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HINTERGRUND
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Die vorliegende Erfindung betrifft Photonikchips und insbesondere Strukturen mit Wellenleiterkernen in mehreren Levels und Verfahren zum Fertigen einer Struktur, die Wellenleiterkerne in mehreren Levels umfasst.
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Photonikchips werden in vielen Anwendungen und Systemen verwendet, wie etwa in Datenkommunikationssystemen und Datenberechnungssystemen. Ein Photonikchip integriert optische Komponenten, wie etwa Wellenleiter, optische Schalter und Optokoppler, und elektronische Komponenten, wie etwa Feldeffekttransistoren, in eine vereinigte Plattform. Durch die Integration von beiden Komponententypen können, neben anderen Faktoren, Layoutbereich, Kosten und betrieblicher Overhead reduziert werden.
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Wellenleiterkerne können in mehreren Levels auf einem Photonikchip angeordnet sein. Beispielsweise kann ein Wellenleiterkern in einem unteren Level durch Strukturieren einer Materialschicht gebildet sein und ein Wellenleiterkern kann in einem oberen Level durch Strukturieren einer anderen Schicht gebildet sein. Im Layout des Photonikchips kann der Wellenleiterkern in dem oberen Level über und quer zu dem Wellenleiterkern in dem unteren Level geführt sein. Solche direkten Kreuzungen von Wellenleiterkernen können zu erheblicher Einfügedämpfung und hohem Übersprechen (Crosstalk) aufgrund starker Lichtstreuung führen, die durch die enge örtliche Nähe der Wellenleiterkerne in den verschiedenen Levels induziert wird.
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Verbesserte Strukturen mit Wellenleiterkernen in mehreren Levels und Verfahren zum Fertigen einer Struktur, die Wellenleiterkerne in mehreren Levels enthält, werden benötigt.
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KURZER ABRISS
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Bei einer Ausführungsform der Erfindung umfasst eine Struktur einen ersten Wellenleiterkern und einen zweiten Wellenleiterkern, der in einem anderen Level als der erste Wellenleiterkern positioniert ist. Der erste Wellenleiterkern umfasst eine Längsachse und eine Vielzahl von Segmenten, die entlang der Längsachse eine beabstandete Anordnung aufweisen. Der zweite Wellenleiterkern ist dazu ausgerichtet, sich quer zu der Vielzahl von Segmenten des ersten Wellenleiterkerns zu erstrecken.
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Bei einer Ausführungsform der Erfindung umfasst ein Verfahren das Bilden eines ersten Wellenleiterkerns, der eine Längsachse und eine Vielzahl von Segmenten umfasst, die entlang der Längsachse eine beabstandete Anordnung aufweisen. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden eines zweiten Wellenleiterkerns, der in einem anderen Level positioniert ist als der erste Wellenleiterkern und der dazu ausgerichtet ist, sich quer zu der Vielzahl von Segmenten des ersten Wellenleiterkerns zu erstrecken.
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Figurenliste
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Die beigefügten Zeichnungen, die in diese Beschreibung einbezogen sind und einen Teil von ihr darstellen, veranschaulichen verschiedene Ausführungsformen der Erfindung und dienen, zusammen mit einer oben gegebenen allgemeinen Beschreibung der Erfindung und der nachstehend gegebenen detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen, dazu, die Ausführungsformen der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in den verschiedenen Ansichten.
- 1 ist eine Ansicht von oben einer Struktur in einem anfänglichen Fertigungsstadien eines Prozessierungsverfahrens gemäß Ausführungsformen der Erfindung.
- 2 ist eine Querschnittsansicht insgesamt entlang einer Linie 2-2 in 1.
- 3 ist eine Ansicht von oben der Struktur in einem Fertigungsstadium des Prozessierungsverfahrens anschließend an 1.
- 4 ist eine Querschnittsansicht insgesamt entlang einer Linie 4-4 in 3.
- 5 ist eine Querschnittsansicht der Struktur in einem Fertigungsstadium des Prozessierungsverfahrens anschließend an 4.
- 6 ist eine Ansicht von oben einer Struktur gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung.
- 7 ist eine Ansicht von oben einer Struktur gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung.
- 8 ist eine Querschnittsansicht insgesamt entlang einer Linie 8-8 in 7.
- 9 ist eine Ansicht von oben einer Struktur gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Unter Bezugnahme auf die 1, 2 und gemäß Ausführungsformen der Erfindung umfasst eine Struktur 10 einen Wellenleiterkern 12, der sich längsgerichtet entlang einer Längsachse 14 erstreckt. Der Wellenleiterkern 12 kann eine zentrale Sektion 16 und Verjüngungen 18, 20 umfassen, die jeweils an gegenüberliegende Enden der zentralen Sektion 16 anschließen. Die zentrale Sektion 16 ist entlang der Längsachse 14 zwischen der verjüngten Sektion 18 und der verjüngten Sektion 20 angeordnet. Die zentrale Sektion 16 kann breiter sein als entweder die verjüngte Sektion 18 oder die verjüngte Sektion 20. In dieser Hinsicht verjüngen sich (d.h. verengen sich in der Breite) die verjüngten Sektionen 18, 20 jeweils in Längsrichtung mit zunehmendem Abstand von der zentralen Sektion 16.
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Der Wellenleiterkern 12 kann über einer dielektrischen Schicht 22 angeordnet sein. Bei einer Ausführungsform kann die dielektrische Schicht 22 von Siliziumdioxid umfasst sein. Bei einer Ausführungsform kann die dielektrische Schicht 22 eine vergrabene Oxidschicht eines Silizium-auf-Isolator-Substrats sein, und das Silizium-auf-Isolator-Substrat kann ferner ein Handle-Substrat 24 umfassen, das von einem einkristallinen Halbleitermaterial, wie einkristallinem Silizium, umfasst ist. Der Wellenleiterkern 12 kann von einem einkristallinen Halbleitermaterial, wie etwa einkristallinem Silizium, umfasst sein, das eine endliche Anzahl von kristallinen Defekten enthalten kann. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 12 durch Lithografie- und Ätzprozesse aus einer einkristallinen Silizium-Vorrichtungsschicht eines Silizium-auf-Isolator-Substrats strukturiert sein. Die Vorrichtungsschicht kann vollständig geätzt sein, um den Wellenleiterkern 12 zu definieren, oder alternativ nur teilweise geätzt sein, um eine abgedünnte Restschicht auf der dielektrischen Schicht 22 zu definieren, und mit einem unteren Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 gekoppelt sein.
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Ein Abschnitt der zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12 kann in mehrere Gittermerkmale oder Segmente 28 unterteilt sein, die seitlich beabstandet und entlang der Längsachse 14 mit einem gegebenen Pitch angeordnet und durch Spalte, G1, getrennt sind. Die beabstandete Anordnung für die Segmente 28 kann während der Lithografie- und Ätzprozesse, die den Wellenleiterkern 12 bilden, definiert werden. Die Segmente 28 haben Seitenoberflächen oder Seitenwände 29, die an gegenüberliegende Seiten der Spalte G1 angrenzen und quer zur Längsachse 14 ausgerichtet sind. Bei einer Ausführungsform können der Pitch und das Tastverhältnis (Duty Cycle) der Segmente 28 gleichmäßig sein. Bei alternativen Ausführungsformen können der Pitch und/oder das Tastverhältnis der Segmente 28 apodisiert (d.h. ungleichmäßig) sein.
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Die zentrale Sektion 16 hat gegenüberliegende Seitenoberflächen oder Seitenwände 26, 27, und der zu den Segmenten 28 gehörende Abschnitt der Seitenwände 26, 27 kann durch die Seitenwände 29 verbunden sein. Bei der repräsentativen Ausführungsform können die gegenüberliegenden Seitenwände 26, 27 durch einen konstanten Abstand über die Länge der zentralen Sektion 16 getrennt sein, und aus diesem Grund können die Breitenabmessungen der Segmente 28 über die Länge der zentralen Sektion 16 konstant sein. Bei alternativen Ausführungsformen können die Segmente 28 eine geometrische Form haben, die von der repräsentativen rechteckigen geometrischen Form verschieden ist. Bei alternativen Ausführungsformen können die Segmente 28 Breitenabmessungen haben, die über die Länge der zentralen Sektion 16 variieren. Bei alternativen Ausführungsformen können die Seitenwände 26, 27 der Segmente 28 gekrümmt sein, und die Seitenwände 29 der Segmente 28, die senkrecht zur Längsachse 14 ausgerichtet sind, können planar oder im Wesentlichen planar sein. Bei alternativen Ausführungsformen können die Seitenwände 26, 27 der Segmente 28 verjüngt sein mit einer Krümmung, die durch eine nichtlineare Funktion definiert ist, wie etwa eine quadratische, parabolische oder exponentielle Funktion.
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Die Segmente 28 des Wellenleiterkerns 12 können durch Optikeigenschaften (z.B. Brechungsindex) gekennzeichnet sein, die sich von Bulk-Optikeigenschaften, was gemeinhin als ein Metamaterial bezeichnet wird, unterscheiden. Bei einer Ausführungsform kann der Pitch der Segmente 28 geringer als die Wellenlänge des Laserlichts sein, das durch den Wellenleiterkern 12 geführt wird.
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Unter Bezugnahme auf die 3, 4, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in den 1, 2 beziehen, und in einem nachfolgenden Fertigungsstadium wird eine dielektrische Schicht 30 gebildet, die den den Wellenleiterkern 12 umgebenden Raum füllt und die in Längsrichtung zwischen den Segmenten 28 angeordneten Spalte G1 füllt. Die dielektrische Schicht 30 kann von einem dielektrischen Material, wie etwa Siliziumdioxid, umfasst sein, das durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden und zum Beispiel durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert wurde, um Topographie zu entfernen. Das dielektrische Material der dielektrischen Schicht 30, das einen niedrigeren Brechungsindex als der Wellenleiterkern 12 hat, reduziert den effektiven Brechungsindex der segmentierten zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12. Zusätzliche dielektrische Schichten 31, 32, 33 können über der dielektrischen Schicht 30 gebildet werden und können jeweils aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und Siliziumdioxid bestehen. Bei einer alternativen Ausführungsform kann die dielektrische Schicht 32, die Siliziumnitrid enthält, weggelassen werden.
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Auf der dielektrischen Schicht 33 ist ein Wellenleiterkern 34 ausgebildet. Der Wellenleiterkern 34 und der Wellenleiterkern 12 sind in verschiedenen Schichten oder Levels der Struktur 10 positioniert. Insbesondere ist der Wellenleiterkern 34 in einem Level oder einer Schicht angeordnet, die in vertikaler Richtung innerhalb einer anderen Ebene (d.h. über und oberhalb) als das Level oder die Schicht des Wellenleiterkerns 12 positioniert ist. Der Wellenleiterkern 34 kann durch Abscheiden einer Schicht seines Bestandsmaterials auf der dielektrischen Schicht 34 und Strukturieren der abgeschiedenen Schicht mit Lithografie- und Ätzverfahren gebildet werden. Bei einer Ausführungsform ist der Wellenleiterkern 34 von einem Material umfasst, das eine andere Zusammensetzung als das im Wellenleiterkern 12 enthaltene Material aufweist. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 34 von Siliziumnitrid umfasst sein. Die abgeschiedene Schicht kann vollständig geätzt sein, um den Wellenleiterkern 34 zu definieren, oder alternativ nur teilweise geätzt sein, um eine abgedünnte Restschicht auf der dielektrischen Schicht 33 zu definieren, und mit einem unteren Abschnitt des Wellenleiterkerns 34 verbunden sein.
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Der Wellenleiterkern 34 erstreckt sich längsgerichtet entlang einer Längsachse 35 und quer zu dem Wellenleiterkern 12 in einem Level oberhalb des Levels des Wellenleiterkerns 12. Der Wellenleiterkern 34 kann eine zentrale Sektion 36 und verjüngte Abschnitte 38, 40 umfassen, die jeweils an gegenüberliegende Enden der zentralen Sektion 36 anschließen. Die zentrale Sektion 36 kann breiter sein als entweder die verjüngte Sektion 38 oder die verjüngte Sektion 40. Die zentrale Sektion 36 ist entlang der Längsachse 35 zwischen der verjüngten Sektion 38 und der verjüngten Sektion 40 angeordnet. Die verjüngten Sektionen 38, 40 verjüngen sich (d.h. verengen sich in der Breite) jeweils in Längsrichtung mit zunehmendem Abstand von der zentralen Sektion 36. Die zentrale Sektion 36 hat gegenüberliegende Seitenwände 42, 43.
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Die Längsachse 35 des Wellenleiterkerns 34 ist relativ zur Längsachse 14 des Wellenleiterkerns 12 derart ausgerichtet, dass der Wellenleiterkern 34 den Wellenleiterkern 12 überkreuzt. Insbesondere überlappt ein Abschnitt der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 mit einem Abschnitt der zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12. Insbesondere überlappt ein Abschnitt der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 mit einigen oder allen Segmenten 28 der zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 34 quer zum Wellenleiterkern 12 ausgerichtet sein. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 34 senkrecht zum Wellenleiterkern 12 ausgerichtet sein.
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Das Einbeziehen der Segmente 28 in den Wellenleiterkern 12 und das Füllen der Spalte zwischen Segmenten 28 durch ein Material mit niedrigerem Index der dielektrischen Schicht 30 kann wirksam sein, um den Störeffekt des Wellenleiterkerns 12 auf ein optisches Signal, das sich in der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 quer zu der zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12 ausbreitet, abzuschwächen.
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Bei alternativen Ausführungsformen können der Wellenleiterkern 12 und der Wellenleiterkern 34 aus einem anderen Satz von Materialien gebildet sein. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 12 von einkristallinem Silizium umfasst sein, und der Wellenleiterkern 34 kann von Polysilizium umfasst sein. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 12 von einkristallinem Silizium umfasst sein und der Wellenleiterkern 34 kann von Siliziumoxinitrid umfasst sein. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 12 von Siliziumnitrid umfasst sein und der Wellenleiterkern 34 kann von Siliziumoxinitrid umfasst sein. Bei einer Ausführungsform kann der Wellenleiterkern 12 von Siliziumoxinitrid umfasst sein, und der Wellenleiterkern 34 kann von Siliziumnitrid umfasst sein.
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Unter Bezugnahme auf 5, in der sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in der 4 beziehen, und in einem nachfolgenden Fertigungsstadium wird eine dielektrische Schicht 44 über und um den Wellenleiterkern 34 und die dielektrische Schicht 33 gebildet. Die dielektrische Schicht 44 kann von einem dielektrischen Material, wie etwa Siliziumdioxid, umfasst sein, das durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden und zum Beispiel durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert wird, um Topographie zu entfernen. Das dielektrische Material der dielektrischen Schicht 44 bildet einen Mantel mit niedrigem Index für den Wellenleiterkern 34.
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Über der dielektrischen Schicht 44 ist ein Back-End-of-Line-Stapel 46 gebildet. Der Back-End-of-Line-Stapel 46 umfasst eine oder mehrere dielektrische Schichten, die von dielektrischem Material, wie etwa Siliziumdioxid, umfasst sein können.
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Die Struktur 10 kann in jeder ihrer hier beschriebenen Ausführungsformen in einen Photonikchip integriert sein, der elektronische Komponenten und zusätzliche optische Komponenten umfasst. Zum Beispiel können die elektronischen Komponenten Feldeffekttransistoren umfassen, die durch CMOS-Prozessierung gefertigt werden.
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Unter Bezugnahme auf 6, in der sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in der 1 beziehen, und gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung können verjüngte Sektionen 50, 52 zu der zentralen Sektion 16 hinzugefügt werden. Die verjüngten Sektionen 50, 52, die entlang der Längsachse 14 ausgerichtet sind, sind mit Segmenten 28 der zentralen Sektion 16 überlagert. Die verjüngte Sektion 50 schließt sich an die verjüngte Sektion 18 an und ist in Längsrichtung zwischen den Segmenten 28 und der verjüngten Sektion 18 positioniert. Die verjüngte Sektion 52 schließt sich an die verjüngte Sektion 20 an und ist in Längsrichtung zwischen den Segmenten 28 und der verjüngten Sektion 20 positioniert. Die verjüngten Sektionen 50, 52 nehmen jeweils mit zunehmendem Abstand von den verjüngten Sektionen 18, 20 in der Breitenabmessung ab.
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Unter Bezugnahme auf die 7, 8, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in der 3 beziehen, und gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung kann ein Abschnitt der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 in mehrere Gittermerkmale oder Segmente 58 unterteilt sein, die seitlich beabstandet und entlang der Längsachse 35 mit einem gegebenen Pitch angeordnet und durch Spalte G2 getrennt sind. Die beabstandete Anordnung für die Segmente 58 kann während der Lithografie- und Ätzprozesse, die den Wellenleiterkern 34 bilden, definiert werden. Das dielektrische Material der dielektrischen Schicht 44 füllt die Spalte, G2, zwischen den Segmenten 58 aus, wodurch der effektive Brechungsindex der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 reduziert wird. Die Segmente 58 haben Seitenoberflächen oder Seitenwände 45, die an gegenüberliegende Seiten der Spalte, G2, angrenzen und quer zur Längsachse 35 ausgerichtet sind. Die gegenüberliegenden Seitenwände 42, 43 der Segmente 58 können durch die Seitenwände 45 verbunden sein. Bei einer Ausführungsform können der Pitch und das Tastverhältnis (Duty Cycle) der Segmente 58 gleichmäßig sein. Bei alternativen Ausführungsformen können der Pitch und/oder das Tastverhältnis der Segmente 58 apodisiert (d.h. ungleichmäßig) sein.
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Bei der repräsentativen Ausführungsform können die gegenüberliegenden Seitenwände 42, 43 durch einen konstanten Abstand über die Länge der zentralen Sektion 36 getrennt sein, und aus diesem Grund können die Segmente 58 eine konstante Breitenabmessung über die Länge der zentralen Sektion 36 aufweisen. Bei alternativen Ausführungsformen können die Segmente 58 eine andere geometrische Form als die repräsentative rechteckige geometrische Form haben. Bei alternativen Ausführungsformen können die Segmente 58 Breitenabmessungen aufweisen, die über die Länge der zentralen Sektion 36 variieren. Bei alternativen Ausführungsformen können die Seitenwände 42, 43 der Segmente 58 gekrümmt sein, und die Seitenwände 45 der Segmente 58, die normal zur Längsachse 35 ausgerichtet sind, können planar oder im Wesentlichen planar sein. Bei alternativen Ausführungsformen können die Seitenwände 42, 43 der Segmente 58 verjüngt sein mit einer Krümmung, die durch eine nichtlineare Funktion definiert ist, wie etwa eine quadratische, parabolische oder exponentielle Funktion.
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Die Segmente 58 des Wellenleiterkerns 34 können durch Optikeigenschaften (z.B. Brechungsindex) gekennzeichnet sein, die sich von Bulk-Optikeigenschaften, was gemeinhin als ein Metamaterial bezeichnet wird, unterscheiden. Bei einer Ausführungsform kann der Pitch der Segmente 58 geringer als die Wellenlänge des Laserlichts sein, das durch den Wellenleiterkern 34 geführt wird.
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Bei einer Ausführungsform können die Segmente 58 des Wellenleiterkerns 34 über den Segmenten 28 des Wellenleiterkerns 12 angeordnet sein. Einige der Segmente 58 des Wellenleiterkerns 34 können sich mit einigen der Segmente 28 des Wellenleiterkerns 12 überlappen, und die Segmente 58 des Wellenleiterkerns 34 können quer zu den Segmenten 28 des Wellenleiterkerns 12 ausgerichtet sein. Bei einer alternativen Ausführungsform können dem Wellenleiterkern 12 die Segmente 28 fehlen, so dass die Segmente 58 über einer zentralen Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12 angeordnet sind, die einheitlich und nicht segmentiert ist.
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Unter Bezugnahme auf 9, in der sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in der 1 beziehen, und gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung kann die zentrale Sektion 16 des Wellenleiterkerns 12, die die Segmente 28 umfasst, eine Breitenabmessung zwischen den Seitenwänden 26, 27 aufweisen, die basierend auf einer nichtlinearen Funktion, wie einer quadratischen, parabolischen oder exponentiellen Funktion, variiert. Die nichtlineare Variation der Breitenabmessung führt zu einer Krümmung der Seitenwände 26, 27. Die Segmente 28 nehmen die variierende Breitenabmessung und die gekrümmte Form an, so dass die Segmente 28 mit der kleinsten Breite angrenzend an die verjüngten Sektionen 18, 20 angeordnet sein können und die Segmente 28 mit der größten Breite unter der zentralen Sektion 36 des Wellenleiterkerns 34 angeordnet sein können.
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Die oben beschriebenen Verfahren werden bei der Fertigung von Chips mit integriertem Schaltkreis verwendet. Die resultierenden Chips mit integriertem Schaltkreis können durch den Fertiger in Roh-Wafer-Form (z.B. als einzelner Wafer, der mehrere ungehäuste Chips aufweist), als nackter Chip (bare die), oder in einer gehäusten Form vertrieben werden. Der Chip kann mit anderen Chips, diskreten Schaltelementen und/oder anderen Signalverarbeitungsvorrichtungen als Teil von entweder einem Zwischenprodukt oder einem Endprodukt integriert sein. Das Endprodukt kann irgendein Produkt sein, das Chips mit integriertem Schaltkreis umfasst, wie etwa Computerprodukte, die einen zentralen Prozessor aufweisen, oder Smartphones.
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Bezugnahmen hierin auf Ausdrücke, die durch eine Näherungssprache modifiziert sind, wie „etwa“, „ungefähr“, und „im Wesentlichen“, sollen nicht auf den spezifizierten präzisen Wert beschränkt sein. Die Näherungssprache kann der Präzision eines Instruments entsprechen, das verwendet wird, um den Wert zu messen, und kann, falls nicht anderweitig abhängig von der Präzision des Instruments, +/- 10% des(der) angegebenen Werts(Werte) sein.
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Bezugnahmen hierin auf Ausdrücke wie „vertikal“, „horizontal“, etc. erfolgen beispielhaft und nicht zur Beschränkung, um einen Referenzrahmen festzulegen. Der Ausdruck „horizontal“ wie hierin verwendet, ist als eine Ebene definiert, die parallel zu einer konventionellen Ebene eines Halbleitersubstrats ist, ungeachtet seiner tatsächlichen dreidimensionalen räumlichen Ausrichtung. Die Begriffe „vertikal“ und „normal“ beziehen sich auf eine Richtung, die senkrecht zur Horizontalen, wie gerade definiert, ist. Der Begriff „lateral“ bezieht sich auf eine Richtung innerhalb der horizontalen Ebene.
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Ein Merkmal „verbunden“ oder „gekoppelt“ an ein anderes oder mit einem anderen Merkmal kann an das oder mit dem anderen Merkmal direkt verbunden oder gekoppelt sein oder stattdessen kann eines oder können mehrere dazwischenkommende Merkmale vorhanden sein. Ein Merkmal kann an ein anderes oder mit einem anderen Merkmal „direkt verbunden“ oder „direkt gekoppelt“ sein, falls dazwischenkommende Merkmale nicht vorhanden sind. Ein Merkmal kann an ein anderes oder mit einem anderen Merkmal „indirekt verbunden“ oder „indirekt gekoppelt“ sein, falls wenigstens ein dazwischenkommendes Merkmal vorhanden ist. Ein Merkmal „an“ einem anderen Merkmal oder es „kontaktierend“ kann direkt an oder in direktem Kontakt mit dem anderen Merkmal sein, oder stattdessen kann eines oder können mehrere dazwischenkommende Merkmale vorhanden sein. Ein Merkmal kann „direkt an“ oder in „direktem Kontakt“ mit einem anderen Merkmal sein, falls dazwischenkommende Merkmale nicht vorhanden sind. Ein Merkmal kann „indirekt an“ oder in „indirektem Kontakt“ mit einem anderen Merkmal sein, falls wenigstens ein dazwischenkommendes Merkmal vorhanden ist.
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Die Beschreibungen der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wurden zum Zwecke der Veranschaulichung präsentiert, sollen aber nicht erschöpfend oder auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt sein. Viele Modifikationen und Variationen sind für die gewöhnlichen Fachleute offensichtlich, ohne vom Umfang und der Idee der beschriebenen Ausführungsformen abzuweichen. Die hierin verwendete Terminologie wurde gewählt, um die Prinzipien der Ausführungsformen, die praktische Anwendung oder technische Verbesserung gegenüber auf dem Markt erhältlichen Technologien am besten zu erklären, oder es anderen gewöhnlichen Fachleuten zu ermöglichen, die hierin offenbarten Ausführungsformen zu verstehen.