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DE102013223460A1 - Vorrichtung zum Betreiben eines elektronisch kommutierten, mehrphasigen Gleichstrommotors - Google Patents

Vorrichtung zum Betreiben eines elektronisch kommutierten, mehrphasigen Gleichstrommotors Download PDF

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DE102013223460A1
DE102013223460A1 DE102013223460.0A DE102013223460A DE102013223460A1 DE 102013223460 A1 DE102013223460 A1 DE 102013223460A1 DE 102013223460 A DE102013223460 A DE 102013223460A DE 102013223460 A1 DE102013223460 A1 DE 102013223460A1
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DE
Germany
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voltage
logic unit
power
contraption
bridge
Prior art date
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DE102013223460.0A
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Christian Bitsch
Andreas Heise
Ralf Hartmann
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Continental Automotive Technologies GmbH
Original Assignee
Continental Teves AG and Co OHG
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Publication date
Application filed by Continental Teves AG and Co OHG filed Critical Continental Teves AG and Co OHG
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Abstract

Eine Vorrichtung (6) zum Betreiben eines elektronisch kommutierten, mehrphasigen Gleichstrommotors (2) mit einer Mehrzahl von Wicklungen, umfassend eine Leistungsbrücke (10) mit einer Mehrzahl von Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) und einer Logikeinheit (14) zur Erzeugung der Phasenspannungen in den Wicklungen und zur Schaltung der Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52), wobei jeder Wicklung eine Halbbrücke (20, 24, 28) mit zwei Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) zugeordnet ist, soll eine optimierte Motor-Performance ermöglichen. Dazu ist vorgesehen, dass jedem Leistungs-MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52) eine Spannungsüberwachungsvorrichtung (60, 100, 110, 114, 118, 122) zur Überwachung seiner Gate-Source-Spannung zugeordnet ist, wobei die Logikeinheit (14) eingangsseitig mit der jeweiligen Spannungsüberwachungsvorrichtung (60, 100, 110, 114, 118, 122) verbunden ist, und wobei die Logikeinheit (14) zwischen einem geschalteten und einem nicht-geschalteten Leistungs-MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52) einer Halbbrücke (20, 24, 28) erst dann umschaltet, wenn die überwachte Gate-Source-Spannung des überwachten Leistungs-MOSFETS MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52) unter einer vorgegebenen Referenzspannung (Uref) liegt.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Betreiben eines elektronisch kommutierten, mehrphasigen Gleichstrommotors mit einer Mehrzahl von Wicklungen, umfassend eine Leistungsbrücke mit einer Mehrzahl von Leistungs-MOSFETS und einer Logikeinheit zur Erzeugung der Phasenspannungen in den Wicklungen und zur Schaltung der Leistungs-MOSFETS, wobei jeder Wicklung eine Halbbrücke mit zwei Leistungs-MOSFETS zugeordnet ist.
  • Ein elektrisch kommutierter mehrphasiger Gleichstrommotor (BLDC-Motor) hat typischerweise ein mehrsträngiges, insbesondere dreisträngiges, Wicklungssystem, einen Rotor, einen Stator und einen die Lage des Rotors erfassenden Rotationslagesensor. Der Rotor ist gewöhnlich mit Permanentmagneten ausgerüstet und wird durch ein rotatorisch sich bewegendes Erregerfeld getrieben. Dieses Erregerfeld wird von einem, beispielsweise dreiphasigen, Wicklungssystem erzeugt, indem dessen Wicklungsstränge mit blockförmigen (im Rahmen einer PWM-Ansteuerung) oder sinusförmigen Stromverläufen bestromt werden, die zueinander phasenversetzt sind.
  • Derartige mehrphasige Motoren werden gewöhnlich mit einer Leistungsbrücke angesteuert. Dabei wird jeder Phase des Motors jeweils eine Halbbrücke zugeordnet, die jeweils einen Highside- und einen Lowside-Leistungsschalter, die gewöhnlich als Leistungs-MOSFETS ausgebildet sind, umfasst. Bei einem dreiphasigen Motor umfasst die Leistungsbrücke demgemäß drei Halbbrücken und insgesamt sechs Leistungsschalter.
  • In einer Ansteuerung durch Pulsweitenmodulation (PWM) schaltet der jeweilige Highside-Leistungsschalter einer Halbbrücke jeweils die hohe Spannung, während der Lowside-Leistungsschalter jeweils den Null-Referenzwert schaltet. Um die Leistungsbrücke durch einen Kurzschluss nicht zu beschädigen bzw. zu zerstören, muss zum sicheren Umschalten zwischen dem Highside- und Lowside-Leistungsschalter einer Halbbrücke eine gewisse Zeitspanne, die als Totzeit bezeichnet wird, gewartet werden. Dieses Warten soll sicherstellen, dass bei dem jeweils geschalteten Highside- bzw. Lowside-Leistungsschalter die Spannung genügend abgefallen ist. Eine zu hoch bzw. zu lang eingestellte Totzeit stellt allerdings auch eine Beschränkung der PWM-Steuerung dar und kann die Performance des Motors reduzieren. Da die Totzeit aus Sicherheitsgründen eher länger eingestellt werden sollte, steht oft nicht die volle Leistungsfähigkeit des Motors zur Verfügung.
  • Aus der DE 10 2011 080 941 A1 ist ein Verfahren zur Steuerung eines elektronisch kommutierten mehrphasigen Gleichstrommotors bekannt, worin vorgeschlagen wird, die Umschaltung in Abhängigkeit von den überwachten Gate-Source-Spannungen der MOS-Feldeffekttransistoren durchzuführen.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Betreiben eines Motors bereitzustellen, die eine optimierte Motor-Performance ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass jedem Leistungs-MOSFET eine Spannungsüberwachungsvorrichtung zur Überwachung seiner Gate-Source-Spannung zugeordnet ist, wobei die Logikeinheit eingangsseitig mit der jeweiligen Spannungsüberwachungsvorrichtung verbunden ist, und wobei die Logikeinheit zwischen einem geschalteten und einem nicht-geschalteten Leistungs-MOSFET einer Halbbrücke erst dann umschaltet, wenn die überwachte Gate-Source-Spannung des überwachten (des niederohmig geschalteten) Leistungs-MOSFETS unter einer vorgegebenen Referenzspannung liegt.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass die bei den Schaltvorgängen in Leistungsbrücken verwendeten Totzeiten zwar einerseits als Sicherheitsmaßnahme unverzichtbar sind, sie andererseits aber auch eine Limitierung der Performance, insbesondere auch der Ansteuerung innerhalb einer PWM-Ansteuerung, des Motors darstellen. Da die einzelnen Leistungsschalter nicht genau die gleichen Spannungsverläufe zeigen – bauartbedingt oder durch z. B. unterschiedliche momentane Temperaturen, muss eine konstante Totzeit so gewählt werden, dass auch bei den langsamsten Leistungsschaltern noch die sicherheitsrelevanten Kriterien erfüllt werden. Die fest eingestellte Totzeit stellt damit eine harte Grenze für die Performance des Motors dar.
  • Wie nunmehr erkannt wurde, kann die Performance des Motors dadurch erhöht werden, dass eine situationsabhängige Totzeit zum Umschalten zwischen den Leistungsschaltern innerhalb einer Halbbrücke verwendet wird. Die Totzeit kann auf diese Weise so gering wie möglich bestimmt werden, so dass kein gefährlicher Kurzschluss entsteht, was dadurch erreicht wird, dass erst umgeschaltet wird, wenn die Gate-Source-Spannung des gerade aktiven Leistungsschalters unter einen vorgegebenen Schwellenwert gesunken ist.
  • Unter Logikeinheit wird im Rahmen dieser Anmeldung jegliche Art von elektronischer Komponente verstanden, die in der Lage ist, logische bzw. mathematische Operationen auszuführen. Darunter fallen demnach herkömmliche Logikeinheiten, programmierbare Logikbausteine, Field Programmable Gate Arrays (FPGAs), Mikrocontroller, Integrierte Schaltkreise (IC) oder auch andere Arten von elektronischen Bausteinen, in denen ein Programm abläuft.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die jeweilige Spannungsüberwachungsvorrichtung einen Differenzierer, welcher die Differenz aus Gate- und Source-Spannungen des zugeordneten Leistungs-MOSFET bildet und als Ausgangssignalspannung bereitstellt.
  • Bevorzugt umfasst dabei die jeweilige Spannungsüberwachungsvorrichtung einen Komparator, der an einem Eingang die Ausgangssignalspannung des jeweiligen Differenzierers empfängt, mit der vorgegebenen Referenzspannung vergleicht und das Ergebnis dieses Vergleichs als Vergleichsausgangssignal an die Logikeinheit weitergibt. Differenzierer und Komparator sind dabei hintereinandergeschaltet und liefern der Logikeinheit ein Signal, aufgrund dessen sich der Zeitpunkt der Umschaltung ergibt und wodurch dynamisch die Totzeit erzeugt wird.
  • Das Vergleichsausgangssignal des Komparators ist vorzugsweise ein binäres Signal. Dieses Signal kann dabei als ein Bit repräsentiert werden, welches beispielsweise gesetzt wird, wenn ein Unterschreiten der Referenzspannung stattfindet und andernfalls gelöscht wird, oder auch umgekehrt.
  • Die Referenzspannung ist vorteilhafterweise derart gewählt, dass sie gleich groß oder geringer ist als die Plateauspannung des jeweils zugeordneten Leistungs-MOSFET. In diesem Bereich ist die Spannung auf einem hinreichend kleinen Niveau und fällt zudem auch schnell genug ab, so dass ein Umschalten zwischen den beiden Leistungsschaltern ohne Kurzschlussgefahr durchgeführt werden kann.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist in der Logikeinheit eine konstante Festtotzeit hinterlegt, wobei zwischen den Leistungs-MOSFETS einer Halbbrücke nicht vor Ablauf der Festtotzeit umgeschaltet wird. Die Festtotzeit wird dabei vorzugsweise als Minimaltotzeit gewählt werden, die in jedem Fall garantiert wird. Das heißt, ein Umschalten erfolgt frühestens nach Ablauf der Festtotzeit, und dann sobald die Spannung unter der Referenzspannung liegt. Falls die Spannung schon vorher und den Wert der Referenzspannung gefallen ist, wird dann noch gewartet, bis die (sehr klein gewählte) feste Totzeit verstrichen ist.
  • In einer weiteren möglichen Ausführungsform ist in der Logikeinheit eine konstante Festtotzeit hinterlegt, wobei bei einer Umschaltung zwischen den Leistungs-MOSFETS einer Halbbrücke nach der Erfassung der dynamischen Totzeit eine sehr kleine Totzeit addiert wird und dann erst umgeschaltet wird.
  • Die Logikeinheit ist in einer bevorzugten Ausführungsform als FPGA ausgestaltet. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist sie als Mikro-Controller (μC) ausgebildet.
  • Die Plateauspannung der MOSFETS der Leistungsbrücke liegt bevorzugt im Bereich 3 bis 6 Volt, insbesondere bei 5 Volt. Die MOSFETS sind vorzugsweise als N-Kanal MOSFETS ausgebildet.
  • Die Vorteile der Erfindung liegen insbesondere darin, dass durch eine dynamisch bestimmte Totzeit die Motorperformance optimiert wird. Durch eine dynamische, dem aktuellen Spannungsverlauf folgende Umschaltung der Leistungsschalter wird die Totzeit automatisch an den physikalischen Zustand des entsprechenden Leistungsschalters, insbesondere auch seine aktuelle Temperatur, angepasst. Mit steigender Temperatur erfolgt gewöhnlich die Umschaltung langsamer, wodurch der Schwellenwert der Referenzspannung auch später unterschritten wird. Aufgrund der Umschaltung bei Unterschreiten des Schwellenwertes verlängern sich die Totzeiten automatisch bzw. selbstständig.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand einer Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt die einzige Figur eine Vorrichtung zum Betreiben eines Motors mit einer Leistungsbrücke mit drei Halbbrücken, den Leistungsschaltern zugeordnete Spannungsüberwachungsvorrichtungen und einer Logikeinheit.
  • Ein Motor 2 wird durch eine Vorrichtung 6 betrieben, welche eine Leistungsbrücke 10 sowie eine Logikeinheit 14 umfasst. Der Motor 2 hat drei Wicklungen, wobei jeder der drei Wicklungen eine Halbbrücke 20, 24, 28 zugeordnet ist. Die Halbbrücke 20 umfasst einen Highside-MOSFET 32, der im Rahmen einer Pulsweitenmodulationsansteuerung im aktiven Zustand eine Spannung UB bereitstellt sowie einen Lowside-MOSFET 36, der für das Bereitstellen von Erde (GND) verantwortlich ist. In gleicher Weise umfassen die Halbbrücken 24 und 28 jeweils einen Highside-MOSFET 40, 48 und einen Lowside-MOSFET 44, 52. Die Logikeinheit 14 schaltet die MOSFETS 32, 36, 40, 44, 48, 52 aufgrund der aktuellen Anforderungen an den Motor 2.
  • Die Vorrichtung 6 ist dazu ertüchtigt, eine optimierte Performance des Motors 2 zu ermöglichen, indem die Totzeit zwischen dem Schalten von Highside-MOSFET 32, 40, 48 und Lowside-MOSFET 36, 44, 52 jeweils von dem aktuellen Spannungszustand des gerade geschalteten MOSFETS einer Halbbrücke abhängig gemacht wird.
  • Dem Highside-MOSFET 32 ist dazu eine Spannungsüberwachungsvorrichtung 60 zugeordnet, welche die Gate-Spannung an dem Gate-Anschluss 64 und die Source-Spannung an dem Source-Anschluss 68 des Highside-MOSFETS 32 überwacht. Die Spannungsüberwachungsvorrichtung 60 vergleicht dazu zunächst differentiell die beiden Spannungen, d. h. sie bildet deren Differenz. In einem zweiten Schritt vergleicht sie die auf diese Weise ermittelte Differenz mit einer hinterlegten Referenzspannung Uref.
  • Die Spannungsüberwachungsvorrichtung 60 weist dazu einen Differenzierer 70 auf, dessen erster Eingang 74 mit dem Gate-Anschluss 64 und dessen zweiter Eingang 78 mit dem Source-Anschluss 68 verbunden sind, so dass die Gate-Spannung und die Source-Spannung an dem Differenzierer 70 anliegen. Der Differenzierer 70 bildet nun die Differenz dieser beiden Spannungen (die Gate-Spannung ist im Allgemeinen höher) und stellt das Ergebnis dieser Operation, eine Differenzspannung Udiff, an einem Ausgang 80 zur Verfügung.
  • Ein Komparator 82 ist mit einem Eingang 86 mit dem Ausgang 80 des Differenzierers 70 verbunden. Weiterhin liegt dem Komparator 82 die Referenzspannung UREF vor. An einem Ausgang 92 stellt der Komparator 82 nun ein binäres Signal zur Verfügung, welches das Ergebnis des Vergleiches der Differenzspannung Udiff mit der Referenzspannung Uref repräsentiert. Dabei entspricht ein erster binärer Zustand (beispielsweise 1) dem Fall, dass Udiff < Uref gilt, und ein zweiter binärer Zustand (beispielsweise 0), dass Udiff >= Uref gilt. Die binären Werte können auch anders gewählt werden, ebenso der Fall, welcher binäre Zustand den Gleichheitsfall Udiff = Uref repräsentiert.
  • Das Ausgangssignal des Komparators liegt an einem Eingang 96 der Logikeinheit 14 an. Eine Umschaltung auf den Lowside-MOSFET 36 wird durch die Logikeinheit 14 nur dann durchgeführt, wenn das binäre Signal der Spannungsüberwachungsvorrichtung 60 ein Unterschreiten der Referenzspannung Uref anzeigt.
  • Dem Lowside-MOSFET 36 der Halbbrücke 20 ist in ähnlicher Weise eine Spannungsüberwachungsvorrichtung 100 zugeordnet, deren Ausgangssignal an einem Eingang 102 der Logikeinheit bereitliegt.
  • In gleicher Weise sind auch den MOSFETS 40, 44, 48, 52 Spannungsüberwachungsvorrichtungen 110, 114, 118, 122 zugeordnet, die jeweils die in dem jeweiligen MOSFET auftretenden Spannungen überwachen und das Unterschreiten der Gate-Source-spannung einer Referenzspannung Uref überwachen und das Ergebnis an der Logikeinheit 14 zur Verfügung stellen.
  • Die auf diese Weise realisierte technische Vorrichtung 6 bestimmt also mit Hilfe der jeweiligen Spannungsüberwachungsvorrichtung 60, 100, 110, 114, 118, 122 durch eine differentielle Messung die Gate-Source-Spannung jedes einzelnen MOSFETS 32, 36, 40, 44, 48, 52 der Leistungsbrücke 10 bzw. Leistungsendstufe und vergleicht diese jeweils mit einer vorgegeben Spannung, nämlich der Referenzspannung Uref.
  • Auf diese Weise kann die Totzeit, die gewöhnlich für die maximalen Schaltzeiten der MOSFETS 32, 36, 40, 44, 48, 52 ausgelegt ist, soweit reduziert werden, dass in jedem Betriebszustand die größtmögliche Ansteuerungszeit für den Gleichstrommotor 2 zur Verfügung steht. Dies geschieht, indem bei einer Umschaltung z. B. des Highside-MOSFETS auf den Low-side-MOSFET erst der Highside-MOSFET abgeschaltet wird und dann auf die Änderung des Signals der jeweiligen Spannungsüberwachungsvorrichtung 60, 100, 110, 114, 118, 122 gewartet wird, d. h. es wird gewartet, bis dieses Signal umspringt auf den Wert der ein Unterschreiten der Referenzspannung Uref repräsentiert. Wenn diese Signaländerung erfolgt ist wird sofort der Lowside-MOSFET angesteuert. Dadurch wird eine optimierte kürzest mögliche Totzeit realisiert. Das gleiche gilt für die Umschaltung von dem Lowside-MOSFET zu dem entsprechenden Highside-MOSFET der gleichen Halbbrücke 20, 24, 28.
  • In der Praxis kann dadurch beispielsweise eine konstante Totzeit, die aus Sicherheitsgründen gewöhnlich im Bereich von einigen μs gewählt wird, auf Totzeiten im ns-Bereich (beispielsweise ca. 200 ns) reduziert werden. Bei typischen Zeitskalen eines Duty Cycles eines MOSFETS im Bereich von 50 µs kann dadurch eine deutliche Performanceverbesserung in der Ansteuerung erreicht werden.
  • Die Logikeinheit 14 ist vorliegend als FPGA ausgestaltet. Sie verarbeitet die ihr von den Spannungsüberwachungsvorrichtungen 60, 100, 110, 114, 118, 122 bereitgestellten Signale und steuert die einzelnen Leistungsschalter an bzw. schaltet sie, wodurch der Motor 2 angesteuert wird und sein Erregerfeld erzeugt wird. Die Logikeinheit kann auch als Mikrocontroller oder als ASIC (Application-specific integrated circuit) ausgebildet sein.
  • Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Leistungsschalter bzw. MOSFETS 32, 36, 40, 44, 48, 52 jeweils hinsichtlich ihrer elektronischen Eigenschaften gleich ausgestaltet, so dass auch jeweils mit dem gleichen Wert der Referenzspannung Uref verglichen wird. Die Erfindung umfasst aber auch Ausgestaltungen der Vorrichtung 6, bei denen unterschiedlich ausgestaltete und/oder sich unterschiedliche verhaltende (bzw. durch Alterungsprozesse) MOSFETS 32, 36, 40, 44, 48, 52 eingesetzt werden, wobei zu jedem dieser Leistungsschalter individuell eine Referenzspannung Uref gewählt wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 2
    Gleichstrommotor
    6
    Vorrichtung
    10
    Leistungsbrücke
    14
    Logikeinheit
    20, 24, 28
    Halbbrücke
    32, 36, 40, 44, 48, 52
    Leistungs-MOSFET
    60
    Spannungsüberwachungsvorrichtung
    64
    Gate-Anschluss
    68
    Source-Anschluss
    70
    Differenzierer
    74
    erster Eingang
    78
    zweiter Eingang
    80
    Ausgang
    82
    Komparator
    86
    Eingang
    92
    Ausgang
    96
    Eingang
    100
    Spannungsüberwachungsvorrichtung
    102
    Eingang
    110, 114, 118, 122
    Spannungsüberwachungsvorrichtung
    Uref
    Referenzspannung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102011080941 A1 [0005]

Claims (10)

  1. Vorrichtung (6) zum Betreiben eines elektronisch kommutierten, mehrphasigen Gleichstrommotors (2) mit einer Mehrzahl von Wicklungen, umfassend eine Leistungsbrücke (10) mit einer Mehrzahl von Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) und einer Logikeinheit (14) zur Erzeugung der Phasenspannungen in den Wicklungen und zur Schaltung der Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52), wobei jeder Wicklung eine Halbbrücke (20, 24, 28) mit zwei Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Leistungs-MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52) eine Spannungsüberwachungsvorrichtung (60, 100, 110, 114, 118, 122) zur Überwachung seiner Gate-Source-Spannung zugeordnet ist, wobei die Logikeinheit (14) eingangsseitig mit der jeweiligen Spannungsüberwachungsvorrichtung (60, 100, 110, 114, 118, 122) verbunden ist, und wobei die Logikeinheit (14) zwischen einem geschalteten und einem nicht-geschalteten Leistungs-MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52) einer Halbbrücke (20, 24, 28) erst dann umschaltet, wenn die überwachte Gate-Source-Spannung des überwachten Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) unter einer vorgegebenen Referenzspannung (Uref) liegt.
  2. Vorrichtung (6) nach Anspruch 1, wobei die jeweilige Spannungsüberwachungsvorrichtung (60) einen Differenzierer (70) umfasst, welcher die Differenz aus Gate- und Source-Spannungen des zugeordneten Leistungs-MOSFET (32) bildet und als Ausgangssignalspannung (Udiff) bereitstellt.
  3. Vorrichtung (6) nach Anspruch 2, wobei die jeweilige Spannungsüberwachungsvorrichtung (60) einen Komparator (82) umfasst, der an einem Eingang (86) die Ausgangssignalspannung des jeweiligen Differenzierers (70) empfängt, mit der vorgegebenen Referenzspannung vergleicht und das Ergebnis dieses Vergleichs als Vergleichsausgangssignal an die Logikeinheit (14) weitergibt.
  4. Vorrichtung (6) nach Anspruch 3, wobei das Vergleichsausgangssignal ein binäres Signal ist.
  5. Vorrichtung (6) nach Anspruch 3 oder 4, wobei Referenzspannung (Uref) derart gewählt ist, dass sie gleich groß oder geringer ist als die Plateauspannung des jeweils zugeordneten Leistungs-MOSFET (32, 36, 40, 44, 48, 52).
  6. Vorrichtung (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei in der Logikeinheit (14) eine konstante Festtotzeit hinterlegt ist, und wobei die Logikeinheit (14) zwischen zwei Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) einer Halbbrücke (20, 24, 28) nicht vor Ablauf der Festtotzeit umschaltet.
  7. Vorrichtung (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Logikeinheit (14) als FPGA ausgestaltet ist.
  8. Vorrichtung (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Logikeinheit (14) als Mikrokontroller ausgebildet ist.
  9. Vorrichtung (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Plateauspannung der Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) im Bereich 4 bis 6 Volt, insbesondere bei 5 Volt liegt.
  10. Vorrichtung (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Leistungs-MOSFETS (32, 36, 40, 44, 48, 52) als N-Kanal MOSFETS ausgebildet sind.
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DE10325588A1 (de) * 2002-06-06 2003-12-18 Int Rectifier Corp Integrierte MOS-Gate-Treiberschaltung mit adaptiver Totzeit
DE102011080941A1 (de) 2011-08-15 2013-02-21 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren zur Steuerung eines elektronisch kommutierten mehrphasigen Gleichstrommotors
DE102012111905A1 (de) * 2011-12-07 2013-06-13 Maxim Integrated Products, Inc. Adaptive Totzeitsteuerung

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