially in the region of the reservoir, ie the opening 10 prevails. A certain pressure difference between the areas 9 and 8th but can also be used to create a gas by-flow from the area 9 in the area 8th cause that only such particles with the surface 5 out of the area 8th in the area 9 get stuck because of their static charge on the surface 5 adhere.

11: Vorrichtungcontraption
22: Dosierkörpermetering
33: Zylinderachsecylinder axis
44: Drehpfeilrotation arrow
55: Oberflächesurface
66: Kerncore
77: Gehäusecasing
88th: BereichArea
99: BereichArea
1010: Öffnungopening
1111: Partikelparticle
1212: Aufladeelektrodecharging electrode
1313: Lichtquellelight source
1414: Gasströmunggas flow
1515: Gaspassagegas passage

Claims

A method of metering microscale particles, wherein a surface of a supply in a defined surface loading density is loaded with the particles, wherein the particle-laden surface is removed from the supply and wherein the particles are removed by a rapid gas flow from the surface, characterized that the surface ( 5 ) are electrostatically charged prior to their loading and prior to the removal of the particles ( 11 ) is discharged again, and that the fast gas flow parallel to the surface ( 5 ) on the surface ( 5 ) passes.

Method according to claim 1, characterized in that the surface ( 5 ) is formed from a light-sensitive semiconductor on an electrically conductive substrate such that the surface ( 5 ) in the dark with a charging electrode ( 12 ) is charged that the surface ( 5 ) is loaded in the dark and that the surface ( 5 ) is discharged again by lighting.

Method according to claim 2, characterized in that the surface ( 5 ) is formed from selenium.

Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface ( 5 ) is formed disc or cylinder jacket-shaped and about its disc or cylinder axis ( 3 ) is rotated.

Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that on the surface ( 5 ) at least when removing the particles ( 11 ) is set with the gas flow, a static overpressure.

Device for metering microscale particles, comprising a storage container for the particles, with a movable metering body having a surface which can be loaded with the particles in a defined surface charge density, and with a gas passage for rapid gas flow, the metering body being movable such that its loaded one Surface is removed from the reservoir and transferred to the area of the gas passage, characterized in that the surface ( 5 ) is temporarily electrostatically chargeable and that a storage device associated with the charging device and one of the passage ( 15 ) associated unloading device for the surface ( 5 ) and that the gas passage ( 15 ) for the fast gas flow parallel to the surface ( 5 ) on the surface ( 5 ) passes.

Device according to claim 6, characterized in that the surface ( 5 ) a light having a positive semiconductor on an electrically conductive substrate, that the charging device has a charging electrode ( 12 ) and that the unloading device is a light source ( 13 ), wherein the movement path of the surface ( 5 ) is darkened between the charging device and the unloading device.

Device according to claim 7, characterized in that the surface ( 5 ) Has selenium.

Device according to one of claims 6 to 8, characterized in that the surface ( 5 ) is disc or cylinder jacket-shaped and the dosing body ( 2 ) about the disc or cylinder axis ( 3 ) is rotary drivable.

Device according to one of claims 6 to 9, characterized in that the gas passage ( 15 ) is overpressure resistant.