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DE10202881B4 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einer Chipkantenschutzschicht, insondere für Wafer Level Packaging Chips - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einer Chipkantenschutzschicht, insondere für Wafer Level Packaging Chips Download PDF

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DE10202881B4
DE10202881B4 DE10202881A DE10202881A DE10202881B4 DE 10202881 B4 DE10202881 B4 DE 10202881B4 DE 10202881 A DE10202881 A DE 10202881A DE 10202881 A DE10202881 A DE 10202881A DE 10202881 B4 DE10202881 B4 DE 10202881B4
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Abstract

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (1a, 1b, 1c; 1a', 1b', 1c') mit einer Chipkantenschutzschicht (21'', 22''), insbesondere für Wafer Level Packaging Chips, mit den Schritten:
Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1);
Vorsehen von Gräben (21, 22) in dem Halbleiterwafer zum Festlegen von Chipkanten auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers (1);
Auffüllen der Gräben (21, 22) mit einem Schutzmittel (21'; 22');
Rückschleifen des Halbleiterwafers (1) von einer zweiten Seite des Halbleiterwafers (1), welche der ersten Seite gegenüberliegt, zum Freilegen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22); und
Durchtrennen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22), so daß die Chipkantenschutzschicht (21'', 22'') aus dem Schutzmittel (21', 22') auf den Chipkanten verbleibt, nach dem Rückschleifen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einer Chipkantenschutzschicht, insbesondere für Wafer Level Packaging Chips.
  • Aus der US 2001/0042902 A1 ist ein gattungsgemäßes Verfahren bekannt, bei dem ein mit einer rückseitigen Schutzschicht versehener Halbleiterwafer auf eine Sägefolie geklebt wird und dann Gräben vorgesehen werden, die den Halbleiterwafer völlig bis in die Schutzschicht hinein oder bis durch die Schutzschicht hindurch durchtrennen. Die Gräben werden anschließend mir einem Schutzmittel aufgefüllt und die mit dem Schutzmittel gefüllten Gräben durchtrennt, so dass einzelne Halbleiterchips mit einer Chipkantenschutzschicht erhalten werden.
  • Die DE 197 07 887 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen von elektronischen Elementen, wobei auf der Vorderseite eines Wafers Kontaktierelemente vorgesehen werden, die sich in dort vorgesehene Gräben hinein erstrecken und in den Gräben getrennt sind.
  • Durch ein Rückätzen des Halbleiterwafers 1 von der Rückseite her, lassen sich die Elemente vereinzeln und die getrennten Kontaktanschlüsse freilegen.
  • Die DE 41 33 820 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen, wobei Gräben in einem Halbleiterkörper gebildet werden, die Gräben mit einem Schutzmittel gefüllte werden und anschließend ein Durchsägen des gesamten Halbleiterkörpers und des Schutzmittels in den Gräben erfolgt, um vereinzelte Halbleiterschips mit einer Chipkantenschutzschicht zu erhalten.
  • Die US 6,326,704 B1 offenbart einen Vorsehen von Isolationsgräben an der Vorderseite eines Halbleiterchips, welche mit einen Schutzmittel gefüllt werden und anschließend zur Vereinzelung durchsägt werden.
  • Obwohl prinzipiell auf beliebige Halbleiterchips anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von Wafer Level Packaging Chips beschrieben.
  • Unter dem Begriff „Dice before Grind" – Technologie ist ein Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips, insbesondere für Wafer Level Packaging Chips, bekannt, welches folgende Schritte aufweist:
    Bereitstellen eines Halbleiterwafers;
    Vorsehen von Gräben in dem Halbleiterwafer zum Festlegen von Chipkanten auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers; und
    Rückschleifen des Halbleiterwafers von einer zweiten Seite des Halbleiterwafers, welche der ersten Seite gegenüberliegt, zum Freilegen der Gräben und zum Vereinzeln des Halbleiterwafers in die Halbleiterchips.
  • Allerdings lässt diese Technologie die Chiprückseite und die Chipkanten unpassiviert bzw. mechanisch und elektrisch ungeschützt, nachdem das Vereinzeln durchgeführt worden ist. Diese freiliegenden Chiprückseiten und Chipkanten bilden ein erhöhtes Risiko einer Chipbeschädigung während des Handlings oder des Zusammenbaus, beispielsweise durch Kantenausbrüche.
  • Bekannte Wafer Level Packaging Verfahren sehen lediglich eine zusätzliche Schutzschicht auf der Chip-Vorderseite vor, welche beispielsweise durch ein Formungsprozess auf dem Wafer gebildet wird. Jedoch hat diese Vorderseitenschutzschicht lediglich die Primärfunktion, die auf der Vorderseite befindlichen Anschlüsse der Umverdrahtung einzukapseln, um einen benetzbaren Bereich für die Lothügel einzugrenzen.
  • Rückseitenschutzschichten für Wafer unter Verwendung aufgedruckter, durch ein Spinverfahren aufgebrachter oder angeformter Schichten sind im Stand der Technik allgemein bekannt.
    •
  • Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einem Chipkantenschutz, insbesondere für Wafer Level Packaging Chips, zu schaffen, wodurch ein zuverlässiger Chipkantenschutz auf einfache Art fertigbar ist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 bzw. 2 angegebene Verfahren gelöst.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, dass die Gräben zum Festlegen der Chipkanten mit einem Schutzmittel aufgefüllt werden und dann ein derartiges Durchtrennen der mit dem Schutzmittel gefüllten Gräben durchgeführt wird, dass die Chipkanten-Schutzschicht auf den Chipkanten verbleibt. Somit schafft man gleichsam eine integrierte Verkapselung der Chipkanten.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren weist gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, daß es eine einfache Art der integrierten Herstellung eines Chipkantenschutzes bietet. Da der Chipkanten-Schutz auf Waferebene erzeugt wird, können passivierte Chips zu niedrigen Kosten erhalten werden.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Gegenstandes der Erfindung.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt das Vorsehen von den Gräben durch einen ersten Sägeschritt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Auffüllen der Gräben durch einen Dispensierschritt durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Auffüllen der Gräben durch einen Druckschritt, vorzugsweise unter Verwendung einer Druckschablone oder eines Drucksiebes, durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Auffüllen der Gräben durch einen Moldingschritt durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt das Auffüllen der Gräben im Rahmen des Aufbringens einer Schutzschicht, welche die erste Seite zumindest teilweise außerhalb der Gräben bedeckt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die erste Seite des Halbleiterwafers vor dem Rückschleifen auf einen Träger, vorzugsweise eine Klebefolie, aufgebracht.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die zweite Seite nach dem Rückschleifen und vor dem Vereinzeln durch eine Schutzschicht abgedeckt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Durchtrennen der mit dem Schutzmittel gefüllten Gräben durch einen zweiten Sägeschritt durchgeführt, wobei das Sägeblatt dünner als die Breite der Gräben ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Durchtrennen der mit dem Schutzmittel gefüllten Gräben durch einen Laserbearbeitungsschritt, insbesondere einen Microjet-Laserschneideschritt, durchgeführt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Schutzmittel ein Polymerharz, insbesondere Polyimid, oder ein Silikonharz.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die Halbleiterchips Wafer Level Packaging Chips, wobei auf der ersten Seite des Halbleiterwafers eine entsprechende Umverdrahtungsebene vorgesehen wird.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Umverdrahtungsebene vor Bilden der Gräben vorgesehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Umverdrahtungsebene nach dem Auffüllen der Gräben mit einem Schutzmittel und dem Rückschleifen vorgesehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Umverdrahtungsebene hervorstehende Kontaktelemente auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt das Auffüllen der Gräben im Rahmen des Aufbringens einer Schutz schicht, welche die hervorstehenden Kontaktelemente zumindest teilweise außerhalb der Gräben bedeckt.
    •
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1a-h acht aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 2 ein Verfahrensstadium analog zu 1c zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 3a-c drei aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer dritten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 4 ein Verfahrensstadium analog zu 3b zur Erläuterung einer vierten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
  • 5a, b zwei aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer fünften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente.
  • 1a-h zeigen acht aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • In 1a bezeichnet 1 einen Halbleiter-Wafer, welcher nicht näher illustrierte integrierte Schaltungen entsprechend einer Mehrzahl daraus zu bildender Halbleiterchips (vgl. 1a, 1b, 1c in 1g) enthält. Auf der Vorderseite des Halbleiterwafers 1 befindet sich eine Umverdrahtungsebene, welche Leiterbahnen 11, 12, 13, 14, 15, 16 enthält, die von Schaltungsanschlüssen 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b mit engem Abstand zu Schaltungsanschlüssen 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b', mit weiterem Abstand führen. Die Leiterbahnen 11-16 sind in üblicher Weise durch eine Isolationsschicht 10 voneinander getrennt.
  • Gemäß 1b werden in einem ersten Schritt Gräben 21, 22 auf der Vorderseite des Halbleiterwafers 1 mit der Umverdrahtungsebene vorgesehen, welche zum Festlegen von späteren Chipkanten dienen. Die Gräben 21, 22, können beispielsweise durch einen ersten Sägeprozess erstellt werden, zu dem der Halbleiterwafer 1 auf eine entsprechende Sägefolie aufgeklebt wird, welche in 2b das Bezugszeichen 19 trägt. Typische Breiten der Gräben 21, 22, liegen im Bereich von 100μm.
  • Gemäß 1c werden in einem darauf folgenden Verfahrensschritt die Gräben 21, 22 mit einem passivierenden Mittel 21', 22', beispielsweise Polyimid, aufgefüllt. Dies kann durch einen Druckschritt, einen Moldingschritt, einen Dispensierschritt oder irgend einen anderen gebräuchlichen Verfahrensschritt geschehen. Bei der vorliegenden Ausführungsform erfolgt das Auffüllen durch einen Druckschritt in Verbindung mit einer Druckschablone oder einem Drucksieb, welche in 1c nicht dargestellt ist.
  • Um zum in 1d dargestellten Verfahrenszustand zu gelangen, wird zunächst die Vorderseite des Halbleiterwafers 1 auf einen Träger aufgebracht, z.B. eine Klebefolie 29, welche gleichzeitig die freiliegenden vorderseitigen Schaltungsan schlüsse 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b' und die Leiterbahnen 11-16 der Umverdrahtungsschicht schützen soll. Zudem erfolgt ein Abziehen der Sägefolie 19 zum Freilegen der Rückseite des Halbleiterwafers 1.
  • Im nächsten Verfahrensschritt, welcher mit Bezug auf 1e erläutert wird, wird die Rückseite des Halbleiterwafers 1 in einem üblichen Polierschritt, beispielsweise einem chemisch-mechanischen Polierschritt, zurückgeschliffen, bis die mit dem Polyimid 21', 22' gefüllten Gräben 21 bzw. 22 freigelegt sind.
  • Mit Bezug auf 1f wird dann auf der Rückseite eine Schutzschicht 40 durch ein übliches Verfahren aufgebracht, beispielsweise ein Molding-Verfahren oder ein sonstiges geeignetes Verfahren.
  • Im mit Bezug auf 1g erläuterten Verfahrensschritt erfolgt dann ein Vereinzeln des Halbleiterwafers 1 in die Halbleiterchips 1a, 1b, 1c, indem die mit dem Schutzmittel in Form von Polyimid 21', 22' gefüllten Gräben 21, 22 durch einen Sägeschritt durchtrennt werden, wobei die Dicke des Sägeblatts geringer als die Breite der Gräben ist, so dass eine Chipkanten-Schutzschicht 21'', 22'' auf Polyimid auf den Chipkanten zurückbleibt. Eine typische Breite des Trennschnitts zur Vereinzelung liegt bei typischerweise 30μm. Dabei wird die Klebefolie 29 eingeschnitten, jedoch vorzugsweise nicht durchtrennt.
  • Im Verfahrenszustand von 1h liegen vereinzelte Halbleiterchips 1a, 1b, 1c, vor, welche auf der Rückseite durch die Schutzschicht 40 und an den Chipkanten durch die Schutzschicht 21'', 22'' geschützt sind.
  • 2 zeigt ein Verfahrensstadium analog zu 1c zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Gemäß der in 2 gezeigten zweiten Ausführungsform erfolgt das Auffüllen der Gräben 21, 22 mit dem Schutzmittel 21', 22' im Rahmen des Aufbringens einer Vorderseiten-Schutzschicht 20, welche Teile der Vorderseite des Halbleiterwafers 1 abdeckt. Selbstverständlich kann diese Vorderseiten-Schutzschicht 20 aufgedruckt, dispensiert oder angeformt werden, wie es im Stand der Technik allgemein üblich ist.
  • Bei der zweiten Ausführungsform bedeckt die Vorderseiten-Schutzschicht sämtliche Bereiche zwischen den Schaltungsanschlüssen 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b' und steht um eine gewisse Höhe gegenüber diesen über.
  • 3a-c zeigen drei aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer dritten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Bei der in 3a-c gezeigten Ausführungsform erfolgt die Herstellung der vorderseitigen Umverdrahtungsebene, welche teilweise über die hervorstehenden Kontaktelemente verläuft, erst nach dem Vorsehen und Füllen der Gräben 21, 22 mit dem Schutzmittel 21', 22' und vor oder nach dem Rückschleifen der Rückseite und dem optionalen Aufbringen der rückseitigen Schutzschicht 40. Dieser Zustand ist in 3a gezeigt.
  • Gemäß 3b erfolgt dann ein Vorsehen von flexiblen erhöhten Schaltungsanschlüssen 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'', auf die entsprechende Leiterbahnen 11', 12', 13', 14', 15', 16' geführt sind, welche eine Verbindung zu den Chipanschlüssen 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b durch die Schutzschicht 10 schaffen.
  • Der Hintergrund dafür, dass die Umverdrahtungsebene bei dieser dritten Ausführungsform erst im Nachhinein aufgebracht wird, liegt darin, dass die erhabenen Schaltungsanschlüsse 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'' beim Säge- bzw. Rückschleifschritt beschädigt werden könnten.
  • Schließlich erfolgt gemäß 3c ein Vereinzeln in die Chips durch Durchtrennen der mit dem Schutzmittel 21', 22' gefüllten Gräben 21, 22 und der darunter befindlichen rückseitigen Schutzschicht 40 wie bei der ersten oder zweiten Ausführungsform.
  • 4 zeigt ein Verfahrensstadium analog zu 3b zur Erläuterung einer vierten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Bei der vierten Ausführungsform gemäß 4 erfolgt analog wie bei der zweiten Ausführungsform nach 2 das Auffüllen der Gräben 21', 22' im Rahmen des Aufbringens einer vorderseitigen Schutzschicht 20', welche hier im Zusammenhang mit den elastischen Schaltungsanschlüssen 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'' derart vorgesehen wird, dass sie nur die Spitze der Kontaktelemente mit den Leiterbahnenden der Leiterbahn 11' bis 16' freilässt.
  • Der Vorteil dabei ist, dass die Herstellung der flexiblen und erhöhten Kontaktelemente bzw. Schaltungsanschlüsse und der Leiterbahnen auf einem dicken Wafer durchgeführt werden können. In diesem Fall kann die Materialauswahl für das Schutzmittel 21', 22', welches auch die vorderseitige Schutzschicht 20' bildet, begrenzt sein auf ein elastisches Material wie z.B. Silikon, um nicht die Elastizität der erhöhten Kontaktelemente zu schwächen.
  • 5a, b zeigen zwei aufeinanderfolgende Verfahrensstadien zur Erläuterung einer fünften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Bei der in 5 gezeigten fünften Ausführungsform erfolgt das Durchtrennen der mit dem Schutzmittel gefüllten Gräben 21', 22' vor dem Rückschleifen der Rückseite. In diesem Fall wird das Vereinzeln der Chips 1a', 1b', 1c' durch das Rückschleifen bis zum Grabenboden der durchgetrennten Gräben erreicht. Diese Alternative ist hier für die elastischen Schaltungsanschlüsse 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'' gezeigt, jedoch nicht darauf beschränkt, sondern auch für andere Arten von Umverdrahtungsebenen anwendbar.
  • Gemäß 5a erfolgt bei der fünften Ausführungsform ausgehend von dem in 4 gezeigten Prozessstadium ein Durchtrennen der mit dem Schutzmittel 21', 22' gefüllten Gräben 21, 22 bis zum jeweiligen Grabenboden.
  • Erst danach erfolgt nach dem Lösen der Sägefolie 19 und dem optionalen Aufbringen eines entsprechenden vorderseitigen Trägers das Rückschleifen des Halbleiterwafers 1 von der Rückseite zum Freilegen der seitlich mit dem Schutzmittel 21', 22' bedeckten Chips 1a', 1b', 1c'.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
  • Obwohl bei den obigen Ausführungsform der Schritt zur Herstellung der Gräben bzw. der Durchtrennschritt der gefüllten Gräben mittels Sägetechniken durchgeführt wurden, können auch andere Verfahren dazu verwendet werden, beispielsweise Laserbearbeitungsverfahren. Für sehr feine Schnittgräben bietet sich insbesondere das Microjet-Laserschneideverfahren an, bei dem der Laserstrahl von einem Wasserstrahl umgeben ist. Es sollte in diesem Zusammenhang erwähnt werden, dass eine enge Schnittbreite beim Vereinzelungsschritt um so leichter erzielt werden kann, je dünner der Wafer nach dem Rückpolierschritt ist.
  • Selbstverständlich sollte erwähnt werden, dass das Aufbringen einer Schutzschicht für die Vorder- oder Rückseite optionell ist und nicht unbedingt erforderlich ist.
  • Selbstverständlich können auch zusätzliche Verfahrensschritte durchgeführt werden, wie zum Beispiel ein zumindest teilweise Entfernen der vorderseitigen Schutzschicht bei den elastischen Kontaktelementen oder beispielsweise die Verwendung von Kupferschichten zum Vergrößern der freiliegenden Bereiche der Kontaktelemente.
  • Auch kann das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur auf Wafer Level Package Chips mit Umverdrahtungsebene angewendet werden, sondern generell für jegliche Chips, beispielsweise für Chips, welche mit einem anisotropen leitenden Haftstoff mittels Flip-Chip-Technologie kontaktiert werden. Bezugszeichenliste
    Figure 00130001

Claims (17)

  1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (1a, 1b, 1c; 1a', 1b', 1c') mit einer Chipkantenschutzschicht (21'', 22''), insbesondere für Wafer Level Packaging Chips, mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1); Vorsehen von Gräben (21, 22) in dem Halbleiterwafer zum Festlegen von Chipkanten auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers (1); Auffüllen der Gräben (21, 22) mit einem Schutzmittel (21'; 22'); Rückschleifen des Halbleiterwafers (1) von einer zweiten Seite des Halbleiterwafers (1), welche der ersten Seite gegenüberliegt, zum Freilegen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22); und Durchtrennen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22), so daß die Chipkantenschutzschicht (21'', 22'') aus dem Schutzmittel (21', 22') auf den Chipkanten verbleibt, nach dem Rückschleifen.
  2. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (1a, 1b, 1c; 1a', 1b', 1c') mit einer Chipkantenschutzschicht (21'', 22''), insbesondere für Wafer Level Packaging Chips, mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1); Vorsehen von Gräben (21, 22) in dem Halbleiterwafer zum Festlegen von Chipkanten auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers (1); Auffüllen der Gräben (21, 22) mit einem Schutzmittel (21'; 22'); und Durchtrennen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22), so daß die Chipkantenschutzschicht (21'', 22'') aus dem Schutzmittel (21', 22') auf den Chipkanten verbleibt bis zum jeweiligen Grabenboden; und Rückschleifen des Halbleiterwafers (1) von einer zweiten Seite des Halbleiterwafers (1), welche der ersten Seite gegenüberliegt, zum Freilegen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22) nach dem Durchtrennen.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Vorsehen von den Gräben (21, 22) durch einen ersten Sägeschritt durchgeführt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Gräben (21, 22) durch einen Dispensierschritt durchgeführt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Gräben (21, 22) durch einen Druckschritt, vorzugsweise unter Verwendung einer Druckschablone oder eines Drucksiebes, durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Gräben (21, 22) durch einen Moldingschritt durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Gräben (21, 22) im Rahmen des Aufbringens einer Schutzschicht (20; 20') erfolgt, welche die erste Seite zumindest teilweise außerhalb der Gräben (21, 22) bedeckt.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Seite des Halbleiterwafers (1) vor dem Rückschleifen auf einen Träger, vorzugsweise eine Klebefolie (29), aufgebracht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Seite nach dem Rückschleifen und vor dem Vereinzeln durch eine Schutzschicht (40) abgedeckt wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchtrennen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22) durch einen zweiten Sägeschritt durchgeführt wird, wobei das Sägeblatt dünner als die Breite der Gräben (21, 22) ist.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchtrennen der mit dem Schutzmittel (21'; 22') gefüllten Gräben (21, 22) durch einen Laserbearbeitungsschritt, insbesondere einen Microjet-Laserschneideschritt, durchgeführt wird.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzmittel (21'; 22') ein Polymerharz, insbesondere Polyimid, oder ein Silikonharz ist.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterchips (1a, 1b, 1c; 1a', 1b', 1c') Wafer Level Packaging Chips sind und auf der ersten Seite des Halbleiterwafers (1) eine entsprechende Um verdrahtungsebene (10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11-16, 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b'; 10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11'-16', 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') vorgesehen wird.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungsebene (10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11-16, 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b'; 10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11'-16', 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') vor Bilden der Gräben (21, 22) vorgesehen wird.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungsebene (10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11-16, 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b'; 10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11'-16', 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') nach dem Auffüllen der Gräben (21, 22) mit einem Schutzmittel (21'; 22') und dem Rückschleifen vorgesehen wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungsebene (10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11-16, 2a', 2b', 3a', 3b', 4a', 4b'; 10, 2a, 2b, 3a, 3b, 4a, 4b, 11'-16', 2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') hervorstehende Kontaktelemente (2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') aufweist.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Gräben (21, 22) im Rahmen des Aufbringens einer Schutzschicht (20; 20') erfolgt, welche die hervorstehenden Kontaktelemente (2a'', 2b'', 3a'', 3b'', 4a'', 4b'') zumindest teilweise außerhalb der Gräben (21, 22) bedeckt.
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